[go: up one dir, main page]

DE2424759A1 - Ueberstromschutzschaltung - Google Patents

Ueberstromschutzschaltung

Info

Publication number
DE2424759A1
DE2424759A1 DE2424759A DE2424759A DE2424759A1 DE 2424759 A1 DE2424759 A1 DE 2424759A1 DE 2424759 A DE2424759 A DE 2424759A DE 2424759 A DE2424759 A DE 2424759A DE 2424759 A1 DE2424759 A1 DE 2424759A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
base
electrode
collector
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2424759A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2424759B2 (de
Inventor
Arthur John Leidich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2424759A1 publication Critical patent/DE2424759A1/de
Publication of DE2424759B2 publication Critical patent/DE2424759B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/711—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/645—Combinations of only lateral BJTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Description

US Serial No. 363,599
Piled: May 24, 1973
RCA Corporation, Hew York. N. Y.. V.St.A.
Überstromschutzschaltung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Überstromschutzschaltung, insbesondere für Transistoren, mit einem Leistungstransistor und einem Hilfstransistor, deren Basiselektroden miteinander verbunden, deren Emitterelektroden an eine gemeinsame Klemme angeschlossen und deren Kollektorelektroden über eine Verbindungs- oder Kopplungsschaltung gekoppelt sind.
Bei einer bekannten Überstromschutzschältung ist in die Emitterleitung eines Leistungsverstärker-Ausgangstransistors ein Stromabfühlwiderstand geschaltet. Die Spannung an diesem Widerstand steigt mit zunehmendem Emitterstrom des Ausgangstransistors an und kann dem Basis-Emitter-Übergang eines Hilfstransistors zugeführt werden, dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des Ausgangstransistors verbunden ist. Venn der Spannungsabfall am Stromabfühlwiderstand einen vorgegebenen Schwellwert überschreitet, wird der Hilfstransistor in den leitenden Zustand ausgesteuert und klemmt dann die Basis-Steuerspannung des Ausgangstransistors, wodurch der Strom in dessen Ausgangskreis begrenzt wird.
40985:1/0756
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Überstromschutz schaltung der eingangs genannten Art dadurch verbessert, daß eine Einrichtung, die ein einen Überstromzustand anzeigendes Signal liefert, wenn der durch die Kopplungsschaltung fließende Kollektorstrom des Hilfstransistors einen vorgegebenen Wert überschreitet, und eine vom Überstromsignal gesteuerte Klemmeinrichtung, die die Spannung zwischen der Basis- und Emitterelektrode des Leistungstransistors auf einen .vorgegebenen Wert klemmt, vorgesehen sind.
Bei der Überstromschutzschaltung gemäß der Erfindung sind also die Basis-Emitter-Übergänge des Leistungstransistors und des Hilfstransistors parallelgeschaltet. Man kann dadurch den kleineren Kollektorstrom des Hilfstransistors abgreifen und dadurch indirekt den größeren Kollektorstrom des Leistungstransistors. Wenn durch das indirekte Abgreifen festgestellt wird, daß der Kollektorstrom des Leistungstransistors dazu neigt, den zugelassenen Spitzenwert zu überschreiten, werden seine Basis- und Emitterelektroden geklemmt. Dies verhindert im wesent liehen einen weiteren Anstieg der Basis-Emitter-Spannung des Leistungetransistors und begrenzt die weitere Zunahme seines Kollektor-Emitter-Stromes.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, deren Figuren 1 und 2 jeweils einen Verbundtransistor mit einer Überstromschutzschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigen.
In Figur 1 ist ein nVerbund"-Transistor dargestellt, dessen Komponenten 10, 20, 25, 30 und 40 vorzugsweise in oder auf dem gleichen Halbleiterkörper gebildet sind. Es kann sich jedoch auch um individuelle, diskrete Bauelemente, insbesondere Transistoren, handeln.
Mit 10 ist ein Leistungstransistor bezeichnet, dessen Basis-, Emitter- und Kollektorelektroden mit der Basis-, Emitter- bzw. Kollektorklemme des Verbundtransistors verbunden
409851/0756
sind. Der Leistungstransistor 10 kann in der Praxis aus mehreren, parallelgeschalteten Einzeltransistoren bestehen.
