[go: up one dir, main page]

DE2630950A1 - Magnetblasenspeicheranordnung - Google Patents

Magnetblasenspeicheranordnung

Info

Publication number
DE2630950A1
DE2630950A1 DE19762630950 DE2630950A DE2630950A1 DE 2630950 A1 DE2630950 A1 DE 2630950A1 DE 19762630950 DE19762630950 DE 19762630950 DE 2630950 A DE2630950 A DE 2630950A DE 2630950 A1 DE2630950 A1 DE 2630950A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
magnetic
programmable read
signal
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19762630950
Other languages
English (en)
Inventor
Rex Alan Naden
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE2630950A1 publication Critical patent/DE2630950A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/86Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring in serial access memories, e.g. shift registers, CCDs, bubble memories

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

.Unser Zeichen: T 2050 7.JuIi 1976
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
13500 North Central Expressway-Dallas, Texas, Y,St.A.
Magnetblasenspeicheranordnung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetblasenspeicheranordnung und insbesondere auf eine solche Anordnung, bei der es zulässig ist, Magnetblasen-Chips zu verwenden, die ein oder mehrere fehlerhafte Abschnitte aufweisen, die
Magnetblasen nicht weitertransportieren können.
In den vergangenen Jahren sind große Fortschritte in der
Entwicklung von Einrichtungen für die elektronische Datenverarbeitung gemacht worden, so daß dem Planer von Datenverarbeitungsanlagen heute ei.ne mit hoher Geschwindigkeit arbeitende, zuverlässige Hardware zur Verfügung steht.
Die in jüngster Zeit entwickelten elektronischen Bauelemente, insbesondere Bauelemente, mit integrierten Schaltungen, führten zu einer beträchtlichen Ausweitung der Fähigkeit moderner elektronischer Datenverarbeitungsanlagen, Daten zu verarbeiten. Mit der Zunahme der Verarbeitungsgeschwindigkeit und der Verarbeitungskapazität ist auch der Datenspeicherbedarf gestiegen. Zur Speicherung großer Mengen digitaler Daten bestehen derzeit mehrere unterschiedliche Möglichkeiten,
709807/0676
Schw/Ba
beispielsweise Lochkarten, Lochstreifen, Magnetbänder, Magnettrommeln, Magnetplatten und Magnetkerne. Mit Ausnahme von Magnetkernen und den ihnen entsprechenden Festkörperspeicherausführungen erfordern diese Speicher für den Zugriff auf ein bestimmtes Datenbit eine relativ lange Zeitperiode.
Andrerseits kann bei Direktzugriffspeichern, die mit Magnetkernen und den ihnen entsprechenden Halbleiterbauelementen ausgestattet sind, jedes einzelne im Speicher gespeicherte Bit oder Wort äußerst schnell wiedergewonnen werden, wobei die zum Lesen eines gespeicherten Informationsbits benötigte Zeitdauer nur die für das Arbeiten der elektronischen Schaltungen erforderliche Zeitdauer ist. Die erhöhte Geschwindigkeit führte jedoch auch zu erhöhten Kosten. Bei Betrachtung der oben erörterten Speicher ergibt sich somit, daß die Kosten pro gespeichertem Inforaiationsbit bei den langsamsten Speichervorrichtungen au niedrigsten und bei den schnellsten Speichervorrichtungen am höchsten sind. Es ist daher angestrebt worden, Speicher mit großer Kapazität zu entwickeln, die durch eine große Datenzugriffszeit gekennzeichnet sind, jedoch niedrigere Kosten verursachen als Magnetkerne und Festkörper-Speichervorrichtungen.
In diesem Zusammenhang ist in jüngster Zeit eins* Art magnetischer Bauelemente, die allgemein als Magnetblasenbauelemente bezeichnet werden, beträchtliches Interesse entgegengebracht worden. Diese Bauelemente sind beispielsweise in dem Aufsatz "Application of Orthoferrites to Domain Wall Devices" in IEEE Transactions on Magnetics, Band MAG 5, Nr.3t 1969, Seiten 544 bis 553 beschrieben. Diese Magnetblasen-Bauelemente haben allgemein eine ebene Gestalt, und sie sind aus Materialien aufgebaut, die leichte Magnetisierungsrichtungen aufweisen, die ira wesentlichen senkrecht zur Ebene ihres Aufbaus verlaufen. Magnetische Eigenschaften, wie die Magnetisierungsanisotropie, die Koerzitivkraft und
709807/0676 -
die Beweglichkeit sind dabei derart, daß das Bauelement magnetisch gesättigt gehalten werden kann, wobei die Magnetisierung in einer außerhalb der Ebene liegenden Richtung verläuft, und daß kleine örtliche Domänenbereiche aufrechterhalten werden können, deren magnetische Polarisation entgegengesetzt zur allgemeinen Polarisationsrichtung ausgerichtet ist. -Solche örtliche Bereiche, die allgemein zylindrisch sind, stellen binäre Speicherbits.dar. Das Interesse an diesen Bauelementen ist' hauptsächlich darin begründet, daß eine hohe Dichte erhalten werden kann, und daß die zylindrischen Magnetbereiche die Fähigkeit haben ,unabhängig -von den Grenzen des magnetischen Materials in der Ebene zu sein, in der sie gebildet sind, so daß sie zur Erzielung verschiedener Datenverarbeitungsoperationenan beliebige Stellen in der Ebene des magnetischen Materials bewegt werden können.
Auf eine Magnetblase kann dadurch eingewirkt werden, daß ein Strom durch ein an das magnetische Material angrenzendes Leiterbandmuster geschickt wird oder daß das umgebende Magnetfeld verändert wird. Beispielsweise können die Magnetblasen in dünnen Plättchen mit uniaxialer -Anisotropie gebildet werden, bei denen die leichte Magnetisierungsachse senkrecht zur Plättchenebene verläuft; als Materialien kommen dabei Seltene Erd-Orthoferrite, mit Aluminium und Gallium substituierte Seltene Erd-Eisengranate und amorphe Seltene- : E£d-Kobalt-oder -Eisenlegierungen in Frage. Da die·Magnetblasen so weitertransportieren.,gelöscht, verdoppelt und behandelt werden können, daß Datenverarbeitungsoperationen entstehen, wobei ihre Anwesenheit und ihr Fehlen festgestellt werden kann, können die Blasen zur Durchführung der für einen Speicherbetrieb notwendigen Hauptfunktionen benutzt werden.
In der Literatur sind viele Organisatinnsstrukturen betriebsfähiger Magnetblasenspeicher beschrieben worden. Die üblichste
709807/0676
Speicherorganisation ist dabei die Organisation mit Haupt- und Nebenschleifen, die in der US-ES 3 618 054 beschrieben ist. Die Speicherorganisation mit Haupt- und Nebenschleifen ist mit ihrer Verwirklichung und ihrer Arbeitsweise bekannt. Diese Speicherorganisation mit Haupt- und Nebenschleifen enthält eine geschlossene Hauptschleife, die typischerweise von einer Anordnung aus Permalloyschaltungen in Form von T-Staben auf einem Plättchen aus Seltene-Erd-Orthoferrite gebildet ist. Die Magnetblasen werden längs der Schleife durch die Wirkung eines sich in der Ebene drehenden Hagnetfeldes weiterbewegt. Die Hauptschleife ist allgemein länglich ausgebildet, damit längsseits mehrere Nebenschleifen aufgereiht werden können; Zweiwegübertragungstore gestatten die Übertragung der Magnetbiasen aus einer Nebenschleife in die Hauptschleife und aus der Hauptschleife in eine Nebenschleife. Ein weiterer Zugriff auf die Hauptschleife wird mit Hilfe eines Feststellungsund Leseanschlusses und eines eigenen Schreibanschlusses erzielt.
Die oben beschriebene Organisationsform ermöglicht ein synchronisiertes Magnetblasenmuster, da die Weiterbewegung in den Schleifen synchron mit der Drehung des in der Ebene liegenden Magnetfeldes erfolgt. Das bedeutet, daß eine Parallelübertragung von Datenblasen aus mehreren Nebenschleifen gleichzeitig in die Hauptschleife durchgeführt werden kann. Außerdem können mehrere Daten-Chips, die jeweils eine Hauptschleife und mehrere zugeordnete Nebenschleifen enthalten, zusammen behandelt werden. Es ist üblich, solche Daten-Chips in Reihen anzuordnen und solche Reihen aus Daten-Chips in zeitlich multiplexierten Schichten zu stapeln, damit komplexe Speicherstrukturen erhalten werden, wobei die Datenblasen in allen Schleifen auf allen Chips mit
709807/0676
in der Ebene erfolgenden Drehungen synchronisiert sind.
Typischerweise übertragen alle Nebenschleifen im Chip auf Befehl die Magnötblasen parallel aus ihren entsprechenden Stellen in die Hauptschleife. Die Magnetblasen werden dann serielle festgestellt, wenn sie sich an einer Lesestelle vorbeibewegen. An einer Schreibstelle können auch neue Daten eingegeben werden,- damit sie an einem geeigneten späteren Zeitpunkt wieder parallel in die' Nebenschleifen zurückübertragen werden ( wenn die Magnetblasenbewegung in der Hauptschleife die Daten für die Übertragung ausgerichtet hat).
Gleichzeitige Lese/Schreibvorgänge mit Daten in einer Gruppe von miteinander in Beziehung stehender Hauptschleifen ermöglicht die Behandlung miteinander in Beziehung stehender Magnetblasen als digital oder auf andere Weise codierte "Wörter.Zeitlich multiplexierte Gruppen von Daten-Chips ermöglichen das Lesen und Schreiben von Daten im Zeitteilbetrieb, damit eine Gesamtspeicher-Datengeschwindigkeit ermöglicht wird, ■die größer als die bei der Magnetblasenweiterbewegung in einem einzelnen Chip möglich ist.
