DE2262475A1 - Mit einem halbleiter arbeitender lichtverstaerker - Google Patents
Mit einem halbleiter arbeitender lichtverstaerkerInfo
- Publication number
- DE2262475A1 DE2262475A1 DE2262475A DE2262475A DE2262475A1 DE 2262475 A1 DE2262475 A1 DE 2262475A1 DE 2262475 A DE2262475 A DE 2262475A DE 2262475 A DE2262475 A DE 2262475A DE 2262475 A1 DE2262475 A1 DE 2262475A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- junction
- amplifier
- value
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/113—Q-switching using intracavity saturable absorbers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
DIPL.-ING. KLAUS BEHN
DIPL.-PHYS. ROBERT MÜNZHUBER 2262
PATEtVITANl WALTE
8 MÖNCHEN 22 WiDENMAYERSTRASSE 6 .._ „_r»/-»
8 MÖNCHEN 22 WiDENMAYERSTRASSE 6 .._ „_r»/-»
Tel. cos,,, 222530-29S192 20 · Dezember 1972
A 357 72 Ml/kb
Firma KOKUSAI DENSHIN DENWA KABUSHIKI KAISHA, 24/25, Kasumigaseki-Bldg.,
2-5, 3-Chome, Kasumigaseki, Chiyoda-Ku, Tokyo-To, Japan
Mit einem Halbleiter arbeitender Lichtverstärker
Die Erfindung betrifft einen Lichtverstärker, der einen Halbleiter verwendet, in dem ein Schwellwert in Bezug auf seine Eingangs- Ausgangscharakteristik vorgesehen ist.
Es sind Lichtverstärker bekannt, die in ihrer Eingangs-Ausgangscharakteristik
einen Schwellwert aufweisen. Es ist jedoch sehr schwierig, einen bestimmten gewünschten Schwellwert
und einen bestimmten gewünschten Sättigungswert zu erhalten.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen Lichtverstärker
zu schaffen, der einen Halbleiter verwendet und in
309826/0928
dem ein bestimmter gewünschter Schwellwert und ein bestimmter gewünschter Sättigungswqrt erzielbar ist.
Die Eigenschaften, das Prinzip, sowie Aufbau und Wirkungsweise
der Erfindung werden nachfolgend nun in Verbindung mit den Figuren der Zeichnung erklärt. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaubild zur Erläuterung herkömmlicher Lichtverstärker mit einem Schwellwert in der
Eingangs- Ausgangscharakteristik;
Fig. 2 eine graphische Darstellung des Verstärkungsund des Dämpfungskoeffizienten zur Erläuterung
der Arbeitsweise des in Fig.1 dargestellten Lichtverstärkersj
Fig. 3 ein graphisches Schaubild, das die Eingangs-Ausgangscharakteristik
des in Fig.1 gezeigten Lichtverstärkers wiedergibt;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines AusfUhrungsbeispiels
der Erfindung;
Fig. 5 eine vergrößerte Darstellung eines Ausschnitts
aus der Fig. 4;
Fig. 6a Stirnansicht und Schnitt nach der Linie 6B-6B und 6b in Fig. 6A des Lichtverstärkers aus der Fig.4,
aus welchen ein Verstärkungsbereich und ein sättigbarer Absorptionsbereich erkennbar sind;
Fig. 7 ein graphisches Schaubild der Eingangs- Ausgangscharakteristik
des Verstärkungsbereiches und des sättigbarem Absorptionsbereichs bezogen auf einen Betrag I, der proportional zu
einem Treiberstrom ist, welcher als Parameter verwendet ist;
Fig. 8 ein Diagramm mit charakteristischen Kurven
für 1=30 und 1=0,05 in Fig.6 zur Erläuterung
des Auftretens des Schwellwertes;
- 3 -309826/0928
Fig. 9 ein die Schemaschaltung der Erfindung darstellendes Blockschaltbild]
Fig. 10 ein Diagramm der Eingangs- Ausgangscharakteristik eines einstufigen Verstärkers (Kurve a)
gemäß Fig. 8 , eines zweistufigen Verstärkers (Kurve b) und eines fünfstufigen Verstärkers
(Kurve c) in Kaskadenschaltungj und
Fig. 11 ein Blockschaltbild des LichtVerstärkers mit
fünf hintereinander geschalteten Stufen gemäß der Erfindung.
Um das Wesen und die Vorteile der Erfindung klar herauszustellen,
wircl .zunächst der .Stand der Technik beschrieben.
