DE2852440A1 - Verfahren zur herstellung eines eingangsbildschirms fuer einen bildverstaerker - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines eingangsbildschirms fuer einen bildverstaerkerInfo
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Description
ι Patentanwälte
Registered Representatives . before the
European Patent Office
European Patent Office
Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, Möhtstraße37
, . , . T D-8000 München 80
Kawasaki-shi, Japan
Tel.: 0 89/98 20 85-87
Telex. 0529802. hnkld Telegramme dlipsoid
53P699-2
- 4. Dez. 1978
Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker
nie Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker, der ein durch radioaktive Strahlung, etwa γ-Strahlung oder Röntgenstrahlung, gebildetes Bild in ein sichtbares Bildmuster umsetzt.
Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker, der ein durch radioaktive Strahlung, etwa γ-Strahlung oder Röntgenstrahlung, gebildetes Bild in ein sichtbares Bildmuster umsetzt.
Ein Bildverstärker zur Umsetzung hochenergetischer radioaktiver Strahlung, wie γ- oder Röntgenstrahlung, in ein
sichtbares, helles Lichtmuster bzw. -bild umfaßt einen Eingangs- und einen Ausgangsbildschirm, welcher das vom Eingangsbildschirm gelieferte Photoelektronenbild in ein sichtbares Bild umwandelt. Ein solcher Bildverstärker soll dabei ein
deutlich aufgelöstes sichtbares Bild liefern. Zu diesem Zweck muß ein durch radioaktive Strahlung gebildetes Bild wiedergabegetreu in ein Photoelektronenbild umgesetzt werden.
sichtbares, helles Lichtmuster bzw. -bild umfaßt einen Eingangs- und einen Ausgangsbildschirm, welcher das vom Eingangsbildschirm gelieferte Photoelektronenbild in ein sichtbares Bild umwandelt. Ein solcher Bildverstärker soll dabei ein
deutlich aufgelöstes sichtbares Bild liefern. Zu diesem Zweck muß ein durch radioaktive Strahlung gebildetes Bild wiedergabegetreu in ein Photoelektronenbild umgesetzt werden.
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Im allgemeinen umfaßt der Eingangsbildschirm des Bildverstärkers ein Substrat aus z.B. für radioaktive Strahlung
durchlässigem Aluminium, eine auf das Substrat aufgetragene
Alkali(metall)halogenid-Leuchtstoffschicht, die bei Beaufschlagung
mit radioaktiver Strahlung effektiv Licht zu emittieren vermag, und eine auf die Leuchtstoffschicht aufgebrachte,
lichtemittierende (photoemissive) Schicht aus z.B. einer für Licht der Leuchtstoffschicht empfindlichen
Verbindung von Antimon und Cäsium bzw. Sb und Cs.
''"'ig. 1 veranschaulicht einen bisherigen Eingangsbildschirm,
welcher ein von einer entsprechenden Strahlungsquelle emittiertes radioaktives Strahlungsbild wiedergabegetreu in
ein Photoelektronenbild umsetzen soll. Der Bildschirm nach Fig. 1 umfaßt ein Substrat 11, eine Leuchtstoffschicht 12 und
eine lichtemittierende Schicht 15. Die Leuchtstoffschicht
enthält eine große Zahl Risse oder Spalte 13, so daß sie tatsächlich aus einem Aggregat zahlreicher, durch die
Risse festgelegter Leuchtstoffblöcke 14 besteht.. Infolge
dieses Aufbaus der Leuchtstoffschicht 12 werden Lichtstrahlen
16 derart gestreut, daß ihr Auftreffen auf die lichtemittierende
Schicht 15 sichergestellt und dadurch die Auflösung des ursprünglichen (radioaktiven) Strahlungsbilds verbessert
wird. Die Lichtstrahlen 16 werden dabei nur innerhalb der
Leuchtstoffblöcke 14 gestreut, die als Leiter zur Führung
der Lichtstrahlen 16 zur lichtemittierenden Schicht 15 dienen.