Ein Magnetblasen-Speichersystem mit Haupt- und Nebenschleifen, wie sie oben beschrieben wurden, hat zahlreiche wirtschaftliche und betriebsmässige Vorteile, doch muß jede Schleife in jedem Chip des Systems zur Erzielung eines befriedigenden Arbeitsverhaltens voll funktionsfähig sein, wenn nicht spezielle Maßnahmen getroffen sind. Da Chips ganze Gruppen von Registern enthalten, würde ein Fehler in einer der Nebenschleifen das Entfernen des ganzen Chips erfordern. Es sind verschiedene Verfahren vorgeschlagen worden, damit die
709807/0676
Verwendung von Magnetblasen-Chips ermöglicht wird, auch wenn eine oder mehrere ihrer Nebenschleifen fehlerhaft sind. Beispiele finden sich in der US-Patentanmeldung SN 445 lind in dem Aufsatz "Fault-Tolerant Memory Organization: Impact on Chip Yield and System Cost" in IEEE Transactions on Magnetics, September-1974. Bei diesem Verfahren wird zum Speichern der Stellen fehlerhafter Plätze ein Magnetblasen-Chip verwendet. Dieses Verfahren, d.h. das Speichern der Plätze fehlerhafter Schleifen auf einem Magnetblasen-Chip unterliegt mit der Zeit einem Genauigkeitverlust, und es wäre vorteilhaft, wenn die Information über den Ort der fehlerhaften Schleife in·einem Dauerspeicher gespeichert werden könnte.
Mit Hilfe der Erfindung soll daher eine Magnetblasenspeicheranordnung mit der Organisation mit Haupt- und Nebenschleifen derart verbessert v/erden, daß Daten-Chips verwendet werden können, die eine oder mehrere fehlerhafte Schleifen enthalten. Die zu schaffende Magnetblasenspeicheranordnung mit.Haupt- und Nebenschleifen soll zum Speichern der Stellen fehlerhafter Nebenschleifen von einem programmierbaren Festspeicher Gebrauch machen. Außerdem soll bei der zu schaffenden Magnetblasenspeicheranordnung mit Haupt- und Nebenschleifen ein programmierbarer Festspsicher dazu verwendet werden, Daten daran zu hindern, in fehlerhafte Schleifen auf einem Datenchip eingegeben oder aus fehlerhaften Schleifen auf einem Datenchip herausgenommen zu werden.
Vorzugsweise enthält eine nach der Erfindung ausgebildete Magnetblasenspeicheranordnung mehrere Daten-Chips mit jeweils einer Hauptschleife, mehrerei Nebenschleifen und mehreren dazwischen angeordneten Übertragungstoren. Das Konzept eines Chips mit Haupt- und Nebenschleifen ist nicht auf die in der US-PS 3 618 054 beschriebene Anordnung
709807/0676
beschränkt; es ist vielmehr auf alle Speicher anwendbar, die aus mehreren Daten-Schleifen bestehen, die an wenigstens einem Punkt jeder Datenschleife mit seriellen Eingabe/ Ausgabe-Bahnen in Verbindung stehen. Die Magnetblasen werden mit Hilfe einer Einrichtung, beispielsweise einem sich in der. Ebene drehenden Magnetfeld ■., längs der Schleifen weiterbewegt, und zum befehlsgesteuerten Übertragen der Magnetblasen über die Übertragungstore werden impulsförmig angesteuerte Leitereinrichtungen verwendet. Jeder Daten-Chip enthält wenigstens eine zusätzliche Nebenschleife, damit sich eine Redundanz für den Fall ergibt, daß eine oder mehrere fehlerhafte Nebenschleifen auf dem Daten-Chip vorhanden sind. Entsprechend einem speziellen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein programmierbarer Festspeicher dazu verwendet, Daten zu speichern, die die relative Lage der fehlerhaften Schleifen auf den Chips' kennzeichnen. Diese Daten, die in dem programmierbaren Festspeicher gespeichert sind, werden dazu verwendet, eine Logik so zu steuern, daß eine Folge von Datenblasen, die zum Abspeichern in die Nebenschleifen übertragen werden sollen, absatzweise Leerstellen entsprechend den fehlerhaften Nebenschleifenstellen enthält. Wenn wenigstens ebensoviele redundante Nebenschleifen wie fehlerhafte Schleifen vorhanden sind, dann kann der Chip folglich immer noch verwendet werden.
iDn einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung speichert ein programmierbarer Festspeicher Binärdaten entsprechend der Zeitverzögerung zwischen fehlerhaften Nebenschleifen. Das Ausgangswort des programmierbaren Festspeichers wird in einen Zähler geladen, der dann bis Null zählt, worauf ein Ausgangsimpuls zum Sperren der Datenübertragung geliefert wird. In einer anderen,Ausführungsform
709807/0676
der Erfindung enthält der programmierbare Festspeicher einen jeder Nebenschleife in den Daten-Chips zugeordneten Speicherplatz. Der programmierbare Festspeicher speichert abhängig davon, ob die zugehörige Nebenschleife funktionsfähig oder fehlerhaft ist, den Binärv/ert "1" oder den Binärwert "0".
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigen: . .
Fig.1 ein teilweise schematisches Blockschaltbild eines Daten-Chips, wie er in einer Magnetblasenspeicheranordnung nach der Erfindung verwendet wird,
Fig.2 in einem Blockschaltbild die Organisation eines programmierbaren Festspeichers, die gemäß der Erfindung dazu verwendet werden kann, die Übertragung von Daten zwischen fehlerhaften Nebenschleifen und der Hauptschleife auf Daten-Chips in einer Speicheranordnung zu verhindern, die Module aus jeweils 16 Daten-Chips enthält,
Fig.3 ein Logikdiagramm einer Magnetblasenspeicheranordnung, das die Verwendung eines programmierbaren Festspeichers gemäß der Erfindung veranschaulicht,
Fig.4 ein Zeitdiagramm zur Veranschaulichung der Arbeitsweise der Anordnung von Fig.3,
Fig.5 ein vereinfachtes Blockschaltbild einer 8-Bit-Multipiexanordnung, bei der von einem programmierbaren Festspeicher nach der Erfindung Gebrauch gemacht wird, um fehlerhafte Nebenschleifen-Speicherplätze zu vermeiden,
709807/0676
Fig.6 ein Logikdiagramm der tatsächlichen Ausführung des vereinfachten Blockschaltbildes von Fig.5,
Fig.7 den Verlauf von Signalen zur Betätigung der in Fig.6 dargestellten Anordnung,
Fig.8 eine schematische Darstellung der Verarbeitung von Daten während eines Lesevorgangs bei der in den Figuren 5, 6 und 7 dargestellten Anordnung und
Fig.9 eine Ausführungsform der Erfindung, bei der der programmierbare Festspeicher für jede Nebenschleife der Speicheranordnung einen Speicherplatz enthält.
In Fig.1 der Zeichnung ist eine Magnetblasenspeicherorganisation mit Haupt- und Nebenschleifen dargestellt. Abgesehen davon, daß eine fehlerhafte Nebenschleife dargestellt ist, gleicht diese Organisation der Speicherorganisation gemäß den USA-Patentschriften 3 613 056, 3 618, 054 und 3 729 726. Die Bedingungen für die Erzeugung magnetischer Einwanddomänen auf einem geeigneten Material 10 wie einem Blättchen aus Seltene-Erd-Orthoferrit oder einer Seltene-Erd-Eisengranatschicht, die auf einem nichtmagnetischen Träger durch Aufwachsen erzeugt ist, sind bekannt. Ein Aufsatz zu diesem Thema ist der oben erwähnte Aufsatz in IEEE-Transactions on Magnetics, Band MAG 5-Nr.3» 1969, Seiten 544 bis 553. Muster aus magnetisch weichem (nicht dargestelltem) Überzugsmaterial wie Permalloy, das in Form von Stäben und T-förmigen Segmenten ausgebildet ist, werden üblicherweise zur Festlegung des Schleifenmusters angewendet. Eine als Hauptschleife 12 gekennzeichneteSchleife ist in sich geschlossen, so daß in dieser Schleife gebildete Magnetblasen unbegrenzt lange umlaufen, falls sie nicht gelöscht oder nach außen übertragen werden.
An die Hauptschleife 12 angrenzend sind mehrere gleiche
Nebenschleifen 14a, 14b, 14c, I4d I4q, I4r in einer
Reihe angeordnet. Die Nebenschleife I4c ist mit einem Fehler
709807/0678
dargestellt, wie durch die unterbrochene Linie angegeben ist. Zur Veranschaulichung sind 18 Nebenschleifen dargestellt, doch kann für bestimmte Anwendungsfälle auch eine andere Anzahl gewählt werden. Ein Abschnitt jeder Nebenschleife, nämlich der der Hauptschleife 12 am nächsten liegende Abschnitt, wirkt als Teil eines in zwei Richtungen wirksamen Übertragungstors mit der Hauptschleife. Die Übertragung von Magnetblasen durch die Schleife kann dadurch erzielt werden, daß eine Übertragungsleitung 16 impulsförmig angesteuert wird, die in serieller Verbindung alle Ufcertragungstore i4abis I4r und der Hauptschleife 12 enthält.
Ein an die Übertragungsleitung 16 angelegter Übertragungsimpuls bewirkt das Übertragen von Magnetblasen oder der Abwesenheit von Magnetblasen gleichzeitig aus allen Nebenschleifen in die Hauptschleife. Diese Parallelübertragung kennzeichnet die Übertragung eines miteinander in Beziehung stehenden Datensegments, beispielsweise eines Worts. In ähnlicher Weise können durch Ändern des Stroms und der zeitlichen Lage des Impulses Daten parallel aus der Hauptschleife in die Nebenschleifen zurückübertragen werden. Üblicherweise ist gernäß der Darstellung zwischen jeder der zur Hauptschleife übertragenen Magnetblasen ein Datenplatz vorhanden j beispielsweise ist die Blasenposition 18 gegenüber der Nebenschleife I4a dargestellt, die Blasenposition 19 ist zwischen den Nebenschleifen 14a und 14b in der Hauptschleife dargestellt und die Blasenposition 20 ist gegenüber der Nebenschleife 14b dargestellt.
Wenn sie sich einmal in der Hauptschleife befinden, dann werden die Magnetblasen in der Übertragungsrichtung 22 mit Hilfe eines sich in der Ebene drehenden Magnetfeldes in einem Umlauf weiterbewegt, wobei jede Drehung des Magnetfeldes in der Vorwärtsbewegungsfolge bei der Anordnung mit T-Stäben vier Schritte kennzeichne t,wie beispielsweise
709807/0676
in der US-PS 3 618 054 beschrieben ist. Mit der Hauptschleife können Verdopplungs- und Löschvorrichtungen 24 an einer zweckmässigen Stelle verbunden sein, die sich normalerweise längs der Schleife zwischen dem Punkt, an dem sich die Magnetblasen an der letzten Nebenschleife, der Schleife I4r, vorbeibewegen und vor dem Punkt, an dem sie wieder in die erste Nebenschleife, die Nebenschleife 14a, eingeführt werden, befindet.
