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DE2708652A1 - INTEGRATED OPTICAL CIRCUITS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - Google Patents

INTEGRATED OPTICAL CIRCUITS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Info

Publication number
DE2708652A1
DE2708652A1 DE19772708652 DE2708652A DE2708652A1 DE 2708652 A1 DE2708652 A1 DE 2708652A1 DE 19772708652 DE19772708652 DE 19772708652 DE 2708652 A DE2708652 A DE 2708652A DE 2708652 A1 DE2708652 A1 DE 2708652A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
langmuir
waveguide
deposited
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19772708652
Other languages
German (de)
Inventor
Pitt Christopher Wren
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Imperial Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Imperial Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB807276A external-priority patent/GB1580180A/en
Application filed by Imperial Chemical Industries Ltd filed Critical Imperial Chemical Industries Ltd
Publication of DE2708652A1 publication Critical patent/DE2708652A1/en
Ceased legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

Integrierte optische Schaltungen und Verfahren zur Herstellung derselbenIntegrated optical circuits and methods of making the same

Die Erfindung bezieht sich auf Dünnschicht-Anordnungen oder -elemente und insbesondere auf Dünnschicht-Optikelemente .The invention relates to thin film assemblies or elements and, more particularly, to thin film optical elements .

Die Anwendung von Lichtstrahlen, insbesondere LASER-Strahlen, als Informationsträger wurde zwar bereits vorgeschlagen, jedoch bereitet die praktische Anwendung des Prinzips im gewerblichen Maßstabe wegen der "Unhandlichkeit" der existierenden Gerätschaften wie Linsen, Prismen, Spiegel usw. Schwierigkeiten,zu denen sich praktisehe Probleme der verläßlichen, bequemen und räumlich konzentrierten Ausführung unterschiedlicher Schaltfunktionen wie Modulation, Filterung, Kopplung, Schaltung, Empfang bzw. Nachweis usw. gesellen. Zur Behebung dieser Probleme wurden sog. integrierte optische SchaltungenThe use of light rays, in particular LASER rays, as information carriers has already been proposed, however, the practical application of the principle on a commercial scale, because of the "unwieldiness" of the existing equipment such as lenses, prisms, mirrors, etc. Difficulties that arise in practice Problems of the reliable, convenient and spatially concentrated execution of different switching functions such as modulation, filtering, coupling, switching, reception or detection, etc. To fix this So-called integrated optical circuits have become problems

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(OIC) vorgeschlagen. Diese umfassen im wesentlichen einen planaren Dünnschicht-Lichtwellenleiter, der einen Lichtweg von geeignetem Brechungsindex bildet, auf einem geeigneten Substrat. Zur "Einsperrung" eines Licht-Strahls innerhalb der Wellenleiterumgrenzungen muß der Brechungsindex des Lichtwellenleiters derart sein, daß an den Begrenzungsflächen des Leiters interne Totalreflexion auftritt, so daß der Strahl innerhalb des Lichtwellenleiters wirtschaftlich, ohne unangemessenen Lichtverlust (durch Abgabe aus dem Wellenleiter) innerhalb des Leiters reflektiert werden kann.(OIC) proposed. These essentially comprise a planar thin-film optical waveguide, the one Forms light path of suitable refractive index on a suitable substrate. To "lock in" a ray of light Within the waveguide boundaries, the refractive index of the optical waveguide must be such that Total internal reflection occurs at the boundary surfaces of the conductor, so that the beam within the optical waveguide economical, without undue loss of light (by emission from the waveguide) within the guide can be reflected.

Typische Querschnittsabmessungen für OIC-Wellenleiter reichen von u-Teilen bis zu einigen ju und Unebenheiten der Begrenzung des Wellenleiters dürfen daher (abhängig vom Unterschied des Brechungsindex1 zwischen dem Wellenleiter und dem Substrat) einige 100 A nicht übersteigen. Das heißt, eine außerordentliche Genauigkeit bei der Abscheidung oder Ätzung des Wellenleiters ist von ausschlaggebender Bedeutung.Typical cross-sectional dimensions for OIC waveguides range from u-parts to a few ju and unevenness in the boundary of the waveguide must therefore not exceed a few 100 A (depending on the difference in the refractive index 1 between the waveguide and the substrate). That is, extreme accuracy in the deposition or etching of the waveguide is essential.

Es wurden bereits einige Verfahren zur Ablagerung einer geeignet dünnen Schicht vorgeschlagen und die Theorie der Dünnschicht-OICswird zum Beispiel in "Integrated Optics" von Chang, Muller und Rosenbaum, Laser Applications 2, 227 ff., Academic Press, Ine 1974 beschrieben.Some methods of depositing a suitably thin layer have been proposed and those The theory of thin-film OICs is described, for example, in "Integrated Optics" by Chang, Muller and Rosenbaum, Laser Applications 2, 227 ff., Academic Press, Ine 1974 described.

Die vorliegende Erfindung befaßt sich nun insbesondere mit Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-OICs sowie mit Verfahren zur Modifizierung solcher Schaltungen oder Kreise und deren Anwendung.The present invention is now particularly concerned with methods of fabricating thin film OICs as well as methods for modifying such circuits or circuits and their application.

Das erfindungsgemäße Verfahren basiert im wesentliehen auf der Abscheidung von zumindest einer KomponenteThe method according to the invention is essentially based on the deposition of at least one component

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des OICs durch eine Langmuir Film Technik. Langmuir Film Techniken sind bekannt; sie umfassen die Passage eines Substrats durch eine dünne, vorzugsweise monomolekulare, Schicht eines auf der Oberfläche einer Trägerflüssigkeit vorgesehenen filmbildenden Materials. Es ist so möglich, Materialfilme zu erhalten, ohne daß die Abdampfung grosser Lösungsmittelvolumina für diese Bildung erforderlich wäre; ein Zerreissen des Films als Ergebnis der Lösungsmittelabgabe wird dabei vermieden. 10of the OIC using a Langmuir Film technique. Langmuir movie Techniques are known; they involve the passage of a substrate through a thin, preferably monomolecular, Layer of a film-forming material provided on the surface of a carrier liquid. It is so possible Obtain films of material without the evaporation of large volumes of solvent required for this formation were; tearing of the film as a result of the release of solvent is avoided. 10

Die von der Anmelderin gewählte Technik, die nachfolgend einfach als Langmuir Technik bezeichnet wird, besteht im wesentlichen aus Folgendem:The technique chosen by the applicant, hereinafter simply referred to as Langmuir technique, consists essentially of the following:

Die Trägerflüssigkeit ist vorzugsweise für das filmbildende Material inert, das heißt, sie geht keine chemischen Reaktionen mit dem Material der Schicht oder dem Substrat unter den Bedingungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ein (obgleich es gelegentlich erwünscht sein kann, Materialien - möglicherweise in Lösung - einzubeziehen, die nicht nachteilig auf den Film einwirken, Jedoch mit ihm zum Beispiel unter Veränderung der ionischen Zusammensetzung reagieren können). Die als Unterlage dienende bzw. Trägerflüssigkeit wird ferner üblicherweise kein Lösungsmittel für das filmbildende Material sein, obgleich eine gewisse Löslichkeit nicht notwendigerweise von großem Schaden ist, solange die Schicht des filmbildenden Materials dadurch nicht zerstört oder ihre Bildung verhindert wird. Die Flüssigkeit kann organisch oder anorganisch sein; üblicherweise wird die Anwendung einer wässrigen Flüssigkeit, zweckmäßigerweise Wasser, bevorzugt. Die Anwesenheit gewisser anorganischer Ionen in einer wässrigen Trägerflüssigkeit erweist sich bisweilen als förderlich für die Stabilität der filmbildenden Schicht, wobei Ionen vom Film bei der Ablagerung mitgenommen weiüai υ. die Zusammensetzung in einer erwünschtenThe carrier liquid is preferably inert for the film-forming material, that is, it is not chemical Reactions with the material of the layer or the substrate under the conditions of the invention Procedure (although it may occasionally be desirable to include materials, possibly in solution, which do not have an adverse effect on the film, but with it, for example, changing the ionic Composition can react). The serving as a base or carrier liquid is also usually not be a solvent for the film-forming material, although some solubility not necessarily is of great damage as long as the layer of film-forming material does not destroy it or its Education is prevented. The liquid can be organic or inorganic; usually the application an aqueous liquid, expediently water, is preferred. The presence of certain inorganic ions in an aqueous carrier liquid proves to be beneficial for the stability of the film-forming Layer, with ions being carried along by the film during deposition white υ. the composition in a desired one

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Weise beeinflussen können.Way can influence.

