DE2200061A1 - Verfahren zur Herstellung eines photoleitfaehigen Pulvers - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines photoleitfaehigen PulversInfo
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Description
Patentanwälte Dipl.-Ing. F. Weickmann,
Dipl.-Ing. H. Weickmann, Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke
Dipl.-Ing. F. A.Weickmann, Dipl.-Chem. B. .Huber
8 MÜNCHEN 86, DEN
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Kn
CASE: Z.76O(XD/3O11)~CLC
XEROX CORPORATIOIi,
Rochester, N.Y.I46O3/USA
Xerox Square
"Verfahren zur Herstellung eines photoleitfähigen Pulvers"
Die Erfindung betrifft ganz allgemein ein Verfahren zur Herstellung
von photoleitfähigein Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid
und Cadmiumsulfoselenid, insbesondere ein Verfahren zur Herstellung
derartiger Pulver mit verbesserten Eigenschaften.
Die photosensitiven Eigenschaften von Cadmiumsulfid sind eeit einiger Zeit bekannt und es sind beträchtliche Anstrengungen
unternommen worden, seine Eigenschaften für die Verwendung in speziellen Vorrichtungen zu modifizieren und zu
verbessern.
l% M A A A
Pur viele Anwendungen ist die ideale photoleitfähige Vorrichtung eine solche, die einen perfekten Isolator darstellt, *
wenn sie nicht der Einwirkung von aktivierender Strahlung, wie Licht, ausgesetzt ist unddie, einen perfekten Leiter darstellt,
wenn sie der Einwirkung einer aktivierenden Strahlung hoher Intensität ausgesetzt wird. Die große Mehrheit
photoleitfähiger Vorrichtungen jedoch verhält sich in Wirklichkeit in Abwesenheit von aktivierender Strahlung, wie
Leiter mit ziemlich hohem Widerstand und in Anwesenheit von aktivierender Strahlung wie Leiter mit niedrigerem Widerstand.
Je nach dem Anwendungsgebiet kann eine photoleitfähige Vorrichtung einen hohen oder niedrigen spezifischen
Widerstand besitzen. Wichtig ist das Verhältnis von Signal zu Rauschen. Relativ niedrige spezifische Dunkelwiderstände,
in der Größenordnung von 10 bis 10 Ohm-cm, können toleriert
werden, solange ein ausreichendes Verhältnis Signal zu Rauschen verbunden mit adäquater Photoempfindlichkeit gegeben
ist, für die spezifische "Bildanwendung, die den Photorezeptor benutzt. Der zulässige Mindestdunkelwiderstand
(spezifischer Widerstand) wird dann für diese spezifische Anwendung kennzeichnend sein. Die Erfordernisse bezüglich
des Verhältnisses Signal zu Rauschen sind für die meisten Photoleiteranwendungen derart, daß das Material im allgemeinen
so gemacht ist, daß es eine Quantenausbeute von 1 gewährleistet. Das heißt, für jedes einfallende Photon ist
die Zahl der Ladungsträger, die fließen, gleich 1. Im speziellen Fall der Xerographie ist die maximal mögliche Ausbeute
1. Der Wirkungsgrad für die Erzeugung von Ladungsträger ist daher das Schlüsselmerkmal eines Photoleiters für
die xerographische Anwendung.