Eine Detektorschaltung 26 Bowie eine Schreibschaltung sind ebenfalls mit der Hauptschleife verbunden. Die Detektorschaltung 26 kann dazu verwendet werden, die Magnetblasen-Datenfolge zu überwachen, die sich an dem Punkt der Hauptschleife vorbeibewegt, an dem die Verbindung zur Wiederholungsvorrichtung hergestellt ist. Die Schreibschaltung kann je nach Wunsch neue Dateninformationen an ihrer Anschlußstelle in die Hauptschleife 12 einführen.
Ein von der Vormagnetisierungsquelle 34 geliefertes Vormagnetisierungsfeld hält in dem Material 10 einzelne Magnetblasen mit normaler Betriebsgröße aufrecht, wie bekannt ist. Eine Drehfeldquelle 36 kann beispielsweise Bewegungen der Magnetblasen in einer Richtung 22 gegen den Uhrzeigersinn verursachen. Wie bereits beschrieben worden ist, erfolgt diese Bewegung gleichzeitig in allen Schleifen.Die Drehfeldquelle 36 ist zur Aktivierung und Synchronisierung von der Steuerschaltung 38 gesteuert. Die Vormagnetisierungsquelle 34, die Steuerschaltung 38, die Drehfeldquelle 36 und weitere Hilfsschaltungen, wie eine Impulsschaltung zur Ansteuerung der Übertragungsleitung 16, Zählerschaltungen zum Verfolgen der Magnetblasen in den Schleifen usw. sind bekannt. Obgleich es nicht in jedem Fall besonders dargestellt ist, können solche beispiel haften Schaltungen auf Wunsch im Zusammenhang mit den dargestellten Ausführungen verwendet werden.
709807/0676
Die in Fig.1 dargestellte Organisation des Magnetblasenspeichers weist 18 Nebenschleifen auf. In einer typischen Anordnung kann es jedoch zweckmässig sein, einen Daten-Chip zu bauen, der garantiert 53 funktionsfähige Nebenschleifen enthält. Auf dem Chip kann jede gewünschte Anzahl redundanter Schleifen enthalten sein. Als Beispiel sei angenommen, daß acht redundante Schleifen vorgesehen sind, so daß auf dem Daten-Chip insgesamt 72 Nebenschleifen vorhanden wären. Zum Speichern der Stellen fehlerhafter Schleifen wird ein programmierbarer Festspeicher verwendet. Beispielsweise kann ein programmierbarer Festspeicher mit 256 Wörtern zu je vier Bits verwendet werden, wie er von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas mit der Typenbezeichnung SN 74S287 vertrieben wird« Bei Verwendung eines programmierbaren Festspeichers mit einem solchen Aufbau kann jedes ¥ort dazu benutzt werden, die Anzahl der Schleifen zwischen benachbarten fehlerhaften Schleifen zu kennzeichnen. Da vier Bits 16 Binärkombinationen ergeben, kann jedes Wort des programmierbaren Festspeichers (PROM) maximal 16 Abstände oder Nebenschleifen zwischen benachbarten fehlerhaften Nebenschleifen bezeichnen. Wenn bei einer solchen Anordnung mehr als 16 Abstände (d.h. Nebenschleifen) zwischen fehlerhaften Schleifen vorhanden sind, dann macht die Logikschaltung eine Nebenschleife nach 16 Abständen unwirksam, auch wenn diese Schleife nicht fehlerhaft ist.
Da im dargestellten Beispiel jeder Chip acht redundante Nebenschleifen aufweist, sind für jeden Chip acht Wörter des programmierbaren Festspeichers erforderlich. Wenn angenommen wird, daß 16 Daten-Chips pro Speichermodul vorhanden sind, dann können die fehlerhafte Schleifen für ein Modul bezeichnende Daten in 128 Wörtern des programmierbaren Festspeichers gespeichert werden; anders ausgedrückt heißt das, daß ein programmierbarer Festspeicher mit 256 Wörtern
709807/0676
zu Je vier Bits dazu verwendet werden kann, die Informationen bezüglich fehlerhafter Schleifen für zwei Speichermodule zu speichern, die Jeweils 16 Datenchips enthalten, wobei acht Nebenschleifen auf jedem Chip nicht benutzt sind. Zur Erläuterung ist in Fig.2 das Blockschaltbild einer solchen Magnetblasenspeicheranordnung dargestellt.
Fig.2 zeigt zwei Speichermodule 40 .und 42». Jeder Modul enthält 16 Daten-Chips. Wie dargestellt ist, enthält der Modul 1 die Chips O bis 15, wie der Block 44 zeigt. Wie bereits beschrieben wurde,· enthält Jeder Chip acht Speicherplätze oder acht Nebenschleifen, die nicht benutzt sind. Die relativen Stellen dieser fehlerhaften Schleifen sind in einem Festspeicher mit 256 Wörtern zu Je vier Bits gespeichert. Im dargestellten Ausführungsbeispiel wären für den Chip O die Speicheradressen O bis des programmierbaren Festspeichers erforderlich. Die Speicherplätze 8 bis 15 wären für den Chip 1 erforderlich, während die Adressen 16 bis 23 des Festspeichers für den Chip 2-benutzt wurden, wie bei 46 dargestellt ist. Wie dort gezeigt ist, ist für Jede der Adressen 16 bis 23 des programmierbaren Festspeichers eine eigene Binärcodegruppe mit vier Bits im programmierbaren Festspeicher gespeichert. Als Beispiel sei angenommen, daß im Chip 2 sechs fehlerhafte Nebenschleifen mit den relativen Stellen 3, 5, 6, 48, 63 und 70 enthalten sind. Wie bereits beschrieben wurde, kann der programmierbare Festspeicher mit Binärdaten programmiert werden, die der Anzahl der Nebenschleifen zwischen fehlerhaften Schleifen entsprechen. Die Information, die an Jeder der Adressen 16 bis 23 des programmierbaren Festspeichers gemäß Fig.2 zum Verhindern der übertragung von Daten in die fehlerhaften Schleifen 3, 5, 6, 48, 63 und 70 gespeichert werden muß, ist in der nachfolgenden Tabelle angegeben.
709807/0676
unbenutzte'
Neben
schleifen
Tabelle I PROM-
Adressen
Stellen
fehler
hafter
Neben
schleifen
. 3 An- zwischen
unbenutzten
Neben
schleifen
PROM-Inhalt
im Binär
code
(Δη-1)
16
3 5 3 0010 17
5 6 2 0001 18
6 22 1 0000 -. 19
(Sprung) 38 16 1111 20
(Sprung) 48 16 1111 21"
48 63 10 1001 22
63 70 . . '15 1110 23
70 7 0110
Bei diesem Beispiel ist angenommen, daß der Inhalt jeder Adresse des programmierbaren Festspeichers an einen 16-Bit-Zähler angelegt wird, der von 15 bis 0 abwärtszählt. Der an einer Adresse des programmierbaren Festspeichers abzuspeichernde Inhalt kann dadurch bestimmt vrerden,däß von der Anzahl der Nebenschleifen zwischen fehlerhaften Nebenschleifenstellen die Zahl 1 subtrahiert wird.
An der Adressenspeichersteile 16 sollte daher der Inhalt des programmierbaren Festspeichers das binäre Äquivalent von 2 sein, da die dritte Nebenschleife als fehlerhaft angenommen ist. Die nächste fehlerhafte Nebenschleife befindet sich zwei Stellen weiter, d.h. an der Nebenschleif enstelle 5. Der Inhalt des programmierbaren Festspeichers am Speicherplatz 17 sollte daher das binäre Äquivalent von 1 sein, da zwischen der ersten fehlerhaften Nebenschleife und der zweiten fehlerhaften Nebenschleife zwei Nebenschieifen liegen. Der Inhalt des programmierbaren Festspeichers am Speicherplatz sollte das binäre Äquivalent von 0 sein, da die· nächste Nebenschleife (die sechste Nebenschleife) der Reihe eben-
709807/0676
falls fehlerhaft ist. Aus dem angegebenen Beispiel ist zu erkennen, daß die nächste fehlerhafte Schleife erst wieder an der Stelle 48 auftritt. Ferner sei daran erinnert, daß die maximale Anzahl der Stellen, die übersprungen werden kann , je eine Stelle von der Logikschaltung, (beispielsweise dem programmierbaren Festspeicher, dem Zähler usw.) als fehlerhaft betrachtet wird, sechzehn ist, da jede Adresse des programmierbaren Festspeichers nur vier Datenbits enthält. Folglich wird in die Adressen 19 und 20 das binäre Äquivalent von 15 eingegeben, das dazu führt, daß die Nebenschleifen 22 und 38 unwirksam gemacht v/erden. Es ist zu erkennen, daß zwischen der Stelle 38 und der Fehlerstelle 48 zehn Nebenschleifenstellen vorhanden sind. Folglich wird in die Adresse 21 des programmierbaren Festspeichers das binäre Äquivalent von 9 eingegeben. In gleicher Weise v/erden die binären Äquivalente von 14 und an den Adressen 22 bzw. 23 des programmierbaren Festspeichers gespeichert, damit die fehlerhaften Nebenschleifen an den Stellen 63 und 70 unwirksam gemacht werden.
Unter Bezugnahme auf die Figuren 3 und 4 wird nun ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel zur Verwirklichung einer Magnetblasenspeicheranordnung beschrieben, bei dem zum Abspeichern der relativen Stellen fehlerhafter Schleifen auf einem Magnetblasen-Chip ein programmierbarer Festspeicher (PROM) verwendet wird. Fig.3 zeigt die Ausführung in Form eines Logikdiagramms, und Fig.4 zeigt Zeitsteuerdiagramme für die Ausführung nach Fig.3.
Die Ausführung von Fig.3 enthält einen programmierbaren Festspeicher 50. Ein geeigneter programmierbarer Festspeicher wird von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas mit der Bezeichnung SN74S287 vertrieben. Dieser
709807/0676
programmierbare Festspeicher ist ein Speicher mit 256 Wörtern zu je vier Bits, doch können auch andere geeignete Ausführungen verwendet werden. Der programmierbare Festspeicher 50 empfängt an den Klemmen B, C, D und E aus einem nicht dargestellten Chip-Adressenregister Eingangsssignale. Diese Signale kennzeichnen einen der sechzehn Chips, die in den zwei Speichermodulen enthalten sind. Das Eingangssignal A aus dem Moduladressenregister kennzeichnet eines der zwei Module.Die Eingangssignale F, G undH des programmierbaren Festspeichers 50 werden von einem Adressenzähler geliefert. Ein geeigneter Adressenzähler wird von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas, mit.der Typenbezeichnung SN74191 vertrieben. Der Adressenzähler v/eist Eingänge A, B und C auf, die gemeinsam an Masse gelegt sind. Nach Anlegen eines Signals INITRV/ an den Ladeeingang des Adressenzählers werden in in: Signale mit dem'Binärwert 0 eingegeben, die an den Ausgängen Q., Qg und GU erscheinen. Während des Betriebs legt der Adressenzähler 52 dann nacheinander zur Auswahl von acht einzelnen Adressen Eingangssignale an den programmierbaren Festspeicher 50 an. Der Adressenzähler 52 legt an den programmierbaren Festspeicher 50 solange keine neue Adresse an, bis an den Takteingang des Adressenzählers 52 das Signal fj CLK angelegt wird ( das Signal f3 CLK wird von einer später noch beschriebenen Logikschaltung erzeugt).