. Dem Basis-Emitter-Übergang des Leistungstransistors 10 ist der Basis-Emitter-Übergang eines Hilfstransistors 20 parallelgeschaltet. Die Transistoren 10 und 20 sind thermisch miteinander gekoppelt.
Der Hilfstransistor 20, an dem die gleiche Basis-Emitter-Spannung V,™ wie am Leistungstransistor 10 liegt, tendiert in seinem Basis-Emitter-Übergang zu einer Stromdichte,die gleich der im Leistungstransistor 10 ist. Gibt man dem Basis-Emitter-Übergang des Hilfstransistors 20 eine Fläche, die um den Paktor K kleiner ist als die des Leistungstransistors 10, so ist der durch den Basis-Emitter-Übergang des Hilfstransistors 20 fließende Strom das 1/K-fache des den Basis-Emitter-Übergang des Leistungstransistors 10 durchfließenden Stroms. Der Emitterstrom des Hilfstransistors 20 ist also das 1/E-fache des Emitterstroms des Leistungstransistors 10.
Die Kollektorelektrode des Hilfstransistors 20 ist über ein Widerstandselement 25 mit der Kollektor-Klemme des Verbundtransistors verbunden. An dem Widerstandselement 25 tritt ein Spannungsabfall auf, der aufgrund des Ohmschen Gesetzes proportional zum Kollektorstrom des Transistors 20 ist. Da die Emitterströme der Transistoren 10 und 20 im Verhältnis K:1 stehen, haben die Kollektorströme das selbe Verhältnis. Das Widerstandselement 25 fühlt also praktisch 1/K-tel des Kollektorstromes des Leistungstransistors 10 ab. Da es nur einen Bruchteil des Kollektorstromes des Leistungstransistore 10 abfühlt, kann das Widerstandselement 25 den K-fachen Widerstands, wert eines Widerstandes haben, der den Kollektor- oder Emitter-Strom des Leistungstransistors 10 direkt abgreift,und trotzdem den gleichen Spannungsabfall erzeugen.
Das Widerstandselement 25 ist wegen seines größeren Widerstandswertes leichter mit den Transistoren 10 und 20 in der gleichen monolithischen Struktur integrierbar als ein Wider-
409851/0756
- H —
Standselement niedrigeren Widerstandes, da es auf einem HaIbleiterplättchen weniger Fläche beansprucht. Da sich das Widerstandselement 25 im Kollektorkreis eines Transistors befindet, kann es in der unter der Oberfläche liegenden Schicht oder "Taschen"-Zone hergestellt werden, die dazu verwendet wird, eine Verbindung hoher leitfähigkeit zwischen den verschiedenen Teilen der Kollektorzone zu bilden, was ebenfalls zur Einsparung von Schaltungsfläche beiträgt.
. Der Widerstandswert des Widerstandselements 25 wird so gewählt, daß der Spannungsabfall am Widerstandselement groß genug wird, um den Basis-Emitter-Übergang eines Transistors 30 in den Flußbereich vorzuspannen, wenn der KcQLektorstrom des leistungstransistors 10 einen vorgegebenen Stromwert überschreitet. Wenn der Transistor 30 derart vorgespannt wird, läßt er einen Strom zur Basiselektrode eines Transistors 40 fließen. Dieser Basisstrom spannt den Transistor 40 in den Flußbereich vor. Wenn der Transistor 40 leitet, klemmt er die Basisklemme und die Emitterklemme des Verbundtransistors zusammen. Dies verhindert bei Schaltungsanordnungen, in denen die Impedanz der nicht dargestellten, die Basis-Emitter-tibergänge der Transistoren 10 und 20 ansteuernden Steuersignalquelle nicht übermäßig niedrig ist. Da der Anstieg der Basis-Emitter-Spannungen der Transistoren 10 und 20 auf diese Weise begrenzt wird, findet auch eine Begrenzung des Anstieges der Ströme in den Transistoren 10 und 20 statt.
Bei niedrigen Werten der Kollektorströme der Transistoren 10 und 20 ist der Spannungsabfall am Widerstandselement 25 nicht groß genug, um den Basis-Emitter-Übergang des Transistors 30 in den Flußbereich vorzuspannen. Der Transistor 30 leitet dann nicht und läßt dementsprechend keinen Basisstrom zum Transistor 40 fließen. Der Transistor 40 leitet daher nicht und hat dementsprechend auch keinen Einfluß auf die Signale, die zwischen der Basis- und Emitter-Klemme des Verbundtransistors liegen.
In einer integrierten Schaltung wird ein pnp-Transistor,
409851 /0756
