DE2128641A1

DE2128641A1 - Verfahren zur Herstellung einer flexiblen lichtempfindlichen Platte für die Elektrophotographie

Info

Publication number: DE2128641A1
Application number: DE19712128641
Authority: DE
Inventors: Susumu Sakai; Konishi Katsutoshi Fujiidera; Osaka Tanaka (Japan)
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1970-06-12
Filing date: 1971-06-09
Publication date: 1971-12-16
Also published as: FR2096263A5; NL7107883A; GB1343197A; JPS498345B1

Description

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Minolta Camera Kabushiki Kaisha
Toyota Building, 4-18 Shiomachidori,
Minami-ku, Osaka/Japan

Verfahren zur Herstellung einer flexiblen lichtempfindlichen Platte für die Elektrophotographie.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer flexiblen lichtempfindlichen Platte für die Elektrophotographie, wobei die Platte aus mehreren Schichten besteht, die sich bei wiederholten Biegungen nicht voneinander lösen. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer lichtempfindlichen Platte, die aus einer elektrisch leitenden Grundplatte, bei der auf einen flexiblen Film eine dünne Aluminiummembran aufgedampft ist, einer dünnen aufgedampften Membran aus Kichtkristalloid-Selen und wenigstens einer organischen halbleitenden Membran auf der Selenmembran besteht und die eine hohe Empfindlichkeit und ein hohes Auflösungsvermögen besitzt, wobei die durch die sich wiederholenden Biegungen der lichtempfindlichen Platte verursachte Ablösung der Aluminiumschicht vom Mchtkristalloid-Selen vermieden wird.

In der Elektrophotographie sind ein ein latentes Bild kopierendes Verfahren sowie ein ein Pulverbild kopierendes Verfahren bekannt. Das erste weist gegenüber dem letzteren den Vorteil auf, dass die Notwendigkeit einer lleinigung entfällt, jedoch muss bei orsterern das Oberflächepotential des auf der lichtempfindlichen

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Platte erzeugten latenten Hildes höher gehalten werden, in beiden Fällen ist es erwünscht, dass die lichtempfindliche Platte geschmeidig und biegsam ist, damit sie in die Form von endlosen, handartigen Streifen gebracht werden kann.

Es ist !»ereits eine lichtempfindliche Platte bekannt, die sich in der lichtempfindlichen Wirkung von der heim .bisherigen W Karson¹ sehen Verfahren angewendeten lichtempfindlichen Hatte

unterscheidet und welche aus einer flexiblen FilCasis, einer auf diese aufgebrachten elektrisch leitenden dünnen Schicht aus Kupferiodid (Gul),einer darauf aufgedampften sehr dünnen Selenmembran, sowie einem hierauf aufgebrachten organischen Halbleiter wie Polyvinylkarbazol (PVK) besteht.

Bei dieser lichtempfindlichen Platte ist in bekannter Weise die Membran aus PVK stark isolierend und in der Lichtempfindt lichkeit schwach, dagegen ist die dünne Selen-.Vembran von

ausreichender Lichtempfindlichkeit, jedoch ist die Formung eines Bildes unmöglich, weil diese Membran zu dünn ist. Durch die oben erwähnte Zusammensetzung und Beschichtung hält die PVK-Membran die Ladung, während die dünne Se-Membran das Licht absorbiert und Ladungsträger erzeugt. Durch die Belichtung werden die in der dünnen Se-Membran entstehenden Defektelektronen in die PVk-Membran eingegossen und an deren Oberfläche bewegt. Die Ladung an der Oberfläche wird also

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neutralisiert. Hierauf wird ein elektrostatisches latentes Bild erzeugt. Jede Membran ist geschmeidig, und die aufgedampften Membranen aus CuI und Se können miteinander fest verbunden werden, so dass die lichtempfindliche Platte in die Form eines endlosen Bandes gebracht und wiederholt verwendet werden kann.

