DE20022841U1 - Device for motion detection - Google Patents
Device for motion detectionInfo
- Publication number
- DE20022841U1 DE20022841U1 DE20022841U DE20022841U DE20022841U1 DE 20022841 U1 DE20022841 U1 DE 20022841U1 DE 20022841 U DE20022841 U DE 20022841U DE 20022841 U DE20022841 U DE 20022841U DE 20022841 U1 DE20022841 U1 DE 20022841U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sensor
- hall
- switching
- control device
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 title claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 64
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 26
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 18
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/244—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains
- G01D5/24471—Error correction
- G01D5/24476—Signal processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D3/00—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
- G01D3/08—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups with provision for safeguarding the apparatus, e.g. against abnormal operation, against breakdown
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/244—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains
- G01D5/24471—Error correction
- G01D5/2448—Correction of gain, threshold, offset or phase control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P21/00—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
- G01P21/02—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups of speedometers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Brose Fahrzeugteile GmbH & Co.
Kommanditgesellschaft, Coburg
Ketschendorfer Straße 38 - 50Brose Vehicle Parts GmbH & Co.
Limited partnership, Coburg
Ketschendorfer Straße 38 - 50
D-96450 CoburgD-96450 Coburg
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Erfassen einer Bewegung von zueinander beweglichen Teilen, insbesondere für Verstellantriebe in Kraftfahrzeugen mit einem Sensor mit einem Sensorelement und einer Auswerteelektronik und einem in seiner Lage oder seiner Position zum Sensorelement relativ beweglichen Meßgeber.The invention relates to a device and a method for detecting a movement of parts that are movable relative to one another, in particular for adjustment drives in motor vehicles, with a sensor with a sensor element and an evaluation electronics and a measuring sensor that is movable in its position or location relative to the sensor element.
Aus der US 5 404 673 ist ein Fensterheber mit einem Antrieb zum Heben und Senken einer Fensterscheibe und mit einer Einklemmschutzeinrichtung bekannt, wobei mit einem Hallsensor die Drehzahl des Antriebs und damit die Öffnungs- und Schließgeschwindigkeit der Fensterscheibe sowie Bewegungsrichtung und Stellung der Fensterscheibe erfaßt werden. Da beim Einlaufen der Fensterscheibe in die Türdichtung vor dem völligen Schließen der Fensterscheibe aufgrund des erhöhten Widerstandes die Antriebsdrehzahl bis zum Stillstand des Antriebs sinkt, muß die Scheibenposition möglichst genau erfaßt werden. Auch steigt beim Einklemmen eines Körperteils oder Gegenstandes zwischen der Fensterscheiben-Oberkante und dem Türrahmen eine Belastung des Antriebes und führt zu einer Änderung der Drehzahl die es zu ermitteln gilt.US 5,404,673 discloses a window lifter with a drive for raising and lowering a window pane and with an anti-pinch device, whereby a Hall sensor records the speed of the drive and thus the opening and closing speed of the window pane as well as the direction of movement and position of the window pane. As the drive speed drops until the drive stops due to the increased resistance when the window pane runs into the door seal before the window pane is completely closed, the position of the pane must be recorded as accurately as possible. If a body part or object is pinched between the top edge of the window pane and the door frame, the load on the drive increases and leads to a change in the speed, which must be determined.
Zur Erfassung von Kenngrößen der Bewegung, also des zeitabhängigen Ortes, der Geschwindigkeit oder der Beschleunigung werden Hallsensoren verwendet, die nach ihrer Produktion zur Prüfung ausgemessen und abgeglichen und das Gesamtsystem aus Meßgeber und Sensor so aufeinander abgestimmt werden, daß die Ausmessung der einzubauenden, abgeglichenen Sensoren die Summe aller Toleranzen einschließt. Eine Prüfung bestätigt abschließend die Funktionsfähigkeit des Gesamtsystems. Langzeiteffekte werden jedoch nicht berücksichtigt und können zum Ausfall des Gesamtsystems führen.Hall sensors are used to record movement parameters, i.e. time-dependent location, speed or acceleration. After production, these are measured and calibrated for testing and the entire system of encoder and sensor is coordinated so that the measurement of the calibrated sensors to be installed includes the sum of all tolerances. A test finally confirms the functionality of the entire system. However, long-term effects are not taken into account and can lead to the failure of the entire system.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erfassung einer Kenngröße einer Bewegung anzugeben, die die Zuverlässigkeit der Vorrichtung erhöht ohne die Empfindlichkeit der Vorrichtung zu erhöhen oder größere Toleranzsummen durch konstruktive Maßnahmen auszugleichen.The invention is based on the object of specifying a method and a device for detecting a characteristic of a movement, which increases the reliability of the device without increasing the sensitivity of the device or compensating for larger tolerance sums by design measures.
Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung zur Bewegungserfassung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.This object is achieved by the device for motion detection with the features of claim 1. Advantageous further developments of the invention can be found in the subclaims.
Demnach weist ein Sensor einer Vorrichtung zur Erfassung mindestens einer Kenngröße einer Bewegung Mittel zum Schalten einer Empfindlichkeit der Vorrichtung für mindestens einen Prüfmodus auf. Als Sensoren eignen sich alle jene, die die Erfassung der Kenngrößen der Bewegung ermöglichen. Diese Sensoren sprechen insbesondere auf einen Meßgeber an. Beispielsweise wird als Meßgeber ein auf einer Drehachse befestigter Magnet verwendet, dessen in folge der Drehung der Achse sich änderndes Magnetfeld eine Hallplatte des Sensors erregt. Als alternatives Beispiel dient ein optisches oder kapazitives System. Eine auf einer Drehachse befestigt Lochscheibe gibt in Abhängigkeit der Drehgeschwindigkeit durch die Lochscheibe durchscheinende Lichtstrahlen auf eine Photozelle oder Photodiode temporär frei. Das Analogon des kapazitiven Systems weist eine Kondensatoranordnung auf, deren Kapazität in Abhängigkeit von der Drehgeschwindigkeit variiert. Alternativ zu den Drehbewegungen sind auch Linearbewegungen oder alle anderen Arten von Bewegungen erfaßbar.Accordingly, a sensor of a device for detecting at least one characteristic of a movement has means for switching a sensitivity of the device for at least one test mode. All sensors that enable the detection of the characteristic of the movement are suitable. These sensors respond in particular to a measuring sensor. For example, a magnet attached to a rotary axis is used as a measuring sensor, the magnetic field of which, as a result of the rotation of the axis, changes and excites a Hall plate of the sensor. An optical or capacitive system serves as an alternative example. A perforated disk attached to a rotary axis temporarily releases light rays shining through the perforated disk onto a photocell or photodiode depending on the rotation speed. The analogue of the capacitive system has a capacitor arrangement whose capacity varies depending on the rotation speed. As an alternative to rotary movements, linear movements or all other types of movements can also be detected.
