DE2648975C3 - Schaltungsanordnung zur Anpassung einer monolithisch integrierten Schaltung an einen Hochspannungsschaltkreis - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Anpassung einer monolithisch integrierten Schaltung an einen HochspannungsschaltkreisInfo
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Description
nung zur Anpassung einer monolithisch integrierten Schaltung an einen, einen Schalter enthaltenden
Hochspannungsschaltkreis. Derartige Schaltungen können z. B. zum Programmieren eines Haushaltgerätes,
wie einer Waschmaschine, verwendet werden.
Nach der Erfindung ist eine derartige Schaltungsanordnung
dadurch gekennzeichnet daß eine bistabile Schaltung ein erstes oder ein zweites Ausgangssignal
liefert, wenn sich diese Schaltung in einem gesetzten bzw. rückgesetzten Zustand befindet daß eine erste
Schaltung zum Erzeugen einer ersen Impulsreihe zwischen ihrem zum Anschluß an eine Wechselstromquelle
dienenden Eingang und einer Seite eines ersten Spannungsteilers den Schalter sowie gleichrichtende
Elemente zwischen einem Abgriff dieses Spannungsteilers und ihrem an einen Setzeingang der bistabilen
Schaltung angeschlossenen Ausgang enthält, und daß eine zweite Schaltung zum Erzeugen einer zweiten
Impulsreihe einen zweiten Spannungsteiler, der mit einer Seite an ihren zum Anschluß an die Wechselstromquelle
dienenden Eingang angeschlossen ist und gleichrichtende Elemente enthält die zwischen einem
Abgriff ihres Spannungsteilers und ihrem an einen Rücksetzeingang der bistabilen Schaltung angeschlossenen
Ausgang eingeschaltet sind, wobei die zwei Spannungsteiler an den betreffenden Abgriffen verschiedene
Spannungsverhältnisse aufweisen, derart, daß, wenn der Schalter von seinem geöffneten in seinen
geschlossenen Zustand versetzt wird, erste und zweite Impulsreihen den Setz- bzw. Rücksetzeingängen der
bistabilen Schaltung zugeführt werden, wobei beide Impulsreihen die Dauer derselben wechselweise auftretenden
Halbperioden der Wechselstromquelle aufweisen, während die Impulse der ersten Impulsreihe steilere
Flanken als die Impulse der zweiten Impulsreihe besitzen, wodurch die bistabile Schaltung gesetzt wird
und in diesem Zustand bleibt und zwar derart, daß, wenn der Schalter von seinem geschlossenen in seinen
geöffneten Zustand versetzt wird, nur die zweite Impulsreihe erzeugt wird, wodurch die bistabile
Schaltung nickgesetzt wird und in diesem Zustand bleibt.
Die Schaltungen zum Erzeugen einer ersten und einer zweiten Impulsreihe können je zwei der genannten
durch einen Transistor gebildeten gleichrichtenden
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung bestehen die zwei Spannungsteiler aus je zwei
Widerständen, ist der Widerstand zwischen der genannten ersten Seite jedes Spannungsteilers und
w> seinem Abgriff als ein diskretes Einzelteil ausgebildet
und ist der verbleibende Teil der Schaltung, mit
ausgeführt.
|>"> tung für ein Haushaltgerät erhalten, die η Schalter,
wobei η mindestens gleich 2 ist, n+\ diskrete Widerstände und eine integrierte Schaltung enthält,
während die Schalter, die disketen Widerstände und die
integrierte Schaltung η Schaltungen der in dem
vorhergehenden Absatz beschriebenen Art bilden,
wobei die Regelschaltung weiter eine Programmiereinrichtung zum Umschalten jedes der η Schalter zwischen
seinem geöffneten und geschlossenen Zustand enthält.
Die Erfindung wird nunmehr an Hand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert Es zeigt
Fig. 1 eine erste Schaltungsanordnung nach der Erfindung,
F i g. 2a und 2b Spannungsformen zur Erläuterung der Wirkung der Schaltungsanordnung nach F i g. 1,
Fig.3 eine zweite Schaltungsanordnung nach der
Erfindung und
F i g. 4a und 4b Spannungsformen zur Erläuterung der Wirkung der Schaltungsanordnung nach F i g. 3.
