DE3019239C2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
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- H10W74/121—
-
- H10W74/00—
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- H10W90/753—
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- H10W90/754—
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Umhüllung für eine Halbleiter-Leucht
diode nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Häufig sind insbesondere Halbleiterbauelemente gegen Einwirkungen
von mechanischen Drücken empfindlich, was gelegentlich zu einer
Verschlechterung der elektrischen Parameter oder Eigenschaften
und sogar zu einer vollständigen Zerstörung der Halbleiterbau
elemente führen kann. Um dies zu vermeiden, werden bisher bei
spielsweise Leuchtdioden zum Schutz gegen äußere Einflüsse mit
einem harten Medium umgeben. Dies hat aber den Nachteil, daß der
artige Medien im elektrischen Betrieb oft zu einer starken
Alterung der aktiven Halbleiterelemente, beispielsweise Leucht
dioden-Chips, führen.
Aus US-PS 40 32 963 ist eine Umhüllung für eine Halbleiter-Leucht
diode nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bekannt. Dabei
wird für die weitere Schicht ein Material verwendet, das einen
größeren Ausdehnungskoeffizienten aufweist als die erste Schicht aus elastischem Silikon.
Dabei wird die erste Schicht verformt. Dadurch ändern sich die
optischen Eigenschaften als Funktion der Temperatur. Außerdem
läßt Thermoplast, das als weitere Schicht verwendet wird, eben
so wie Silikon Feuchtigkeit durch. Eine Halbleiter-Leuchtdiode
nach dieser Veröffentlichung ist daher nur verwendbar in tem
perierten Räumen bei gleichbleibenden trockenen klimatischen
Bedingungen. Thermoplast-Material, das bei tiefen Temperaturen
verwendet wird, wird spröde. Für eine Halbleiter-Leuchtdiode ist
es nicht tolerierbar, daß die in der Umhüllung ausgebildeten
Linsen ihre Form ändern. Außerdem muß bei der bekannten Halblei
ter-Leuchtdiode die erste Schicht ein großes Volumen aufweisen,
um den zur Leuchtdiode gehörenden Bonddraht zur Gänze aufzuneh
men, damit nicht aufgrund von Temperaturwechsel an der Grenz
fläche zwischen erster Schicht und der weiteren Schicht der
Bonddraht abgeschert wird. Aus optischen Gründen muß bei der be
kannten Leuchtdiode die erste Schicht jedoch ein kleines Volumen
aufweisen, damit möglichst viel Licht gerade oder wenigstens
scharf gebündelt aus der Umhüllung austreten kann.
In DE-OS 26 49 668 ist eine Halbleiter-Leuchtdiode beschrieben
mit einer Umhüllung aus Epoxid-Harz. Dieses Epoxid-Harz soll
auch zur Fixierung der Leuchtdiode dienen. Da über die Beschaf
fenheit des Oxidharzes keine zusätzlichen Angaben gemacht sind,
ist davon auszugehen, daß üblicherweise verwendetes hartes Epo
xid-Harz benutzt wird, das Druck auf die Leuchtdiode ausübt und
die Eigenschaften der Leuchtdiode dadurch verschlechtert.
In US-PS 35 66 208 ist ein Halbleiterbauelement beschrieben, in
dessen Umhüllung aus Kunststoff die elektrischen Anschlüsse mittels Glasversiegelung vakuumdicht einge
bracht werden können.
Dabei wird für die Umhüllung eine Einkapselung aus zwei
unterschiedlichen Epoxid-Materialien verwendet.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Um
hüllung der eingangs genannten Art anzugeben, die einerseits
optimal gegen äußere Einflüsse schützt und andererseits keine
negativen Auswirkungen auf die Degradation des zu schützenden
Halbleiters hat.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Umhüllung nach dem
Patentanspruch 1 gelöst.
Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Wärme
ausdehnungskoeffizienten der beiden Schichten verschieden
voneinander sind.
Bei der Erfindung wird die Halbleiter-Leuchtdiode mit einer
weichen Abdeckung umgeben und anschließend mit einem harten
Medium umhüllt. Damit werden mechanische Druckeinwirkungen, bei
spielsweise aufgrund der Wärmeausdehnung des Halbleitermaterials,
vom aktiven Teil des Bauelements ferngehalten.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher er
läutert, in derer
einziger Figur eine Leuchtdiode im Schnitt dar
gestellt ist.
Der Halbleiterkörper 1 einer Leuchtdiode ist in eine weiche
durchsichtige Umhüllung 2 als erste Schicht aus Epoxidharz ein
gebettet. Der Halbleiterkörper 1 liegt dabei auf einem auch zur
Wärmeableitung dienenden Kontakt-Träger 4, an dem ein Anschluß
stift 5 befestigt ist. Durch die Metallplatte 4 ist von dieser
elektrisch isoliert ein weiterer Anschlußstift 6 geführt, der
über einen Draht 7 mit der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1
verbunden ist. Die Umhüllung 2 wird von einer weiteren Schicht 3
aus einem harten durchsichtigen Epoxidharz umgeben.
Bei diesem Aufbau nimmt also die Umhüllung 2 Druckschwankungen
auf, während die Schicht 3 aus hartem Kunststoff den Halblei
terkörper 1 vor Umwelteinflüssen schützt.