Je nach Anforderung werden ein oder mehrere Prüfmodi gesteuert, durch die eine Funktionsfähigkeit, eine Güte, mangelnde Zuverlässigkeit und/oder ein Defekt der Vorrichtung bestimmt werden. Im Prüfmodus ist eine Sensorhilfsgröße des Sensorelementes und/oder mindestens ein Schwellwert der Auswerteelektronik schaltbar. Eine Sensor-Depending on the requirements, one or more test modes are controlled, through which the functionality, quality, lack of reliability and/or defect of the device are determined. In the test mode, an auxiliary sensor variable of the sensor element and/or at least one threshold value of the evaluation electronics can be switched. A sensor
UT 065/00UT065/00
hilfsgröße ist ein Hallstrom beziehungsweise eine Photospannung, oder jede andere den Sensor oder die Sensorsignale beeinflussende, variierbare oder steuerbare Größe, beispielsweise auch eine analoge oder digitale Verstärkung der Sensorsignale. Ein Schwellwert ist beispielsweise ein Vergleichswert zur Hallspannung oder zum Photostrom, der durch einen analogen oder digitalen Komparator verglichen wird.An auxiliary variable is a Hall current or a photovoltage, or any other variable or controllable variable that influences the sensor or the sensor signals, for example an analog or digital amplification of the sensor signals. A threshold value is, for example, a comparison value for the Hall voltage or the photocurrent, which is compared by an analog or digital comparator.
Eine Empfindlichkeit der Vorrichtung ist durch eine Amplitude einer Meßgröße des Sensorelementes und den Schwellwert der Auswerteelektronik charakterisiert. Die Amplitude ist unter anderem abhängig von Umgebungseinflüssen, beispielsweise der Temperatur, von den Eigenschaften des Meßgebers oder des Sensorelementes, beispielsweise dessen geometrische Abmessungen, von der Sensorhilfsgröße und von Eigenschaften der Strecke zwischen Meßgeber und Sensorelement, beispielsweise der geometrische Abstand oder die magnetische oder optische Leitfähigkeit der Strecke. Die Empfindlichkeit wird durch das Schalten für Prüfzwecke im Prüfmodus, abweichend von einem Betriebsmodus, reduziert.A sensitivity of the device is characterized by an amplitude of a measured variable of the sensor element and the threshold value of the evaluation electronics. The amplitude depends, among other things, on environmental influences, for example the temperature, on the properties of the measuring sensor or the sensor element, for example its geometric dimensions, on the sensor auxiliary variable and on properties of the distance between the measuring sensor and the sensor element, for example the geometric distance or the magnetic or optical conductivity of the distance. The sensitivity is reduced by switching for test purposes in test mode, deviating from an operating mode.
Durch die erfindungsgemäße Vorrichtung wird ermöglicht, daß ein Langzeitverhalten eines Meßparameters einer zu prüfenden Vorrichtung (Prüfling), in der Prüfung berücksichtigt wird und die Gefahr eines späteren Totalausfall der Vorrichtung reduziert wird. Es wird nicht nur das Sensorelement an sich geprüft, sondern die gesamte Vorrichtung aus Meßgeber, Sensorelement und Auswerteelektronik wird im fertig montierten Zustand getestet, geprüft und gegebenenfalls aussortiert, wenn die Vorrichtung mit einer reduzierten Empfindlichkeit keine auswertbaren Bewegungssignale oder entsprechende Prüfprotokolle, beispielsweise an eine Kontrollvorrichtung (Mikrocontroller) überträgt.The device according to the invention makes it possible for the long-term behavior of a measurement parameter of a device to be tested (test object) to be taken into account in the test and the risk of a subsequent total failure of the device is reduced. Not only is the sensor element itself tested, but the entire device consisting of the measuring transmitter, sensor element and evaluation electronics is tested in the fully assembled state, checked and, if necessary, discarded if the device with reduced sensitivity does not transmit any evaluable movement signals or corresponding test protocols, for example to a control device (microcontroller).
Als Mittel zum Schalten der Sensorhilfsgröße und/oder des Schwellwertes dient in einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ein Schaltelement, insbesondere ein Halbleiterschalter. Beispielsweise schaltet ein Schalttransistor die Stärke des Hallstromes des Hallsensors als Sensorhilfsgröße.In an advantageous embodiment of the invention, a switching element, in particular a semiconductor switch, serves as a means for switching the auxiliary sensor variable and/or the threshold value. For example, a switching transistor switches the strength of the Hall current of the Hall sensor as an auxiliary sensor variable.
Alternativ wird die Meßgröße mittels eines analog/digital Umsetzers abgetastet und in beispielsweise binären Meß-Zahlenwerten umgesetzt, die von einer digitalen Auswerteelektronik, beispielsweise einem ASIC oder einem (weiteren) Mikrocontroller ausgewertet werden. Zur Auswertung werden die Meß-Zahlenwerte in einem Programm mit Referenzzahlenwerten als Schwellwerten numerisch verglichen. In einem oder mehreren Prüfmodi werden die Meß-Zahlenwerte mit mittels des Programms in einem Vergleichsregister geschaltenen Prüf-Referenzzahlenwerten verglichen und anhand des VergleichsAlternatively, the measured value is sampled using an analog/digital converter and converted into, for example, binary measured numerical values, which are evaluated by a digital evaluation electronics, for example an ASIC or a (further) microcontroller. For evaluation, the measured numerical values are numerically compared in a program with reference numerical values as threshold values. In one or more test modes, the measured numerical values are compared with test reference numerical values switched in a comparison register by the program and based on the comparison
I H" Vi :: : .·' .·' :":::· .I. U A. UT065/00IH" Vi :: : .·'.·':": : :· .I. U A. UT065/00
das Prüfungsergebnis des jeweiligen Prüflings festgelegt. Anhand der abgetasteten Werte werden die Referenzzahlenwerte der durch das Langzeitverhalten veränderten Meß-Zahlenwerte stetig oder in bestimmten Zeitintervallen angepaßt und optimiert.the test result of the respective test object is determined. Based on the sampled values, the reference numerical values of the measured numerical values that have changed due to long-term behavior are adjusted and optimized continuously or at specific time intervals.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Schwellwert durch einen mit einem Spannungsteiler verbundenen Schalttransistor als Schaltelement schaltbar. Der Spannungsteiler weist in Reihe verbundene Widerstände, Transistoren oder Dioden als ohmsche, aktive oder diodische Elemente zur Spannungsteilung auf. Zusätzlich können weitere Elemente parallel verbunden sein. Der Schalttransistor schaltet eine Ausgangsspannung des Spannungsteilers, indem er die Ausgangsspannung mindestens zweier Spannungsteiler umschaltet oder Elemente eines Spannungsteilers überbrückt oder Elementen des Spannungsteilers weitere Elemente parallel schaltet. Der Schalttransistor ist beispielsweise in Doppelfunktion ein Speicherelement einer EEPROM-ZeIIe.In an advantageous development of the invention, the threshold value can be switched by a switching transistor connected to a voltage divider as a switching element. The voltage divider has resistors, transistors or diodes connected in series as ohmic, active or diode elements for voltage division. In addition, other elements can be connected in parallel. The switching transistor switches an output voltage of the voltage divider by switching the output voltage of at least two voltage dividers or by bridging elements of a voltage divider or by connecting other elements in parallel with elements of the voltage divider. The switching transistor has, for example, a dual function as a memory element of an EEPROM cell.
Eine alternative Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß der Schwellwert durch eine schaltbare Spannungsquelle als Schaltelement schaltbar ist. In einer möglichen Ausgestaltung werden die Zenerspannungen zweier Zenerdioden auf einen Eingang eines Analogkomparators umgeschalten.An alternative development of the invention provides that the threshold value can be switched by a switchable voltage source as a switching element. In one possible embodiment, the Zener voltages of two Zener diodes are switched to an input of an analog comparator.