In F i g. 1 liegen die zwei npn-Transistoren Ti und TI
mit ihren Emittern an Erdpotential, sind ihre Kollektoren über die Widerstände R1, bzw. R 2 an eine positive
NiederspannungsgleichstromqueUe angeschlossen und sind über die Dioden DX und DT. die Transistoren
kreuzweise miteinander gekoppelt, um eine bistabile Schaltung mit einem die Basis des Transistors Ti
bildenden Setzeingang S und einem die Basis des Transistors TI bildenden Rücksetzeingang RS zu
erhalten. Ein den Kollektor des Transistors Tl
bildender Ausgang OP liefert ein erstes Gleichstromausgangssignal niedriger Spannung, wenn sich die
bistabile Schaltung in einem gesetzten Zustand befindet, und ein zweites Gleichstromausgangssignal niedriger
Spannung, wenn sich die bistabile Schaltung in einem rückgesetzten Zustand befindet. Eine Schaltung zum
Erzeugen einer ersten Impulsreihe enthält einen Schalter SlV zwischen ihrem Eingang IP1 zum
Anschluß an eine Hochspannungswechselstromquelle, z. B. eine Netzspannung von 240 V — 50 Hz und einer
Seite eines aus zwei Widerständen R 3 und R 4 bestehenden Spannungteilers. Die andere Seite des
Spannungsteilers R 3, /74 liegt an Erdpotential. Die zwei Dioden D 3 und D 4 sind zwischen dem
Niederspannungsabgriff des Spannungsteilers R 3, R 4 und dem Ausgang der Schaltung zum Erzeugen der
ersten Impulsreihe angeordnet, der an die Basis des Transistors Ti angeschlossen ist, der den Setzeingang S
der bistabilen Schaltung bildet Die Diode D 3 Hegt mit
ihrer Anode an Erdpotential und mit ihrer Kathode an dem Abgriff des Spannungsteilers R 3, R 4, und die
Diode DA ist mit ihrer Anode an den Abgriff des Spannungsteilers R 3, RA und mit ihrer Kathode an den
Setzeingang S der bistabilen Schaltung angeschlossen. Eine Schaltung zum Erzeugen einer zweiten Impulsreihe
enthält einen aus zwei Widerständen R 5 und R 6 bestehenden Spannungsteiler. Eine Seite des Spannungsteilers
liegt dauernd an dem Eingang IP2 der
Schaltung zum Erzeugen einer zweiten Impulsreihe, wobei dieser Eingang zum Anschluß an dieselbe
Wechselstromquelle dient die an den Eingang IPi
angeschlossen werden muß. Die andere Seite des Spannungsteilers R 5, R 6 liegt an Erdpotential. Die
zwei Dioden DS und D 6 sind zwischen dem Niederspannungsabgriff des Spannungsteilers R 5, R 6
und dem Ausgang der Schaltung zum Erzeugen einer zweiten Impulsreihe angebracht der an die Basis des
Transistors T2 angeschlossen ist die den Rücksetzeingang RS der bistabilen Schaltung bildet Die Diode DS
liegt mit ihrer Anode an Erdpotential und mit ihrer Kathode an dem Abgriff des Spannungsteilers RS, R6,
und die Diode D 6 liegt mit ihrer Anode an dem Rücksetzeingang RSder bistabilen Schaltung.
Die zwei Spannungsteiler weisen verschiedene Spannungsverhältnisse an ihren Abgriffen auf, d. h, daß
Λ4/(A3 + A4) größer als R6/(R5 + R6) ist Wenn
also die Widerstände A3, A4, RS und R6 die Werte
220 kOhni, 4 kOhm, 220 kOhm bzw. 2 kOhm aufweisen
und wenn der Schalter SW geschlossen ist, werden an den Abgriffen der Spannungsteiler R3,R4 bzw. R 5, R 6
bei Fehlen der Dioden D3, DA und D6 die mit den
gestrichelten linien in F i g. 2a bzw. F i g. 2b dargestellte ten Spannungsformen vorhanden sein. Die beiden
gestrichelt dargestellten Spannungsformen sind sinusförmige Spannungen mit der gleichen Frequenz und
Phase wie die Wechselstromquelle. Wenn die WechselstromqueUe
eine Spitzenspannung von 240 V aufweist und die Widerstände R3, RA, RS und /26 die
obengenannten Werte aufweisen, haben die Spannungsformen
nach den F i g. 2a und 2b die Spitzenwerte von etwa 4 V bzw. 2 V. Die Dioden D 3, D 4, D 5 und D 6
sind zum Erhalten einer ersten Impulsreihe mit positiven Impulsen an dem Setzeingang S und einer
zweiten Impulsreihe mit positiven Impulsen gleicher Amplitude an dem Rücksetzeingang RS angebracht, wie
mit den vollen Linien in F i g. 2a bzw. 2b angegeben ist Die Impulse beider Impulsreihen weisen also die Dauer
der positiven Halbperioden der Wechselstromquelie auf, wobei die Impulse der ersten Impulsreihe, die dem
Setzeingang S zugeführt wird (F i g. 2a), steilere Flanken
als die Impulse der zweiten Impulsreihe, die dem Rücksetzeingang RS zugeführt wird (F i g. 2b), aufweisen.
