DE2101279A1

DE2101279A1 - Integrierter, lateraler Transistor

Info

Publication number: DE2101279A1
Application number: DE19712101279
Authority: DE
Inventors: Arthur James Poughkeepsie NY Rideout (V St A )
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1970-01-20
Filing date: 1971-01-13
Publication date: 1971-07-29
Also published as: BE761767A; SE365906B; US3656034A; CA927975A; FR2077224B1; GB1325081A; JPS516511B1; FR2077224A1; DE2101279C2

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH

Anmelderin:

Amtliches Aktenzeichen: Aktenzeichen der Anmelderin:

Böblingen, den 24. Dezember 1970 gg-rz

International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10504 Neuanme1dung
Docket FI 968 114

Integrierter, lateraler Transistor

Die Erfindung betrifft einen integrierten, lateralen Transistor mit einer vergrabenen Zone unterhalb der in einer Basiszone liegenden Emitter- und Kollektorzonen.

Bei bekannten lateralen Transistorstrukturen sind im Bereich einer Fläche einer Basiszone eine Emitterzone und eine Kollektorzone eindiffundiert. Dabei ist es auch bekannt, dem der Emitter- und Kollektorzone gegenüberliegenden Teil der Basiszone eine höhere Leitfähigkeit zu geben als dem restlichen Teil der Basiszone. Dadurch kann der Basiswiderstand vermindert werden. In derartigen Strukturen fließt der Emitterstrom über den Basisbereich mit niedriger Leitfähigkeit direkt vom Emitter zum Kollektor. Der Basisstrom fließt vom Basiskontakt über den Basisbereich hoher Leitfähigkeit zum aktiven Basisbereich. Der Teil des Emitterstromes, der nicht zum Kollektor hin injiziert wird, muß in der Basiszone rekombinieren. Dadurch entsteht der Nachteil, daß bei einer Erhöhung des Basisstromes der Stromverstärkungsfaktor des Transistors verringert wird.

Es sind auch Mehrfachemitter- und Mehrfachkollektorstrukturen bekannt, bei denen auf der den Emittern und Kollektoren gegenüberliegenden Seite der Basiszone eine entgegengesetzt zur Basiszone dotierte Halbleiterzone vorgesehen ist. Dabei fließt ein Strom von den Emittern in diese zusätzliche Halbleiterzone

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und von dieser Halbleiterzone zu den Kollektoren. Diese bekannten Strukturen weisen nur eine geringe Stromverstärkung auf, da Emitterstrom seitlich injiziert wird und in der Basis rekombiniert. Um die Verringerung der Stromverstärkung bei diesen Strukturen zu vermeiden, ist es bekannt, an den seitlichen Flächen der Emitter Halbleitermaterial abzuätzen.

Bekannte, symmetrische, laterale Transistoren weisen quaderförmige Emitter- und Kollektorzonen auf. Diese Strukturen haben den Nachteil, daß nur ein geringer Anteil des injizierten Emitterstromes den Kollektor erreicht und daß damit nur eine geringe Stromverstärkung erzielt werden kann. Die Ursache der geringen Stromverstärkung liegt darin, daß auch Emitterstrom an den Seitenflächen des Emitters injiziert wird, die nicht dem Kollektor gegenüberliegen. Außerdem ist bei diesen Strukturen die Verstärkungs-Bandbreite wesentlich herabgesetzt, da die verringerte Stromverstärkung die Frequenz herabsetzt, bei der der Stromverstärkungsfaktor Eins wird. Bei nichtsymmetrischen, bekannten lateralen Transistorstrukturen wird das Problem der niedrigen Stromverstärkung teilweise dadurch gelöst, daß der Kollektor den Emitter in einer parallel zur oberen Oberfläche der Struktur liegenden Ebene umgibt. Auf diese Weise wird sichergestellt, daß auch der von den seitlichen Flächen des Emitters injizierte Strom vom Kollektor aufgenommen wird. Aber auch hier wird die Stromverstärkung noch dadurch herabgesetzt, daß der an der unteren Fläche des Emitters injizierte Strom in der Basis rekombinieren muß.