Claims (2)
1. Umhüllung für eine Halbleiter-Leuchtdiode (1), die unmittel
bar in eine erste aus einem durchsichtigen Material zur Aufnahme
von Druckschwankungen bestehende Schicht (2) eingebettet ist,
wobei die weiche Umhüllung ihrerseits unmittelbar von einer wei
teren Schicht (3) aus einem harten durchsichtigen Kunststoff um
geben ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Halblei
ter-Leuchtdiode auf einem auch zur Wärmeableitung dienenden
Kontakt-Träger (4) befestigt ist, und daß die erste Schicht aus
weichem Epoxidharz in die weitere Schicht aus einem harten
Epoxidharz besteht.
2. Umhüllung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeaus
dehnungskoeffizienten der beiden Schichten (2, 3) verschie
den voneinander sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803019239 DE3019239A1 (de) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Umhuellung fuer halbleiterbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803019239 DE3019239A1 (de) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Umhuellung fuer halbleiterbauelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3019239A1 DE3019239A1 (de) | 1981-11-26 |
| DE3019239C2 true DE3019239C2 (de) | 1990-07-12 |
Family
ID=6102860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE19803019239 Granted DE3019239A1 (de) | 1980-05-20 | 1980-05-20 | Umhuellung fuer halbleiterbauelement |
Country Status (1)
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|---|---|
| DE (1) | DE3019239A1 (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4223795A1 (de) * | 1992-07-20 | 1994-02-03 | Priesemuth W | Optoelektronisches Bauelement |
| DE4441905A1 (de) * | 1994-01-24 | 1995-07-27 | Hewlett Packard Co | Verfahren und Vorrichtung zum Verbessern des Verhaltens von Licht-emittierenden Dioden |
| DE10307800A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Halbleiterbauteil |
| DE19938053B4 (de) * | 1998-11-06 | 2007-05-16 | Lumileds Lighting Us | Hochstabile optische Einkapselung und Packung für lichtemittierende Dioden |
| DE19945675B4 (de) * | 1998-11-05 | 2009-05-20 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Oberflächenbefestigbares LED-Gehäuse |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3222791A1 (de) * | 1982-06-18 | 1983-12-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von halbleiter-bauelementen |
| JPS59198740A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体複合素子 |
| EP0169403A3 (de) * | 1984-07-26 | 1987-09-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Umhülltes elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| FR2592221B1 (fr) * | 1985-12-20 | 1988-02-12 | Radiotechnique Compelec | Procede d'encapsulation d'un composant electronique au moyen d'une resine synthetique |
| US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
| JPS63213347A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2569717B2 (ja) * | 1987-06-05 | 1997-01-08 | 日本電装株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| US5452190A (en) * | 1993-07-19 | 1995-09-19 | Priesemuth; Wolfgang | Optoelectronic component |
| WO1999015582A1 (de) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Duroplast verbundwerkstoff mit ausdehnbare mikrohohlkugeln, sowie seine verwendung zur verkapselung |
| JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP4634810B2 (ja) | 2005-01-20 | 2011-02-16 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン封止型led |
| US7405433B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Semiconductor light emitting device |
| DE102007004807A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper |
| DE102007025749A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Wacker Chemie Ag | Leuchtkörper-Silicon-Formteil |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1240414A (fr) * | 1958-11-14 | 1960-09-02 | Sarkes Tarzian | Diode |
| US3428871A (en) * | 1966-04-14 | 1969-02-18 | Int Rectifier Corp | Semiconductor housing structure having flat strap with re-entrant bends for one terminal |
| US3566208A (en) * | 1968-02-02 | 1971-02-23 | Fairchild Camera Instr Co | Pin socket |
| CH560999A5 (de) * | 1973-08-16 | 1975-04-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| US4032963A (en) * | 1974-09-03 | 1977-06-28 | Motorola, Inc. | Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device |
| FR2330062A1 (fr) * | 1975-10-31 | 1977-05-27 | Thomson Brandt | Dispositif de recherche de focalisation et lecteur optique comportant un tel dispositif |
| BR7800732A (pt) * | 1977-02-08 | 1978-10-10 | Philips Nv | Dispositivo semi-condutor |
-
1980
- 1980-05-20 DE DE19803019239 patent/DE3019239A1/de active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4223795A1 (de) * | 1992-07-20 | 1994-02-03 | Priesemuth W | Optoelektronisches Bauelement |
| DE4441905A1 (de) * | 1994-01-24 | 1995-07-27 | Hewlett Packard Co | Verfahren und Vorrichtung zum Verbessern des Verhaltens von Licht-emittierenden Dioden |
| DE19945675B4 (de) * | 1998-11-05 | 2009-05-20 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Oberflächenbefestigbares LED-Gehäuse |
| DE19964501B4 (de) * | 1998-11-05 | 2013-05-29 | Philips Lumileds Lighting Company,Llc | Chipanordnung |
| DE19938053B4 (de) * | 1998-11-06 | 2007-05-16 | Lumileds Lighting Us | Hochstabile optische Einkapselung und Packung für lichtemittierende Dioden |
| DE10307800A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-09-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Halbleiterbauteil |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3019239A1 (de) | 1981-11-26 |
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Legal Events
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