wie der Transistor 30, zweckmäßigerweise mit einer Lateralstruktur gebildet. Seine Kollektorkapazität ist genügend groß, um die dominierende Zeitkonstante in der Rückkopplungsschleife aus den Komponenten 20, 25» 30 und .40 zu bestimmen, wenn er, wie dargestellt, keinen kollektorwiderstand hat, oder einen Kollektorwiderstand ausreichend großen Widerstandswertes. Hierdurch wird das Problem vermieden, daß die Rückkopplungsschleife zu Störschwingungen bei !Frequenzen in der Nähe der oberen Grenzfrequenz des Transistors 20, 30 oder 40 neigt.
Die Prinzipschaltung gemäß Figur 1 läßt sich offensichtlich in der verschiedensten Weise abwandeln. So kann z.B. eine Transistorverstärkerstufe in Kollektorschaltung verwendet werden, um die Basis-Klemme des Verbundtransistors gegen Belastungen durch die Basiselektroden der Transistoren 10 und 20 abzuschirmen. Die Kollektorelektrode des in Kollektorschaltung arbeitenden Transistors kann mit der Kollektorelektrode des Transistors 10 oder des Transistors 20 verbunden werden. Der Transistor 40 kann beispielsweise durch eine Darlington-Schaltung ersetzt werden. Das Widerstandselement 25 kann eine Temperaturkompensationsdiode enthalten und der Transistor 30 kann beispielsweise mit einem Emittergegenkopplungswiderstand ver-
Ysrhältnis der Kollektorströme der Transistoren 10 und 20.kamm äureh. Einfügung @±bl©s Schaltüsgseleaentes geändert werdens das die Emitterelektrode ©in©® eier fo@iden Transistoren mit eier iMitter-lleraa© d©s Yerbradteansigtora koppelt oder durch Einschalten von Soh&li\m,gs®l,<sm.®nt®ns die in entsprechender ¥@is@" b@id© Emitt©r@l©ktroiä@a mit der Emitterklemme koppela. Diese Alternative ist in ä@r Praxis notwsaäig, wenn der Verbundtransistor aus diskretaa Kompoaaatea aufgebaut wird, da es dann wesentlich schwieriger istp die Betriebseigenschaften der Transistoren eng aneinander anzupassen und eine enge thermische Kopplung der Transistoren zu gewährleisten, was die Realisierung der Erfindung vereinfacht.
AO 98 5 1 /0756
— ο —
Figur 2 zeigt eine andere prinzipielle Ausführungsform der Erfindung. Wie bei der Verbundeinrichtung gemäß Figur 1 ist dem Basis-Emitter-Übergang eines Leistungstransistors 10 der Basis-Emitter-Öbergang eines Hilfstransistors 20 parallelgeschaltet. Der Kollektorstrom des Hilfstransistors 20 ist kleiner als der proportional zum. Kollektorstrom des Leistungstransistors 10. Der Kollektorstrom des Hilfstransistors 20 wird dem Eingang eines Stromverstärkers 50 zugeführt, dessen Ausgangskreis einen diesem Kollektorstrom proportionalen Strom liefert. Der Ausgangsstrom des Stromverstärkers durchfließt einen Widerstand 55.
Wenn der Kollektorstrom des Hilfstransistors 20 groß genug ist, übersteigt der Spannungsabfall am Widerstand 55 die Basis-Emitter-Offsetspannung eines Transistors 40 und steuert diesen Transistor in den leitenden Zustand aus. Wenn der Transistor 40 in den Flußbereich ausgesteuert ist, bewirkt er ein Klemmen der Basis-Emitter-Spannung der Transistoren- 10 und 20, wenn die der Basiselektrode des Verbundtransistors dargebotene Impedanz rieht so klein ist, daß diese Klemmwirkung verhindert wird. Das Klemmen der Basis-Emitter-Spannung der Transistoren 10 und 20 verhindert im wesentlichen einen weiteren Anstieg der Kollektor-Emitter-Ströme dieser Transistoren.
Der in Figur 2 beispielsweise dargestellte Stromverstärker 50 enthält einen in Emitterschaltung arbeitenden Transistor 52, dessen Stromverstärkungsfaktor gegen Schwankungen seines Emitter epannimgs-Torwärtsstromverstärkungsfaktor® h~ durch einen als
JL &
Mode geschalteten Transistor 51 stabilisiert wird^ der dem Basis-Emitter-Übergang äes Transistors 52 parallelgeschaltet ist,. Der Transistor 51 kann durcli and@s?© Halbleiterdioden ersstst werden vnä. dgr als Moo,® geschaltet© Transistor 54 oder die stattdessen verwendeten wirkungsgleichen Komponenten können mit einem Widerstandselement in Heihe geschaltet sein. Da der Stromverstärkungsfaktor des Stromverstärkers 50 nicht sehr gut gegen Schwankungen des h£ des Transistors 52 stabilisiert ist, kann sein Verstärkungsfaktor geringfügig ansteigen. Die Stromverstärkung des Stromverstärkers beträgt typischerweise -1,
40985 1/0756
sie kann aber auch kleiner oder größer sein.
409851 /0756