So hat es sich gelegentlich als erwünscht erwiesen, in eine durch hoch gereinigtes Wasser gebildete Trägerflüssigkeit Metallionen, zweckmäßigerweise Cadmiumionen, in ausreichender Konzentration für eine Verknüpfung hydrophiler Endgruppen von angrenzenden Molekülen eines filmbildenden Materials auf der Basis von Fettsäure einzubringen. Andere Ionen können in ähnlicher Weise angewandt werden, wo sie die erforderlichen Eigenschaften haben und es wurde als vorteilhaft erkannt, den pH-Wert der Trägerflüssigkeit leicht sauer (in der Gegend von 5,3) einzustellen, um die Ionisation des Metallsalzes auf ein optimales Niveau zu bringen.So it has occasionally been found to be desirable in a carrier liquid formed by highly purified water Metal ions, expediently cadmium ions, in sufficient concentration for a link to introduce hydrophilic end groups of adjacent molecules of a film-forming material based on fatty acid. Other ions can be applied in a similar manner where they have the required properties and it has been found beneficial to keep the pH of the carrier liquid slightly acidic (in the region of 5.3) to bring the ionization of the metal salt to an optimal level.

Die Erzeugung der dünnen Schicht aus dem filmbildenden Material auf der Oberfläche der Trägerflüssigkeit erfolgt am zweckmäßigsten, indem man auf die Oberfläche der Flüssigkeit ein geeignetes Volumen einer Lösung des filmbildenden Materials in einem flüchtigen Lösungsmittel aufbringt, das mit der Trägerflüssigkeit unter den Verfahrensbedingungen unmischbar ist und nach Aufbringen der Lösung auf die Flüssigkeitsoberfläche verdampft. Die Konzentration des filmbildenden Materials in der Lösung wird derart gewählt, daß die Verdampfung der Lösungsmittels eine Schicht der gewünschten Dicke (üblicherweise monomolekular) auf der Oberfläche der TrägerflUssigkeit hinterläßt. Die bevorzugten filmbildenden Materialien gemäß der Erfindung, die zusammen mit einer wässrigen Trägerflüssigkeit angewandt werden, sind solche mit einem Molekül, das sowohl hydrophile als auch hydrophobe Komponenten umfaßt, von denen die hydrophilen Komponenten dazu neigen, von der Oberfläche her in die Flüssigkeit einzutauchen, während die hydrophoben Komponenten die Tendenz haben, unbenetzt zu bleiben und von der Oberfläche vorzustehen.The creation of the thin layer of the film-forming material on the surface of the carrier liquid is most conveniently carried out by placing a suitable volume of a solution on the surface of the liquid film-forming material is applied in a volatile solvent that interacts with the carrier liquid under the process conditions is immiscible and evaporates after the solution has been applied to the surface of the liquid. The concentration the film-forming material in the solution is chosen so that the evaporation of the solvent leaves a layer of the desired thickness (usually monomolecular) on the surface of the carrier liquid. The preferred film-forming materials according to the invention, together with an aqueous carrier liquid are those with a molecule that has both hydrophilic and hydrophobic components comprises, of which the hydrophilic components tend to be immersed in the liquid from the surface, while the hydrophobic components tend to remain unwetted and protrude from the surface.

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Die überführung des filmbildenden Materials auf das Substrat erfolgt durch Eintauchen desselben in die Trägerflüssigkeit und Wiedermitnahme bzw. Herausziehen desselben, so daß eine zusammenhängende Schicht des filmbildenden Materials (hier der Einfachheit halber als "Langmuir Film" bezeichnet) an der Oberfläche des Substrats haftet. Dabei müssen Mittel für die Aufrechterhaltung der Integrität der Schicht auf der Flüssigkeit vorgesehen werden, die z.B. ein Ruder oder eine Schaufel umfassen, die vorzugsweise von einer Mikrowaage kontrolliert werden, welche beständig den Druck der Schicht auf die Trägerflüssigkeit mißt und darauf durch "Zusammenkehren" der auf der Oberfläche befindlichen Moleküle anspricht, so daß die Schicht nicht reißt. Dieses Merkmal der Aufrechterhaltung der Tension bzw. des Drucks an der Schicht ist für die Erzeugung eines ausgerichteten kontinuierlichen Films auf dem Substrat wichtig.The film-forming material is transferred to the substrate by immersing it in the carrier liquid and removing it again so that a continuous layer of the film-forming Material (referred to herein as "Langmuir Film" for convenience) adheres to the surface of the substrate. Means must be provided for maintaining the integrity of the layer on the liquid, for example comprising a rudder or a paddle, preferably controlled by a microbalance, which consistently measures the pressure of the layer on the carrier liquid and then by "sweeping up" the pressure on the Molecules located on the surface responds, so that the layer does not tear. This characteristic of maintenance the tension or pressure on the layer is necessary to produce an aligned continuous film important on the substrate.

Die Geschwindigkeit des Durchganges des Substrats durch die Schicht ist vorzugsweise niedrig, in der Gegend von 3 mm/min, für die ersten 2 oder 3 Filme, obgleich höhere Geschwindigkeiten, bis zu etwa 30 mm/min, für nachfolgende Schichten akzeptabel sein können.The rate of passage of the substrate through the layer is preferably slow in the area of 3 mm / min, for the first 2 or 3 films, although higher speeds, up to about 30 mm / min, may be acceptable for subsequent layers.

Die Temperatur der wässrigen Trägerflüssigkeit liegt vorzugsweise bei 21 ± 0,50CThe temperature of the aqueous carrier liquid is preferably 21 ± 0.5 ° C

Das gemäß der Erfindung angewandte Substrat kann irgendein geeignetes Material sein, von denen viele bekannt und in der Literatur beschrieben sind. Vorzugsweise wird das Substrat polar sein. Als Beispiel kann Glas, z.B. Natronglas und Borsilicatglas und vorzugsweise Quarz genannt werden, obgleich zahlreiche andere Materialien in der Technik bekannt sind und angewandt werden können, wenn sie geeignete Eigenschaften besitzen. Die Substrat-The substrate employed in accordance with the invention can be any suitable material, many of which are known and are described in the literature. Preferably the substrate will be polar. As an example, glass, e.g., soda glass and borosilicate glass and preferably quartz can be mentioned, although numerous other materials are known in the art and can be used if they have suitable properties. The substrate

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oberfläche kann eine Behandlung erfordern, um sie mit dem abzulagernden Film verträglich zu machen; zum Beispiel hat es sich als zweckmäßig erwiesen, Quarz mit Alkali, z.B. NaOH, bei pH 11 bis 12 zu behandeln, um ihm eine optimale Polarität für die Ablagerung langkettiger Fettsäuren zu verleihen. Für optische Zwecke ist es erwünscht, daß das Substrat keinen hohen Anteil an Absorptionszentren hat und es muß unter Bildung guter Oberflächen polierbar sein. Ein homogenes Material,wie z.B. ein hochwertiges Quarzglas (high quartz glass\ ist erwünscht.surface may require treatment to make it compatible with the film being deposited; for example, it has been found useful to treat quartz with alkali, eg NaOH, at pH 11 to 12 in order to give it an optimal polarity for the deposition of long-chain fatty acids. For optical purposes it is desirable that the substrate does not have a high proportion of absorption centers and it must be capable of being polished to form good surfaces. A homogeneous material, such as a high-quality quartz glass (high quartz glass \ is desired.

Die Abmessungen des Substrats sind nicht kritisch, jedoch werden sie zum Beispiel durch die gewählten Abmessungen des beabsichtigten OICs beeinflußt. Typischerweise kann das Substrat aus einer Quarzplatte von einigen cm Seitenlänge und größenordnungsmäßig 1 mm Dicke bestehen. The dimensions of the substrate are not critical, but are determined, for example, by the dimensions chosen of the intended OIC. Typically The substrate can consist of a quartz plate with a side length of a few cm and a thickness of the order of 1 mm.

Die Stärke des Langmuir Films kann nach Wunsch durch wiederholte Behandlung des Substrats in der beschriebenen Weise erhöht werden, wodurch zusätzliche Schichten auf dem Substrat abgelagert werden. Obgleich die herkömmlichen Langmuir Film Techniken zu Filmen mit einer unannehmbaren Zahl von Defekten vom Bruch- oder Rißtyp führen, wurde gefunden, daß es durch sorgfältige Kontrolle der Prozeßbedingungen möglich ist, mehrere hundert Schichten (300 oder mehr) mit wenigen Defekten abzuscheiden bzw. aufzutragen, was die Fabrikation von (LichtJwellenleitern von 0,7 bis 1,5/U ermöglicht.The thickness of the Langmuir film can be adjusted as desired by repeated treatment of the substrate in the described Manner, thereby depositing additional layers on the substrate. Although the conventional Langmuir Film Techniques would result in films with an unacceptable number of breakage or crack type defects found that by carefully controlling the process conditions it is possible to apply several hundred layers (300 or more) with a few defects to deposit or apply, which makes the fabrication of (fiber optic cables from 0.7 to 1.5 / rev.