Ein bisheriges Verfahren zur Herstellung eines solchen Eingangsbildschirms
besteht darin, zunächst eine Leuchtstoffschicht 12 aus Cäsiumiodid auf das Aluminiumsubstrat 11
aufzutragen, die Leuchtstoffschicht 12 thermischen Schocks
auszusetzen und auf diese Weise aufgrund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Aluminiumsubstrats 11 und
der Leuchtstoffschicht 12 in letzterer Risse auszubilden.
Ein nach diesem bisherigen Verfahren hergestellter Eingangsbildschirm zeigt jedoch die folgenden Mangel:
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1. Die durch die Risse gebildeten Leuchtstoffblöcke besitzen
eine unzulässige Größe, deren Verkleinerung zur entsprechenden Verbesserung der Auflösung des Vorlagenbilds
der radioaktiven Strahlung Schwierigkeiten bereitet. Außerdem ist dabei die Größe der Leuchtstoffblöcke
schwierig zu reproduzieren.
2. Es ist schwierig, lediglich mit den von den verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Substrats 11 und der
Leuchtstoffschicht 12 herrührenden Spannungen Risse zu
erzeugen, die sich über die Gesamtdicke der Leuchtstoffschicht 12 erstrecken. Infolgedessen vermag die Leuchtetoffschicht
12 ihre vorgesehene Funktion der Führung der Lichtstrahlen zur lichtemittierenden Schicht 15 nicht voll
zu erfüllen.
3. Aus den angegebenen Gründen besitzt ein Röntgenbildverstärker mit dem bisherigen Eingangsbildschirm einen Auflösungsgrad
von 28 - 30 Linienpaaren pro cm.
Aufgrund der angegebenen Mangel hat sich der bisherige Eingangsbildschirm
für die Verwendung bei einem Bildverstärker als unzufriedenstellend erwiesen.
Aufgabe der Erfindung ist damit die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker,
der mit einer Leuchtstoffschicht mit hohem Lichtleitvermögen
versehen ist, wodurch die Auflösung des Originaloder Vorlagenbilds aus radioaktiver Strahlung deutlich verbessert
werden soll.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker erfindungsgemäß
gelöst, daß ein Leuchtstoff aus einem Alkalimetall-
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halogenid auf die eine Fläche eines Substrats aufgedampft und dadurch eine Leuchtstoffschicht aus säulenförmigen
Kristallen hergestellt wird, die sich praktisch senkrecht zur Ebene des Substrats erstrecken, daß die Oberfläche der
Leuchtstoffschicht mit einem flüssigen Stoff behandelt wird,
der einen niedrigen Siedepunkt besitzt und den Leuchtstoff nicht aufzulösen vermag, um in der Leuchtstoffschicht im wesentlichen
senkrecht zur Ebene des Substrats verlaufende Risse auszubilden und dabei eine große Zahl von optisch voneinander
unabhängigen, durch die Risse festgelegten Leuchtstoffblökken
zu formen, und daß auf die Leuchtstoffschicht eine lichtemittierende
(photoemissive) Schicht aufgedampft wird.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Teilschnittansicht eines bisherigen Eingangsbildschirms
für einen Bildverstärker,
Fig. 2 eine Teilschnittansicht e^nes Bildverstärker-Eingangsbildschirms
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung und
Fig. 3 eine Fig. 2 ähnelnde Darstellung einer anderen Ausführungsform
der Erfindung.
Nachdem Fig. 1 eingangs bereits beschrieben worden ist, sind im folgenden zwei spezielle Ausführungsbeispiele der Erfindung
erläutert.