Claims (7)

  1. Patentansprüche
    V1. JUberstromschutzschaltung mit einem Leistungstransistor und einem Hilfetransistor, deren Basiselektroden miteinander verbunden, deren Emitterelektroden an eine gemeinsame Klemme angeschlossen, deren Kollektorelektroden über eine Kopplungsschaltung gekoppelt sind, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (30, 52), die ein einen Überstromzustand anzeigendes Signal (Oberstromsignal) liefert, wenn der durch die Kopplungsschaltung (25, 51) fließende Kollektorstrom des Hilfstransistors (20) einen vorgegebenen Wert überschreitet; und durch eine vom Überstromsignal gesteuerte Klemmeinrichtung (40), die die Spannung zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode des Leistungstransistors (10) festzuhalten strebt.
  2. 2. Oberstromschutzschaltung nach Anspruch 1, d a d u r ch gekennzeichnet, daß die Kopplungs schaltung (25 oder 51) zwischen den Kollektorelektroden ein Widerstandselement enthält.
  3. 3. Überstromschutzschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den Oberstromzustand ansprechende Einrichtung (30 oder 52) einen dritten Transistor (30 oder 52) eines dem Leistungstransistor (10) und dem Hilfstransistor (20) entgegengesetzten Leitungstyps enthält, dessen Emitterelektrode und Basiselektrode mit der KolLektorelektrode des Leistungstransistors (10) bzw. der Kollektorelektrode des Hilfstransistors (20) gekoppelt sind und dessen Kollektorelektrode das Überstromsignal liefert.
  4. 4. Überstromschutzschaltung nach Anspruch 3» d a d u r ch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Klemmen der Spannung zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode des. Leistungstransistors (10) einen Klemmtransistor (40) des gleichen Leitungstyps wie der Leistungstransistor (10) und der Hilfstransistor (20) enthält, dessen Kollektorelektrode
    409851/0756
    und Emitterelektrode mit der Basiselektrode bzw. Emitterelektrode des Leistungstransistors (10) verbunden ist und dessen Basiselektrode das Überstromsignal zugeführt ist.
  5. 5. Überstromschutzschaltung nach Anspruch 1, d a d u r ch gekennzeichnet , daß der Leistungstransistor (10) und der Hilfstransistor (20) thermisch miteinander gekoppelt sind.
  6. 6. Überstromschutzschaltung nach Anspruch 5, d a d u r ch gekennzeichnet, daß die effektive Fläche des Emitter-Basis-Überganges des Leistungstransistors (10) wesentlich größer als die des Hilfstransistors (20) ist.
  7. 7. Überstromschutzschaltung nach Anspruch 3, d a d u r ch gekennzeichnet , daß das Widerstandselement einen Transistor (51) enthält, dessen Basis- und Kollektorelektrode zusammen an die Basis des Hilfstransistors (20) angeschlossen sind und dessen Emitterelektrode mit der Kollektorelektrode des Leistungstransistors (10) verbunden ist.
    409851/0756
    Leerseite
DE19742424759 1973-05-24 1974-05-22 Ueberstromschutzschaltungsanordnung Withdrawn DE2424759B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00363599A US3845405A (en) 1973-05-24 1973-05-24 Composite transistor device with over current protection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2424759A1 true DE2424759A1 (de) 1974-12-19
DE2424759B2 DE2424759B2 (de) 1977-02-10

