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DE2646035C3 - Wechselspannungsschaltung mit mehreren in Basis-(Gate-) Schaltung betriebenen Halbleiterverstärkerelementen - Google Patents

Wechselspannungsschaltung mit mehreren in Basis-(Gate-) Schaltung betriebenen Halbleiterverstärkerelementen

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Publication number
DE2646035C3
DE2646035C3 DE19762646035 DE2646035A DE2646035C3 DE 2646035 C3 DE2646035 C3 DE 2646035C3 DE 19762646035 DE19762646035 DE 19762646035 DE 2646035 A DE2646035 A DE 2646035A DE 2646035 C3 DE2646035 C3 DE 2646035C3
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DE
Germany
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circuit
amplification
gate
resistance
amplifier
Prior art date
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Application number
DE19762646035
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English (en)
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DE2646035A1 (de
DE2646035B2 (de
Inventor
Gerhard Dipl.-Ing. 8000 Muenchen Ritter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Publication of DE2646035B2 publication Critical patent/DE2646035B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2646035C3 publication Critical patent/DE2646035C3/de
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/62Two-way amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • H04B1/48Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/02Details
    • H04B3/36Repeater circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

sowie eine Vierpolphase von θ=90° aufweist, wobei jo Ra der hochchmige Ausgangswiderstand einer Stufe und Re der niederohmige Einfjangswiderstand der jeweils nachfolgenden Stufe ist.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vierpol-Netzwerk eine Viertelwel- js lenlängen-Leitung ist, die auch aus einer aus Induktivitäten und Kapazitäten zusammengesetzten Leitungsnachbildung bestehen kann.
4. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vierpol-Netzwerk bei beidseitigern Abschluß mit einem Widerstand R3 ein überkritisch gekoppeltes symmetrisches Bandfilter ist, welches einen Kopplungsfaktor
K -
aufweist.
5. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vierpol-Netzwerk eine symmetrische π- oder T-Schaltung ist, welche aus einer oder zwei Induktivitäten und zwei bzw. einer Kapazität zusammengesetzt ist.
6. Schaltung nach Anspruch 5, gekennzeichnet cfurch eine π-Schaltung, die aus einem Längskondensator und zwei Querinduktivitäten besteht.
7. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere Stufen der Kette als Mischstufen ausgebildet sind, bei denen wechselspannungsmäßig jeweils auf die Basis (Gate) eine Umsetzoszillatorspannung (U„„) und auf den Emitter (Source) eine Spannung mit der Eingangsfrequenz (fein) gegeben wird und bei denen jeweils am Kollektor (Drain) die Spannung mit der umgesetzten h-> Frequenz (faus)abgenommen wird.
8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein unsymmetrisch ausgebildetes Vierpol-Netzwerk vorgesehen ist, dessen Vierpol-Wellenwiderstand in der einen Richtung
Zwl = \R„mi " ReA(I ,
dessen Vierpol-Wellenwiderstand in der anderen Richtung
und dessen Vierpol-Phase 0=90° beträgt, wobei ReM \ der Eingangswiderstand einer Mischstufe, RaM\ der Ausgangswiderstand dieser Mischstufe, Re2 der Eingangswiderstand und R32 der Ausgangswiderstand (in umgekehrter Richtung) der anschließenden Stufe ist und die Bedingung
Ra
R.
gilt
9. Schaltung nach Anspruch 8, gekennzeichnet qurch eine Parallel- oder Serienschailung von Widerständen zur Erzielung von gleichen Verhältnissen bei den Ausgangs- und Eingangswiderständen der beiden anzupassenden Stufen.
10. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung von schaltbaren Bauelementen im transformierenden Vierpol-Netzwerk.
11. Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur Umschaltung der schaltbaren Bauelemente Halbleiterdioden vorgesehen sind, deren Schaltspannungen aus den Betriebsgleichspannungen ableitbar sind.
