DE2113662A1

DE2113662A1 - Integrated hybrid circuit

Info

Publication number: DE2113662A1
Application number: DE19712113662
Authority: DE
Inventors: Krieg Karl Heinz; Guenter Dipl-Phys Dr Matthaei
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1971-03-20
Filing date: 1971-03-20
Publication date: 1972-10-05

Description

Integrierter Uybnd-Schaltkreis Die Erfindung betrifft einen integrierten Hybrid-Schaltkreis, bei welchem ein als Leistungselement ausgebildetes Schaltelement auf eine metallische Grundplatte aufgebracht ist. Integrated Uybnd Circuit The invention relates to an integrated circuit Hybrid circuit in which a switching element designed as a power element is applied to a metallic base plate.

Es ist bereits ein integrierter Hybrid-Schaltkreis dieser Art bekannt. Bei diesem Hybnd-Schaltkreis ist zur Aufnahme eines weiteren, als Kleinsignalelement ausgebildeten und von der Grundplatte zu isolierenden Schaltelementes ein oberhalb der Grundplatte angeordneter metallischer Träger vorgesehen. Diese Anordnung hat aber den Nachteil, daß zur Isolierung des Trägers gegenüber der Grundplatte besondere Maßnahmen vorgesehen sein müssen.A hybrid integrated circuit of this type is already known. In this Hybnd circuit there is a further element, as a small signal element trained and to be isolated from the base plate switching element above the base plate arranged metallic carrier is provided. This arrangement has but the disadvantage that special to isolate the carrier from the base plate Measures must be provided.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Nachteile der bekannten Rybrid-Schaltkreise der eingangs genannten Art zu beseitigen. Insbesondere soll in einem integrierten Hybrid-Schaltkreis dieser Art mindestens ein von der Grundplatte zu isolierendes Kleinsignalelement mit möglichst einfachen Nitteln untergebracht werden.The invention is based on the disadvantages of the known To eliminate Rybrid circuits of the type mentioned. In particular, should in a hybrid integrated circuit of this type, at least one of the baseplate Small signal element to be isolated housed with the simplest possible means will.

Erfindungsgemäß ist diese Auf gabe dadurch gelöst, daß zur Aufnahme mindestens eines weiteren, als Kleinsignalelement ausgebildeten Schaltelementes ein oberhalb der Grundplatte angeordneter, aus einem isolierenden Substrat bestehender Träger vorgesehen ist.According to the invention, this task is solved in that for inclusion at least one further switching element designed as a small signal element one arranged above the base plate and consisting of an insulating substrate Carrier is provided.

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen in Verbindung mit der nachfolgenden Beschreibung dreier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele.Further details and advantages of the invention emerge from the Subclaims in conjunction with the following description of three in the drawing illustrated embodiments.

Es zeigen: Fig. 1 eine erste Ausführungsform eines Hybrid-Schaltkreises gemäß der Erfindung im Vertikalschnitt; Fig. 2 einen Teil des oberhalb der Grundplatte angeordneten Trägers mit einem darauf aufgebrachten diskreten Schaltelement gemäß einer zweiten Ausfiihrungsform der Erfindung; Fig. 3 die Grundplatte mit darauf aufgebrachten Schaltelementen eines dritten Ausführungsbeispiels eines Hybrid-Schaltkreises gemäß der Erfindung in der Draufsicht Fig. 4 einen Schnitt durch das dritte Ausführungsbeispiel entlang der Linie IV-IV der Fig. 3; Fig. 5 den Hybnd#chaltkreis nach Fig. 4 in der Draufsicht; Fig. 6 einen schnitt nach der Linie VI-VI der Fig. 5, Fig. 7 einen Schnitt nach der Linie VlI-VII der Fig. 5; Fig. 8 einen Schnitt nach der Linie VIII-VIII der Fig. 5; Fig. 9 das elektrische Schaltbild des Hybrid-Schaltkreises nach den Fig. 3 bis 8.1 shows a first embodiment of a hybrid circuit according to the invention in vertical section; Fig. 2 shows a part of the above the base plate arranged carrier with a discrete switching element applied thereon according to a second embodiment of the invention; Fig. 3 shows the base plate with it applied switching elements of a third embodiment of a hybrid circuit according to the invention in plan view Fig. 4 shows a section through the third embodiment along the line IV-IV of FIG. 3; 5 shows the Hybnd circuit according to Fig. 4 in plan view; Fig. 6 is a section along the line VI-VI of FIG. 5, FIG. 7 a section along the line VI-VII of FIG. 5; 8 shows a section along the line VIII-VIII of FIG. 5; 9 shows the electrical circuit diagram of the hybrid circuit according to FIGS. 3 to 8.

In Fig. 1 ist mit 1 eine metallische Grundplatte bezeichnet.In Fig. 1, 1 denotes a metallic base plate.

Auf die Grundplatte 1 ist ein Halbleiterkörper 2 aufgelötet, der als stark wärmeerzeugendes planares Leistungshalbleiterelement ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper 2 kann ein Transistor, ein monolithischer Schaltkreis, eine Diode oder ein Thyristor sein. Oberhalb der Grundplatte und parallel zu dieser ist ein als Platte ausgebildeter Träger 3 angeordnet, der aus einem isolierenden Substrat, beispielsweise aus Keramik, Kunststoff oder Glas, besteht. Auf den Träger 3 sind Beiterbahnen 4, 5, 6, 7 uni 8 aufgebracht. Ferner ist ein zweiter Halbleiterkörper 9 vorgesehen, der im Gegensatz zum Halbleiterkörper 2 als Kleinsignalelement ausg&nildet ist. Der Halbleiterkörper 9 ist auf die Leiterbahnen 5 und 6 aufgelötet.On the base plate 1, a semiconductor body 2 is soldered, which as highly heat-generating planar power semiconductor element is formed. Of the Semiconductor body 2 can be a transistor, a monolithic circuit, a diode or be a thyristor. Above the base plate and parallel to it is a arranged as a plate carrier 3, which consists of an insulating substrate, for example made of ceramic, plastic or glass. On the carrier 3 are Beiterbahnen 4, 5, 6, 7 uni 8 applied. There is also a second semiconductor body 9 is provided which, in contrast to the semiconductor body 2, is designed as a small-signal element is. The semiconductor body 9 is soldered onto the conductor tracks 5 and 6.

Die Lötverbindungen sind dabei mit 10 und 11 bezeichnet. Ferner ist auf den Träger 3 ein diskretes Bauelement 12, welches wie der Halbleiterkörper 9 als Kleinsignalelement ausgebildet ist, aufgebracht und mit seinen Anschlußdrähten 13 und 14 mit den Leiterbahnen 7 uni 8 verlötet. Die Enden der Anschlußdrähte 13 und 14 sind dabei so abgebogen, daß sie parallel zueinander verlaufen. Mit diesen abgebogenen Enden der Anschlußdrähte ist das Bauelement 12 in Bohrungen gesteckt, die die Leiterbahnen 7 und 8 und den Träger 3 senkrecht durchdringen. Wie in Fig. 2 dargestellt, kann das diskrete Bauelement 12 statt der abgebogenen Anschlußdrähte 13 und 14 auch Anschlußfahnen 15 und 16 haben und mit diesen Anschlußfahnen auf die Leiterbahnen 7 und 8 aufgelötet oder aufgeschweißt sein. Auf den Träger 3 ist ferner ein. Schichtelement 17 auf gebracht. Die Leiterbahnen 4, 5, 6, 7 und 8 und das Schichtelement 17 können in Dickfilmtechnik oder in Dünnfilmtechnik aufgebracht sein. Zur elektrischen Verbindung des oberen Anschlußkontaktes 18 des Ealbleiterkörpers 2 mit der Leiterbahn 4 dient ein Leitungsdraht 19, welcher sich von dem Anschlußkontakt 18 aus senkrecht nach oben erstreckt. Der Beitungsdraht 19 verläuft dabei durch eine Bohrung, die die Leiterbahn 4 und den Träger 3 senkrecht durchdringt. An seinem oberen und an seinem unteren Ende ist der Leitungsdraht 19 mit der Leiterbahn 4 bzw. mit dem Anschlußkontakt 18 verlötet.The soldered connections are denoted by 10 and 11. Furthermore is a discrete component 12, which like the semiconductor body 9 is designed as a small signal element, applied and with its connecting wires 13 and 14 soldered to the conductor tracks 7 uni 8. The ends of the connecting wires 13 and 14 are bent so that they run parallel to each other. With these bent ends of the connecting wires, the component 12 is inserted into bores, which penetrate the conductor tracks 7 and 8 and the carrier 3 perpendicularly. As in Fig. 2, the discrete component 12 can be used in place of the bent leads 13 and 14 also have connecting lugs 15 and 16 and with these connecting lugs on the conductor tracks 7 and 8 be soldered or welded on. On the carrier 3 is further a. Layer element 17 brought on. The conductor tracks 4, 5, 6, 7 and 8 and the layer element 17 can be applied using thick-film technology or using thin-film technology be. For the electrical connection of the upper terminal contact 18 of the Ealbleiterkörpers 2 with the conductor track 4 is a lead wire 19, which extends from the connection contact 18 extends from vertically upwards. The reinforcement wire 19 runs through it a hole which penetrates the conductor track 4 and the carrier 3 perpendicularly. On his The conductor wire 19 with the conductor track 4 is at the top and at its lower end or soldered to the connection contact 18.

Der Iieitungsdraht 19 kann aus Nickel, Silber oder einer Silberbronze bestehen.The lead wire 19 can be made of nickel, silver or a silver bronze exist.

In den Fig. 3 bis 8 ist ein Hybrid-Schaltkreis gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Der Hybrid-Schaltkreis enthält drei plättchenförmige Halbleiterkörper 20, 21 und 22. Die Hlbleiterkörper 20 und 21 sind auf der metallischen Grundplatte 1, der Halbleiterkörper 22 auf dem Träger 3 untergebracht, der aus Keramik besteht.3 to 8 is a hybrid circuit according to a third Embodiment of the invention shown. The hybrid circuit contains three platelet-shaped ones Semiconductor bodies 20, 21 and 22. The semiconductor bodies 20 and 21 are on the metallic Base plate 1, the semiconductor body 22 housed on the carrier 3, which is made of ceramic consists.

Die Halbleiterkörper 20 und 21 tragen an ihren Unterseiten jeweils einen ersten Anschlußkontskt 23 bzw. 24. Diese Anschlußkontakte erstrecken sich jeweils über die ganze Unterseite des Halbleiterkörpers. Mit diesen unteren Anschlußkontakten 23 und 24 sind die Halbleiterkörper 20 und 21 auf die metallische Grundplatte 1 aufgelötet, welche einen Teil des Gehäuses des Hybrid-Schaltkreises bildet und gleichzeitig als Elektrodenanschluß für die Halbleiterkörper 20 und 21 dient.The semiconductor bodies 20 and 21 each carry on their undersides a first connection contact 23 or 24. These connection contacts extend each over the entire underside of the semiconductor body. With these lower connection contacts 23 and 24 are the semiconductor bodies 20 and 21 on the metallic base plate 1 soldered, which forms part of the housing of the hybrid circuit and at the same time serves as an electrode connection for the semiconductor bodies 20 and 21.

Der Halbleiterkörper 22 trägt an seiner Unterseite ebenfalls einen ersten Anschlußkontakt 25, der sich über diese ganze Unterseite erstreckt. Mit diesem unteren Anschlußkontakt 25 ist der Halbleiterkörper 22 auf eine Leiterbahn 26 aufgelötet, die auf den Träger 3 in Dünn- oder Dickfilmtechnik aufgebracht ist.The semiconductor body 22 also has one on its underside first connection contact 25, which extends over this whole bottom extends. With this lower connection contact 25, the semiconductor body 22 is on a conductor track 26 soldered onto the carrier 3 in thin or thick film technology is upset.

Der Halbleiterkörper 20 hat außer seinem an der Unterseite liegenden ersten Anschlußkontakt 23 noch einen zweiten Anschlußkontakt 27 und einen dritten Anschlußkontakt 28, welche beide an der Oberseite des Halbleiterkörpers 20 angebracht sind.The semiconductor body 20 has apart from its lying on the underside first connection contact 23, a second connection contact 27 and a third Terminal contact 28, both of which are attached to the top of the semiconductor body 20 are.

Der Halbleiterkörper 21 hat außer seinem an der Unterseite liegenden ersten Anschlußkontakt 24 noch einen zweiten Ansclilußkontakt 29, einen dritten Anschlußkontakt 30 und einen vierten Anschlußkontakt 31, welche an der Oberseite des Halbleiterkörpers 21 angebracht sind.The semiconductor body 21 has apart from its lying on the underside first connection contact 24 still a second connection contact 29, a third Connection contact 30 and a fourth connection contact 31, which on the top of the semiconductor body 21 are attached.

Der Halbleiterkörper 22 hat außer seinem an der Unterseite liegenden ersten Anschlußkontakt 25 noch einen zweiten Anschlußkontakt 32 und einen dritten Anschlußkontakt 33, welche beide an der Oberseite des Halbleiterkörpers 22 angebracht sind.The semiconductor body 22 has in addition to its lying on the underside first connection contact 25, a second connection contact 32 and a third Terminal contact 33, both of which are attached to the top of the semiconductor body 22 are.

Auf die Anschlußkontakte 27, 28, 29, 30 und 31 der Halbleiterkörper 20 und 21 sind aus Nickel oder aus Silber bestehende Leitungsdrähte 34, 35, 36, 37 und 38 aufgelötet, welche sich von den Anschlußkontakten 27, 28, 29, 30 und 31 aus senkrecht nach oben erstrecken. Die Leitungsdrähte 34 und 35 verlaufen dabei jeweils durch eine Bohrung im Träger 3, dessen Durchmesser geringfügig größer ist als der Durchmesser der Leitungsdrähte 34 und 35. Für die Leitungsdrähte 36, 37 und 38 ist dagegen im Träger 3 eine gemeinsame Bohrung 39 vorgesehen, durch die diese Drähte verlaufen.On the connection contacts 27, 28, 29, 30 and 31 of the semiconductor body 20 and 21 are lead wires 34, 35, 36 made of nickel or silver, 37 and 38 are soldered, which extend from the connection contacts 27, 28, 29, 30 and 31 extend from vertically upwards. The lead wires 34 and 35 run each through a hole in the carrier 3, the diameter of which is slightly larger than the diameter of the lead wires 34 and 35. For the lead wires 36, 37 and 38, however, a common bore 39 is provided in the carrier 3 through which these wires run.

Die bereits erwähnte, auf den Träger 3 aufgebrachte Leiterbahn 26, die den Halbleiterkörper 22 trägt, hat einen Ausläufer 26a, der sich bis zu dem oberen Ende des Leitungsdrahtes 37 erstreckt. Ferner ist. eine Leiterbahn 40, eine Leiterbahn 41, eine Leiterbahn 42 und zwei- Leiterbahnflecke 43 und 44 vorgesehenW Die leiterbahn 40 hat einen Ausläufer 40a, der sich bis zum oberen Ende des Leitungsdrahtes 38 erstreckt.The already mentioned conductor track 26 applied to the carrier 3, which carries the semiconductor body 22, has an extension 26a, which extends up to the upper end of the lead wire 37 extends. Furthermore is. a conductor 40, a Conductor track 41, one conductor track 42 and two conductor track pads 43 and 44 are provided The conductor track 40 has a tail 40a which extends to the upper end of the conductor wire 38 extends.

Die Leiterbahn 41 erstreckt sich mit ihrem einen Ausläufer 41a bis zum oberen Ende des Leitungsdrahtes 36. Die oberen Enden der Leitungsdrähte 36, 37 und 38 sind von der Bohrung 39 aus nach außen umgebogen und stehen so mit den Ausläufern 41a bzw. The conductor track 41 extends with one of its extensions 41a to to the upper end of the lead wire 36. The upper ends of the lead wires 36, 37 and 38 are bent outward from the bore 39 and are so with the Foothills 41a resp.

26a bzw. 40a der Leiterbahnen 41, 26 und 40 in Berührung.26a and 40a of the conductor tracks 41, 26 and 40 in contact.

Außerdem sind sie an diesen Berührungsstellen mit diesen Ausläufern verlötet.They are also at these points of contact with these foothills soldered.

Das obere Ende des Leitungsdrahts 34 durchdringt außer dem Träger 3 einen zweiten Ausläufer 40b -der Leiterbahn 40 und ist mit diesem verlötet. Das obere Ende des Leitungsdrahtes 35 durchdringt außer dem Träger 3 den zweiten Ausläufer 41b der Leiterbahn 41 und ist mit diesem verlötet.The upper end of the lead wire 34 penetrates beyond the carrier 3 a second extension 40b of the conductor track 40 and is soldered to it. That The upper end of the conductor wire 35 penetrates the second branch in addition to the carrier 3 41b of the conductor track 41 and is soldered to it.

Die Leiterbahn 40 hat einen dritten Ausläufer 40cis der sich bis in die Nähe des oberen Anschlußkontaktes 32 des Halbleiterkörpers 22 erstreckt.The conductor track 40 has a third extension 40cis which extends into the vicinity of the upper terminal contact 32 of the semiconductor body 22 extends.

Zur elektrisch leitenden Verbindung des Anschlußkontaktes 32 des Halbleiterkörpers 22 mit dem Ausläufer 40c der Beiterbahn 40 ist ein Uförmiger Drahtbügel 45 vorgesehen, der den Zwischenraum zwischen dem AnSchlußileck 43 und dem äußersten Ende des Aus läufers 40c überbrückt und mit seinem Mittelteil 45a über den Anschlußkontakt 32 verläuft. Die freien Schenkel 45b, 45c des Drahtbügels 45 sind in Bohrungen gesteckt, die durch den Änschlußfleck 43 und den Träger 3 bzw.For the electrically conductive connection of the connection contact 32 of the semiconductor body 22 with the extension 40c of the conductor track 40, a U-shaped wire bracket 45 is provided, the gap between the connection corner 43 and the extreme end of the Aus rotor 40c bridged and with its middle part 45a over the connection contact 32 runs. The free legs 45b, 45c of the wire bracket 45 are inserted into holes, the through the connection spot 43 and the carrier 3 or

durch das äußerste Ende des Aus läufers 40c und den Träger 3 verlaufen. Der Mittelteil 45a ist mit dem Anschlußkontakt 32, der freie Schenkel 45b mit dem Anschlußfleck 43 und der freie Schenkel 45c mit dem äußersten Ende des Ausläufers 40c verlötet (Fig. 8).run through the extreme end of the runner 40c and the carrier 3. The middle part 45a is with the connection contact 32, the free leg 45b with the Connection pad 43 and the free leg 45c with the outermost end of the tail 40c soldered (Fig. 8).

Zur elektrisch leitenden Verbindung des Anschlußkontaktes 33 des Halbleiterkörpers 22 mit dem einen Ende 42a der Leiterbahn 42 ist ein U-förmiger Drahtbügel 46 vorgesehen, der den Zwischenraum zwischen diesem Ende 42a und dem Anschlußfleck 44 überbrückt und mit seinem Mittelteil über den Anschlußkontakt 33 verläuft. Die freien Schenkel des Drahtbügels 46 sind in Bohrungen gesteckt, die durch das Ende 42a und den Träger 3 bzw. durch den Anschlußfleck 44 und den Träger 3 verlaufen.For the electrically conductive connection of the connection contact 33 of the semiconductor body 22 with one end 42a of the conductor track 42, a U-shaped wire bracket 46 is provided, which bridges the gap between this end 42a and the connection pad 44 and runs with its central part over the connection contact 33. The free legs of the wire bracket 46 are inserted into bores through the end 42a and the carrier 3 or through the connection pad 44 and the carrier 3.

Der Mittelteil des Drahtbügels 46 ist mit dem Anschlußkontakt 33, der eine freie Schenkel des Drahtbügels 46 mit dem Ende 42a der Leiterbahn 42 und -der andere freie Schenkel des Drahtbügels 46 mit dem Anschlußfleck 44 verlötet (vgl. Fig. 8).The middle part of the wire clip 46 is connected to the connection contact 33, the one free leg of the wire bracket 46 with the end 42a of the conductor track 42 and the other free leg of the wire clip 46 is soldered to the connection pad 44 (see Fig. 8).

Zur Aufhängung des Trägers 3 und als Anschlußleiter sind drei metallische Kontaktstifte 47, 48 und 49 vorgesehen, die mittels Glaseinschmelzungen 50, 51 und 52 isoliert durch die Grundplatte 1 hindurchgeführt sind. Die Kontaktstifte 47, 48 und 49 sind durch Bohrungen im Träger 3 hindurchgeführt, deren Durchmesser nur wenig größer als die Durchmesser der Kontaktstifte sind. Die Wulst 53 dient dabei als Anschlag für den Träger 3. Der Kontaktstift 47 durchdringt außer dem Träger 3 die Leiterbahn 42 an ihrem Ende 42b und ist mit ihr verlötet. Der Kontaktstift 48 durchdringt außer dem Träger 3 die Leiterbahn 26 und ist mit dieser verlötet. Der Xontaktstift 49 durchdringt außer dem Träger 3 die Leiterbahn 40 und ist mit dieser verlötet Zum Schutz des Hybrid-Schaltkreises gegen atmosphärische Einflüsse ist die gesamte Anordnung mit einer Kappe 54 abgedeckt, die an ihrem äußersten umgebogenen Rand 54a mit der Grundplatte 1 verschweißt ist.For the suspension of the carrier 3 and as a connecting conductor there are three metallic ones Contact pins 47, 48 and 49 are provided by means of glass seals 50, 51 and 52 are passed through the base plate 1 in an isolated manner. The contact pins 47, 48 and 49 are passed through holes in the carrier 3, the diameter of which is only are slightly larger than the diameter of the contact pins. The bead 53 is used as a stop for the carrier 3. The contact pin 47 penetrates in addition to the carrier 3 the conductor track 42 at its end 42b and is soldered to it. The contact pin In addition to the carrier 3, 48 penetrates the conductor track 26 and is soldered to it. In addition to the carrier 3, the contact pin 49 penetrates the conductor track 40 and is with it this soldered To protect the hybrid circuit against atmospheric Influences, the entire arrangement is covered with a cap 54, which is at its outermost bent edge 54a is welded to the base plate 1.

Die Halbleiterkörper 20, 21 und 22 können diskrete Elemente sein. Sie können aber auch monolithisch integrierte Schaltkreise sein, welche beispielsweise in Planartechnik ausgeführt sein können. Fig. 9 zeigt ein mögliches Ausführungsbeispiel, bei dem der Halbleiterkörper 20 ein in Planartechnik ausgeführter Leistungstransistor LT ist und bei dem die Halbleiterkörper 21 und 22 monolithisch integrierte Schaltkreise sind. Mit strichpunktiertem Linienzug sind in Fig. 9 die im Halbleiterkörper 21 enthaltenen, mit gestricheltem Linienzug die im Halbleiterkörper 22 enthaltenen integrierten Einzelelemente umrandet.The semiconductor bodies 20, 21 and 22 can be discrete elements. But they can also be monolithically integrated circuits, which for example can be executed in planar technology. Fig. 9 shows a possible embodiment, in which the semiconductor body 20 is a power transistor implemented using planar technology LT is and in which the semiconductor bodies 21 and 22 are monolithically integrated circuits are. In FIG. 9, those in the semiconductor body 21 are indicated by dash-dotted lines contained, those contained in the semiconductor body 22 with dashed lines integrated individual elements bordered.

Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 9 bildet der mit der Grundplatte 1 verlötete erste Anschlußkontakt 23 des Halbleiterkörpers 20 den Kollektoranschluß des Leistungstransistors LT, der zweite Anschlußkontakt 27 den Emitteranschluß des Beistungstransistors LT und der dritte Anschlußkontakt 28 den Basisanschluß des Leistungstransistors LD.In the embodiment of FIG. 9, the forms with the base plate 1 first connection contact 23 of the semiconductor body 20 soldered the collector connection of the power transistor LT, the second terminal contact 27 the emitter terminal of the Boost transistor LT and the third terminal contact 28 the base terminal of the Power transistor LD.

Der Halbleiterkörper 21 enthält eine monolithisch integrierte Schaltung, die sich aus einem Treibertransitor TT und aus einem an den Emitter dieses Treibertransistors angeschlossenen Widerstand R2 zusammensetzt. Der mit der Grundplatte 1 verlötete erste Anschlußkontakt 24 des Halbleiterkörpers 21 bildet dabei den Kollektoranschluß des Treibertransistors TT, der zweite Anschlußkontakt 29 den Basisanschluß des Treibertransistors TT, der dritte Anschlußkontakt 30 den äußeren Anschluß des Widerstandes R2 und der vierte Anschlußkontakt 31 den Emitteranschluß des Treibertransistors TT.The semiconductor body 21 contains a monolithically integrated circuit, which consists of a driver transistor TT and a to the emitter of this driver transistor connected resistor R2. The one soldered to the base plate 1 first connection contact 24 of semiconductor body 21 forms the collector connection of the driver transistor TT, the second terminal contact 29 is the base terminal of the driver transistor TT, the third terminal contact 30, the outer terminal of the resistor R2 and the fourth terminal contact 31 the emitter terminal of the driver transistor TT.

Der Halbleiterkörper 22 enthält eine monolithisch integrierte Schaltung, die sich aus einem Steuertransistor ST, einem Widerstand R1 parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Steuertransistors und aus einer Zenerdiode Z zusammensetzt, die mit ihrer Anode an die Basis des Steuertransistors angeschlossen ist. Der mit der Leiterbahn 26 verlötete erste Anschlußkontakt 25 des Halbleiterkörpers 22 bildet dabei den Xollektoranschluß des Steuertransistors ST, der zweite Anschlußkontakt 32 den Emitteranschluß des Steuertransistors ST und der dritte Anschlußkontakt 33 den Kathodenanschluß der Zenerdiode Z.The semiconductor body 22 contains a monolithically integrated circuit, consisting of a control transistor ST, a resistor R1 parallel to the emitter-base path of the control transistor and composed of a Zener diode Z, which with its anode is connected to the base of the control transistor. The one with the conductor track 26 The soldered first connection contact 25 of the semiconductor body 22 forms the collector connection of the control transistor ST, the second terminal contact 32 is the emitter terminal of the Control transistor ST and the third terminal contact 33, the cathode terminal of the Zener diode Z.

Claims

Sayings

1. Integrated hybrid circuit, in which a processing element formed switching element is applied to a metallic base plate, thereby characterized in that for receiving at least one further, as a small signal element formed switching element arranged above the base plate, from one insulating substrate existing carrier is provided.

2. Eybrid circuit according to claim 1, characterized in that the carrier is made of ceramic.

3. Ifybrid switching circuit according to claim 1, characterized in that the carrier is made of plastic.

4. Hybrid circuit according to claim 1, characterized in that the carrier is made of glass.

5. Hybrid circuit according to claim 1, characterized in that the electrical connection between the switching element attached to the base plate and the switching elements arranged on the carrier by perpendicular to the base plate running conductor wires and formed by conductor tracks applied to the carrier which with the Lead wires on the one hand and with the connection contacts the switching elements arranged on the carrier, on the other hand, are electrically conductively connected are.

6. Hybrid circuit according to claim 5, characterized in that the conductor tracks are applied to the carrier using thick film technology or thin film technology are.

7. Hybrid circuit according to claim 5, characterized in that the lead wires are made of nickel, silver or a silver bronze.