In der Fig.1 ist ein aktives Material 1, das Laserwirkung hat^
und ein sättigbares Absorptionsmaterial 2, das Sättigungscharakteristik in seinen Dämpfungskoeffizienten hat, gleichmäßig
in einem Trägerkristall enthalten. Beispielsweise sind
Neodym (Nd^+) und Uranoxyd (uo|+) als aktives Material und als
Absorptionsmaterial in Glas enthalten. Mit der Ziffer jj ist
in Fig.1 ein ankommender Lichtstrahl und mit Ziffer 4 ein abgehender
Lichtstrahl bezeichnet. Die Wirkungsweise des Lichtverstärkers ist nun folgendermaßen. Fig. 2 zeigt den Verstärkungskoeffizienten
eC des aktiven Materials je Längen-
einheit und den Dämpfungskoeffizienten gC . des sättigbaren
Absorptionsmaterials, der einen Dämpfungskoeffizienten <sC
hat, welcher dem System eigen ist. Die Schnittpunkte A und B der beiden Kurven- undoL sind ein instabiler Punkt und
g 1 -
ein stabiler Punkt . Wenn nämlich das dem Verstärker zugeführte Licht seiner Intensität nach geringfügig unter dem Wert
_ 4 _
3 0 9 8 2 6 / 0928
S. (entsprechend Punkt A) ist, so arbeitet der Verstärker als Dämpfungssystem, denn es gilt X. >
größer als CC , und das vom Verstärker weitergeleitete Licht wird geschwächt. Die
Intensitätsabnahme ist um so stärker, je mehr OC den Wert
oC übersteigt, wodurch das Licht verringert wird. Wenn der
Verstärker ausreichend lang ist, kann die an seinem Ende vorhandene
Lichtintensität bis auf O gedämpft sein. Ist jedoch das Licht seiner Intensität nach geringfügig größer als S^,
wenn es auf den Verstärker trifft, dann tritt das umgekehrte Phänomen ein, und das Licht wird bei seinem Durchgang durch
den Verstärker in seiner Intensität verstärkt. Wenn ,jedoch
die Lichtintensität den Wert S1-, entsprechend dem Schnittpunkt
B Uberschrietet, von welchem ab der Verstärker wieder als dämpfendes System wirkt, tritt erneut die Dämpfungseigenschaft
in Wirkung, so daß das übertragene Licht schließlich mit der Intensität Sn am Verstärkerausgang austritt. Die Eingangs-Ausgangscharakteristik
dieses Verstärkers ist in der Fig. 3 dargestellt, und die Lichtintensität S. stellt den Schwellwert
dar.
Werden die Dichte (density), die Relaxationszeit und die Ubergangswahrscheinlichkeit des aktiven Materials mit
N , T und B und die des sättigbaren Absorptionsmaterials
mit N , T und B bezeichnet, dann lassen sich Verstärkun/rsa
a a
309826/0928
koeffizeint ei und Dämpfungskoeffize(i.nt 0C , die in Pig, 2 als
Funktion der Photonendichte dargestellt sind, nach folgenden Gleichungen ausdrücken,;
hV . tr . β e e
2 (1 + Be . Te . S)
2 (1 + Ba . Ta . S)
d .(2)
worin h die Planck'sehe Konstante und V die Frequenz des Lichtes ist. Um zwei Schnittpunkte zu erhalten,wie sie in Fig. 2
dargestellt sind, sind folgende Bedingungen erforderlich:
N "> N. TQ >
T und BQ < B . Außerdem ist noch die wichtige
θ a e a e a
Bedingung zu erfüllen, daß die Wellenlänge des aktiven Materials, bei der dessen Laserwirkung eintritt, mit der Absorptionslinie
(Wellenlänge) des sättigbaren Absorptionsmaterials zusammenfällt. In der Praxis ist es äußerst schwierig, ein
Material ausfindig zu machen, das diese sämtlichen Bedingungen
erfüllt und ausreichendes Durchsetzenpes aktiven Materials mit sättigbarem Absorptionsmaterial zuläßt.
Unter den Bestimmungsgrößen für den Schwellwert, die Relaxationszeit und die Übergangswahrscheinlichkeit befinden
- 6 309826/0928
sich materialbedingte Konstanten, und lediglich die Dichte
des Materials gibt eine Möglichkeit, den Schwellwert zu steuern. Aber auch die Beeinflussung des Schwellwertes durch
Veränderung der Dichte ist den Einflüssen des Herstellungsprozesses unterworfen, und nach der Herstellung liegt der
Schwellwert fest und kann weder gesteuert noch nachjustiert werden.
Es ist deshalb nicht leicht, einen gewünschten Schwellwert
S. und einen gewünschten Sättigungswert S« zu erhalten.
In der Praxis jedoch wird gefordert, daß der Verstärker Hilfsmittel aufweist, die eine leichte Einstellung des Schwellwertes
ermöglichen.
Um die Nachteile und Schwierigkeiten der bisherigen Lichtverstärker
zu überwinden,wird ein einen Halbleiter verwendender Lichtverstärker gemäß der Erfindung geschaffen, in welchen
ein Halbleiter-PN-Junction-Laser elektrisch in zwei Abschnitte
unterteilt wird; die beiden Abschnitte werden gesondert erregt und in einen Verstärkungsabschnitt und in einen sättigbaren
Absorptionsabschnitt je nach derJGröße des Treiberstroms untepschieden.