Mit Bindemittelschichten ist es möglich, photoleitfähige Pigmente mit relativ niedrigen spezifischen Widerständen zu verwenden,
wenn das Matrixmaterial zwischen die Pigmentpartikel tritt. Die Schicht bietet keine wirkungsvollen Durchlaufeigenschaften,
sie kann jedoch in der Einzelmethode verwendet wer-
den, wie z.B. das Phthalozyaninpapier. Mit einem Photoleiter
vom Typ des Einfach.-Ladungsträgers ("single carrier"), wie
CdS, ist es möglich, mit relativ niedrigen spezifischen Widerständen
su arbeitenβ Während der Aufladung werden die beweglichen Ladungsträger herausgetrieben, so daß eine Sperrschicht
gebildet wird. Solange die Ladungsdichte der Sperrschicht
nicht zu hoch ist, kann die xerοgraphische Arbeitsweise
noch äußerst wirkungsvoll sein«
Der Grund, weswegen ein Photoleiter mit diesen Eigenschaften nötig ist, wird nach einer kurzen Erklärung des am häufigsten
verwendeten xerographischen Verfahrens klar. In dem Verfahren,
wie es zuerst in der U.S.-Patentschrift 2 297 691
beschrieben worden ist, erhält ein Photoleiter zuerst eine gleichmäßige elektrostatische Ladung auf seiner Oberfläche,
dann wird er mit einem Bild aus aktivierender elektromagnetischer Strahlung belichtet. Ein latentes elektrostatisches
Bild bildet sich dann auf dem Photoleiter, da die belichteten Gebiete des Photoleiters relativ leitfähig iverden und
daher die Auflösung der Ladung in jenen Gebieten gestatten, wohingegen die Ladung in den nicht-belichteten Gebieten aufrechterhalten
wird. Dieses latente elektrostatische Bild wird dann entwickelt oder sichtbar gemacht durch die Abscheidung
von feinverteiltem elektroskopischem Markierungsmaterial auf der Oberfläche des Photoleiters, die mit dem Motiv des
latenten elektrostatischen Bildes übereinstimmt. Das sichtbare Bild kann dann betrachtet werden oder in situ auf dem
Photoleiter verwendet werden oder es kann auf eine zweite Oberfläche, z.B. ein Kopierpapier, übertragen werden. Somit
wird klar, daß der photoleitfähige PiIm einen genügend hohen spezifischen Dunkelwiderstand besitzen muß, damit er seine
Anfangsladung in den Gebieten, die nicht belichtet worden sind, wenigstens so lange aufrechterhält, wie für die Belichtung
und- Entwicklung des Photoleiters erforderlich ist. In Abhängigkeit von der Ausgabemethode und der maschinellen Anwendung
fand man, daß Photoreseptoren mit spezifischen Min-
destdunkelwiderständen in der Größenordnung von 10 Ohin-cm
für diesen Zweck benötigt werden.
Obgleich photoleitfähige Isolatoren aus glasartigem Selen
mit sehr zufriedenstellenden Ergebnissen im xerographischen Verfahren verwendet worden sind, wird ständig nach verbesserten
Materialien gesucht, welche den erforderlichen spezifischen Dunkelwiderstand zusammen mit erhöhter Sensitiv!-
tat, breiterer Spektralempfindlichkeit und anderen wünschenswerten
Eigenschaften besitzen.
Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid und Cadmiumsulfoselenide sind
Materialien, die für die Verwendung in Photozellen, z.B. in Meßinstrumenten, Relais etc. und auch als praktische
Alternativen für glasartiges Selen untersucht worden sind. In einem in der II.S.-Patentschrift 2 876 202 beschriebenen
Verfahren beschreiben die Patentinhaber ein dreistufiges Verfahren, das zu Cadmiumsulfidpulver mit einer Teilchengröße
im Bereich zwischen 5 und 40/um führt. Pur die Verwendung
in einer xerographischen Methode müssen die Cadmiumsulfid- in einem transparenten Bindemittel oder einer Matrix
mit sehr hohem elektrischem spezifischem Widerstand - in
15
der Größenordnung von 10 Ohm-cm - dispergiert werden. Man stellte fest, daß Partikel in diesem Größenbereich schon an sich Hindernisse darstellen für die Fabrikation von glatten Oberflächenschichten mit optimalen xerographischen Entwicklungseigenschaften. Partikel in diesem Bereich haben notwendigerweise schlechte Packungsdichte mit Beschränkungen bezüglich der Schichtdicke, was zu ungenügender Lichtausnutzung und einem erhöhten Gewichtsquantuia Photoleiter pro Flächeneinheit Photorezeptor führt. Eine mechanische Zerkleinerung der Partikel zu Teilchen mit einer Größe im Mikron- und Submikron-Bereich, beispielsweise durch Mahlen, löst nicht das Problem, da das Mahlen die Photoleitfähigkeit· des liaierials drastisch verringert.