Der in Fig. 2 dargestellte Eingangsbildschirm umfaßt ein Substrat
21 aus z.B. Aluminium, eine Leuchtstoffschicht 22 aus
einem Alkalimetallhalogenid, wie Cäsium- oder Kaliumiodid,
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die auf das Substrat aufgetragen ist und durch säulenföx-mige,
sich praktisch senkrecht zur Ebene des Substrats erstreckende Kristalle gebildet wird, eine dünne Zwischenschicht
23 aus z.B. Aluminium- oder Indiumoxid auf der Leuchtstoffschicht 22 und eine auf die dünne Zwischenschicht
23 aufgetragene lichtemittierende (photoemissive) Schicht
24 aus z.B. Sb-Cs- oder Sb-K-Cs-Verbindung.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Leuchtstoffschicht
22 mit einem flüssigen Material behandelt, um längs ihrer säulenförmigen Kristalle Risse 25 auszubilden. Diese Risse
25 bestimmen dabei optisch voneinander unabhängige Leuchtstoff blöcke 26, die durch eine Zusammenballung von säulenförmigen
Kristallen gebildet sind. Mit anderen Worten: einfallende Lichtstrahlen werden dabei innerhalb der einzelnen
Leuchtstoffblöcke selbst gestreut und reflektiert und nicht in benachbarte Leuchtstoffblöcke übertragen.
Fig. 3 veranschaulicht einen Bildverstärker-Eingangsbildschirm gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Dabei sind auf der Oberfläche des Substrats 21 zahlreiche durch feine Rillen 31 umrissene Mosaikmusterelemente
32 ausgebildet. Wenn die Leuchtstoffschicht 22 auf diese Mosaikmusterelemente 32 aufgetragen wird, führen die Rillen
31 kurze Risse 33 in der Leuchtstoffschicht 22 ein. Wenn die Leuchtstoffschicht 22 sodann mit einem entsprechenden flüssigen
Material weiterbehandelt wird, werden langgestreckte, durch gestrichelte Linien angedeutete Risse 34 gebildet.
Diese kurzen Risse 33 und die längeren Einrisse 34 legen optisch voneinander unabhängige Leuchtstoffblöcke 35 fest,
die jeweils durch eine Masse säulenförmiger Kristalle gebildet sind.
Die Risse 25 und die länglichen Feinrisse 34 inder Leuchtstoffschicht
22 werden in der Weise hergestellt, daß zunächst säulenförmige Kristalle der Leuchtstoffschicht 22 auf dem Sub-
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strat 21 so gezüchtet werden, daß sie senkrecht zur Ebene
des Substrats 21 verlaufen, und anschließend die Leuchtstoffschicht 22 mit einem entsprechenden flüssigen Material behandelt
wird. .
Die Behandlung der Leuchtstoffschicht 22 mit einem solchen
flüssigen Material kann nach einem der folgenden Verfahren geschehen:
1. Eine die Leuchtstoffschicht 22 benetzende Flüssigkeit wird,
beispielsweise durch Wärmeeinwirkung, verdampft. Die in die
feinen Zwischenräume zwischen den Kristallen der Leuchtstoff schicht 22 eingedrungene Flüssigkeit verdampft dabei
unter Vergrößerung ihres Volumens und unter Ausübung von
Spannungen gegen die umgebenden Leuchtstoffkristalle, so
daß sich Spalte und Feinrisse bilden. Dieses Verfahren eignet sich insbesondere für die Herstellung eines Eingangsbildschirms mit dem Aufbau gemäß Fig. 3.
2b Eine die Leuchtstoffschicht 22 benetzende Flüssigkeit
wird mit Hilfe eines Gefriermittels, etwa mit flüssigem Stickstoff, in einen festen Zustand eingefroren. Die gefrorene
Flüssigkeit wird sodann in einer feuchtigkeitsfreien
Stickstoffatmosphäre weggetaut. Das in die feinen Zwischenräume
zwischen den Kristallen der Leuchtstoffschicht 22 eingedrungene flüssige Material erfährt dabei beim Einfrieren
je nach seiner speziellen Art eine Ausdehnung oder Zusammenziehung, wodurch große Belastungen bzw. Spannungen
auf die umgebenden Leuchtstoffkristalle ausgeübt und hierdurch
Risse und Feinrisse längs der Korngrenzen der eine schwache Bindung besitzenden säulenförmigen Kristalle erzeugt
werde.;.
