DE2451486A1

DE2451486A1 - Verfahren zum herstellen kleinster oeffnungen in integrierten schaltungen

Info

Publication number: DE2451486A1
Application number: DE19742451486
Authority: DE
Inventors: Ingrid Emese Magdo; Steven Magdo
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1973-12-26
Filing date: 1974-10-30
Publication date: 1975-07-10
Also published as: FR2256536A1; IT1025190B; JPS5098280A; DE2451486C2; FR2256536B1; JPS5230831B2; US3904454A; GB1435670A; CA1048331A

Description

Verfahren zum Herstellen kleinster Öffnungen in integrierten Schaltungen

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen kleinster Öffnungen bei der Fabrikation von integrierten Schaltungen und insbesondere ein Verfahren, das bei der Herstellung relativ sehr kleiner Öffnungen in isolierenden Schichten brauchbar ist, die zur Passivierung und zum Schutz von Halbleitersubstraten aufgebracht sind.

Auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen ist man ständig bestrebt, bei der Entwicklung von hochintegrierten Schaltungen die einzelnen Schaltkreise dichter j und dichter herzustellen. Wegen dieser Verdichtung in der Anzahl der Schaltkrei- | se und Vorrichtungen auf mit integrierten Schaltungen versehenen Halbleiterplättchen benötigt man neue Verfahren zur Herstellung außergewöhnlich kleiner Öffnungen in Isolierschichten, wobei diese Öffnungen entweder dazu dienen, daß durch sie den Leitfähigkeitstyp bestimmende Störelemente in das Substrat eingeführt oder daß metallische Kontakte oder Verbindungen durch Isolierschichten hindurch hergestellt werden können.

Im Stand der Technik, für den beispielsweise die US-Patantschrift 3,390 025 erwähnt werden soll, hat man bereits die Notwendigkeit für Verfahren zum Herstellen solcher kleinster Öffnungen anerkannt. Ferner hat man im Stand der Technik bereits erkannt, daß bei Öffnungen, deren Seitenabmessungen in der Größenanordnung von 0,025 mm oder weniger liegen, die Grenzen der Auflösung in üblichen Photoresist- oder Photolackmasken Unregelmäßigkeiten in Form und Größe der

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Öffnungen zur Folge haben kann. Insbesondere dann, wenn die Öffnungen rechteckig oder quadratisch sein sollen, besteht bei Öffnungen mit derart kleinen Abmessungen die Gefahr, daß die Ecken abgerundet werden. Da die Öffnungen bereits so klein sind, ergeben sich aus einer weiteren Verringerung ihrer Abmessungen durch die abgerundeten Ecken sowohl bei der Herstellung als auch beim Betrieb der Schaltungen erhebliche Schwierigkeiten.

Gemäß dem Stande der Technik ist für dieses Problem eine Lösung vorgeschlagen worden, gemäß der man unter Verwendung üblicher Photoresist-Ätzverfahren ein Paar langgestreckter Schlitze in einem Paar Passivierungsschichten anbringt. Diese kreuzweise angeordneten Schlitze haben eine Breite, die etwa der gewünschten Breite der herzustellenden Öffnung entspricht. Die beiden Schlitze sind derartig miteinander über Kreuz angeordnet, daß eine Öffnung durch die Schichten nur in dem beiden Schlitzen gemeinsamen Bereich hergestellt wird. Da das Verhältnis von Länge zu Breite dieser Schlitze relativ groß ist, hat man erkannt, daß man ein Paar solcher Schlitze mit einem hohen Auflösungsgrad miteinander zum Schnitt bringen kann. Demgemäß sollten also Verzerrungen und Unregelmäßigkeiten einer auf diese Weise hergestellten Öffnung beseitigt werden. Im Stand der Technik gibt es dabei zwei Varianten bei der Anwendung solcher sich überkreuzender Schlitze. !Das erste bekannte Anwendungsbeispiel ist in der obengenannten US-Patentschrift !3 390 025 offenbart. Dabei wird zunächst eine relativ dicke Schicht aus Siliciumidioxid auf einem Substrat gebildet, und es wird durch die dicke Schicht ein schma- jler Schlitz geätzt.Anschließend wird eine zweite oder dünne Schicht aus Silicium- !dioxid über der gesamten Struktur einschließlich des Schlitzes aufgebracht. Dann !wird wiederum mit üblichen Photoresistverfahren ein ähnlicher, schmaler Schlitz 'in der zweiten Schicht hergestellt, der den ersten Schlitz schneidet. Die Ätzzeit j soll dabei jedoch nur ausreichen, durch die dünne Schicht aus Siliciumdioxid hin-Jdurchzuätzen, sie soll jedoch nicht ausreichen, auch noch durch die dicke Schicht jaus Siliciumdioxid hindurchzuätzen. Somit wird die entgültig herzustellende Öffnung jnur durch den Teil der dünnen Schicht in dem Schlitz vollständig hindurchgeätzt, der sich an dem Schnittpunkt der beiden langgestreckten Schlitze befindet. Während durch dieses Maskenverfahren mit einer dicken und einer dünnen Siliciumdioxidschicht das Problem der nicht ausreichend guten Auflösung bei !kleinsten Öffnungen zumindest teilweise gelöst wird, gibt es immer noch einige ,potentielle Schwierigkeiten. Wegen der geringen Größe der Öffnung ist es zwingend