12. Schaltung nach Anspruch 7 und einem der übrigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kette unter Verwendung von als Verstärker wirksamen Stufen (14, 17) und von als Mischstufen arbeitenden Stufen (16) zu einem Sender-Empfänger zusammengeschaltet ist, wobei c'.it Modulator (18, 19, 20) verwendet wird, der sich ebenfalls als Demodulator benutzen läßt.
13. Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Modulator bzw. Demodulator ein Ringmischer (29) für Einseitenband- und Amplitudenmodulation vorgesehen ist.
14. Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Modulator bzw. Demodulator ein phasengeregelter Oszillator (18, 19, 20) für Frequenz- und Phasenmodulation vorgesehen ist.
15. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Verstärkungsrichtung umschaltbaren Stufen (32) in einer Sende-/Empfangsschaltung zwischen einer Antenne (31) und einer an ihrem Ende das empfangene Signal reflektierenden Verzögerungseinrichtung (33) eingeschaltet sind und daß ein über eine Diode (34) vom empfangenen und verzögerten Signal gesteuerter monostabiler Multivibrator (35) vorgesehen ist, welcher die umschaltbaren Stufen (32) für eine bestimmte Zeit vom Empfangsbetrieb in den Sendebetrieb schaltet.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Wechselspannungsschaltung mit mehreren in Basis-(Gate-)Schaltung betriebenen Halbleiterverstärkerelementen, deren Verstärkungsrichtung jeweils erst durch das Anlegen von
bestimmten Spannungen festgelegt und damit durch Änderung dieser Spannungen umschaltbar ist
Die Verstärkungsrichtung eines Verstärkerelementes liegt bei üblichen Schaltungen fest. Es ist allerdings bekannt, daß ein Transistor in der einen oder in der anderen Richtung verstärken kann, je nach dem, in welcher Weise die Betriebsgleichspannungen an den Transistor angelegt werden. Der Aufsatz von J. Weinman und A. Fviedländer »A Simple Bidirectional, Transistor Switch for Sine-Wave Trains« aus der ι ο Zeitschrift »IRE Transactions on Bio-Medical Elekctronics«, 1962, Seite 181 bis 184 gibt in diesem Zusammenhang allerdings im wesentlichen nur den Hinweis, daß bei einem normalen, d. h. nicht symmetrisch aufgebauten Transistor die Übertragungseigenschäften, insbesondere die Verstärkung, in den beiden Verstärkungsrichtungen stark unterschiedlich sind. Darüber hinaus handelt es sich bei dieser bekannten Schaltung nicht um eine Kettenschaltung mehrerer mit einem Transistor versehener Einzelstufen, sondern 2» einfach um die zeitweise, mittels eines über seine Basis pulsgesteuerten Transistors vorgenommene Durchschaltung eines Sinuswellenzugs auf einen Lastwiderstand
Auch aus dem Aufsatz von A. Darre »Der Transistor als passives Bauelement« in der Zeitschrift »Frequenz«, Bd. 14,1960, Nr. 1, Seite 6, rechte oben, ist nur ein Transistorschalter bekannt, bei welchem die Tatsache ausgenutzt wird, daß bei einem üblichen Transistor bei Vertauschen der Spannungsverhältnisse jo zwischen Kollektor und Emitter stark unterschiedliche Stromverstärkungen die Folge sind.
Aus dem Aufsatz von G. H. Parks »Symmetrical Transistors« in der Zeitschrift »Journal British IRE«, Januar 1961, Seiten 79 bis 88, ist zumindest z.B. aus Fig.6 und 7 eine Wechselspannungsschaltung mit mehreren in Basisschaltung betriebenen Halbleiterverstärkerelementen (Transistoren) bekannt, deren Verstärkungsrichtung festgelegt und damit durch Änderung dieser Spannungen umschaltbar ist Allerdings sind auch hierbei nicht mehrere Transistoren in Kette geschaltet, so daß auch keine Maßnahmen getroffen sein können, einen Verstärkerzug entweder in der einen Richtung oder in der Gegenrichtung zu betreiben.