3. Eine beispielsweise auf 1500C erwärmte Leuchtstoffschicht
wird mit einer Flüssigkeit abgeschreckt. Die einen großen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzende Leuchtstoffschicht
erfährt dabei durch die Abschreckung eine schnelle
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Schrumpfung. Infolgedessen bilden sich Risse längs der
Korngrenzen der eine schwache gegenseitige Bindung besitzenden säulenförmigen Kristalle. Dieses Behandlungsverfahren
eignet sich besonders für die Herstellung eines Eingangsbildschirms mit dem Aufbau gemäß den Fig. 2 und
3.
Die für die vorstehend geschilderte Behandlung verwendete Flüssigkeit ist vorzugsweise ein organisches Lösungsmittel,
das einen Siedepunkt von unter 1000C besitzt und den Leuchtstoff
nicht aufzulösen vermag. Derartige Lösungsmittel sind beispielsweise Alkohole, wie Methanol oder Äthanol, Ketone, wie
Aceton oder Methyläthylketon, Ester, wie Äthylacetat oder Methylisopropyl, und aromatische Verbindungen, wie Benzol.
Die verwendete Flüssigkeit kann auch aus einem Gemisch der angegebenen Verbindungen bestehen.
Beim Eingangsbildschirm gemäß Fig. 2 und 3 wird ein Mosaikmuster auf der Oberfläche des Substrats 21 gebildet. Beim
Eingangsbildschirm gemäß Fig. 3 läßt sich die Größe der Leuchtstoff blocke einfacher steuern, und die Risse können mit besserer
Wiederholbarkeit bezüglich ihrer Größe ausgebildet werden.
Beim vorstehend geschilderten Verfahren gemäß der Erfindung werden durch die Behandlung einer Leuchtstoffschicht mittels
einer Flüssigkeit wesentlich größere (mechanische) Spannungen eingeführt als diejenigen, die von den unterschiedlichen Wärmedehnungskoeffizienten
von Substrat und Leuchtstoffschicht herrühren. Auf diese Weise lassen sich zuverlässig Risse erzeugen,
welche über die Gesamtdicke der Leuchtstoffschicht verlaufen,
so daß die Leuchtstoffschicht einwandfrei in der Lage ist,
die Lichtstrahlen zur lichtemittierenden Schicht zu leiten. Durch einen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
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Eingangsbildschirm wird daher die Auflösung eines Bildverstärkers
deutlich verbessert.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms mit dem Aufbau gemäß Fig. 3 bietet die folgenden
Vorteile:
1. Die Rißbildung in einer Leuchtstoffschicht geht von der
dem Substrat zugewandten Seite aus. Aus diesem Grund besitzt eine solche Leuchtstoffschicht ein sehr hohes Lichtleitvermögen
zur Führung von Lichtstrahlen zu einer lichtemittierenden Schicht, so daß das aus radioaktiver Strahlung
gebildete Vorlagenbild mit höherer Genauigkeit aufgelöst wird.
2. Die durch das Mosaikschema auf der Oberfläche des Substrats bestimmte Größe der Leuchtstoffblöcke kann einfach verringert
werden, wodurch ein hohes Auflösungsvermögen eines
Bildverstärkers gewährleistet wird.
3. Da in einem Teil der Leuchtstoifschicht im voraus kurze
Risse ausgebildet worden sind, kann eine Rißbildung über die Dicke der Leuchtstoffschicht hinweg wesentlich einfacher
und mit besserer Wiederholbarkeit als dann gewährleistet werden, wenn die Rißbildung, wie bei den bisherigen
Verfahren, lediglich aufgrund des Unterschieds in den Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Substrat und Leuchtstoff
schicht hervorgerufen wird.
