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DE2449688A1 - Verfahren zur herstellung einer dotierten zone eines leitfaehigkeitstyps in einem halbleiterkoerper sowie nach diesem verfahren hergestellter transistor - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer dotierten zone eines leitfaehigkeitstyps in einem halbleiterkoerper sowie nach diesem verfahren hergestellter transistor

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DE2449688A1 DE19742449688 DE2449688A DE2449688A1 DE 2449688 A1 DE2449688 A1 DE 2449688A1 DE 19742449688 DE19742449688 DE 19742449688 DE 2449688 A DE2449688 A DE 2449688A DE 2449688 A1 DE2449688 A1 DE 2449688A1
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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, den 1 8. OKI 1374
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
74/1177
Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper sowie nach diesem Verfahren hergestellter Transistor
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper, bei dem der Dotierstoff aus einer polykristallinen oder amorphen Schicht oder aus mehreren polykristallinen und/oder amorphen Schichten in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, sowie einen nach diesem Verfahren hergestellten Transistor.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit dotierten Zonen werden derzeit im wesentlichen zwei Verfahren angewendet, nämlich einerseits die Diffusion und andererseits die Ionenimplantation.
Beim Diffusionsverfahren wird die Konzentration des Dotierstoffes an der Oberfläche und der Dotierungsverlauf des Halbleiterkörpers durch die Löslichkeit des Dotierstoffes im Halbleiterkörper, die vorgegebene Temperaturbehandlung und die Prozeßführung bestimmt. Eine typische Prozeßführung ist beispielsweise die Aufspaltung des Dotierungsverfahrens in eine Belegung zur Erzeugung einer definierten Dotierstoffmenge in Öberflächennähe des Halbleiterkörpers und in eine anschließende Nachdiffusion zur Einstellung der Lage des pn-Überganges. Durch die im allgemeinen sehr hohe Konzentration der Dotierstoff atome an der Oberfläche des Halbleiterkörpers können Gitterverzerrungen auftreten.
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Kot/Dx
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Die hohe Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche des Halbleiterkörpers kann bei der Dotierung mittels der Ionenimplantation vermieden werden, da bei diesem Dotierungsverfahren die Höhe und die Lage des Dotierungsmaximums von der Ionenenergie und der Implantationsdosis abhängen, Jedoch entstehen durch die implantierten Ionen Strahlenschäden in Form von Gitterstörungeri, die durch eine anschließende Temperaturbehandlung ausgeheilt werden müssen. Bei hohen Implantationsdosen (Dotierungskonzentration >· 10 cm"°) sind diese Strahlenschäden, die oft in der Form von sogenannten "Schadenskomplexen" (beispielsweise in der Form einer Verbindung von einer Gitter-Leerstelle und einem Sauerstoffatom) vorliegen, nur bei relativ hohen Temperaturen, insbesondere über 1000 0C, vollständig ausheilbar.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Dotie™ rung von Halbleiterkörpern in begrenzten Bereichen anzugeben, wobei der eingebrachte Dotierstoff auch an der Oberfläche des Halbleiterkörpers eine einstellbare Konzentration aufweisen soll, so daß das Gitter des dotierten Halbleiterkörpers eine möglichst geringe Störung erleidet; die Dotierung soll dabei aus einer auf dem Halbleiterkörper aufgebrachten Schicht erfolgen, die gleichzeitig als ohmscher Kontakt dienen kann; außerdem soll ein nach diesem Verfahren hergestellter Transistor angegeben werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Dotierstoff zuvor in die Schichte en) durch Ionenimplantation eingebracht wird.