der Größenordnung von 10 Ohm-cm - dispergiert werden. Man stellte fest, daß Partikel in diesem Größenbereich schon an sich Hindernisse darstellen für die Fabrikation von glatten Oberflächenschichten mit optimalen xerographischen Entwicklungseigenschaften. Partikel in diesem Bereich haben notwendigerweise schlechte Packungsdichte mit Beschränkungen bezüglich der Schichtdicke, was zu ungenügender Lichtausnutzung und einem erhöhten Gewichtsquantuia Photoleiter pro Flächeneinheit Photorezeptor führt. Eine mechanische Zerkleinerung der Partikel zu Teilchen mit einer Größe im Mikron- und Submikron-Bereich, beispielsweise durch Mahlen, löst nicht das Problem, da das Mahlen die Photoleitfähigkeit· des liaierials drastisch verringert.
!partikel
In einem in der U.S.-Patentschrift 2 995 4-74 beschriebenen ^
Verfahren wird Cadmiumsulfidpulver in der Größenordnung von 1 /um erhalten, indem man mit Kupfer gedoptes Cadmiumsulfid
mit einem sorgfältig kontrollierten Milieu aus Wasserstoffs,
Chlorwasserstoff und Schwefelwasserstoff behandelt. Die für
diese Technik erforderliche spezielle Einrichtimg und die
entscheidende Bedeutung, die der Aufrechterhaltung der
richtigen Strömungsgeschwindigkeiten, Proportionen und
Temperatüren zukommt, mag den Grund dafür abgeben, weswegen
eine technische Anwendung dieses Verfahrens nicht stattgefunden hat.
Die Technik der Herstellung von Pigment-Photorezeptoren des
Typs mit imprägnierter Matrix würde einen wesentlichen !Fortschritt
erfahren 9 wenn Cu-Cl-aktiviertes Cadmiumsulfid,
Cadmiumselenid oder Cadraiumsulfoselenid in diskreten Partikeln von weniger als 5/um mittleren Durchmessers »bezogen auf
die"Oberfläche,hergestellt werden könnte,, ohne die oben genannte Milieusteuerung.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Schaffung eines verbesserten Verfahrens zur Herstellung von photo«
leitfähigen Pulvern und zur Herstellung von photoleitfähigen
Pulvern mit einer Teilchengröße, die der Verwendung ±n einer
xerographisehen Methode angepaßt ist und die einen mittleren
Durchmesser oberflächenbezogen :von weniger als 5/Ue besitzen»
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von photoleitfähigem Pulver, das dadurch gekennzeichnet ist, daß bei einer Temperatur zwischen
7000C ein Mitglied der Gruppe, die aus Cadmiumsulfid,
Cadmiumselenid und Cadmiumsulfoselenid besteht, mifc einem
Aktivatoranteil einer Vorstufe9 die .ein Mitglied der Gruppe,
bestehend aus Kupfer und Silber, enthält \m& mit 0,01 bis
=$ dar Zusammensetzung eines Mitglieds der G-xmpps,- foe=·
stehend aus Cadmiumchlorid und Zinkchlorid, gebrannt wird. ■
Mit Hilfe der vorstehenden Technik ist es möglich, gepulvertes photoleitfähiges Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid und
Cadmiuffisulfoselenid mit einer Teilchengröße von weniger als
5/um zu erhalten, das für xerographische Zwecke gut geeignet ist.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird auf die beiliegende Zeichnung verwiesen, darin stellt die einzige Abbildung
eine Kurve dar, welche die Analyse der spektralen Empfindlichkeit eines Materials zeigt, das nach der vorliegenden
Erfindung hergestellt worden ist.