In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß das Sensorelement eine Hallplatte aufweist. Eine Änderung eines Hallstromes als Sensorhilfsgröße ist durch eine mit der Hallplatte verbundene, schaltbare Stromquelle als Schaltelement schaltbar. Beispielsweise wird für den Prüfmodus eine von zwei parallel verbundenen Stromquellen ausgeschalten. Der so verringerte Hallstrom setzt die Empfindlichkeit der Vorrichtung herab. Ein weiterer Vorteil dieser Lösung ist, daß der Hallstrom weitestgehend unabhängig ist von Störung auf einer Versorgungsleitung des Sensors, so daß sich die Störungen nicht auf die Hallspannung fortpflanzen.In one embodiment of the invention, the sensor element has a Hall plate. A change in a Hall current as an auxiliary sensor variable can be switched by a switchable current source connected to the Hall plate as a switching element. For example, one of two current sources connected in parallel is switched off for the test mode. The Hall current thus reduced reduces the sensitivity of the device. A further advantage of this solution is that the Hall current is largely independent of interference on a supply line of the sensor, so that the interference does not propagate to the Hall voltage.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist das Schaltelement mit einer Steuerungsvorrichtung der Auswerteelektronik verbunden, die das Schaltelement steuert. Die Steuerungsvorrichtung besteht aus einzelnen, integrierten Elementen, beispielsweise einer Zenerdiode oder einem Schaltkreis aus mehreren integrierten und auch programmierbaren Bestandteilen.In a preferred embodiment of the invention, the switching element is connected to a control device of the evaluation electronics, which controls the switching element. The control device consists of individual, integrated elements, for example a Zener diode or a circuit made up of several integrated and also programmable components.
Ist alternativ die Steuerungsvorrichtung nicht in der Auswerteelektronik des Sensors integriert, werden die Schaltelemente über eine externe Verbindung, beispielsweise einer Kupferbahn einer Leiterplatte, direkt angesteuert. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wennAlternatively, if the control device is not integrated in the evaluation electronics of the sensor, the switching elements are controlled directly via an external connection, for example a copper track on a circuit board. This is particularly advantageous if
UT 065/00UT065/00
noch weitere Schaltkreise zusammen mit der Auswerteelektronik auf einer Leiterplatte verlötet sind.Further circuits are soldered together with the evaluation electronics on a circuit board.
Das Schaltelement zur Steuerung ist in einer vorteilhaften Weiterbildung der Ausgestaltung der Erfindung mit einem Speicherausgang eines Speichers als Steuerungsvorrichtung verbunden. Als Speicher eigenen sich nichtflüchtige oder flüchtige Speicher mit einer oder mehreren Speicherzellen. In mehreren Speicherzellen werden vorteilhaft Schaltwerte für verschiedene Schwellwerte gespeichert, um die jeweiligen Schwellwerte veränderten Betriebs- oder Prüfbedingungen anzupassen. Alternativ werden mehrere Speicherzellen insbesondere für mehrere Prüf modi benötigt. Ein Flip-Flop als Einzel-Speicher wird über einen Befehl gesetzt und über einen erneuten Befehl, zum Ein- und Ausschalten des Prüfmodus, zurückgesetzt. Alternativ wird ein Flip-Flop mit einer Vorzugslage verwendet, das nach einem Ausschalten einer Versorgungsspannung den Prüfmodus beendet.In an advantageous development of the embodiment of the invention, the switching element for control is connected to a memory output of a memory as a control device. Non-volatile or volatile memories with one or more memory cells are suitable as memories. Switching values for different threshold values are advantageously stored in several memory cells in order to adapt the respective threshold values to changed operating or test conditions. Alternatively, several memory cells are required, in particular for several test modes. A flip-flop as a single memory is set via a command and reset via a new command to switch the test mode on and off. Alternatively, a flip-flop with a preferred position is used, which ends the test mode after a supply voltage is switched off.
Das Schaltelement zur Steuerung ist in einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung mit einer Zenerdiode als Steuerungsvorrichtung verbunden. Die Zenerdiode ist beispielsweise mit einer Versorgungsleitung, einer Masseleitung oder einer Datenverbindung verbunden. Übersteigt die an der Zenerdiode abfallende Spannung die Zenerspannung leitet die Zenerdiode und das Schaltelement wird beispielsweise in den leitenden Zustand gesteuert. Alternativ zu der Zenerdiode ist jedes andere spannungsdetektierende Bauelement verwendbar, insbesondere ein Komparator, der die Versorgungsspannung, oder einen Teil derselben, mit einer den Prüfmodus charakterisierenden Schaltreferenzspannung vergleicht.In a further advantageous development of the invention, the switching element for control is connected to a Zener diode as a control device. The Zener diode is connected, for example, to a supply line, a ground line or a data connection. If the voltage drop across the Zener diode exceeds the Zener voltage, the Zener diode conducts and the switching element is, for example, controlled to the conductive state. As an alternative to the Zener diode, any other voltage-detecting component can be used, in particular a comparator that compares the supply voltage, or a part of it, with a switching reference voltage that characterizes the test mode.
Anstelle der Speicherung von Schaltwerten zur Einstellung bestimmter Schwellwerte weist in einer anderen vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung die Auswerteelektronik ein oder mehrere durchbrennbare elektrische Elemente als Schaltelemente auf. Um die durchbrennbaren elektrischen Elemente zu schalten, werden die durchbrennbaren elekirischen Elemente durch eine Leistungsstufe als Teil der Steuerungsvorrichtung bis zum Ausfall des Elementes bestromt (Zener-zapping, dioden-zapping oder MOS-latching).Instead of storing switching values for setting certain threshold values, in another advantageous development of the invention, the evaluation electronics have one or more burnable electrical elements as switching elements. In order to switch the burnable electrical elements, the burnable electrical elements are energized by a power stage as part of the control device until the element fails (Zener zapping, diode zapping or MOS latching).
Zum Schalten der jeweiligen Schwellwerte für einen oder mehrerer Prüfmodi oder Betriebsmodi erfolgt die Einstellung des Schwellwertes im Prüfmodus durch das Durchbrennen der durchbrennbaren elektrischen Elemente, indem die Schwellwerte in einem Prüfmodus auf die größte Hysterese eingestellt werden. Ist die Hysterese nicht ausreichend wird der Prüfling aussortiert. Bei einem positiven Prüfungsergebnis wird derTo switch the respective threshold values for one or more test modes or operating modes, the threshold value is set in the test mode by burning through the burnable electrical elements by setting the threshold values in a test mode to the largest hysteresis. If the hysteresis is not sufficient, the test object is rejected. If the test result is positive, the
UT 065/00UT065/00
Schwellwert durch ein weiteres Durchbrennen von durchbrennbaren elektrischen Elementen der Auswerteelektronik für einen Betriebsmodus auf einen Betriebsschwellwert eingestellt. Die Empfindlichkeit ist aufgrund der größeren Hysterese in mindestens einem der Prüfmodi reduziert. Zusätzlich kann ein anderer Prüfmodus zum Testen der Störanfälligkeit auch eine kleinere Hysterese als im Betriebsmodus vorsehen.Threshold value is set to an operating threshold value by further burning through burnable electrical elements of the evaluation electronics for an operating mode. The sensitivity is reduced due to the larger hysteresis in at least one of the test modes. In addition, another test mode for testing the susceptibility to interference can also provide a smaller hysteresis than in the operating mode.