Family

ID=23430869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19742424759 Withdrawn DE2424759B2 (de) 1973-05-24 1974-05-22 Ueberstromschutzschaltungsanordnung

Country Status (14)

Country Link
US (1) US3845405A (de)
JP (1) JPS5020234A (de)
AT (1) AT328538B (de)
BE (1) BE815519A (de)
BR (1) BR7404238D0 (de)
CA (1) CA1018615A (de)
DE (1) DE2424759B2 (de)
DK (1) DK282074A (de)
ES (1) ES426416A1 (de)
FI (1) FI152674A7 (de)
FR (1) FR2231140A1 (de)
GB (1) GB1459625A (de)
IT (1) IT1012700B (de)
NL (1) NL7406630A (de)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3912982A (en) * 1974-09-25 1975-10-14 Westinghouse Electric Corp Transistor protective circuit with imminent failure sensing
US3978350A (en) * 1975-03-11 1976-08-31 Nasa Dual mode solid state power switch
US4021701A (en) * 1975-12-08 1977-05-03 Motorola, Inc. Transistor protection circuit
US4055794A (en) * 1976-05-10 1977-10-25 Rohr Industries, Incorporated Base drive regulator
US4118640A (en) * 1976-10-22 1978-10-03 National Semiconductor Corporation JFET base junction transistor clamp
SE396853B (sv) * 1976-11-12 1977-10-03 Ericsson Telefon Ab L M Tvapol innefattande en transistor
DE2705583C2 (de) * 1977-02-10 1982-04-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Transistorschaltung mit einem vor thermischer Zerstörung zu schützenden Transistor
JPS6038047B2 (ja) * 1977-12-09 1985-08-29 日本電気株式会社 トランジスタ回路
SE409789B (sv) * 1978-01-10 1979-09-03 Ericsson Telefon Ab L M Overstromsskyddad transistor
US4254372A (en) * 1979-02-21 1981-03-03 General Motors Corporation Series pass voltage regulator with overcurrent protection
US4449063A (en) * 1979-08-29 1984-05-15 Fujitsu Limited Logic circuit with improved switching
DE2947599A1 (de) * 1979-11-26 1981-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierbare halbleiterschaltung
US4311967A (en) * 1979-12-17 1982-01-19 Rca Corporation Compensation for transistor output resistance
US4314196A (en) * 1980-07-14 1982-02-02 Motorola Inc. Current limiting circuit
US4363068A (en) * 1980-08-18 1982-12-07 Sundstrand Corporation Power FET short circuit protection
JPS57113726A (en) * 1980-12-29 1982-07-15 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Overcurrent breaking device for miniature dc motor
US4321648A (en) * 1981-02-25 1982-03-23 Rca Corporation Over-current protection circuits for power transistors
DE3119972A1 (de) * 1981-05-20 1982-12-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart "ueberlastschutzeinrichtung"
IT1167771B (it) * 1981-05-28 1987-05-13 Ates Componenti Elettron Disposizione circuitale per la protezione dello stadio finale di un amplificatore di potenza in circuito integrato per la deflessione verticale di un cinescopio televisivo
DE3123918A1 (de) * 1981-06-16 1983-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterleistungselement mit schutzschaltung
US4709171A (en) * 1982-05-27 1987-11-24 Motorola, Inc. Current limiter and method for limiting current
NL8302902A (nl) * 1983-08-18 1985-03-18 Philips Nv Transistorbeveiligingsschakeling.
