[go: up one dir, main page]

DE2606963A1 - Verfahren zur herstellung einer dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer oxidkeramik bestehendes traegerplaettchen - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer oxidkeramik bestehendes traegerplaettchen

Info

Publication number
DE2606963A1
DE2606963A1 DE19762606963 DE2606963A DE2606963A1 DE 2606963 A1 DE2606963 A1 DE 2606963A1 DE 19762606963 DE19762606963 DE 19762606963 DE 2606963 A DE2606963 A DE 2606963A DE 2606963 A1 DE2606963 A1 DE 2606963A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier plate
silver
conductor tracks
copper
thick
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762606963
Other languages
English (en)
Other versions
DE2606963C3 (de
DE2606963B2 (de
Inventor
Naresh Dipl Phys Chakrabarty
Artur Weitze
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE2606963A priority Critical patent/DE2606963C3/de
Priority to GB316/77A priority patent/GB1508560A/en
Priority to FR7701307A priority patent/FR2341947A1/fr
Priority to JP1802477A priority patent/JPS52110498A/ja
Priority to US05/770,368 priority patent/US4084314A/en
Publication of DE2606963A1 publication Critical patent/DE2606963A1/de
Publication of DE2606963B2 publication Critical patent/DE2606963B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2606963C3 publication Critical patent/DE2606963C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49147Assembling terminal to base
    • Y10T29/49149Assembling terminal to base by metal fusion bonding