Die Ansteuerung der Steuerungsvorrichtung ist grundsätzlich über eine der Verbindungen des Sensors zu einem externen Kontrollvorrichtung, in den meisten Fällen ein Mikrocontroller, möglich. Als Verbindung eignen sich dabei alle Versorgungsleitungen, Datenverbindungen oder alle anderen optischen, akustischen oder funktechnischen Systeme.The control device can generally be controlled via one of the connections from the sensor to an external control device, in most cases a microcontroller. All supply lines, data connections or all other optical, acoustic or radio systems are suitable as connections.
Eine erste Variante weist eine Datenverbindung auf, über die die Steuerungsvorrichtung des Sensors ansteuerbar ist. Zum Schalten im Prüfmodus ist die Datenverbindung durch eine externe Kontrollvorrichtung (MCU) gegen Masse kurzschließbar. Vorteilhafterweise wird diese Datenverbindung zusätzlich zur Übertragung des Bewegungssignale genutzt, die von der Kontrollvorrichtung zur Steuerung des Elektromotors ausgewertet werden. Der Kurzschluß wiederum ist durch einen mit der Datenverbindung verbundenen Auswerteschaltkreis der Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Schaltelemente auswertbar. Nach dem Auswerten des Kurzschlusses wird ein Schaltzustand des Schaltelementes für den Prüfmodus in einem flüchtigen Speicher gespeichert.A first variant has a data connection via which the control device of the sensor can be controlled. For switching in test mode, the data connection can be short-circuited to ground by an external control device (MCU). This data connection is advantageously also used to transmit the movement signals, which are evaluated by the control device to control the electric motor. The short circuit can in turn be evaluated by an evaluation circuit of the control device connected to the data connection for controlling the switching elements. After the short circuit has been evaluated, a switching state of the switching element for the test mode is stored in a volatile memory.
In einer zweiten Variante wird zum Schalten in den Prüfmodus zwischen der Kontrollvorrichtung und dem Sensor ein Protokoll über die Initialisierung des Prüfmodus übertragen. Beispielsweise wird nach einem „Reset" vom Sensor eine Bitfolge über den folgenden Modus übertragen. Liegt der Prüfungsfall vor, sendet die Kontrollvorrichtung eine die Prüfung charakterisierende Bitfolge. Für wichtige Sicherheitsaspekte wird die Übertragung diese Bitfolge zwischen dem Sensor und der Kontrollvorrichtung verifiziert. Die Übertragung erfolgt über eine Datenverbindung oder mittels Modulation über eine Versorgungsleitung oder eine sonstige optische oder funktechnische Verbindung.In a second variant, a protocol for initializing the test mode is transmitted between the control device and the sensor to switch to test mode. For example, after a "reset" from the sensor, a bit sequence is transmitted via the following mode. If the test case is present, the control device sends a bit sequence characterizing the test. For important safety aspects, the transmission of this bit sequence between the sensor and the control device is verified. The transmission takes place via a data connection or by means of modulation via a supply line or another optical or radio connection.
Weitere Varianten sehen die getrennte Übertragung der Initialisierung des Prüfungsmodus auf der Versorgungsleitung und der Bewegungssignale auf der Datenverbindung vor.Other variants provide for the separate transmission of the initialization of the test mode on the supply line and the movement signals on the data connection.
Alternativ zu der zuvor beschriebenen Datenleitung können auch Anordnungen verwendet werden, bei denen sogenannte zwei-Draht-Sensoren mit einer im Ausgangstreiber integrierten Stromquelle eingesetzt werden..As an alternative to the data line described above, arrangements can also be used in which so-called two-wire sensors with a current source integrated in the output driver are used.
UT 065/00UT065/00
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen bezugnehmend auf zeichnerische Darstellungen näher erläutert.In the following, the invention is explained in more detail using embodiments with reference to drawings.
Dabei zeigen
5Show
5
FIG 1 eine schematische Darstellung eines mit einem MikroController verbundeFIG 1 is a schematic representation of a microcontroller connected
nen Bewegungssensors,a motion sensor,
Fig 2 eine schematische Darstellung eines intelligenten Hallsensors mit einerFig 2 a schematic representation of an intelligent Hall sensor with a
Auswerteelektronik,Evaluation electronics,
FIG 3 ein schematischer Schaltplan eines von einem Mikrocontroller ansteuerbaFIG 3 is a schematic circuit diagram of a microcontroller controlled
ren intelligenten Hallsensors,ren intelligent Hall sensor,
FIG 4 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einemFIG 4 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a
Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors,Microcontroller controlled intelligent Hall sensor,
FIG 5 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einemFIG 5 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a
Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensörs,
20Microcontroller controlled intelligent Hall sensor,
20
FIG 6 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einemFIG 6 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a
Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors,Microcontroller controlled intelligent Hall sensor,
FIG 7 ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung eines von einemFIG 7 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a
Mikrocontroller ansteuerbaren intelligenten Hallsensors, undMicrocontroller controlled intelligent Hall sensor, and
FIG 8 eine schematische Darstellung des zeitlichen Verlaufs der HallspannungFIG 8 a schematic representation of the time course of the Hall voltage
und der Schwellwerte der Auswerteelektronik.and the threshold values of the evaluation electronics.
Eine schematische Darstellung eines an einen Mikrocontroller MCU angeschlossenen Bewegungssensors HS nach dem Stand der Technik ist in FIG 1 dargestellt. In diesem Fall besteht der Sensor HS aus einem Hallsensor HS, der von einem Magnetfeld B, beispielsweise eines Dauermagneten, erregt wird. Der Hallsensor HS weist lediglich drei Anschlüsse, für die Versorgungsspannung Ub, den Masseanschluß GND und die Signal-Verbindung Datai zum Mikrocontroller MCU auf. Dabei werden analoge oder digitale Daten zur Erfassung einer Kenngröße einer rotatorischen oder translatorischen Bewegung ausschließlich von dem Hallsensor HS zum Mikrocontroller MCU übertragen. DieA schematic representation of a motion sensor HS connected to a microcontroller MCU according to the state of the art is shown in FIG 1. In this case, the sensor HS consists of a Hall sensor HS, which is excited by a magnetic field B, for example a permanent magnet. The Hall sensor HS has only three connections, for the supply voltage U b , the ground connection GND and the signal connection Datai to the microcontroller MCU. Analogue or digital data for recording a characteristic of a rotary or translatory movement are transmitted exclusively from the Hall sensor HS to the microcontroller MCU. The
UT 065/00UT065/00
Signalverbindung Datai ist über einen Pull-up Widerstand Rup mit der Versorgungsspannung Ub verbunden.Signal connection Datai is connected to the supply voltage Ub via a pull-up resistor R up .