Die folgenden speziellen Beispiele beziehen sich auf die Herstellung
eines Eingangsbildschirms mit dem Aufbau gemäß Fig. und 3.
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Beispiel 1 (Eingangsbildschirm nach Fig. 2)
Eine Leuchtstoffschicht 22 aus Cäsiumiodid wurde mit einer Geschwindigkeit von 3 bis 6 um/min bei einer Temperatur von
40 bis 1500C (beispielsweise 1000C) bis zu einer Dicke von
etwa 150 μπι auf ein 0,5 mm dickes Aluminiumsubstrat 21 aufgedampft.
Dabei wurden säulenförmige Kristalle mit einem Durchmesser von 1 bis 5 um gezüchtet, die sich im wesentlichen
senkrecht zur Ebene des Aluminiumsubstrats erstreckten. In diesem Zustand besaß die Leuchtstoffschicht 22 praktisch kein
Lichtleitvermögen.
Die Leuchtstoffschicht 22 auf dem Aluminiumsubstrat 21 wurde
sodann 10 min lang in einer Stickstoffatmosphäre auf 1500C
erwärmt. Hierauf wurde die Leuchtstoffschicht 22 durch Eintauchen
in eine Flüssigkeit, beispielsweise Aceton, abgeschreckt. Bei diesem Abschreckvorgang bildeten sich in der
Leuchtstoffschicht 22 aus Cäsiumiodid, die einen großen Wärmeausdehnungskoeffizienten
besitzt, ohne weiteres zahlreiche Risse 25. Die Risse 25 erstreckten sich über die Gesamtdicke
der Leuchtstoffschicht 22, die aus diesem Grund ein hohes Lichtleitvermögen erkennen ließ. Ein Abblättern bzw. Abschälen
der Leuchtstoff schicht vom Substrat 21 wurde ebensowenig festgestellt wie Blasen oder Schmierstellen auf der Oberfläche
der Leuchtstoffschicht 22.
Bei Verwendung von Methylalkohol oder Äthylacetat anstelle von Aceton konnten in der Leuchtstoffschicht 22 äquivalente Risse
hergestellt werden.
Beim Verfahren gemäß diesem Beispiel bildeten die Risse 25 dann, wenn die Leuchtstoffschicht 22 dick war, große Leuchtstoff
blöcke 26, durch welche das Auflösungsvermögen eines Bildverstärkers beeinträchtigt wird. Zur Vermeidung dieses
Mangels wurde die Leuchtstoffschicht 22 jedesmal mit der an-
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gegebenen Flüssigkeit behandelt, wenn ihre Dicke um z.B.
70 μπι zugenommen hatte. Mit anderen Worten: das thermische Aufdampfen der Leuchtstoffschicht 22 und ihre Behandlung
mit einer Flüssigkeit wurden jeweils abwechselnd durchgeführt. Als Ergebnis wurde eine Leuchtstoffschicht erhalten, die aus
kleinen bzw. winzigen Leuchtstoffblöcken bestand.
Beispiel 2 (Eingangsbildschirm nach Fig. 3)
Die mit einer aufgedampften Leuchtstoffschicht zu versehende Seite
eines 0,5 mm dicken Aluminiumsubstrats 21 wurde wie folgt
einer anodischen Oxydation unterworfen: das Aluminiumsubstrat 21 wurde beispielsweise in eine 3%ige Oxalsäurelösung eingetaucht.
Unter Verwendung des Aluminiumsubstrats 21 als Anode wurde sodann etwa 2 h lang ein Strom mit einer Stromdichte
von 1 A/dm2 angelegt. Danach wurde das Aluminiumsubstrat 21
zum Verschließen der in ihm gebildeten Poren in siedendes Wasser eingetaucht. Hierbei wurde auf dem Aluminiumsubstrat
21 eine Kriställwasser enthaltende Aluminiumoxidschicht gebildet.