Es ist die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe, einen integrierten, lateralen Transistor anzugeben, der bei leichter Herstellbarkeit eine erhöhte Stromverstärkung und Bandbreite aufweist.

Gemäß der Erfindung wird für einen lateralen Transistor mit einer vergrabenen Zone unterhalb der in einer Basiszone liegenden Emitter- und Kollektorzonen dadurch gelöst, daB die dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie Emitter- und Kollektorzone angehörende

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vergrabene Zone höchstens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, vorzugsweise weit weniger als eine Diffusionslänge, von Emitter- und Kollektorzone entfernt und daß Emitter- und Kollektorzone höchstens einige Diffusionslängen, vorzugsweise höchstens drei Diffusionslängen, voneinander entfernt angeordnet sind.

Eine vorteilhafte Ausführungsform besteht darin, daß die Transistorstruktur·, von der vergrabenen Zone und einer diese mit der Oberfläche verbindenden, inneren Isolationszone gleichen Leitfähigkeitstyps eingeschlossen ist und daß die innere Isolationszone mit vergrabener Zone in eine äußere Isolationszone entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist. Ein besonders einfaches Ausführungsbeispiel besteht darin, daß die Transistorstruktur auf einem Substrat aufgebaut ist, das über die dem gleichen Leitfähigkeitstyp angehörende äußere Isolationszone an die Oberfläche hochgezogen ist.

Ein weiteres erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel besteht darin, daß zwischen innerer Isolationszone mit vergrabener Zone des ersten Leitfähigkeitstyps und der äußeren Isolationszone des ebenfalls ersten Leitfähigkeitstyps eine mittlere Isolationszone des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist.

Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele. Es zeigen:

Fig. 1 einen erfindungsgemäßen NPN~Transistor in Draufsicht,

Fig. 2 eine Schnittansicht entlang der Linie 2-2 der Fig. 1,

Fig. 3 eine entsprechende Schnittansicht eines erfindungsgemäßen PWP-Transistors und

Fign. 4a-4c die statischen Potentiale bei einem Transistor gemäß

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- 4 Fig. 2 unter unterschiedlichen Betriebsbedingungen.

Im folgenden wird unter einem symmetrischen Transistor ein Transistor verstanden, dessen Eigenschaften in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung gleich sind. D.h., die Stromverstärkungsfaktoren 3 sind in beiden Richtungen gleich groß. Derartige symmetrische Transistoren finden derzeit verbreitete Anwendung. Unter einem integrierten Transistor wird verstanden, daß er zusammen mit anderen Anordnungen auf einem Halbleiterchip untergebracht und betrieben wird. Weiterhin wird im folgenden die Fläche der Halbleiterstruktur, an der die erforderlichen Diffusionen durchgeführt werden, als Oberfläche bezeichnet. Senkrecht zur Oberfläche verlaufende Flächen sind mit Seitenflächen bezeichnet.

Bei der Herstellung eines Transistors, wie er in Fig. 2 dargestellt ist, wird zunächst ein p-dotiertes Substrat 201 für eine Diffusion vorbereitet. Das Substrat wird in konventioneller Weise maskiert, wobei eine Maskenöffnung im Bereich der η -dotierten, vergrabenen Zone 203 angeordnet ist. Es erfolgt eine Diffusion von eine η-Leitfähigkeit hervorrufenden Störstellen in das p-dotierte Substrat. Nach der Diffusion und Entfernung der Maske wird auf dem Substrat 201 eine n-leitende Epitaxieschicht 205 aufgebracht, die die innere Isolation bildet. Während des Aufwachsens der Epitaxieschicht diffundiert die Zone 203 in den anliegenden Bereich der Epitaxieschicht aus und diffundiert gleichzeitig weiter in das Substrat 201 ein. Nach Durchführung des Aufwachsprozesses erfolgt eine erneute Maskierung mit einer Maskenöffnung für die Diffusion der äußeren Isolationszone 211. Es wird eine hoch-p-dotierte Zone 211 eindiffundiert. Anschliessend erfolgt die Maskierung zur Diffusion der Basis. Dabei wird in die η-dotierte Epitaxieschicht eine bis zur vergrabenen η dotierten Zone 203 reichende p-dotierte Zone eindiffundiert. Reicht die p-dotierte Basiszone nicht bis zur hochdotierten, vergrabenen Zone 203, so verschlechtern sich die Eigenschaften des erfindungsgemäßen Transistors etwas. Schließlich erfolgt eine weitere Maskierung für die Herstellung der Emitter- und Kollektorzonen. Durch