Die beiden Abschnitte sind miteinander verbunden und bilden den Lichtverstärker^ durch den Treiberstrom erhält
er einen steuerbaren Schwellwert, und eine Vielzahl von Stufen derartiger Lichtverstärker ist in Kaskade geschaltet, wodurch
309826/0928
die Schwellwerteharakteristik verbessert wird. Nachfolgend
wird anhand der Zeichnung die Erfindung im einzelnen beschrieben.
Fig.4 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung. Mit
5 und 6 sind die Eintritts- bzw. Austrittsfläche für das Licht bezeichnet, die mit lichthofverhindernden Filmschichten
versehen sind, J ist ein P-Typen-Gallium Arsenid-Halbleiter,
8 ein N-Typen-Gallium Arsenid-Halbleiter und 9 die zwischen
ihnen liegende Übergangsfläche. Um einen Verstärker in einem Streifenübertragungssystem zu bilden, wird der Mittelbereich einer Isolierschicht 10 aus SiOp, die auf die P-Typenschicht
7 aufgedampft ist, in Form einer streifenförmigen Nut
ausgeätzt, worauf dann leitende Elektroden 11 bis 20 aufgedampft werden, die voneinander jeweils elektrisch isoliert
sind, wie dies Fig.5 deutlich erkennen läßt. Anschlußleitungen 21 bis 30 führen zu den Elektroden 11 bis 20. Das eintretende
Licht 3 wird dem Mittelbereich der Verbindungsebene 9
an der Eintrittsfläche 5 zugeführt, auf der sich keine Isolierschicht
10 aus SiOp befindet, und das Eintrittslicht wird verstärkt und tritt als Austrittslichtstrahl k an der Austrittsfläche
6 wieder aus. Die PN-Übergangsbereiche, die von den leitenden Elektroden 11 bis 20 aus ausgesteuert werden, werden in der nachfolgenden Beschreibung mit 31 bis ho (siehe
Fig.63) bezeichnet. Die Bereiche 31, 33, 35, 37 und 39 sind
- 8 3 09826/0928
Verstärkungsbereiclie, die jeweils dieselben Verstärkungseigenschaften
haben, die Bereiche 32, 3^, 36, 38 und 40 sättigbare
Absorptionsbereiche mit dense]ben Sättigungseigenschaften.
Die Verstärkungscharakteristik und die sättigbare Absorptionscharakteristik der jeweiligen Bereiche wird durch die Aussteuerströme
beeinflußt.
1
1
Funktionell kann der Lichtverstärker der Fig. H so be- trachtet
werden, daß jeweils ein Verstärkungsbereich 31 und ein sättigbarer Absorptionsbereich 32 einen Verstärker ausmachen,
dessen Eingangs- Ausgangscharakteristik einen Schwellwert hat, wobei mehrere Verstärker dieser Art mit denselben
Eingangs-Ausgangscharakteristiken in Kaskade geschaltet sind mit dem Ziel, die Schwellwertcharakteristik zu verbessern.
Dje Wirkungsweise soll nun im einzelnen beschrieben werden.
Es werden zunächst die Zonen "7^ und 32 betrachtet. Der
Einfachheit der Erläuterung wegen wird angenommen, daß die
Längen L. und L? der Bereiche 3"I u11^ 3? einander gleich sind
(L1 = Lp = L entsprechend Fig. 6b) . Der Pereich 3I wird mit
einer Stromdichte J1 über die Zuführungsleitung 21 positiv
ausgesteuert, während der Bereich ZP nositiv mit einer Stromdichte
J2 über die Leitung 22 ausgesteuert wird. Im Folgenden
wird analytisch erläutert, wie eine entsprechende Aurwahl
309826/0928 —■
der Stromdichten j und Jp zu einem Schwellwert in der Eingangs-Ausgangscharakterlstik
des Lichtverstärkers führt, bei welchen die Bereiche 3I und ^2 hintereinandergeschaltet sind.
Es wird angenommen, daß die Punktion η der Dichte der
Zustände sich bere chnet aus γ exp (E/E ) entsprechend einem
Modell eines oft verwendeten Halbleiterlasers, worin E
die Photomenenergie und f und E Konstanten sind. Die Dichte der Zustände-Funktion wird als γ -Funktion bezeichnet»
und der quasi-Fermipegel ist F. Wenn die Temperatur T in 0K eingesetzt und der Bereich (Verstärkungsbereich oder sättig-*·
barer Absorptionsbereich) mit einer Stromdichte j ausgesteuert wird, lassen sich der Verstärkungskoeffizient (oder Absorptionskoeffizient) g und die Elektronendichte η des Bereichs je
Volumeneinheit und Zeiteinheit folgendermaßen ausdrücken:
F-E E
KT 1^o
E
n^Byoexp ( —) (if)
n^Byoexp ( —) (if)
Eo -
worin A und B Konstante sind, die von der Temperatur und
der BoItzmann1sehen Konstante k abhängen.
- 10 -
Andererseits ist der Grad der Veränderung in der Elektronendichte η durch folgende Gleichung gegeben:
worin d die Dicke der Übergangsebene Qo1 eine Elektronenladung,
-t die Lebensdauer eines Elektrons bei natürlicher Emission
und s die Photonendichte sind.