Durch die Erfindung soll eine Lösung aufgezeigt werden, nach der die Verstärkungsrichtung einer Wechcelspannungsverstärkerkette unter Verwendung einfacher Schaltmittel umschaltbar gemacht wird. Diese Möglichkeit soll nicht nur auf Verstärker beschränkt sein, sondern sich auch auf Mischstufen ausdehnen, so daß sich auch ein kompletter Verstärkerzug mit Frequenzumsetzungen in der Verstärkungsrichtung umschalten läßt
Gemäß der Erfindung ist diese Lösung dadurch gekennzeichnet, daß für die Emitterelektrode (Source) und für die Kollektorelektrode (Drain) der einzelnen in Basis-(Gate-)Schaltung betriebenen Halbleiterverstärkerelemente eine Betriebsgleichspannungszuführung vorgesehen ist, die untereinander umschaltbar ausgebildet ist, und daß die Halbleiterverstärkerelemen- 6Q te stufenartig unter Zwischenschaltung von jeweils einem Vierpol-Netzwerk mit Bandpaßcharakter, das für beide Verstärkungsrichtungen den jeweiligen Ausgangswiderstand einer Stufe in den Eingangswiderstand der betricbsrichtcr.gsmäßig nachfolgenden Stufe transformiert, in Kette geschaltet sind.
Bei der erfindungsge/häßen Anordnung wird somit davon Gebrauch gemacht, daß für einige Halbleiterbauelemente die Verstärkungsrichtung erst durch das Anlegen von bestimmten Gleichspannungen festgelegt ist und damit durch das Ändern dieser Spannungen umschaltbar ist. Das Problem der Anpassung zwischen den verstärkenden Elementen für beide Verstärkungsrichtungen wird durch verschiedene Netzwerke mit Bandpaßfilter gelöst. Im Stand der Technik gibi es keine Andeutung, daß ein Verstärkungsbetrieb einer Verstärkerkette in beiden Richtungen überhaupt möglich ist. Eine Umschaltungsrealisierung der Betriebsgleichspannungen der einzelnen Kettentransistoren zum Zwecke der Verstärkungsrichtungsumkehrung ist auch nicht erwähnt. Des weiteren ist auch das Problem der Anpassung zwischen den verstärkenden Halbleiierelementen für beide Verstärkungsrichtungen nicht angesprochen, so daß bei der Erfindung davon ausgegangen werden mußte, daß eine Einrichtung mit mehreren in Kette geschalteten Verstärkerelementen zur Wechselspannungsverarbeitung in beiden Richtungen überhaupt nicht realisierbar ist
Nach der Erfindung kann man prinzipiell beispielsweise einen Empfänger in einen Sender umschalten. Ein Sende-Empfänger läßt sich gegenüber üblichen Konzepten erheblich vereinfachen.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden anhand von sechs Figuren näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 das Schaltbild eines einzigen, in der Verstärkungsrichtung umschaltbaren Verstärkerelements,
Fig.2 das Schaltbild einer Versiärkerkette mit umschaltbarer Verstärkungsrichtung unter Verwendung überkritisch gekoppelter Bandfilter zwischen den Verstärkerelementen,
F i g. 3 das Schaltbild einer in der Verstärkungsrichtung umschaltbaren Mischstufe,
F i g. 4 das Blockschaltbild eines FM-Sender/Empfängers,der nach der Erfindung arbeitet,
Fig.5 einen ebenfalls nach der Erfindung arbeitenden Einseitenband-Sender/Empfänger in Block schaltbildform,
F i g. 6 das Blockschaltbild eines Repeaters (Wiederhol ϊγ), der nach dem Prinzip der Erfindung arbeitet.