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Diffusion geeigneter Störstellen werden hochdotierte, n-leitende Emitter- bzw. Kollektorzonen 213, 215. Diese Zonen müssen so eingebracht werden, daß sie höchstens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, vorzugsweise viel weniger als eine Diffusionslänge, von der vergrabenen Schicht 203 entfernt sind und daß sie höchstens einige Diffusionslängen, vorzugsweise höchstens zwei Diffusionslängen, voneinander entfernt sind. Die Entfernungen dieser Diffusionszonen voneinander und von der vergrabenen Schicht sind kritisch, da sie weitgehend den Stromverstärkuhgsfaktor des Transistors bestimmen. Nach einer abschließenden Maskierung werden die Basis-Emitter- und Kollektorkontakte aufgebracht. Jeder der w einzelnen Verfahrensschritte gehört zum Stande der Technik. Vorzugsweise werden Emitter- und Basiszone gleichzeitig diffundiert. Dadurch wird sichergestellt, daß sie gleiche Störstellenkonzentration und Diffusionstiefe aufweisen.

Die durch das beschriebene Verfahren hergestellte Transistorstruktur ist aus Fign. 1 und 2 zu ersehen. Das Substrat 201 besteht aus schwach p-dotiertem Material. Im Bereich eines Teils der Oberfläche des Substrats liegt die hoch-n-dotierte vergrabene Zone 203. Eine Zone 205, die Teil einer auf das Substrat aufgebrachten η-dotierten Epitaxieschicht ist, geht von der vergrabenen Schicht 203 aus und erstreckt sich als innere Isolationszone an φ die Oberfläche der Transistorstruktur. Angrenzend an die vergrabene Zone 203 liegt innerhalb der Epitaxieschicht die pdotierte Basiszone 207. Es entsteht ein PN-Übergang 209 zwischen der vergrabenen Zone 203 und der Basiszone 207. Die Basiszone 207 grenzt an die Seitenfläche der inneren Isolationszone 205 an. Der zwischen diesen beiden Zonen gebildete PN-Übergang bildet die Fortsetzung des PN-überganges 209. Die andere Seitenfläche der inneren Isolationszone 205 bildet einen PN-Übergang mit der angrenzenden p-dotierten äußeren Isolationszone 211, die sich ausgehend vom Substrat 201 durch die Epitaxieschicht bis an die Oberfläche der Transistorstruktur erstreckt. Die äußere Isolationszone 211 ergibt in Verbindung mit dem Substrat 201 eine Isolationswanner die die gesamte Transistorstruktur umgibt. Innerhalb der Basiszone 207 liegen symmetrisch eine Emitterzone 213 und eine Fi 968 XX4 109831/1938

Kollektorzone 215. Es ergibt sich ein Basis-Emitterübergang und ein Basis-Kollektorübergang 219. Die Flächen der Emitter- und Kollektorzone mit der größten Ausdehnung liegen in der Oberfläche der Transistorstruktur bzw. parallel zur Fläche der vergrabenen Zone 203.

Die Emitter- und Kollektorzonen sind von der vergrabenen Zone 203 weniger als eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger entfernt. Basiszone 207, Emitterzone 213 und Kollektorzone 215 sind mit zugeordneten Kontakten 221, 223 und 225 versehen.