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erforderlich, daß die Oxidschicht von dem Bereich der Öffnung vollständig entfernt wird. Zu diesem Zweck benötigt man eine entsprechend ausgedehnte Ätzzeit, damit sichergestellt wird, daß die dünne Oxidschicht vollständig entfernt : wird. Wegen einer solchen ausgedehnten Ätzzeit können die an die Öffnung an- j grenzenden Bereiche der dicken Oxidschicht nachteilig beeinflußt werden, d.h. man wird an den Rändern der herzustellenden Öffnung einige Unregelmäßigkeiten erhalten.

Das zweite bekannte Verfahren, bei dem sich kreuzende Schlitze benutzt werden,

durch welches die oben beschrieben Schwierigkeiten vermieden werden, die ■

sich aus dem Übereinander!iegen einer dicken und einer dünnen Siliciumdioxid- i

schicht ergeben, findet sich in der US-Patentschrift 3 388 000. Bei dieser Lösung ^!

des Problems wird zunächst ein schmaler Schlitz in einem untenliegenden iso- " ϊ

lierenden Material, wie z.B. Siliciumdioxid hergestellt. Anschließend wird eine j

zweite Schicht eines anderen Isoliermaterials mit anderen Ätzeigenschaften über j der Struktur aufgebracht und demgemäß auch in dem zuerst angebrachten Schlitz, j Wenn der zweite, den ersten Schlitz schneidende langgestreckte Schlitz durch die zweite Isolierschicht hindurch gebildet wird, wird ein Ätzmittel verwandt,

i das nur die zweite Isolierschicht abätzt, das erste Isoliermaterial dabei aber nicht j

merklich beeinträchtigt. Das hat zur Folge, daß die erste Isolierschicht nicht an- j griffen wird, so daß die möglichen Schwierigkeiten, die bei einer Folge einer | dicken und dünnen, jedoch gleichartigen Oxidschicht auftreten, vermieden werden. * !

Unglückseligerweise hat die Anmelderin jedoch festgestellt, daß auch das zweite Verfahren seine potentielle Schwierigkeiten hat. Bei dem zweiten Verfahren erhält man Ende einer Struktur, bei der zwei verschiedene Arten elektrisch isolierender Passivierungsschichten in unmittelbarer Berührung mit dem Halbleitersubstrat sind, d.h. man hat eine Kombination von Siliciumdioxid und Aluminium oxid. Um die mechanische Beanspruchung zwischen Halbleitersubstrat und Isolierschicht auf dem Substrat möglichst klein zu halten, ist es von großem Vorteil, wenn ein und dasselbe Isoliermaterial in Berührung mit dem gesamten Halbleitersubstrat ist und dies gilt ganz besonders, wenn das Isoliermaterial Siliciumdioxid ist. Wegen der strukturellen Verträglichkeit von Siliciumdioxid mit dem darunterliegenden Halbeitersubstrat werden mechanische Beanspruchungendann möglichst gering sein, wenn das Halbleitersubstrat über seine gesamte Oberfläche nur mit

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Siliciumdioxid in Kontakt kommt.

j :

Aufgabe der Erfindung ist es also, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen
kleinster Öffnungen durch Isolierschichten bei integrierten Schaltungen zu
schaffen. Dabei soll von dem an sich bekannten Verfahren Gebrauch gemacht
werden, solche kleinste Öffnungen durch Herstellen einander schneidender

:

Schlitze zu bilden, wobei die bei Verwendung einer dicken und einer dünnen, je- j doch gleichartigen Oxidschicht auftretenden Schwierigkeiten und Unregelmäßig- j keiten vermieden werden. Vorzugsweise spll dabei erreicht werden, daß nur
ein einziges Isoliermaterial mit der gesamten Halbleiteroberfläche der·fertigen
Struktur in Kontaktberührung kommt. Dies wird gemäß der vorliegenden Erfin- ; dung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen durch ein Verfahren zum
Herstellen kleinster Öffnungen durch elektrisch isolierende, passivierende
Schichten erzielt, das sich durch folgende Verfahrensschritte auszeichnet: Zu- j nächst wird über einem Halbleitersubstrat eine erste Schicht eines ersten elek- j trisch isolierenden Materials hergestellt. Anschließend wird eine zweite Schicht j eines zweiten elektrisch isolierenden Materials auf der ersten Schicht aufgebracht, \

welches in seiner Zusammensetzung sich von dem Material der ersten Schicht un- |

terscheidet. Anschließend wird ein erster Schlitz, der sich durch die zweite ι

oder obenliegende Schicht hindurch erstreckt, durch chemisches Ätzen durch ί

eine ätzresistente Maske mit einer Ätzlösung durchgeführt, die selektiv das zwei- i te Material abätzt. Anschließend wird die zweite Schicht mit einer Phototresist-
oder Photolackmaske überzogen, die einen zweiten Schlitz aufweist, der den j

ersten Schlitz überkreuzt, worauf die gesamte Struktur einem chemischen Ätzvorgang durch diese Photoresistmaske mit einer Ätzlösung ausgesetzt wird, die
selektiv das erste Material ätzt und damit eine kleine Öffnung durch die erste ι

oder untenliegende Schicht hindurchätzt, welche Öffnung durch die sich überschneidenden Teile des ersten und zweiten Schlitzes definiert sind.

Beste Ergebnisse erzielt man bei Verwendung von Siliciumdioxid als erstes Isoliermaterial und Siliciumnitrid als zweites Isoliermaterial.

Mit dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung werden die bei Verwendung
durch zwei ungleich starken, d.h. einer dicken und einer dünnen Oxidschicht
auftretenden Schwierigkeiten vermieden. Außerdem wird dadurch erreicht, daß

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die erste oder untenliegende Isolierschicht, die vorzugsweise aus Siliciumdioxid j besteht, mit dem gesamten Substrat in Kontaktberührung bleibt. Das zweite j

Isoliermaterial ist an keiner Stelle mit dem Substrat irgendwie in Berührung. [

Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Die unter Schutz zu stellenden Merkmale der Erfindung finden sich in den ebenfalls beigefügten Patentansprüchen.

; In den Zeichnungen zeigt:

Fig. 1 eine Teilschnittansicht eines Abschnittes eines Halbleiter-

: . Substrats, in dem eine sehr kleine Öffnung durch auf der

: Oberfläche angebrachte isolierende Schichten durch die

Anwendung von zwei sich überkreuzenden Schlitzen hergestellt werden soll, die hier gestrichelt eingezeichnet sind,

'Fign. 1A - ID Schnittansichten längs der Linie 1A-1A in Fig. 1 bei den ver

schiedenen Verfahrensschritten,

¹FJg-^A-E ähnliche Schnittansichten wie Fign. 1A-1D, jedoch einer

ι anderen Ausführungsform.

■Das im Zusammenhang mit Fig. 1 zu beschreibende Verfahren betrifft die Bildung !einer Öffnung mit den Seitenabmessungen von 0,0254 mm durch ein Verfahren, !das von zwei sich überkreuzenden Schlitzen 10 und 11 in einer Maske Gebrauch

!macht, die hier in Fig. 1 gestrichtelt dargestellt sind. Die Öffnung 12, die an Idem Schnittpunkt der Schlitze 10 und 11 hergestellt werden soll, wird durch eine jpassivierende Isolierschicht 14 hindurch hergestellt, die ebenfalls in dem Silicium- ^;substrat 13 strichpunktiert angedeutet ist. Die Fign. 1A bis 1D zeigen die einzel- ■ nen Verfahrensschritte bei der Herstellung dieser Öffnung in einer Struktur längs einer Schnittansicht entsprechend der Linie 1A-1A in Fig. 1. In Fig. IA soll eine