Wenn der Bereich durch einen Vorwärtsstrom j ausgesteuert und dem Verstärker kein Licht zugeführt wird, dann ist der
quasi-Fermipegel F gegeben durch folgende Gleichung:
BYo
qd
unter Verwendung der Gleichung
-11-
309826/0928
-ti -
Dabei ist die Energie E der Photonen ausgedrückt durch E=IiV worin y die Lichtfrequenz und h die Planck1 sehe Konstante
sind. Bei Berücksichtigung der Gleichung (3) ist aus dieser Beziehung der Verstärkungs - (Absorptions-) Koeffizient
g abhängig von der Frequenz des zugeführten Lichtes. Die Frequenz des zugeführten Lichtes ist dann auf den vollen Wert
festgelegt:
worin V das Volumen des Bereichs 3I oder 32 darstellt, das
von Lichtwellen besetzt ist, und *T die Lebensdauer der
Photonen bedeutet, die von Verlusten wie Streuung, Brechung und dergleichen in Folge freier Elektronen und nicht der
induktiven Absorption abhängt. Die durch die Gleichung 8 bestimmte
Freqiienz des Lichtes hat folgende physikalische Bedeutung.
Der Verstärkungskoeffizient g enthält E (folglich die Frequenz des Lichtes) als Variable und hat einen Maximalwert
bei folgendem Wert von E:
E = F -
(9)
- 12 -
309826/092 8
was sich ergibt aus
dg A fo
r E
exp (—) (10)
dE 4KT L E. E0J Eo
Da der quasi-Fermipegel F des Leitungsbandes den Vorwärtsstrom
j als Variable enthält ändert sich der Maximalwert des Verstärkungskoeffizienten
g auch mit dem Aussteuerstrom j wie auj h mit der Frequenz des Lichtes. Wenn der anliegende Vorwärtsstrom
j so gewählt ist, daß der Maximalwert des Verstärkungskoeffizienten g im Bezug auf die Lichtfrequi%z erreicht wird,
so ergibt sich:
F-E E 1
V.g = VAy exp ( ) = — (11)
° 4KT E T
ο ο
Die Lichtfrequenz ist durch Gleichung(8)vorgegeben. Wenn
der Aussteuerstrom j in diesem Fall als JA angenommen wird, ist der Wert JA durch folgende Gleichung festgelegt:
4KTB. qde
JA= (12)
VA. E0. ΐ. ΐρ
309 8 267Ϊ928
Dieses jA entspricht einem Oszillationsstart-Schwellwertstrom j,, eines Laseroszillators. Der Wert "£ ' des Oszillators
entspricht einem Wert X des Verstärkers nach folgender Gleichung
ν 1
— 4, η
(13)
L R
worin L die Bereichslänge (Abstand zwischen Resonatoren), R der Reflektionsfaktor des Resonators und ν die Geschwindigkeit
des Lichtes in dem Bereich bedeuten. Das heißt, folgende
Beziehung ist bei dem Wert j., erfüllt:
"V
Die Werte jA und j,, werden nun miteinander ihrer Größe
nach verglichen. Wenn ein Bezugswert ρ für den Verstärkungsfaktor
steht, dann gilt für das Produkt V.g und die Aussteuerstromdichte j etwa folgende Beziehung :
Vg = ν p j (15)
- 14 -
3 0 9826/0928
so daß der Wert jA um den Wert, der den zweiten Ausdruck auf
der rechten Seite der Gleichung^13/entspricht, kleiner ist
als jth· Eine oft verwendete Dämpf ungskonstante o( (^cm
hat zum Wert -i , folgende Beziehung :
= 1 / ν f , (16)
Da die dem System eigene Dämpfungskonstante <*■ sich ausdrücken
läßt durch <^ = 1/V -f , kann die Gleichung (13)auch folgendermaßen
geschrieben werden:
cL= ck + /n (17)
0L R
-1
Ist beispielsweise Ά = 50cm~ , der Reflektionsfaktor R =
und die Länge L = 300 yum, dann wird der zweite Ausdruck der
rechten Seite dei
ergibt sich dann
ergibt sich dann
rechten Seite der Gleichung C\ J) im wesentlichen 40cm ~ . Es
5
JA ~ J.. ...(1B)
309826/0928
Als nächstes wird eine Untersuchung angestellt über die Verstärkung (Absorption) des Lichtes in dem Bereich, wenn
Licht einer Frequenz gemäß Gleichung (8) in den Verstärker
eingestrahlt wird. Im stationären Zustand läßt sich die Verstärkung des Lichtes durch folgende Gleichung ausdrucken:
Licht einer Frequenz gemäß Gleichung (8) in den Verstärker
eingestrahlt wird. Im stationären Zustand läßt sich die Verstärkung des Lichtes durch folgende Gleichung ausdrucken:
ο S Vg 1 ■ . .
a z - ν vfp
worin Z der Abstand in der Richtung der Lichtstrahlung ist.