Unter Anwendung des folgenden Grundverfahrens wurde eine Reihe von aktivierten Cadmiumsulfidzusammensetzungen hergestellt,
wobei jede Zusammensetzung sich im Gewichtsprozentsatz an verwendetem Cadmiumchlorid unterschied»
Ein Cadraiumsulfidpulver, im Handel erhältlich von General Electric Phosphor Division (Cleveland, Ohio) als
"Electronic Grade 118-8-2" mit einem mittleren Durchmesser ,bezogen
auf dieOberfläche, d —— (/um) von 2,6, wird mit einer wäßri-
v—s /
gen CuClg-Lösung so gemischt, daß etwa 0,01 % Cu, bezogen auf
das Gewicht des CdS, eingeführt werden. Die Aufschlämmung wird getrocknet und das System wird zu einem feinen Pulver zerkleinert. Das Pulver wird in fünf gleiche Portionen aufgeteilt
und jede wird mit einer separaten wäßrigen Lösung von CdCl2 so befeuchtet, daß 0,03; 0,09; 0,16; 0,28 und 0,53
Gew.-0Jo CdCIp in die entsprechenden Portionen eingeführt v/erden.
Jede Portion wird 3 Stunden lang bei HO0C getrocknet
und in kleine Stücke zerbrochen. Eine 45 g Menge von jeder Portion wird 5 Minuten lang in Quartaröhren bei 600°C kal-
,-.-Ιν,-t -_J- T-J- T>
J--!
schreckt und die zerfallenen Beschickungen v/erden frei von Chlorldionen gewaschen. Jede Portion wird filtriert und bei
HO0C getrocknet. Das erhaltene Pulver wird ohne weitere Behandlung
auf Teilchengröße und elektrische Eigenschaften analysiert.
Zum Vergleich wurde ein aktiviertes Cadmiumsulfidpulver nach der Methode des Beispiels 1 der U.S.-Patentschrift 2 876 202
hergestellt.
Eine Mischung aus 90 Gew.-$ CdS (gleichen Ursprungs wie das
CdS der Beispiele 1 bis 5), 9 Gew.-# GdCl2J, QS9 Gewo-# MH4-Cl
und 0,02 Gew.-$ CuCIg wird bei 6OQ0G aa der- luft 20 Minuten
lang erhitzt. Das erhaltene Pulver wird frei von wasserlöslichen
Salzen gewaschen, filtrier'»; und. mit wäßriges 1,0 m
1IHAC1 und wäßrigem 0,1 a OaCl9 befeuchtet0 Das getrocknete
Pulver wird durch ein Sieb mit einer lichten Masenem-zeite
von 0,044 mm (325 mesh) gesiebt iraö bei 600°ö 20 Minutea lang
kalziniert. Das Pulver aus der zn^X'i'i'a Kaiginiery;«g ΐ/irä mit
0,08 bis 0,3 Gew.-# Schwefel bei 5000C 10 Min«tea laug mitei?
atmosphärischen Bedingungen und dann unter reduziertem !Druck
2
in der Größenordnung von 10 /um Hg behandelt» Das erhaltene Pulver wird bezüglich der Teilchengröße und der elektrischen Eigenschaften analysiert*
in der Größenordnung von 10 /um Hg behandelt» Das erhaltene Pulver wird bezüglich der Teilchengröße und der elektrischen Eigenschaften analysiert*
Pur die Analyse der Teilchengröße wird folgende Technik angewendet:
Jedes Pulversystem wurde bei einer Vergrößerung ύοώ 500Χ unter
Benutzung eines Leitz-Mikroskopes mikroskopisch untersucht.
