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DE2508651A1 - Verfahren zur herstellung von koerpern aus einem schmelzbaren kristallinen material, insbesondere halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes band aus diesem kristallinen material hergestellt wird, und durch dieses verfahren hergestellter koerper - Google Patents

Verfahren zur herstellung von koerpern aus einem schmelzbaren kristallinen material, insbesondere halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes band aus diesem kristallinen material hergestellt wird, und durch dieses verfahren hergestellter koerper

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Publication number
DE2508651A1
DE2508651A1 DE19752508651 DE2508651A DE2508651A1 DE 2508651 A1 DE2508651 A1 DE 2508651A1 DE 19752508651 DE19752508651 DE 19752508651 DE 2508651 A DE2508651 A DE 2508651A DE 2508651 A1 DE2508651 A1 DE 2508651A1
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DE
Germany
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silicon
crystalline
fusible
melt
crystal
Prior art date
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Application number
DE19752508651
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English (en)
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DE2508651B2 (de
DE2508651C3 (de
Inventor
Jean Jacques Lucien Em Brissot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2508651A1 publication Critical patent/DE2508651A1/de
Publication of DE2508651B2 publication Critical patent/DE2508651B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2508651C3 publication Critical patent/DE2508651C3/de
Expired legal-status Critical Current

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    • C30B15/08—Downward pulling
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Description

Pin·71 _2i!JL GöNm'-H '"- ·\Λ' j J 2/».2.75
AnvekV: ".V. i-«.L-/j UU-LiLAKFt
Ak,-ei PHF-74.519
Angelder ς von» 27· Febr. 1975
"Vorfahren zur Herstellung von Körpern aus einem schmelzbaren kristallinen Material, insbesondere Halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes Band aus diesem kristallinen Material hergestellt, wird, und durch, dieses Verfahren hergestellter
Körper.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Körpern aus einem schmelzbaren kristallinen Material f bei dem aus geschmolzenem Material ein ununterbrochenes kristallines Band dieses Materials hergestellt wird.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich
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PHF 7'^
2h.'Λ.
weiterhin auf einer. Körper aus einem schmelzbaren kristallinen Material, dor durch Anwendung dieses Verfahrens erhalten ist.
. ' Bekanntlich werden plattenförmig« Körper aus verschiedenen schmelzbaren kristallinen Matearialien, vorzugsweise in einkristall iner Forin, für verschiedene Zwecke angewendet, z.B. plattenfönnige Körper aus Halbleitermaterial, ■ insbesondere Germanium und Silicium, und aus verschiedenen oxidischen Materialien, die z.B. als Substrat für eine Halbleiterschicht oder eine Schicht aus einem Material dienen, in dem magnetische "Bubbles" erzeugt werden können.
Derartige plattenfönnige Körper werden im allgemeinen durch Sägen stabföxmiger Einkristalle hergestellt. Es wurde jedoch auch vorgeschlagen, plattenförmige Halbleiterkörper aus einem bandförmigen verzwilliiigten Kristall in Form eines ununterbrochenen Bandes dadurch herzustellen, dass mit erhöhter Geschwindigkeit ein auf geeignete Weise orientierter verzwillingter Keimkristall aus einer unterkühlten Schmelze aufgezogen wird. Derartige Verfahren sind sowohl für Germanium als auch für Silicium bekannt. Aus derartigen bandförmigen Kristallen können plattenförrnigr Halbleiterkörper mit viel geringerem Matiarialverlxist als beim Sägen eines