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen
Berlin und München VPA 76 P 7017 BRD
Verfahren zur Herstellung einer Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer • ' Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik gebildetes Trägerplättchen, indem man unter Verwendung einer pastenartigen Suspension, bestehend aus einer Silber enthaltenden PuI-
J Vermischung in einem flüssigen Bindemittel, diese im Siebdruckverfahren auf das Trägerplättchen aufbringt, und die so aufgebrachte Schaltung in einem weiteren Verfahrensschritt durch Sintern bzw. Einbrennen mit der Oxidkeramik verfestigt, sowie in einem abschliessenden Verfahrensschritt unter Anwendung eines eutektischen Kupfer-Silberlotes die mit den Leiterbahnen zu verbindenden Anschlusselemente hartlötet.
Gemäss der DT-PS 1 963 286 ist es bekannt, auf Keramiksubstraten ' durch Siebdrucken leitende Strukturen zu .erzeugen. Diese Struktüren sollen einerseits hinsichtlich der vorgegebenen geometrischen Struktur genau aber auch nach erfolgtem Sintern hartlötbar sein. Hierzu verwendet man eine siebdruckfähige Metallpulvermasse mit thixoxroper Eigenschaft. Zur Herstellung der Siebdruckpaste dienen Schwermetall wie z.B. Molybdän- und Mangansilikatpulver mit einer Korngrösse kleiner als 5/um. Derartig erzeugte Strukturen besitzen indessen eine vergleichsweise hohe Sintertemperatur . wobei der Sinterprozess in einer gesteuerten At-. Biosphäre erfolgt. Um das Fliessverhalten des Hartlotes zu verbessern, müssen ausserdem die Leiterbahnen vor dem Hartlöten galvanisch, z.B. mit einer Nickel-Auflage versehen werden. Darüberhinaus ist es erforderlich, die aufgebrachte Nickelschicht einer Difusionsglühung zu unterziehen, um die Haftung der Nickelschicht zu verbessern.
' Gemäss der DT-OS 2 021 362 sind auch Metallisierungsmassen be-
VPA 75 E 7134 b
GiI 17 Kp/5.2.1976 7 09834/0538
.CQPY
ί - ':\ -F-J
kanntj welche neben Alkalisalzen bis zu 95 Gew$ Silber enthalten; sie dienen z.B. zum Erzeugen von auf Glasscheiben aufzubringenden Leiterbahnen. Diese Massen werden ebenfalls durch Siebdrucken auf Glasunterlagen aufgebracht und sodann in einem nachfolgenden Ar-' beitsgang gebrannt. Eine solche Masse besitzt jedoch eine vergleichsweise geringe Bindungsfähigkeit; sie ist auch zum Hartlöten nicht geeignet.
Ferner sind sogenannte aktive Silberlote bekannt, zfB. bestehend aus 96 Ge\f% Ag und 4 Gew% CuO. Diese Lote haben die Eigenschaft, an der Berührungsstelle mit der Oxidkeramik Sub-Oxide zu bilden. Die Haftfestigkeit des Lotes mit dem Trägermaterial ist bedingt durch die Bildung dieser Sub-Oxide sehr hoch. Anwendung finden derartige Lote zum Verbinden von Metallteilen mit aus keramischem
L5 Material gebildeten Bauteilen. Ein derartiges Lot würde sich grundsätzlich auch zum Befestigen von Anschlusselementen mit dem ■ aus einem keramischen Material gebildeten Trägerplättchen eignen. Es ist jedoch nicht möglich, die gedruckten, aus Edelmetallen wie Ag, Pd, Au/Pd, As gebildeten Dickschicht-Leiterbahnen mittels des genannten Lotes mit Anschlusselementen zu versehen. Lot- und Leiterbahnmaterial sind nicht kompatibel. Beim Hartlöten legiert das Leiterbahnmaterial sofort mit dem Lot; die Haftung wird aufgehoben. Umgekehrt ist es aber auch nicht möglich, mit dem genannten Lot auf der Keramik befestigte Anschlusselemente nachträglich mit