Dies stellte ein Aussiebverfahren darP um flie allgemeine G-rös-
;se ωΏά' Gestalt eier Teilchen zu untersuchen und um der iraaeri-.■öli^H
Analyst® nach äsr "Coulter Coimter-Hethode" visuelle
Unterstützung zu gewähren. Da viele der Partikel unter der Mindestgröße lagen, die im Coulter Counter (das ist
< 1 /um) ; gefunden wird, wurde der Zahlenwert auf eine log-Normalverteilung
programmiert, die - wie man fand - das Pulversysteia
nachahmte und erlaubte, den mittleren Durchmesser,bezogen auf die
Oberfläche (d—-)CC aus den resultierenden Vierten des geometrischen
Mittels und der Standardabweichung über die folgende Relation abzuleiten:
(1) log (d—) = log (dp - 1,151 (log crg)2
In Gleichung (1) ist d' der geometrische Mittelwerts-
durchmesser der Gewichtsverteilung entsprechend dem 50 i»
Niveau auf dem log-Wahrscheinlichkeitsverlauf; cT · ist die
Standardabweichung definiert alc das Durchmesserverhältnis
das den 84 und 50 # Niveaus auf der log-V/ahrscheinlichkeitskurve
entspricht:
ι =
d (80 °/o Niveau)
e d (50 $>
Niveau)
Der abgeleitete mittlere Durchmesser,oberflächenbezo^enj d——
erklärt dann die Gesamtpartikelzahl:("όοtal particulate population")
Partikel-Charakterisierung
| Beispiel Ur* | # CdCl2 | d / um) |
| "Coulter Counter11 | ||
| (Coulter-Zähler) | ||
| 1 | 0,03 | 2,88 |
| 2 | 0,09 | 2,77 |
| 3 | 0,16 | 2,74 |
| 4 | 0,28 | 2,63 |
| 5 | 0,53 | 2,97 |
| 6 | 9,0 | 15,0 |
| *G.E.CdS | 0,00 | 2,60 |
*Ausgangsmaterial
Aus der Tabelle ist ersichtlich., daß das Verfahren der Beispiele
1 bis 5» in welchen vergleichsweise kleine Anteile
CdCIp verwendet wurden, kein signifikantes Partikelwachstum gegenüber den Abmessungen des ursprünglichen Ausgangsmateriales zur Folge hatte. Dagegen führte das Verfahren des
Beispiels 6, welches die vergleichsweise großen Anteile von 9 fo CdCIg verwendete, zu einem beträchtlichen Par tike !wachstum, verglichen mit dem Ausgangsmaterial.
CdCIp verwendet wurden, kein signifikantes Partikelwachstum gegenüber den Abmessungen des ursprünglichen Ausgangsmateriales zur Folge hatte. Dagegen führte das Verfahren des
Beispiels 6, welches die vergleichsweise großen Anteile von 9 fo CdCIg verwendete, zu einem beträchtlichen Par tike !wachstum, verglichen mit dem Ausgangsmaterial.
TJm ein nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestelltes
typisches Pulver auf seine Brauchbarkeit in einem
xerographischen Verfahren zu bewerten, wurde eine xerographische Platte v/ie folgt hergestellt:
xerographischen Verfahren zu bewerten, wurde eine xerographische Platte v/ie folgt hergestellt:
Eine Mischung aus dem photoleitfähigen Pulver des Beispiels und Polyurethan, ein wärmehärtendes Harzprodukt, das im Handel
als Zar von "United Gilsonite Laboratory, Scranton,
u
u
Pennsylvania, erhältlich Ia1U3 wird in einem 1:1-Volum«iiiver-
- ίο -
hältnis hergestellt. Ein geeignetes organisches Lösungsmittel;
wird als Medium für das Polyurethan verwendet. Eine 25 bis 35/u dicke Schicht dieser Zusammensetzung wird durch Siebdruck
auf ein "Nesa"-Glassubstrat aufgebracht (Glas, das mit
einer dünnen, transparenten, leitfähigen Zinnoxydschicht beschichtet
ist), welches die Gelegenheit zu einer visuellen Untersuchung der Pulververteilung im organischen Kunststoff
schafft. Der PiIm ist extrem glatt und die Partikel sind im gesamten Kunststoff gleichmäßig verteilt und in guter
Packung.
Diese Platte erhielt eine Korona-Aufladung auf -300 Volt und wurde dann dunkel entladen. Die Geschwindigkeit wurde mit
ungefähr 5 Volt/Sek. ermittelt. Bei der Belichtung mit
Spektrallicht von 2 χ 1012 hv/cm2-Sek. Flußintensität entsprach
ihre Spektralempfindlichkeit derjenigen, die durch die Kurve der Zeichnung dargestellt ist. Diese Kurve zeigt die
anfänglichen photoinduzierten Entladungsgeschwindigkeiten und zeigt, daß die Platte die für die xerographische Verwendung
erforderlichen passenden photoelektrischen Eigenschaften besitzt. Die Restplattenspannung nach Belichtung
schwankte von wenigen Volt bis sum Null-Potential,
An Materialien der Beispiele 1 bis 5 und an dem photöleitfähigen
CdS-Produkt, das nach der bevorziigten "Busanovich-Methode"
hergestellt worden war, wurden Dauerzustandsdunkel- und Photostrom-Messunfren (λ 5850 a, 2 χ 10 hv/cm -Sek.) vorgenommen,
in einer vergleichbaren, von Busanovich beschriebenen Weise. Die Ergebnisse vervollständigten in allen Beispielen
die in der Xerographie bekannte spektrale Photosensitivität, indem sie anzeigten, daß der spezifische Widerstand wenig-
1?