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PiIF
α inlet·.' η ί all irioji Stabes erhalt im worden . IiiKhesoiidcre, wenn gx ortfri'l äehi .ge IIalb.1 ei! oranordnungon hergestellt worden sollen (wie Sonneiia'ellen aus Silicium) , kann die lie r.^ (eil ung bandförmiger Einkristalle vorteilhaft κ 'in. Derartige Sonnenhellen, zu Sonnebatterien zusaraiDPiigobaut, havon sich vor allem bei der Raiiraf orrpchun^, bei der die Sivrora\rei'sor^mg der Satelliton zu einoni viosoiitlichen Teil mittels derartiger Sonnenhellen erfolgt, als nützlich erwiesen,
Das übliche Verfahren zur Herstellung einkx'us till linen Silieiums in dünnen Scheiben für die Herstellung einer Sonnenbatterie aus durch Aufziehen erhaltenen zylindrischen Silieiumeinkristallen, bei dem diese Einkristalle in Scheiben gesägt und diese Scheiben auf mechanischem Wege und dann auf chemischem Wege poliert werden, ergibt einen Materialvez^-lust -von mehr als 50 °ß> des Einkristalls, von dem ausgegangen wird. Aus diesem Grunde wäre die Herstellung von Silicium in Form eines ununterbrochenen Bandes mit Hilfe eines geeigneten Anwachsverfahrens zu bevorzugen. Ein anderes Verfahren zur Herstellung langgestreckter Einkristalle mit der gewünschten Querschnittsform, z.B. in Form eines ununterbrochenen Bandes, ist in der britischen Patentschrift 1.2Ο5·5^ι beschrieben. Nach diesem Verfahren lässt man einen langgestreckten einki-istallinen Kristall
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— 'ι —
ΓΙ IF 7'(5"
bestimmten Querschnittes mit Hilfe eines Keimkristalls anwachsen, der mit einem Flüssigkeitsfilm in Kontakt gebracht wird, der die obere Fläche eines Elements mit einer die gewünschte Quex\schnlttsf orm aufweisenden Oberfläche bedeckt. Dieses Element wix'd in einem Tiegel angebracht, der mit dem geschmolzenen -pol}'-kristallinen Material gefüllt ist, von dem ein langgestreckter Kristall hergestellt werden soll. Das Element ist mit einem Spalt versehen und aus einem Material hergestellt, das mit dem geschmolzenen Material benetzt werden kann. Der Tiegel wird erhitzt, während das geschmolzene Material durch Kapillarwirkung in den Spalt eindringt und hinaufsteigt und erscheint auf der Oberseite des genannten Spaltes erscheint, wo es einen dünnen Flüssigkeitsfilm bildet, in dessen Nähe der Keimkristall aus dem genannten Material angeordnet wird. Dann bildet sich zwischen dem genannten dünnen Film und dem Krimkristall eine Schmelzzone. Dadurch, dass der Krimkristall aufgezogen wird, wird dann ein langgestreckter Einkristall aus dem genannten Material mit der gewünschten Querschnittsform, z.B. in Form eines Bandes, ange^- wachsen» Die Lieferung polykristallinen Materials muss die aufgezogene Materialmenge ausgleichen, die an dem Keimkristall anwächst, damit der Kristall einen praktisch gleichmässigen Querschnitt erhält
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ΡΛ.2.75
und elin? Un tei'breclmiig in dem Anvachsvorgang des Kristalls vermieden wixxl.%
Dieses Verfahi'cm weist Nachteile auf, insbesondere wenn die Herstellung bandförmiger Einkristalle beabsichtigt wird«,
An erster Stelle basiert das Verfahren auf dem Prinzip der Kapillarwirkung, nach dem das Silicium in dem in dem Schmelzbad angebrachten Spalt allmählich hinaufsteigt. Daraus ergibt sich eine der Form und der Dicke des aufgezogenen Bandes aus eiiikristallinem Silicium gestellte Grenze.
Weiter erstarrt die Schmelz im Bad, wenn die Erhitzung des Tiegels unabsichtlich unterbrochen wird, wodurch mechanische Spannungen auftreten können, insbesondere wenn dabei, wie im Falle von Silicium,-das Volumen vergrossert wird. Dabei kann die verwendete Anordnung beschädigt werden und kann Materialverlust auftreten.
