DE2625763A1 - Verfahren zum pruefen von speicherchips fuer magnetische einzelwanddomaenen - Google Patents

Description

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Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: AT 974 006

Verfahren zum Prüfen von Speicherchips für magnetische Einzelwanddomänen

Die Erfindung betrifft eine Anordnung wie sie dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist.

Vollständige magnetische Einzelwanddomänensysteme einschließlich Lese-Schreib- und Speicherfunktionen sind in der USA-Patentschrift 3 701 224 beschrieben. Im folgenden soll mit magnetischem Chip eine Anordnung beschrieben sein, die aus einem magnetischen Einzelwanddomänenmedium besteht, das in der Lage ist, hierin magnetische Einzelwanddomänen aufzubewahren und zu verarbeiten sowie hierzu mit einer magnetischen Schaltung zur Durchführung der Routinefunktionen wie z.B. Lesen, Schreiben und Speichern, ausgestattet ist. Die magnetische Schaltung selbst wird dabei aus Weiterleitungspfaden für magnetische Einzelwanddomänen gebildet, wie sie z.B. durch elektrische Leiterschleifen und/oder weichmagnetische Streifenauflagen auf dem magnetischen Medium in entsprechender Anordnung zum Zusammenwirken mit sich in Schichtebene des magnetischen Mediums drehenden und in dessen Richtung gerichteten Magnetfeldes aufgebracht sind.

Aufgrund von theoretischen Überlegungen läßt sich nachweisen, daß bei Herstellung von Speicherchips für Einzelwanddomänen-Bitkapazitäten größer als 10 Bits die Ausbeute an einwandfreien Chips anfängt, rapide abzusinken. Infolgedessen könnte eine Lösung, die es gestattet, ein magnetisches Chip mit geringer Anzahl von Fehlfunktionen einer Selbstheilung zu unterwerfen, um einsatzbereit zu sein, von beachtlichem Wert sein. An anderer Stelle wird ein magne-

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tisches Exnzelwanddomänensystem mit entsprechender Redundanz empfohlen bzw. vorgeschlagen. Hierbei ist aber nicht von selbstreparierenden Maßnahmen die Rede.

In der USA-Patentschrift 3 792 450 besteht die beschriebene Struktur aus einem magnetischen Einzelwanddomänenchip unter Verwendung von Haupt- und Nebenschleifenspeichern. Defekte Nebenspeicherschleifen werden ermittelt, wenn überhaupt keine magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen zum Vorschein kommen, die ihrerseits dazu dienen, ein Programm auf einer besonderen Schleife zu bilden. Dieses Programm wird dann verwendet, um festzulegen, welche Nebenspeicherschleifen benutzt werden können. Ein beträchtlicher Aufwand an Struktur- und Steuermaßnahmen sowie eine besondere Speicherschleife sind hierzu erforderlich. Darüberhinaus ist die Eingabe von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in defekte Speicherschleifen andererseits nicht blockiert. Existiert ein Fehler im Programm, dann werden die gespeicherten Daten überhaupt wertlos.

Die Aufgabe der Erfindung besteht dementsprechend darin, dynamische Testverfahren zur Bereitstellung fehler-tolerierender Magnetdomänenchips anzugeben, indem zur Durchführung der erforderlichen Operationen einschließlich der Selbstheilung jeweils nur eine äußerst kurze Zeitdauer erforderlich ist.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst, wie es im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegeben ist. Gemäß der Erfindung erfolgt die Prüfung aller Speicherschleifen eines langen, seriellen, Magneteinzelwanddomänenchips zur Fehlerentdeckung, indem zunächst aufeinanderfolgend magnetische Einzelwanddomänen erzeugt werden. Dabei sind ReparaturStationen jeweils am Eingang und Ausgang der Speicherschleifen vorgesehen. Die sequentiell erzeugten magnetischen Einzelwanddomänen werden anschließend jeweils in eine Reparaturstation geladen, um Kurzschlußpfade zwischen den Speicherschleifen bereitzustellen. Dann werden erneut magnetische Einzelwanddomänen aufeinanderfolgend erzeugt und in Nachbarschaft jeder Reparaturstation in Warteposition gebracht. Hierauf werden die ma-

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gnetischen Einzelwanddomänen in den Reparaturstationen hieraus parallel herausgeschoben und längs der Speicherschleifen weitergeleitet. Sowie die magnetischen Einzelwanddomänen aus den Reparaturstationen herausgeschoben werden, werden die in Warteposition befindlichen magnetischen Einzelwanddomänen parallel in die Reparaturstationen eingegeben. Die magnetischen Einzelwanddomänen in den Speicherschleifen werden solange weitergeleitet, bis sie nach Austritt wieder auf Reparaturstationen treffen. Da zu diesem Zeitpunkt aber die Reparaturstationen erneut magnetische Einzelwanddomänen enthalten, wird eine Weiterleitung der magnetischen Einzelwanddomänen über eine jeweils unmittelbar folgende Speicherschleife blockiert. Damit werden aber dann diese magnetischen Einzelwanddomänen zwangsläufig über die oben genannten Kurzschlußpfade weitergeleitet, die jeweils den Eingang und Ausgang der Speicherschleifen überbrücken, um nach Durchlaufen der Speicherchips gelesen bzw. abgefühlt zu werden. Ist eine der Speicherschleifen fehlerhaft, dann führt dies so zu einer Leerstelle im ausgelesenen Domänenmuster, die bei dieser Gelegenheit erfaßt wird. Die hiermit bereitgestellte Aufeinanderfolge von magnetischen Einzelwanddomänen und Leerstellen ergibt erfindungsgemäß die Grundlage für ein Reparatur-Domänenmuster zur Heilung des betreffenden Magneteinzelwanddomänenchips. Das Reparatur-Domänenmuster stellt dabei ein logisches Komplement der ausgelesenen Domänen-Leerstellen-Folge dar. Das Reparatur-Domänenmuster wird aufeinanderfolgend erzeugt und ordnungsgemäß in Bereitstellung bei den Wartepositionen neben den Reparaturstationen positioniert. Anschließend werden dann die bereits in den Reparaturstationen befindlichen Magneteinzelwanddomänen parallel zur Weiterleitung längs der Speicherschleifen ausgegeben, um darauf dann das Reparatur-Domänenmuster aus den Wartepositionen parallel in die Reparaturstationen zu laden.

Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung lassen sich den Unteransprüchen entnehmen.