Wenn der Schalter SW von seinem geöffneten in seinen geschlossenen Zustand umgeschaltet wird,
werden somit beide Impulsreihen erzeugt, aber die erste Impulsreihe am Setzeingang S hat den Vorzug vor der
zweiten Impulsreihe am Rücksetzeingang RS, wodurch die bistabile Schaltung innerhalb einer Periode der
Wechselstromquelle gesetzt wird und in diesem Zustand bleibt Dann erscheint ein erstes Gleichstromausgangssignal
niedriger Spannung am Kollektor des Transistors T2, was dem leitenden Zustand des Transistors Ti und
dem gesperrten Zustand des Transistors T2 entspricht Wenn der Schalter SlV von dem geschlossenen in den
geöffneten Zustand versetzt wird, erscheint nur die zweite Impulsreihe an dem Rücksetzeingang RS,
'' wodurch die bistabile Schaltung innerhalb einer Periode
der Wechselstromquelle rückgesetzt wird und in diesem Zustand bleibt Dann erscheint ein zweites Niederspannungsgleichstromsignal
an dem Kollektor des Transistors T2, was dem gesperrten Zustand des Transistors
ίο Tl in dem leitenden Zustand des Transistors T2
entspricht
In F i g. 3 liegen die zwei npn-Transistoren T3 und TA mit ihren Emittern an Erdpotential, während ihre
Kollektoren über die Stromquelle /1 bzw. /2 an eine
y> negative Niederspannungsgleichstromquelle angeschlossen
sind und diese Transistoren direkt kreuzweise miteinander gekoppelt sind, um eine bistabile Schaltung
mit einem die Basis des Transistors 7*3 bildenden Setzeingang S und einem die Basis des Transistors TA
M> bildenden Rücksetzeingang RS zu erhalten. Ein
Ausgang OP, der den Kollektor des Transistors TA bildet, liefert ein erstes Niederspannungsgleichstromausgangssignal,
wenn sich die bistabile Schaltung in einem gesetzten Zustand befindet und ein zweites
* > Niederspannungsgleichstromausgangssignal, wenn sich
die bistabile Schaltung in einem rückgesetzten Zustand befindet. Eine Schaltung zum Erzeugen einer ersten
Impulsreihe enthält einen Schalter SWzwischen ihrem
Eingang IPt zum Anschluß an eine Hochspannungswechselstromquelle,
z. B. eine Netzspannung von 240 V — 50 Hz, und einer Seite eines aus zwei Widerständen
R 3 und R 4 bestehenden Spannungsteilers. Die andere
Seite des Spannungsteilers R 3, R 4 liegt an Erdpotential
Bin npn-Transistor TS ist zwischen dem Niederspannungsabgriff des Spannungsteilers R 3, R 4 und
dem Ausgang der Schaltung zum Erzeugen einer ersten Impulsreihe angebracht, wobei dieser Ausgang an die
Basis des Transistors Ti angeschlossen ist, die den Setzeingang S der bistabilen Schaltung bildet Der
Transistor 7*5 liegt mit seinem Emitter an Erdpotential; seine Basis ist an den Abgriff des Spannungsteilers R 3,
R 4 und sein Kollektor ist an den Setzeingang 5 der bistabilen Schaltung angeschlossen. Eine Schaltung zum
Erzeugen einer zweiten Impulsreihe enthält einen aus zwei Widerständen R 5 und R 6 bestehenden Spannungsteiler.