In F i g. 1 ist das Schaltbild einer einzigen, in der Verstärkungsrichtung umschaltbaren Veratärkerstufe dargestellt. Sie weist ein symmetrisch aufgebautes Halbleiterelement, im Beispiel einen l·eldeffekttransistor 1 auf. Bei symmetrisch aufgebauten Halbleiterelementen, oeispielsweise symmetrisch dotierten Transistoren bzw. Feldeffekttransistoren, erhalten der Kollektor und der Emitter bzw. Drain und Source ihre Bedeutung erst durch das Anlegen entsprechender Betriebsspannungen. Betreibt man derartige Halbleiterelemente in Basis- bzw. Gateschaltung, so läßt sich die Vers*?.r!tungsrichtung durch Umschalten der Betriebsspannungen ebenfalls umschalten. Bei der Anordnung nach Fig. I diener zum Umschalten der Betriebsspannung Ub die beiden gemeinsam betriebenen, zwei Schaltstellungen A und B aufweisenden Umschalter 2 und 3. Das Gate des Transistors 1 liegt in beiden Schalterstellunger, A und B auf gleichem Gleichspannungspoter.tial, da dieses zwischen den beiden Widerständen 4 und 5 abgenommen wird. Den als Drrvin bzw. Source wirksamen Elektroden wird die Eetriebsgleichspannung über die beiden Wechselspannungsdrosseln 6 und 7 zugeführt. Zur Gleichspannungsentkopplung sind noch die Kondensatoi en 8,9 und 10,11 vorgesehen. Der Eingangswiderstand ist in beiden Verstärkungsrichtungen mit Re und der Ausgangswiderstand mit HA bezeichnet.
In Pig. 2 ist das Schaltbild einer dreistufigen Verstärkerkette mit umschaltbarer Verstärkungsrichtung unter Verwendung überkritisch gekoppelter Bandfilter zwischen den Stufen dargestellt. In einem mehrstufigen Verstärker ergibt sich das Problem, den hochohmigen Ausgangswiderstand Ra einer Stufe in den niedrigen Eingangswiderstand Rr der folgenden Stufe für beide Verstärkungsrichtungen zu transformieren. Die Bedingung gleicher Transformationen für beide Verstärkungsrichtungen läßt sich durch die Verwendung symmetrischer AnpaDvierpole erreichen und der Alisgangswiderstand Ra in den Eingangswiderstand R/ transformieren, wenn der Vierpolwellcnwidcrstand
Zw = I R4 R1
ist und die Vierpolphase θ = 90" beträgt. In der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 ist sowohl zwischen die erste und die zweite Stufe als auch zwischen die zweite und die dritte Stufe ein als solches Transformierglied wirkendes überkritisch gekoppeltes Bandfilter 12 eingeschaltet. Jedes dieser beiden Bandfilter 12 besteht aus zwei Paraüelresonanzkreisen mit den Elementen L und C sowie einem Koppelkondensator Ck zwischen diesen beiden Kreisen. Wählt man bei einem solchen symmetrischen Bandfilter 12 und beidseitigem Abschluß mit dem Widerstand Ra den Kopplungsfaktor
K =
RA_
so ist es für diesen Abschluß überkritisch gekoppelt und transformiert den Widerstand Ra in den Widersland Rr entsprechend
zeigt das Schaltbild einer solchen in der Versiärkungsrichtung umschaltbaren Mischstufe, das weitgehend mit demjenigen der Verstärkerschaltung nach Fig. I übereinstimmt. Es wird lediglich auf die Basis bzw. das ϊ Gate des Feldeffekttransistors 1 von einem Schwingungserzeuger 13 eine Oszillatorspannung Um,gegeben und dem Emitter bzw. der Source die Eingangsfrequen/ f\ zugeführt, während man am Kollektor bzw. am Drain des Transistors 1 die gewünschte Mischfrequenz f2
κι auskoppelt. Wenn die Umschalter 2 und J umgeschaltet werden, arbeitet die dargstelltc Mischstufe umgekehrt el. h. die Frequenz i\ ist dann nicht mehr die Eingangsfrequenz, sondern die Ausgangsfrequenz, und die Frequenz /j ist die Eingangsfrequenz. Die dargestell-