Die Erfindung wird nun anhand einer Ausführungsbeispielsbeschreibung mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher

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erläutert.

Es zeigen:
Fig. 1

eine schematische Darstellung eines Speicher-Magnetdomänenchips mit dem Blockschaltbild der zugehörigen Steuerschaltungen

Fig. 4

eine magnetische Schaltung eines Speicherchips

eine magnetische Schaltung der ReparaturStationen, die jeweils mit einer Magneteinzelwanddomäne geladen sind

eine magnetische Schaltung der ReparaturStationen mit einem Reparatur-Domänenmuster in Warteposition, das in die ReparaturStationen geladen werden soll

Fig. 5

eine magnetische Schaltung der Reparaturstationen mit Andeutung der Parallelausgabe hierin enthaltener Magneteinzelwanddomänen

Fig. 6

die magnetische Schaltung der ReparaturStationen mit Andeutung des Parallelladens des Reparatur-Domänenmusters in diese ReparaturStationen.

Das in Fig. 1 gezeigte Magneteinzelwanddomänenchxp besteht aus dem magnetischen Medium 10, worin die Magneteinzelwanddomänen enthalten sind und weitergeleitet werden können. Das magnetische Medium 10 kann aus einem Material bekannter Art bestehen, wie z.B. aus Granat oder aus einer geeigneten amorphen Substanz. Eine Anzahl von Magneteinzelwanddomänenspeicherpositionen ist vorgesehen, die mit den verschiedenen Speicherschleifen 1, 2, 3, ... 69 eines langen Schieberegisters 12 zusammenfallen. Die magnetische Schaltung des Schieberegisters ist durch die stark ausgezogenen, mit Pfeilen versehenen Linien angedeutet. Wie bekannt, bestehen AT 974 006

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die Strukturen für die magnetische Schaltung, die auf dem magnetischen Medium 10 angebracht ist, aus weichmagnetischen Streifen oder Bereichen ebensogut wie aus ionenimplantierten Zonen im magnetischen Medium 10 selbst, wenn von entsprechend angeordneten elektrischen Leiterschleifen abgesehen wird. Zur Durchführung der Erfindung jedenfalls läßt sich jede Art von magnetischer Schaltung zur Weiterleitung und Speicherung der Magneteinzelwanddomänen im Magnetmedium 10 verwenden.

Die Schreibmittel zur Bereitstellung von Magneteinzelwanddomänen im Magnetmedium 10 bestehen jeweils aus einem Magneteinzelwanddomänengenerator 14 und der Eingabe/Ausgabe-Steuerung 16. Die Eingabe/Ausgabesteuerung 16 besteht aus einer Stromquelle und einer stromführenden Schleife 18, die die magnetische Leitung der Magneteinzelwanddomänen vom Magneteinzelwanddomänengenerator 14 zum Schieberegister 12 überkreuzt. Die Eingabe/Ausgabesteuerung 16 liefert Stromimpulse in die Leiterschleife 18, so daß beim jeweiligen Auftreten eines Stromimpulses die vom Magneteinzelwanddomänengenerator 14 erzeugten Magneteinzelwanddomänen zusammenbrechen müssen. Auf diese Weise läßt sich ein Muster von Magneteinzelwanddomänen gemischt mit Leerstellen erzeugen, das dazu dienen kann, im Schieberegister 12 Information in binärer Darstellung zu speichern. Wie an sich bekannt, läßt sich jede Art von Einzelwanddomänencodierung anwenden, wobei der Magneteinzelwanddomänengenerator 14 auch dazu verwendet werden kann, Magneteinzelwanddomänen mit jeweils unterschiedlichen Eigenschaften zur Informationsdarstellung zu erzeugen.

Lesemittel 20 werden benutzt, um die im Schieberegister 12 enthaltenen Magneteinzelwanddomänen zu erfassen. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel bestehen die Lesemittel 20 aus einem magnetoresistiven Abfühlelement, wie es in der USA-Patentschrift 3 691 540 beschrieben ist. Anstatt des magnetoresistiven Abfühlverfahrens läßt sich auch jede weitere Magneteinzelwanddomänenabfühlungsart für den vorliegenden Zweck ausnutzen.

Das Schieberegister 12 enthält, wie gesagt, eine größere Anzahl AT 974 006

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von Speicherschleifen, nämlich 1, 2, 3, ..., 69, von denen fünf an sich überzählig sind. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel benötigt das Schieberegister zur Durchführung seiner eigentlichen Funktion nur 64 Speicherschleifen und ist somit in der Lage, mehr als 32 k Bits zu speichern.

Den Speicherschleifen des Schieberegisters 12 ist jeweils eine Struktur zur Umlenkung der Magneteinzelwanddomänen zugeordnet, wenn eine Fehlerstelle in irgendeiner der Schieberegisterschleifen auftritt. Die Domänenumlenkungsstruktur besteht aus einer magnetischen Schaltungsverzweigung und einem Magnetschalter zum Bereitstellen des vorgegebenen Pfades für die jeweilige Weiterleitung der Magneteinzelwanddomänen. Mit anderen Worten, Magneteinzelwanddomänen, die auf eine derartige Verzweigung gelangen, können je nach Einstellung der Schaltsteuerung einen der beiden Weiterleitungspfade einschlagen.

Diese Verzweigungen mit den Magnetschaltern am Eingang jeder Schieberegisterschleife sind mit S1, S2, S3, S4, ..., S69 bezeichnet.

Die Steuermittel zur Auswahl des Weiterleitungspfades der Magneteinzelwanddomänen über die Verzweigungen S1, S2,... enthalten weiterhin Mittel zum Anhalten einer Magneteinzelwanddomäne, die an der stromführenden Leitung 22 liegen. Die stromführende Leitung 22 ist an die übertragungsleitungs-Stromquelle 24 angeschlossen und die Domänenanhaltemittel sind als Scheiben D1, D2, D3, D4,...,D69 dargestellt und können aus weichmagnetischem Material, wie z.B. Permalloy, bestehen. Wenn eine Magneteinzelwanddomäne, die längs des Pfades eines Schieberegisters entlangläuft, in die Nachbarschaft der übertragungsleitung 22 gerät, dann hat das Auftreten eines Stromimpulses in dieser übertragungsleitung 22 zur Folge, daß sich die Magneteinzelwanddomäne auf die jeweils zugehörige weichmagnetische Scheibe hin bewegt, wo sie angehalten wird und für die folgenden Weiterleitungszyklen auch verbleibt. Das Auftreten oder Fehlen einer solchen jeweils eingefangenen Magneteinzelwanddomäne bestimmt dann den jeweiligen Weiterleitungs-

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pfad anschließend übertragener Magneteinzelwanddomänen über die verschiedenen Magnetschalter S1, S2, ...