Ein anderer Nachteil besteht darin, dass die Schmelze während langer Zeit mit der Wand des verwendeten Schmelztiegels (z.B. Siliciumoxid im Falle von Silicium) in Kontakt bleibt, wobei dieser Kontakt langer Dauer die Aufnahem unerwünschter Verunreinigungen in das Schmelzbad mit sich bringen kann.
Weiter macht das Anwachsen aus einem
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PHF 7'(j!ο 2-Ί.2.
Schmelzbad die Anwendung: einer verbaltniamässig grossen Materialmenge notwendig, wodurch bei e Fehlern im Vorgang1 ein kos t„,.-spieJ iger Matorialverlust auftreten kann.
Die vorliegende Erfindung bezweckt u.a., einem oder mehreren dieser verschiedenen Nachteile entgegenzukommen. Nach der Erfindung ist ein Vorfahren zur Herstellung von Körpern aus einem schmelzbaren kristallinen Material, bei dem aus .geschmolzenem Material ein ununterbrochenes kristallines Band des' Materials hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass man das geschmolzene Material über mindestens eine Oberfläche eines erhitzten Elements, geeigneter Form fliessen lässt, wobei das Element wenigstens an der genannten Oberfläche aus einem Material besteht, das mit dem genannten geschmolzenen Material benetzt wird, dass unter der untersten Begrenzung der genannten Oberfläche und in geringer Entfernung von dieser Oberfläche ein Keim, vorzugsweise ein Keimkristall aus dem zu kristallisierenden Material, angebracht wird; dass der obere Teil des genannten Keimes mit der Schmelze benetzt wird, tind dass das kristalline Band dadurch gebildet wird, dass der Keim weggezogen wird.
Das Verfahren kann nach einer bevorzugten
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PHF 7^519 2*1.2.75
Ausführung^farm zur Herstellung- bandförmigen Halbleitermaterials, insbesondere Silicium, verwendet wei*- den.
Die angewandte Atmosphäre kann mindestens ein Edelgas, wie Argon oder Helium, enthalten, dem eine bestimmte Menge Wasserstoff zugesetzt sein kann. Es ist auch möglich, im Vakuum zu arbeiteno
Die untere Begrenzung der Oberfläche des erhitzton Elements, über das die Schmelze fliesst, ist vorzugsweise geradlinig und verläuft vorzugsweise waagerecht« Das Element, über das die Schmelze fliesst, kann nach einer bevorzugten Ausführungsform die Form eines Messers, insbesondere eines Waagemessers, oder nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsforra die Form einer Platte mit parallelen oder nahezu parallelen Flächen aufweisen.
Das Element soll im allgemeinen auf eine Temperatur erhitzt werden, die mindestens gleich der Schmelztemperatur des kristallinen Materials und vorzugsweise nicht viel höher als diese Schmelztemperatur ist.
Je nach der gewünschten Dicke des zu erhaltenden Bandes aus dem kristallinen Material wird vorzugsweise eine geeignete Dicke des unteren Teiles des erhitzten Elements, über das die Schmelze fliesst, eingestellt. Diese Dicke kann gegebenen-
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PHP 7!· 5
falls 2v.isclj.en einigen Zehner Miki ons und einigen Millimet oi'n liegen.
Vorzugsweise wird ein flacher KeimkristalJ benutzt.
Der Abstand zwischen dem iinieron Teil der Fläche, über die das geschmolzene Material fliesst, und dem oberen Teil des Keimkristalls wird in abhängigkeit von der gewünschten Dicke des gezogenen kristallinen Bandes gewählt. Auch die Geschwindigkeit, mit der der Keim v/eggezogen wird, übt einen gewissen Einfluss aus. Venn mit zxx grosser1 Geschwindigkeit weggezogen wird, tritt die Gefahr von Bruch beim Anwachsen des.kristallinen Bandes auf. Das Herabziehen eines Siliciumeinkristalls erfolgt vorzugsweise mit einer Geschwindigkeit ir. der Grössenordnung von einigen Millimetern pro Minute.