stens 10 Ohm-cni ist, das Verhältnis von Signal zu Rauschen
stens 10 Ohm-cni ist, das Verhältnis von Signal zu Rauschen
4 6
im Bereich von 10 bis 10 liegt und die Photoempfindlichkeit vergleichbar mit derjenigen ist, die bei dem "Busanovich-Pulver" gefunden wurde. Diese elektrischen Eigenschaften ge-
im Bereich von 10 bis 10 liegt und die Photoempfindlichkeit vergleichbar mit derjenigen ist, die bei dem "Busanovich-Pulver" gefunden wurde. Diese elektrischen Eigenschaften ge-
nügen den für einen brauchbaren Photoleiter erforderlichen VorT
aussetzungen mehr für die allgemeine Anwendung als für den speziellen Gebrauch in der Xerographie.
Häufig wurde gefunden, daß bei der Kalzinierung bei 60O0C im
oberen Bereich der Plußmittel-Konzentration von 1 Gew.-#,
die bevorzugten elektrischen Eigenschaften in der Xerographie nicht vollkommen verwirklicht wurden, wegen dem niedrigen
elektrischen Dunkelv/ider stand, einer Verringerung des Verhältnisses
Signal zu Rauschen und einer trägen Photoreaktion. Es wurde gezeigt, daß eine Schwefelbehandlung gemäß dem Stand
der Technik (Busanovich, TJ.S.-Patentschrift 2 876 202) dieses
Verhalten kompensiert, wobei man ein Materia,! mit den bevorzugten
elektrischen Eigenschaften erhält:
1"*>
elektrischer Dunkelwiderstand, 10 Ohin-cin; Verhältnis von Signal zu Rauschen, 10 bis 10 ; Ansprache von Dunkel auf Photobedingungen innerhalb 1 bis 2 Sekunden bei der lateralen Leitfähigkeitsanalyse.
elektrischer Dunkelwiderstand, 10 Ohin-cin; Verhältnis von Signal zu Rauschen, 10 bis 10 ; Ansprache von Dunkel auf Photobedingungen innerhalb 1 bis 2 Sekunden bei der lateralen Leitfähigkeitsanalyse.
Es ist klar, daß anstelle von Cadmiumsulfid als Grundmaterial Cadmiumselenid und Gemische von Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid
verwendet werden können. Anstelle von Cadmiumchlorid kann Zinkchlorid verwendet werden«, Obwohl diese Materialien
im Bereich von 0,01 bis 1 Gew.-$ des photoleitfähigen Pulvers
verwendet werden können, liegt ein bevorzugter Bereich bei 0,03 bis 0,5 #« Ein Silberaktivator kann als Äquivalent für
Kupfer verwendet werden. Diese können in Porm ihrer Salze, z.B. als Kupferchlorid, Kupfernitrat, Silbernitrat, Silberchlorid
etc. eingeführt werden. Der. Aktivatoranteil von Kupfer oder Silber und Chlor wird während des Brennens in das Grundmaterial
eingebracht. Diese Menge ist extrem gering und liegt
1 2
im allgemeinen in der Größenordnung von 10 bis etwa 10 ppm (Teile pro Million) Aktivator*, bezogen auf das Gewicht des
Grundmaterials.
Die Brenntemperatur liegt im allgemeinen im Bereich, von 500
bis 70O0C, vorzugsweise bei etwa 6000C. Die Brennzeit sollte
wenigstens so lange sein, daß die Aktivatorionen in das Grundmaterial einverleibt werden. Bei 6000C kann dies gewöhnlich
in 1 bis 10 Hinuten erreicht werden. Wenn man daher von photoleitfähigem Pulver mit einer Teilchengröße von weniger
als 5/um ausgeht, kann es nach dem vorliegenden Verfahren ohne ein bedeutungsvolles Kornwachstum aktiviert werden.
Es ist klar, daß anstelle der Verwendung von Cadmiumsulfid, Selenid oder Sulfoselenid als Ausgangsmaterial bis zu 50
Gew.-i» Zink in diesen Verbindungen vorliegen können.
Claims (5)
- PAfEITAISPEUCHE :Verfahren zur Herstellung von photoleitfähigem Pulver, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Temperatur zwischen 500 bis 70O0C Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid und/oder Cadmiumsulfoselenid mit einem Aktivatoranteil einer Vorstufe, die Kupfer und/oder Silber enthält, und mit etwa 0,01 bis 1 Gew.-$ des zu brennenden Materials an Cadmiumchlorid und/oder Zinkchlorid gebrannt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gesamtgewichtsprozentsatz an Cadmiumchlorid und Zinkchlorid in dem Material, das gebrannt wird, etwa 0,03 bis 0,5 beträgt.
- 3. Verfahren· nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material, welches gebranntes Pulver darstellt, Cadmiumsulfid ist, das die Vorstufe und Cadmiumchlorid und/oder Zinkchlorid enthält.
- 4 ο Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Vorstufe Kupfer enthält und das Material mit Cadmiumchlorid gebrannt wird0
- 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4} dadurch gekennzeichnet,, daß das Material bei etwa 6000C gebrannt wird.Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| US10433571A | 1971-01-06 | 1971-01-06 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2200061A1 true DE2200061A1 (de) | 1972-07-27 |
| DE2200061B2 DE2200061B2 (de) | 1978-01-26 |
| DE2200061C3 DE2200061C3 (de) | 1978-09-21 |
Family
ID=22299956
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| DE2200061A Expired DE2200061C3 (de) | 1971-01-06 | 1972-01-03 | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Photoleiters |
Country Status (8)
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| US (1) | US3694201A (de) |
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| CA (1) | CA982808A (de) |
| DE (1) | DE2200061C3 (de) |
| FR (1) | FR2121327A5 (de) |
| GB (1) | GB1381162A (de) |
| IT (1) | IT946352B (de) |
| NL (1) | NL7200165A (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2338233A1 (de) * | 1972-07-29 | 1974-02-14 | Canon Kk | Photoempfindliches material fuer die elektrophotographie |
| DE2549181A1 (de) * | 1974-11-06 | 1976-05-13 | Konishiroku Photo Ind | Verfahren zur herstellung photoleitfaehiger, cadmiumsulfidartiger pulverfoermiger materialien |
| DE2648890A1 (de) * | 1975-11-06 | 1977-05-12 | Kip Kk | Fotoleitendes cadmiumsulfid und verfahren zu seiner herstellung |
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|---|---|---|---|---|
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| US4495265A (en) * | 1980-03-07 | 1985-01-22 | Gte Products Corporation | Electrophotographic copper doped cadmium sulfide material and method of making |
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1971
- 1971-01-06 US US104335A patent/US3694201A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-10-25 CA CA125,934A patent/CA982808A/en not_active Expired
-
1972
- 1972-01-03 DE DE2200061A patent/DE2200061C3/de not_active Expired
- 1972-01-03 GB GB11972A patent/GB1381162A/en not_active Expired
- 1972-01-05 IT IT19102/72A patent/IT946352B/it active
- 1972-01-05 FR FR7201003A patent/FR2121327A5/fr not_active Expired
- 1972-01-05 BE BE777717A patent/BE777717A/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-01-06 NL NL7200165A patent/NL7200165A/xx not_active Application Discontinuation
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Also Published As
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| CA982808A (en) | 1976-02-03 |
| IT946352B (it) | 1973-05-21 |
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| BE777717A (fr) | 1972-07-05 |
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