Der programmierbare Festspeicher weist vier Ausgangsleitungen OQ, D1, D2 und D^ auf, die mit den Eingängen A, B, C und D eines Sprungabstandszählers 54 verbunden sind. Es kann jeder geeignete' Adressenzähler verwendet werden; ein geeigneter Zähler wird von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas mit der Typenbezeichnung SN74191 vertrieben. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel zählt der Sprungabstandszähler 54 von der an seine Eingänge A, B, C und D vom programmierbaren Festspeicher 50 angelegten
709807/0676
Binärzahl abwärts. Wenn im Sprungabstandszähler 54 der Zählerstand O erreicht ist, wird am Anschluß M/M des Zählers 54 ein Signal erzeugt. Der Zähler wird von einem Signal BCLK mit einer Frequenz von 50 kHz getaktet«
Das am Anschluß M/M des Zählers 54 erzeugte Signal wird dem D/Eingang eines flankengetriggerten D-Flipflops 56 angelegt. Ein geeignetes Flipflop ist das von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas,Texas, vertriebene Flipflop mit der Typenbezeichnung SN7474. Das Flipflop 56 wird von einem Signal BCLK mit 50 kHz getaktet, das das negierte Signal des Signals BCLK ist. Deriachmann kann erkennen, daß jede geeignete Taktfrequenz verwendet werden kann; bei derzeitigen Magnetblasenspeicheranordnungen wird typischerweise jedoch eine Taktfrequenz von 50 kHz für Datenübertragungsoperationen bei Chip-Konstruktionen mit Blockzugriff verwendet, wobei Magnetfeldansteuerfrequenzen von 100 kHz eingesetzt werden«, Das Signal am Ausgang Q des Flipflops 56 wird einem Eingang einer NAND-Schaltung 58 zugeführt. Dem anderen Eingang der NAND-Schaltung 58 wird das Taktsignal BCLK zugeführt. Die von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas mit der Typenbezeichnung SN7400 vertriebene NAND-Schaltung ist dafür geeignet.
Das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 58 wird einer Verknüpfungsschaltung 60 zugeführt, die ebenfalls eine NAND-Schaltung des Typs SN7400 sein..:kann. Die Verknüpfungsschaltung 60 empfängt als zweites Eingangssignal das Signal INITRW, Das Ausgangssignal, der Verknüpfungsschaltung 60 ist das Taktsignal f3 CLK, das dem'Takteingang des Adressenzählers 52 zugeführt wird. Das Ausgangssignal der Verknüpfungsschaltung wird einem Sechsfachnegator 62 zugeführt, der beispielsweise der Typ SN74O4 sein kann, der von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas vertrieben wird. Das Ausgangs-
709807/0678
signal des Negators 62 wird an den Ladeeingang 64 des Sprungabstandsszahlers 54 angelegt.
Die Arbeitsweise der in Fig.3 dargestellten Schaltung läßt sich am besten unter Bezugnahme auf das in Fig.4 angegebene Zeitdiagramm verstehen. Zur Erleichterung des Verständnisses der in Fig.3 dargestellten Schaltung sowie der Art und Weise, in der derlnhalt des programmierbaren Festspeichers zum Verhindern der Übertragung von Mstghetblasen in oder aus fehlerhaften Nebenschleifenstellen benutzt wird, sei'angenommen,daß zwischen fehlerhaften Schleifen auf dem Magnetblasen-Chip 2, 1, O und 16 funktionsfähige Nebenschleifen liegen. Für diesen Fall sind an den Adressen O, 1, 2 und 3 des programmierbaren Festspeichers die Codegruppen 0010, 0Ü01, 0000 und 1111 gespeichert.
Unter Bezugnahme auf die Figuren 3 und 4 wird der Betrieb der Schaltung dadurch ausgelöst, daß das Signal INITRW gngeOßgfc wird das anzeigt, daß ein Lese- oder ein Schreib-Vorgang beginnt. Dieses Signal wird dem Ladeeingang des Adressen Zählers 52 und einem Eingang der Verknüpfungsschaltung 60 zugeführt. Das Anlegen dieses Signals an den Ladeeingang des Adressenzählers 52 bewirkt das Laden der Binärwerte 0 in den Adressenzähler 52, so daß an den Ausgängen Q., GU und Qn die Binärwerte 0 erscheinen, wodurch im programmierbaren Festspeicher 50 eine Adresse ausgewählt wird. Das Anlegen des Signals INITRW an einen Eingang der Verknüpfungsschaltung 60 bewirkt das Anlegen eines Signals an den Ladeanschluß 64 des Sprungabstandszählers 54, das das Laden des Inhalts des programmierbaren Festspeichers aus den Adressen, die von den-BinärSignalen an den Ausgängen Q., Q und Q ausgewählt werden, in den aprungabstandszähler 54 freigibt Im vorliegenden Beispiel ist der Inhalt des ersten Speicherplatzes des programmierbaren Festspeichers die Codegruppe OOl'O,
709807/0676
die dem Sprungabstand 2 entspricht. Diese Bits werden in die Eingänge D, C, B bzw· A des Sprungabstandszählers 54 abhängig vom Signal am Anschluß 64 geladen.
Es sei nun auf die in Fig.4 dargestellten Signale Bezug genommen; das Taktsignal BCLK, das zum Takten des Sprungabstandszählers 54 verwendet wird, ist mit 66 gekennzeichnet. Dieses Taktsignal kann von dem 100 kHz-Takt abwärts gezählt werden, der zum Betätigen der Magnetblasen-Speicherchips verwendet wird; typischerweise beträgt er 50 kHz. Das Komplement BCLK dieses Taktsignals ist bei 68 angegeben. Das Taktsignal 68 wird zum Takten des Flipflops 56 verwendet; es bildet auch ein Eingangssignal der NAND-Schaltung 58. Der Betrieb der Logikschaltung von Fig.3 wird dadurch ausgelöst, daß das mit.INITRW bezeichnete Signal 70 angelegt wird. Abhängig vom Signal 70 erzeugt die Verknüpfungsschaltung 60 das mit f3CLK bezeichnete Signal 72, das dem Takteingang des Adressenzählers 52 zugeführt wird und ermöglicht, daß die Signale mit dem Binärwert 0 an den Eingängen A, B und C des Adressenzählers 52 in den Adressenzähler . geladen werden. Abhängig vom Signal 70 wird auch an den Ladeanschluß 64 des Sprungabstandszählers 54 ein Signal angelegt, so daß die Signale an den Ausgängen DQ, D^, Dp und D-* des programmierbaren Festspeichers 50 in den Sprungabstandszähler eingegeben werden« Das in den Sprungabstandszähler 54 aus dem Festspeicher 50 eingegebene Binärwort erscheint an den Klemmen DA, Dg, Dc und D0 des Sprungabstandszählers 54. Wie bereits erwähnt wurde, enthielt die ausgewählte erste Adresse des programmierbaren Festspeichers 50 ein Binärwort, das den Sprungabstand 2 kennzeichnet, so daß das Signal D^ den Binärwert 0, das Signal Dc den Binärwert 0, das Signal Dß den Binärwert 1 und das §ignal D^ den Binärwert 0 haben. Der Sprungabstandszähler beginnt seinen Zählvorgang mit der positiven Vorderflanke des Taktsignals 66. Nach Figo4 bewirkt das Signal 70
709807/0676
demnach das ^aden des Sprungabstandszählers 54, und bei der ersten positiven Flanke 64 des Taktsignals 66 beginnt der Zähler sofort zum binären Äquivalent von 2 abwärts zu zählen. Während der Zeitdauer t^ liegt am Anschluß D^ des Zählers 54 der Binärwert 0, am Anschluß Dß liegt der Binärwert 1 und an den Anschlüssen Bn "und D liegen die Binärwerte 0, was die Binärzahl 2 repräsentiert. Mit der nächsten positiven Flanke 76 des 'Taktsignals 66 zählt der Zähler 54 abwärts zur Binärzahl 1, was bedeutet, daß während der Zeitdauer t2 das Signal am Anschluß D^ den Binärwert hat, während die Signale an den Anschlüssen D„, Dc und D~ die Binärwerte 0 haben. Nach der dritten positiven Flanke des Taktsignals 66 hat der Zähler 54 abwärts gezählt, so daß an allen Anschlüssen DA, Dß, Dc und DD die Binärwerte 0 liegen. Beim Abwärtszählen des Zählers 54 auf 0 wird an den mit dem D-Eingang des Flipflops 56 verbundenen Ausgangsanschluß M/M ein Signal' angelegt. Das Signal am Ausgang δ" des Flipflops 56 ist mit FUNCEN bezeichnet; es ist bei 80 dargestellt. Dieses Funktionsfreigabesignal FUNCEN wird angelegt, damit die Übertragung von Daten während der Zeitperiode verhindert wird, in der dieses Signal einen niedrigen Signalwert hat. Wie der Signalverlauf 52 angibt, erscheint am Ausgangsanschluß M/M des Zählers 54 ein Ausgangsimpuls, der während der Vorderflanke 78 des Taktsignals 66 erzeugt wird, wobei der Zähler an diesem Zeitpunkt auf 0 abwärts gezählt hat. Abhängig vom Impuls 84 im Signalverlauf 82 wird im Funktionsfreigabesignal 80 ein Impuls 86 erzeugt. Das Signal am Ausgang Q des Flipflops 56 und die positive Flanke des Taktsignals 68 bewirken ein Einschalten der Verknt£fungsschaltungen 58 und 60, so daß im Verlauf des Signals f3 CLK ein Ausgangsimpuls erzeugt wird, wie der Verlauf 72a zeigt. Ferner wird abhängig von der Anlegung der Vorderflanke des Signals 68 ein Ladesignal an den Anschluß 64 des Sprungabstandszählers 54 angelegt, so daß der Inhalt &r nächsten Adressen des programmierbaren Fest-
709807/0676
Speichers 50 in den Sprungabstandszähler 54 geladen werden kann. Die· nächste Adresse des programmierbaren Festspeichers wird abhängig von dem Impuls 72a des Signals f3 CLK ausgewählt, der cbm Takteingang des Adressenzählers 52 zugeführt wird. Wie bereits beschrieben wurde, soll die zweite Adresse des programmierbaren Festspeichers den Sprungabstand 1 kennzeichnen. In diesem Fall sollen die Signale an den Anschlüssen D., Dß, Dp und D^. des Sprungabstandszählers 54 die Binärwerte 1, O, 0 bzw. 0 haben,, Diese neue Binärcodegruppe wird abhängig von der positiven Flanke 68a des Taktsignals 68 in den Zähler eingegeben. Nach Anlegen des Impulses 66a zählt der Zähler 54 bis 0 abwärts, und am Ausgangsanschluß M/M des Zählers 54 wird der Impulse 82a erzeugt. Abhängig vom Impuls 82a geht das Funktionsfreigabesignal 80 auf einen niedrigen Signalwert über, damit während dieser Zeitperiode .eine Datenübertragung zum oder aus dem Magnetblasenspeicher verhindert wird. Es wird wieder ein Ausgangsimpuls 72b erzeugt und an den Takteingang des Adressenzählers 52 angelegt. Zu Beginn des Impulses 68b wird der Inhalt des nächsten Speicherplatzes des programmierbaren Festspeichers 50 gelesen und in den Sprungabstandszählers 54 eingegeben. Wie oben beschrieben wurde, soll der Inhalt dieses Speicherplatzes einen Sprungabstand 0 kennzeichnen, so daß in die Eingänge A, B, C und D des Sorungabstandszählers Signale mit den Binärwerten 0 eingegeben werden, wobei zu diesem Zeitpunkt in entsprechender Weise die Signale an den Anschlüssen D., Dg, D„ und D0 die Binärwerte 0 haben«, Demgemäß wird am Anschluß M/M des Sprungabstandszählers 54 ein Ausgangssignal erzeugt, das das Flipflop 56 veranlaßt, am Ausgang Q ein Funktionsfreigabesignal zu erzeugen, das während dieser Zeitperiode jede Datenübertragung verhindert. Während der Dauer des Impulses 68c des Taktsignals 68 wird der Inhalt der nächsten
709807/0676
Festspeicheradresse in den Sprungabstandszählers 54 gelesen. Es sei daran erinnert, daß bei dieser Adresse erwünscht war, die maximale Anzahl von Stellen zu überspringen, so daß in die Eingänge A, B, C und D des Sprungabstandszählers 54 nur Signale mit dem Binärwert 1 eingegeben werden.
