DE2158033C3 - Verfahren zum Prüfen der Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN-Dioden bzw. PSN-Dioden - Google Patents
Verfahren zum Prüfen der Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN-Dioden bzw. PSN-DiodenInfo
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Description
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 20 zu Gradationsverzerrungen führen, für welche das Auge
zeichnet, daß der festgelegte Prozentsatz 10% beträgt
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß vor der Messung die Amplitude der
angelegten Wechselspannung kurzzeitig wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Messung kurzzeitig eine
Gleichspannung überlagert wird.
relativ unempfindlich ist Der zulässige Eingangssignalpegel darf in diesem FaIJe viel größer sein. Weiterhin
werden bsi Einfall eines starken Nutzsenders die PIN- bzw. PSN-Dioden über dem Regelkreis in einen
erhöht 25 Arbeitspunkt gesteuert, bei dem verhältnismäßig kleine Modulationsverzerrungen auftreten. Der Einfall eines
starken Störsenders ist für den Regelkreis ohne wesentliche Bedeutung, da durch die ZF-Selektion
verhindert wird, daß das Signal des Störsenders in den
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 30 Demodulator gelangt, von dem der Istwert für den
zeichnet daß während der Meßzeit der Wechselspannung kurzzeitig Gleichspannungsimpulse überlagert
werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Wechselspannung während der
Meßzeit kurzzeitig hochfrequente Impulse überlagert werden.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Prüfung der kreuzmodulationsfestigkeit von PIN- bzw.
PSN-Dioden.
Als PIN-Dioden werden solche Dioden bezeichnet.
Regelkreis abgenommen wird. Bei Einfall eines starken Störsenders ist es deshalb wahrscheinlich, daß die
Dioden in einem Arbeitspunkt gesteuert werden, bei dem starke Kreuzmodulationsverzerrumgen auftreten.
Es wäre an sich zu erwarten, daß die Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN- bzw. PSN-Dioden in einfacher
Weise über die Messung der Trägerlebensdauer möglich wäre, weil diese relativ einfach meßbar ist Der
Erfindung zugrundeliegende Untersuchungen haben jedoch gezeigt daß die zulässige Störspannung für 1%
Kreuzmedulation trotz gleicher Lebensdauer um eine Zehnerpotenz differieren kann. Daher wäre die
Kreuzmodulationsfestigkeit der Dioden nur mit einem Verfahren meßbar, bei dem das Signal eines stark
modulierten Senders und das Signal eines schwach modulierten Senders, der auf einer anderen Frequenz
arbeitet auf das Meßobjekt gegeben werden. Am Ausgang des Meßobjekts wird dabei der schwache
Sender mittels eines Bandpasses ausgefiltert und die
welche zwischen ihrem p-leitenden und n-leitenden 50 Größe der Amplituden bestimmt wie dies beispielswei-
Gebiet ein eigenleitendes Gebiet besitzen. Da es in der Praxis schwierig ist, einen ideal eigenleitenden Halbleiter
zu realisieren, wird das eigenleitende Gebiet in der Regel einen schwachen Dotierungsüberschuß eines
se aus »Halbleitermeßtechnik« von R. Anders, Akademie-Verlag Berlin 1969, S. 63 bis 74, bekannt
geworden ist Der Aufwand für eine derartige Messung ist aber erheblich, weil die entstehende Kreuzmodula-
Leistungstyps besitzen, d. h, das zwischen dem p-leiten- 55 tion insbesondere stark vom Arbeitspunkt der Diode
den und η-leitenden Gebieten liegende Gebiet wird in der Praxis entweder schwach η-leitend oder schwach
p-leitend sein. Im deutschen Sprachgebrauch hat es sich eingebürgert, dieses schwach leitende Gebiet mit dem
Buchstaben Szu bezeichnen.
Derartige PIN- bzw. PSN-Dioden eignen sich besonders für eine Verwendung in variablen Dämpfungsgliedern,
wobei der sich etwa linear ändernde Durchlaßstrom der Diode gesteuert wird. Weiterhin
abhängt Es muß daher für jede Diode der kritischste Punkt gesucht werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein vereinfachtes Verfahren zur Prüfung der
Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN- bzw. PSN-Dioden anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß an die Diode eine Wechselspannung mit einer
Frequenz angelegt wird, bei der die Laufzeit der
können derartige Dioden auch zur Verbesserung der 65 Ladungsträger in der J- bzw. S-Zone zu vernachlässigen
Großsignaleigenschaften von Rundfunk- oder Fernsehempfängern an Stelle von Regeltransistoren verwendet
werden.
ist, der bei dieser Frequenz über die Diode fließende Gleichstrom gemessen und anschließend die Frequenz
soweit erhöht wird, bis die Amplitude des Gleichstroms
auf einen festgelegten Prozentsatz abgefallen ist.
Die Erfindung geht dabei von der Erkenntnis aus, daß «lie Frequenz, bei der ein vorgegebener Gleichstrom
Über die Diode fließt, näherungsweise umgekehrt
proportional zur Kreuzmodulationsfestigkeit ist Daher S
kann zur Ausselektierung von PIN- bzw. PSN-Dioden hinsichtlich Kreuzmodulationsfestigkeit ein Stromwert
vorgegeben werden, wobei die Dioden so ausselektiert werden, daß die Kreuzmodulationseigenschaften bei
Strömen über diesen vorgegebenen Wert unzureichend sind.