Zu geeigneten Materialien für die OICs gehören irgendwelche bzw. alle Materialien mit geeigneten optischen Eigenschaften, die als die Filmkomponente bei der oben beschriebenen Langmuir Technik anwendbar sind. Besonders geeignet sind organische Materialien und spezielle Mate-Suitable materials for the OICs include any or all materials with suitable optical properties Properties applicable as the film component in the Langmuir technique described above. Particularly organic materials and special materials are suitable

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rialien die zu nennen sind, wären zum Beispiel Fettsäuren, insbesondere geradkettige Fettsäuren mit 12 bis 20 Kohlenstoffatomen wie z.B. Stearinsäure, Erdnuß- bzw. Arachidinsäure und ihre Salze wie z.B. Cadmiumsalze, Anthracen-C^- bis C^2~car^onsäuren und Verbindungen,wie sie in der DT-Patentanmeldung P 26 37 099.0 genannt werden. rials which are to be mentioned, would be, for example, fatty acids, particularly straight-chain fatty acids having 12 to 20 carbon atoms such as stearic acid, peanut or arachidic acid and salts thereof such as cadmium salts, anthracene-C ^ - C ^ 2 ~ car ^ ons äuren and Compounds as mentioned in DT patent application P 26 37 099.0.

Diese Materialien sind für OIC-Anwendungen besonders brauchbar, und zwar wegen der Einfachheit der Wahl eines geeigneten dielektrischen Filmindex1 durch Auswahl einer angemessenen Kettenlänge, der Fähigkeit zum Einschluß von Metallionen zur "Feinabstimmung" des Brechungsindex' und der Leichtigkeit,mit der die Filmdicke durch die Langmuir Technik kontrolliert werden kann.These materials are particularly useful for OIC applications because of the ease of choosing an appropriate dielectric film index 1 by selecting an appropriate chain length, the ability to entrap metal ions to "fine tune" the index of refraction, and the ease with which the film thickness passes through the Langmuir technique can be controlled.

Es ist zu bemerken, daß ein besonderes Material im Hinblick auf seine Eignung für den beabsichtigten Zweck ausgewählt wird. Organische Materialien zeigen wegen ihrer allgemein niedrigen Dichten und Valenztypbindung üblicherweise relativ geringe optische Verluste im sichtbaren Bereich des Spektrums (obgleich natürlich die OICs nicht auf die Anwendung sichtbarer Strahlung begrenzt sind).It is to be noted that one particular material is considered to be particularly suitable for its intended purpose is selected. Organic materials exhibit valence type bonding because of their generally low densities and valence type bonding usually relatively low optical losses in the visible range of the spectrum (although of course the OICs are not limited to the application of visible radiation).

Die angewandte Strahlung kann vom ultraviolettenThe radiation applied can be of the ultraviolet

bis zum infraroten Bereich (natürlich unter Anwendung von Wellenleitermaterialien und Abmessungen, die für die Wellenlänge der gewählten Strahlung geeignet sind)reichen. Das heißt, die Wellenlänge der Strahlung kann zwischen etwa 4000 Ä und etwa 10 μ variieren, jedoch werden sichtbare Strahlung und Strahlung mit einer Wellenlänge bis zu 0,9 μ» von 1,15 bis 1,3 μ und von 3,39 bis 9 μ begünstigt bzw. bevorzugt.to the infrared range (of course using waveguide materials and dimensions suitable for the wavelength of the radiation chosen). That is, the wavelength of the radiation can vary between about 4000 Å and about 10 μ, but visible radiation and radiation with a wavelength up to 0.9 μ »from 1.15 to 1.3 μ and from 3.39 to 9 μ favored or preferred.

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Es wurde gefunden, daß der größte Anteil des optischen Verluste in amorphen organischen Filmen auf die Streuung (bedingt durch "molekulare Unordnung" und "Inhomogenität") und Uneinheitlichkeit zurückgeht, die von der Ablagerungstechnik herrührt.DLe hier beschriebenen Techniken sind in dieser Beziehung besonders vorteilhaft, da ihnen eine Tendenz zur Ablagerung von im wesentlichen geordneten Materialschichten innewohnt (die in ihren Nahbereichsordnungscharakteristiken dem Einkristall nahekommen),so daß die Erzielung eines Produkts mit verminderten Streueigenschaften erwartet werden kann. Es ist möglich, daß Verluste von weniger als 1,0 dB cm routinemäßig bei solchen Filmen erwartet werden können. Ein weiterer Vorteil dieser Filme ist der, daß ihr Brechungsindex durch Auswahl der sie aufbauenden Chemikalien so gesteuert werden kann, daß er für eine besondere Anwendung geeignet ist, was ein wichtiges Merkmal bei der Herstellung von OICs ist. So kann zum Beispiel der Einbau von Metallionen in den Film seinen Brechungsindex beeinflüssen. Der Effekt einer solchen Veränderung kann natürlich leicht durch einfachen Versuch ermittelt werden.It has been found that most of the optical loss in amorphous organic films is due to the Scatter (caused by "molecular disorder" and "inhomogeneity") and non-uniformity decreases originates from the deposition technique. The techniques described here are particularly advantageous in this regard, since they have an inherent tendency to deposit essentially ordered layers of material (which in their Short-range order characteristics come close to the single crystal), so that a product with reduced scattering properties can be expected to be obtained. It is possible that losses of less than 1.0 dB cm can be routinely expected in such films. A Another advantage of these films is that their refractive index is so due to the selection of the chemicals that make them up can be controlled to suit a particular application, which is an important feature of the Manufacturing OICs is. For example, the incorporation of metal ions into the film can affect its index of refraction. The effect of such a change can of course easily be determined by simple experiment.

Obgleich planere Wellenleiter auf breiter Basis laufend untersucht werden und die vorliegende Erfindung für die Erzeugung solcher Anordnungen besonders geeignet ist, werden Bauelemente bzw. Anordnungen,die topographisch definierte Wellenleiterkomponenten und Verbindungssysteme anwenden, für viele Zwecke bevorzugt. Eine Begrenzung der Strahlen in der seitlichen Ebene des Wellenleiters bedeutet eine Modifikation der Wellenleitereigenschaften in einer sehr präzisen Weise in ausgewählten Bereichen des Films und die Kantenschärfe und Genauigkeit der Placierung der die Führung in dem ebenen Film bewirkenden Grenze sind außerordentlich wichtige Parameter. Hier kann wiederum der hohe Grad der Molekül-Although planar waveguides are widely studied, and the present invention components or arrangements that are topographically Use defined waveguide components and connection systems, preferred for many purposes. A limitation of the rays in the lateral plane of the waveguide means a modification of the waveguide properties in a very precise way in selected areas of the film and the edge sharpness and accuracy The placement of the guiding boundary in the flat film are extremely important parameters. Here, in turn, the high degree of molecular

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orientierung, wie er für die vorliegenden Langmuir Filme typisch ist, zur Kantenschärfe beitragen.orientation, as it is typical for the present Langmuir films, contribute to the sharpness of the edges.

Eine besondere Anwendung von erfindungsgemäßen Langmuir Filmen in einem OIC besteht in einer Wellenleiterplattierung bzw. -überdeckung (wie sie in den Figuren 2 bis 6 gezeigt wird), wobei eine Schicht oder ein Film eines geeigneten "Superstraf- bzw. Uberschichtungsmaterials auf dem Wellenleiter selbst abgelagert wird; wenn die Plattierung bzw. die Uberschichtung einen Brechungsindex hat, der sich von dem des Wellenleiters unterscheidet, modifiziert sie die Eigenschaften des Wellenleiters. Wenn ein optischer bzw. Lichtwellenleiter durch die Ablagerung einer Plattierung über der Grenzfläche Leiter-Luft gestört wird, erstreckt sich die elektrische Feldverteilung der sich ausbreitenden Welle in die Plattierung hinein (wie es schematisch in Fig.9 gezeigt wird). In einem solchen Falle wird die Plattierung einen bedeutend größeren Anteil Energie transportieren (verglichen mit der Luft-Superstrat-Struktur). Das Ergebnis ist eine Zunahme der normalisierten Fortpflanzungskonstanten (ß11) der sich ausbreitenden Welle. Für das Superstrat existieren zwei mögliche Konfigurationen: (i) bei der der Brechungsindex > ß/K für die sich ausbreitende Welle und (ii) bei der der Brechungsindex der Plattierung < ß/k ist. Im Fall (i) ändert sich das elektrische Feld sinusförmig in der Plattierung in Richtung normal zum leitenden Film. Im Falle (ii) klingt das elektrische Feld exponentiell in die Plattierung hinein ab. Das sinusförmige elektrische Feld in der Plattierung wird beachtlich mehr von der geleiteten Energie transportieren als das abklingende Feld,und es wird daher eine weit größere Modifikation der Fortpflanzungskonstanten herbeiführen. Das Merkmal der neuen Technologie, wonach es möglich ist,die Filmdicke und denA particular application of Langmuir films of the invention in an OIC is in waveguide cladding (as shown in Figures 2-6) wherein a layer or film of a suitable "superfine" material is deposited on the waveguide itself If the cladding has a refractive index different from that of the waveguide, it will modify the properties of the waveguide is the electric field distribution of the propagating wave into the cladding (as shown schematically in Figure 9). In such a case the cladding will carry a significantly greater proportion of energy (compared to the air superstrate structure). The result is an increase in the normalized propagation constant (ß11) of the sic h propagating wave. There are two possible configurations for the superstrate: (i) in which the refractive index> β / K for the propagating wave and (ii) in which the refractive index of the cladding is < β / k. In case (i), the electric field changes sinusoidally in the cladding in the direction normal to the conductive film. In case (ii) the electric field decays exponentially into the cladding. The sinusoidal electric field in the cladding will carry considerably more of the conducted energy than the evanescent field and will therefore produce a far greater modification in the propagation constant. The feature of the new technology, according to which it is possible to adjust the film thickness and the

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Brechungsindex genau zu kontrollieren, zeigt hier einen besonderen Vorteil und es wird gefunden, daß ein besonders geeignetes Anordnungsformat ein solches eines vorgefertigten Wellenleiters mit einer (durch Aufbringen einiger Monoschichten) induzierten relativ geringen ß/K Störung ist.Precisely controlling the refractive index shows a particular advantage here, and it is found that a particular one suitable arrangement format such a prefabricated waveguide with a (by applying some Monolayers) induced relatively low ß / K disruption.