{Öffnung mit Seitenabmessungen in der Größenordnung von 0,025 mm durch eine

i Isolierschicht nach einem Emitterbereich 15 in einem Halbleitersubstrat 16 herge- !stellt werden. In derjenigen Fertigungsstufe, in der die sehr kleine Öffnung her-

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gestellt werden soll, wird eine durchgehende Schicht aus Siliciumdioxid 16 über ' der gesamten Oberfläche des die integrierte Schaltung tragenden Substrats aufge-, bracht. Diese Siliciumdioxidschicht kann beispielsweise durch thermische Oxida-• tion der Oberfläche des Substrats 13 in üblicher Weise hergestellt werden, wenn das Substrat aus Silicium besteht. Ein übliches Oxidationsverfahren eines Siliciumsubstrats besteht darin, daß man das Substrat auf eine erhöhte Temperatur in der Größenordnung von 970 C mit oder ohne Beigabe von Wasser aufheizt. Die Siliciumdioxidschicht 16 kann außerdem auch durch pyrolytische Zersetzung oder Kathodenzerstäubung aufgebracht werden. Ferner kann man die SMiciumdioxid- ; schicht 16 durch eine Kombination aus pyrolytischem Niederschlag und thermischer ! Oxidation erzeugen. Die Schicht 16 hat eine Stärke in der Größenordnung von i 2500 R Einheiten.

Eine Schicht 17 aus elektrisch isolierendem Material mit gegenüber der Schicht 16 verschiedener oder unterschiedlicher Resistenz gegen Ätzen wird auf der Schicht 16 niedergeschlagen. In der vorliegenden Ausführungsform besteht die Schicht ■ 17 aus Siliciumnitrid. Es kann außerdem auch Aluminiumoxid benutzt werden. Die Siliciumnitridschicht 17 kann durch pyrolytische Zersetzung oder durch Kathodenzerstäubung aufgebracht werden. Ein bekannten pyrolytisches Verfahren besteht aus der Reaktion von Silan und Ammonium oder einer anderen stickstoffhaltigen Verbindung. Die Schicht 17 hat eine Stärke in der Größenordnung von 1600 A.

Als nächster Schritt wird gemäß üblicher photolithographischer Verfahren eine Photolackmaske 18 mit einem Schlitz 19, der in seinem Ort und seinen Abmessungen von 0,075 χ 0,025 mm dem Schlitz 10 entspricht, auf der Siliciumnitridschicht 17 gebildet. Für die Darstellung sei angenommen, daß die Photolackmaske 18 ein positiver Photolack ist. Solche positiven Photoresistmaterialien sind beispielsweise in den US-Patentschriften 3 046 120 und 3 201 239 beschrieben. Diese Photoresistmaterialien umfassen Diazo-Photoresistmaterialien, die durch die Belichtung in den belichteten Bereichen in durch einen Entwickler lösbare Diazoverbindungen umgesetzt werden. Anstelle solcher positiver Photoresistmaterialien können auch negative Photoresistmaterialien, wie z.B. Kodak KTFR und KMER benutzt werden.

Unter Benutzung der Photoresistmaske 18 als eine die Ätzung verhindernde Maske, wird ein Schlitz 20, der in Ort und Abmessungen dem Schlitz 19 entspricht.

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durch die Siliciumnitridschicht 17, Fig. 1B mit einem Ätzmittel geätzt, das das Siliciumnitrid selektiv abätzt, die darunterliegende Schicht 16 aus Siliciumdioxid jedoch wenig oder gar nicht beeinflußt. Ein geeignetes Ätzmittel dieser Art ist heißes Phosphorsalz, das die Zusammensetzung (NHJ -HPO^ hat und in diesem Fall bei einer Temperatur von 1850 C eingesetzt wird. Die Abmessungen des Schlitzes 20 sind 0,025 mm χ 0,1 mm.