Daß die Messung im vorstehend definierten Sinne zu einer Aussage über die Kreuzmodulationsfestigkeit
führt, kann folgendermaßen erklärt werden:
Nimmt man für das Ersatzbild einer PIN- bzw. '5 PSN-Diode eine ideale Diode an, welche lediglich
Richtleitereigenschaften besitzt, so muß in das Ersatzbild zunächst eine durch die Sperrschicht der Diode
gegebene, parallel zur Diode liegende Kapazität aufgenommen werden. Weiterhin sind für die Bahngebiete
außerhalb der Raumladungszone Parallel-ÄC-Clieder
charakteristisch, welche zu einem Gesamt-Parallel-KC-Glied
zusammengefaßt werden können. Dieses Parallel-ÄC-Glied liegt in Reihe zur vorgenannten
Parallelschaltung aus idealer Diode und Sperrschichtkapazität.
Nimmt die Frequenz eines an der Diode stehenden Signals zu, so nimmt der kapazitive Widerstand der
kapazitiven Komponente des Ersatzschaltbildes laufend ab, so daß die im Ersatzbild als ideale Diode
angenommene Komponente von einer gewissen Grenzfrequenz an praktisch kurzgeschlossen ist, d. h., an dieser
Diode fällt dann praktisch keine Spannung mehr ab.
Damit kann die Diode nicht mehr in ihren nichtlinearen Bereich ausgesteuert werden, auch wenn
die Spannung der Signale eines starken Senders gemäß den eingangs genannten Verhältnissen groß, beispielsweise
etwa gleich 1 Volt ist Es kann also dann bei Frequenzen von Nutzsignalen, für welche die Diode des
Ersatzschaltbildes praktisch kurzgeschlossen ist, keine Kreuzmodulation mehr auftreten, da solche Signale die
Diode nicht mehr in ihren nichtlinearen Bereich steuern können.
Bestimmt man also die Frequenz, bei der ein an der Diode stehendes Wechselsignal nur noch einen Strom
bewirkt, dessen Amplitude im Vergleich zu Signalen mit tieferen Frequenzen auf einen bestimmten Prozentsatz
abgefallen ist, so ist damit ein direktes Maß für die Kreuzmodulationsfestigkeit gegeben.
Die Meßfrequenz kann in besonderer Ausgestaltung der Erfindung unter Ausnutzung folgender Eigenschaften
von PIN- bzw. PSN-Dioden gewählt werden. Mißt man den durch eine derartige Diode fließenden Strom
bei konstanter Amplitude der anliegenden Spannung über der Frequenz, so zeigt sich, daß der Strom mit
zunehmender Frequenz abnimmt. Daher wird die Frequenz der hochfrequenten Spannung so gewählt,
daß der Wert des über die Diode fließenden Stromes kleiner als ein vorgegebener Prozentsatz, vorzugsweise
10%, des Stromes ist, der bei gleicher Amplitude der anliegenden Spannung Hießt, wenn die Frequenz gegen
Null steht.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen an Hand der Figuren. Es zeigt 6j
Fig.l eine Ausführungsform einer Meßschaltung
zur Bestimmung der Kreuzmodulationsfestigkeit,
Fig.2 eine weitere Ausführungen! einer Schaltung
zur Bestimmung der Kreuzmodulationsfestigkeit.
Gemäß Fig. I liefert ein Hochfrequenzgenerator 1 eine hochfrequente Spannung an eine PIN- bzw.
PSN-Diode 2. Dabei kann es sich beispielsweise um eine unmodulierte sinusförmige Spannung mit einem Wert
von 2 Ve« bei einer Frequenz von 7 Mhz handeln. In
Reihe zur Diode 2 liegt ein Meßwiderstand 4 mit einem Widerstandswert von beispielsweise 1 kß, welcher
hochfrequenzmäßig durch eini Kapazität 5 mit einem Kapazitätswert von beispielsweise 0,1 μ¥ überbrückt ist.
Bei Dioden mit guten Kreuzmodulationseigenschaften liegt der fließende Gleichstrom unter 10 μ,Α. Steigt der
Wert des Stromes über 30 μΑ, so sind auch die
Kreuzmodulationseigenschaften bei Signalfrequenzen in der Größenordnung von 50 MHz schlecht. Derartige
Dioden werden ausgeschieden. Die Messung des über die Diode 2 fließenden Stroms erfolgt über die Messung
der am Meßwiderstand 4 abfallenden Spannung. Diese Messung erfolgt durch ein Meßgerät 3.
Eine weitere Ausführungsform einer Schaltung zur Messung der Kreuzmodulationsfestigkeit von PtN- bzw.