ii te Mischstufe arbeitet als Aufwärtsmischer, wenn die Frequenz f\ die Eingangsfrequenz fc,„ ist und die Ausgangsfrequenz 4,,, durch die Frequenz f2 = /i + /",„, gebildet wird. Dagegen arbeilet die Mischstufe als Abwärtsmischer, wenn die Eingangsfrequenz /",.,„= 6 ist
.'Ii da dann die Ausgangsfrequenz flm = /j — f„„ = /] ist Dabei werden im allgemeinen der Eingangswiderstand RcM \ und der Ausgangsv/iderstand R,m\ der Mischstufe nach dem Umschalten de? Verstärkungsrichtung nicht mit dem Eingangswiderstand RC2 und dem Ausgangs-
>-, widerstand R»2 der anschließenden Verstärkerstufe übereinstimmen. Hier läßt sich für beide Verstärkungsrichtungen eine Leistungsanpassung ohne Verluste dadurch erreichen, daß ein unsymmetrisch ausgebildetes Vierpol-Netzwerk vorgesehen ist, dessen Vierpol-WcI-
«ι lenwiderstand in der einen Richtung
7 — l/j? · B
£-w\ — '"«Ml "VMl ·
dessen Vierpol-Wellenwiderstand in der anderen j) Richtung
Die übrigen Schaltungselemente in der Schaltung nach Fig.2 stimmen mit denjenigen Elementen nach der F i g. I überein, welche mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. Je nach der Stellung der Umschalter 2 und dessen Vierpol-Phase θ».=90° beträgt, wobei Rcm\ der Eingangswiderstand einer Mischstufe, R1M \ der Ausgangswiderstand dieser Mischstufe, /?r2 der Ein-
von rechts nach links als Verstärker.
Einfache, für eine Widerstandstransformation verwendbare und für eine Realisierung interessante Vierpole sind außer dem beschriebenen überkritisch gekoppelten Bandfilter beispielsweise noch λ/4-Leitungen mit einem Wellenwiderstand
Z/. = \ Ra Re-
Anstelle einer tatsächlichen Leitung läßt sich auch eine Leitungsnachbildung aus Induktivitäten und Kapazitäten verwenden. Als Anpaßvierpol verwendbar sind auch symmetrische Tt- und T-Schaltungen. Hiervon ist wegen der einfachen Betriebsspannungszuführung eine ,T-Schaltung mit Induktivitäten als Querglieder und einer Kapazität als Längsglied von besonderem Intresse. Die Anpassung läßt sich allerdings nur mit Bandpaßcharakteristik erreichen. Bei dem gewählten symmetrischen Aufbau ergibt sich für beide Verstärkungsrichtungen die gleiche Mittenfrequenz. Verwendet man unsymmetrische Anpaßschaltungen, so lassen sich unterschiedliche Mittenfrequenzen für beide Verstärkungsrichtungen erzielen.
Neben diesen Geradeausverstärkem lassen sich nach dem Prinzip der Erfindung auch Mischstufen aufbauen, deren Verstärkungsrichtung umschaltbar ist. Fig.3 umgekehrter Betriebsrichtung) der anschließenden Verstärkerstufe ist und die Bedingung
gilt. Läßt man in den Anpaßschaltungen Verluste zu, so
so lassen sich prinzipiell beliebige Kombinationen von Eingangs- und Ausgangswiderständen anpassen. Hierzu kann man durch Parallel- bzw. Serienschaltung von Widerständen zunächst gleiche Verhältnisse der Ausgangs- und Eingangswiderstände der beiden anzupassenden Stufen erzielen und anschließend mit einem unsymmetrischen Vierpol Anpassung für beide Verstärkungsrichtungen erreichen. Dabei werden zwar die Verluste mit zunehmender Abweichung der Widerstandsverhältnisse ebenfalls zunehmen. Vorhandene Blindkomponenten der Eingangs- und Ausgangswiderstände bzw. -leitwerte lassen sich in den Anpaßvierpolen berücksichtigen. Verwendet man derartige Anpaßschaltungen in den Geradeausverstärkerstufen so entfällt die eingangs der Beschreibung gemachte
Einschränkung auf symmetrische Dotierung der Halbleiterelemente bzw. auf symmetrischen Aufbau.