Das Diagramm 10 zeigt Kurven für die normierte Fortpflanzungskonstante in Abhängigkeit von der Plattierungsdicke, wie sie sich aus der simplen WellenleitertheorieDiagram 10 shows curves for the normalized propagation constant as a function of the cladding thickness, as they result from the simple waveguide theory mit Zugrundelegung einer dielektrischen Platte ergeben.based on a dielectric plate.

Die Genauigkeit, mit der die Wellenfortpflanzungskonstante eingestellt werden kann, geht aus der Übereinstimmung zwischen den Meßwerten und der mathematischen Vorherbestimmung hervor.The accuracy with which the wave propagation constant can be set, is evident from the correspondence between the measured values and the mathematical prediction.

Die Fortpflanzungskonstante des Wellenleiters kann in kontrollierbarer Weise geändert werden, so daß zum Beispiel zwei benachbarte Wellenleiter, die eng beieinander, jedoch nicht "abgestimmt" sind (d.h. unterschied-The propagation constant of the waveguide can be changed in a controllable manner so that the Example two adjacent waveguides that are close together but not "matched" (i.e., different- liehe Fortpflanzungskonstanten haben), wie sie beispielsweise in Fig. 6 der angefügten Zeichnungen skizziert sind, durch die Anwendung oder Aufbringung einer geeignet modifizierenden Plattierung auf einen oder beide der Wellenleiter "abgestimmt" werden können, so daß eineborrowed propagation constants), as outlined for example in Fig. 6 of the attached drawings by the application or application of a suitable modifying plating to one or both of the Waveguides can be "tuned" so that a Energiekopplung von einem Leiter zum anderen ermöglicht wird. Ein alternativer Gebrauch besteht in der Anwendung eines plattierenden Superstrat-Films zur Verringerung der Fortpflanzungskonstanten einer Welle ("Mode") eines Leiters auf einen Wert unterhalb des Sperrpunkts, so daßEnables energy coupling from one conductor to the other will. An alternative use is to use a superstrate plating film for reduction the propagation constant of a wave ("mode") of a conductor to a value below the cut-off point, so that die in dieser Welle transportierte Energie aus dem Leiter abgegeben bzw. entfernt werden kann.the energy transported in this wave can be released or removed from the conductor.

Gemäß einer Ausführungsart der Erfindung wird somit eine Komponente für einen 0IC vorgesehen, die einen Langmuir Film umfaßt. Gemäß einer zweiten Ausführungsart wirdThus, in accordance with one embodiment of the invention, a component for an OIC is provided that includes a Langmuir film. According to a second embodiment

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ein Substrat mit darauf abgelagertem Wellenleiter vorgesehen, der durch einen Langmuir Film gekennzeichnet ist. Noch eine weitere Ausführungsart der Erfindung umfaßt eine OIC-Komponente mit Wellenleiter und darauf abgelagerter Plattierung, die durch einen Langmuir Film gekenn zeichnet ist.a substrate having a waveguide deposited thereon and characterized by a Langmuir film is provided. Yet another embodiment of the invention includes an OIC component having a waveguide and cladding deposited thereon identified by Langmuir film is drawn.

Bei Plattierungsanwendungen beeinflußt die Stärke der Plattierung die Wellenleiterenergie, die in der PlatIn plating applications, the thickness of the plating affects the waveguide energy contained in the plat tierung transportiert werden kann und damit das Ausmaß, in dem die Plattierung den Wellenleiter beeinflußt, während der Brechungsindex der Plattierung festl_egt,wieviel "normierte Verzögerung" (d.i. der Grad der Geschwindigkeitsabnahme pro Schichtdickeneinheit der Wellenleiter-can be transported and thus the extent to which in which the cladding affects the waveguide, while the index of refraction of the cladding determines how much "normalized delay" (i.e. the degree of the decrease in velocity per unit of layer thickness of the waveguide plattierung) auftritt. Die Bedeutung der genauen molekularen Ausrichtungsmöglichkeiten, die der neuen Technik bei der Herstellung solcher Plattierungen innewohnt, wird nachfolgend verständlich werden:plating) occurs. The importance of the precise molecular targeting capabilities of the new technology inherent in the production of such claddings will be understood below:

Die Tatsache, daß die neuen Langmuir Filme aus regelmäßig und genau ausgerichteten Molekülen oder MolekUlstrukturen bestehen, macht sie als Photowiderstands- bzw. Photolackmaterial besonders brauchbar, bei dem dank des Scharfkanteneffekts besonders scharfe und genaue BegrenThe fact that the new Langmuir films consist of regularly and precisely aligned molecules or molecular structures makes them photoresist or Photoresist material particularly useful, in which, thanks to the sharp edge effect, particularly sharp and precise borders zungen erreicht werden können. Dies ist eine Eigenheit,tongues can be achieved. This is a peculiarity die solche Filme nicht nur fUr die Herstellung von Wellenleitern, sondern auch in vielen anderen Bereichen brauchbar macht, wo relativ dünnes, hochdefiniertes Photolackmaterial (potential) erforderlich ist. So wird erwogen,which makes such films useful not only for the production of waveguides, but also in many other areas where relatively thin, highly defined photoresist material (potential) is required. So it is considered einen Langmuir Film von geeignetem strahlungspolymerisierbaren Material auf einer Unterlage abzuscheiden bzw. abzulagern und bildweise zu belichten, wodurch die belichteten Teile des Films polymerisieren (siehe Fig. 3). Die Entfernung der nichtbelichteten Teile des Films durchto deposit a Langmuir film of suitable radiation-polymerizable material on a base or to deposit and to expose imagewise, whereby the exposed parts of the film polymerize (see Fig. 3). the Removal of the unexposed parts of the film irgendwelche geeigneten Maßnahmen hinterläßt einen Photo-any suitable measures leaves a photo

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lackrest mit genau definiertem Potential (Fig. 4). Solche Techniken können zum Beispiel beim Ätzen von Wellenleitern, bei der Wellenleiterplattierung oder für verwandte Komponenten von OICs angewandt werden, jedoch sind sie auch beispielsweise in lithographischen Reproduktionsverfahren für die Definition von Mustern miniaturisierter Elektronikbauelemente einsetzbar, wo eine "Sub-mikron11-Auflösung erforderlich ist sowie für Beugungsgitter usw. Üblicherweise werden für solche Verfahren (wie vorstehend) bevorzugt Materialien angewandt, die unter nur geringer Flächenänderung polymerisieren oder in einer solchen Weise, daß Dimensionsänderungen vorhersehbar sind und zugelassen werden können.paint residue with a precisely defined potential (Fig. 4). Such techniques can be used, for example, in the etching of waveguides, in waveguide plating or for related components of OICs, but they can also be used, for example, in lithographic reproduction processes for the definition of patterns of miniaturized electronic components where "sub-micron 11 resolution is required as well as for diffraction gratings, etc. Usually, for such processes (as above), preference is given to using materials which polymerize with only a slight change in area or in such a way that dimensional changes are foreseeable and can be permitted.

Bauelemente bzw. Anordnungen gemäß der Erfindung werden schematisch durch die beigefügten perspektivischen Darstellungen veranschaulicht, von denen Fig. 1 einen ebenen Lichtleiter zeigt, der gemäß der Erfindung hergestellt ist. Fig. 2 zeigt einen "topographischen" Wellenleiter mit dem eigentlichen Wellenleiter und einer Plattierungsschicht, die zweckmäßigerweise durch die vorliegende Langmuir Technik aufgebracht werden kann bzw. können. Fig. 3 und 4 zeigen Anordnungen mit abgewandeltem Aufbau. Fig. 5 zeigt einen senkrechten Schnitt durch eine Planarfilm-Leiterkopplung. Fig. 6 zeigt eine Aufsicht auf eine "topographische" Leiterkopplung.Components or arrangements according to the invention are illustrated schematically by the attached perspective Illustrations of which Fig. 1 shows a planar light guide made in accordance with the invention is. Figure 2 shows a "topographical" waveguide with the actual waveguide and a cladding layer, which can expediently be applied by the present Langmuir technique. 3 and 4 show arrangements with a modified structure. Fig. 5 shows a vertical section through a Planar film conductor coupling. 6 shows a plan view of a "topographical" conductor coupling.