PSN-Dioden ist in Fig.2 dargestellt, in der den Elementen nach Fig.l entsprechende Elemente mit
gleichen Bezugszeichen versehen sind. In dieser Schaltung wird das Signal des Hochfrequenzgenerators
1 über eine Koppelkapazität 6 auf die Diode 2 gegeben. Der Gleichstrom fließt in dieser Schaltung über einen
Widerstand 7 mit einem Widerstandswert von beispielsweise 10 kß in ein Strommeßgerät 8.
Manche PIN-Diodentypen zeigen ein bistabiles Verhalten. Wird nämlich die Hochfrequenzspannung
beginnend von kleinen Amplituden erhöht, so fließt zunächst praktisch überhaupt kein Gleichstrom, bis der
Strom beim Überschreiten eines Schwellwertes plötzlich auf einen Wert springt, der für die Kreuzmodulationsfestigkeit
kennzeichnend ist. Wird die Amplitude der Spannung wieder verkleinert, so existiert ein
zweiter Schwellwert, bei dem der Strom wieder zu Null wird. Dieser zweite Schwellwert ist wesentlich kleiner
als der erste Schwellwert
Um bei derartigen Dioden dennoch eine eindeutige Messung durchführen zu können, wird die Spannung in
Weiterbildung der Erfindung kurz vor Beginn der Auswertung der Messung weit über ihren normalen
Wert erhöht — z. B. von 2 auf 5 V —,um die Zündung
der Diode zu gewährleisten.
Gemäß weiteren Merkmalen der Erfindung können zu diesem Zweck die hochfrequente Spannung während
der Meßzeit auch kurzzeitig Gleichspannungsimpulse oder hochfrequente Impulse auf die Diode gegeben
werden. Die Einspeisung dieser Impulse kann periodisch oder nichtperiodisch erfolgen Insbesondere kann die
Hochfrequenzspannung auch während der Meßzeit periodisch erhöht werden, wobei die Zeit, in der diese
Erhöhung erfolgt, klein gegen die Meßzeit (z. B. kleiner alM%)ist.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung kann das Signal des Hochfrequenzsenders 1 auch moduliert
werden. In den Schaltungen nach den Fig.l und 2
fließt über die Meßinstrumente 3 und 8 dann ein modulationsfrequenter Wechselstrom, der in einem
Wechselspannungsverstärker verstärkt und anschließend hinsichtlich seiner Amplitude ausgewertet wird.
Es sei bemerkt, daß das erfindungsgemäße Verfahren nicht auf die Verwendung von sinusförmigen hochfrequenten
Spannungen beschränkt ist. Vielmehr können auch nichtsinusförmige hochfrequente Signale für die
Messung verwendet werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere auch deshalb vorteilhaft, da nicht nur diskrete
Einzelbauelemente, sondern auch entsprechend Elemente in integrierte Schaltungen auf diese Weise
hinsichtlich ihrer Kreuzmodulationsfestigkeit untersucht werden können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
- Patentansprüche:• 1. Verfahren zur Prüfung der Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN- bzw. PSN-Dioden, dadurch gekennzeichnet, daß an die Diode (2) eine Wechselspannung (1) mit einer Frequenz angelegt fvird, bei der die Laufzeit der Ladungsträger in der I- |)zw. S-Zone zu vernachlässigen ist, der bei dieser Werden Rundfunk- und Fernsehempfänger in der Nähe starker Sender betrieben, so können Eingangsspannungen in der Größenordnung von 5 Volt auftreten. Bei derartig großen Spannungen arbeiten auch PJN- bzw- PSN-Dioden nicht mehr völlig verzerrungsfrei. Es treten daher Kreuzmodulationen und Modulationsverzerrungenauf.Aus diesem Grunde ist es wichtig, die Kreuzmodulationsfestigkeit derartiger Dioden zu messen. DieseFrequenz über die Diode fließende Gleitstrom io Kreuzmodulation ist eine besonders kritische Größe, dabeispielsweise in Fernsehempfängern bereits eine Kreuzmodulation von weniger als 1% zu störenden Bildfehlern führt Die Sichtbarkeit dieser Fehler ist insbesondere deshalb groß, weil die Ablenkfrequenzen des Störsenders und des Nutzsenders nicht exakt übereinstimmen. Daher läuft das Bild des Störsenders gegen das Bild des Nutzsenders auf dem Bildschirm des Empfängers durch. Andererseits sind Modulationsverzen-ungen wesentlich weniger störend, da sie lediglichgemessen und anschließend die Frequenz sowejt erhöht wird, bis die Amplitude des Gleichstroms auf einen festgelegten Prozentsatz abgefallen ist
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die angelegte Wechselspannung sinusförmig ist
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennleichnet, daß die angelegte Wechselspannung moduliert ist
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19712158033 DE2158033C3 (de) | 1971-11-23 | Verfahren zum Prüfen der Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN-Dioden bzw. PSN-Dioden |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19712158033 DE2158033C3 (de) | 1971-11-23 | Verfahren zum Prüfen der Kreuzmodulationsfestigkeit von PIN-Dioden bzw. PSN-Dioden |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2158033A1 DE2158033A1 (de) | 1973-05-24 |
| DE2158033B2 DE2158033B2 (de) | 1975-07-24 |
| DE2158033C3 true DE2158033C3 (de) | 1976-05-13 |
Family
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