aus
Da -n = 0 (stationärer Zustand) ist, läßt sich Folgendes/Gleichung
(5) ableiten:
n = ■ - /s.g . (20)
qd
Aus den Gleichungen (4) und (20) wird die Gleichung erhalten:
B-f
Durch Umordnen der Gleichung (5) wobei E durch Gleichung("8) ersetzt
und die Gleichung(21) eingeführt wird, läßt sich Gleichung
- 16 - v
309826/0928
folgendermaßen vereinfachen:
=/n (I - P.G.) (22)
V. fp .g = G (23)
A.E . γ
2 \
S = P (24)
4 kT. B
J / J0 = I (25)
JA 4ktBqd
= (26)
e VAE . -ί .
in denen e die Basis des natürlichen Logarithmus e ^2,72..
ist. Wenn die Gleichung (I9) durch Verwendung der Gleichung
(23) für G und der Gleichung(2k) für P umgeschrieben wird, erhält
man folgende Beziehung:
- 17 -
309826/0928
dp 1
= (G - 1") P , (27)
dZ V^p
Wenn kein Licht eintrifft (P=O), gilt für G>1, d.h. I/>e (j>e. ) Verstärkungswirkung gemäß Gleichung(27/1 Im
Falle G>1, d.h. I> e (j>e.) stellt Gleichung^) den sättigbaren Absorptionszustand dar.
Fig. 7 zeigt die Lichteingangs-Ausgangscharakteristik
des verstärkenden und des sättigbaren Absorptionsbereichs, welche jeweils eine Länge von 3OO pm haben, in denen die
inneren Verluste^' = 1/V -^ = 50cm~ sind und in denen I der
Parameter ist. An der Ordinate ist die Ausgangslichtintensität angetragen für den Verstärkungsbereich, wo Oe ist, und die
Eingangslichtintensität für den.sättigbaren Absorptionsbereich
bei I ^e, während an der Abszisse die Eingangslichtintensität
für den .Verstärkungsbereich und die Ausgangslichtintensität für den sättigbaren Absorptionsbereich angegeben sind.
Die Fig. 8 zeigt die Kurven für I = 30 und I = 0,05, die
zum Nachweis des Schwellwertes im Lichtverstärker (Fig.9) benutzt
werden, der einen Verstärkungsbereich (1=30, d.h. J1=
3Oj ) und einen sättigbaren Absorptionsbereich (I=O,°5»d.h.
jp = 0,0.5j ) in Hintereinanderschaltung hat. Die Schnittpunkte
der beiden Kurven 1=30 und I = 0,05 sind mit A1 und B' be-
- 18 309 826/09 2 8
zeichnet, und die Vierte auf der Abszisse entsprechen P ' und
P„' . Dem Lichtverstärker gemäß Fig. 9 wird zunächst ein Eingangslichtstrahl
3 der Intensität Pb zugeleitet, welche der Bedingung P' < P <C Pn' genügt. Die Intensität P1 des aus
dem Verstarkungsbereich 31 austretenden Lichtstrahls 41 kann
bei Verwendung der Kurve für I = 30 (siehe Fig.8) an der
Ordinate abgenommen werden. Der austretende Lichtstrahl der Intensität P1 tritt dann in den sättigbaren Absorptionsbereich
32 ein, und die Intensität des austretenden Lichtstrahls
42 aus dem Bereich 32 kann als Intensität Pp an der Abszisse
bei Verwendung der Kurve für I = 0,05 abgelesen werden. Da P2 ^ P„ ist, hat der Lichtverstärker mit dem Aufbau gemäß
Fig. 9 eine verstärkende Wirkung gegenüber dem eintretenden Licht von der Intensität PQ so daß P · <C PQ <^ Pß' ist.
Wenn P = P.' (oder P = Pn^) » dann folgt daraus , daß P0 =
O Pi O ti c.
P .wie sich aus Fig. 8 ablesen läßt, was mit anderen Worten
bedeutet, daß das einfallende Licht 3 weder verstärkt noch abgeschwächt wird. Wenn P P.ι ist (oder P = P ') folgt
OA O ti
daraus, daß Pp = P ist, so daß der Verstärker aus Fig.9 eine
dämpfende Wirkung h*. Folglich ist der Wert PA' der Schwellwert
der Verstärkung für das einfallende Licht 3» während
der Wert PR' den Sättigungswert darstellt. Damit der Verstärker
den Schwellwert hat, ist es erforderlich, eine derartige Kombination des Aussteuerstromes auszuwählen, daß die
charakteristischen Kurven des Verstärkungsbereichs und des sättigbaren Absorptionsbereichs einander schneiden wie in Fi&7.
- 19 309826/0928
Im Falle der Kombination von I= 100 im Verstärlcungsbereich
mit dem sättigbaren Absorptionsbereich tritt kein Schnittpunkt auf, so daß der Verstärker nach Fig.9 als Dämpfungselement wirken würde. Bei einer Kombination von I = 50 und
I = 0,5 schneiden die Charakteristiken einander, so daß Verstärkung vorhanden ist. Wenn jedoch der Schwellwert sehr
niedrig ist, dann ist die Kombination in der Praxis im Hinblick auf Störrausehen unbedeutend. Der Schwellwert Pft' und
der Sättigungspunkt"PB 3 für die Verstärkung können durch
ausgewählte Kombination der Aussteuerströme% des Verstärkungsbereichs und des sättigbaren Absorptionsbereichs nach Wahl
gesteuert werden.