Es ist wünschenswert, dass das Element auf geeignete Weise, vorzugsweise durch Hochfrequenz er-hitzung oder Erhitzung durch Str'ahlung, erhitzt werden kann.
Das Element besteht, wenigstens an der Oberfläche, über die Material fliesst, vorzugsweise aus einem feuerfesten Werkstoff, der neben der Eigenschaft, dass er mit dem geschmolzenen Material benetzt werden kann, die Eigenschaft aufweist, dass er gegen die Einwirkung des geschmolzenen Materials
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VUP 7h5 2h.2.75
bes i äiici.i.(-·■ isl .
Der genormte feuerfeste Works fcofi' 1st insbosojidoro bei Anwoudung geschmolzenen Slllciuras vor-/uf;sh'cist; aus der durch Kohlenstoff, z.B. pyrolytiHchpi") Kühlonstoi'f, Siliciumcarbici (Sie) und Titancairbid (TiG) gebildeten Klasse gewählt.
Auch kann das Element aus einem feuerfesten elektrisch leitenden Kern bestehen, der in.it einer dünnen Schicht eines feuerfesten, nichtleitenden oder hochohniigen Materials überzogen ist, das eine hohe Beständigkeil- gegen die Einwirkung des geschmolzenen Materials -aufweist. Vorzugsweise wlxxl daa Material für diese dünne Schicht aus der durch Siliciumnitrid (Si N^) und sehr reines Siliciumcarbid (SiC), z.B. Halbleitergüte, gebildeten Klasse gewählt.
Das erhitzte Element kann auf verschiedene' Weise mit dem Ausgangsmaterial für das kristalline Material versehen werden. Nach einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt diese Lieferung von einem festen schmelzbaren Material aus, das auf die Schmelz tempera tiir gebr'acht wird. Das schmelzbare Material kann nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform durch Ablagerung auf dem erhitzten Element von mindestens einer Verbindung des Bestandteiles (der Bestandteile) des schmelzbaren Materials
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PHP 7 ο-μ;·
«) ι— -
.1 . /j
aus hergestellt werden. Zur Ablagerung von Silicium kommen geeignete Silanverbiiidungeii in Betracht. Nach einer bevorzugten AusführurigsTorrn wird Zersetzung von Silan angewandt. Nach eiiior weiteren bevorzugten Ausführungsform werden zu diesem Zweck Chlorsilane mit Hilfe von Wasserstoff reduziert,
Bei dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung· kann die Menge der Schmelze zu jedem Zeitpunkt vex^hältnismässig gex'ing sein, was eine nur geringe elektrische Leistung der gebrauchten Anlage erfoi'dert.
Ein zweitei? Vorteil ist dex·, dass das Verfahren im allgemeinen zu jedem Zeitpunkt nahezu ohne Schwierigkeiten gestoppt werden kann, wobei die verwendete Anlage derart eingerichtet sein kann, dass eine Abkühlung nicht zu Bruch derjenigen Teile der Anlage führt, die mit dem geschmolzenen Material in Berührung sind.
Weiter erfolgt das Ziehen des Kristalls von oben nach unten. Das Ziehen wird dabei, im ,Gegensatz zu den bishei' angewandten Verfahren, durch die Schwerkraft erlexchtez't.
Es sei noch ubemerkt, dass der untere Teil des erhitzten Elements nicht notwendigerweise geradlinig zu sein bx'aucht. Wenn dieser untere Teil in der Tat geradlinig ist, ist das erhaltene Band flach.
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2h. 2.75
.Ί.η anderen Fällen erhält das Band eine Forin mit einem Querschnitt-, der der Fonii des untoron Endes des erhitzten Elemonts ent spx'iclri.. Das untere! Ende kann grundsätzlich eine geschlossene Kurve bilden, wobei der bandförmige Ki1Istall die Gestalt eines Rohres erhalten kann.