Das den Sensor HS erregende Magnetfeld B ist bei einem Stillstand der Antriebsvorrichtung, insbesondere des Elektromotors, zeitlich im wesentlichen konstant. Wird der Elektromotor der Antriebsvorrichtung bestromt, erzeugen die Umdrehungen des zwei oder mehrpoligen Dauermagenten eine von der Umdrehungsgeschwindigkeit des Elektromotors abhängige Änderung des Magnetfeldes B, die von der Hallsensors HS auf die Änderung der Hallspannung abgebildet wird. Die Änderung der Hallspannung wird als analoges oder digitales Signal über die Signalverbindung Datai an den MikroController MCU übertragen.The magnetic field B that excites the sensor HS is essentially constant over time when the drive device, in particular the electric motor, is at a standstill. If the electric motor of the drive device is energized, the revolutions of the two- or multi-pole permanent magnet generate a change in the magnetic field B that depends on the rotational speed of the electric motor, which is mapped by the Hall sensor HS to the change in the Hall voltage. The change in the Hall voltage is transmitted as an analog or digital signal to the microcontroller MCU via the signal connection Datai.
Der MikroController MCU wertet das Signal aus und steuert unter Verwendung der Ergebnisse der Auswertung einen oder mehrere Leistungstreiber, beispielsweise ein Relais oder einen Leistungshalbleiter, zur Bestromung des Elektromotors an (in FIG 1 nicht dargestellt).The microcontroller MCU evaluates the signal and, using the results of the evaluation, controls one or more power drivers, for example a relay or a power semiconductor, to supply current to the electric motor (not shown in FIG 1).
In FIG 8 ist der zeitliche Verlauf zweier Hallspannungen UHi(t) und UH2(t), sowie Schwellwerte SPH, SH, SPL, SL eines Schwellwertschalters (Schmitt-Trigger) oder Fensterkomparators dargestellt. Die Signalbreite und Periodendauer der Hallspannungen UHi(t) und UH2(t) ist von der Umdrehungsgeschwindigkeit des Elektromotors abhängig und hier beispielhaft für eine Umdrehungsgeschwindigkeit dargestellt. Die beiden Hallspannungen Um(t) und UH2(t) sollen beispielhaft die Ausgangssignale zweier Hallsensoren mit produktionsbedingten Toleranzen darstellen.FIG 8 shows the time profile of two Hall voltages U H i(t) and U H 2(t), as well as threshold values S PH , S H , S PL , S L of a threshold switch (Schmitt trigger) or window comparator. The signal width and period of the Hall voltages U H i(t) and U H 2(t) depends on the rotational speed of the electric motor and is shown here as an example for one rotational speed. The two Hall voltages Um(t) and U H 2(t) are intended to represent the output signals of two Hall sensors with production-related tolerances.
Die Schwellwerte Sh und Sl des Schwellwertschalters sind die für einen Betriebsmodus gültigen Schwellwerte. Nur wenn diese Schwellwerte SH und SL unterschritten und überschritten werden, so daß die Hallspannung Um(t) beziehungsweise UH2(t) die Hysterese zwischen dem unteren Schwellwert SL und dem oberen Schwellwert SH unter- beziehungsweise überschreitet, steht am Ausgang des Schwellwertschalters ein auswertbares, digitales Signal zur Verfügung. Beide in FIG 8 dargestellten Signalverläufe der Hallspannungen Um(t) und UH2(t) erfüllen dieses Kriterium. Jedoch ist aus FIG 8 ersichtlich, daß der Signalverlauf der Hallspannung UH2(t) den oberen Schwellwert SH nur geringfügig überschreitet.The threshold values Sh and Sl of the threshold switch are the threshold values valid for an operating mode. Only when these threshold values S H and S L are undershot or exceeded, so that the Hall voltage Um(t) or U H 2(t) falls below or exceeds the hysteresis between the lower threshold value S L and the upper threshold value S H , is an analyzable digital signal available at the output of the threshold switch. Both signal curves of the Hall voltages Um(t) and U H 2(t) shown in FIG 8 meet this criterion. However, it can be seen from FIG 8 that the signal curve of the Hall voltage U H 2(t) only slightly exceeds the upper threshold value S H.
Die Hallsensor - Schwellwertschalter - Vorrichtung ist zwar zu Beginn des Betriebes funktionsfähig, doch kann das Langzeitverhalten der Vorrichtung zu einem, wenn überli-The Hall sensor threshold switch device is functional at the beginning of operation, but the long-term behavior of the device can lead to a, if exceeded,
UT 065/00UT065/00
cherweise auch nur geringen, Abfall der maximalen Hallspannung UH2(t) führen. Ein derartiger Abfall wird beispielsweise durch Abstandsänderung zwischen Dauermagnet und Sensor oder Veränderungen des Sensors oder der magnetischen Feldstärke des Dauermagneten verursacht, was durch einen Blockpfeil in FIG 8 angedeutet ist. Eine andere Ursache ist möglicherweise eine merkliche, beispielsweise temperaturabhängige Drift der Schwellwerte SH oder SL.This may also lead to a slight drop in the maximum Hall voltage U H 2(t). Such a drop is caused, for example, by a change in the distance between the permanent magnet and the sensor or by changes in the sensor or the magnetic field strength of the permanent magnet, which is indicated by a block arrow in FIG 8. Another possible cause is a noticeable drift in the threshold values S H or S L , for example due to temperature.
Um die Wahrscheinlichkeit eines derartigen späteren Ausfall der Vorrichtung zu reduzieren, werden für eine vor der Betriebsphase durchzuführende Prüfung der Vorrichtung beispielsweise Prüfschwellwerte SPH, SPL festgelegt, die eine Empfindlichkeit der Vorrichtung reduzieren, indem die Hysterese um einen bestimmten Betrag erhöht wird. Die Vorrichtung mit der Hallspannung Uni(t) würde dementsprechend die Prüfung bestehen, die andere Vorrichtung mit der Hallspannung UH2(t) würde entsprechend aussortiert. Für eine derartige Prüfung eignen sich beispielsweise die in den Figuren FIG 2 bis FIG 5 und FIG 7 dargestellten Schaltungsanordnungen.In order to reduce the probability of such a later failure of the device, for example, test threshold values S PH , S PL are defined for a test of the device to be carried out before the operating phase, which reduce the sensitivity of the device by increasing the hysteresis by a certain amount. The device with the Hall voltage Uni(t) would therefore pass the test, the other device with the Hall voltage UH2(t) would be sorted out accordingly. The circuit arrangements shown in FIGS. 2 to 5 and FIG. 7 are suitable for such a test.
In FIG 2 ist ein schematischer Schaltplan eines intelligenten Hallsensors iHS1 dargestellt. Eine Hallplatte HP wird durch das Magnetfeld B in Abhängigkeit von der Umdrehungsgeschwindigkeit erregt. Die Intelligenz des Sensors iHS1 besteht in diesem Fall aus der Auswerteelektronik, die mit der Hallplatte HP auf einem Halbleiterchip integriert ist. Zusätzlich kann der Sensor iHS1 noch weitere Intelligenz, beispielsweise zur Ansteuerung von Schaltern SW1, SW2 oder der analogen oder digitalen Filterung von Störeinflüssen aufweisen.FIG 2 shows a schematic circuit diagram of an intelligent Hall sensor iHS1. A Hall plate HP is excited by the magnetic field B depending on the rotation speed. In this case, the intelligence of the sensor iHS1 consists of the evaluation electronics, which are integrated with the Hall plate HP on a semiconductor chip. In addition, the sensor iHS1 can have further intelligence, for example for controlling switches SW1, SW2 or for analog or digital filtering of interference.