Der Lichtverstärker, der gemäß Fig.9 aufgebaut ist und
ein einstufiger Verstärker ist, ist mit seiner Eingangs-Ausgangscharakteristik
durch die Kurve A in Fig.10 wiedergegeben. Die Schwellwertcharakteristik und die Sättigungscharakteristik kann durch Kaskadenschaltung mehrerer Lichtverstärker
gleicher Eingangs- Au.sgangscharakteristiken ver-r
bessert werden. In Fig.10 ist mit der Kurve b die Eingangs-Ausgangscharakteristik
einer zweistufigen Kaskade des Lichtverstärkers und mit Kurve c die Kaskade von 5 Stufen gleicher
Lichtverstärker"wiedergegeben, wie sie in Fig.11 schematisch
dargestellt ist. Die Verbesserung der Schwellwertcharakteristik
- 20 309826/0928
und der Sättigungscharakteristik stdlt sich aus der Fig.8.
Die Intensitäten der austretenden Lichtstrahlen 42, 4j5, 44, 45 und 4 der einzel/nen Stufen im Bezug auf den einfallenden
Lichtstrahl 3 von der Intensität O sind durch die Werte P_
P^, Pg, Pn und P10 auf der Abszisse in Fig.8 angetragen.
Bei einem 5-stufigen Verstärker liegt der Wert P10 bereits
nahe dem Wert P ' . Mit einem Anstieg der Stufenzahl nähert sich der Ausgangswert P1n dem Wert P ', wenn der Wert P0
nur geringfügig höher ist als der Wert P.1 . Gleichzeitig
wird der Ausgang P1-,1 , wenn der Eingang größer als P0* ist.
rs ' rs
Der Sättigungswert wird konstant P · unabhängig von der Intensität
des einfallenden Lichtes. Fig.4 zeigt ein Beispeil einer wirklichen Ausführungsform bei einem 5-stufigen Lichtverstärker.
I = J)O ist in die praktische Aussteuerstromdichte
J1 umgewandelt, wobei die nachfolgende Gleichung durch
Verwendung der Gleichungen ("18J und (26) erhalten wird.
Bei einer Temperatur von 77°K liegt -etes» die Schwellwertstromdichte
j.. , bei der die Oszillation einsetzt, gewöhn-
2 P
lieh um lOOOA/cm , so daß J1 den Wert von etwa 6000A/cm hat.
Wenn der Aussteuerstrom einen derartigen Wert annimmt, dann kann der einen Halbleiter verwendende Lichtverstärker der Aussteuerung gut wiederstehen.
- 21 -309826/0928
Die voranstehende Beschreibung läßt erkennen, daß mit der Erfindung die Schwierigkeiten, die mit der Arbeitswellenlänge
zusammenhängen, wenn unterschiedliche aktive und sättigbare absorbierende Materialien verwendet werden,ausgeschaltet
werden können, wenn der Verstärkungsbereich und der sättigbare Absorptionsbereich aus demselben .Halbleiter-PN-:Junction-Laser
aufgebaut sind.Außerdem wird der Schwellwert nicht mehr
durch die Dichte, die Relaxationszeit und die Übergangswahrscheinlichkeit des verwendeten Materials bestimmt, sondern
Schwellwert und Sättigungswert für die Verstärkung können auf einfache Weise durch die Intensität des Aussteuerstroms im
Verstärkungsbereich und im sättigbaren Absorptionsbereich gesteuert werden. Ein Lichtverstärker von äußerst kleinen Abmessungen
mit einem Schwellwert, der durch den Halbleiter-PN-Übergang beeinflußbar ist, ist für den Einsatz in Licht-PCM-Kommunikationssystemen,
Lichtregenerationssystemen (light regenerative repeater) und optischen Faserübertragungsleitungen
und dergleichen von hohen Nutzen.