An der Grenzfläche zwischen der elektrisch leitenden Schicht aus CuI und der auf dieser Schicht verdampften Membran aus Se wird keine genügend hohe Gleichrichtungsscheidewand gebildet, so dass Defektelektronen von der Elektrode in die dünne Sef;!emliran eintreten. Die elektrisch leitende Schicht aus CuI kann daher kein genügendes Oberflächenpotential erhalten. Als lichtempfindliche Platte für Kopie des latenten Bildes ist sie für die praktische Anwendung nicht geeignet, weil das Bild

genug
nicht/konzentriert ist.

Die Erfinder haben herausgefunden, dass durch die Anwendung von Aluminium (Al) eine hohe Gleichrichtungsscheidewand an der Grenzfläche zwischen dieser Al-Schicht und der Se-Membran gebildet wird und das Eintreten der Defektelektronen in die Se-Membran vollständig vermieden wird, so dass Konzentration und Kontrast des Bildes verbessert werden. Bei einer lichtempfindlichen Π at le, bei der die Se-Membran auf eine Al-Membran aufgedampft ist, ist jedoch die Bindekraft schwach. Wenn man diese 1 icli t o.apf iiiiJ J i clip. Platte in Form eines endlosen Bandes verwendet,

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löst sich die Se-Membran in kurzer Zeit von der Al-Membran ab. Eine praktische Anwendung dieser lichtempfindlichen Platte ist daher unmöglich.

Die Erfinder haben ferner ermittelt, dass die Empfindlichkeit der lichtempfindlichen Platte stark verbessert wird durch Vorsehen einer dünnen Membran aus einer Se-Te-Legierung als Zwischen·= membran zwischen der Se-Membran und der Membran aus dem organischen Halbleiter der lichtempfindlichen Platte, die so ausgebildet ist, dass auf den flexiblen Film eine Membran aus Al, eine Membran aus Se und eine Membran aus einem organischen Halbleiter wie PVK aufgebracht werden. Diese lichtempfindliche Platte besitzt also eine für die Kopie des latenten Bildes ausreichende Empfindlichkeit.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine lichtempfindliche Platte mit oben beschriebenem Aufbau zu schaffen, die durch die Verbesserung der Bindekraft der Al-Membran an der Se-Membran hochempfindlich und als lichtempfindliche Platte für das Kopieren des latenten Bildes geeignet ist, ferner eine passende Geschmeidigkeit besitzt und in Form eines endlosen Bandes angewendet werden kann.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäss ein Verfahren vorgeschlagen, welches darin besteht, dass durch einen ersten

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Verfahrensschritt (Arbeitsgang) eine Aluminiummembran auf einem flexi-blen, als Basis dienenden Film gebildet wird, dass durch einen zweiten Verfahrensschritt die Oberfläche der Alurainiummembran einem Ionenbeschuss im niedrigen Vakuum ausgesetzt und auf ihr so eine feine Unebenheit erzeugt und die Deckmembran aus Aluminiumoxyd (Al₂Oo) gebildet wird, dass durch einen dritten Verfahrensschritt auf die Aluminiummembran im Vakuum eine Membran aus Nichtkristalloid-Selen aufgedampft und dass durch einen vierten Verfahrensschritt auf dieser Selenmembran eine Deckmembran aus einem organischen Halbleiter direkt oder über einer Deckmembran aus photoleitendem Material mit niedrigem Widerstand und hoher Empfindlichkeit gebildet wird.