In Fig. 1C wird eine zweite Photoresistmaske 21 mit einem Schlitz 22 am Ort und j

mit den Abmessungen des Schlitzes 11 über der Siliciumnitridschicht 17 in der j

Weise aufgebracht, daß der Schlitz 22 den Schlitz 20 kreuzt. Die Maske 21 wird durch die oben beschriebenen photolithographischen Verfahren hergestellt. Man wird zweckmäßigerweise das gleiche Material verwenden, wie für die Maske 18. Der Schlitz 22 hat im wesentlichen die gleichen Abmessungen wie Schlitz 20. Verwendet man dann ein Ätzmittel, das selektiv Siliciumdioxid abätzt, aber relativ wenig oder gar keine Einwirkung auf Siliciumnitrid hat, dann wird damit die Öffnung 23 durch die Siliciumdioxidschicht 16 in Fig. ID in dem Bereich geätzt,

■ in dem sich die Schlitze 20 und 22 schneiden. Ein für diesen Zweck geeignetes

; Ätzmittel ist gepufferte Fluorwasserstoffsäure. Die Öffnung 23 hat demgemäß die Abmessungen 0,025 χ 0,025 mm. Nur die Schicht 16 verbleibt in Berührung mit dem Substrat 13. An keinem Punkt ist die Siliciumnitridschicht 17 in Berührung

, mit dem Substrat 13. Wenn Siliciumnitrid Si₃N in Berührung mit Silicium kommt,

■ können MateriaIspannungen auftreten, die zu einer Verlagerung oder Versetzung '-. der Schicht Anlaß geben können.

In Zusammenhang mit den Fign. 2A bis 2E soll nun ein weiteres Verfahren zum Herstellen einer sehr kleinen Öffnung beschrieben werden, das gleichartig durchgeführt wird, wie das Verfahren, das im Zusammenhang mit den Fign. 1A bis 1D beschrieben, mit der Ausnahme, daß ein weiterer Maskenschritt vorgesehen wird, bei dem eine Siiiciumoxidschicht als Maske beim Ätzen des Schlitzes durch die darunterliegende Siliciumnitridschicht verwendet wird. Die Struktur in Fig. 2A entspricht im wesentlichen der in Fig. 1A gezeigten Struktur mit der Ausnahme, daß eine zusätzliche Schicht aus Siliciumdioxid zwischen die Siliciumnitridschicht 25 und eine Photolack- oder Photoresistschicht 26 eingeschoben ist. Im übrigen entspricht die untenliegende Schicht aus Siliciumdioxid 27 der Schicht 16 in Fig. IA und das Substrat 28 entspricht dem Substrat 13. Die Siliciumdioxidschicht 24 kann auf der Siliciumnitridschicht 23 in üblicher Weise einschließlich Kathoden-

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zerstäubung oder pyrolytische Zerstetzung aufgebracht werden. Die Schicht 24 j hat eine Dicke in der Größenordnung von 1000 Ά.

Unter Verwendung einer Photoresistmaske wird ein Schlitz 30, dessen Abmessungen den Abmessungen des Schlitzes 29 in der Photoresistmaske 26 entsprechen, durch die Siliciumdioxidschicht 24, Fig. 2B, hindurchgeätzt. Das hier verwendete Ätzmittel ätzt selektiv Siliciumdioxid, ohne im wesentlichen die darunterliegende Siliciumnitridschicht 25 anzugreifen. Ein für diesen Zweck geeignetes Ätzmittel ist standardgepufferte Fluorwasserstoffsäure, die in üblicher Weise zum Ätzen von Siliciumdioxid benutzt wird.

Verwendet man anschließend die Siliciumdioxidschicht 24 als Maske, dann wird ein dem Schlitz 30 entsprechender Schlitz 31 durch die Siliciumnitridschicht 25 mit einem Ätzmittel hindurchgeätzt, das selektiv Siliciumnitrid ätzt, ohne die darüber- oder darunterliegenden Schichten 24 bzw. 27 aus Siliciumdioxid anzugreifen. Dafür brauchbare Ätzmittel sind heiße Phosphorsäure oder heiße Phosphorsalze.

Wie dann aus Fig. 2D zu erkennen, wird eine Photoresistmaske 32, die im wesentlichen mit der Photoresistmaske 21, Fig. IC äquivalent ist, mit einem Schlitz 33 hergestellt, der den Schlitz 31 überkreuzt.

Anschließend wird in einem, dem im Zusammenhang mit Fig. 1C beschriebenen Verfahren entsprechenden Verfahren ein Ätzmittel angewandt, das Siliciumdioxid ätzt, ohne dabei in irgendeiner Form Siliciumnitrid anzugreifen, zur Bildung einer Öffnung 34, wie in Fig. 2E gezeigt, weiche der Öffnung 23 in Fig. 1 D entspricht. Eine geeignete Ätzlösung ist die bereits erwähnte gepufferte Fluorwasserstoffsäurelösung. Dieses Ätzmittel entfernt auch die Abschnitte oder Bereiche der obenliegenden Siliciumdioxidschicht 24, die innerhalb des Schlitzes 33 frei liegen. Die darunterliegende Schicht 25 aus Siliciumnitrid verhindert jedoch ein weiteres Ätzen unter den Abschnitten 35.