Eine Vormagnetisierungsfeldquelle 26 stellt ein Stützfeld H bereit, das in Richtung der Normalen der Magnetmediumsebene 10 einwirkt. Die Vormagnetisierungsfeldquelle 26 ist in an sich bekannter Weise aufgebaut und besteht z.B. aus stromführenden Spulen und/oder Permanentmagnetanordnungen, die dem Magnetmedium 10 zugeordnet sind. Eine Weiterleitungsmagnetfeldquelle 26 liefert Treibermagnetpulse, die zur Weiterleitung der Magneteinzelwand- . domänen längs des Schieberegisters 12 und zur Erzeugung von Magneteinzelwanddomänen dienen. Wird für die magnetische Schaltung ein Muster aus weichmagnetischen Streifen verwendet, dann stellt die Weiterleitungsmagnetfeldquelle 28 ein sich in der Ebene des Magnetmediums 10 drehendes Magnetfeld H bereit. Ebenfalls läßt sich jede Art von Weiterleitungsmitteln zur Verschiebung von Magneteinzelwanddomänen im Magnetmedium 10 und zur Magnetdomänenerzeugung für die Zwecke der Erfindung anwenden.

Steuermittel 30 liefern Steuersignale auf die Eingangs/Ausgangssteuerschaltung 16, die Lesemittelsteuerung 20, die Obertragungsleitungs-Stromquelle 24 und die Weiterleitungs-Magnetfeldquelle 28. Die Steuermittel 30 dienen dazu, den Betrieb des Magneteinzelwanddomänenchips zu synchronisieren und sowohl Diagnose als auch Selbstheilung eines jeweiligen Einzelwanddomänenmagnetchips zu überwachen.

Unter normalen Voraussetzungen können die vom Magneteinzelwanddomänengenerator 14 erzeugten Magneteinzelwanddomänen unter Steuerung der Eingabe/Ausgabesteuerung 16 zum Zusammenbruch gebracht werden oder nicht, so daß sich hiermit eine Serie eines codierten Magneteinzelwanddomänenmusters in das Schieberegister 12 eingeben läßt. Diese Magneteinzelwanddomänen zirkulieren dann durch das Schieberegister hindurch und wieder auf den Eingang zurück und lassen sich dabei durch die Lesemittel 20 erfassen. Unter normalen Bedingungen, wenn keine Magneteinzelwanddomänen auf den

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weichmagnetischen Scheiben D1, D2, D3, D4,...,D69 eingefangen sind, werden diese Magneteinzelwanddomänen im Schieberegister 12 einfach an diesen weichmagnetischen Scheiben vorrübergeleitet. Magneteinzelwanddomänen, die in die Verzweigungen mit Schaltern S1, S2, S3, S4_#..._rS69 gelangen, verlassen diese Schalter, indem sie den stark ausgezogenen Linien folgen, die die Weiterleitungspfade des Schieberegisters 12 darstellen.

Wird jedoch ein "Vorwärts"-Stromimpuls auf die übertragungsleitung 22 übertragen, dann werden Magneteinzelwanddomänen, die sich jeweils in einer Schaltverzweigung befinden, auf die jeweils zugeordneten weichmagnetischen Scheiben verschoben. Ist so z.B. eine Magneteinzelwanddomäne in der Schaltverzweigung S1, dann läßt ein Stromimpuls in der übertragungsleitung 22 ein Magnetfeld entstehen, das dann diese Magneteinzelwanddomäne auf die weichmagnetische Scheibe D1 drängt. Diese Magneteinzelwanddomäne wird dann dort für weitere Zyklen der Weiterleitungsmagnetfelddrehung festgehalten. Jede weichmagnetische Scheibe D1, D2, D3, D4,...,D69 stellt dabei also eine Reparaturstation dar und soll von nun an auch so bezeichnet werden. Die Wirkung einer in einer solchen Reparaturstation eingefangenen Magneteinzelwanddomäne besteht darin, nachfolgend eintreffende Magneteinzelwanddomäne über eine andere als die normale Schaltverzweigung zu übertragen. So hat z.B. eine in der Reparaturstation D1 eingefangene Magneteinzelwanddomäne die Wirkung, daß alle nachfolgend auf die Schaltverzweigung S1 eintreffenden Magneteinzelwanddomänen nicht über die zugeordnete Speicherschleife 1, sondern über einen durch eine gestrichelte Linie A1 dargestellten Kurzschlußpfad an dieser vorbei weitergeleitet werden. Entsprechend besitzen auch die anderen Speicherschleifen 2, 3, ..., 69 des Schieberegisters 12 jeweils einen Kurzschlußpfad A2, A3, A4,...,A69. Für alle diese Schaltverzweigungen und Reparaturstationen ist jedoch nur eine übertragungsleitung 22 vorgesehen. Ganz allgemein wird hierüber ein "Vorwärts"- oder "Rückwärts"-Stromimpuls nur dann übertragen, wenn das Magneteinzelwanddomänenchip geprüft und repariert werden soll. Eine Stromimpulserregung unterbleibt völlig und ist in der übertragungsleitung

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22 auch nicht erforderlich, wenn das Magneteinzelwanddomänenchip für den vorgesehenen Zweck betrieben wird, also in seinem Betriebszustand.

Hier sollte betont werden, daß die Umschaltung der Weiterleitungspfade mit Hilfe stromführender Schaltmaßnahmen erfolgen kann, die Magneteinzelwanddomänen in die jeweils vorgesehenen Weiterleitungspfade zu übertragen veranlassen und zwar . abhängig davon, ob ein Fehler oder eine Fehlstelle in der jeweils zugeordneten Speicherschleife existiert oder nicht. Jedoch hat die erfindungsgemäße Verwendung einer eingefangenen Magneteinzelwanddomäne zur Steuerung bzw. Umschaltung der Weiterleitungspfade den großen Vorzug, daß bei dieser Betriebsweise eine minimale Verlustleistung auftritt, wobei außerdem minimaler Zeitgebungsaufwand und überhaupt keine zusätzlichen äußeren Steuermaßnahmen zur Einwirkung auf das Magneteinzelwanddomänenchip erforderlich sind. Die jeweils in einer Reparaturstation eingefangene Magneteinzelwanddomäne wird entsprechend der Drehung des sich in der Schichtebene des Magnetmediums 10 drehenden magnetischen Weiterleitungsfeldes rund um die jeweilige weichmagnetische Scheibe, z.B. D1, herumgeführt, so daß die angestrebte Umschaltoperation hierdurch automatisch mit dem angelegten magnetischen Weiterleitungsfeld synchronisiert ist. Aus diesem Grunde sind auch überhaupt keine zusätzlichen Stromimpulse in der übertragungsleitung 22 während des jeweiligen Betriebes des Magnetexnzelwanddomänenchips erforderlich.