Ϊ5 Dickschicht-Leiterbahnen zu kontaktieren, denn die Anschlusselemente und das Lot würden den Sintervorgang der Leiterbahnen nicht überstehen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehenden Nach- ;0 ' teile zu vermeiden und eine Dickschichtschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei welcher einerseits die Leiterbahnen eine hohe Haftfestigkeit mit dem aus einem hoch isolierten Material gebildeten Trägerplättchen aufweisen, aber auch die Verbindungsstelle der Leiterbahnen mit den Anschlusselementen nach erfolgtem Hartlöten eine entsprechend hohe Festigkeit besitzen. Diese Aufgabe wird gemäss der Erfindung dadurch gelöst, dass man zum Siebdrucken der Leiterbahnen eine in Bezug auf die Oxidkeramik reaktive Pulvermischung verwendet, indem man dem Silberpulver
VPA 75 E 7134 b
709834/0538
Kupferoxid beimischt. Vorzugsweise besteht die Pulvermischung aus 92 Gew%Ag und höchstens 8 Gew%, jedoch aus nicht weniger als 4 Gew % CuO; besonders vorteilhaft ist eine Pulvermischung aus 94 Gew% Ag und 6 Gew% CuO.
Durch diese erfinderische Verfahrensweise erhält man eine Dickschichtschaltung, deren Leiterbahnen sowohl eine hohe Haftfestigkeit mit dem Material des Trägerplättchens, als auch mit den Anschlusselementen aufweisen. Die elektrische Leitfähigkeit der so erzeugten Leiterbahnen ist überraschend gut; der quadratische Flächenwiderstand R„ beträgt höchstens 10 Ohm. Die Leiterbahnen v/erden in bekannter Weise durch Siebdrucken auf das Trägerplättchen aufgebracht. Nach dem Trocknen der Schicht, z.B. an Luft oder in einem Trockenofen bei ca. 60°C erfolgt das Sintern in Luft bei ca. 930 bis 935°C. Das Hartlöten geschieht z.B. in einer stickstoff- oder Argonatmosphäre. Zwischen die zu verbindenden Teile werden vorgestanzte dünne Lotbleche, vz.B. bestehend aus einem aus Cu und Ag gebildeten Eutektikum gelegt, deren Lage zueinander mittels einer Vorrichtung gesichert wird. Die Teile werden dann mit einem Temperaturanstieg von 1640C pro Minute auf die Löttemperatur von 8200C aufgeheizt.' Um Spannungen zu vermeiden, wird abschliessend das Substrat langsam, z.B. mit 140C, jedoch nicht schneller als 4O0C pro Minute abgekühlt.
Für einen Ansatz der nach der Erfindung gebildeten Suspension wird zunächst das .Silberpulver mit einer Korngrösse zwischen 1/um bis 10/um mit dem Kupferoxidpulver -mit einer Korngrösse von höchstens 2/um- trocken gemischt. Den Silber- und Kupferoxid-Anteil hält man in den oberen Grenzen. Zu diesem Ansatz v/erden 35% eines zähflüssigen organischen Binders gemischt. Diese Suspension wird sodann mittels eines V/alzenstuhles homogenisiert. Als organische Binder eignen sich bekannte Lösungen, wie z.B. 10% Äthylcellulose in 90% Terpineol-Isomerengemisch oder Nitrozellulose in Butylcarbitolacetat. Die auf diese V/eise hergestellte Suspension bzw. Paste ist in ihrer Viskosität bereits so eingestellt, dass sie zum Siebdrucken auf Keramikkörper eignet.
Vorteilhaft ist es, die Leiterbahnen mit einer Mindestdicke von
VPA 75 E 7134 b
709834/0538
35 /um auszubilden. Dadurch wird eine gute Durchmischung und somit eine innige Verbindung des Hartlotes an der Kontaktierungsstelle mit den Anschlusselementen einerseits und den Leiterbahnen andererseits bewerkstelligt. Zum Erzeugen derartig dicker Leiter-' bahn-Struktur verwendet man ein Sieb von 110 mesh. An sich ist
es auch möglich, die aus den vorgenannten Stoffen gebildeten
Leiterbahnen mit aus einem anderen Material -z.B. mit aus Kupfer gebildeten Anschlusselement.en- durch Hartlöten zu kontaktieren, ggf. ohne Einfügung einer Lotfolie; das Kupfer-Silber Eutekti-
kum bildet sich dann von selbst aus.
Vorzugsweise findet das erfinderische Verfahren Anwendung zum
Erzeugen von Dickschichtschaltungen auf ein aus einer Oxidkeramik, z.B. Aluminiumoxid, Berylliumoxid, gebildetes Trägerplättchen. Das Verfahren ist aber auch mit den beschriebenen Vorteilen anwendbar, wenn das Trägerplättchen aus einem Kristall, näm- · lieh aus Quarz oder Saphir, aber auch aus einem bei vergleichsweise hoher Temperatur schmelzenden Glas, z.B. Quarzglas,- gebildet ist. ,
5 Patentansprüche
VPA 75 E 7134 b
709834/0538