Vorzugsweise wird beim ersten Verfahrensschritt der flexible Film in einen Vakuumverdampfungsbehälter eingesetzt und im Vakuum von etwa lo~ bis lo~ mm Hg auf ihn das Aluminium aufgedampft, beim zweiten Verfahrensschritt der Vakuumgrad

—2 —3 im Vakuumverdampfungsbehälter auf etwa Io bis Io mm Hg herabgesetzt und es erfolgt durch eine im Vakuumverdampfungsbehälter vorgesehene Glimmentladungsvorrichtung der Ionenheschuss auf die dünne Aluminiummembran, so dass die feine Unebenheit erzeugt und eine Deckmembran aus Aluminiumoxyd gebildet wird, während beim dritten Verfahrensschritt der Vakuumgrad im Vakuumverdampfungsbehälter auf etwa Io bis Io mm Hg gebracht und Selen von 99,999% Reinheit auf die

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durch den Ionenheschuss behandelte Aluminiummem.bran aufgedampft und so die dünne Selenmembran geMldet wirdsowie heim vierten Verfahrensachritt der flexible Film, auf dem die erwähnten Deckmembranen gebildet worden sind, aus dem Vakuumbehälter entnommen, die Flüssigkeit aus organischem Halbleiter auf die aufgedampfte dünne Selenmembran aufgestrieh*en und getrocknet und so die Membran aus einem " organischen Halbleiter gebildet wird.

Es kann auch beim ersten Verfahrensschritt auf dem flexiblen Film die Aluminiuinmembran aufgedampft, beim zweiten Verfahrensschritt im niedrigen Vakuum Ionenbeschuss auf die Oberfläche der aufgedampften Aluminiummembran gegeben und so die feine Unebenheit und eine sehr dünne Deckmembran aus Aluminiumoxyd auf der Alumini ummembr an gebildet, beim dritten Verfahrensschritt das Nichtkristalloid-Selen von hoher Reinheit auf die fe durch den Ionenbeschuss behandelte aufgedampfte Aluminiummembran aufgedampft und so die dünne aufgedampfte Selenmembran gebildet sowie beim vierten Verfahrensschritt die Se-Te-Legierung im Vakuum auf die Selenmembran aufgedampft und so die dünne Membran aus Se-Te-Legierung gebildet und danach die Flüssigkeit aus organischem Halbleiter auf diese Membran aufgestrich-ten und getrocknet und so die Membran aus organischem Halbleiter gebildet werden.

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Vorzugsweise wird weiterhin Leim ersten Verfahrensschritt eine dünne aufgedampfte Aluminiumrneml>ran von weniger als IyMStärke gebildet, heim zweiten Verfahrensschritt auf diese Aluminiummem.bran im niedrigen Vakuum durch die Glimmentladungsvorrichtung, in die Wechselstrom mit hoher Spannung von 15.OOO Volt eingeführt wird, der Ionenbeschuss von etwa 5 Ms 2o Minuten Dauer gegelien und so die feine Unebenheit und die sehr dünne Deckmembran aus Aluminiumoxyd auf der Oberfläche dieser Membran gebildet, beim dritten Verfahrensschritt das Mchtkristalloid- Selen von hoher Reinheit im Vakuum auf die durch den Ionenbeschuss behandelte aufgedampfte Aluminiummembran in einer Stärke von etwa 0,6^ aufgedampft sowie beim vierten Verfahrensschritt der organische Halbleiter der getrockneten Membran von einigen lo/* Stärke gebildet.

Insbesondere kann auch beim vierten Verfahrensschritt die Se-Te-Legierung, bei der das Tellur von hoher Reinheit im Gewichtsverhältnis von Io bis 60% unter das Selen von hoher Reinheit gemischt worden ist, auf dem durch die Vakuumverdampfung {jeLm dritten Verfahrensschritt gebildete dünne Membran aus Mchtkristalloid -Selen in der Stärke von etwa IU aufgedampft und so die dünne aufgedampfte Membran gebildet und auf diese die getrockente Membran aus organischem Halbleiter von einigen Io >t Stärke aufgebracht wird.