Wenn das Gebilde auf eine Temperatur von über 2500C,
beispielsweise 3000C, erwärmt wurde, bildete sich auf seiner
Oberfläche das durch die feinen Rillen 31 umrissene Mosaikmuster 32. Die Rillen 31 besaßen dabei eine Breite von etwa
3 bis 4 μπι und eine Tiefe von etwa 10 μπι. Der größte Teil der
Mosaikmusterelemente 32 besaß einen maximalen Durchmesser von 50 bis 100 μΐη.
Auf die so behandelte Oberfläche des Substrats wurde bei einer
Temperatur von 40 bis 1500C, beispielsweise 1000C, eine Leuchtstoffschicht
aus Cäsiumiodid mit einer Geschwindigkeit von 3 bis 6 μπι/min, z.B. 5 μπι/min, bis zu einer Dicke von etwa
150 jim aufgedampft. Dabei bildeten sich auf der Oberfläche des
Mosaikmusters 32 des Substrats 21 säulenförmige Kristalle mit
einem Durchmesser von 1 bis 5 μπι, die sich praktisch senkrecht zur Ebene des Substrats erstreckten. Die Leuchtstoffblöcke
35 in Form der säulenförmigen Kristalle wurden dabei durch die
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Risse 33 festgelegt, die von den feinen Rillen 31 des Mosaikmusters
32 ausgingen.
Die Cäsiumiodidkristalle nahmen im Verlauf des Aufdampfvorgangs aufgrund der Temperatur des Substrats bzw. der von
einem das Cäsiumiodid enthaltenden Schiffchen ausgestrahlten Wärme allmählich an Größe zu. Infolgedessen wurden die von
den Rillen 31 ausgehenden Risse allmählich enger, oder sie verschwanden weitgehend aufgrund des unregelmäßigen Kristallwachstums
infolge von Schwankungen in den Aufdampfbedingungen, bevor sie die Oberfläche der Leuchtstoffschicht 22 erreichten.
Die auf diese Weise hergestellte Leuchtstoffschicht 22 war daher nicht geeignet, Lichtstrahlen effektiv zu einer
lichtemittierenden Schicht 24 zu leiten.
Bei Behandlung der auf das Substrat 21 aufgedampften Leuchtstoffschicht
22 nach dem im Beispiel 1 beschriebenen Verfahren gingen jedoch von den Stellen, an denen die ursprünglichen
Risse aufhörten, neue Risse 34 aus, die sich bis zur Oberfläche der Leuchtstoffschicht erstreckten. In diesem Zustand vermochte
die Leuchtstoffschicht 22 Lichtstrahlen wirksam zur lichtemittierenden Schicht 24 zu leiten. Ein Ablösen der Leuchtstoff
schicht 22 vom Substrat 21 wurde ebensowenig festgestellt, wie Blasen bzw. Flecke oder Schmierstellen auf der Leuchtstoff
Schichtoberfläche .
Bei einer Abwandlung der Behandlung der Leuchtstoffschicht 22 mit einer Flüssigkeit wurde die auf die Oberfläche des
Substrats 21 aufgedampfte Leuchtstoffschicht 22 vollständig
mit einem flüchtigen, flüssigen Material, beispielsweise Aceton, benetzt. Die so benetzte Leuchtstoffschicht 22 wurde
sodann mehrere Sekunden lang in verflüssigten Stickstoff in einer Stickstoffkammer eingetaucht, um die flüchtige Flüssigkeit
erstarren zu lassen. Nach der Herausnahme aus dem flüssigen Stickstoff wurde das Gebilde in einer Stickstoffatmosphäre
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belassen, bis sich seine Temperatur wieder auf Raumtemperatur
eingestellt hatte. Dabei gingen in der so behandelten Leuchtstoffschicht 22 von den Stellen, an denen die vorher
eingeführten Risse 33 aufhörten, neue Risse 34 aus, die sich über die Gesamtdicke der Leuchtstoffschicht 22
bis zu ihrer Oberfläche erstreckten. Diese Erscheinung wurde dem Umstand zugeschrieben, daß in der Leuchtstoffschicht
22 innere Spannungen aufgrund der auftretenden Volumenänderungen der Flüssigkeit bei ihrer Verfestigung durch Einfrieren
auftraten. Die auf diese Weise hergestellte Leuchtstoffschicht 22 zeigte dasselbe hervorragende Lichtleitvermögen
zur Führung von Lichtstrahlen zur lichtemittierenden Schicht
wie im vorher geschilderten Fall.