Einige Ausführungsformen der Erfindung
sind in der Zeichnung dargestellt und.werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Figuren la und 1b aufeinanderfolgende
Stufen einer ersten Ausfülirungsforra des erfindungsgemässen Verfahrens, und zwar eine Stufe in der Anfangsphase des Kristallwachstums und eine Stufe einige Zeit später,
Fig. 2 eine zweite Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung,
Fig. 3 perspektivisch ein messerförmiges erhitztes Element, wie es bei dem Verfahren nach der Erfindung nach den Figuren 1a und 1b verwendet wird,
Fig. *t verschiedene Beispiele messerförmiger erhitzter Elemente in senkrechtem Schnitt, wie sie bei dem Verfahren nach der Erfindung verwendet werden können, und
Fig. 5 perspektivisch ein erhitztes Element in Form eine Platte mit geneigten Flächen, die einen kleinen Winkel miteinander einschliessen,
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3'ΠΓ 7'ί τΤ
gleichfalls κχι,ι Anwendung bei dom crf.indimgsgemäi-.-on Vorf aliren.
Der Einfachheit und dor Deutlichkeit halber sind in dem verschiedenen Figm-en entsprechende Teile mit den gleichen Dczugsziffein bezoichnot.
Xn den Figuren 1a und lh ist ein erhitztes Element 1 in Form eines Viaagemessers dargestellt, dessen unteres Ende mit 2 bezeichnet ist. Festes
Silicium^ z.B. in Form von Körnern oder von sich
in Richtung der PJTeile F. ex· s treck enden Silicium—
stäben vird mit der dem unteren Teil 2 gegenüber
liegenden Oberfläche 3 i" Kontakt gebracht.
Das genannte Silicium wird dur~c.li geeignete Erhitzungsmittel, z.B. Hochfrequenzerhitzungsmittel, erhitzt, welche Frhitzungsmittel nur symbolisch mit 6 bezeichnet sind. Die Versuche werden \rorzugsweise in einer Atmosphäre eines Edelgases, wie Argon oder He3.ium, ,durchgeführt. Das flüssige Silicium fliesst über das genannte Element 1, dessen Oberfläche mit
der Schmelze benetzt wird, und gelangt an den unteren Teil 2 des Elements 1. Ein flacher Keimkristall aus Silicium wird in geringer Entfernung von dem genannten Teil 2 angeordnet. Es bildet sich eine Schmelzzone 5 zwischen dem genannten Teil 2 und dem flachen Keimkristall h (siehe Fig. 1a).
Wenn zu einer gleichniässiggn Verschiebung
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PHF 7-Ί=3 S'*. 2.
( öd OJ- ο .in οι» g.'i e:i chmr\. ■.:.;.igen Ziehen) in Richtung des Pf oil es F üborgogci.ngon wird, wird an dem Keimkris-■fca.i.J. h aus Silicium al I ruähl ich ein vuiimtorbt'ochonos }j;iiid 7 au;--i elukrlstnllinom ,Silj.ciiim angewachsen (siehe Fig. Ib) .
Flg. 2 zeigt in einer zweiten Ausfülutuigsform eine Stufe des Anwachsens eines bandförmlgon SiJiciumkriskalis, welche Stufe mit der in Fig. 1b dargestellten Stufe vergleichbar ist. Nach dieser Ansführungsforni findet die Lieferung von Silicium von gasföimigen Verbindungen aus stai-t. Die Räume, die mit I und II bezeichnet sind, sind voneinander durch eine gasförmige oder· feste Abschirmung getrennt, die scheniatisch mit 8 bezeichnet ist. Vonn die Abschirmung foat ist, braucht sie nicht mit dem οχΊιχΙζten Element in Kontakt zu sein. Ein Zwischenraum kann "vorhanden sein, in dem ein geeigneter Gasumlauf auf !"echterhalten wird. Die Reaktion, die das Erhalten von Silicium ermöglicht, erfolgt in dem Raum I. Durch geeignete Zuführungsrohre wird z.B. Chlorsilan zugeführt, dass in der Nähe des Elements mit Hilfe von Wasserstoff reduziert wird. Das so gebildete und geschmolzene Silicium fliesst über das Element 1, während der durch die Reaktion gebildete Chlorwasserstoff abgeführt wird. Die Abschirmung 8 ermöglicht es, den genannten Chlorwasserstoff von
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dor YorzugHatmoüphüro au.s Edelgas zu trennen, in der das Siliciumband anwächst .