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In einer bevorzugten Aus führung s form bestellt also das erfindungsgemäsae Verfahren hauptsächlich darin, dass auf der Aluminiummembran, welche im Vakuum auf die als Basis dienende flexible Platte aufgedampft worden ist, im niedrigen Vakuum^Jenen■ beschuss eine Oberflächenbearbeitung erfolgte, damit auf dieser Oberfläche eine chemische Veränderung, nämlich in Gestalt einer sehr dünnen Oxydationsmembran (Al₂O₃), sowie eine physikalische Veränderung, nämlich in Form einer feinen Unebenheit, erzielt wird, dass darauf wieder im hohen Vakuum diese Oberfläche mit einer aufgedampften Selen-Schicht belegt wird und dass alsdann auf diese Selenmembran direkt oder über einer Membran aus einer Se-Te-Legierung ein organischer Halbleiter aufgebracht wird. Dabei werden die Aluminiummembran und die Selenmembran fest miteinander verklebt, wobei an ihrer Grenzbzw. Berührungsfläche eine hohe Gleichrichtungsscheidewand gebildet und das Eintreten von Defektelektronen in die Selenmembran vollständig vermieden wird. Die Selenmembran und die darauf aufgebrachte Membran aus der Se-Te-Legierung absorbieren das Bildlicht, damit die Ladungsträger erzeugt werden. Die darauf aufgebrachte durchsichtige Schicht aus einem organischen Halbleiter hält die elektrische Ladung und lässt die Photoladungsträger passieren, dient also als Strompfad.

Das erfindungsgemässe Verfahren sowie Ausführungsbeispiele von danach hergestellten lichtempfindlichen Platten werden im

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- 9 folgenden anhand der anhängenden Zeichnung näher beschrieben.

Fig. 1 zeigt im Schnitt ein Ausführungsbeispiel der nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten lichtempfindlichen riatte,

Fig. 2 zeigt im Schnitt ein anderes Ausführungsbeispiel einer nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten lichtempfindlichen Platte.

Fig. 3 zeigt im Schnitt eine lichtempfindliche Platte während des erfindungsgemässen Herstellungsverfahrens, wobei (A) die Ansicht im Augenblick gerade nach dem Ionenaufprall auf die elektrisch leitende Membran und (B) die Ansicht in dem Zustand, in welchem auf diese elektrisch leitende Membran aus Aluminium die dünne Membran aus Se aufgebracht ist, veranschaulicht.

Fig. 4 zeigt einen Schnitt durch den wesentlichen Teil einer das Kopierenden des latenten Bildes durchführenden Vorrichtung, wobei eine nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellte, endlose lichtempfindliche Platte angewendet wird.

In Fig. 1 ist im Schnitt ein Ausführungsbeispiel der nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten lichtempfindlichen Platte dargestellt. Eine Grundplatte 1 der lichtempfindlichen

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Platte P ist als elektrisch leitende Schicht mit einer Membran 2 aus Aluminium belegt, so dass eine elektrisch leitende Platte gebildet ist. Die Aluminiummembran 2 ist mit der an ihr fest angeklebten dünnen Membran 3 aus Selenium von o,5 bis 2 /*■ belegt. Darauf ist der durchsichtige organische Halbleiter 4 in der Stärke von 1ο>& aufgebracht. Auf der in Fig. 2 gezeigten lichtempfindlichen Platte P¹ ist zwischen der dünnen W Seleniummembran 3 und der organischen Halbleitermembran 4 eine

dünne Membran 5 aus Se -Te-Legierung von der Stärke «k·» Iw

.stoßt*
MikronOrdnung eingelegt, wobei Tellur unter Selenium, das den Hauptbestandteil bildet, gemischt ist.

Bei einer solchen lichtempfindlichen Platte ist es erforderlich₉ an der Grenzfläche zwischen der elektrisch leitenden Schicht und der durch die Absorption des Lichtes die Ladungsträger erzeugenden dünnen Se-Membran eine genügend hohe Gleichrichtungst Scheidewand zu bilden, um das Eintreten der Defektelektronen

in die Se-Membran zu verhindern und damit ein genügend hohes Oberflächenpotential zu erzielen. Die genügend hohe Gleich— richtungsscheidewand wird an der Grenzfläche zwischen Aluminium und Selen gebildet.