Die von dem Magnetfeld abhängige Hallspannung UH wird im Betriebsmodus von einem Schwellwertschalter, bestehend aus einem Komparator OP1 und den Widerständen R1, R2, R5, R6 ausgewertet und über einen Ausgangstreiber BUF dem MikroController MCU zur Auswertung zugeführt. Zur Auswertung der Hallspannung UH mittels des Schwellwertschalters mit einer Hysterese wird mit den Widerständen R5 und R6 und dem Komperator OP1, alternativ auch ein Operationsverstärker OP1, eine entsprechende Schleifenverstärkung und mit den Widerständen R1 und R2 die Referenzspannung Uref1 vorgegeben. The Hall voltage U H, which is dependent on the magnetic field, is evaluated in operating mode by a threshold switch consisting of a comparator OP1 and the resistors R1, R2, R5, R6 and is fed to the microcontroller MCU for evaluation via an output driver BUF. To evaluate the Hall voltage U H using the threshold switch with a hysteresis, a corresponding loop gain is specified using the resistors R5 and R6 and the comparator OP1, alternatively an operational amplifier OP1, and the reference voltage U ref1 is specified using the resistors R1 and R2.
Mit Schaltern SW1 und SW2 werden dem Widerstand R2 der Widerstand R3, beziehungsweise dem Widerstand R6 der Widerstand R4 parallel geschalten um die Schwellwerte Sh oder SL des Schwellwertschalters für den Prüfmodus zu verändern. Alternativ, in FIG 2 nicht dargestellt, können die Widerstände R4 und R3 auch in Reihe mit den Wi-With switches SW1 and SW2, resistor R3 is connected in parallel with resistor R2, or resistor R4 is connected in parallel with resistor R6 in order to change the threshold values Sh or S L of the threshold switch for the test mode. Alternatively, not shown in FIG 2, resistors R4 and R3 can also be connected in series with the resistors.
derständen R6 beziehungsweise R2 geschalten werden. FIG 2 weist nur eine von vielen Möglichkeiten des Aufbaus eines Schwellwertschalters auf. Eine andere Variante ist beispielsweise in FIG 7 dargestellt. Die in FIG 2 beispielhaft angeordneten Widerstände R1 bis R6 ermöglichen durch ein Schalten der Schalter SW1 und SW2 eine Verringerung der Empfindlichkeit des intelligenten Hall-Sensors iHS1 bezüglich des empfangenen magnetischen Feldes B.resistors R6 and R2, respectively. FIG 2 shows only one of many possibilities for the construction of a threshold switch. Another variant is shown, for example, in FIG 7. The resistors R1 to R6 arranged as an example in FIG 2 enable a reduction in the sensitivity of the intelligent Hall sensor iHS1 with regard to the received magnetic field B by switching the switches SW1 and SW2.
Ohmsche Widerstände lassen sind nur unter höherem Aufwand und größerer Streuung der Parameter on-Chip mit aktiven Bauelementen integrieren. Die Widerstände R1 bis R6 sind daher in den Figuren nur zur vereinfachten Darstellung als Ohmsche Widerstände dargestellt. Vorteilhafterweise werden Dioden oder aktive Widerstände, beispielsweise entsprechend verbunden Transistoren als Widerstände R1 bis R6 für die Spannungsteiler R1, R2, R3 beziehungsweise R4, R5, R6 eingesetzt. Auch die Schalter SW1 und SW2 sind als Schalttransistoren SW1 und SW2 on Chip integrierbar, so daß alle in FIG 2 dargestellten Elemente zusammen mit der Hallplatte HP auf einem Halbleiterchip integriert werden.Ohmic resistors can only be integrated on-chip with active components with greater effort and greater scatter of parameters. The resistors R1 to R6 are therefore shown in the figures as ohmic resistors only for the sake of simplicity. Diodes or active resistors, for example appropriately connected transistors, are advantageously used as resistors R1 to R6 for the voltage dividers R1, R2, R3 or R4, R5, R6. The switches SW1 and SW2 can also be integrated on-chip as switching transistors SW1 and SW2, so that all the elements shown in FIG 2 are integrated together with the Hall plate HP on a semiconductor chip.
In FIG 3 ist eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung schematisch dargestellt. Zur Vereinfachung der Darstellung ist lediglich eine Parallelschaltung von dem Widerstand R3 zum Widerstand R2 durch den Schalttransistor T1 beispielhaft schaltbar. Analog sind auch alle anderen Reihen- oder Parallelschaltungen zur Reduktion der Empfindlichkeit möglich. Der Schalttransistor T1 wird durch einen Speicher FF, einem Flip-Flop FF gesteuert. Das Flip-Flop FF besitzt eine Vorzugslage, so daß nach dem Einschalten der Versorgungsspannung Ub das Flip-Flop FF in der Vorzugslage den Schalttransistor T1 nicht steuert und der Schalttransistor T1 damit sperrt. Weiter Ein- und Ausgänge des Flip-Flops FF sind nicht dargestellt, um den Funktionszusammenhang hervorzuheben. Mit dem invertierenden Ein- und Ausgang sind jedoch weitere Funktionen steuerbar, bzw. auswertbar.A preferred embodiment of the invention is shown schematically in FIG 3. To simplify the illustration, only a parallel connection from the resistor R3 to the resistor R2 can be switched by the switching transistor T1 as an example. All other series or parallel connections to reduce the sensitivity are also possible in a similar way. The switching transistor T1 is controlled by a memory FF, a flip-flop FF. The flip-flop FF has a preferred position so that after the supply voltage U b is switched on, the flip-flop FF in the preferred position does not control the switching transistor T1 and the switching transistor T1 is therefore blocked. Other inputs and outputs of the flip-flop FF are not shown in order to emphasize the functional relationship. However, other functions can be controlled or evaluated using the inverting input and output.
Um das Flip-Flop FF zu setzen und damit den Schalttransistor T1 für eine geringere Empfindlichkeit des intelligenten Hallsensors iHS2 in den leitenden Zustand zu steuern, wird vom MikroController MCU ein Signal zum Setzen an das Flip-Flop FF übertragen. Hierzu ist ein schaltbarer Ein- und Ausgang I/O über eine Datenverbindung Data2 mit dem Ausgang des intelligen Hall-Sensors iHS2 verbunden. Der MikroController MCU schließt zur Übertragung die Datenverbindung Data2 über den Ein- und Ausgang I/O nach Masse GND kurz. Gleichzeit oder nachfolgend wird vom MikroController MCU der Elektromotor für einige Umdrehungen über die Leistungstreiber bestromt, so daß sicher-In order to set the flip-flop FF and thus control the switching transistor T1 to the conductive state for a lower sensitivity of the intelligent Hall sensor iHS2, the microcontroller MCU transmits a signal to set the flip-flop FF. For this purpose, a switchable input and output I/O is connected to the output of the intelligent Hall sensor iHS2 via a data connection Data2. For transmission, the microcontroller MCU short-circuits the data connection Data2 via the input and output I/O to ground GND. At the same time or subsequently, the microcontroller MCU supplies the electric motor with current for a few revolutions via the power drivers so that
gestellt ist, das zumindest zeitweise das Ausgangssignal und das Eingangssignal des Ausgangstreibers BUF nicht übereinstimmen. Der Ausgangstreiber BUF ist in diesem Fall nicht invertierend und weist für einen entsprechenden Kurzschlußstrom in FIG 3' nicht dargestellte Stromquellen für den Ausgangsstrom auf.