Claims (5)

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik gebildetes Trägerplättchen, indem man unter Verwendung einer pastenartigen Suspension, bestehend aus einer Silber enthaltenden Pulvermischung in einem flüssigen Bindemittel, diese im Siebdruckverfahren auf das Trägerplättchen aufbringt, und die so aufgebrachte Schaltung in einem v/eiteren Verfahrensschritt durch Sintern bzw, Einbrennen mit dem Material des Trägerplättchens verfestigt, dadurch gekennzeichnet, dass man zum Siebdrucken der Leiterbahnen eine in Bezug auf das Material des Trägerplättchens reaktive Pulvermischung verwendet, indem man dem Silberpulver Kupferoxid beimischt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mit dem Material des Trägerplättchens verbundenen Leiterbahnen aus mindestens 92 Gew?f> Ag und höchstens 8 Gewjo, jedoch aus nicht mehr als 4 Gew$ CuO, insbesondere jedoch aus 94 Gew% Ag und 6 Gew?o CuO bestehen.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass man zur Herstellung von 35/um dicken Leiterbahnen durch Siebdrucken ein Sieb von 110 mesh \rerwendet.
4. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , dass man zum Hartlöten der Anschlusselemente mit den Leiterbahnen ein eutektisches Kupfer-Silberlot verwendet, dessen Schmelztemperatur unter der Sintertemperatur der Leiterbahnen von 930 C gelegen ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet , dass man zum Hartlöten der Anschiusselemente mit den aus Silber und Kuüferoxid bestehenden
VPA 75 E 7134 b
709834/0538
Leiterbahnen ein dünnes aus Silber imd Kupfer bestehendes Lotblech verwendet, wobei man zum Löten das aus Silber und Kupfer gebildete Blech zwischen Leiterbahn und Anschlusselement legt, diese Teile gegen eine Verlagerung sichert, und sodann auf die Löttemperatur von 820° aufheizt sowie nach erfolgtem Löten langsam, und zwar nicht schneller
als 4O0C pro Minute abkühlt.
VPA 75 E 7134 b
709834/0538*
DE2606963A 1976-02-20 1976-02-20 Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen Expired DE2606963C3 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2606963A DE2606963C3 (de) 1976-02-20 1976-02-20 Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen
GB316/77A GB1508560A (en) 1976-02-20 1977-01-06 Thick-film circuits
FR7701307A FR2341947A1 (fr) 1976-02-20 1977-01-18 Procede pour la preparation d'un circuit a couches epaisses sur une plaquette de support, de preference en ceramique oxydee
JP1802477A JPS52110498A (en) 1976-02-20 1977-02-21 Method of manufacturing thckkfilm circuit
US05/770,368 US4084314A (en) 1976-02-20 1977-02-22 Producing thick film circuits having terminal elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2606963A DE2606963C3 (de) 1976-02-20 1976-02-20 Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2606963A1 true DE2606963A1 (de) 1977-08-25
DE2606963B2 DE2606963B2 (de) 1979-11-08
DE2606963C3 DE2606963C3 (de) 1981-07-23

Family

ID=5970474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2606963A Expired DE2606963C3 (de) 1976-02-20 1976-02-20 Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4084314A (de)
JP (1) JPS52110498A (de)
DE (1) DE2606963C3 (de)
FR (1) FR2341947A1 (de)
GB (1) GB1508560A (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2737227C2 (de) * 1977-08-18 1987-05-14 MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München Poröser Formkörper aus Keramik mit einer porendichten Beschichtung und Verfahren zu seiner Herstellung
US4312896A (en) * 1978-08-07 1982-01-26 Graham Magnetics, Inc. Novel soldering process comprising coating a dielectric substrate with electroconductive metal protected by nickel carbide
US4521329A (en) * 1983-06-20 1985-06-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions
US4623482A (en) * 1985-10-25 1986-11-18 Cts Corporation Copper conductive paint for porcelainized metal substrates
US4908740A (en) * 1989-02-09 1990-03-13 Hudgins Richard D Integral composite structure with predetermined electrically conductive networks and method for producing same
JP3026465B2 (ja) * 1992-03-10 2000-03-27 株式会社日立製作所 セラミック薄膜混成配線基板および製造方法
DE4320910C1 (de) * 1993-06-18 1994-09-08 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Lötverbindung und Anwendung des Verfahrens bei der Herstellung von Bauelementen mit vakuumdichten Gehäuse
FR2791147B1 (fr) * 1999-03-19 2002-08-30 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables
CN201888020U (zh) * 2010-05-25 2011-06-29 景德镇正宇奈米科技有限公司 陶瓷印刷电路板结构
CN114388169A (zh) * 2021-12-28 2022-04-22 江苏云意电气股份有限公司 一种导体浆料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3450545A (en) * 1966-05-31 1969-06-17 Du Pont Noble metal metalizing compositions
DE2021362A1 (de) * 1969-04-30 1970-11-12 Du Pont Metallisierungsmasse
DE1963286C3 (de) * 1969-12-17 1974-03-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Paste zur Herstellung von Dickfilmverdrahtungen
DE2341776A1 (de) * 1972-12-25 1974-07-11 Ishizuka Glass Metallueberzogene glaskeramik-gegenstaende und verfahren zu deren herstellung
DE2332441C3 (de) * 1973-06-25 1976-01-02 Ishizuka Garasu K.K., Nagoya, Aichi (Japan) Glaskeramischer Gegenstand mit einer aus Kupfer und/oder Silber bestehenden, auf einen Bereich seiner Oberfläche begrenzten metallischen Uberzugsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3374110A (en) * 1964-05-27 1968-03-19 Ibm Conductive element, composition and method
US3714709A (en) * 1970-07-06 1973-02-06 Rca Corp Method of manufacturing thick-film hybrid integrated circuits
US3904461A (en) * 1972-10-02 1975-09-09 Bendix Corp Method of manufacturing solderable thin film microcircuit with stabilized resistive films