Aus Zweckmassigkeitsgrunden ist nur die Eingabe der Inhalte von vier Adressen des programmierbaren Festspeichers in den Sprungabstandsähler beschrieben worden. Natürlich kann jede gewünschte Anzahl von Stellen fehlerhafter Schleifen in den programmierbaren Festspeicher eingegeben werden« Für die hier beschriebene bevorzugte Ausführungsform ist angenommen worden, daß für jeden Magnetblasen-Speicherchip acht redundante Nebenschleifen vorgesehen sind. Die tatsächliche Anzahl kann sich je nach den Anforderungen ändern.
In Fig.5 ist ein vereinfachtes Blockschaltbild eines im Multiplexbetrieb arbeitenden 8-Bit-Redundanzsystems dargestellt. Aus Zweckmassigkeitsgrunden wird ein System mit 8 Modulen beschrieben, doch ist die Erfindung natürlich nicht auf eine derartige spezielle Ausgestaltung beschränkt. In Fig.5 sind acht Magnetblasenspeichermodule 100 dargestellt. Die Speichermodule 100 sind an ein 8 Modul-Redundanzsystem 102 angeschlossen. Bei Verwendung dieses Aufbaus können Daten von Leseverstärkern 104 in den Speichermodulen parallel gelesen und als parallele Eingangssignale an das Redundanzsystem 102 angelegt werden. E*i einem Schreibvorgang werden Daten parallel aus dem Redundanzsystem 102 gelesen, und an ErzeugungstreL ber 106 in den Magnetblasenspeichermodulen 100 angelegt. Ein. Magnetblasensteuerwerk 108.liefert an das Redundanzsystem 102 Eingangssignale. Diese Eingangssignale bewirken die Auslösung eines Lese- oder Schreibsignals 110, eines 400 kHz-Takt signals 112,eines Lesesignals 114 sowie mehrerer Chip-
709807/0676
Adressen-Eingangssignale 116. Das Redundanzsystem 102 liefert an den Magnetblasenspeichermodul 100 ein Blasensynchronisierungssignal 118, und es liefert auch an das Anwendungssystem ein Systemsynchronisierungssignal 120.^ Eine in zwei Richtungen wirksame Datensammelleitung 122 ermöglicht eine parallele Übertragung von Daten zwischen dem Redundanzsystem 102 und dem Anwendungssyätem'o1
Beim Betrieb des in Fig.5 im Blockschaltbild dargestellten Speichersystems werden bei einer Leseoperation von den 8 Modulen des Speichers 100 Daten empfangen, die fehlerhafte Bits enthalten; Sie Daten werden dann vom Redundanzsystem 102 in eine serielle Form umgesetzt, und sie werden unter Auslassung der fehlerhaften Bits umgeordnet und längs der Datensammelleitung 122 parallel zum Anwendungssystem ausgegeben. Im Redundanzsystem 102 ist ein programmierbarer Festspeicher enthalten, der die Stellen der fehlerhaften "Speicherschleifen in den jeweiligen Chips jedes Moduls im Speicher 100 kennzeichnet, damit fehlerhafte Bits weggelassen werden können und damit sichergestellt wird, daß während einer Schreiboperation keine Daten in fehlerhafte Schleifen geschrieben werden, Während.eines Schreibvorgangs werden in jede fehlerhafte Nebenschleife Binärwerte 0 geschrieben.
Die Arbeitsweise der in Fig.5 allgemein beschriebenen Anordnung läßt sich unter Bezugnahme auf die Figuren 6, 7 und 8 besser verstehen. Fig.6 zeigt dabei ein Logikschal tbild des Redundanzsystems; Fig.7 zeigt den Verlauf von Signalen zum Betätigen der Logikschaltung von Figo6; Fig.8 zeigt schematisch die Multiplexverarbeitung der Daten zwischen den Modulen im Speicher 100 und dem Anwendungssystem im Verlauf einer Leseoperation, bei der .fehlerhafte Bits eliminiert werden. Die Verarbeitung für eine Schreiboperation erfolgt analog; sie ist nicht dargestellt.
709807/0676
In Fig.6 sind vier programmierbare Festspeicher 124, 126, 128 und 130 mit jeweils256 Wörtern zu je vier Bits dargestellt. Diese programmierbaren Festspeicher können Speicher des Typs SN74S287 sein, die von der Firma Texas Instruments Incorporated,Dallas, Texas, vertrieben werden. Diese vier programmierbaren Festspeicher werden dazu verwendet, Informationen über die relative Lage fehlerhafter Nebenschleifen in jedem der Datenchips zu speichern, die in den acht Magnetblasenspeichermodulen des Speicherblocks 100 von Fig.5 enthalten sind. Wenn angenommen wird, daß 16 Daten-Chips pro Modul vorhanden sind, dann enthält der Speicherblock insgesamt 128 Daten-Chips. Wenn angenommen wird, daß jeder der Daten-Chips 8 fehlerhafte Schleifen enthalten kann, dann sind insgesamt 128 χ 8 oder 1024 Adressen oder Speicherplätze im programmierbaren Festspeicher erforderlich. Diese Anzahl von Speicherplätzen wird dadurch zur Verfügung gestellt, daß vier programmierbare Festspeicher 124, 126, und 130 verwendet werden, die jeweils 256 Speicherwörter enthalten. Das Adressenregister 132 für die programmierbaren Festspeicher enthält im hier vorliegenden Ausführungsbeispiel zwei Zähler 132a und 132b, die so miteinander verbunden sind, · daß dem programmierbaren Festspeicher sechs Ausgangssignale zugeführt werden. Geeignete Baueinheiten für die Zähler 132a und 132b werden von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas/ Texas mit der Typenbezeichnung SN74191 vertrieben. Jedem der programmierbaren Festspeicher werden zwei Chipadressen-Eingangssignale zugeführt. Da ein Parallelbetrieb vorliegt und acht einzelne Chips gleichzeitig adressiert werden,'die jeweils acht mögliche fehlerhafte Stellen aufweisen können, sind für jede Lese- oder Schreiboperation insgesamt 64 Speicherplätze erforderlich.Sechs Ausgangssignale des Zählers 132 liefern 64 verschiedene Adressen für den programmierbaren Festspeicher. Die Ausgangssignale des programmler-
709807/0678
baren Festspeichers werden an die Eingänge A, B, C und D des Sprungabstandszählers 134 angelegt. Ein geeigneter Zähler ist der Typ SN74191 der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas. Dieser Zähler wird mit Hilfe eines Signals GC400 getaktet, das für eine Magnetfeldansteuerfrequenz von 100 kHz typisdherweise eine Taktfrequenz von 400 kHz hat. Es sei daran erinnert, daß eine typische Datenfolgefrequenz für einen einzelnen Magnetblasen-Speicherchip die Frequenz 50 kHz ist. Da bei der vorliegenden Ausführungsform 8 Chips im Multiplexbetrieb behandelt werden, ist zu erkennen, daß eine Taktfrequenz von 400 kHz erforderlich ist.