Als gewisses Problem stellt sich die Anpassung des Verstärkers am Eingang und am Ausgang auf einem
konstanten Widerstand für beide Verstärkungsrichtungen oder die Anpassung an Baugruppen im Verstärkerzug, welche gleiche Eingangs- und Ausgangswiderstände besitzen, beispielsweise Quarzfilter, dar. Diese Anpassung läßt sich mit der vorstehend beschriebenen Methode nicht ohne weiteres durchführen, da bei exakte* Anpassung die Dämpfung wegen des Widerstandsverhältnisses von 1 gegen °o geht. In diesem Fall müßte man Fehlanpassung zulassen. Man kann jedoch schaltbare Elemente in den Transformationsschaltungen vorsehen, wobei Halbleiterdioden zur Umschaltung dieser Elemente verwendet werden können. Die Schaltspannungen für diese Diode lassen sich in einfacher Weise aus den Betriebsspannungen ableiten, die bei der Umschaltung der Verstärkungsrichtung ebenfalls umgeschaltet werden. Die Anpassung des niedrigen Eingangswiderstandes Re und des hochohmigen Ausgangswiderstandes R* an einen konstanten Widerstand läßt sich z. B. durch Umschaltung des Koppelfaktors eines Bandfilters erreichen.
In Fig.4 ist das Blockschaltbild eines FM-Sender/ empfängers dargestellt, der in Abhängigkeit von der Einschaltung der jeweiligen Verstärkungsrichtung entweder als Sender oder als Empfänger arbeitet. Auf eine an einer Antenne liegende, verstärkungsrichtungsmäßig umschaltbare Hochfrequenz-Vorstufe 14 folgt eine von einem Oszillator 15 betriebene, ebenfalls hinsichtlich ihrer Verstärkungsrichtung umschaltbare Mischstufe 16, an welche ein hinsichtlich der Verstärkungsrichtung umscadltbarer Zwischenfrequenz-Verstärker 17 angeschlossen ist. Diesem Zwischenfrequenz-Verstärker 17 folgt ein phasengeregelter Oszillator für Frequenz- und Phasenmodulation, welcher aus einem Phasendiskriminator 18, einem spannungsgeregelten Oszillator 19 (VCO) und einem Tiefpaß 20 zusammengesetzt ist. Es handelt sich bei diesem phasengeregelten Oszillator um einen Demodulator, der sich ebenfalls als Modulator verwenden läßt. Am Ausgang des Tiefpasses 20 kann je nach der eingeschalteten Verstärkungsrichtung ein niederfrequentes Ausgangssignal an der Klemme 21
an der Klemme 22 zugeführt werden.
Fig. 5 zeigt das Blockschaltbild eines ähnlich arbeitenden Einseitenband-Sender/Empfängers, der ebenfalls in Abhängigkeit von der jeweiligen Verstärkungsrichtung entweder als Sender oder als Empfänger arbeitet. An eine verstärkungsrichtungsmäßig umschaltbare, an einer Antenne liegende Hochfrequenz-Vorstufe ) 23 ist eine Mischstufe 24 angeschlossen, welche von einem Oszillator 25 betrieben wird und ebenfalls bezüglich ihrer Verstärkungsrichtung umschaltbar ausgelegt ist. Der Mischstufe 24 folgt ein hinsichtlich der Verstärkungsrichtung umschaltbarer Zwischenfrequenz-Verstärker 26, an welchen ein Einseitenbandfilter 27 angeschlossen ist. Als Demodulator bzw. als Modulator in der anderen Verstärkungsrich;ung dient ein an einem geregelten Oszillator 28 angeschlossener Ringmischer 29 für Einseitenband- und Amplitudenmo-
i"i dulation. Dem Ringmischer 29 kann je nach Verstärkungsrichtung an einer Klemme 30 ein niederfrequentes Ausgangssignal abgenommen oder ein niederfrequentes Eingangssignal zugeführt werden. Es iäBi sich demnach mit Schaltungen, deren Verstärkungsrichtung umschaltbar ausgelegt ist, ein Empfänger mit Frequenzumsetzungen, Selektionsmitteln und Demodulator aufbauen, der nach Umschaltung der Verstärkungsrichtung als Sender ein moduliertes und in der Frequenz umgesetztes Signal über die nun als Leistungsverstärker
r> arbeitende Hochfrequenzvorstufe 23 an die Antenne abgibt.