Bei normalem, aktivem Betrieb der Transistorstruktur werden Minoritätsladungsträger vom Emitter in die Basis injiziert. Da der größere Teil des Basis-Emitterüberganges horizontal verläuft, überqueren viele der injizierten Minoritätsladungsträger die Basis vertikal. Da der Abstand zwischen Emitter und vergrabener Zone viel geringer als eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger ist, werden die meisten, die Basis vertikal durchquerenden Ladungsträger vom Feld der Verarmungszone des Überganges 209 aufgenommen. Dadurch wird der Übergang 209 in Vorwärtsrichtung gepolt und die vergrabene Zone 203 injiziert die aufgenommenen Ladungsträger erneut in die Basiszone 207 zurück. Die zurückinjizierten Ladungsträger werden sowohl vom Emitterübergang 217 als auch vom Kollektorübergang 219 aufgenommen, da Emitter- und Kollektorzone Senken für die Minoritätsladungsträger der Basiszone darstellen. Der größte Teil des von den Seitenflächen der Emitterzone gegen den Kollektor injizierten Stromes wird vom Kollektor aufgenommen. Bei einer nichtsymmetrischen Anordnung, bei der der Kollektor die Basis in einer zur Oberfläche der Struktur parallelen Ebene umgibt, fließt daher der gesamte vom Emitter injizierte Strom gegen ein Halbleitergebiet, von dem er nutzbringend aufgenommen wird. Der Stromverstärkungsfaktor des Transistors ergibt sich aus der Kollektor-Wirksamkeit der vergrabenen Zone in bezug auf die vom Emitter injizierten Minoritätsladungsträger, aus der Kollektor-Wirksamkeit der Kollektorzone in bezug auf die von der vergrabenen Zone zurückinjizierten Ladungsträger und aus der Kollektor-Docket Fi 968 114 109831/1938

Wirksamkeit der Kollektorzone in bezug auf die horizontal bewegten, vom Emitter injizierten Ladungsträger. Diese Kollektor-Wirksamkeiten hängen von dem gegenseitigen Abstand der vergrabenen Zone, der Emitterzone und der Kollektorzone ab. Die Tiefe der Emitter- und Kollektordiffusionen und ihr gegenseitiger Abstand sowie ihr Abstand zur vergrabenen Zone sind also von wesentlichem Einfluß auf die Größe des Stromverstärkungsfaktors des Transistors. Weiterhin ist die Kollektorwirksamkeit und damit der Stromverstärkungsfaktor abhängig von der Größe und der Form des Emitters 213, des Kollektors 215 und der vergrabenen Zone 203. Außerdem ist diese Größe abhängig vom Dotierungsgrad dieser Zonen. Bei bekannten Transistorstrukturen mit einer vergrabenen Zone des gleichen Leitfähigkeitstyps wie Emitter und Kollektor liegen Emitter und Kollektor weit auseinander. Bei der erfindungsgemäßen Transistorstruktur liegen Emitter und Kollektor dicht beeinander, um die Bandbreite und den Stromverstärkungsfaktor des Transistors zu erhöhen. Diese räumlich dichte Anordnung liefert eine erste Komponente des Stromverstärkungsfaktors, die gleich dem Stromverstärkungsfaktor eines bekannten lateralen Transistors ist. Die Stromfluß-Verteilung zwischen emitter-vergrabener Zone und Kollektor bewirkt, daß ein Teil des Stromes , der bei bekannten lateralen Transistorstrukturen in der Basis durch Rekombination verbraucht wurde, als wirksamer Kollektorstrom herangezogen wird. Die dadurch bewirkte Vergrößerung des Stromverstärkungsfaktors hat seine Ursache darin, daß zur Erzielung eines bestimmten Kollektorstromes ein reduzierter Basisstrom aufgewendet werden kann.

Die Fign. 4a, 4b und 4c geben die elektrischen Potentiale in der Basis 207, im Emitter 213, im Kollektor 215 und in der vergrabenen Zone 203 der Transistorstruktur gemäß Fig. 2 wieder. Die durchgezogenen Linien 401, 403 und 405 geben die Gleichgewichtspotentiale an. Die gestrichelten Linien 407, 409 und 411 geben die Potentialverlaufe wieder, wenn der Transistor im aktiven Gebiet betrieben wird. Durch Betrieb des Basis-Emitter-überganges 217 in Durchlaßrichtung wird das Potential in der η -dotierten Emitterzone 213 reduziert. Damit fließen Elektronen von der Docket F₁ 968 U₄ 109831/1938