In bezug auf den im Zusammenhang mit Fig. 2D beschriebenen Verfahrensschritt soll darauf hingewiesen werden, daß der Schlitz 33 nicht an allen vier Seiten geschlossen sein muß. Es ist lediglich erforderlich, daß der Schlitz 33 an den zwei Seiten abgeschlossen ist, die zur Bestimmung des Schnittpunktes zwischen

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den Schitzen 33'und 31 erforderlich sind. Man kann daher den in 2D¹ dargestellten Verfahrensschritt anstelle des in Fig. 2D gezeigten Verfahrensschrittes anwenden. Dieser Verfahrensschritt ist insoweit identisch mit der Ausnahme, daß die Photoresistschicht 22A den Schitz 33A nicht an allen vier Seiten umgibt, Schlitz 33A ist nur an den beiden Seiten begrenzt, die den Schlitz 31 schneiden.

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE

Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen durch Bildung einer ersten Schicht eines ersten elektrisch isolierenden Materials über einem Halbleitersubstrat und Bilden einer zweiten Schicht eines zweiten elektrisch isolierenden Materials auf der ersten Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß durch chemisches Ätzen durch eine ätzresistente Maske mit einem Ätzmittel, das selektiv nur das zweite Material ätzt, ein durch die zweite Schicht sich erstreckender Schlitz gebildet wird, daß anschließend eine zweite Schicht aus Photoresist als Maske mit einem zweiten Schlitz gebildet wird, der den ersten Schlitz überkreuzt und daß anschließend durch chemisches Ätzen durch diese Photoresistmaske mit einem Ätzmittel, das selektiv das erste Material abätzt, eine kleine Öffnung durch die erste Schicht hindurchgeätzt wird, welche durch die sich schneidenden Abschnitte des ersten und zweiten Schlitzes bestimmt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als ätzresistente Maske eine Photoresistmaske verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als ätzresistente Maske eine Maske aus elektrisch nichtleitendem Materal verwendet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als ätzresistente Maske das gleiche Material verwendet wird wie für die erste Schicht.

5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß als erstes isolierendes Material Siliciumdioxid und als zweites isolierendes Material Siliciumnitrid verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Photoresistmaske in Kontakt mit der zweiten Schicht verwendet wird.

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7. Verfahren nach Anspruch 1 zur Herstellung von integrierten Schaltkrei- '.

sen, gekennzeichnet durch fo!gende Verfahrensschritte: i

- Herstellen einer ersten Schicht eines ersten elektrisch isolierenden Materials über einem Halbleitersubstrat,

- Herstellen einer zweiten Schicht eines zweiten elektrisch isolierenden Materials über der ersten Schicht,

- Herstellen einer dritten Schicht aus dem ersten isolierenden Material auf der zweiten Schicht,

τ Bilden einer ersten Photoresistmaske mit einem ersten Schlitz in der dritten Schicht,

- Herstellen eines zweiten Schlitzes, der sich durch die dritte Schicht in Ausrichtung mit dem ersten Schlitz erstreckt durch chemisches Ätzen durch die erste Photoresistmaske mit einem Ätzmittel, das selek-" tiv das erste isolierende Material abätzt,

- Herstellen eines dritten Schlitzes, der sich durch die zweite Schicht in Ausrichtung mit dem zweiten Schlitz erstreckt durch chemisches Ätzen durch den zweiten Schlitz mit einem Ätzmittel, das selektiv das zweite isolierende Material abätzt,

- Überziehen der dritten Schicht mit einer zweiten Photoresistmaske mit einem darin angebrachten vierten Schlitz, der den dritten Schlitz über-

: kreuzt und '

- chemisches Ätzen einer kleinen Öffnung, die sich durch die erste Schicht \ hindurch erstreckt und durch die sich überschneidenden Abschnitte

', des dritten und vierten Schlitzes definiert werden durch die zweite

Photoresistmaske mit einem Ätzmittel, das selektiv das erste-Material ätzt. ' . "

18. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Photoresistmaske vor der Bildung der zweiten Photoresistmaske entfernt

■ wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als erstes

isolierendes Material Siliciumdioxid und als zweites isolierendes Ma- ; terial Siliciumnitrid verwendet wird.

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