Nunsoll der Ablauf der Diagnose zur Feststellung von Fehlern auf einem Magneteinzelwanddomänenchip näher betrachtet werden. Zur Veranschaulichung sei angenommen, daß ein fehlerfreies Magneteinzelwanddomänenchip ein Schieberegister 12 mit etwas mehr als 32 k besitzen soll. Das Schieberegister 12 enthält hierzu 64 Speicherschleifen, wovon jede 500 Bits lang ist, wobei dann die peripheren Pfade d und e noch hinzuzurechnen sind. Die Anzahl der Bitpositionen in der Verbindung vom Magneteinzelwanddomänengenerator 14 zum Verzweigungsschalter S1 entspricht dabei d, wohingegen die Anzahl der Bitpositionen in der Verbindung zwischen Endspeicherschleife und zurück zum Eingang des Schieberegisters der Anzahl e

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entspricht.

Zunächst erzeugt der Magneteinzelwanddomänengenerator 14 ein Muster bzw. eine Kette von Magneteinzelwanddomänen. Das sich in Schichtebene drehende magnetische Weiterleitungsfeld H setzt ein und wird während des Betriebes aufrechterhalten. Die erste Magneteinzelwanddomäne bewegt sich zur Schaltverzweigung S1. Zu diesem Zeitpunkt erzeugt dann ein Stromimpuls auf der übertragungsleitung 22 einen magnetischen Feldgradienten, der veranlaßt, daß die erste Magneteinzelwanddomäne sich nunmehr auf die Reparaturstation D1 zu bewegt, wo sie dann durch die weichmagnetische Scheibe eingefangen und dort festgehalten wird. Dies hat aber dann zur Folge, daß die zweite eintreffende Magneteinzelwanddomäne an der Speicherschleife 1 vorbei über den Kurzschlußpfad bzw. die Alternatiwerzweigung A1 übertragen wird. Die zweite Magneteinzelwanddomäne gelangt so zur Schaltverzweigung S2. Hier wird dann wiederum ein Stromimpuls auf der übertragungsleitung 22 wirksam, der veranlaßt, daß die zweite Magneteinzelwanddomäne sich auf die Reparaturstation D2 hin bewegt und dort von der weichmagnetischen Scheibe eingefangen und festgehalten wird. Infolgedessen wird eine zugeführte dritte magnetische Einzelwanddomäne über den Kurzschlußpfad A1 und außerdem noch über den Kurzschlußpfad A2 jeweils als Alternativpfad übertragen. Entsprechend dem Vorhergehenden gelangt dann die dritte Magneteinzelwanddomäne auf die Schaltverzweigung S3. Ein zu diesem Zeitpunkt dann auf übertragungsleitung 22 zugeführter Stromimpuls verursacht, daß auch die dritte Magneteinzelwanddomäne in einer Reparaturstation eingefangen und festgehalten wird, nämlich in der Reparaturstation D3. Diese Operation läßt sich fortsetzen, bis alle Reparatur Stationen aufeinanderfolgend mit magnetischen Einzelwanddomänen besetzt sind.

Der nächste Teil des Test- oder Diganosebetriebes besteht in der erneuten Erzeugung einer Magneteinzelwanddomänenkette. Ist jede Reparaturstation mit einer Magneteinzelwanddomäne besetzt, dann wird zwangsläufig die neuerdings erzeugte Magneteinzelwanddomänenkette aufeinanderfolgend längs der hintereinandergesehalteten

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Kurzschlußpfade weitergeleitet. Wird so eine jeweilige Magneteinzelwanddomäne bis auf eine Position, nämlich Warteposition, bewegt, die sich um einen Weiterleitungszyklus (gerechnet in der Weiterleitungsmagnetfelddrehung) vom jeweiligen Eingang einer der Schaltverzweigungen S1, S2, S3, S4,...,S69 entfernt befindet, und wird nun ein Stromimpuls auf die übertragungsleitung 22 gegeben, dann ist die Folge davon, daß die in den Reparaturstationen D1, D2, D3, D4,...,D69 eingefangenen und festgehaltenen Magneteinzelwanddomänen nunmehr auf die jeweils zugeordneten Speicherschleifen gelangen, um dort weitergeleitet zu werden. Beim nächsten Weiterleitungsmagnetfeldzyklus wird zusätzlich ein "Vorwärts"-Impuls auf die übertragungsleitung 22 übertragen. Damit können dann die jeweils vor einem Eingang zu den Schaltverzweigungen in Wartestellung befindlichen Magneteinzelwanddomänen über die Schaltverzweigungen auf die jeweiligen Reparaturstationen gelangen, um dort von den weichmagnetischen Scheiben eingefangen und festgehalten zu werden. Zu diesem Zeitpunkt bewegt sich also eine Magneteinzelwanddomäne in jeder Speicherschleife, und jede Reparaturstation weist eine Magneteinζelwanddomäne auf. Das heißt aber, daß z.B. die sich in der Speicherschleife 1 bewegende Magneteinzelwanddomäne schließlich auf den Eingang der Schaltverzweigung S2 gelangt. Da nun aber die Reparaturstation D2 bereits eine Magneteinzelwanddomäne aufweist, wird die aus der Speicherschleife 1 austretende Magneteinzelwanddomäne dem Kurzschlußpfad A2 folgen. Zusammenfassend bedeutet das, daß die in den Reparaturstationen eingefangenen und festgehaltenen Magneteinzelwanddomänen dazu dienen, die jeweils aus den Speicherschleifen abschließend austretenden Magneteinzelwanddomänen auf die jeweils nachfolgenden Schaltverzweigungen zu übertragen, um hierüber den jeweils zugeordneten Kurzschlußpfaden folgen zu müssen.