US4533845A (en) * 1984-02-22 1985-08-06 Motorola, Inc. Current limit technique for multiple-emitter vertical power transistor
US4555742A (en) * 1984-05-09 1985-11-26 Motorola, Inc. Short detection circuit and method for an electrical load
US4593380A (en) * 1984-06-04 1986-06-03 General Electric Co. Dual function input/output for a programmable controller
US4628397A (en) * 1984-06-04 1986-12-09 General Electric Co. Protected input/output circuitry for a programmable controller
US4543795A (en) * 1984-07-11 1985-10-01 Kysor Industrial Corporation Temperature control for vehicle cabin
US4651252A (en) * 1985-03-29 1987-03-17 Eaton Corporation Transistor fault tolerance method and apparatus
US4727264A (en) * 1985-06-27 1988-02-23 Unitrode Corporation Fast, low-power, low-drop driver circuit
US4823070A (en) 1986-11-18 1989-04-18 Linear Technology Corporation Switching voltage regulator circuit
US4806785A (en) * 1988-02-17 1989-02-21 International Business Machines Corporation Half current switch with feedback
US4884165A (en) * 1988-11-18 1989-11-28 Advanced Micro Devices, Inc. Differential line driver with short circuit protection
DE3906955C1 (en) * 1989-03-04 1990-07-19 Daimler-Benz Aktiengesellschaft, 7000 Stuttgart, De Electronic fuse (safety device) for a transistor output stage
JP2790496B2 (ja) * 1989-11-10 1998-08-27 富士通株式会社 増幅回路
EP0428813B1 (de) * 1989-11-17 1995-02-01 STMicroelectronics S.r.l. Schutzvorrichtung gegen den Kurzschluss eines MOS-Leistungsbauelementes mit einer vorherbestimmten Abhängigkeit von der Temperatur, bei welcher das Bauelement arbeitet
JP2755848B2 (ja) * 1990-11-16 1998-05-25 株式会社東芝 微小電圧検出回路およびこれを用いた電流制限回路
JP3377803B2 (ja) * 1991-07-08 2003-02-17 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 温度依存限流回路および限流方法
MY118023A (en) * 1991-10-25 2004-08-30 Texas Instruments Inc High speed, low power high common mode range voltage mode differential driver circuit
US5343141A (en) * 1992-06-09 1994-08-30 Cherry Semiconductor Corporation Transistor overcurrent protection circuit
US5428287A (en) * 1992-06-16 1995-06-27 Cherry Semiconductor Corporation Thermally matched current limit circuit
US5311147A (en) * 1992-10-26 1994-05-10 Motorola Inc. High impedance output driver stage and method therefor
EP0608666B1 (de) * 1993-01-29 1998-04-29 STMicroelectronics S.r.l. Monolithisch integrierbares Zeitverzögerungsfilter
US6137366A (en) * 1998-04-07 2000-10-24 Maxim Integrated Products, Inc. High VSWR mismatch output stage
JP5492728B2 (ja) * 2010-09-28 2014-05-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN103606883A (zh) * 2013-11-18 2014-02-26 同济大学 短路保护电路
GB2549934A (en) 2016-04-28 2017-11-08 Reinhausen Maschf Scheubeck Junction temperature and current sensing
CN113765071B (zh) * 2021-08-11 2024-09-10 深圳市德兰明海新能源股份有限公司 一种功率管过流保护电路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3383527A (en) * 1965-03-16 1968-05-14 Navy Usa Load curve simulator
DE1809570A1 (de) * 1967-11-21 1969-06-26 Sony Corp Transistorschutzschaltung
GB1234759A (en) * 1967-12-13 1971-06-09 Pressac Ltd Contact bearing devices for securing to a board or the like having printed or like circuitry