Emitterzone zur p~dotierten Basiszone. Diese injizierten Minoritätsladungsträger durchqueren die Basiszone und werden entweder über den PN-Übergang 209 von der η -dotierten, vergrabenen Zone 203 oder über den PN-Übergang 209 von der Kollektorzone 219 aufgenommen. Ein Teil der Minoritätsladungsträger wird in der Basis rekombiniert. Die Aufnahme der Elektronen in der vergrabenen Zone hängt von dem Abstand zwischen der vergrabenen Zone und dem Emitter ab. Die Kollektor-Wirksamkeit des Kollektors 215 hängt vom Abstand des Emitters 213 und des Kollektors 215 ab. Dadurch, daß die vergrabene Zone Ladungsträger aufnimmt, wird ihr Potential infolge des Überschusses an negativen Ladungen herabgesetzt. Das hat zur Folge, daß der PN-Übergang 209 in Vorwärtsrichtung gepolt wird. Die vergrabene Zone injiziert also Elektronen zurück in die Basiszone. Die in der Nähe des Emitters 213 injizierten Elektronen werden von der Emitter-Grenzschicht 217 und die in der Nähe des Kollektors 215 injizierten Elektronen werden von der in Sperrichtung gepolten Kollektor-Grenzschicht 2IS aufgenommen. Die nicht von den Sperrschichten 217 und 219 aufgenommenen Elektronen rekombinieren in der Basis. Durch Erhöhung des Potentials in der Kollektorzone 215 bei Betrieb des Transistors im aktiven Bereich wird die Kollektor-Sperrschicht 219 umgekehrt gepolt. Das Potential in der vergrabenen Zone 203 liegt zwischen dem des Emitters 213 und dem Gleichgewichtspotential in der vergrabenen Zone 203. Die vergrabene Zone 203 wirkt im Hinblick auf den Emitter 213 als Kollektor und im Hinblick auf den Kollektor 215 als Emitter.

Der Kollektorstrom setzt sich aus zwei Komponenten zusammen. Die erste Komponente ergibt sich aus den direkt vom Emitter zum Kollektor gelangenden Ladungsträgern. Die zweite Komponente ergibt sich aus den vom Emitter über die vergrabene Zone zum Kollektor transportierten Ladungsträgern.

Die Zone. 205 bzw» 203 kann mit einem Kontakt verseilen werden, über den durch Veränderung des Potentials an der vergrabenen Tione 203 die Verstärkung des Transistors steuerbar ist.

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Fig. 3 zeigt einen eine konstante Verstärkung aufweisenden PNP-Transistor, der ähnlich der NPN-Transistorstruktür der Fig. 2 ist. Die Halbleiterzonen und Kontakte 301 bis 325 der Struktur gemäß Fig. 3 entsprechen den Zonen und Kontakten 201 bis 225 der Struktur gemäß Fig. 2. Die Struktur entspricht im wesentlichen der der Fig. 2 mit der Ausnahme, daß zwischen innerer Isolationszone 305 und äußerer Isolationszone 311 eine mittlere Isolationszone 327 zusätzlich eingefügt ist. Da es sich bei der Struktur gemäß Fig. um einen PNP-Transistor handelt, ist der Leitfähigkeitstyp der Zonen 303, 305, 307, 313 und 315 jeweils entgegengesetzt zu dem der entsprechenden Zonen der Struktur gemäß Fig. 2. Die mittlere Isolationszone 327 hat die Aufgabe, die Isolation des Transistors von anderen Schaltungen sicherzustellen. Dies ist erforderlich , da die ρ -dotierte äußere Isolationsdiffusion 311 alleine keine Isolation der inneren Isolationszone 305 von anderen Schaltungsteilen bewirkt.