Jedoch ist die Bindekraft zwischen der Aluminiumschicht und der dünnen Seleniummembran sehr schwach. Werden z.B. die lichtempfindlichen Platten in Fig. 1 und 2 nur so ausgebildet, dass die dünne Seleniummembran durch Vakuumverdampfen auf der durch

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Vakuumverdampfen auf der Grundplatte 1 gebildeten Aluminiummemliran 2 gebildet wird und beide miteinander verklebt werden, so erfolgt eine Abtrennung der Aluminiummembran von der Seleniummembran, wenn diese lichtempfindliche Platte P, P* in Form des endlosen Bandes um Rollen angeordnet und wiederholt angetrieben oder als lichtempfindliche Platte für die Kopie des latenten Bildes z.B. wiederholt durch die Ropierrolle mi ι Druck beaufschlagt wird. Bei der lichtempfindlichen Platte T oder P^f ist der organische Halbleiter z.B. aus PVK auf die dünne Seleniummembran oder die dünne Membran einer Se-Te-Legierung aufgestrichten und getrocknet worden, so dass die Bindekraft zwischen der dünnen Seleniummemliran und der organischen Halbleitermembran z.B. aus Polyvinylkarbazol (PVX) in der lichtempfindlichen Platte P oder zwischen der dünnen Membran aus der Se-Te-Legierung 5 und der organischen Halbleitfrmembran in der lichtempfindlichen Platte P¹ sehr stark ist.

Ferner können die dünne Seleniummembran und die dünne Membran der Se-Te-Legierung in der lichtempfindlichen Platte P* durch eine gewöhn lic i··* Vakuumverdampfung ausreichend stark verbunden werden, ohne di> 3S befürchtet werden musste, dass beide getrennt wurden.

Erfindungsgemä-i wird im ersten Arbeitsgang die elektrisch

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leitende Aluminiummembran 2 durch Vakuumverdampfung auf der Grundplatte 1 geMldet. Danach wird, wie in Fig. 3 (A) gezeigt, heim zweiten Verfahrensschritt die leicht unebene Fläche 2¹ durch Ionenheschuss auf die Membranfläche der Aluminiummembran 2 im niedrigen Vakuum auf der Oberfläche dieser Aluminiummembran gebildet,und zugleich wird auf dieser unebenen Fläche 2¹ eine sehr dünne Deckmembran aus Al₉O₃ gebildet. Als dritter Verfahrensschritt wird hierauf

die Se-Membran 3 wieder durch Vakuumverdampfung im hohen Vakuum, wie in Fig. 3 (B) gezeigt, gebildet. Darauf wird als vierter Verfahrensschritt der organische Halbleiter wie Polyvinylkarbazol direkt oder über der dünnen Membran 5 aus einer Se-Te-Legierung aufgestrichen, so dass die organische phtohalbleitende Membran 4 gebildet wird.

Wie oben beschrieben, wird die Seleniumschicht gut auf die Aluminiumschicht, auf der eine leicht unebene Fläche und h eine Deckmembran aus Aluminiumoxyd (AIoOo) gebildet worden

sind, aufgeklebt. Obwohl die lichtempfindliche Platte P, P¹ wiederholt gebogen wird, erfolgt keine Abtrennung. Die wie oben beschrieben aufgebaute lichtempfindliche Platte P, P¹, wird, wie in Fig. 4 gezeigt, in Form eines endlosen Bandes um die Hollen 6 und 7 angeordnet und in Pfeilrichtung 11 angetrieben. Die lichtempfindliche Platte P oder P¹ wird durch die Ladevorrichtung 8 gleichmässig aufgeladen. Dann wird sie durch den Projektor 9 mit dem Bild belichtet und durch die

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geerdete Kopierrolle Io an das mit der lichtempfindlichen Platte synchron geförderte Kopierhlatt angedrückt. Folglich ist diese lichtempfindliche Platte für eine solche Kopiervorrichtung zum Kopieren des latenten Bildes verwendbar.

Im folgenden werden Beispiele des erfindungsgemässen Verfahrens zur Herstellung der lichtempfindlichen Platte teach rieb en.

Beispiel J;

Als Grundplatte wird ein Polyesterfilm (LIlMIRROH, Erzeugnis der Toyo-Rayon K.K. , Japan) von 75 Α Dicke angewendet. Nach dem die Oberfläche dieser Grundplatte mit einem Lösungsmittel wie z.B. Benzin entfettet und gewaschen wurde, wird die Platte in den Behälter der als Ionenbeschussvorrichtung innen eine Glimmentladungsvorrichtung besitzenden Vakuumverdampfungsvorrichtung eingesetzt, worauf die Al-Membran im Vakuum von etwa lo~ mm Hg (Quecksilber)in der Stärke von etwa IM- auf die Oberfläche der Grundplatte aufgedampft wird.

—2 Dann wird der Vakuumgrad im Behälter einmal auf Io mm Hg herabgesetzt und die Fläche der verdampften Aluminiummembran der Entladung der Glimmentladungsvorrichtung, in welche Hochspannungswechselstrom von etwa 15.ooo V eingeführt wird, ausgesetzt. Der Ionenbeschuse wird 5 bis 2o Minuten lang ausgeübt. Die Verdampfungsfläche des Aluminiums wird zwangsweise oxydiert, und zugleich wird auf dieser Fläche eine

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sehr feine Unebenheit erzeugt. Danach wird der Behälter wieder in den luftleeren Zustand von etwa lo" mm Hg gebracht. Nachdem Selen von 99,999% Reinheit etwa o,6 l^ stark aufgedampft wurde, wird dies aus dem Behälter herausgenommen. Darauf wird die, wie in der Tafel 1 gezeigt, zusammengesetzte Anstrich- bzw. Beschichtungsflüssigkeit aus dem organischen Halbleiter durch das Anstrichverfahren mit fc einem Messer oder das Re'versrollanstrichverfahren etwa 15o A*

dick bestrichen. Dies wird in einem thermostatischen Trockenapparat 2 bis 3 Stunden lang bei normaler Temperatur bis etwa 3o°C getrockent, worauf die getrocknete Membran von etwa Io bis 15/^t- Stärke geschaffen ist. Auf diese Weise wurde die lichtempfindliche Platte mit einem in Fig. 1 gezeigten Aufbau geschaffen.

Tafel 1:

Bestandteil Gewichtsanteil

\ Polyvinylkarbazol (PVK) loo

Trichlordiphenyl (Plastizierer)* 4o

Monochrolobenzol (Lösungsmittel) looo

Diese lichtempfindliche Platte in Form eines endlosen Bandes wurde um zwei Rollen von 3o mm 0 angeordnet. Dann wurde sie mit der Geschwindigkeit von lm/sec.looo Stunden lang gedreht. Dabei erfolgte keine Ablösung der Aluminiummemhran von der Seleniummembran. Diese lichtempfindliche Platte ist für die

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praktische Anwendung ausreichend.

Beispiel 2;

Ein Polyesterfilm von 75^t Stärke wird in einen innen eine Glimmentladungsvorrichtung besitzenden Vakuumverdampfungsbehälter eingesetzt. Die Filmoberfläche wird im Vakuum von lo~ his Io mm Hg durch den Ionenanprall mittels der Glimmentladungsvorrichtung 3o sec. Ms 60 sec. lang gereinigt. Danach wird ebenso wie "beim Beispiel 1 die dünne Aluminiummemliran durch Vakuumverdampfung gebildet. Alsdann erfolgt der lonenbeschuss. Hierauf wird durch Vakuumverdampfung die dünne Seleniummembran aufgebracht. Ferner wird in das Selenium von 99,999% Reinheit Tellur von 99,999% Reinheit im GewichtVerhältnis von etwa Io Ms 60% gemischt und luftleer eingeschlossen. Dies wird im elektrischen Ofen auf 45o° bis 55o° erhitzt und etwa eine Stunde lang umgerührt und gemischt. Danach wird plötzlich abgekühlt. Die so hergestellte Se-ie-Legierung wird zerschlagen und im Vakuum-

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verdämpfungsjohälter von Io mm Hg dnreh Hlitzverdampfung auf die Oberfläche der Se-Membran in etwa 1 X* Stärke aufgeklebt. Dann wird der Film aus dem Vakuumverdampfungsbehälter herausgenommen, und eine mit der nach Beispiel 1 gleichartige flüssigkeit wird aus dem organischen Halbleiter auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 auf die dünne Se-Te-LegierungsmeiiH ran aufgestrichen und getrocknet. Auf diese

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Weise wurde eine lichtempfindliche Platte mit dem in Fig. 2 gezeigten Aufbau geschaffen.

Bei der gleichen Prüfung der Anwendbarkeit der lichtempfindlichen Platte in Form eines endlosen Bandes zeigt sie dieselbe Dauerhaftigkeit wie die lichtempfindliche Platte gemäss Beispiel 1.

Ferner wurde diese lichtempfindliche Platte in Form eines endlosen Bandes, wie in Fig.4 gezeigt, um die Rollen 6,7 angeordnet und durch die Gleichstromkoronaentladung als Ladevorrichtung 8 mit einem Oberflächenpotential von -1.2oo V geladen. Darauf wurde dann das Bild durch den mit einer weissen Wolframlampe versehenen Projektor 9 mit einer durchschnittlichen Beleuchtungsstärke von 1 Lux. I his 3 sec. lang projiziert. Danach wurde das Kopierblatt Q für das Kopieren, das aus * einem mit dem Kopolymer aus Vinylchlorid und Vinylazetat bedeckten Isolierblatt besteht, angedrückt, und nach dem Druckkopieren mittels der geerdeten Holle Io in bekannter Weise in der Flüssigkeit entwickelt. Hierauf wurde ein sehr klares sichtbares Bild mit einem hohen Auflösungsvermögen in hohem Kontrast ohne Verunreinigung geschaffen.

Ferner wurde bei diesem Beispiel eine lichtempfindliche Platte geschaffen, bei der die Flüssigkeit aus organischem Halbleiter

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2oo Li stark auf den Film auf gestrichen und dies .bei normaler Temperatur Ms 3o°C getrocknet und damit die getrocknete Membran von 2o>^ Stärke erlangt wurde. Diese lichtempfindliche Platte besitzt die gleichen Eigenschaften,

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

Verfahren zur Herstellung einer flexiblen lichtempfindlichen Platte für die Elektrophotographie, gekennzeichnet durch

einen ersten Verfahrensschritt, hei dein eine Aluminiumraemliran (2) auf einem flexiblen Film (1) gebildet wird,

einen zweiten Verfahrensschritt, l>ei dem die Oberfläche der Aluminiummembran (-2) einem Ionenbeschuss im niedtWen Vakuum ausgesetzt und auf ihr eine feine Unebenheit (2¹) erzeugt und eine Deekmembran aus Aluminiumoxyd (AInO.,) gebildet wird,

einen dritten Verfahrensschritt, bei dem auf die Aluminiummembran (2) eine Membran (3) aus Nichtkristalloid-Selen im Vakuum aufgedampft wird, sowie

einen vierten Verfahrensschritt, bei dem eine Deckmembran (4) aus einem organischen Halbleiter direkt oder über einer Deckmembran (5) aus photoleitendem Material mit niedrigem Widerstand und hoher Empfindlichkeit auf dieser aufgedampften Selenmembran (3) gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,

dass beim ersten Verfahrensschritt der flexible Film (1) in einen Vakuumverdampfungsbehälter eingesetzt und im

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Vakuum von etwa Io Ms lo~ mm Hg das Aluminium auf
diesen Film aufgedampft wird, beim zweiten Verfahrensschritt der Vakuumgrad im Vakuumverdampfungs-

2 —3
!»ehälter auf etwa Io Ms Io mm Hg herabgesetzt und der lonenbeschuss durch eine im Vakuumverdampfungsbehälter vorgesehene Glimmentladungsvorrichtung auf die dünne
Aluminiumiitembran 12) erfolgt und so die feine Unebenheit (2*1 erzeugtund die Deckmembran aus Aluminiumoxyd geMldet wird, beim dritten Verfahrensschritt der
Vakuumgrad im Vakuumverdampfungsbehälter auf etwa
Io bis Io mm Hg gebracht und Selen von 99,999% Reinheit auf die durch den Ionenbeschuss behandelte Alumini ummembran (2) aufgedampft und auf ihr so die dünne Selenmembran (3) gebildet wird, sowie beim vierten
Verfahrensschritt der Film (1), auf dem die erwähnten
Deckmembranen gebildet worden sind, aus dem Vakuumverdampfungsbehälter entnommen, die Flüssigkeit aus organischem Halbleiter auf die aufgedampfte dünne Selenmembran (3) aufgestrichen und getrocknet und so die Membranaus einem organischen Halbleiter gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch,
einen ersten Verfahrensschritt, bei dem die Aluminium-

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membran (2) auf dem flexiblen Film (1) aufgedampft wird,

einen zweiten Verfahrensschritt, bei dem der Ionenbeschuss im niedrigen Vakuum auf die Oberfläche der aufgedampften Aluminiummembran (2) gegeben und so die feine Unebenheit (2¹) und eine sehr dünne Deckmembran aus Aluminiumoxyd auf die3erMembran |2j gebildet werden,

einen dritten Verfahrensschritt,bei dem das Kiohtkristal-P loid-Selen von hoher Reinheit auf die durch den Ionen-

beschuss behandelte aufgedampfte Alaminiummembran [2] aufgedampft und so die dünne aufgedampfte Selenmemiran (3) gebildet wird, sowie

einen vierten Verfahrensschritt_$ bei dem die Se-To-Legierung im Vakuum auf die Selenmembran (3) aufgedampft und so die dünne Membran (5) aus der Se-Te-Legierung gebildet und danach die Flüssigkeit aas organischem Halbleiter auf diese Membran aufgestrichen und getrocknet und so die Membran aus organischen Halbleiter (4) gebildet wird,
4» Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,

dass beim ersten Verfahrenssehritt eine dünne aufgedampfte Aluaiiniummembran (2i von weniger als IM Stärke gebildet wird, ijsim zweiten Varf ahrensscliriit auf diese Aluminium» »nenibraa [2) im niedrigen Vakuum durch die ^;GrIi:runentladungs-> vorrichtung- in di-s Wechselstrom mit hoher S"3ßHKuns "/on

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15.ΟΟΟ V eingeführt wird, der lonenbeschuss von etwa 5 his 2o min. Dauer erfolgt und so die feine Unebenheit (2·) und die sehr dünne Deckmembran aus Aluminiumoxyd auf der Oberfläche dieser Membran (2) gebildet werden, beim dritten Verfahrensschritt das Nichtkristalloid-Selen von hoher Reinheit im Vakuum auf die durch den lonenbeschuss behandelte

^v aufgedampfte Aluminiummembran (2) in einer Stärke von etwa o,6u aufgedampft wird, sowie beim vierten Verfahrensschritt der organische Halbleiter der getrockneten Membran (4) von einigen Io to Stärke gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,

dass beim vierten Verfahrensschritt die Se-Te-Legierung, bei der das Tellur von hoher Reinheit im Gewichtsverhältnis von Io bis 6o% unter das Selen von hoher Reinheit gemischt

htim· worden ist, auf den durch die Vakuumverdampfung'dritten Verfahrensschritt gebildete dünne Membran aus Nichtkristalloid-Selen (3) in der Stärke von etwa Im aufgedampft und so die dünne aufgedampf-te Membran (5) gebildet und auf diese die getrocknete Membran (4) aus organischem Halbleiter von einigen Io u Stärke aufgebracht wird.

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