Eine Seite des Spannungsteilers ist dauernd an den Eingang IPl der Schaltung zum Erzeugen einer
zweiten Impulsreihe angeschlossen, wobei dieser Eingang zum Anschluß an dieselbe Hochspannungswechselstromquelle
dient, die an den Eingang IPX angeschlossen werden muß. Die andere Seite des
Spannungsteilers RS, R6 liegt an Erdpotential. Ein
npn-Transistor Γ6 ist zwischen dem Niederspannungsabgriff des Spannungsteilers RS, R6 und dem Ausgang
der Schaltung zum Erzeugen einer zweiten Impulsreihe angebracht, wobei dieser Ausgang an die Basis des
Transistors T4 angeschlossen ist, die der Rücksetzeingang AS der bistabilen Schaltung ist Der Transistor T6
liegt mit seinem Emitter an Erdpotential; seine Basis ist an den Abgriff des Spannungsteilers RS, Ä6 angeschlossen
und sein Kollektor liegt an dem Rücksetzeingang ÄS der bistabilen Schaltung.
Die zwei Spannungsteiler weisen verschiedene Spannungsverhältnisse an den betreffenden Abgriffen
auf, dh, daß R4/{R3 + R4) größer als R 6/ (R 5 + R 6) ist Wenn die Widerstände R 3, R 4, R 5
und Ä6 die Werte von 220 kOhm, 4 kOhm, 220 kOhm,
bzw. 2kOhm aufweisen und wenn der Schalter SW
geschlossen ist, werden an den Abgriffen der Spannungsteiler R3, A4 und RS, R6 bei Fehlen der
Transistoren TS und T6 die mit den gestrichelten linien in F i g. 4a bzw. 4b dargestellten Spannungsformen
vorhanden sein. Die beiden gestrichelt dargestellten Spannungsformen sind sinusförmige Spannungen
mit der gleichen Frequenz und Phase wie die Wechselstromquelle. Wenn die Wechselstromquelle
eine Spitzenspannung von 240 V aufweist und die Widerstände A3, A4, R5 und R6 die obengenannten
Werte aufweisen, werden die Spannungsformen nach F i g. 4a und 4b Spitzenwerte von etwa 4 V bzw. 2 V
aufweisen. Die als Dioden geschalteten Transistoren TS
und T% dienen zum Erhalten einer ersten Impulsreihe mit negativen Imptilsen an dem Setzeingang S und einer
zweiten Impulsreihe mit gleicher Amplitude und negativen Impulsen an dem Rücksetzeingang RS, wie
mit den vollen linien in Fig.4a bzw. 4b angegeben ist
Die Impulse beider Impulsreihen werden also eine Dauer gleich der der negativen Halbperioden der
Wechselstromquelle aufweisen, wobei die Impulse der ersten Impulsreihe, die dem Setzeingang S zugeführt
wird (Fig.4a), steilere Flanken als die Impulse der
zweiten Impulsreihe aufweisen, die dem Rücksetzeingang RS zugeführt wird (F i g. 4b).