Der Zähler 134 arbeitet mit dem programmierbaren Festspeichern in ähnlicher Weise zusammen, wie bei der Arbeitsweise der Schaltung von Fig.3 beschrieben worden ist. Ein Signal vom M/M-Ausgang 136 des Sprungabstandszählers 134 v/ird dem D-Eingang eines Flipflops 138 zugeführt. Das Flipflop 138 wird von einem Signal GC400 getaktet. Der Ausgang Q des Flipflops 138 liefert ein Funktionsfreigabesignal 140, das mit FUNCEN bezeichnet ist und das als £Sin Eingangssignal jeder der NAND-Schaltungen 142 und 144 zugeführt wird. Das andere,Eingangssignal der NAND-Schaltung 142 ist das Taktsignal GC^OÜ, während das andere Eingangssignal der NAND-Schaltung 144 das Taktsignal GC400 ist. Der Ausgang der NAND-Schaltung 142 ist mit einem Eingang der Verknipfungsschaltung 146 verbunden, die am anderen Eingang das Lese-oder Schreibfreigabesignal InItW empfängt. Das Ausgangssignal der ■ Verknüpfungsschaltung 146 wird an einen Sechsfachnegator angelegt, dessen Ausgang das Signal ROIiLK ist, das dem Takteingang des Adressenregisters 132 zugeführt wird. Dieses Signal wird auch an den Ladeeingang des Sprungabstandszählers 134 angelegt. Der Ausgang der NAND-Schaltung 144
709807/0678
liefert ein Taktsignal 4OO3ÖN* , aus dem nach dem Durchlauf durch den Sechsfachnegator 150 das Taktsignal 400EN gehört. Die Signale FUNCEN, 400 M und 400 EN werden dazu verwendet, die Datenübertragung zwischen den Magnetblasen-Datenchips und einem Anwendungssystem zu steuern, wie noch beschrieben wird. Geeignete Baueinheiten für die Verknüpfungsschaltungen 142, 144 und 146 sind die von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas,Texas vertriebenen Typen SN 7400. Geeignete Sechsfachnegatoren sind die Typen SN 7404 der gleichen Firma. Die geeignete Baueinheit für das Flipflop ist der Typ SN7474 dieser Firma.
Wie Fig.5 zeigt, verbindet eine Parallelsammelleitung einen Daten-Chip in jedem der acht Hagnetblasenspeichermodule mit dem Redundanzsystem 102. Dies ist in Fig.6 dargestellt, wo die Parallelsammelleitung 152 an die Eingänge A bis H eines 8-Bit-Schieberegisters 154 angeschlossen ist. Ein geeignetes Schieberegister ist das Schieberegister des Typs SN74S299 der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas. Bei einer Leseoperation werden von den Abtastverstärkern auf einem Magnetblasen-Datenchip in jedem der acht Module Daten parallel auf die Paralleldaten-Sammelleitung 152 gelesen und gleichzeitig an die Eingänge A bis H des Schieberegisters 154 angelegt. Die Daten können natürlich einige fehlerhafte Bits enthalten, wenn die Nebenschleife in einem der acht dann gelesenen Magnetblasen-Datenchips fehlerhaft ist. Die Daten werden in serieller Form vom Schieberegister 154 in das Schieberegister 156 geschoben. Diese Übertragung wird durch Anlegen eines Signal LOAD A an einen Eingang des Schieberegisters 154 ausgelöst. Dieses Signal bewirkt die Freigabe der Parallelübertragung der Daten aus den acht Speichermodulen in das Schieberegister 154. Das Signal LOAD A wird auch an den
709807/0676
Sechsfachnegator 158 und an einen Anschluß einer UND/ODER-Negatorschaltung 160 angelegt. Eine geeingete UND/ODER-Negatorschaltung wird von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, .Texas unter der Typenbezeichnung SN 5451 vertrieben. Weitere Eingangssignale der UND/ODER-Negatorschaltung 160 sind das Taktsignal GC400, das Ausgangssignal des Sechsfachnegators 158 und das Taktsignal GC400. Das Ausgangssignal der UND/ODER-Negatorschaltung I60 wird einem Sechsfachnegator 162 zugeführt, dessen Ausgang das Taktsignal ACLK liefert, das dem Takteingang des Schieberegisters 154 zugeführt wird. Das Taktsignal ACLK ist in Fig.7 dargestellt.
Abhängig von dem vom Signal BCLK gebildeten Taktsignal werden Daten seriell in das Schieberegister I56 getaktet. Der Verlauf des Taktsignals BCLK.ist ebenfalls in Fig.7 dargestellt. Dieser Signalverlauf wird vom Inhalt des programmierbaren Festspeichers »q verändert, daß ein Taktsignal für diejenigen Stellen eliminiert wird, die fehlerhaften Speicherschleifen in den Magnetblasen-Datenchips entsprechen. In anderen Worten heißt das, daß Daten aus den Magnetblasen-Speichermodulen parallel in das Schieberegister 154 eingegeben werden. Zur Erläuterung sei angenommen, daß eines dieser acht Bits einer fehlerhaften Nebenschleife in einem der Daten-Chips in den Speichermodulen entspricht. Nachdem die Daten parallel in das Schieberegister 154 geladen worden sind, werden sie seriell in das Schieberegister geschoben. Wenn versucht wird, das fehlerhafte Datenbit in das Schieberegister 156 zu schieben, wird das Taktsignal BCLK abhängig vom Inhalt des programmierbaren Festspeichers ge-,sperrt, der anzeigt, daß das Bit fehlerhaft ist, so daß das fehlerhafte Datenbit nicht in das Schieberegister 156 gelangt. Sobald acht einwandfreie Datenbits in das Schieberegister 156 eingegeben worden sind, werden sie über eine
709807/0678
Parallelsammelleitung 158 zum Anwendungssystem parallel geschoben«
Das während einer Leseoperaticnzum Auslösen des Ladens des Registers 154 verwendete Signal LOAD A wird in Abhängigkeit vom Datensynchronisierungs-Registerzähler 16OC\ erzeugt, das beispielsweise der Typ. SN74 191 der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas ist. Dieser Zähler wird abhängig vom Signal iNITRW gestartet, das seinen Eingangsklemmen A,: B und C zugeführt wird. Er wird vom Taktsignal GC400 getaktet. Der M/M-Ausgang des Zählers i6Oa wird dem Eingang D des Flipflops 132 zugeführt, das vom Signal GC400 getaktet wird. Das Taktsignal GC400 bildet ein Eingangssignal der NAND-Schaltung 164, das am anderen Eingang das Signal vom Ausgang Q des Flipflops 162 empfängt. Das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 164 ist das Signal BSYNCH , dessen Verlauf in Fig.7 dargestellt ist. Dieses Signal BSYNCH wird einem Eingang der NAND-Schaltung 166 zugeführt, die am anderen Eingang das Eingangssignal READ empfängt. Wenn diese beiden Signale vorhanden sind, gibt die NAND-Schaltung 166 das Ausgangssignal LOAD A ab, das das parallele Laden von Daten in das Register 154 freigibt. Das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 164 wird auch einem Eingang der Verknüpfungsschaltung 168 zugeführt,, die am anderen Eingang das Signal INITRW empfängt. Das Ausgangssignal der Verknüpfungsschaltung 168 wird einem Sechsfachnegator 170 zugeführt, und es wird zum Ladeeingang des Zählers i6Oa zurückgeführt.
Das Systemsynchronisierungssignal SSYNCH , das Taktsignal BCLK zum Takten des Schieberegisters 156 und das Signal LOAD B zum Laden des Schieberegisters 156 werden vom Systemsynchronisierungsregisterzähler 180 und einer zugehörigen Logikschaltung geliefert. Die Eingänge A, B und C des Zählers empfangen das Eingangssignal INITRW.Der Zähler 180 wird vom Signal 400 ElT getaktet, das die NAND-Schaltung 144 abhängig
709807/0678
von der Steuerung durch die programmierbaren Festspeicher 124, 126, 128 und 130 und dem zugehörigen Sprungabstandszähler134 liefert. Das Signal am Ausgang M/M des Zählers wird dem Eingang D des Flipflops 182 zugeführt. Das Flipflop 182 wird vom Signal 400 EN getaktet. Der Verlauf des Signals 400 EN ist in Fig.7 dargestellt. Das Signal am Ausgang Q des Flipflops 182 und das Taktsignal 400 EN bilden die zwei Eingangssignale der NAND-Schaltung 184, deren Ausgangssignal das Systemsynchronisierungssignal SSYNCH ist. Dieses Signal und das Signal INITRW bilden die Eingangssignale der Verknüpfungsschaltung 186, deren Ausgang mit dem Sechsfachnegator 188 verbunden ist, dessen Ausgangssignal wiederum zum Ladeanschluß des Zählers 180 zurückgeführt wird. Das Signal SSYNCH wird auch einem Eingang der NAND-Schaltung 190 zugeführt, die am anderen Eingang das Signal READ empfängt. Das Ausgangssignal der NAND-Schaltung" 190 ist das Steuersignal LOAD B, das dem Schieberegister 156 zugeführt wird. Das Signal LOAD B bildet ein Eingangssignal der UND/ODER-Negatorschaltung 192. Weitere Eingangssignale dieser Schaltung bilden die Signale 400 W und 400EN. Das Signal LOAD B wird auch einem Sechsfachnegator 194 zugeführt, dessen Ausgangssignal das letzte Eingangssignal der UND/ODER-Negatorschaltung bildet. Das Ausgangssignal der UND/ODER-Negatorschaltung wird an einen Sechsfachverstärker 196 angelegt, deseen Ausgangssignal das Taktsignal BCLK ist, das an den Takteingang des Schieberegisters 156 angelegt wird. Zur Veranschaulichung der Arbeitsweise der in Fig.6 dargestellten Ausführungsform sei auf die in Fig.7 dargestellten Signale sowie auf Fig.8 Bezug genommen. Nur zur Erläuterung sind in Fig.8 drei Bytes mit parallelen Daten aus den Speichermodulen dargestellt. Das erste Byte enthält an der Bitstelle 7 eine fehlerhafte Nebenschleife, während das zweite Byte
709807/0676
fehlerhafte Nebenschleifenstellen an den Bits 9 und 14 enthält. Zur Erläuterung wird eine Leseoperation beschriebene Das in Fig«5 dargestellte Magnetblasensteuerwerk 108 liefert dann die Logikschaltung von Fig.6, die Signale 110, 112, 114 und 116, die die Signale INITRW , GC400, READ und CHIP ADRESS sind. Abhängig von diesen Signalen werden an den Ausgängen der NAND-Schaltungen 166 und 164 die Signale LOAD A bzw. BSYNCH erzeugt, und acht Datenbits werden parallel in das Schieberegister 154 gelesen. Wie'Fig.8 zeigt, enthalten die ersten acht Bits oder das Byte 1 ein fehlerhaftes Bit an der Stelle 7. Eine Übertragung einer Information aus d©r Bitstelle 7 zum Benutzer wird mit Hilfe der programmierbaren Festspeicher 124 bis 130 verhindert. Das Adressenregister 132 hat den programmier«' baren Festspeichert Signale zugeführt, die Adressen entsprechend den aus den Speichermodulen gelesenen Daten aus~ wählen. Die erste Adresse des programmierbaren Festspeichers enthält vier binäre Datenbits entsprechend einem Sprungabstand 6. In anderen Y/orten heißt das, daß die Daten nach dem parallelen Schieben in das Schieberegister 154 seriell in das Schieberegister 156 geschoben werden. Es ist erwünscht, während dieser seriellen Datenübertragung zu verhindern, daß der siebten Bitstelle entsprechende Daten übertragen werden. Die an der ersten Adresse des programmierbaren Festspeichers gespeicherten Binärdaten bewirken die Erzeugung eines Signals, das die Übertragung von Daten in das Schieberegister 156 für das Bit verhindern, das dem Bit 7 im vorliegenden Beispiel entspricht, wie noch erläutert wird. ...