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3450545A (en) * 1966-05-31 1969-06-17 Du Pont Noble metal metalizing compositions
DE2021362A1 (de) * 1969-04-30 1970-11-12 Du Pont Metallisierungsmasse
DE1963286C3 (de) * 1969-12-17 1974-03-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Paste zur Herstellung von Dickfilmverdrahtungen
DE2341776A1 (de) * 1972-12-25 1974-07-11 Ishizuka Glass Metallueberzogene glaskeramik-gegenstaende und verfahren zu deren herstellung
DE2332441C3 (de) * 1973-06-25 1976-01-02 Ishizuka Garasu K.K., Nagoya, Aichi (Japan) Glaskeramischer Gegenstand mit einer aus Kupfer und/oder Silber bestehenden, auf einen Bereich seiner Oberfläche begrenzten metallischen Uberzugsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US4084314A (en) 1978-04-18
FR2341947A1 (fr) 1977-09-16
DE2606963C3 (de) 1981-07-23
JPS52110498A (en) 1977-09-16
FR2341947B1 (de) 1979-03-23
DE2606963B2 (de) 1979-11-08
GB1508560A (en) 1978-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3111808C2 (de) Elektrisch leitende Paste, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung
DE4401616B4 (de) Keramische Mehrfachschichten-Verdrahtungskarte
EP0016307B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen glaskeramischen Struktur mit innen liegenden Versorgungsleitungen auf Kupferbasis
DE2558361C2 (de) Verfahren zum Herstellen von durchgehend metallisierten Bohrungen in mehrschichtigen keramischen Moduln
DE68904214T2 (de) Hartloetpaste zum verbinden von metalle und keramische materialien.
DE68912932T2 (de) Glas-Keramik-Gegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung.
DE3621667C2 (de)
KR900006014B1 (ko) 후막 도체 조성물
DE3414065A1 (de) Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
DE19608484B4 (de) Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat
DE69329357T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Leitern in Kontaktlöcher in vielschichtigen Keramiksubstraten
EP0016925B1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten
DE2306236C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Schichtschaltungen mit leitenden Schichten auf beiden Seiten eines Keramiksubstrates
DE2852590C2 (de) Leiterpasten und Verfahren zur Herstellung von Leiterpasten
DE10359264A1 (de) Mehrschichtchipvaristor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2606963C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen
DE19707253C2 (de) Keramische Mehrlagenleiterplatte in LTCC-Technik mit verbesserter Beständigkeit der Ag-Au-Verbindung
DE2222754C2 (de) Metallisierende Paste und ihre Verwendung
DE3789369T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer keramischen Schaltungsplatte.
DE2551036C3 (de) Borid-Stoffzusammensetzung und ihre Verwendung
DE69919806T2 (de) Leitpaste und Keramikschaltungsplatte
DE2441207B2 (de) Edelmetallhaltige pulver
DE2550275C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Barrieren für Lötzinn auf Leiterzügen
DE1213922C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer leicht benetzbaren Metallschicht auf einer keramischen Unterlage fuer Halbleiterbauelemente
DE3016412A1 (de) Temperaturabhaengiges elektrisches bauelement und verfahren und material zur herstellung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee