[go: up one dir, main page]

DE2262475A1 - Mit einem halbleiter arbeitender lichtverstaerker - Google Patents

Mit einem halbleiter arbeitender lichtverstaerker

Info

Publication number
DE2262475A1
DE2262475A1 DE2262475A DE2262475A DE2262475A1 DE 2262475 A1 DE2262475 A1 DE 2262475A1 DE 2262475 A DE2262475 A DE 2262475A DE 2262475 A DE2262475 A DE 2262475A DE 2262475 A1 DE2262475 A1 DE 2262475A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
junction
amplifier
value
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2262475A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2262475C3 (de
DE2262475B2 (de
Inventor
Takaya Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KDDI Corp
Original Assignee
Kokusai Denshin Denwa KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Denshin Denwa KK filed Critical Kokusai Denshin Denwa KK
Publication of DE2262475A1 publication Critical patent/DE2262475A1/de
Publication of DE2262475B2 publication Critical patent/DE2262475B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2262475C3 publication Critical patent/DE2262475C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/50Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123Q-switching
    • H01S3/113Q-switching using intracavity saturable absorbers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0601Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

DIPL.-ING. KLAUS BEHN
DIPL.-PHYS. ROBERT MÜNZHUBER 2262
PATEtVITANl WALTE
8 MÖNCHEN 22 WiDENMAYERSTRASSE 6 .._ „_r»/-»
Tel. cos,,, 222530-29S192 20 · Dezember 1972
A 357 72 Ml/kb
Firma KOKUSAI DENSHIN DENWA KABUSHIKI KAISHA, 24/25, Kasumigaseki-Bldg., 2-5, 3-Chome, Kasumigaseki, Chiyoda-Ku, Tokyo-To, Japan
Mit einem Halbleiter arbeitender Lichtverstärker
Die Erfindung betrifft einen Lichtverstärker, der einen Halbleiter verwendet, in dem ein Schwellwert in Bezug auf seine Eingangs- Ausgangscharakteristik vorgesehen ist.
Es sind Lichtverstärker bekannt, die in ihrer Eingangs-Ausgangscharakteristik einen Schwellwert aufweisen. Es ist jedoch sehr schwierig, einen bestimmten gewünschten Schwellwert und einen bestimmten gewünschten Sättigungswert zu erhalten.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen Lichtverstärker zu schaffen, der einen Halbleiter verwendet und in
309826/0928
dem ein bestimmter gewünschter Schwellwert und ein bestimmter gewünschter Sättigungswqrt erzielbar ist.
Die Eigenschaften, das Prinzip, sowie Aufbau und Wirkungsweise der Erfindung werden nachfolgend nun in Verbindung mit den Figuren der Zeichnung erklärt. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaubild zur Erläuterung herkömmlicher Lichtverstärker mit einem Schwellwert in der Eingangs- Ausgangscharakteristik;
Fig. 2 eine graphische Darstellung des Verstärkungsund des Dämpfungskoeffizienten zur Erläuterung der Arbeitsweise des in Fig.1 dargestellten Lichtverstärkersj
Fig. 3 ein graphisches Schaubild, das die Eingangs-Ausgangscharakteristik des in Fig.1 gezeigten Lichtverstärkers wiedergibt;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines AusfUhrungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 5 eine vergrößerte Darstellung eines Ausschnitts aus der Fig. 4;
Fig. 6a Stirnansicht und Schnitt nach der Linie 6B-6B und 6b in Fig. 6A des Lichtverstärkers aus der Fig.4, aus welchen ein Verstärkungsbereich und ein sättigbarer Absorptionsbereich erkennbar sind;
Fig. 7 ein graphisches Schaubild der Eingangs- Ausgangscharakteristik des Verstärkungsbereiches und des sättigbarem Absorptionsbereichs bezogen auf einen Betrag I, der proportional zu einem Treiberstrom ist, welcher als Parameter verwendet ist;
Fig. 8 ein Diagramm mit charakteristischen Kurven
für 1=30 und 1=0,05 in Fig.6 zur Erläuterung des Auftretens des Schwellwertes;
- 3 -309826/0928
Fig. 9 ein die Schemaschaltung der Erfindung darstellendes Blockschaltbild]
Fig. 10 ein Diagramm der Eingangs- Ausgangscharakteristik eines einstufigen Verstärkers (Kurve a) gemäß Fig. 8 , eines zweistufigen Verstärkers (Kurve b) und eines fünfstufigen Verstärkers (Kurve c) in Kaskadenschaltungj und
Fig. 11 ein Blockschaltbild des LichtVerstärkers mit fünf hintereinander geschalteten Stufen gemäß der Erfindung.
Um das Wesen und die Vorteile der Erfindung klar herauszustellen, wircl .zunächst der .Stand der Technik beschrieben. In der Fig.1 ist ein aktives Material 1, das Laserwirkung hat^ und ein sättigbares Absorptionsmaterial 2, das Sättigungscharakteristik in seinen Dämpfungskoeffizienten hat, gleichmäßig in einem Trägerkristall enthalten. Beispielsweise sind Neodym (Nd^+) und Uranoxyd (uo|+) als aktives Material und als Absorptionsmaterial in Glas enthalten. Mit der Ziffer jj ist in Fig.1 ein ankommender Lichtstrahl und mit Ziffer 4 ein abgehender Lichtstrahl bezeichnet. Die Wirkungsweise des Lichtverstärkers ist nun folgendermaßen. Fig. 2 zeigt den Verstärkungskoeffizienten eC des aktiven Materials je Längen-
einheit und den Dämpfungskoeffizienten gC . des sättigbaren Absorptionsmaterials, der einen Dämpfungskoeffizienten <sC hat, welcher dem System eigen ist. Die Schnittpunkte A und B der beiden Kurven- undoL sind ein instabiler Punkt und
g 1 -
ein stabiler Punkt . Wenn nämlich das dem Verstärker zugeführte Licht seiner Intensität nach geringfügig unter dem Wert
_ 4 _ 3 0 9 8 2 6 / 0928
S. (entsprechend Punkt A) ist, so arbeitet der Verstärker als Dämpfungssystem, denn es gilt X. > größer als CC , und das vom Verstärker weitergeleitete Licht wird geschwächt. Die Intensitätsabnahme ist um so stärker, je mehr OC den Wert oC übersteigt, wodurch das Licht verringert wird. Wenn der Verstärker ausreichend lang ist, kann die an seinem Ende vorhandene Lichtintensität bis auf O gedämpft sein. Ist jedoch das Licht seiner Intensität nach geringfügig größer als S^, wenn es auf den Verstärker trifft, dann tritt das umgekehrte Phänomen ein, und das Licht wird bei seinem Durchgang durch den Verstärker in seiner Intensität verstärkt. Wenn ,jedoch die Lichtintensität den Wert S1-, entsprechend dem Schnittpunkt B Uberschrietet, von welchem ab der Verstärker wieder als dämpfendes System wirkt, tritt erneut die Dämpfungseigenschaft in Wirkung, so daß das übertragene Licht schließlich mit der Intensität Sn am Verstärkerausgang austritt. Die Eingangs-Ausgangscharakteristik dieses Verstärkers ist in der Fig. 3 dargestellt, und die Lichtintensität S. stellt den Schwellwert dar.
Werden die Dichte (density), die Relaxationszeit und die Ubergangswahrscheinlichkeit des aktiven Materials mit N , T und B und die des sättigbaren Absorptionsmaterials
mit N , T und B bezeichnet, dann lassen sich Verstärkun/rsa a a
309826/0928
koeffizeint ei und Dämpfungskoeffize(i.nt 0C , die in Pig, 2 als Funktion der Photonendichte dargestellt sind, nach folgenden Gleichungen ausdrücken,;
hV . tr . β e e
2 (1 + Be . Te . S)
2 (1 + Ba . Ta . S)
d .(2)
worin h die Planck'sehe Konstante und V die Frequenz des Lichtes ist. Um zwei Schnittpunkte zu erhalten,wie sie in Fig. 2 dargestellt sind, sind folgende Bedingungen erforderlich:
N "> N. TQ > T und BQ < B . Außerdem ist noch die wichtige θ a e a e a
Bedingung zu erfüllen, daß die Wellenlänge des aktiven Materials, bei der dessen Laserwirkung eintritt, mit der Absorptionslinie (Wellenlänge) des sättigbaren Absorptionsmaterials zusammenfällt. In der Praxis ist es äußerst schwierig, ein Material ausfindig zu machen, das diese sämtlichen Bedingungen erfüllt und ausreichendes Durchsetzenpes aktiven Materials mit sättigbarem Absorptionsmaterial zuläßt.
Unter den Bestimmungsgrößen für den Schwellwert, die Relaxationszeit und die Übergangswahrscheinlichkeit befinden
- 6 309826/0928
sich materialbedingte Konstanten, und lediglich die Dichte des Materials gibt eine Möglichkeit, den Schwellwert zu steuern. Aber auch die Beeinflussung des Schwellwertes durch Veränderung der Dichte ist den Einflüssen des Herstellungsprozesses unterworfen, und nach der Herstellung liegt der Schwellwert fest und kann weder gesteuert noch nachjustiert werden.
Es ist deshalb nicht leicht, einen gewünschten Schwellwert S. und einen gewünschten Sättigungswert S« zu erhalten. In der Praxis jedoch wird gefordert, daß der Verstärker Hilfsmittel aufweist, die eine leichte Einstellung des Schwellwertes ermöglichen.
Um die Nachteile und Schwierigkeiten der bisherigen Lichtverstärker zu überwinden,wird ein einen Halbleiter verwendender Lichtverstärker gemäß der Erfindung geschaffen, in welchen ein Halbleiter-PN-Junction-Laser elektrisch in zwei Abschnitte unterteilt wird; die beiden Abschnitte werden gesondert erregt und in einen Verstärkungsabschnitt und in einen sättigbaren Absorptionsabschnitt je nach derJGröße des Treiberstroms untepschieden. Die beiden Abschnitte sind miteinander verbunden und bilden den Lichtverstärker^ durch den Treiberstrom erhält er einen steuerbaren Schwellwert, und eine Vielzahl von Stufen derartiger Lichtverstärker ist in Kaskade geschaltet, wodurch
309826/0928
die Schwellwerteharakteristik verbessert wird. Nachfolgend wird anhand der Zeichnung die Erfindung im einzelnen beschrieben.
Fig.4 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung. Mit 5 und 6 sind die Eintritts- bzw. Austrittsfläche für das Licht bezeichnet, die mit lichthofverhindernden Filmschichten versehen sind, J ist ein P-Typen-Gallium Arsenid-Halbleiter, 8 ein N-Typen-Gallium Arsenid-Halbleiter und 9 die zwischen ihnen liegende Übergangsfläche. Um einen Verstärker in einem Streifenübertragungssystem zu bilden, wird der Mittelbereich einer Isolierschicht 10 aus SiOp, die auf die P-Typenschicht 7 aufgedampft ist, in Form einer streifenförmigen Nut ausgeätzt, worauf dann leitende Elektroden 11 bis 20 aufgedampft werden, die voneinander jeweils elektrisch isoliert sind, wie dies Fig.5 deutlich erkennen läßt. Anschlußleitungen 21 bis 30 führen zu den Elektroden 11 bis 20. Das eintretende Licht 3 wird dem Mittelbereich der Verbindungsebene 9 an der Eintrittsfläche 5 zugeführt, auf der sich keine Isolierschicht 10 aus SiOp befindet, und das Eintrittslicht wird verstärkt und tritt als Austrittslichtstrahl k an der Austrittsfläche 6 wieder aus. Die PN-Übergangsbereiche, die von den leitenden Elektroden 11 bis 20 aus ausgesteuert werden, werden in der nachfolgenden Beschreibung mit 31 bis ho (siehe Fig.63) bezeichnet. Die Bereiche 31, 33, 35, 37 und 39 sind
- 8 3 09826/0928
Verstärkungsbereiclie, die jeweils dieselben Verstärkungseigenschaften haben, die Bereiche 32, 3^, 36, 38 und 40 sättigbare Absorptionsbereiche mit dense]ben Sättigungseigenschaften. Die Verstärkungscharakteristik und die sättigbare Absorptionscharakteristik der jeweiligen Bereiche wird durch die Aussteuerströme beeinflußt.
1
Funktionell kann der Lichtverstärker der Fig. H so be- trachtet werden, daß jeweils ein Verstärkungsbereich 31 und ein sättigbarer Absorptionsbereich 32 einen Verstärker ausmachen, dessen Eingangs- Ausgangscharakteristik einen Schwellwert hat, wobei mehrere Verstärker dieser Art mit denselben Eingangs-Ausgangscharakteristiken in Kaskade geschaltet sind mit dem Ziel, die Schwellwertcharakteristik zu verbessern.
Dje Wirkungsweise soll nun im einzelnen beschrieben werden. Es werden zunächst die Zonen "7^ und 32 betrachtet. Der Einfachheit der Erläuterung wegen wird angenommen, daß die Längen L. und L? der Bereiche 3"I u11^ 3? einander gleich sind (L1 = Lp = L entsprechend Fig. 6b) . Der Pereich 3I wird mit einer Stromdichte J1 über die Zuführungsleitung 21 positiv ausgesteuert, während der Bereich ZP nositiv mit einer Stromdichte J2 über die Leitung 22 ausgesteuert wird. Im Folgenden wird analytisch erläutert, wie eine entsprechende Aurwahl
309826/0928 —■
BAD ORIOtNAt
der Stromdichten j und Jp zu einem Schwellwert in der Eingangs-Ausgangscharakterlstik des Lichtverstärkers führt, bei welchen die Bereiche 3I und ^2 hintereinandergeschaltet sind.
Es wird angenommen, daß die Punktion η der Dichte der Zustände sich bere chnet aus γ exp (E/E ) entsprechend einem Modell eines oft verwendeten Halbleiterlasers, worin E die Photomenenergie und f und E Konstanten sind. Die Dichte der Zustände-Funktion wird als γ -Funktion bezeichnet» und der quasi-Fermipegel ist F. Wenn die Temperatur T in 0K eingesetzt und der Bereich (Verstärkungsbereich oder sättig-*· barer Absorptionsbereich) mit einer Stromdichte j ausgesteuert wird, lassen sich der Verstärkungskoeffizient (oder Absorptionskoeffizient) g und die Elektronendichte η des Bereichs je Volumeneinheit und Zeiteinheit folgendermaßen ausdrücken:
F-E E
KT 1^o
E
n^Byoexp ( —) (if)
Eo -
worin A und B Konstante sind, die von der Temperatur und der BoItzmann1sehen Konstante k abhängen.
- 10 -
Andererseits ist der Grad der Veränderung in der Elektronendichte η durch folgende Gleichung gegeben:
worin d die Dicke der Übergangsebene Qo1 eine Elektronenladung, -t die Lebensdauer eines Elektrons bei natürlicher Emission und s die Photonendichte sind.
Wenn der Bereich durch einen Vorwärtsstrom j ausgesteuert und dem Verstärker kein Licht zugeführt wird, dann ist der quasi-Fermipegel F gegeben durch folgende Gleichung:
BYo qd
unter Verwendung der Gleichung
-11-
309826/0928
-ti -
Dabei ist die Energie E der Photonen ausgedrückt durch E=IiV worin y die Lichtfrequenz und h die Planck1 sehe Konstante sind. Bei Berücksichtigung der Gleichung (3) ist aus dieser Beziehung der Verstärkungs - (Absorptions-) Koeffizient g abhängig von der Frequenz des zugeführten Lichtes. Die Frequenz des zugeführten Lichtes ist dann auf den vollen Wert festgelegt:
worin V das Volumen des Bereichs 3I oder 32 darstellt, das von Lichtwellen besetzt ist, und *T die Lebensdauer der Photonen bedeutet, die von Verlusten wie Streuung, Brechung und dergleichen in Folge freier Elektronen und nicht der induktiven Absorption abhängt. Die durch die Gleichung 8 bestimmte Freqiienz des Lichtes hat folgende physikalische Bedeutung. Der Verstärkungskoeffizient g enthält E (folglich die Frequenz des Lichtes) als Variable und hat einen Maximalwert bei folgendem Wert von E:
E = F -
(9)
- 12 -
309826/092 8
was sich ergibt aus
dg A fo r E
exp (—) (10)
dE 4KT L E. E0J Eo
Da der quasi-Fermipegel F des Leitungsbandes den Vorwärtsstrom j als Variable enthält ändert sich der Maximalwert des Verstärkungskoeffizienten g auch mit dem Aussteuerstrom j wie auj h mit der Frequenz des Lichtes. Wenn der anliegende Vorwärtsstrom j so gewählt ist, daß der Maximalwert des Verstärkungskoeffizienten g im Bezug auf die Lichtfrequi%z erreicht wird, so ergibt sich:
F-E E 1
V.g = VAy exp ( ) = — (11)
° 4KT E T
ο ο
Die Lichtfrequenz ist durch Gleichung(8)vorgegeben. Wenn der Aussteuerstrom j in diesem Fall als JA angenommen wird, ist der Wert JA durch folgende Gleichung festgelegt:
4KTB. qde
JA= (12)
VA. E0. ΐ. ΐρ
309 8 267Ϊ928
Dieses jA entspricht einem Oszillationsstart-Schwellwertstrom j,, eines Laseroszillators. Der Wert "£ ' des Oszillators entspricht einem Wert X des Verstärkers nach folgender Gleichung
ν 1
4, η (13)
L R
worin L die Bereichslänge (Abstand zwischen Resonatoren), R der Reflektionsfaktor des Resonators und ν die Geschwindigkeit des Lichtes in dem Bereich bedeuten. Das heißt, folgende Beziehung ist bei dem Wert j., erfüllt:
"V
Die Werte jA und j,, werden nun miteinander ihrer Größe nach verglichen. Wenn ein Bezugswert ρ für den Verstärkungsfaktor steht, dann gilt für das Produkt V.g und die Aussteuerstromdichte j etwa folgende Beziehung :
Vg = ν p j (15)
- 14 -
3 0 9826/0928
so daß der Wert jA um den Wert, der den zweiten Ausdruck auf der rechten Seite der Gleichung^13/entspricht, kleiner ist als jth· Eine oft verwendete Dämpf ungskonstante o( (^cm hat zum Wert -i , folgende Beziehung :
= 1 / ν f , (16)
Da die dem System eigene Dämpfungskonstante <*■ sich ausdrücken läßt durch <^ = 1/V -f , kann die Gleichung (13)auch folgendermaßen geschrieben werden:
cL= ck + /n (17)
0L R
-1
Ist beispielsweise Ά = 50cm~ , der Reflektionsfaktor R =
und die Länge L = 300 yum, dann wird der zweite Ausdruck der rechten Seite dei
ergibt sich dann
rechten Seite der Gleichung C\ J) im wesentlichen 40cm ~ . Es
5 JA ~ J.. ...(1B)
309826/0928
Als nächstes wird eine Untersuchung angestellt über die Verstärkung (Absorption) des Lichtes in dem Bereich, wenn
Licht einer Frequenz gemäß Gleichung (8) in den Verstärker
eingestrahlt wird. Im stationären Zustand läßt sich die Verstärkung des Lichtes durch folgende Gleichung ausdrucken:
ο S Vg 1 ■ . .
a z - ν vfp
worin Z der Abstand in der Richtung der Lichtstrahlung ist.
aus
Da -n = 0 (stationärer Zustand) ist, läßt sich Folgendes/Gleichung (5) ableiten:
n = ■ - /s.g . (20)
qd
Aus den Gleichungen (4) und (20) wird die Gleichung erhalten:
B-f
Durch Umordnen der Gleichung (5) wobei E durch Gleichung("8) ersetzt und die Gleichung(21) eingeführt wird, läßt sich Gleichung
- 16 - v
309826/0928
folgendermaßen vereinfachen:
=/n (I - P.G.) (22)
V. fp .g = G (23)
A.E . γ
2 \ S = P (24)
4 kT. B
J / J0 = I (25)
JA 4ktBqd
= (26)
e VAE . -ί .
in denen e die Basis des natürlichen Logarithmus e ^2,72.. ist. Wenn die Gleichung (I9) durch Verwendung der Gleichung (23) für G und der Gleichung(2k) für P umgeschrieben wird, erhält man folgende Beziehung:
- 17 -
309826/0928
dp 1
= (G - 1") P , (27)
dZ V^p
Wenn kein Licht eintrifft (P=O), gilt für G>1, d.h. I/>e (j>e. ) Verstärkungswirkung gemäß Gleichung(27/1 Im Falle G>1, d.h. I> e (j>e.) stellt Gleichung^) den sättigbaren Absorptionszustand dar.
Fig. 7 zeigt die Lichteingangs-Ausgangscharakteristik des verstärkenden und des sättigbaren Absorptionsbereichs, welche jeweils eine Länge von 3OO pm haben, in denen die inneren Verluste^' = 1/V -^ = 50cm~ sind und in denen I der Parameter ist. An der Ordinate ist die Ausgangslichtintensität angetragen für den Verstärkungsbereich, wo Oe ist, und die Eingangslichtintensität für den.sättigbaren Absorptionsbereich bei I ^e, während an der Abszisse die Eingangslichtintensität für den .Verstärkungsbereich und die Ausgangslichtintensität für den sättigbaren Absorptionsbereich angegeben sind.
Die Fig. 8 zeigt die Kurven für I = 30 und I = 0,05, die zum Nachweis des Schwellwertes im Lichtverstärker (Fig.9) benutzt werden, der einen Verstärkungsbereich (1=30, d.h. J1= 3Oj ) und einen sättigbaren Absorptionsbereich (I=O,°5»d.h. jp = 0,0.5j ) in Hintereinanderschaltung hat. Die Schnittpunkte der beiden Kurven 1=30 und I = 0,05 sind mit A1 und B' be-
- 18 309 826/09 2 8
zeichnet, und die Vierte auf der Abszisse entsprechen P ' und P„' . Dem Lichtverstärker gemäß Fig. 9 wird zunächst ein Eingangslichtstrahl 3 der Intensität Pb zugeleitet, welche der Bedingung P' < P <C Pn' genügt. Die Intensität P1 des aus dem Verstarkungsbereich 31 austretenden Lichtstrahls 41 kann bei Verwendung der Kurve für I = 30 (siehe Fig.8) an der Ordinate abgenommen werden. Der austretende Lichtstrahl der Intensität P1 tritt dann in den sättigbaren Absorptionsbereich 32 ein, und die Intensität des austretenden Lichtstrahls 42 aus dem Bereich 32 kann als Intensität Pp an der Abszisse bei Verwendung der Kurve für I = 0,05 abgelesen werden. Da P2 ^ P„ ist, hat der Lichtverstärker mit dem Aufbau gemäß Fig. 9 eine verstärkende Wirkung gegenüber dem eintretenden Licht von der Intensität PQ so daß P · <C PQ <^ Pß' ist. Wenn P = P.' (oder P = Pn^) » dann folgt daraus , daß P0 =
O Pi O ti c.
P .wie sich aus Fig. 8 ablesen läßt, was mit anderen Worten bedeutet, daß das einfallende Licht 3 weder verstärkt noch abgeschwächt wird. Wenn P P.ι ist (oder P = P ') folgt
OA O ti
daraus, daß Pp = P ist, so daß der Verstärker aus Fig.9 eine dämpfende Wirkung h*. Folglich ist der Wert PA' der Schwellwert der Verstärkung für das einfallende Licht 3» während der Wert PR' den Sättigungswert darstellt. Damit der Verstärker den Schwellwert hat, ist es erforderlich, eine derartige Kombination des Aussteuerstromes auszuwählen, daß die charakteristischen Kurven des Verstärkungsbereichs und des sättigbaren Absorptionsbereichs einander schneiden wie in Fi&7.
- 19 309826/0928
Im Falle der Kombination von I= 100 im Verstärlcungsbereich mit dem sättigbaren Absorptionsbereich tritt kein Schnittpunkt auf, so daß der Verstärker nach Fig.9 als Dämpfungselement wirken würde. Bei einer Kombination von I = 50 und I = 0,5 schneiden die Charakteristiken einander, so daß Verstärkung vorhanden ist. Wenn jedoch der Schwellwert sehr niedrig ist, dann ist die Kombination in der Praxis im Hinblick auf Störrausehen unbedeutend. Der Schwellwert Pft' und der Sättigungspunkt"PB 3 für die Verstärkung können durch ausgewählte Kombination der Aussteuerströme% des Verstärkungsbereichs und des sättigbaren Absorptionsbereichs nach Wahl gesteuert werden.
Der Lichtverstärker, der gemäß Fig.9 aufgebaut ist und ein einstufiger Verstärker ist, ist mit seiner Eingangs-Ausgangscharakteristik durch die Kurve A in Fig.10 wiedergegeben. Die Schwellwertcharakteristik und die Sättigungscharakteristik kann durch Kaskadenschaltung mehrerer Lichtverstärker gleicher Eingangs- Au.sgangscharakteristiken ver-r bessert werden. In Fig.10 ist mit der Kurve b die Eingangs-Ausgangscharakteristik einer zweistufigen Kaskade des Lichtverstärkers und mit Kurve c die Kaskade von 5 Stufen gleicher Lichtverstärker"wiedergegeben, wie sie in Fig.11 schematisch dargestellt ist. Die Verbesserung der Schwellwertcharakteristik
- 20 309826/0928
und der Sättigungscharakteristik stdlt sich aus der Fig.8. Die Intensitäten der austretenden Lichtstrahlen 42, 4j5, 44, 45 und 4 der einzel/nen Stufen im Bezug auf den einfallenden Lichtstrahl 3 von der Intensität O sind durch die Werte P_ P^, Pg, Pn und P10 auf der Abszisse in Fig.8 angetragen. Bei einem 5-stufigen Verstärker liegt der Wert P10 bereits nahe dem Wert P ' . Mit einem Anstieg der Stufenzahl nähert sich der Ausgangswert P1n dem Wert P ', wenn der Wert P0 nur geringfügig höher ist als der Wert P.1 . Gleichzeitig wird der Ausgang P1-,1 , wenn der Eingang größer als P0* ist.
rs ' rs
Der Sättigungswert wird konstant P · unabhängig von der Intensität des einfallenden Lichtes. Fig.4 zeigt ein Beispeil einer wirklichen Ausführungsform bei einem 5-stufigen Lichtverstärker. I = J)O ist in die praktische Aussteuerstromdichte J1 umgewandelt, wobei die nachfolgende Gleichung durch Verwendung der Gleichungen ("18J und (26) erhalten wird.
Bei einer Temperatur von 77°K liegt -etes» die Schwellwertstromdichte j.. , bei der die Oszillation einsetzt, gewöhn-
2 P
lieh um lOOOA/cm , so daß J1 den Wert von etwa 6000A/cm hat.
Wenn der Aussteuerstrom einen derartigen Wert annimmt, dann kann der einen Halbleiter verwendende Lichtverstärker der Aussteuerung gut wiederstehen.
- 21 -309826/0928
Die voranstehende Beschreibung läßt erkennen, daß mit der Erfindung die Schwierigkeiten, die mit der Arbeitswellenlänge zusammenhängen, wenn unterschiedliche aktive und sättigbare absorbierende Materialien verwendet werden,ausgeschaltet werden können, wenn der Verstärkungsbereich und der sättigbare Absorptionsbereich aus demselben .Halbleiter-PN-:Junction-Laser aufgebaut sind.Außerdem wird der Schwellwert nicht mehr durch die Dichte, die Relaxationszeit und die Übergangswahrscheinlichkeit des verwendeten Materials bestimmt, sondern Schwellwert und Sättigungswert für die Verstärkung können auf einfache Weise durch die Intensität des Aussteuerstroms im Verstärkungsbereich und im sättigbaren Absorptionsbereich gesteuert werden. Ein Lichtverstärker von äußerst kleinen Abmessungen mit einem Schwellwert, der durch den Halbleiter-PN-Übergang beeinflußbar ist, ist für den Einsatz in Licht-PCM-Kommunikationssystemen, Lichtregenerationssystemen (light regenerative repeater) und optischen Faserübertragungsleitungen und dergleichen von hohen Nutzen.
- 22 30982 6/0928

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH
    Lichtverstärker dadurch gekennzeichnet daß ein langgestreckter einziger Halbleiter-PN-Ubergang (7,8,9) zur Durchführung der Lichtverstärkung eines einfallenden Lichtstrahls (3) verwendet wird, der bei einer Eintrittsfläche (5) an einem Ende des PN-Ubergangs entlang der Übergangsfläche (9) des PN-Ubergangs eintritt, daß der Halbleiter-PN-Ubergang (7,8,9) durch eine gemeinsame leitende Elektrode (CE)und eine Vielzahl von leitenden Elektroden (11,12,13 ... 20), die an> beiden Seiten des PN-Ubergangs bezüglich der Ubergangsflache (9) angebracht sind, ausgesteuert wird, daß eine Vielzahl von leitenden Elektroden (11,12,13 ··· 20) in Aufeinanderfolge auf dem PN-Übergang in Längsrichtung angebracht und diese Elektroden voneinander elektrisch isoliert sind, so daß eine Vielzahl diskreter Bereiche (31,32 ...40) im PN-Übergang entsprechend den Elektroden (11,12 ...20) entsteht, daß zwei benachbarte Elektroden, die zusammen einen einheitlichen Bereich bilden, durch vorbestimmte unterschiedliche positive Aussteuerströme (J1, J2) ausgesteuert werden, wodurch einer der beiden Bereiche ein Verstärkungsbereich und derjandere ein sättigbarer Absorptionsbereich darstellen, und daß der Verstärkungsbereich
    - 23 -
    309826/0928
    der Eintrittsfläche (5), der sättigbare Absorptionsbereich der Austrittsfläche (6) am anderen Ende des PN-Übergangs zufeelegen ist, wobei mehrere einheitliche Bereiche zueinander in Kaskade geschaltet sind.
    9826/0928
    Lee rife i t e
DE2262475A 1971-12-20 1972-12-20 Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers Expired DE2262475C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10262771A JPS5242358B2 (de) 1971-12-20 1971-12-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2262475A1 true DE2262475A1 (de) 1973-06-28
DE2262475B2 DE2262475B2 (de) 1975-02-27
DE2262475C3 DE2262475C3 (de) 1975-10-16

Family

ID=14332462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2262475A Expired DE2262475C3 (de) 1971-12-20 1972-12-20 Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3828231A (de)
JP (1) JPS5242358B2 (de)
DE (1) DE2262475C3 (de)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3975751A (en) * 1974-09-19 1976-08-17 Northern Electric Company Limited Monolithic light-emitting diode and modulator
US3955082A (en) * 1974-09-19 1976-05-04 Northern Electric Company Limited Photodiode detector with selective frequency response
JPS51151574U (de) * 1975-05-28 1976-12-03
JPS56118386A (en) * 1980-02-25 1981-09-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical repeater
JPS57139981A (en) * 1981-02-25 1982-08-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light emitting device
JPS57145388A (en) * 1981-03-03 1982-09-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Control method for laser light generation
JPS5850790A (ja) * 1981-09-19 1983-03-25 Mitsubishi Electric Corp 光半導体デバイス
US4628273A (en) * 1983-12-12 1986-12-09 International Telephone And Telegraph Corporation Optical amplifier
CA1251845A (en) * 1984-08-06 1989-03-28 Ian D. Henning Optical amplification
JPS61135189U (de) * 1984-10-25 1986-08-22
US4791636A (en) * 1985-10-30 1988-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and a method for driving the same
JPH0656908B2 (ja) * 1987-03-31 1994-07-27 日本電信電話株式会社 波長変換素子
US5175643A (en) * 1991-09-30 1992-12-29 Xerox Corporation Monolithic integrated master oscillator power amplifier
US6111472A (en) * 1998-08-19 2000-08-29 Hughes Electronics Corporation Quasi-optical amplifier
US6687461B1 (en) * 1998-11-04 2004-02-03 Board Of Regents, The University Of Texas System Active optical lattice filters
US6891664B2 (en) 1999-03-22 2005-05-10 Finisar Corporation Multistage tunable gain optical amplifier
US6512629B1 (en) 1999-03-22 2003-01-28 Genoa Corporation Low-noise, high-power optical amplifier
US6445495B1 (en) 1999-03-22 2002-09-03 Genoa Corporation Tunable-gain lasing semiconductor optical amplifier
US6822787B1 (en) * 1999-04-26 2004-11-23 Finisar Corporation Lasing semiconductor optical amplifier with optical signal power monitor
US6801555B1 (en) 1999-04-26 2004-10-05 Finisar Corporation Lasing semiconductor optical amplifier with output power monitor and control
US6647041B1 (en) 2000-05-26 2003-11-11 Finisar Corporation Electrically pumped vertical optical cavity with improved electrical performance
US7046434B1 (en) 2000-12-14 2006-05-16 Finisar Corporation Optical crossbar using lasing semiconductor optical amplifiers
US7065300B1 (en) 2000-12-14 2006-06-20 Finsiar Corporation Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier
US6853658B1 (en) * 2000-12-14 2005-02-08 Finisar Corporation Optical logical circuits based on lasing semiconductor optical amplifiers
US7110169B1 (en) 2000-12-14 2006-09-19 Finisar Corporation Integrated optical device including a vertical lasing semiconductor optical amplifier
US6560010B1 (en) 2000-12-14 2003-05-06 Genoa Corporation Broadband gain-clamped semiconductor optical amplifier devices
US6829405B1 (en) 2001-03-09 2004-12-07 Finisar Corporation Reconfigurable optical add-drop multiplexer
US6765715B1 (en) * 2001-03-09 2004-07-20 Finisar Corporation Optical 2R/3R regeneration
US6909536B1 (en) 2001-03-09 2005-06-21 Finisar Corporation Optical receiver including a linear semiconductor optical amplifier
US6707600B1 (en) 2001-03-09 2004-03-16 Finisar Corporation Early warning failure detection for a lasing semiconductor optical amplifier
US6943939B1 (en) 2002-03-19 2005-09-13 Finisar Corporation Optical amplifier with damped relaxation oscillation
JP2003348021A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信器および光通信システム
GB2390475A (en) * 2002-07-02 2004-01-07 Kamelian Ltd Control of the Gain of a Semiconductor Optical Amplifier
JP4439193B2 (ja) * 2003-03-20 2010-03-24 富士通株式会社 半導体光増幅器及び光増幅方法
US7042657B2 (en) * 2003-08-28 2006-05-09 Board Of Regents The University Of Texas System Filter for selectively processing optical and other signals
US7443902B2 (en) * 2003-10-15 2008-10-28 California Institute Of Technology Laser-based optical switches and logic
US7351601B2 (en) * 2003-10-15 2008-04-01 California Institute Of Technology Methods of forming nanocavity laser structures
US7480319B2 (en) * 2003-10-15 2009-01-20 California Institute Of Technology Optical switches and logic and methods of implementation
JP4282573B2 (ja) * 2004-09-03 2009-06-24 シャープ株式会社 半導体光増幅駆動装置
JP4350757B2 (ja) * 2007-01-23 2009-10-21 シャープ株式会社 半導体光増幅素子および半導体光増幅素子駆動装置
GB2465754B (en) * 2008-11-26 2011-02-09 Univ Dublin City A semiconductor optical amplifier with a reduced noise figure

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3303431A (en) * 1964-02-10 1967-02-07 Ibm Coupled semiconductor injection laser devices
GB1053033A (de) * 1964-04-03
US3467906A (en) * 1967-06-14 1969-09-16 Rca Corp Constant-gain low-noise light amplifier
US3551842A (en) * 1968-03-27 1970-12-29 Rca Corp Semiconductor laser having high power output and reduced threshold
US3724926A (en) * 1971-08-09 1973-04-03 Bell Telephone Labor Inc Optical pulse modulator

Also Published As

Publication number Publication date
DE2262475C3 (de) 1975-10-16
DE2262475B2 (de) 1975-02-27
JPS5242358B2 (de) 1977-10-24
JPS4868188A (de) 1973-09-17
US3828231A (en) 1974-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2262475A1 (de) Mit einem halbleiter arbeitender lichtverstaerker
DE60015431T2 (de) Quelle von optischen Pulsen und Verfahren zur Kompression optischer Pulse
DE69611392T2 (de) Laser mit einem sättigbaren Bragg-Reflektor
DE2261527C2 (de) Halbleiterkörper mit in einer vorgegebenen Richtung abwechselnd aufeinanderfolgenden n- und p-dotierten Zonen, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendungen des Halbleiterkörpers
DE69300903T2 (de) Mehrfach-Quantumwell-Halbleiterlaser mit verspanntem Gitter und Herstellungsverfahren.
DE2165006B2 (de) Halbleiterlaser
DE2310724C3 (de) Phototransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1464711C3 (de) Diodenlaser
DE69204495T2 (de) Halbleiterlaser mit sättigbarem Absorber.
DE2942204A1 (de) Halbleiter-lichtverstaerker
DE1191040B (de) Optischer Sender oder Verstaerker mit Halbleiterdiode, die einen in Flussrichtung belasteten PN-UEbergang zur Injektion von Ladungstraegern aufweist
EP0045862A1 (de) Halbleiterlaser
EP0598855B1 (de) Optisch steuerbarer halbleiterlaser
DE2719311A1 (de) Rueckwaertswellen-oszillatorroehre
DE69408872T2 (de) Hochleistungslaserverstärker
DE69708207T2 (de) Vorrichtung zur Umformung von kurzen optischen Pulsen
DE3602551A1 (de) Operationsverstaerker
DE1491335B2 (de) Lauffeldroehre
DE69213787T2 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Übergitterstruktur
DE2457551A1 (de) Josephson-schaltkreis mit symmetrisierter uebertragungsleitung
DE69212864T2 (de) Vorrichtung mit positiver Rückkopplung zur optischen Signalverarbeitung
DE3808875A1 (de) Halbleiteranordnung zur erzeugung einer periodischen brechungsindexverteilung und/oder periodischen verstaerkungsverteilung
DE1162405B (de) Kryotrontorschaltung mit zwei Parallelkryotrons
DE977684C (de) Halbleiteranordnung
DE1489253B2 (de) Optischer Sender mit einem entartet dotierten Halbleiter als stimulierbarem Medium

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: BEHN, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8134 POECKING