- 22 30982 6/0928
Claims (1)
- PATENTANSPRUCHLichtverstärker dadurch gekennzeichnet daß ein langgestreckter einziger Halbleiter-PN-Ubergang (7,8,9) zur Durchführung der Lichtverstärkung eines einfallenden Lichtstrahls (3) verwendet wird, der bei einer Eintrittsfläche (5) an einem Ende des PN-Ubergangs entlang der Übergangsfläche (9) des PN-Ubergangs eintritt, daß der Halbleiter-PN-Ubergang (7,8,9) durch eine gemeinsame leitende Elektrode (CE)und eine Vielzahl von leitenden Elektroden (11,12,13 ... 20), die an> beiden Seiten des PN-Ubergangs bezüglich der Ubergangsflache (9) angebracht sind, ausgesteuert wird, daß eine Vielzahl von leitenden Elektroden (11,12,13 ··· 20) in Aufeinanderfolge auf dem PN-Übergang in Längsrichtung angebracht und diese Elektroden voneinander elektrisch isoliert sind, so daß eine Vielzahl diskreter Bereiche (31,32 ...40) im PN-Übergang entsprechend den Elektroden (11,12 ...20) entsteht, daß zwei benachbarte Elektroden, die zusammen einen einheitlichen Bereich bilden, durch vorbestimmte unterschiedliche positive Aussteuerströme (J1, J2) ausgesteuert werden, wodurch einer der beiden Bereiche ein Verstärkungsbereich und derjandere ein sättigbarer Absorptionsbereich darstellen, und daß der Verstärkungsbereich- 23 -309826/0928der Eintrittsfläche (5), der sättigbare Absorptionsbereich der Austrittsfläche (6) am anderen Ende des PN-Übergangs zufeelegen ist, wobei mehrere einheitliche Bereiche zueinander in Kaskade geschaltet sind.9826/0928Lee rife i t e
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262771A JPS5242358B2 (de) | 1971-12-20 | 1971-12-20 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2262475A1 true DE2262475A1 (de) | 1973-06-28 |
| DE2262475B2 DE2262475B2 (de) | 1975-02-27 |
| DE2262475C3 DE2262475C3 (de) | 1975-10-16 |
Family
ID=14332462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2262475A Expired DE2262475C3 (de) | 1971-12-20 | 1972-12-20 | Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3828231A (de) |
| JP (1) | JPS5242358B2 (de) |
| DE (1) | DE2262475C3 (de) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3975751A (en) * | 1974-09-19 | 1976-08-17 | Northern Electric Company Limited | Monolithic light-emitting diode and modulator |
| US3955082A (en) * | 1974-09-19 | 1976-05-04 | Northern Electric Company Limited | Photodiode detector with selective frequency response |
| JPS51151574U (de) * | 1975-05-28 | 1976-12-03 | ||
| JPS56118386A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical repeater |
| JPS57139981A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device |
| JPS57145388A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Control method for laser light generation |
| JPS5850790A (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体デバイス |
| US4628273A (en) * | 1983-12-12 | 1986-12-09 | International Telephone And Telegraph Corporation | Optical amplifier |
| CA1251845A (en) * | 1984-08-06 | 1989-03-28 | Ian D. Henning | Optical amplification |
| JPS61135189U (de) * | 1984-10-25 | 1986-08-22 | ||
| US4791636A (en) * | 1985-10-30 | 1988-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for driving the same |
| JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
| US5175643A (en) * | 1991-09-30 | 1992-12-29 | Xerox Corporation | Monolithic integrated master oscillator power amplifier |
| US6111472A (en) * | 1998-08-19 | 2000-08-29 | Hughes Electronics Corporation | Quasi-optical amplifier |
| US6687461B1 (en) * | 1998-11-04 | 2004-02-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Active optical lattice filters |
| US6891664B2 (en) | 1999-03-22 | 2005-05-10 | Finisar Corporation | Multistage tunable gain optical amplifier |
| US6512629B1 (en) | 1999-03-22 | 2003-01-28 | Genoa Corporation | Low-noise, high-power optical amplifier |
| US6445495B1 (en) | 1999-03-22 | 2002-09-03 | Genoa Corporation | Tunable-gain lasing semiconductor optical amplifier |
| US6822787B1 (en) * | 1999-04-26 | 2004-11-23 | Finisar Corporation | Lasing semiconductor optical amplifier with optical signal power monitor |
| US6801555B1 (en) | 1999-04-26 | 2004-10-05 | Finisar Corporation | Lasing semiconductor optical amplifier with output power monitor and control |
| US6647041B1 (en) | 2000-05-26 | 2003-11-11 | Finisar Corporation | Electrically pumped vertical optical cavity with improved electrical performance |
| US7046434B1 (en) | 2000-12-14 | 2006-05-16 | Finisar Corporation | Optical crossbar using lasing semiconductor optical amplifiers |
| US7065300B1 (en) | 2000-12-14 | 2006-06-20 | Finsiar Corporation | Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier |
| US6853658B1 (en) * | 2000-12-14 | 2005-02-08 | Finisar Corporation | Optical logical circuits based on lasing semiconductor optical amplifiers |
| US7110169B1 (en) | 2000-12-14 | 2006-09-19 | Finisar Corporation | Integrated optical device including a vertical lasing semiconductor optical amplifier |
| US6560010B1 (en) | 2000-12-14 | 2003-05-06 | Genoa Corporation | Broadband gain-clamped semiconductor optical amplifier devices |