5is set such that at least temporarily the output signal and the input signal of the output driver BUF do not match. In this case the output driver BUF is not inverting and has current sources for the output current (not shown in FIG 3') for a corresponding short-circuit current.
5
Der Kurzschluß den Datenverbindung Data2 wird für einen High-Pegel am Eingang des Ausgangtreibers BUF vom Exklusiv-Oder Gatter EXOR ermittelt und das Flip-Flop FF wird gesetzt. Damit ist der intelligente Hallsensor iHS2 in den Prüfmodus umgeschalten. Der MikroController MCU hebt daraufhin den Kurzschluß der Datenverbindung Data2 nach Masse GND auf und wertet die über die Datenverbindung Data2 vom intelligenten Hall-Sensor iHS2 zum MikroController MCU bei drehendem Elektromotor übertragenen Bewegungssignale aus. Über- beziehungsweise unterschreitet die Hallspannung UH nicht die Prüfschwellwerte SPH, SPL so werden über die Datenverbindung Data2 keine Ausgangssignale des Komparators 0P1 übertragen. Die Vorrichtung wird vom Mikrocontroller MCU als defekt erkannt und beispielsweise an ein Servicegerät übertragen. Um durch den Mikrocontroller MCU zu überprüfen, ob der intelligente Hall-Sensor iHS2 in den Prüfmodus geschalten hat, kann, in FIG 3 nicht dargestellt, der Kurzschlußstrom von dem Mikrocontroller MCU detektiert werden.The short circuit in the data connection Data2 is determined for a high level at the input of the output driver BUF by the exclusive-or gate EXOR and the flip-flop FF is set. This switches the intelligent Hall sensor iHS2 to test mode. The microcontroller MCU then removes the short circuit in the data connection Data2 to ground GND and evaluates the movement signals transmitted via the data connection Data2 from the intelligent Hall sensor iHS2 to the microcontroller MCU when the electric motor is rotating. If the Hall voltage U H does not exceed or fall below the test threshold values S PH , S PL , no output signals from the comparator 0P1 are transmitted via the data connection Data2. The device is recognized as defective by the microcontroller MCU and transmitted to a service device, for example. In order to check using the microcontroller MCU whether the intelligent Hall sensor iHS2 has switched to test mode, the short-circuit current can be detected by the microcontroller MCU (not shown in FIG 3).
Werden dagegen vom intelligenten Hall-Sensor iHS2 Bewegungssignale über die Datenverbindung Data2 an den Mikrocontroller MCU übertragen, erkennt der Mikrocontroller die Funktionsfähigkeit der Vorrichtung. Nach einer Betriebspannungsunterbrechung befindet sich das Flip-Flop FF wieder in der Vorzugslage und der intelligente Hall-Sensor iHS2 im Betriebsmodus. Die Prüfung kann durch den Mikrocontroller MCU jederzeit wiederholt und hierzu beispielsweise durch einen Servicefachmann aktiviert werden.If, however, the intelligent Hall sensor iHS2 transmits motion signals to the microcontroller MCU via the data connection Data2, the microcontroller recognizes that the device is functioning properly. After an interruption in the operating voltage, the flip-flop FF is back in the preferred position and the intelligent Hall sensor iHS2 is in operating mode. The test can be repeated at any time by the microcontroller MCU and can be activated by a service specialist, for example.
In FIG 4 ist ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführung der Erfindung dargestellt. In dem in FIG 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der intelligente Hallsensor iHS3 vor einer Inbetriebnahme bereits im Prüfmodus. Eine Überprüfung des Prüfungsmodus durch den Mikrocontroller MCU kann (nicht notwendigerweise) zusätzlich erfolgen. Zur Initialisierung des Prüfmodus ist keine zusätzliche Signalisierung seitens des MikroControllers MCU notwendig. Vielmehr wird der für den Prüfmodus signifikante Bipolartransistor T2 über den Widerstand R7 und die Sicherung SM bestromt. Die Sicherung SM ist beispielsweise eine dünne Aluminiumbahn oder alternativ eine Diode. Der Spannungsstabilisator ST dient dazu, die variable oder mit Störungen belastete Versorgungsspannung Uvar des intelligenten Hallsensors iHS3 auf die Spannung Us(ab , beispielsweise 5V, zu stabilisieren.FIG 4 shows a schematic circuit diagram of a further embodiment of the invention. In the embodiment shown in FIG 4, the intelligent Hall sensor iHS3 is already in test mode before commissioning. A check of the test mode by the microcontroller MCU can (not necessarily) also be carried out. No additional signaling from the microcontroller MCU is necessary to initialize the test mode. Instead, the bipolar transistor T2, which is significant for the test mode, is energized via the resistor R7 and the fuse SM. The fuse SM is, for example, a thin aluminum track or alternatively a diode. The voltage stabilizer ST is used to stabilize the variable or interference-laden supply voltage Uvar of the intelligent Hall sensor iHS3 to the voltage U s(a b , for example 5V.
Ist die Prüfung des intelligenten Hallsensors iHS3 beendet und soll der intelligente Hallsensor iHS3 in den Betriebsmodus umgeschalten werden, erhöht der Mikrocontroller MCU die Versorungsspannung Uvar. Die Zenerdiode ZD1 wird hierdurch leitend und steuert den Thyristor TY1 an. Der Thyristor TY1 zündet und die Sicherung SH brennt durch. Der Bipolartransistor T2 kann nicht mehr gesteuert werden und der intelligente Hallsensor iHS3 befindet sich dauerhaft im Betriebsmodus. Die Bewegungssignale werden über die Datenverbindung data3 vom intelligenten Hallsensor iHS3 an den Mikrocontroller MCU übertragen, so daß der mit dem Hallsensor iHS3 verbundene Anschluß I des Mikrocontrollers MCU in diesem Fall lediglich ein Eingang ist.If the test of the intelligent Hall sensor iHS3 is finished and the intelligent Hall sensor iHS3 is to be switched to operating mode, the microcontroller MCU increases the supply voltage U var . The Zener diode ZD1 is then conductive and controls the thyristor TY1. The thyristor TY1 fires and the fuse SH blows. The bipolar transistor T2 can no longer be controlled and the intelligent Hall sensor iHS3 is permanently in operating mode. The motion signals are transmitted from the intelligent Hall sensor iHS3 to the microcontroller MCU via the data connection data3, so that the connection I of the microcontroller MCU connected to the Hall sensor iHS3 is only an input in this case.