Die schließlich am Ende der Speicherschleifen ausgetretenen Magneteinzelwanddomänen bilden dann eine weitere Domänen-Kette, die sich auslesen läßt. Existieren keine Fehler oder Fehlstellen in einer der Speicherschleifen, dann ergibt sich eine Magneteinzelwanddomänenkette, bei der alle Domänenplätze besetzt sind, um so anzuzeigen, daß keine Fehler bzw. Fehlstellen vorhanden sind. Exi-

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stiert jedoch eine Fehlstelle in irgendeiner der Speicherschleifen, dann wird die sich längs dieser Speicherschleife bewegende
Magneteinzelwanddomäne angehalten, so daß entsprechend eine Leerstelle zu demjenigen Zeitpunkt abefühlt wird, an dem eigentlich
eine Magneteinzelwanddomäne erwartet worden ist. Die sich, wie
oben angegeben, nach Durchlaufen aller Speicherschleifen bildende neue Magneteinzelwanddomänenkette, die dann unter Voraussetzung der in diesem Abschnitt angenommenen Gegebenheit eine Leerstelle
enthält, stellt dann die Grundlage zur Reparatur bzw. Heilung des betreffenden Magneteinzelwanddomänenchips dar, indem nämlich einfach diese fehlerhafte Speicherschleife bei Betrieb kurzgeschlossen bleibt.

Zur Reparatur von Chips mit defekten Speicherschleifen wird angenommen, daß zwei Leerstellen entdeckt worden sind, die anzeigen,
daß in den Speicherschleifen 1 und 2 entsprechende Defekte zu verzeichnen sind. Gemäß Fig. 3 sind dabei alle Reparaturstationen mit Magneteinzelwanddomänen besetzt; es wird aber ein aus Domänen und Leerstellen bestehendes Domänen-Reparaturmuster mit Hilfe des Magneteinzelwanddomänengenerators 14 und der Ein-Ausgabesteuerung erzeugt. Dieses Domänen-Reparaturmuster stellt dann ein logisches Komplement des sich gemäß obigen Ausführungen ergebenden, ausgelesenen Domänenmusters dar. Werden nunmehr zur Vereinfachung lediglich die ersten drei Speicherschleifen in Betracht gezogen, dann
ergibt sich, wenn Fehler in den Speicherschleifen 1 und 2 auftreten, daß die am Ende aller Speicherschleifen auftretende Domänenkette die Folge 001 besitzt. Das Reparaturmuster zur Ausschaltung der fehlerhaften Speicherschleifen, die mit Hilfe der Kurzschlußpfade überbrückt werden sollen, muß demgemäß 110 lauten. Dieses
Domänenmuster, bestehend aus zwei Domänen und einer Leerstelle,
wird, wie gesagt, längs der Kurzschlußpfade weitergeleitet, bis
die Leerstelle sich um einen Weiterleitungszyklus entfernt vom
Eingang der Schaltverzweigung S3 befindet, wobei dann die Magnetein ζelwanddomänen jeweils ebenfalls um einen Weiterleitungszyklus entfernt jeweils vor den Eingängen der Schaltverzweigungen S1 und

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S2 angelangt sind. Dies ist in Fig. 4 verdeutlicht. Zu diesem Zeitpunkt wird dann ein "Rückwärts"-Stromimpuls auf die übertragungsleitung 22 gegeben, so daß die in den Reparaturstationen befindlichen Magneteinzelwanddomänen D1, D2 und D3 parallel auf die Speicherschleifen 1,2 und 3 gelangen, um dort weitergeleitet zu werden. Der Vorgang ist in Fig. 5 angedeutet. Beim nächsten Weiterlei tungszyklus wird ein Stromimpuls auf die übertragungsleitung 22 gegegeben, so daß das Reparaturdomänenmuster parallel in die Reparaturstationen geladen wird." D.h. ,die sich jeweils vor den Eingängen der Schaltverzweigungen S1 und S2 befindenden Magnetein2elwarid-^ domänen werden hierbei auf die weichmagnetischeji Scheiben D1 und D2, wie J.n Fig. 6 angedeutet, bewegt, um dort eingefangen und festgehalten zu werden. Dies hat dann zur Folge, wie oben gezeigt, daß die Speicherschleifen 1 und 2 hinfort kurzgeschlossen bleiben. Anschließend erzeugte Magneteinzelwanddomänen werden damit an den Speicherschleifen 1 und 2 vorbeigeleitet.

Die sich längs der anderen Speicherschleifen weiterbewegenden Magneteinzelwanddomänen werden nun in einer Klärungsoperation aus diesen Speicherschleifen entnommen und gänzlich aus dem Schieberegister entfernt, so daß dann das Magnetdomänenspeicherchip repariert und gebrauchsfertig ist. Die Anzahl der zu erstellenden Reparaturen entspricht der Anzahl der Ersatzspeicherschleifen, die im Schieberegister für diese Zwecke vorgesehen sind. Im speziellen Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 dienen 64 Speicherschleifen zur Bildung eines Schieberegisters von 32 k Bits. Dies bedeutet dann, daß fünf Ersatzspeicherschleifen vorgesehen sind. Sind die Speicherschleifen 1 bis 64 fehlerfrei, dann können die letzten fünf Ersatzspeicherschleifen, wie beschrieben, überhaupt kurzgeschlossen werden, gleichgültig ob hier Fehler auftreten oder nicht. D.h., daß dabei jeweils eine Magneteinzelwanddomäne in die Reparaturstationen an den Eingängen dieser Ersatzspeicherschleifen eingesetzt wird, so daß anschließend zugeführte Magneteinzelwanddomänen an diesen Ersatzspeicherschleifen bei übertragung durch das Schieberegister vorbeigelangen können.

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Jede Reparaturoperation zieht eine Verzögerung um zwei zusätzliche Weiterleitungsfeldzyklen nach sich. Das heißt aber, daß die Steuermittel 30 nachhalten müssen, wieviele Reparaturen durchgeführt worden sind. Im beschriebenen speziellen Ausführungsbeispiel bedeuten fünf zulässige Reparaturen eine Vergrößerung des tatsächlichen Schieberegisters um 5 χ 2 Bitpositionen, so daß die endgültige Schieberegisterlänge 32 010 Bits beträgt,unter Hinzurechnung der in den Pfaden d und e befindlichen Bits. Da selbst ein fehlerfreies magneteinzelwanddomänenchip die Erfordernis mit sich bringt, daß die Magneteinζelwänddomänen an den Ersatz-Speicherschleifen vorbeigeleitet werden, besitzen sowohl reparierte Magneteinzelwanddomänenchips als auch fehlerfreie Magneteinzelwanddoraänenchips an sich die gleiche Bitlänge. Bei Normalbetrieb nach Abschluß der Reparaturen ist es nicht erforderlich, daß die Steuermittel 30 oder irgendwelche anderen erforderlichen Reparaturmittel, die nicht im Magneteinzelwanddomänenchip selbst untergebracht sind, Kenntnis vom hierin gespeicherten Reparaturdomänenmuster erlangen oder besitzen.