Aus Fig.7 ist zu erkennen, daß nach dem Anlegen des Lese/ Schreib-Auslösesignals INITRV/ die binäre Codegruppe für die Zahl 6 in den Sprungabstandszähler 134 geladen wird. Nach Fig.7 haben die Signale an den Anschlüssen SQA, SQg, SQC und SQ des Zählers 134 die Binärwerte 0, 1, 1, 0, was der binären Codegruppe für die Zahl sechs entspricht„
709807/0678
Nach der ersten positiven Flanke 201 des Taktsignals GC400 zählt der Zähler abwärts zum Binärwert für die Zahl 5, wie zu erkennen ist, da die Signale an den Anschlüssen SQ., SQB, SQC und SQD die Werte 1, O, 1, O haben. Der Zähler 134 zählt dann weiterhin mit jeder positiven Flanke des Taktsignals GC400 um einen Zählschritt abwärts, bis der Zählerstand den Wert 0 erreicht, worauf am M/M-Anschluß 136 des Sprungabstandszählers 134 ein Ausgangssignal erscheint, das an den Eingang D des Flipflops 138 angelegt wird. Mit der nächsten positiven Flanke 200 des Taktsignals GC400 geht das Signal FUNCBN auf einen niedrigen. Signalwert über, und das Taktsignal 4OO EN, das am Ausgang des Sechsfachnegators 150 erzeugt wird, wird für die Dauer eines Impulses ausgetastet. Dies führt zur Austastung des BCLK-Impulses für die Dauer eines Zyklus, so daß im Verlauf des Zeitintervalls, in dem das siebte Bit des Datenworts vom Schieberegister 154 zum Schieberegister 156 übertragen würde, am Eingang des Schieberegisters 156 kein Taktsignal zur Verfügung steht.
Abhängig von der positiven Flanke 200 des Taktsignals GC400 wird der Inhalt der zweiten Adresse des programmierbaren Festspeichers gelesen .und. in den Sprungabstandszähler 134 eingegeben. An diesem Speicherplatz ist der digitale Datenwert 0010 entsprechend einem Sprungabstand 2 vorhanden. Wie aus Fig.8 zu erkennen ist, müssen zwei Speicherplätze übersprungen werden, nämlich die Datenbitplätze 7 und 8 vor der nächsten Fehlerstelle, die sich bei 9 befindet. Nachdem zwei Bits aus dem Schieberegister 154 in das Schieberegister 156 getaktet worden sind, geht das Funktionsfreigabesignal FUNCEN wieder auf einen niedrigen Signalwert über und ein BCLK-Impuls wird verhindert, so daß eine Datenübertragung in das Schieberegister 156 nicht erfolgt,
709807/0676
Es ist zu erkennen, daß nur einwandfreie Datenbits in das Schieberegister 156 übertragen werden. Diese einwandfreien Datenbits werden dann parallel zum Benutzer übertragen.
Eine Schreiboperation läuft in ähnlicher Weise ab mit der Ausnahme, daß Daten vom Anwendungssystem zum Schieberegister 156 übertragen werden. Die Daten werden seriell über die UIiD-Schaltung 202 zum Schieberegister 154 geschoben. Das andere Eingangssignal der UND-Schaltung ist das Signal FUNCEN, das seinerseits abhängig vom Sprungabstand zwischen fehlerhaften Bits in den Magnetblasenchips der Speichermodule erzeugt wird. Da die Daten parallel aus dem Schieberegister 154 zu der für das Schreiben von Daten vorgesehenen Parallelsammelleitung 204 des Moduls geschoben werden, wird in diesem Fall für die Speicherplätze, die einer fehlerhaften Nebenschleife auf einem der Chips zugeordnet sind, ein Binärwert 0 eingesetzt.
Eine geeignete Baueinheit für jede dargestellte UND-Schaltung ist der von der Firma Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas vertriebene Typ SN7400; für die Sechsfachnegatoren ist der Typ SN7404 dieser Firma geeignet; geeignete Flipflops sind die Flipflops SN7474 dieser Firma; geeignete Zähler sind die Typen SN74191 dieser Firma; als Schieberegister eignet sich der Typ SN74S299 dieser Firma; für die UND/OD3R-Negatoren eignet sich der Typ SN 7451 dieser Firma.
Fig.9 zeigt das Blockschaltbild einer Redundanzanordnung, die sich besonders für Großspeicherorganisationen eignet. In der in Fig.9 dargestellten Ausführungsform sind zur Erläuterung zwei programmierbare Festspeicher 206 und 208
709807/0676
dargestellt, die jeweils 256 Datenwörter mit jeweils vier Bits enthalten. Ein Adressenzähler 219 adressiert nacheinander die Speicherplätze der programmierbaren Festspeicher. Die Ausgänge der programmierbaren Festspeicher sind so miteinander verbunden, daß an jeder Ausgangsleitung das Äquivalent einer Speicherorganisation mit jeweils 512 χ Bits erscheint. In einer Anordnung, wie sie in Fig.9 dargestellt ist, wäre jeder Nebenschleife eines Magnetblasen-Chips ein Bit des programmierbaren Festspeichers zugeordnet. Die programmierbaren Festspeicher wurden dabei entweder den Binärwert 1 oder den Binärwert O enthalten. Für den einen Binärwert wird ein Freigabesignal erzeugt, damit Magnetblasen in die oder aus der zugehörigen Nebenschleife geschoben werden. Für den anderen Binärwert wäre jedoch das Freigabesignal nicht vorhanden, und die Magnetblasen wären an einem Verschieben in die oder aus der Magnetschleife gehindert. Bin Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß ein Sprungabstandszähler nicht erforderlich ist, wie es bei den zuvor beschriebenen Anordnungen der Fall war ο
Die Erfindung.ist hier zwar im Zusammenhang mit speziellen Ausführungsbeispielen beschrieben worden, doch kann der Fachmann ohne weiteres erkennen, daß im Rahmen der Erfindung auch weitere Abv/andlungen möglich sind.
709807/067©

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1. Hagnetblasen-Speicheranordnung mit wenigstens einem dünnen Magnetfilm , der Magnetblasen aufrechterhalten kann, die abhängig von einer Steuervorrichtung in steuerbarer Weise in dem Magnetfilm von einer Speicherstelle zu einer anderen bewegbar sind, wobei der Magnetfilm wenigstens einen fehlerhaften Bereich enthält, in dem Magnetblasen nicht angebracht werden können, gekennzeichnet durch einen programmierbaren Festspeicher zum Speichern der Stellen des fehlerhaften Bereichs, wobei der programmierbare Festspeicher so an die Steuervorrichtung angeschlossen ist, daß ihm Signale zugeführt werden, die die Verwendung des fehlerhaften Bereichs zum Abspeichern des fehlerhaften Bereichs verhindern.
    2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an
    den Ausgang des programmierbaren Festspeichers eine variable Verzögerungsvorrichtung angeschlossen ist, und daß die variable Verzögerungsvorrichtung derart ausgebildet ist, daß sie abhängig vom Ausgangssignal des programmierbaren Festspeichers ein Ausgangssignal für die Steuervorrichtung erzeugt, das die Übertragung von Magnetblasen zu oder von Abschnitten des Magnetfilms in zeitlicher Zuordnung zum Auftreten des Ausgangssignals verhindert.
    3. Anordnung nach Anspruch 2,dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Adressenspeicherplatz des programmierbaren Festspeichers Binärdaten entsprechend der Anzahl der Speicherplätze zwischen einer ersten fehlerhaften Speicherstelle und einer zweiten fehlerhaften Speicherstelle abspeicherbar sind, wobei die an jeder Adresse des programmierbaren Festspeichers abgespeicherten Binärdaten Dignale liefern, die die variable Verzögerungsvorrichtung so steuern, daß das Ausgangssignal nach einer
    709807/0678
    vorbestimmten Verzögerung erzeugt wird, die zeitlich der Anzahl der Speicherstellen zwischen der ersten fehlerhaften Speicherstelle und der zweiten fehlerhaften Speicherstelle entspricht.
    4t Magnetblasen-Speicheranordnung, gekennzeichnet durch einen dünnen Magnetfilm für die Erzeugung von Magnetblasen, eine auf dem Magnetfilm angebrachte Vorrichtung zum Festlegen eines Hauptwegs zur Weiterleitung von Magnetblasen, mehrere neben dem Hauptweg angeordnete Nebenschleifen zur Magnetblasenweiterbewegung, wobei eine oder mehrere Nebenschleifen nicht funktionsfähig sind, eine Übertragungsvorrichtung zum Übertragen von Magnetblasen zwischen den Nebenschleifen und dem Hauptweg und einem programmierbaren Festspeicher zum Speichern der Stellen der einen oder der mehreren nicht funktionsfähigen Nebenschleifen, wobei der programmierbare Festspeicher Ausgangssignale liefert, die die Übertragung von Magnetblasen in die eine oder die mehreren nicht funktionsfähigen Nebenschleifen verhindern.
    5. Magnetblasen-Speicheranordnung, gekennzeichnet durch mehrere Magnetblasen-Datenchips mit jeweils einem Hauptweg zum Weitertransportieren von Magnetblasen und mehreren Nebenschleifen zum Weitertransportieren von Magnetblasen, wobei wenigstens eine der Nebenschleifen nicht funktionsfähig für die Weiterleitung der Magnetblasen ist, eine Steuervorrichtung zum Weitertransportieren von Magnetblasen um jeden der Hauptwege und um die Nebenschleifen mit einer ausgewählten Taktfrequenz und zum Steuern-der Übertragung von Daten in Form der magnetischen Blasen zwischen den Nebenschleifen und dem Hauptweg, einen programmierbaren Festspeicher, der derafct an die Steuervorrichtung angeschlossen ist, daß er die relative Stelle jeder fehlerhaften
    709807/0676
    Nebenschleife auf jedem der Daten-Chips speichert, wobei der Ausgang jeder Adresse des programmierbaren Festspeichers eine Binärcodegruppe liefert, die der zeitlichen Verzögerung zwischen fehlerhaften Nebenschleifen entspricht, und eine Zählervorrichtung, die an den Ausgang des programmierbaren Festspeichers angeschlossen ist und einen Ausgangsimpuls liefert, der an die Steuervorrichtung angelegt wird und Lese- oder Schreiboperationen während des ZeitIntervalls sperrt, das dem Ausgangsimpuls zugeordnet ist, wobei die Zählervorrichtung abhängig vom Ausgangssignal des programmierbaren Festspeichers diesen Ausgangsimpuls liefert, der zeitlich bezüglich der Anlegung des Ausgangssignals des programmierbaren Festspeichers um eine Zeitdauer verzögert ist, die der am Ausgang des programmierbaren Festspeichers anliegenden Binärcodegruppe entspricht.