Fig. 3 zeigt; porspck i tvisch «in mosperfürmigey erhitztes Element. Dor untere Teil 2 weist eine geringe Dicke auf. Auf dem oberen Teil 3 kann polykristallines Silicium abgoltigert werden.
In Fig. ^t sind im Schnitt verschiedene mögliche erhitzte lnosserfürmige Elemente dargestellt. Sie enthalten einen praktisch waagerechten Teil 3 zur Aufnahme von Silicium und einen unteren Teil 2 geringer Dicke, von dem aus, dank dem Vorhandensein eines einkristallinon Keimes, ein bandförmiger Kristall gezogen worden kann. Die Elemente können massiv oder hohl sein.
. Schliessllcli zeigt Fig. 5 ein erhiztes Element, das die Form einer Platte mit nicht-parallelen, deutlich schräg angeordneten Flächen aufweist. Auch ist es möglich, eine Platte mit parallelen, geneigten oder senkrechten Flächen anzuordnen, übex* die die Schmelze fliessen kannt Nach Fig. 5 wird die Schmelze über die Fläche 30 fliessen unxi diese Oberfläche benetzen. Durch. Benetzung kriecht die Schmelze weiter längs der Fläche 31 hinauf. Zwischen dem unteren Teil 2 und einem auf diesem Teil angebrachten flachen. Keimkristall h wird eine Schmelzzone 5 gebildet. Dadurch, dass.der Keim-
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VJIF 7h5
kr j s La 1.1 Η in Richtung dos Pfeiles Fv, Im rabgozogon wix'd,
v.äc-ljiil ein uinmtei'brocheiics Band ans einkristallinem Material, allmählich auf der Oborseitc des Keimkristal J s an.
Beim Fehlen eines einkristallinen Keimes kann ο j π Band aus polykristallinen! Silicium dadurch erhal teil worden, dass auf entsprechende Weise gezogon wird.
Auch ist- es möglich, andere Formen von Elementen zn verwenden, die mit geschmolzenem Silicium oder einem anderen Matei'ial benetzt werden können, während auch auf and ei* e .Weise das zu kristallisierende Material zugeführt werden kann, ohne ausserhalb dom Rahmen der Erfindung zu treten. Weiter können auch andere schmelzbare kristalline Materialien in Bandform im-Rahmen der vorliegenden Erfindung erbalr ton werden.
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Claims (1)

  1. I'gte 3 LtüJL1 2P r i'}£ll£.'·
    1, Vorfahren zur· Herstellung von Körpern aus einem schmelzbar en kristallinen Maiojrial, ■ boi dom aus geschmolzenem Material ein umintebrndienes kristallines Band dieses Materials hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass man das geschmolzene Material über mindestens eine.Oberfläche eines erhitzten Elements geeigneter Form fHessen lässt, wobei das Element wenigstens an der genannten Oberfläche aus einem Material besteht, das mit dem genannten geschmolzenen Material benetzt wird, dass unter der unteren Begrenzung der genannten Oberfläche und in geringer Entfernung von dieser Oberfläche ein Keim, vorzugsweise ein Keimkristall des zu kristallisierenden Materials, angebracht wird, dass der obere Teil des genannten Keimes mit der Schmelze benetzt wird, und dass das kristalline Band dadurch gebildet wird, dass der Keim weggezogen wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das kristalline Material aus einem Halbleitermaterial besteht.