Eine andere Art einer Sende/Empfangsstation unter Verwendung eines umschaltbaren Verstärkers nach der Erfindung ist in Blockschaltbildform in F i g. 6 darge-
s« stellt. Es handelt sich hierbei um einen sogenannten Repeater (Widerholer), d. h. um eine Station, die ein empfangenes Signal verzögert wieder als Sendesignal in verstärkter Form abgibt. Zu diesem Zweck ist an eine Antenne 31 ein hinsichtlich seiner Verstärkungsrichtung
)■> umschaltbarer Verstärker 32 angeschlossen, dem eine Verzögerungseinrichtung 33 nachgeschaltet ist. Vom empfangenen und verzögerten Signal wird über eine Diode 34 ein monostabiler Multivibrator 35 angestoßen, der den Verstärker 32 für eine bestimmte Zeit von der Empfangsrichtung in die Senderichtung umschaltet.
WährpnH Η'<?«ργ 7eit läuft Ha« reflektierte (Reflexionsfaktor r« 1), empfangene Signal über die Verzögerungsleitung 33 zurück, wird im Verstärker 32 verstärkt und über die Antenne 31 wieder abgestrahlt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Wechselspannungsschaltung mit mehreren in Basis-(Gate-)SchaItung betriebenen Halbleiterver-Stärkerelementen, deren Verstärkungsrichtung jeweils erst durch das Anlegen von bestimmten Spannungen festgelegt und damit durch Änderung dieser Spannungen umschaltbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß für die Emitterelektrode (Source) und für die Kollektorelektrode (Drain) der einzelnen in Basis-(Gate-)SchaItung betriebenen Halbleiterverstärkerelemente (1) eine Betriebsgleichspannungszuführung vorgesehen ist, die untereinander umschaltbar ausgebildet ist, und daß die Halbleiterverstärkerelemente stufenartig unter Zwischenschaltung von jeweils eine Vierpol-Netzwerk (12) mit Bandpaßcharakter, das für beide Verstärkungsrichtungen den jeweiligen Ausgangswiderstand einer Stufe in den Eingangswiderstand der betriebsrichtungsmäßig nachfolgenden Stufe transformiert, in Kette geschaltet sind.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Vierpol-Netzwerk symmetrisch ausgebildet ist und einen Vierpolwellenwiderstand von
zw = YrTK
DE19762646035 1976-10-12 1976-10-12 Wechselspannungsschaltung mit mehreren in Basis-(Gate-) Schaltung betriebenen Halbleiterverstärkerelementen Expired DE2646035C3 (de)

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DE2646035A1 DE2646035A1 (de) 1978-04-20
DE2646035B2 DE2646035B2 (de) 1979-05-23
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4342968A (en) 1979-04-27 1982-08-03 Siemens Aktiengesellschaft Alternating voltage amplifier circuit having a plurality of semiconductor amplifier elements operated in a grounded gate or grounded base configuration

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DE102012112426A1 (de) 2012-12-17 2014-07-03 Rolf Lücke Vorrichtung zur Anordnung von Fensterscheiben auf Fensterrahmen

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DE2646035A1 (de) 1978-04-20
DE2646035B2 (de) 1979-05-23

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