Wenn nun eine negative Halbperiode der Wechselstromquelle bei geschlossenem Schalter SW betrachtet
wird, wird zu dem Zeitpunkt 11 der Transistor TS die
bistabile Schaltung steuern und gegebenenfalls ein Umklappen dieser Schaltung bewirken. Zu dem
Zeitpunkt f 2 wird die Kollektorspannung des Transistors Tb den Vorzug vor der Kollektorspannung des
u, Transistors T3 haben, aber das Ausgangssignal am
Kollektor des Transistors Γ4 wird bereits durch das Ausgangssignal des Transistros T5 bestimmt Zu dem
Zeitpunkt f3 kann die Kollektorspannung des Transistors
Γ3 wieder einen derartigen Wert annehmen, daß der bistabile Zustand durch das Ausgangssignal des
wird der Transistor TS gesperrt und bleibt die bistabile
geschlossenen Zustand versetzt wird, werden also beide
Impulsreihen erzeugt, aber die erste Impulsreihe am Setzeingang S hat den Vorzug vor der zweiten
Impulsreihe am Rücksetzeingang RS, wodurch die
bistabile Schaltung innerhalb einer Periode der Wechselstromquelle gesetzt wird und in diesem Zustand
bleibt Dann tritt ein erstes Gleichstromausgangssignal niedriger Spannung am Kollektor des Transistors Γ4
auf, was dem leitenden Zustand des Transistors Γ3 und dem gesperrten Zustand des Transistors T4 entspricht
Wenn der Schalter SW von dem geschlossenen in den geöffneten Zustand versetzt wird, tritt nur die zweite
Impulsreihe am Rücksetzeingang RS auf, wodurch die bistabile Schaltung innerhalb einer Periode der Wechselstromquelle
rückgesetzt wird und in diesem Zustand bleibt Dann erscheint ein zweites Niederspannungsgleichstromsignal
am Kollektor des Transistors T4, was dem gesperrten Zustand des Transistors T3 und dem
leitenden Zustand des Transistors T4 entspricht
Eine günstige Ausführungsform der beiden Schaltungen nach F i g. 1 und 3 wird erhalten, wenn die Widerstände R 3 und RS als diskrete Einzelteile ausgebildet werden und der verbleibende Teil der Schaltung, mit Ausnahme des Schalters SW, als eine integrierte Schaltung ausgeführt wird. Auf diese Weise bildet die Schaltung eine Anpassung zwischen einem Hochspannungsschaltkreis und einer integrierten Schaltung. Diese Ausführung kann leicht mit mehr als einem Schalter erweitert werden, dadurch, daß die integrierte Schaltung erweitert und noch ein diskreter Widerstand
Eine günstige Ausführungsform der beiden Schaltungen nach F i g. 1 und 3 wird erhalten, wenn die Widerstände R 3 und RS als diskrete Einzelteile ausgebildet werden und der verbleibende Teil der Schaltung, mit Ausnahme des Schalters SW, als eine integrierte Schaltung ausgeführt wird. Auf diese Weise bildet die Schaltung eine Anpassung zwischen einem Hochspannungsschaltkreis und einer integrierten Schaltung. Diese Ausführung kann leicht mit mehr als einem Schalter erweitert werden, dadurch, daß die integrierte Schaltung erweitert und noch ein diskreter Widerstand
so für jeden Schalter angebracht wird. Auf diese Weise
kann eine Regelschaltung mit π Schaltern (wobei r. wenigstens 2 beträgt), n+1 diskreten Widerständen und
einer integrierten Schaltung gebildet werden, während die Schalter, die diskreten Widerstände und die
integrierte Schaltung π Schaltungen nach Fig. 1 odei
Fig.3 bilden, wobei die Regelschaltung weiter eine
Programmiereinrichtung zum Umschalten jedes der τ Schalter zwischen dem geöffneten und dem geschlossenen
Zustand enthält Eine derartige Regelschaltung
hn eignet sich zur Anwendung beim Programmieren eine:
Haushaltgerätes, wie einer Waschmaschine, einei
Geschirrspülmaschine, eines Kochherdes oder einei Zentralheizungsaiilage.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur Anpassung einer monolithisch integrierten Schaltung an einen, einen
Schalter enthaltenden Hochspannungsschaltkreis, dadurch gekennzeichnet, daß eine bistabile
Schaltung (Tl, T2) ein erstes oder ein zweites Ausgangssignal liefert, wenn sich diese Schaltung in
einem gesetzten bzw. rückgesetzten Zustand befindet, daß eine erste Schaltung zum Erzeugen einer
ersten Impulsreihe zwischen ihrem zum Anschluß an eine Wechselstromquelle dienenden Eingang (/Pl)
und einer Seite eines ersten Spannungsteilers (R 3, A4) den Schalter (SlV) sowie gleichrichtende
Elemente (D 3, D 4) zwischen einem Abgriff dieses Spannungsteilers und ihrem an einen Setzeitgang
(S) der bistabilen Schaltung angeschlossenen Ausgang enthält, und daß eine zweite Schaltung zum
Erzeugen einer zweiten Impulsreihe einen zweiten Spannungsteiler (R 5, RS), der mit einer Seite an