Gemäß den Zeichnungen ist ein Langmuir Film (1) auf einem Substrat (2) abgelagert. Der Wellenleiter (3) wird entweder im vorliegenden Langmuir Film oder in einer anderen Komponente (4) der Anordnung gebildet. Der Eintritt eines (Licht)Strahls in den Wellenleiter und dessen Austritt aus diesem kann zweckmäßigerweise unter Verwendung von Prismen (5) erreicht werden, obgleich Gltterkopplungen oder irgendwelche anderen geeigneten Verfahren angewandt werden können. Wenn mehr als ein Wellenleiter er-According to the drawings, a Langmuir film (1) is deposited on a substrate (2). The waveguide (3) will either in the present Langmuir film or in another component (4) of the assembly. The entry a (light) beam in the waveguide and its exit from this can expediently using by prisms (5), albeit using smooth couplings or any other suitable method can be. If more than one waveguide

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forderlich ist, wie es in Fig. 5 gezeigt wird, so können eine oder beide der Planarkomponenten, die den Wellenleiter umfassen, nach der vorliegenden Langmuir Technik abgelagert werden und sie werden zweckmäßigerweise durch eine Abstandshalterung bzw. einen Abstand (6) von geeigneter Abmessung und Zusammensetzung voneinander getrennt, die bzw. der wahlweise ebenfalls durch die vorliegende Langmuir Technik abgelagert werden kann.If necessary, as shown in Figure 5, one or both of the planar components comprising the waveguide can be deposited in accordance with the present Langmuir technique and will be useful by means of a spacer or a spacing (6) of suitable dimensions and composition from one another which can optionally also be deposited by the present Langmuir technique.

Es wurde gefunden, daß zur Erzielung von Langmuir Filmen von hoher optischer Qualität eine Kontrolle gewisser Aspekte des Abscheidungsprozesses kritisch ist:It has been found that in order to obtain Langmuir films of high optical quality, control of certain aspects of the deposition process is critical:

(a) Anwendung einer verunreinigungsfreien Subphase und von gereinigtem Filmmaterial;(a) using an impurity-free sub-phase and purified film material;

(b) die Druck/Molekülbereichsbeziehung;(b) the pressure / molecular area relationship;

(c) der pH-Wert der Subphase; 20(c) the pH of the subphase; 20th

(d) die Temperatur der Subphase;(d) the temperature of the subphase;

(e) die Ablagerungsgeschwindigkeit und Druckänderung in der während der Ablagerung herunterhängenden(e) the rate of deposition and pressure change in the droop during deposition

Monoschicht.Monolayer.

(a) Irgendwelche sonstigen Moleküle, die sich in der Subphase als Verunreinigungen befinden,können in die Filmstruktur eingebaut werden. Ihre Anwesenheit(a) Any other molecules that are in the subphase as impurities can be in the film structure can be incorporated. your attendance in der Struktur kann die Eigenart der Polar/Nichtpolar-Orientierung der nachfolgenden Schichten stören bzw. modifizieren und zu benetzten Bereichen führen, die in den Vielschichtfilm eingeschlossen werden. Das eingeschlossene Wasser kann eine Aufspaltung des Films oderIn the structure, the peculiarity of the polar / non-polar orientation of the subsequent layers can interfere or modify and lead to wetted areas that are included in the multilayer film. The trapped water can cause splitting of the film or

Nadellöcher verursachen oder die sonstigen MoleküleCause pinholes or the other molecules

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können als Absorptions- oder Streuzentren im Wellenleiterfilm wirken. Es ist daher wichtig, daß der Tank oder Behälter außerordentlich sauber, das Filmmaterial extrem rein und das Subphasen-Wasser mehrere Male destilliert worden ist (z.B. in einer Quarzapparatur, um Verunreinigungen auszuschließen; typischerweise werden saure und alkalische Kaliumpermanganat-Destillationsstufen vorgesehen mit neutraler Destillation zur Entfernung organischer Verunreinigungen). 10can be used as absorption or scattering centers in the waveguide film works. It is therefore important that the tank or container be extremely clean, the footage extremely pure and the sub-phase water has been distilled several times (e.g. in a quartz apparatus, to exclude contamination; typically acidic and alkaline potassium permanganate distillation stages are used provided with neutral distillation to remove organic impurities). 10

(b) Bei geringem Druck sind die Filmmoleküle lose gepackt und nehmen einen großen Flächenbereich ein, d.h., sie werden durch an die Oberfläche tretendes Wasser voneinander getrennt. Wenn die Moleküle lose gepackt bleiben, wird der auf dem Substrat abgelagerte Film oft mit Wasser gefüllte Moleküllücken aufweisen. Wenn die Moleküle auf der anderen Seite zu dicht gepackt sind, kann der Film auf der Subphase unter Bildung agglomerierter Bereiche, die mehrere Schichten zu dick sind, "kollabieren11 bzw. zusammenrutschen. Die Monoschicht auf der Subphase sollte daher unter einem solchen Durck gehalten werden, bei dem der Molekülflächenbereich bei eine* größerei Druckänderung effektiv konstant bleibt, so daß durch Eintauchen und Mitnahme des Substrats verursachte geringe Druckänderungen kein Aufbrechen oder Aufreißen oder Zusammenfalten des Films verursachen.(b) At low pressure, the film molecules are loosely packed and take up a large surface area, ie they are separated from one another by water rising to the surface. If the molecules remain loosely packed, the film deposited on the substrate will often have water-filled molecular voids. If, on the other hand, the molecules are packed too tightly, the film on the subphase can "collapse" 11 or "slide together" to form agglomerated areas that are several layers too thick. The monolayer on the subphase should therefore be kept under such pressure , in which the molecular surface area remains effectively constant with a larger change in pressure, so that small changes in pressure caused by immersion and entrainment of the substrate do not cause the film to break or tear or fold up.

(c) Der Grad der Ionisation einer Fettsäure in der Subphase hängt vom pH der Lösung ab. Eine stark basische Subphase wird zu einer gesteigerten Ionisation führen und damit die Umwandlung der Fettsäure in Salz steigern; aus der erhöhten molekularen Polarisierbarkeit (die durch im Film eingeschlossene Metallionen hervorgerufen wird) resultiert ein erhöhter Film-Brechungsindex. Außerdem wird ein relativ hoher pH-Wert(c) The degree of ionization of a fatty acid in the subphase depends on the pH of the solution. One strong basic subphase will lead to increased ionization and thus the conversion of the fatty acid into salt increase; from the increased molecular polarizability (caused by metal ions trapped in the film caused) an increased film refractive index results. It also has a relatively high pH

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die Film/Sub3trat-Haftung verbessern. Es wurde gefunden, daß sowohl der Brechungsindex als auch die Haftung bei Filmen zufriedenstellend sind, die bei pH-Werten zwischen 5 und 7 abgelagert werden. Diese Bedingungen ergaben eine angemessene Filmablagerung auf den meisten Metalloxidsubstraten (z.B. Al2O^, MgO), jedoch waren sie nicht so zufriedenstellend bei Quarzglas- (fused quartz)improve the film / substrate adhesion. It has been found that both the index of refraction and adhesion are satisfactory for films deposited at pH values between 5 and 7. These conditions gave adequate film deposition on most metal oxide substrates (e.g. Al 2 O ^, MgO), however they were not as satisfactory for fused quartz

-Substraten, die mit Vorteil durch Eintauchen in eine Alkalilösung zur Modifizierung der Oberfläche behandelt wurden. Ein solches Verfahren wird von Bucher in der Zeitschrift für Physikalische Chemie, neue Folge 65. (1969) Seiten 152-169 angegeben.-Substrates that have been treated with advantage by immersion in an alkali solution to modify the surface. Such a process is described by Bucher in the Zeitschrift für Physikalische Chemie, new part 65 . (1969) pp. 152-169.

(d) Die Kondensation der Molekülschichten zur BiI-dung einer Monoschicht auf der Subphasenoberflache wird durch Herabsetzung der Temperatur einfacher. Die niedrige Temperatur kann Jedoch die Viskosität der Monoschicht erhöhen und sie dadurch "spröder" machen. Auf der anderen Seite können hohe Temperaturen zu einer Ausdehnung führen und schließlich zu ausreichend hohen thermischen Kräften zur Überwindung der ziemlich schwachen van der Waalsschen Kräfte, durch die die Moleküle zusammengehalten werden. Dadurch kann die Löslichkeit der Moleküle zunehmen und die Schicht instabil werden. Der bevorzugte Temperaturbereich für die Ablagerung von Cadmiumstearatfilmen liegt bei 19 bis 220C, jedoch wird der Fachmann die optimalen Temperaturen für andere Materialien ohne Schwierigkeit festlegen können.(d) The condensation of the molecular layers to form a monolayer on the sub-phase surface becomes easier by lowering the temperature. However, the low temperature can increase the viscosity of the monolayer, making it more "brittle". On the other hand, high temperatures can lead to expansion and eventually high enough thermal forces to overcome the rather weak Van der Waals forces that hold the molecules together. This can increase the solubility of the molecules and make the layer unstable. The preferred temperature range for the deposition of cadmium stearate films is from 19 to 22 ° C., but those skilled in the art will be able to determine the optimal temperatures for other materials without difficulty.

(e) Es ist wichtig, daß die zu Beginn aufgebrachten Schichten möglichst gut ausgebildet sind, da sich Fehler in diesen Schichten in den folgenden Schichten reproduzieren können. Zur Gewährleistung einer guten Haftung werden die Anfangsschichten vorzugsweise mit geringen Eintauch- und Mitnahmegeschwindigkeiten abgelagert,(e) It is important that the layers applied at the beginning are formed as well as possible, since defects can occur can reproduce in these layers in the following layers. To ensure good adhesion the initial layers are preferably deposited at low immersion and entrainment speeds,

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Nach der Aufbringung einiger Schichten können die Geschwindigkeiten etwas erhöht werden. Niedrige Geschwindigkeiten liegen zweckmäßigerweise in der Größenordnung von 3 mm/min, höhere Geschwindigkeiten bei z.B. 24 bis 30 mm/min.After a few layers have been applied, the speeds to be increased somewhat. Low speeds are expediently of the order of magnitude of 3 mm / min, higher speeds at e.g. 24 to 30 mm / min.

Der Film muß während der Ablagerung in der kondensierten Phase aufrechterhalten werden, so daß die Moleküle nicht zu lose und auch nicht zu dicht gepackt sind.The film must be maintained in the condensed phase during deposition so that the molecules are neither too loose nor too tightly packed.

In Fig. 8 wird die Druckänderung während des Eintauchens und der Mitnahme des Substrats gezeigt. Der Arbeitspunkt (bei ca. 30 mg/cm) wird so gewählt, daß die Druckänderung zwischen 25 und 35 mg/cm bleibt. Die Eintauch- und Mitnahmegeschwindigkeit beeinflußt die Amplitude der Störungen und es ist eben dieser Faktor, der die maximale Substratgeschwindigkeit bestimmt.In Fig. 8, the pressure change is shown during immersion and entrainment of the substrate. The working point (at approx. 30 mg / cm) is chosen so that the pressure change remains between 25 and 35 mg / cm. The immersion and The entrainment speed affects the amplitude of the disturbances and it is precisely this factor that determines the maximum Substrate speed determined.

Bevorzugte Abscheidungsbedingungen sind: Temp.: 19-220C; Metallionen_konz.: 2 χ 10~3 Mol CdCl2; Subphase: Wasser; 4 χ destilliert; Substrat: Quarzglas; Behandlung des Substrats: Alkalilaugenaufenthalt; Ablagerungsrate: 3 mm/min zu Beginn und 24 mm/min nach einigen Schichten.Preferred deposition conditions are: Temp .: 19-22 0 C; Metallionen_konz .: 2 χ 10 ~ 3 mol CdCl 2 ; Sub-phase: water; 4 χ distilled; Substrate: quartz glass; Treatment of the substrate: stay in alkali; Deposition rate: 3 mm / min at the beginning and 24 mm / min after a few layers.

Typische Filme haben die folgenden Eigenschaften: Leiter A Typical films have the following properties: Conductor A

Schichtzahl - 281;
Moden - TEQ, TMQ;
Number of layers - 281;
Modes - TE Q , TM Q ;

mittlerer Verlust, gemessen längs der den schlechtesten Fall einschließenden V/ege;mean loss measured along worst case V / ege;

Defektpegel - 6,2 dB/cm TM, 5,1 dB/cm TEQ minimaler Verlust - 1,0 dB/cmDefect level - 6.2 dB / cm TM, 5.1 dB / cm TE Q minimum loss - 1.0 dB / cm

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Fortpflanzungsweglänge - 20 mm. ♦Reproductive path length - 20 mm. ♦

Leiter BHead B

Schichtzahl - 221
Moden - TMQ
Number of shifts - 221
Fashions - TM Q

mittlerer Verlust - 3,6dB/cm TMQ Fortpflanzungsweglänge - 20 mm. *mean loss - 3.6dB / cm TM Q reproductive path length - 20 mm. *

* Die Fortpflanzungsweglänge wird nur durch die Substratgröße begrenzt.* The length of the propagation path is only limited by the size of the substrate.

Unter Anwendung der Langmuir Film Technik gemäß der Erfindung ist es möglich, OICs mit isotropen Brechungsindices und Wellenleiterfilmdicken herzustellen, die mit großer Präzision kontrolliert werden können. Zu typischen kontrollierbaren Faktoren gehören:Using the Langmuir film technique according to the invention it is possible to obtain OICs with isotropic refractive indices and make waveguide film thicknesses that can be controlled with great precision. to typical controllable factors include:

(a) Der Brechungsindex des Wellenleiterfilms kann durch Auswahl der Länge (z.B. der CH2-Kette im Molekül) bei Molekülen des einfachen langkettigen Typs, für die die Palmetinsäure, Stearinsäure, Arachinsäure -Reihe typisch (jedoch nicht begrenzend) ist. eingestellt werden;(a) The refractive index of the waveguide film can be determined by selecting the length (e.g. the CH 2 chain in the molecule) for molecules of the simple long chain type, for which the palmetic acid, stearic acid, arachidic acid series is typical (but not limiting). be set;

(b) der Einbau von Metallionen in das hydrophile Ende(b) the incorporation of metal ions into the hydrophilic end

unter Ersatz für Wasserstoff;replacing hydrogen;

(c) die Anwendung von Materialien, die partiell oder vollständig auf der Subphase polymerisiert werden können; (c) the application of materials in whole or in part can be polymerized on the subphase;

(d) Variation der Molekülstruktur, z.B. Anzahl der aromatischen Ringe;(d) Variation of the molecular structure, e.g. number of aromatic Rings;

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iOOK

(β) die Filmdicke, die durch Kontrolle der Anzahl der abgelagerten Schichten gesteuert werden kann.(β) the film thickness obtained by controlling the number of deposited layers can be controlled.

Da die Moleküllänge innerhalb von Teilen eines Angstroms festgelegt werden kann, kann die Gesamtfilmdicke auf z.B. etwa 20 A in 5000 A festgesetzt werden. Since the molecule length can be set within parts of an angstrom, the total film thickness can be set to, for example, about 20 Å in 5000 Å.

Die Konsequenz der durch die beschriebene Technik erzielbaren Genauigkeit besteht darin, daß es möglich ist, die Fortpflanzungskonstante des Wellenleiters (die Geschwindigkeit der Energiefortleitung innerhalb des begrenzten Bereichs) auf ein Teil in 1,5 x 10^ Teilen oder besser festzulegen.The consequence of the accuracy attainable by the technique described is that it can is, the propagation constant of the waveguide (the speed of the transmission of energy within of the limited area) to one part in 1.5 x 10 ^ parts or better to specify.

Einzelheiten der Vorrichtung (die schematisch in Fig. 7 gezeigt wird) und des angewandten Beschichtungsprozesses bei der Durchführung der Erfindung gemäß den Beispielen werden nachfolgend angegeben:Details of the apparatus (shown schematically in Figure 7) and the coating process used when carrying out the invention according to the examples are given below:

Ein rechteckiger Glasbehälter 1 war mit Wasser 2 bis zu einer Höhe von 6 cm gefüllt. Cadmiumarachidat 3 wurde auf der Wasseroberfläche verteilt unter Ausfüllung des Bereichs zwischen den beiden Glasplatten 4 und der schwerkraft-kontrollierten Schranke 5. Die Kompressionskraft auf die Moleküle wurde durch überwachung der Oberflächenspannung des Films mittels einer Wilhemy-Waage (vom Platten-Typ) gemessen. Der Behälter wurde mit einer Abdeckung 6 zum Ausschluß von Staub aus der Umgebung zugedeckt. Das gesamte System war auf einem schwingungsfrei gelagerten Tisch 7 angeordnet, um ein "Zusammenrutschen" des Films durch Vibration zu verhindern. Die Bewegung des Substrats 8 (dessen Geschwindigkeit so konstant wie möglich gehalten wurde) wurde durch einen Linearbewegungsantrieb kontrolliert, der über ein Unter-Setzungsgetriebe betätigt wurde, wobei die Bewegungsrichtung durch Umkehr-Mikroschalter auf dem Rahmen ge-A rectangular glass container 1 was filled with water 2 to a height of 6 cm. Cadmium arachidate 3 was distributed on the water surface, filling the area between the two glass plates 4 and the gravity-controlled barrier 5. The compressive force on the molecules was determined by monitoring surface tension of the film was measured by means of a Wilhemy balance (plate type). The container came with a Cover 6 covered to exclude dust from the environment. The entire system was vibration-free on one mounted table 7 to prevent "slipping" of the film by vibration. the Movement of the substrate 8 (the speed of which was kept as constant as possible) was carried out by a Linear motion drive controlled via a reduction gear has been actuated, whereby the direction of movement is controlled by reversing microswitches on the frame.

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steuert wurde. Das Merkmal der konstanten Eintauch- und Mitnahmegeschwindigkeit sowie Freiheit von Vibrationen ist für die Erzeugung regelmäßiger Filme sehr wichtig.was controlled. The characteristic of constant immersion and Driving speed and freedom from vibrations are very important for the production of regular films.

Nachfolgend wird die Erfindung an Hand von Beispielen erläutert.The invention is explained below using examples.

Beispiel 1example 1

Die ebene Fläche einer Normalglasplatte (Natron/ Kalk-Glas) wurde mit fortschreitend feinerem Karborundpulver geläppt und dann mit fortschreitend feineren Diamantpartikeln (suspendiert in Öl) auf einer Platte mit Lötzinn-Oberfläche auf einer optisch ebenen Poliermaschine poliert und schließlich mit einer Polyurethanschaum-Pollerscheibe und einem chemischen Ätz-Schleifmittel ("Syton"), bis die Oberfläche auf etwa eine halbe Wellenlänge optisch eben und auf etwa 50 A glatt war. Die Oberfläche wurde dann zur Entfernung aller Poliermaterialien sorgfältig gereinigt und ein Glasschicht-Wellenleiter (Dow-Corning Aluminoborsilicat 7059) durch Radiofrequenz-Sprühtechnik (siehe "Thin Solid Films" 26 (1975) Seiten 25-51) darauf gebildet. Beim Zerstäubungs- oder Sprühprozeß wurde mit 20 % Sauerstoff gemischtes Argongas in die Vakuumkammer eingeführt (der Sauerstoff wurde zugegeben, um vom Target-Glas während der Zerstäubung entfernten Sauerstoff zu ersetzen). Ein Sauerstoffmangel im abgeschiedenen Film erhöht den Brechungsindex des Films im Vergleich zu demjenigen des Target-Vollmaterials, so daß eine begrenzende Technik, wie sie in dem genannten Aufsatz beschrieben wird, zur Kontrolle des Brechungsindex des Films benutzt werden kann.The flat surface of a normal glass plate (soda / lime glass) was lapped with progressively finer carborundum powder and then polished with progressively finer diamond particles (suspended in oil) on a plate with a soldering tin surface on an optically flat polishing machine and finally with a polyurethane foam bollard disc and a chemical etching abrasive ("Syton") until the surface was optically flat to about half a wavelength and smooth to about 50 Å. The surface was then carefully cleaned to remove any polishing materials and a glass layer waveguide (Dow-Corning aluminoborosilicate 7059) was formed thereon by radio frequency spraying (see "Thin Solid Films" 26 (1975) pp 25-51). In the sputtering or spraying process, argon gas mixed with 20% oxygen was introduced into the vacuum chamber (the oxygen was added to replace oxygen removed from the target glass during the sputtering). A lack of oxygen in the deposited film increases the refractive index of the film compared to that of the target solid material, so that a limiting technique as described in the referenced article can be used to control the refractive index of the film.

Danach wurde auf dem Wellenleiter ein Langmuir Film abgelagert,und zwar durch wiederholtes vertikales TauchenA Langmuir film was then deposited on the waveguide by repeated vertical dipping

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der Platte in Wasser unter Mitnahme einer monomolekularen Cadmiumarachidat-Schicht auf ihrer Oberfläche, bis eine Schicht von 200 Molekülen Dicke aufgebaut war.of the plate in water with the entrainment of a monomolecular layer of cadmium arachidate on its surface until a Layer of 200 molecules thick was built up.

Beispiel 2Example 2

Eine dünne Schicht (etwa 1000 bis 5000 A) von Titan wurde auf eine ebene Oberfläche eines Lithiumniobatkristalls aufgesprüht bzw. aufgestäubt (das Metall wurde von einem auf einer wassergekühlten Unterlage befestigten Metalltarget in eine reine Argonatmosphäre (zur Verhinderung von Oxidationen) zerstäubt). Der beschichtete Substratkristall wurde dann in einen Diffusionsofen gegeben und die Temperatur (mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 200C pro Minute, um ein Reißen des Kristalls zu verhindern) allmählich auf 11000C erhöht. Das Metall wurde dann 6 Stunden lang in den Kristall diffundierengelassen, wonach der Kristall auf Zimmertemperatur (mit nicht mehr als 200C pro Minute) abgekühlt wurde. Danach wurde ein sehr dünner Film (50 Ä) Aluminiumoxid auf dem Metall abgeschieden zur Verbesserung seiner Haftung gegenüber dem Langmuir Filmmaterial, das im wesentlichen, wie in Beispiel 1 beschrieben, aufgebracht wurde.A thin layer (about 1000 to 5000 Å) of titanium was sprayed or sputtered onto a flat surface of a lithium niobate crystal (the metal was sputtered into a pure argon atmosphere (to prevent oxidation) from a metal target attached to a water-cooled base). The coated substrate crystal was then placed in a diffusion furnace and the temperature (at a rate of no more than 20 ° C. per minute to prevent cracking of the crystal) gradually increased to 1100 ° C. The metal was then allowed to diffuse into the crystal for 6 hours, after which the crystal was cooled to room temperature (at no more than 20 ° C. per minute). A very thin film (50 Å) of aluminum oxide was then deposited on the metal to improve its adhesion to the Langmuir film material which was applied essentially as described in Example 1.

Obgleich in Beispiel 1 die Verwendung eines Normalglases als Substrat beschrieben wurde, kann irgendein anderes geeignetes Glas in ähnlicher Weise angewandt werden, wie z.B. Flintglas und amorphe Quarzgläser usw.Although the use of a normal glass as a substrate was described in Example 1, any other suitable glass can be applied in a similar manner, such as flint glass and amorphous quartz glasses, etc.

Zahlreiche anorganische Kristalle wie z.B. Lithiumtantalat, Quarz, Sapphir usw. können als Alternative zum Kristall von Beispiel 2 benutzt werden, während das Substrat alternativ aus einem festen anorganischen amorphen Material bestehen kann, wie einem Oxid wie z.B. Aluminiumoxid, Magnesiumoxid oder Siliciumoxid.Numerous inorganic crystals such as lithium tantalate, Quartz, sapphire, etc. can be used as an alternative to the crystal of Example 2, while the substrate alternatively can consist of a solid inorganic amorphous material such as an oxide such as aluminum oxide, Magnesia or silicon oxide.

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Die Abmessungen der unterschiedlichen Komponenten, der Substrate usw. und die Dicken der abgelagerten Filme können innerhalb von Grenzen variieren, die in der Technik als erwünscht festgelegt werden, jedoch werden sie u.a. durch ihren jeweiligen Brechungsindex und denjenigen der damit in Beziehung stehenden und benachbarten Komponenten beeinflußt.The dimensions of the different components, of substrates, etc. and the thicknesses of the deposited films can vary within limits known in the art can be determined as desired, however, they are determined by, among other things, their respective refractive index and those the related and neighboring components.

Beispiel 3Example 3

Wellenleiter wurden, wie in Beispiel 1 beschrieben, abgelagert, jedoch unter Verwendung von Cadmiumstearat als Langmuir Filmmaterial, um den Einfluß einer Veränderung des pH-Wertes der Subphase (die durch Wasser gebil-» det wurde) aufzuzeigen. Der Brechungsindex und die Dicke der resultierenden Filme wurden gemessen. Die folgenden Ergebnisse wurden dabei erzielt:Waveguides were deposited as described in Example 1, but using cadmium stearate as Langmuir film material to examine the influence of a change in the pH value of the sub-phase (which is formed by water) det). The refractive index and the thickness of the resulting films were measured. The following Results were achieved:

FilmMovie Dicke
I
thickness
I.
Brechungsindex ; Refractive index ; e-Strahle-beam An
isotropie
At
isotropy
Brechungsindex
der Gesamtstruktur
Refractive index
the forest
Mittel
wert
e-Strahl
middle
value
e-beam
PHPH A
B
C
D
A.
B.
C.
D.
1750
2300
2500
3100
1750
2300
2500
3100
o-Strahlo-ray 1,5472
1,5435
1,5468
1,5448
1.5472
1.5435
1.5468
1.5448
0,0373
0,0358
0,0370
0,0366
0.0373
0.0358
0.0370
0.0366
Mittel
wert
o-Strahl
middle
value
o-ray
1,5475
i 0,0024
1.5475
i 0.0024
5.35.3 E
F
G
E.
F.
G
2580
3300
5400
2580
3300
5400
1,5099
1,5077
1,5098
1,5082
1.5099
1.5077
1.5098
1.5082
1,5704
1,5663
1,5701
1.5704
1.5663
1.5701
0,0442
0,0402
0,0450
0.0442
0.0402
0.0450
1,5107
+ 0,0005
1.5107
+ 0.0005
1,5681
+ 0,0173
1.5681
+ 0.0173
5.65.6 1,5265
1,5261
1,5251
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Diese Tabelle zeigt die Wirkung einer pH-Zunahme der Subphase auf die Eigenschaften eines typischen Langmuir Wellenleiters - wie man sieht, nehmen die Brechungsindices sowohl vom "e"_ als auch vom "o"-Strahl merklich zu. Die Änderung des Brechungsindex1 ergibt sich aus einem differentiellen Einschluß von Cadmiumionen in den Stearinsäurefilm, der wiederum von der aus der pH-Differenz resultierenden kontrollierten Ionisation der OH-Enden des Stearinsäuremoleküls herrührt. 10This table shows the effect of increasing the pH of the subphase on the properties of a typical Langmuir waveguide - as can be seen, the refractive indices of both the "e" and "o" rays increase significantly. The change in the refractive index 1 results from a differential inclusion of cadmium ions in the stearic acid film, which in turn arises from the controlled ionization of the OH ends of the stearic acid molecule resulting from the pH difference. 10

Die Möglichkeit einer genauen Kontrolle des Brechungsindex1 von Wellenleiter und Uberzugsschichten wird wie folgt illustriert:The possibility of precise control of the refractive index 1 of waveguides and coating layers is illustrated as follows:

Eine Anordnung oder Vorrichtung, wie sie in Fig. 5 gezeigt wird, kann im wesentlichen wie folgt hergestellt werden: Ein Quarzglassubstrat wird,wie in Beispiel 1 beschrieben, vorbereitet und mit einer Schicht von amorphem Aluminiumoxid bestäubt (nach einer ähnlichen Technik, wie in "Thin Films" 26, (1975) Seiten 25-51 beschrieben).An arrangement or device as shown in Fig. 5 can be made essentially as follows are: A quartz glass substrate is, as described in Example 1, prepared and dusted with a layer of amorphous aluminum oxide (using a technique similar to in "Thin Films" 26, (1975) pages 25-51).

Diese Schicht wird in Fig. 11 (a) als Leiter Ma" bezeichnet. Das Ziel ist die Bildung eines Brechungsindex1 von 1,65 und einer Dicke von 0,23 μ für die Fortpflanzung einer TE-Welle (TE ). Eine Quarzglas-Abstandsschicht wird dann über der Schicht "a" aufgestäubt. Eine weitere Aluminiumoxidschicht wird dann auf die Abstandsschicht aufgesprüht (Wellenleiter "b" in Fig. 11 (a)). Dabei wird beabsichtigt, "a" und "b" identisch zu machen; da dies Jedoch nicht möglich ist (infolge der Schwierigkeit bei der Ablagerung genauer Schichtdicken durch Zerstäubung), können die Eigenschaften durch Ablagerung einer Langmuir Filmplattierung Justiert bzw. eingestellt werden.This layer is referred to as conductor M a "in Fig. 11 (a). The aim is to establish a refractive index 1 of 1.65 and a thickness of 0.23 µm for the propagation of a TE wave (TE). A quartz glass - Spacer layer is then sputtered over layer "a". Another layer of alumina is then sprayed onto the spacer layer (waveguide "b" in Figure 11 (a)), the intent is to make "a" and "b"identical; however, since this is not possible (due to the difficulty in depositing precise layer thicknesses by sputtering), the properties can be adjusted by depositing a Langmuir film plating.

Zur Erzeugung einer Wellenleiterkopplung (d.h. einer Vorrichtung, die eine Energieschaltung bzw. einen Energie-To create a waveguide coupling (i.e. a device that connects a power circuit or a power

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übergang vom Leiter "a" zum Leiter "b" ermöglicht) müssen die ß-Werte beider Leiter gleich sein. Eine Langmuir Beschichtung kann dafür über der oberen Schicht aufgetragen werden, um so ihre Fortpflanzungskonstante zu erhöhen. Wenn die beiden Leiter hinsichtlich der Fortpflanzungskonstanten über einige cm Leiterlänge gleich sind, so "schaltet" bzw. springt die Energie kontinuierlich zwischen den Leitern über die Kopplungslänge hinweg hin und her. Die Langmuir Beschichtung ermöglicht eine Unterbrechung dieser oszillatorischen Bewegung durch Ende der Beschichtung nach einer Länge,die zur Abgleichung der Schichten für einen vollständigen Energietransport ausreicht oder es kann eine kürzere Länge abgelagert werden, die den Transport einer bestimmbaren Fraktion der Energie des angeregten Leiters ermöglicht, während der Rest der Energie im angeregten Leiter verbleibt. Fig. 11 (b) zeigt die genauen Beschichtungscharakteristiken, die für eine Abgleichung der Struktur auf (a) notwendig ist, wobei die Länge L derart gewählt wird, daß der erforderliche Energietransport erzielt werden kann.transition from head "a" to head "b") the ß-values of both conductors must be the same. A Langmuir coating can be applied over the top layer for this so as to increase their constant of propagation. If the two conductors in terms of propagation constants are the same over a few cm conductor length, the energy "switches" or jumps continuously back and forth between the conductors over the coupling length. The Langmuir coating enables an interruption of this oscillatory movement by the end of the coating after a length necessary for equalization the layers are sufficient for complete energy transport or a shorter length can be deposited which enables the transport of a determinable fraction of the energy of the excited conductor, while the rest of the energy remains in the excited conductor. Fig. 11 (b) shows the detailed coating characteristics, which is necessary for an alignment of the structure to (a), the length L being selected in this way becomes that the required energy transport can be achieved.

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Claims (1)

TlEDTKE - BoHLINe - KlNNE - GflüHE "·—«■*TlEDTKE - BoHLINe - KlNNE - GflüHE "· -« ■ * Dipl.-Ing. Tiedtke OTflQCCI Dipl.-Chem. BühlingDipl.-Ing. Tiedtke OTflQCCI Dipl.-Chem. Bühling 2708652 D£,._lng. Kinne 2708652 D £, ._ lng . Chins Dipl.-Ing. GrupeDipl.-Ing. Group Bavariaring 4, Postfach 20 24 8000 München 2Bavariaring 4, P.O. Box 20 24 8000 Munich 2 Tel.:(0 89)53 96 53-56Tel .: (0 89) 53 96 53-56 Telex: 5 24 845 tipatTelex: 5 24 845 tipat cable. Germaniapatent Münchencable. Germaniapatent Munich 3. Mai 1977May 3, 1977 Patentanmeldung P 27 08 652.8 Imperial Chemical Industries Ltd. B 7989/ICI case Z/Q 28598/29032Patent application P 27 08 652.8 Imperial Chemical Industries Ltd. B 7989 / ICI case Z / Q 28598/29032 PatentansprücheClaims 1. Integrierte optische Schaltungskomponente, gekennzeichnet durch einen Langmuir Film.-.., ,.,1. Integrated optical circuit component, characterized by a Langmuir film .- ..,,., 1I 1 I. 2. Komponente nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Substrat mit darauf abgelagertem Wellenleiter,der einen Langmuir Film umfaftt.2. Component according to claim 1, characterized by a Substrate with a waveguide deposited on it, which surrounds a Langmuir film. 3. Komponente nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Wellenleiter mit darauf abgelagerter Plattierung oder Beschichtung, die einen Langmuir Film umfaßt.3. Component according to claim 1, characterized by a waveguide with a plating or coating deposited thereon, which includes a Langmuir film. 4. Komponente nach einem der vorangehenden Ansprüche,dadurch gekennzeichnet, daß·der Langmuir Film eine geradkettige Fettsäure oder ein Salz derselben umfaßt.4. Component according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the Langmuir film comprises a straight chain fatty acid or a salt thereof. 5. Verwendung der Komponente nach einem der Ansprüche bis 4 in einem schichtförmigen Produkt, bestehend aus einem5. Use of the component according to any one of claims to 4 in a layered product consisting of one 709836/0827709836/0827 Dratdntf Bank (München) KIo. 3939 844 PosUchKk (München) Kto. (70-43-NMDratdntf Bank (Munich) KIo. 3939 844 PosUchKk (Munich) account (70-43-NM ORIGINAL INSPECTEDORIGINAL INSPECTED Substrat mit darauf abgeschiedenem Langmuir Film von Strahlungspolymerisationsmaterial, insbesondere als lithographische Platte.Substrate with Langmuir film of radiation polymerization material deposited thereon, especially as a lithographic plate. 6. Verfahren zur Herstellung eines Produkts (Komponente, Bahnmaterial oder Platte) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat derart durch eine auf einer flüssigen Subphase abgelagerte Schicht eines Langmuir Filmmaterials bewegt wird, daß ein Langmuir Film darauf abgelagert wird.6. A method for producing a product (component, sheet material or plate) according to one of the preceding claims, characterized in that a substrate is so formed by a layer deposited on a liquid sub-phase of a Langmuir footage is moved that a Langmuir Film is deposited on it. 709836/0827709836/0827
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