    6. Anordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen mit dem programmierbaren Festspeicher verbundenen Adressenzähler zum sequentiellen Auswählen von Speicherplätzen.
    7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang der Zählervorrichtung eine Logikschaltung angeschlossen ist, die abhängig von dem Ausgangssignal ein Sperrsignal an die Steuervorrichtung liefert, das eine Schreib- oder Leseoperation verhindert und ein Taktsignal für den Adressenzähler erzeugt, damit eine neue Adresse des programmierbaren Festspeichers ausgewählt wird und damit ein Freigabesignal für die Zählervorrichtung geliefert wird, das die Übertragung des Inhalts der neuen Adresse des programmierbaren Festspeichers in die Zählervorrichtung freigibt.
    709807/0676
    8. Magnetblasen-Speicheranordnung, gekennzeichnet durch mehrere Magnetblasenspeichermodule, die jeweils mehrere Magnetblasen-Chips enthalten, eine jedem Magnetblasen-Chip zugeordnete Steuervorrichtung zum Weiterbewegen von Magnetblasen, wobei die Steuervorrichtung Fühler zum Feststellen der Anwesenheit oder der Abwesenheit von Magnetblasen und Erzeugungsvorrichtungen zum Schreiben neuer Magnetblasen enthält, während jeder Magnetblasen-Chip einen Hauptweg zur Weiterbewegung von Magnetblasen und mehrere zugeordnete Nebenschleifen zum Weiterbewegen von Magnetblasen enthält, von denen eine oder mehrere auf jedem Chip fehlerhaft sind, einen mit den Speichermodulen und mit der Steuervorrichtung verbundenen programmierbaren Festspeicher, der die Stelle der fehlerhaften Nebenschleifen in jedem Chip speichert, eine an die Module angeschlossene erste Speichervorrichtung zum parallelen Übertragen von Daten zwischen ihr und den Modulen und eine an eine Ausgangsklemme angeschlossene zweite Speichervorrich tung zum parallelen Übertragen von Daten zeichen ihr und der Ausgangsklemme, wobei die erste und die zweite Speichervorrichtung mittels serieller Datenübertragungsvorrichtungen miteinander verbunden sind, während sie an den Ausgang des programmierbaren Festspeichers angeschlossen sind, so daß eine serielle Datenübertragung zwischen der ersten und der zweiten Speichervorrichtung während Übertragungszeitperioden verhindert wird, die der Stelle einer fehlerhaften Nebenschleife entsprechen.
    9. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Speichervorrichtungen aus Parallel-Serien-Schieberegistern bestehen.
    10. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang des programmierbaren Festspeichers eine Zählervorrichtung angeschlossen ist, die an die erste und an die zweite Speichervorrichtung ein Signal zum Sperren der Daten-
    709807/0676
    übertragung zwischen ihnen angeschlossen iste
    ο Magnetblasen-Speicheranordnung mit einem dünnen Magnetfilm zur Erzeugung von Magnetblasen, einer auf dem Magnetfilm angeordneten Vorrichtung zur Festlegung eines Hauptwegs zum weitertransportieren von Magnetblasen sowie mehrerer Nebenschleifen zum Yfeitertransportieren von Magnetblasen neben dem Hauptweg, wobei eine oder mehrere Nebenschleifen nicht funktionsfähig sind und eine Übertragungsvorrichtung zum Übertragen von Magnetblasen zwischen den Nebenschleifen und den Hauptwegen, dadurch gekennzeichnet, daß ein programmierbarer Festspeicher vorgesehen ist, der für jede der Hauptschleifen einen Speicherplatz enthält, daß Speicherplätze des programmierbaren Festspeichers, die funktionsfähigen Nebenschleifen zugeordnet sind, ein Signal mit einem ersten Signalwert enthalten, daß Speicherplätze des programmierbaren Festspeichers, die funktionsunfähigen Nebenschleifen zugeordnet sind, Signale mit einem zweiten Signalwert enthalten und daß ein Signal mit dem zweiten Signalwert die Übertragung von Magnetblasen in die ihm zugeordnete Nebenschleife sperrt. :
    709807/0676
    Leerseite
DE19762630950 1975-07-10 1976-07-09 Magnetblasenspeicheranordnung Ceased DE2630950A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/594,901 US4070651A (en) 1975-07-10 1975-07-10 Magnetic domain minor loop redundancy system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2630950A1 true DE2630950A1 (de) 1977-02-17

Family

ID=24380889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19762630950 Ceased DE2630950A1 (de) 1975-07-10 1976-07-09 Magnetblasenspeicheranordnung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4070651A (de)
JP (1) JPS5234639A (de)
DE (1) DE2630950A1 (de)
GB (1) GB1551134A (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4168534A (en) * 1976-04-23 1979-09-18 Hitachi, Ltd. Shift register type memory device consisting of a plurality of memory chips
US4354253A (en) * 1976-12-17 1982-10-12 Texas Instruments Incorporated Bubble redundancy map storage using non-volatile semiconductor memory
JPS599102B2 (ja) * 1977-11-30 1984-02-29 株式会社日立製作所 メモリ装置
GB1596990A (en) * 1977-05-16 1981-09-03 Texas Instruments Inc Bubble memory redundancy storage
JPS5423436A (en) * 1977-07-25 1979-02-22 Hitachi Ltd Faulty loop control circuit for magnetic bubble chip
JPS5847787B2 (ja) * 1977-11-11 1983-10-25 富士通株式会社 磁気バブルカセツトメモリ
US4225941A (en) * 1978-10-30 1980-09-30 Trw Inc. Controller for bubble memories
US4234935A (en) * 1978-12-04 1980-11-18 International Business Machines Corporation Means for maintaining the identification of defective minor loops in a magnetic bubble memory
US4308593A (en) * 1979-05-14 1981-12-29 Microcomputer Systems Corporation Interchangeable magnetic bubble memory
JPS55160385A (en) * 1979-05-29 1980-12-13 Hitachi Ltd Additional memory control system
JPS56101685A (en) * 1980-01-11 1981-08-14 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory device
DE3032630C2 (de) * 1980-08-29 1983-12-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterspeicher aus Speicherbausteinen mit redundanten Speicherbereichen und Verfahren zu dessen Betrieb
US4759020A (en) * 1985-09-25 1988-07-19 Unisys Corporation Self-healing bubble memories
GB2184268B (en) * 1985-12-13 1989-11-22 Anamartic Ltd Fault tolerant memory system
KR20090090160A (ko) * 2008-02-20 2009-08-25 삼성전자주식회사 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치 및 그 동작방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3659275A (en) * 1970-06-08 1972-04-25 Cogar Corp Memory correction redundancy system
US3753244A (en) * 1971-08-18 1973-08-14 Ibm Yield enhancement redundancy technique
JPS5427693B2 (de) * 1971-10-30 1979-09-11
GB1371597A (en) * 1972-05-01 1974-10-23 Ibm Bubble domain memory system
US3792450A (en) * 1972-05-08 1974-02-12 Singer Co System for overcoming faults in magnetic anisotropic material
US3990058A (en) 1974-08-22 1976-11-02 Rockwell International Corporation Multiple loop shift register having redundancy
JPS5816264B2 (ja) * 1974-12-09 1983-03-30 株式会社日立製作所 ジキバブルメモリソウチ

Also Published As

Publication number Publication date
GB1551134A (en) 1979-08-22
JPS5234639A (en) 1977-03-16
JPS578546B2 (de) 1982-02-17
US4070651A (en) 1978-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2703578C2 (de) Videodatenspeicher
DE2614000C2 (de) Diagnoseeinrichtung zur Prüfung von Funktionseinheiten
DE2442191C2 (de) Verfahren zur Fehlerortsbestimmung in einem Arbeitsspeicher und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE69132284T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE2061854C3 (de) Speicher aus Schieberegistern
DE2828698C2 (de) Monolithische integrierte Schaltungsvorrichtung mit einem Speicher
DE2630950A1 (de) Magnetblasenspeicheranordnung
DE19941196A1 (de) Zweikanal-FIFO mit synchronisierten Lese- und Schreibzeigern
DE10207312A1 (de) Ferroelektrische nichtflüchtige Logikelemente
DE3015992A1 (de) Programmierbare logische anordnung
DE2007787A1 (de) Datenspeichersystem
CH627580A5 (de) Austauschanordnung zur bereitstellung von austauschadressen fuer den betrieb eines pufferspeichers in einer speicherhierarchie.
DE2322754A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum identifizieren und ausscheiden bzw. ausschalten fehlerbehafteter abschnitte von informationsspeicheranlagen
DE2212873A1 (de) Aus Schieberegistern aufgebaute Speichereinrichtung
DE2356260A1 (de) Dynamisch doppelt geordneter schieberegisterspeicher und verfahren zum betrieb des speichers
DE2531382B2 (de) Digitaler Matrixspeicher aus Feldeffekt-Transistoren
DE2508087A1 (de) Magnetblasenspeicher
DE2804695A1 (de) Magnetblasenspeicheranordnung
DE1774943C3 (de) Dateneingabeeinrichtung. Ausscheidung aus: 1474025
DE2717989C2 (de) Verfahren zum Lesen einer Bitfolge und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE1948142B2 (de) Adressiereinrichtung für einen bewegbaren Speicher, insbesondere Speicherplatte
DE69126514T2 (de) Serieller Speicher
DE2817559A1 (de) Steueranordnung fuer eine speichervorrichtung
DE3789928T2 (de) "Fifo"-Schieberegister mit direkter Dateneingabe.
DE2944191A1 (de) System mit wortsynchronisation fuer eine serielle signalfolge

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: PRINZ, E., DIPL.-ING. LEISER, G., DIPL.-ING., PAT.

8131 Rejection