Die erfindungsgemäße Operation am Magneteinzelwanddomänenchip ist auch direkt anwendbar auf zusätzliche zu einem späteren Zeitpunkt vorzunehmende Reparaturen. Im veranschaulichten Ausführungsbeispiel sei hierzu angenommen, daß das Magneteinzelwanddomänenchip ursprünglich drei reparierte Fehler aufgewiesen hat. Das bedeutet, daß zwei an sich gute Ersatzspeicherschleifen aufgrund der anfänglichen Diagnose und dem dadurch bedingten Reparaturvorgang kurzgeschlossen worden sind. Wird nun angenommen, daß sich eine vierte Fehlstelle bzw. ein vierter Fehler im Magneteinzelwanddomänenchip später einschleicht, dann muß zur Reparatur dieses Fehlers das Magneteinzelwanddomänenchip durch ein starkes Magnetfeld senkrecht zur Schichtebene des Magnetmediums 10 zunächst in die Sättigung getrieben werden; eine Maßnahme, die mit Hilfe der Vormagnetisierungsfelds teuermittel 26 ohne weiteres durchgeführt werden kann, Dies hat dann zur Folge, daß alle im Magneteinzelwanddomänenchip befindlichen Magneteinzelwanddomänen zum Zusammenbruch gebracht

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werden, einschließlich derjenigen, die vorher in die einzelnen Repar.aturstationen eingegeben sind.. Dann werden Diagnose und Reparaturoperationen, wie vorher beschrieben, wiederholt. Als Ergebnis zeigt sich dann ein betriebsbereites Magneteinzelwanddomänenchip mit darin enthaltenen vier reparierten Speicherschleifen und noch einer guten Ersatzspeicherschleife, die kurzgeschlossen ist.

Die Diagnose- und Reparaturoperation lassen sich leicht automatisch unter Steuerung einer „Rechenanlage vornehmen. Das Resultat dieses abschließenden Herstellungsverfahrensschrittes e~rgib4^dann^ β1η__^-— Magneteinzelwanddomänenchip, das bei Vorliegen einer endlichen Fehleranzahl in ein voll brauchbares Magneteinzelwanddomänenchip umgewandelt worden ist. Dies wiederum hat zur Folge, daß sich bei Anwendung der Erfindung ein beträchtliches Ausmaß der Ausbeute an brauchbaren Magneteinzelwanddomänenchips äußerst großer Speicherkapazität ergibt, mit anderen Worten, der Ausschuß bei Herstellung klein gehalten werden kann.

Zurückkommend auf Fig. 2, bei der die Strukturelemente der magnetischen Schaltung im einzelnen gezeigt sind, ist darauf hinzuweisen, daß sich auch hierauf die Prinzipien der Erfindung in vorteilhafter Weise anwenden lassen. Im einzelnen ist hier der Magneteinzelwanddomänengenerator 14 zusammen mit seiner Eingabe/Ausgabesteuerleitung 18 gezeigt. Als Ablesemittel 20 dient hierbei das magnetoresistive Abfühlelement 44, das an eine Stromquelle angeschlossen ist, um zum Zeitpunkt der Abfühlung von Magneteinzelwanddomänen einen Strom hierüber zu übertragen. Dies führt bei Erfassung einer Magneteinzelwanddomäne zu einem Ausgangsspannungssignal V₀, das einer Auswerte- bzw. Anzeigeeinheit 48 zugeführt wird. Zum Auswerten dieses Ausgangsspannungssignals läßt sich als Einheit 48 auch ein Rechner anschließen. Wie aus Fig. 2 ersichtlich, führt jede Reparaturoperation zu einer Verzögerung um zwei zusätzliche Weiterleitungsmagnetfeldzyklen.

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Nach Kurzschließen einer jeweils defekten Speicherschleife werden alle hierauf von den Schreibmitteln erzeugte Magneteinzelwanddomänen codiert und dem Schieberegister 12 zugeführt. Dies stellt nunmehr ein brauchbares Operationsregister dar, so daß weiterhin keine Stromimpulse mehr auf der übertragungsleitung 22 auftreten dürfen.

Mit oben stehenden Ausführungen ist eine Technik beschrieben, die Magneteinzelwanddomänenverfahren anwendet, um eine Diagnose von Fehlern bzw. Fehlstellen durchzuführen und auf Grund dessen Reparaturen auf einem Magneteinzelwanddomänenchip selbsttätig durchzuführen. Die Defekte können dabei unterschiedlicher Art sein, einschließlich von Fehlern im magnetischen Material, das zur Aufbewahrung der Magneteinzelwanddomänen dient und Fehlern in der magnetischen Schaltung. Diese Reparaturen lassen sich noch durchführen, wenn das Magnetchip bereits für seinen Normalbetrieb eingebaut ist. Der einzige zusätzliche Kontakt mit der Außenwelt besteht in einem einzelnen Paar von Anschlüssen zu einer übertragungsleitung. Dementsprechend ist es nicht erforderlich, Zugang zum Einzelwanddomänenchip mit Hilfe eines Laserstrahls oder eines anders gearteten selektiv einwirkenden Ätzmittels zu schaffen. Diagnose und Reparatur lassen sich wie gesagt automatisch unter Steuerung einer Rechenanlage durchführen. Infolgedessen wird bei Anwendung der Er-; findung ein Magneteinzelwanddomänenchip in vorteilhafter Weise beim !Vorhandensein einer endlichen Fehleranzahl in ein voll einsatzbe- !

jreites Magneteinzelwanddomänenchip umgewandelt, und zwar so, als : wenn überhaupt keine Fehler hierin aufgetreten wären. Damit läßt !Sich bei Herstellung die Ausbeute beträchtlich erhöhen und der Ausschuß entsprechend herabdrücken.