Die Diffusion in den Halbleiterkörper erfolgt also aus einer (oder mehreren) dotierten, polykristallinen oder amorphen Schicht(en). Die Oberflächenkonzentration des Dotierstoffes im
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Halbleiterkörper ist damit von frei wählbaren Parametern abhängig, nämlich von der Dotierungskonzentration in der (den) Schicht(en) und der Diffusionstemperatur und -dauer. Die Dotierung der Schicht(en) erfolgt wiederum mit großer Genauigkeit durch die Ionenimplantation. Die infolge der Implantation auftretenden Strahlenschäden sind in der polykristallinen oder amorphen Schicht ohne Bedeutung.
Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß vor der Aufbringung der Schichte en) auf den Halbleiterkörper auf dem Halbleiterkörper eine Maskierungsschicht gebildet wird.
Durch-eine Maskierung des Halbleiterkörpers, beispielsweise mittels einer Oxid- oder Nitridschicht, und eine anschließende Öffnung dieser Maskierung an definierten Stellen mit Hilfe der Fotolack- und Ätztechnik vor der Aufbringung der Schicht, in die die Dotierstoffatome implantiert werden, läßt sich die Dotierung des Halbleiterkörpers auf lokalisierte Bereiche beschränken.
Eine andere Weiterbildung der Erfindung besteht noch darin, daß die Schicht(en) bereichsweise entfernt wird (v/erden) und die verbliebenen Teile der Schicht(en) als ohmsche Kontakte verwendet werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zur Dotierung aller Halbleiter, insbesondere von Halbleitern der Gruppen IV, IH-V, H-VI des Periodischen Systems und deren Mischkristalle,
Als Materialien für die Schicht(en) können die genannten Halbleiter in polykristalliner oder amorpher Form sowie ihre Mischungen untereinander oder in mehreren Schichten vorgesehen werden.
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Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Transistor zeichnet sich dadurch aus, daß das Integral der Ladungsträgerdichte über die Basisweite, dividiert durch den Diffusionskoeffizienten (die sogenannte "Gummelzahl"), multipliziert mit der maximalen Gleichstromverstärkung um mindestens einen Faktor 5 größer ist als "bei diffundierten und implantierten Transistoren ohne die Schichten oder daß die Emitter-Basis-Sperrströme um mindestens einen Faktor 5 kleiner sind als bei implantierten Transistoren ohne die Schichten.
Nachfolgend wird die Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Halbleiterkörper mit zwei Fenstern,
Fig. 2 einen Schnitt H-II durch den in der Fig. 1 dargestellten Halbleiterkörper,
Fig. 3 den Halbleiterkörper der Fig. 2 nach der Beschichtung mit einer polykristallinen Siliciumschicht,
Fig. 4 den Dotierungsverlauf in der polykristallinen Siliciumschicht nach der Implantation von Arsen; das Maximum der Dotierung kann hierbei zur Oberfläche oder zur Grenzfläche hin verschoben sein,
Fig. 5 den Dotierungsverlauf in der polykristallinen Siliciumschicht und im einkristallinen Siliciumkörper nach der Implantation und Diffusion, und
Fig. 6 einen Schnitt durch den Halbleiterkörper nach der Implantation, Diffusion und Metallisierung.