Bei der gemäß Beispiel 2 erfolgenden Behandlung der Leuchtstoff schicht mit einem flüssigen Material bzw. einer Flüssigkeit
entstanden also neue Risse an den Stellen, an denen sich die durch die feinen Rillen 31 eingeführten Risse 33
schlossen. Diese neuen Risse 34 erstreckten sich, wie erwähnt,
über die Gesamtdicke der Leuchtstoffschicht 22 hinweg
bis zu ihrer Oberfläche, !'ie durch säulenförmige Kristalle
gebildeten, von den Rissen umschlossenen Leuchtstoffblöcke
35 erschienen auf der Oberfläche des Mosaikmusters 32. Diese Leuchtstoffblöcke 35 stellten dabei sehr wirksame
Lichtleitelemente für ein Bildelement dar.
Die Oberfläche der Leuchtstoffschicht 22, in welcher die Risse
durch die Behandlung mittels der genannten Flüssigkeit erzeugt worden war, zeigte ein labyrinthartiges Muster mit
verringertem Leitvermögen. Aus diesem Grund wird vorzugsweise
ein dünner leitfähiger Film 23 zwischen der Leuchtstoff schicht 22 und der lichtemittierenden Schicht 24 vorgesehen, um der Leuchtstoffschicht 22 über ihre Gesamtfläche
hinweg gleichmäßige Eigenschaften zu verleihen. Dieser dünne leitfähige Film 23 kann durch Aufdampfen einer Indiumoxidschicht
mit einer Dicke von beispielsweise 1Ö0 bis 3000 8
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auf der Oberfläche der Leuchtstoffschicht 22 ausgebildet
werden. Die lichtemittierende Schicht 24 wird nach einem üblichen Verfahren aus einer Sb-Cs- oder Sb-K-Cs-Verbindung
hergestellt.
Das Auflösungsvermögen der Leuchtstoffschicht 22 hängt weitgehend
von der Länge und Breite der Leuchtstoffblöcke 35
ab. Wie vorstehend beschrieben, können mit dem erfindungsgemäßen Verfahren über die Gesamtdicke der Leuchtstoffschicht
22 verlaufende Leuchtstoffblöcke 35 hergestellt werden. Weiterhin kann die Größe der Leuchtstoffblöcke 35 durch entsprechende
Steuerung der Größe der Mosaikmusterelemente 32 auf beispielsweise einige um verringert werden. Nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren kann somit ein Eingangsbildschirm für einen Bildverstärker mit hohem Auflösungsvermögen hergestellt
werden.
Versuche haben gezeigt, daß bei einem Röntgenstrahlenbildverstärker
unter Verwendung des erfindungsgemäß hergestellten Eingangsbildschirms die Modulationsübertragungsfunktion (MTF)
um 60 %, bezogen auf ein Auflösungsvermögen von 20 Zeilenpaaren pro cm, und auch um 50 %, bezogen auf 40 Zeilenpaare
pro cm, verbessert wurde. Auch bei Anlegung von Bildsignalen niedriger Frequenz konnte der Bildkontrast deutlich verbessert
werden. Die Modulationsübertragungsfunktion wurde selbst im Bereich hoher Auflösung beträchtlich erhöht. Darüber hinaus
arbeitete die lichtemittierende Schicht 24 wirksam.