Also Published As

Publication number Publication date
FR2231140A1 (de) 1974-12-20
BE815519A (fr) 1974-09-16
AU6895574A (en) 1975-11-20
NL7406630A (de) 1974-11-26
DK282074A (de) 1975-01-20
BR7404238D0 (pt) 1975-01-21
ES426416A1 (es) 1976-07-01
US3845405A (en) 1974-10-29
DE2424759B2 (de) 1977-02-10
CA1018615A (en) 1977-10-04
ATA432074A (de) 1975-06-15
IT1012700B (it) 1977-03-10
AT328538B (de) 1976-03-25
JPS5020234A (de) 1975-03-04
GB1459625A (en) 1976-12-22
FI152674A7 (de) 1974-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2424759A1 (de) Ueberstromschutzschaltung
DE2424812C3 (de) Verstärker mit Überstromschutz
DE2166507A1 (de) Bezugsspannungsschaltung
DE3046266A1 (de) Hochspannungs-hochstrom-festkoerper-schaltanordnung und verfahren zum beschraenken einer ersten schaltvorrichtung
DE2401978A1 (de) Temperaturempfindlicher steuerschalter
DE2510406B2 (de) Halbleiterschalter
DE2548628B2 (de) Logische schaltung
DE69413489T2 (de) Geregelter Spannungsquellengenerator der Bandgapbauart
DE1958620B2 (de) Differentialverstaerker
DE2136061C3 (de) Stromverstärkerschaltung
DE3048041A1 (de) Elektrisch veraenderliche impedanzschaltung mit rueckkopplungsausgleich
DE2635218A1 (de) Anordnung zum schutz eines transistors
DE3853425T2 (de) Spannungsregelvorrichtung.
DE1921936C3 (de) Stromversorgungsschaltung insbesondere für eine Differenzverstärkerstufe
DE3047685A1 (de) Temperaturstabile spannungsquelle
DE1126496B (de) Stromregler zur Aufrechterhaltung eines konstanten Gleichstromes
DE69216323T2 (de) Impedanzvervielfacher
EP0961403B1 (de) Integrierte, temperaturkompensierte Verstärkerschaltung
DE4201947C2 (de) Integrierte Transistorschaltung mit Reststromkompensation
DE68916019T2 (de) Verstärkeranordnung und verwendung in einer übertragungsleitungsschaltung.
DE69108424T2 (de) Spannungsgesteuerter Widerstand.
DE3120689A1 (de) &#34;gegentaktendstufe&#34;
DE69303163T2 (de) Analoger Zweiwegeschalter
DE1299711B (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Emitter-Basis-Spannung eines Transistors im Durchlassbereich in einem Impulsschaltkreis
DE2037695A1 (de) Integrierter Differenzverstärker mit gesteuerter Gegenkopplung

Legal Events

Date Code Title Description
BHN Withdrawal