Im folgenden wird die Dotierung eines Siliciumkörpers mit Arsen beschrieben, wobei für die Schicht polykristallines Silicium verwendet wird:
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Nach der Abdeckung einer Oberfläche 2 eines Siliciumkörpers 1 mittels einer thermischen oder pyrolytischen Siliciunidioxidschicht 3 werden in die Siliciumdioxidschicht 3 mit Hilfe der "bekannten Fotolack- und Ätztechnik Fenster 4, 5 geätzt (Fig. 1,2), ,
Im nächsten Prozeßschritt wird auf die Oberfläche der in der Fig. 2 dargestellten Anordnung eine polykristalline Siliciumschicht 6 durch ein pyrolytisches Verfahren aufgebracht. Die Schichtdicke der polykristallinen Siliciumschicht 6 beträgt 0,15 /um bis 0,5 /um. In diese Siliciumschicht 6 werden Arsenionen implantiert. Die Implantat!onsenergie E. wird dabei so gewählt, daß das Maximum der Verteilung innerhalb der polykristallinen Siliciumschicht 6 liegt. Bei einer Schichtdicke von etwa 0,3 /um sollte E.< 300 keV sein. Auf diese Weise entsteht die in der Fig. 3 gezeigte Anordnung mit der dotierten, polykristallinen Siliciumschicht 6,
Die Fig. 4 zeigt den Verlauf der Arsendotierung in der polykristallinen Siliciumschicht 6 nach der Implantation, wobei
Λ Ll Λ£\ —.Ρ
die Implantationsdosis etwa 5 . 10 bis 5 . 10 cm" beträgt. Dabei sind auf der Ordinate die As-Konzentration k und auf der Abszisse der Abstand d von der Oberfläche 7 der polykristallinen Siliciumschicht 6 über den Fenstern 4, 5 aufgetragen. Mit "A" und "B" sind jeweils die Bereiche der polykristallinen Siliciumschicht 6 und des einkristallinen Siliciumkörpers 1 angedeutet.
Während eines Diffusionsschrittes von beispielsweise 30 min bei 950 0C diffundiert das implantierte Arsen aus der polykristallinen Siliciumschicht 6 in den einkristallinen Halbleiterkörper 1, wie dies in der Fig. 5 angedeutet ist. Auf diese Weise entstehen unterhalb der Fenster 4, 5 mit Arsen dotierte Zonen 8, 9 im Halbleiterkörper 1 (Fig. 6).
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Durch eine weitere Fotolack- und Ätztechnik wird die polykristalline Siliciumschicht 6 derart von der Oberfläche der Si-Iiciumdioxidschicht 3 entfernt, daß nur noch Inseln 10, 11 über den Fenstern 4, 5 zurückbleiben« Diese Inseln 10, 11 dienen als ohmsche Kontakte für anschließend aufgebrachte Leitbahnen 12, 13 (Fig. 6).
Integrierte bipolare Transistoren, deren mit Arsen dotierte Emitterzonen nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt wurden, zeigen eine maximale Stromverstärkung bis zu einem Faktor 500 und Grenzfrequenzen bis zu 4 GHz,
6 Figuren
7 Patentansprüche
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Claims (7)

  1. Patent a nsprüc h e
    M./Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeit styps in einem Halbleiterkörper, bei dem der Dotierstoff aus einer polykristallinen oder amorphen Schicht oder aus mehreren polykristallinen und/oder amorphen Schichten in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, sowie einen nach diesem Verfahren hergestellten Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff zuvor in die Schicht(en) (6) durch Ionenimplantation eingebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß vor der Aufbringung der Schicht(en) (6) auf den Halbleiterkörper (1) auf dem Halbleiterkörper (1) eine Maskierungsschicht (3) gebildet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht(en) (6) bereichsweise entfernt wird (werden), und daß die verbliebenen Teile der Schicht(en) (10, 11) als ohmsche Kontakte verwendet werden.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet , daß das Maximum des Dotierungsverlaufes des in die Schicht(en) (6) implantierten Do-* tierstoffes wenigstens vor der Diffusion in der (den) Schicht(en) (6) liegt.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Schichtdicke der Schicht(en) 0,15 /um bis 0,5 /um beträgt.
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  6. 6. Transistor, hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß das Integral der Ladungsträgerdichte über die Basisweite, dividiert durch den Diffusionskoeffizienten (die sogenannte "Gummelzahl"), multipliziert mit der maximalen Gleichstromverstärkung um mindestens einen Faktor 5 größer ist als bei diffundierten und implantierten Transistoren ohne die Schichten (10, 11).
  7. 7. Transistor, hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Basis-Sperrströme um mindestens einen Faktor 5 kleiner sind als bei implantierten Transistoren ohne die Schichten (10, 11).
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DE2449688A 1974-10-18 1974-10-18 Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper Expired DE2449688C3 (de)

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