Ersichtlicherweise kann ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Eingangsbildschirm nicht nur bei einem
Röntgenstrahlenbildverstärker, sondern auch bei anderen Arten von Bildverstärkern angewandt werden, die ein Röntgenstrahlungs-
oder γ-Strahlungsbild in ein Bild aus sichtbarem Licht umwandeln.
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Leerseite
Claims (8)
- /B52440h nice!,Kern,FeilerErHänzel PatentanwälteRegistered Representatives , before the European Patent OfficeTokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, Möhlstraße37, . , . D-8000 München 80Kawasaki-shi, Japan'— — Tel.: 0 89/98 20 85-87Telex: 0529802 hnk! d Telegramme: ellipsoid53P699-2Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen BildverstärkerPatentansprücheVerfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leuchtstoff aus einem Alkalimetallhalogenid auf die eine Fläche eines Substrats aufgedampft und dadurch eine Leuchtstoffschicht aus säulenförmigen Kristallen hergestellt wird, die sich praktisch senkrecht zur Ebene des Substrats erstrecken, daß die Oberfläche der Leuchtstoffschicht mit einem flüssigen Stoff behandelt wird, der einen niedrigen Siedepunkt besitzt und den Leuchtstoff nicht aufzulösen vermag, um in der Leuchtstoffschicht im wesentlichen senkrecht znr Ebene des Substrats verlaufende Risse auszubilden und dabei eine große Zahl von optisch voneinander unabhängigen, durch die Risse festgelegten Leuchtstoffblöcken zu formen, und daß auf die Leuchtstoffschicht eine lichtemittierende (photoemissive) Schicht aufgedampft wird ο
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf909823 / 0 8AiORIGINAL INSPECTEDder einen Fläche des Substrats eine große Zahl von Mosaikmusterelementen, die durch feine Rillen umrissen werden, ausgebildet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mosaikmusterelemente in der Weise hergestellt werden, daß die Oberfläche des Substrats einer anodischen Oxydation unterworfen wird, die in der Substratoberfläche entstehenden Poren durch Eintauchen des Substrats in siedendes Wasser geschlossen werden und das so behandelte Substrat erwärmt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtstoffschicht durch Benetzung mit einem flüssigen Stoff und anschließendes Verdampfen des flüssigen Stoffs behandelt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtstoffschicht durch Benetzung mit einem flüssigen Stoff, anschließendes Einfrieren des in die Leuchtstoffschicht eingedrungenen flüssigen Stoffs in einen festen " ·stand durch Eintauchen der Leuchtstoffschicht in ein Gefrier- oder Kältemittel und darauf folgendes Abtauen des gefrorenen flüssigen Stoffs in einer feuchtigkeitsfreien Atmosphäre behandelt wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtstoffschicht durch Erwärmung auf eine Temperatur von über 1000C, Benetzung und Abschreckung mit einem flüssigen Stoff behandelt wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen der Leuchtstoffschicht und ihre Behandlung mit einem flüssigen Stoff einander abwechselnd wiederholt durchgeführt werden.909823/0841
- 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als flüssiger Stoff ein organisches Lösungsmittel" mit einem Siedepunkt von unter 1000C, etwa Methanol, Äthanol, Aceton, Methyläthylketon, Äthylacet t, Methylisopropyl und/oder Benzol, verwendet wird.S09823/08M
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| DE2852440A Expired DE2852440C3 (de) | 1977-12-05 | 1978-12-04 | Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen Bildverstärker |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4371806A (en) * | 1979-07-23 | 1983-02-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Luminescent screen with grid structure for X-ray image intensifier |
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| DE69826142T2 (de) * | 1997-10-27 | 2005-09-22 | Crystalls And Technologies, Ltd. | Kathodolumineszenzschirm mit säulenförmiger struktur und verfahren zur herstellung |
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1977
- 1977-12-05 JP JP14514977A patent/JPS5478074A/ja active Pending
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- 1978-11-29 US US05/964,519 patent/US4239791A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-12-04 DE DE2852440A patent/DE2852440C3/de not_active Expired
Patent Citations (4)
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Also Published As
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