Die Struktur gemäß Fig. 3 ist in folgender Weise aufgebaut. Auf einem p-dotierten Substrat wird eine η-dotierte Epitaxieschicht aufgewachsen. Diese Epitaxieschicht wird maskiert, woßei sich an der Stelle der zu bildenden äußeren Isolationszone 311 eine Maskenöffnung befindet. Im Bereich dieser Maskenöffnung erfolgt die Diffusion einer ρ -dotierten äußeren Isolationszone 311. Die Diffusion erfolgt in der Weise, daß die Zone 311 bis in das Substrat reicht. Nach erneuter Maskierung erfolgt die Diffusion einer p⁺~dotierten, vergrabenen Schicht 303. Nach Entfernung der Maske wird über der gesamten Oberfläche eine p-dotierte Epitaxieschicht aufgewachsen. Dann wird nach entsprechender Maskierung die η-dotierte Isolationszone 327 eindiffundiert, die bis in die zuvor aufgewachsene η-dotierte Epitaxieschicht reicht. Bei einer erneuten Diffusion wird die die vergrabene Zone 303 berührende Basiszone gebildet. Schließlich werden Emitter- und Kolllektorzone eindiffundiert, wobei die bereits im Zusammenhang mit der Struktur gemäß Fig. 2 angegebenen gegenseitigen Abstände eingehalten werden. In einem abschließenden Verfahrensschritt werden Emitterkontakt 323, Basiskontakt 321 und Kollektorkontakt 325 hergestellt.

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Die Wirkungsweise des Transistors gemäß Fig. 3 entspricht der des Transistors gemäß Fig. 2 mit der Ausnahme, daß die Minoritätsladungsträger in der Basis in der Struktur gemäß Fig. 3 aus Löchern bestehen. Auch bei dieser Struktur wird der Stromverstärkungsfaktor und die Bandbreite dadurch erhöht, daß eine vergrabene Zone vorgesehen ist, die demselben Leitungstyp angehört wie die Emitterzone und die Kollektorzone, wobei wiederum die bereits im Zusammenhang mit der Struktur gemäß Fig. 2 angegebenen Abstände eingehalten sind. Diese Struktur verbindet die bekannten Vorteile eines lateralen, in horizontaler Richtung stromziehenden Transistors mit den Vorteilen einer Mehrfachkollektor- und Mehrfachemitterstruktur. Die Struktur läßt sich mit den gegenwärtigen, für die integrierte Technik gebräuchlichen Verfahren herstellen.

Es sind bestimmte Abwandlungen der erfindungsgemäßen Struktur möglich, ohne daß deren Vorteile eingebüßt werden müßten. Beispielsweise kann die vergrabene Zone 303 durch eine innere Epitaxie-Isolationszone 305 gänzlich vom Substrat getrennt sein. Außerdem kann sich die vergrabene Zone 203 bis zur äußeren Isolationszone 211 erstrecken, so daß die innere Isolationszone 205 vom Substrat 201 getrennt ist.

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Claims

P Ä T E N T A H S P R Ü C H E

/l. Integrierter, lateraler Transistor mit einer vergrabenen ^—·- Zone unterhalb der in einer Basiszone liegenden Emitter- und Kollektorsonen, dadurch gekennzeichnet, daß die dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie Emitter- und Kollektorzone (217, 215) angehörende vergrabene Zone (203) höchstens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, vorzugsweise weit weniger als eine Diffusionslänge, von Emitter- und Kollektorzone (237, 215) entfernt und daß Emitter- und Kollektorzone höchstens einige Diffusionslängen, vorzugsweise höchstens drei Diffusionslängen, voneinander entfernt angeordnet sind.
2. Integrierter, lateraler Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistorstruktur von der vergrabenen Zone (203) und einer diese mit der Oberfläche verbindenden, inneren Isolationszone (205) gleichen Leitfähigkeitstyps eingeschlossen ist und daß die innere Isolationszone (205) mit vergrabener Zone (203) in eine äußere Isolationszone (211) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist.
3. Integrierter, latex^valer Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistorstruktur auf einem Substrat aufgebaut ist, das über die dem gleichen Leitfähigkeitstyp angehörende äußere Isolationszone (211) an die Oberfläche hochgezogen ist.
4. Integrierter, lateraler Transistor nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen innerer Isolationsaone (305) mit vergrabener Zone (203) des ersten Leitfähigkeitstyps und der äußeren Isolationszone (311) des ebenfalls ersten Leitfähigkeitstyps eine mittlere Isolationszone (327) des zweiten Lei t;f ähigkei tstyps angeordnet ist.

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BAD ORtQtNAL

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