    3· Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial atis Silicium besteht,
    't Verfahren nach einem der vorstehenden An-
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    J1IiT 7'ί "i 1r-
    .sjiiilciie , daduvrh g okviiuy -·ϊ clmo (;, dass die1 uiitnn-) Be — gi'on/.ung dor Obrr f läcl·.': ■> über dia die ,Schmelze; f J Jo SPt, geradl-i η j. g i t* i..
    5· Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gokonji^elolmet, dass die untere Begrenzung der Obcr-ri ficJie des Elements, libex1 die die SchiiK'lxe fliet-st, v/aag'^recht ist.
    6. Verfahren nach einem der vorstellenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Element, über das die Schmelze flieset, die Form eines Messers, insbesondere eines Vae'geinessers, aufweist.
    7. Verfuhren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Form des Elements, über das die Schmelze fliegst, die einer Platte mit parallelen oder nahezu parallelen Flächen ist.
    8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Element, über das die Schmelze fliesst, auf eine Temperatur gebracht wird, die etwas höher als die Schmelztemperatur des zu kristallisierenden Materials ist.
    9. Verfahren nach einem dex* vorstehenden Anspi^üche, dadurch gekennzeichnet, dass die gewünschte Dicke des Bandes aus dem kristallinen Material durch die Einstellung der Dicke des unteren Teiles des erhitzten Elements erhalten wird..
    10. Verfahren nach einem der· vorstehenden
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    1 111.' / ί J.·
    ?ί !ι5.·ί. τ;·
    Ansprüche, dadurch gekennzo Lehnet, dass der Keim flach, ist.
    11. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch geJrennzeichnot, dass das Z.i&heii dos kristall .in on Bandes mit einer Geschwind:! gkol t in der Grössenor-dnmig von einigen Milllmetex'n pro Minute erfolgt, wenn das Kristallmatorial aus Silicium bestellt.
    12. Verfahren nach einem der· vorstellenden Ansprüche, dadurch gekeimzeichnet, dass das Element wenj.gs tens an der Oberfläche, über die das geschmolzene Material fiio^si, -j.i-fi einem feuerfesten Werkstoff besteht, der- gegen die Einuij. kung des geschmolzenen MafceM'ialb !beständig ist,
    13· Verfahren nach Ansijruch 12, dadurch, gekennzeichnet ,·dass der feuerfeste Werkstoff aas der durch Kohlenstoff, Siliciumcarbid (SIC) und Titancarbid (TiC) gebildeten Klasse gewählt; wird. 14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13 j dadurch gekennzeichnet, dass das Slement atis einem feuerfesten leitenden Kern besteht, der mit einer dünnen Schicht aus einem feuerfesten, nichtleitenden oder höchohriiigeii Material überzogsn ist das eine hohe Beständigkeit gegen die Eimvirkung des geschmolzenen Materials aufweist.
    15· Verfahren nach Anspruch 14, dadurch, gekennzeichnet, dass die dünne Schicht des Elements aus
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    PIIF 7·') 5 I'
    einem Material der durch Siliciumnitrid (Si„N.) und sehr ioinos Siliciumcarbid (Sie) gebildeten Klasse bestehl-.
    16. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadtirch gekennzeichnet, dass die Lieferung der Schmelze von einem festen schmelzbaren Material her erfolgt, das auf die Schmelz temperatux' gebracht wird.
    17- Verfaliron nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das schmelzbare Material durch Ablagerung auf dem erhitzten Element von mindestens einer Verbindung des Bestandteiles (der Bestandteile) des schmelzbaren Materials aus hergestellt wii"d.
    18. .Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass Silicium durch Reduktion von Chlorsilan mit Wasserstoff geliefert wii"d.
    19. Verfahren nach Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, dass Silicium durch' Zersetzung von Silan geliefert wird.
    20. Körper aus schmelzbaren kristallinem Material, der durch Anwendung des Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche erhalten ist.
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