Zusätzlich besteht für das Magneteinzelwanddomänenchip Dank der Erfindung noch die Möglichkeit einer später vorzunehmenden Reparatur, wenn sich weiterhin bei Betrieb Fehler bzw. Fehlstellen einstellen sollten. Das bedeutet aber, daß Dank der Erfindung die Wirtschaftlichkeit bei Herstellung von Magneteinzelwanddomänenchips gegenüber bisher wesentlich gesteigert werden kann. at 974 ooa 609884/!008 . .-:

Weiterhin besteht noch der Vorteil, daß die Speichermaßnahmen und die magnetische Schaltung für die Magneteinzelwanddomänen gemäß bekannten Ausführungsformen angebracht sein können. Zusätzlich können die Schaltverzweigungen programmierbar ausgelegt sein.

Obgleich die Anordnungen nach den Fign. 1 und 2 aus den oben angegebenen Gründen redundante Schieberegisterschleifen besitzen, versteht es sich, daß außerdem noch ein redundanter Rückkehrpfad vom Ausgang zum Eingang des Schieberegisters für die Magneteinzelwanddomänen vorgesehen sein kann. Das bedeutet, daß eine programmierbare Schaltverzweigung im Zusammenwirken mit einem alternativen Rückkehrpfad zum Rücktransport der Magneteinzelwanddomänen nach Durchlaufen aller Speicherschleifen auf die Speicherschleife 1 vorgesehen werden kann.

Das oben beschriebene Ausführungsbeispiel läßt sich auch mit einer andersartigen magnetischen Schaltung versehen. So können z.B. Fehlerdiagnose und Reparatur an einer Anzahl von besonderen Schieberegistern durchgeführt werden und zwar ebensogut wie am langen Register gemäß Ausführungsbeispiel vorliegender Beschreibung. Während bei einer an anderer Stelle vorgeschlagenen Anordnung zur Diagnose und Reparatur eines fehlerhaften Magneteinzelwanddomänenchips

2 die erforderliche Zeitdauer T₁ hierzu proportional N Lg ist, wird die entsprechende Zeitdauer T- bei Anwendung vorliegender Erfindung proportional zu Lg. So gilt z.B. :

T₁ = Tr[(Nb+2)Dwr+2(N+1)Drr+Dnw+(N²-Nb-1)Lg+Nb(Nb+2)Lb+Nb]

und
T₂ = Tr[3Dwr+2Drr+2Dnw+2Lg+(4N-6)Lb+(N-3)]

Hierin bedeuten:

N = Anzahl der Speicherschleifen

L= die Distanz, die eine Magneteinzelwanddomäne längs einer feh- ' lerfreien Speicherschleife läuft;

so ist z.B. Lg die Distanz, die eine Magneteinzelwanddomäne vom Pfeil am unteren Ende des Pfades A1 über die Schaltver-

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zweigung S2 längs der Speicherschleife 2 zum Pfeil am unteren Ende des Pfades A2 durchläuft.

Dwr = Distanz, die eine Domäne vom Schreiben zum Lesen durchläuft Drr = Distanz vom Lesen zur ersten Reparaturstation d=Dwr+Drr

DnW = Distanz von der letzten Speicherschleife zum Schreiben = e

Lb = Distanz, die eine Domäne längs eines Kurzschlußpfades durchläuft;

z.B. ist Lb die Distanz vom Pfeil an der Unterseite von A2 über S3 zum Pfeil an der Unterseite von A3.

Nb = Anzahl zulässiger fehlerhafter Speicherschleifen Tr = Verschiebe- oder Weiterleitungsrate.

Entsprechend oben stehenden Ausführungen gilt:

Lb = 5OO

Dwr=Drr=DnwLg/2

Lb = 2

N=Lg/4

Nb=N/1T=Lg/44

Tr = TQ psec

dann erhält man:

3 2

T₁ = CO,Q625Lg +Q,24Lg +1,61Lg)Tr, also bei Einsetzen der Werte

etwa: 79 see

T₂ = (7_r75Lg-15}Tr also

etwas
O,O4 see

Es zeigt sich damit, daß durch gleichzeitiges Testen und parallel durchgeführte Reparaturmaßnahmen gemäß vorliegender Erfindung eine wesentliche Herabsetzung der erforderlichen Zeitdauer zu erzielen ist.

Zusammenfassend läßt sich sagen, daß das Testen aller Speicherschleifen eines Magneteinzelwanddomänenchips mit einem langen se-

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riellen Schieberegister zur Feststellung von Fehlern durchgeführt wird, indem zunächst eine Serie von Magneteinzelwanddomänen erzeugt wird. Die Reparaturstationen befinden sich jeweils dem Eingang und dem Ausgang jeder Speicherschleife zugeordnet. Die erzeugten Magneteinzelwanddomänen werden in die Reparaturstationen geladen, so daß Kurzschlußpfade über alle Speicherschleifen gelegt werden. Neue Magneteinzelwanddomänen werden dann wiederum aufeinanderfolgend erzeugt und in Warteposition in den Reparaturstationen jeweils benachbarten Bereichen positioniert. Anschließend werden dann die in den Reparaturstationen enthaltenen Magneteinzelwanddomänen parallel auf die Speicherschleifen ausgegeben und hierin weitergeleitet. Nach Eingabe dieser Magneteinzelwanddomänen in die Speicherschleifen werden neue Magneteinzelwanddomänen parallel in die Reparaturstationen geladen. In den Speicherschleifen werden die Magneteinzelwanddomänen so lange verschoben, bis sie wieder auf Reparaturstationen gelangen. Da dann aber die Reparaturstationen bereits wieder neue Magneteinzelwanddomänen enthalten^ wird die Weiterleitung der Magneteinzelwanddomänen auf eine nach- ^! folgende Speicherschleife blockiert. Das bedeutet aber, daß die- ', se Magneteinzelwanddomänen stattdessen längs der überbrückenden Kurzschlußpfade weitergeleitet und schließlich ausgelesen oder abgefühlt werden. Ist dabei eine der Speicherschleifen defekt, dann tritt im ausgegebenen Domänenmuster eine Leerstelle auf, die sich beim Abfühlen feststellen läßt. Das ausgegebene Domänenmuster enthaltend Domänen und Leerstellen dient nach Auslesen als Grundlage zum Erstellen eines Reparatur-Domänenmusters, das dann zur Reparatur des Magneteinzelwanddomänenchips herangezogen wird. Das Reparaturmuster stellt dabei ein Komplement des ausgelesenen Domänenmusters dar. Das Reparatur-Domänenmuster wird auf-

einanderfolgend erzeugt und zugriffsbereit durch sich jeweils im | Bereich einer Speicherschleife anordnende Magneteinzelwanddomänen ! gehalten. Die Domänen in den Reparaturstationen werden dann wieder+ um parallel auf die Speicherschleifen ausgegeben, um dort weiter- ' geleitet zu werden. Dann wird das Reparatur-Domänenmuster in die Reparaturstationen parallel geladen, um die defekten Speieherschied.

fen kurzzuschließen.