ihren zum Anschluß an die Wechselstromquelle dienenden Eingang (IP2) angeschlossen ist, und
gleichrichtende Elemente (DS, D6) enthält, die
zwischen einem Abgriff ihres Spannungsteilers (R 5, R 6) und ihren an einen Rücksetzeingang (RS) der
bistabilen Schaltung angeschlossenen Ausgang eingeschaltet sind, wobei die zwei Spannungsteiler an
den betreffenden Abgriffen verschiedene Spannungsverhältnisse aufweisen, derart, daß, wenn der
Schalter (SW) von seinem geöffneten in seinen geschlossenen Zustand versetzt wird, erste und
zweite Impulsreihen den Setz- bzw. Rücksetzeingängen (S, RS) der bistabilen Schaltung (Tl, T2)
zugeführt werden, wobei beide Impulsreihen die Dauer derselben wechselweise auftretenden Halbperioden
der Wechselstromquelle aufweisen, während die Impulse der ersten Impulsreihe steilere
Flanken als die Impulse der zweiten Impulsreihe besitzen, wodurch die bistabile Schaltung gesetzt
wird und in diesem Zustand bleibt, und zwar derart, daß, wenn der Schalter (SW1) von seinem geschlossenen
in seinen geöffneten Zustand versetzt wird, nur die zweite Impulsreihe erzeugt wird, wodurch die
bistabile Schaltung rückgesetzt wird und in diesem Zustand bleibt
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungen zum Erzeugen
der ersten und der zweiten Impulsreihe je zwei der genannten durch einen Transistor (T5, T6) gebildeten
gleichrichtenden Elemente enthalten.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Spannungsteiler
aus je zwei Widerständen bestehen, der Widerstand (A3; RS) zwischen der genannten
ersten Seite jedes Spannungsteilers und seinem Abgriff als ein diskretes Einzelteil ausgebildet ist und
der verbleibende Teil der Schaltung, mit Ausnahme des Schalters (SW), als eine integrierte Schaltung
ausgeführt ist
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet durch ihre Verwendung in einer
Regelschaltung für ein Haushaltgerät mit η Schaltern, wobei η mindestens gleich 2 ist, n+1 diskreten
Widerständen und einer integrierten Schaltung, wobei die Schalter, die diskreten Widerstände und
die integrierte Schaltung η Schaltungen je nach Anspruch 1, 2 oder 3 bilden, während die
Regelschaltung weiter eine Programmiereinrichtung zum Umschalten jedes der π Schalter zwischen
seinem geöffneten und seinem geschlossenen Zustandenthält
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|---|---|---|---|
| GB45625/75A GB1490005A (en) | 1975-11-03 | 1975-11-03 | High voltage ac to low voltage dc switching interface circuit |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2648975A1 DE2648975A1 (de) | 1977-05-18 |
| DE2648975B2 DE2648975B2 (de) | 1978-12-07 |
| DE2648975C3 true DE2648975C3 (de) | 1979-08-02 |
Family
ID=10437941
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE2648975A Expired DE2648975C3 (de) | 1975-11-03 | 1976-10-28 | Schaltungsanordnung zur Anpassung einer monolithisch integrierten Schaltung an einen Hochspannungsschaltkreis |
Country Status (7)
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| DE (1) | DE2648975C3 (de) |
| FR (1) | FR2330192A1 (de) |
| GB (1) | GB1490005A (de) |
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| GB908813A (en) * | 1959-10-30 | 1962-10-24 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to electric circuits for controlling the supply of current to a load impedance |
| US3493787A (en) * | 1965-02-11 | 1970-02-03 | Waynco | Bridge controlled flip flop |
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-
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- 1975-11-03 GB GB45625/75A patent/GB1490005A/en not_active Expired
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- 1976-10-28 DE DE2648975A patent/DE2648975C3/de not_active Expired
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- 1976-10-29 US US05/736,854 patent/US4085342A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-10-29 CA CA264,493A patent/CA1069987A/en not_active Expired
- 1976-11-01 JP JP51130585A patent/JPS5278352A/ja active Pending
- 1976-11-03 FR FR7633125A patent/FR2330192A1/fr active Granted
Also Published As
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| JPS5278352A (en) | 1977-07-01 |
| CA1069987A (en) | 1980-01-15 |
| GB1490005A (en) | 1977-10-26 |
| US4085342A (en) | 1978-04-18 |
| FR2330192A1 (fr) | 1977-05-27 |
| DE2648975B2 (de) | 1978-12-07 |
| IT1072888B (it) | 1985-04-13 |
| FR2330192B1 (de) | 1981-12-18 |
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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