| US6829405B1 (en) | 2001-03-09 | 2004-12-07 | Finisar Corporation | Reconfigurable optical add-drop multiplexer |
| US6765715B1 (en) * | 2001-03-09 | 2004-07-20 | Finisar Corporation | Optical 2R/3R regeneration |
| US6909536B1 (en) | 2001-03-09 | 2005-06-21 | Finisar Corporation | Optical receiver including a linear semiconductor optical amplifier |
| US6707600B1 (en) | 2001-03-09 | 2004-03-16 | Finisar Corporation | Early warning failure detection for a lasing semiconductor optical amplifier |
| US6943939B1 (en) | 2002-03-19 | 2005-09-13 | Finisar Corporation | Optical amplifier with damped relaxation oscillation |
| JP2003348021A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器および光通信システム |
| GB2390475A (en) * | 2002-07-02 | 2004-01-07 | Kamelian Ltd | Control of the Gain of a Semiconductor Optical Amplifier |
| JP4439193B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2010-03-24 | 富士通株式会社 | 半導体光増幅器及び光増幅方法 |
| US7042657B2 (en) * | 2003-08-28 | 2006-05-09 | Board Of Regents The University Of Texas System | Filter for selectively processing optical and other signals |
| US7443902B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-10-28 | California Institute Of Technology | Laser-based optical switches and logic |
| US7351601B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-04-01 | California Institute Of Technology | Methods of forming nanocavity laser structures |
| US7480319B2 (en) * | 2003-10-15 | 2009-01-20 | California Institute Of Technology | Optical switches and logic and methods of implementation |
| JP4282573B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2009-06-24 | シャープ株式会社 | 半導体光増幅駆動装置 |
| JP4350757B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2009-10-21 | シャープ株式会社 | 半導体光増幅素子および半導体光増幅素子駆動装置 |
| GB2465754B (en) * | 2008-11-26 | 2011-02-09 | Univ Dublin City | A semiconductor optical amplifier with a reduced noise figure |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3303431A (en) * | 1964-02-10 | 1967-02-07 | Ibm | Coupled semiconductor injection laser devices |
| GB1053033A (de) * | 1964-04-03 | |||
| US3467906A (en) * | 1967-06-14 | 1969-09-16 | Rca Corp | Constant-gain low-noise light amplifier |
| US3551842A (en) * | 1968-03-27 | 1970-12-29 | Rca Corp | Semiconductor laser having high power output and reduced threshold |
| US3724926A (en) * | 1971-08-09 | 1973-04-03 | Bell Telephone Labor Inc | Optical pulse modulator |
-
1971
- 1971-12-20 JP JP10262771A patent/JPS5242358B2/ja not_active Expired
-
1972
- 1972-12-18 US US00315834A patent/US3828231A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-12-20 DE DE2262475A patent/DE2262475C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2262475C3 (de) | 1975-10-16 |
| DE2262475B2 (de) | 1975-02-27 |
| JPS5242358B2 (de) | 1977-10-24 |
| JPS4868188A (de) | 1973-09-17 |
| US3828231A (en) | 1974-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2262475A1 (de) | Mit einem halbleiter arbeitender lichtverstaerker | |
| DE60015431T2 (de) | Quelle von optischen Pulsen und Verfahren zur Kompression optischer Pulse | |
| DE69611392T2 (de) | Laser mit einem sättigbaren Bragg-Reflektor | |
| DE2261527C2 (de) | Halbleiterkörper mit in einer vorgegebenen Richtung abwechselnd aufeinanderfolgenden n- und p-dotierten Zonen, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendungen des Halbleiterkörpers | |
| DE69300903T2 (de) | Mehrfach-Quantumwell-Halbleiterlaser mit verspanntem Gitter und Herstellungsverfahren. | |
| DE2165006B2 (de) | Halbleiterlaser | |
| DE2310724C3 (de) | Phototransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1464711C3 (de) | Diodenlaser | |
| DE69204495T2 (de) | Halbleiterlaser mit sättigbarem Absorber. | |
| DE2942204A1 (de) | Halbleiter-lichtverstaerker | |
| DE1191040B (de) | Optischer Sender oder Verstaerker mit Halbleiterdiode, die einen in Flussrichtung belasteten PN-UEbergang zur Injektion von Ladungstraegern aufweist | |
| EP0045862A1 (de) | Halbleiterlaser | |
| EP0598855B1 (de) | Optisch steuerbarer halbleiterlaser | |
| DE2719311A1 (de) | Rueckwaertswellen-oszillatorroehre | |
| DE69408872T2 (de) | Hochleistungslaserverstärker | |
| DE69708207T2 (de) | Vorrichtung zur Umformung von kurzen optischen Pulsen | |
| DE3602551A1 (de) | Operationsverstaerker | |
| DE1491335B2 (de) | Lauffeldroehre | |
| DE69213787T2 (de) | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Übergitterstruktur | |
| DE2457551A1 (de) | Josephson-schaltkreis mit symmetrisierter uebertragungsleitung | |
| DE69212864T2 (de) | Vorrichtung mit positiver Rückkopplung zur optischen Signalverarbeitung | |
| DE3808875A1 (de) | Halbleiteranordnung zur erzeugung einer periodischen brechungsindexverteilung und/oder periodischen verstaerkungsverteilung | |
| DE1162405B (de) | Kryotrontorschaltung mit zwei Parallelkryotrons | |
| DE977684C (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1489253B2 (de) | Optischer Sender mit einem entartet dotierten Halbleiter als stimulierbarem Medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BEHN, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8134 POECKING |