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Claims (10)

1. - 20 PATENTANSPRÜCHE

   (j\j) Verfahren zum Prüfen der Speicherschleifen eines Magneteinzelwanddomänenspeichers auf einem Chip, das bei Betrieb unter Einwirkung eines sich in Schichtebene des Magnetmediums drehenden Weiterleitungsmagnetfeldes zum Transport der magnetischen Einzelwanddomänen steht, so daß die Speicherschleifen aufeinanderfolgend von dem Speichereingang seriell zugeführten, magnetischen Einzelwanddomänen durchlaufen werden, und wobei der Ausgang mit dem Eingang der Speicherschleifen insgesamt rückgekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet,

   daß jedem Speicherschleifeneingang und damit jedem Ausgang der jeweils vorhergehenden Speicherschleife eine Reparaturstation zugeordnet ist, die beim Auftreten einer magnetischen Einzelwanddomäne hierin die jeweils zugeordnete Speicherschleife kurzschließt, so daß nachfolgende magnetische Einzelwanddomänen hieran über weiterhin vorgesehene Speicherschleifenkurzschlußpfade vorbeigeleitet werden, wobei das Verfahren zum Prüfen und Reparieren von Magneteinzelwanddomänenspeicherchips im einzelnen in folgenden Schritten abläuft:

   a) Aufeinanderfolgendes Erzeugen einer Kette von magnetischen Einzelwanddomänen und Weiterleitung dieser Domänenkette durch die Speicheranordnung, bis jeweils eine der Magneteinzelwanddomänen dieser Kette jeweils in einer Reparaturstation eingebracht und dort festgehalten wird, so daß jede Speicherschleife für nachfolgende Magneteinzelwanddomänen kurzgeschlossen ist

   b) Erzeugen einer zweiten Magneteinzelwanddomänenkette und Weiterleitung dieser Kette, bis jeweils eine der in dieser zweiten Kette enthaltenen Magneteinzelwanddomänen um einen Weiterleitungsmagnetfelddrehungszyklus entfernt vor dem Eingang jeder Speicherschleife in Warteposition eingelagert ist,

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   c) übertragen der in den Reparaturstationen enthaltenen Magneteinzelwanddomänen zur Weiterleitung durch die Speicherschleifen

   d) übertragen der in jeweiliger Nachbarschaft der Speicherschleifeneingänge in Warteposition verwahrten Magneteinzelwanddomänen auf die Reparaturstationen zur erneuten Erzeugung von Kurzschlußpfaden

   e) Auslesen der längs der Speicherschleifen weitergeleiteten und am Ausgang des Speichers ausgegebenen Magneteinzelwanddomänen .
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch übertragen der in den ReparaturStationen enthaltenen Magneteinzelwanddomänen aus diesen heraus, um sie dann parallel längs der Speicherschleifen weiterzuleiten.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet,

   daß zur Bereitstellung der Kurzschlußpfade die in unmittelbarer Nachbarschaft des jeweiligen Speicherschleifeneingangs aufbewahrten Magneteinzelwanddomänen parallel in die Reparaturstationen eingegeben werden.
4. 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,

   daß zur Ermittlung fehlerhafter Speicherschleifen beim Auslesen der durch die Speichereinrichtung übertragenen Domänenkette die hierin enthaltenen Domänenfehlstellen dienen.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,

   daß die so ausgelesene, Leerstellen enthaltende Domänenkette zur Bildung einer Reparaturdomänenkette herangezogen wird, deren Muster das binäre Komplement zur ausgelesenen Domänenkette darstellt, indem für jede Leerstelle eine Domäne und für jede Domäne eine Leerstelle eingesetzt wird. 600884/1008
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6. 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,

   daß zur Reparatur eines fehlerhaft ermittelten Magneteinzelwanddomänenspeicherchips ein folgendermaßen durchgeführtes Verfahren dient:

   a) Erzeugen einer Reparaturdomänenkette bestehend aus Einzelwanddomänen und Leerstellen, Eingeben sowie Weiterleiten der Reparaturdomänenkette durch die Speicherschleif eneinrichtung derart, daß die in der Reparaturdomänenkette enthaltenen Magneteinzelwanddomänen in unmittelbare Nachbarschaft der jeweils defekten Speicherschleife in Warteposition eingebracht und dort festgehalten werden, nämlich jeweils um einen WeiterIeitungsmagnetfeldzyklus entfernt hiervon,

   b) übertragen der in den Reparaturstationen enthaltenen zur Bildung der Kurzschlußpfade dienenden Magneteinzelwanddomänen aus diesen heraus zur Weiterleitung längs der jeweils zugeordneten Speicherschleifen

   c) übertragen der in unmittelbarer Nachbarschaft der Speicherschleifeneingänge in Warteposition aufbewahrten Magneteinzelwanddomänen der Reparaturdomänenkette in die den defekten Speicherschleifen jeweils zugeordneten Reparaturstationen, so daß diese defekten Speicherschleifen für nachfolgend eingebrachte Magneteinzelwanddomänen kurzgeschlossen sind.
7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,

   daß die in die Reparaturstationen eingegebenen und aus den Reparaturstationen ausgegebenen Magneteinzelwanddomänen jeweils parallel übertragen werden.
8. 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,

   daß die Magneteinzelwanddomänen der Reparaturdomänenkette parallel auf die Reparaturstationen übertragen werden.

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9. 9.. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,

   daß nach Abschluß des Prüf- und Reparaturvorganges alle Magneteinzelwanddomänen aus dem Magnetspeicherchip ausgegeben werden.
10. 10. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,

    daß jeweils ein redundantes Einzelwanddomänenmagnetspeicherchip gefertigt wird, derart, daß nach Kurzschließen einer vorgegebenen Anzahl von Speicherschleifen, einschließlich der defekten, für den nachträglichen Betrieb jeweils Magneteinzelwanddomänenchips gleicher Speicherschleifenanzahl zur Verfügung stehen.

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