In FIG 5 ist ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Für den Prüfmodus wird die Versorgungsspannung Uvar des intelligenten Hallsensors iHS4 durch eine entsprechende Steuerung des MikroControllers MCU oder eines anderen Steuerungselementes erhöht. Die mit der Versorgungsleitung verbundene Zenerdiode ZD2 wird durch die Spannungserhöhung leitend und steuert über den Widerstand R8 den Bipolartransistor T3. Zur Umschaltung des intelligenten Hallsensors iHS4 in den Betriebsmodus wird die Versorgungspannung Uvar ausreichend abgesenkt, so daß die Zenerdiode ZD2 sperrt.FIG 5 shows a schematic circuit diagram of a further embodiment of the invention. For the test mode, the supply voltage U var of the intelligent Hall sensor iHS4 is increased by a corresponding control of the microcontroller MCU or another control element. The Zener diode ZD2 connected to the supply line becomes conductive due to the voltage increase and controls the bipolar transistor T3 via the resistor R8. To switch the intelligent Hall sensor iHS4 to the operating mode, the supply voltage U var is reduced sufficiently so that the Zener diode ZD2 blocks.
In FIG 6 ist ein schematischer Schaltplan einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Im Prüfmodus leitet die Zenerdiode ZD3 in Folge eine Spannungserhöhung der Versorgungspannung Uvar· Der Zenerstrom der Zenerdiode ZD3 steuert eine schaltbare Stromquelle IST für den Hallstrom lHaii der Hallplatte HP. Gegenüber dem Betriebsmodus wird im Prüfmodus durch die schaltbare Stromquelle IST der Hallstrom lHaii durch Schalten der Stromquelle IST reduziert. Durch die Reduktion des Hallstromes lHaii wird die Empfindlichkeit des intelligenten Hallsensors iHS5 verringert.FIG 6 shows a schematic circuit diagram of a further embodiment of the invention. In test mode, the Zener diode ZD3 subsequently conducts a voltage increase in the supply voltage U var . The Zener current of the Zener diode ZD3 controls a switchable current source IST for the Hall current l Ha ii of the Hall plate HP. In comparison to the operating mode, in test mode the Hall current l Ha ii is reduced by the switchable current source IST by switching the current source IST. By reducing the Hall current l Ha ii, the sensitivity of the intelligent Hall sensor iHS5 is reduced.
In FIG 7 ist ein schematischer Schaltplan einer Weiterbildung der Erfindung dargestellt.FIG 7 shows a schematic circuit diagram of a further development of the invention.
Der Mikrocontroller MCU ist über eine bidirektionale Datenverbindung Data6 mit einer Kontrolleinrichtung CON des intelligenten Hallsensors iHS6 verbunden. Hierzu weisen die Anschlüsse I/O beziehungsweise l/OHan sowohl der Kontrolleinrichtung CON des intelligenten Hallsensors iHS6 als auch des Mikrocontroller MCU eine Ein- und Ausgangsfunktion zur Kommunikation auf. Nach dem Einschalten der Versorgungsspannung Ub sendet der Mikrocontroller MCU ein Prüfungsignal an die Kontrolleinrichtung CON zur Initialisierung des Prüfmodus. Gleichzeitig oder nachfolgend wird der Elektromotor be-The microcontroller MCU is connected to a control device CON of the intelligent Hall sensor iHS6 via a bidirectional data connection Data6. For this purpose, the connections I/O and l/O Ha n of both the control device CON of the intelligent Hall sensor iHS6 and the microcontroller MCU have an input and output function for communication. After switching on the supply voltage Ub, the microcontroller MCU sends a test signal to the control device CON to initialize the test mode. At the same time or subsequently, the electric motor is
&Igr;!" \·:! I: : / .·' :*'::·:· 1 &Oacgr; 1 UT065/00&Igr;!" \· : ! I: : / .·':*': : ·:· 1 &Oacgr; 1 UT065/00
strömt. Die Hallspannung UH wird durch zwei Komparatoren OP2 und OP3 mit den Referenzspannungen Uref2 und Uref3 als Schwellwerte verglichen.flows. The Hall voltage U H is compared by two comparators OP2 and OP3 with the reference voltages U re f2 and U re f3 as threshold values.
Die Referenzspannungen Uref2 und Uref3 entsprechen den oberen und unteren Schwellwerten SpH, Sh, Spl, SL des Schwellwertschalters. Die beiden Referenzspannungen Uref2 und Uref3 werden durch die Einstellung eines Widerstandsnetzwerkes NET, das mehrere durch Schalter einstellbare Spannungsteilern aufweist, variiert. Hierzu ist das Widerstandsnetzwerk NET, das beispielsweise ohmsche, aktive oder diodische Widerstände aufweist, mit der Kontrolleinrichtung CON über eine oder mehrere Steuerverbindungen Dab verbunden. Vorteilhafterweise werden die Einzel-Widerstände des Widerstandsnetzwerkes NET mit einem binären Zähler verbunden, der von der Kontrolleinrichtung getaktet wird. Durch die Taktung wird der jeweilige Spannungsteiler und damit die jeweilige Referenzspannung Uref2 und Uref3 inkremental verändert bis die digitalen Informationen des Schwellwertschalters auswertbar sind. Der Zählwert des Zählers wird beispielsweise in einem nicht-flüchtigen Speicher, einem EEPROM, gespeichert.The reference voltages U ref 2 and U re f 3 correspond to the upper and lower threshold values SpH, Sh, Spl, S L of the threshold switch. The two reference voltages U re f 2 and U re f3 are varied by setting a resistor network NET, which has several voltage dividers that can be adjusted using switches. For this purpose, the resistor network NET, which has, for example, ohmic, active or diode resistors, is connected to the control device CON via one or more control connections Dab. Advantageously, the individual resistors of the resistor network NET are connected to a binary counter that is clocked by the control device. The clocking incrementally changes the respective voltage divider and thus the respective reference voltage U re f 2 and U re f3 until the digital information of the threshold switch can be evaluated. The count value of the counter is stored, for example, in a non-volatile memory, an EEPROM.
Im Prüfmodus wird durch die Kontrolleinrichtung das Hysterefenster, das durch die jeweilige Referenzspannung Uref2 beziehungsweise Uref3 bestimmt ist, durch Schalten der Spannungsteiler des Widerstandsnetzwerkes NET verkleinert, bis die Kontrolleinrichtung CON die Bewegungssignale der Hallspannung UH am Ausgang des jeweiligen Komparators 0P2 beziehungsweise OP3 erkennt. Dies kann auch nacheinander, für beide Schwellwerte SPH beziehungsweise SPL separat durchgeführt werden.In test mode, the control device reduces the hysteresis window, which is determined by the respective reference voltage U re f2 or U re f3, by switching the voltage dividers of the resistance network NET until the control device CON detects the movement signals of the Hall voltage U H at the output of the respective comparator 0P2 or OP3. This can also be carried out one after the other, separately for both threshold values S PH or S PL .
Ist die Empfindlichkeit des Prüflings ausreichend, signalisiert die Kontrolleinrichtung CON dem MikroController MCU über die Datenverbindung Data6 die Funktionsfähigkeit des intelligenten Hallsensors iHS6. Anschließend werden die beiden Referenzspannungen Uref2 und Uref3 für den Betriebsmodus im eingebauten Zustand des intelligenten Hallsensors iHS6 optimiert, indem eine mögliche Drift der Hallspannung UH oder der Referenzspannungen Uref2 oder Uref3 und die entsprechend den Anforderungen nötige Störsicherheit durch die Größe des Hysteresfensters ermittelt werden. Anschließend werden die Referenzspannungen Uref2 und Uref3 für den Betriebmodus entsprechend optimiert eingestellt. In dieser Ausführungsvariante ist zudem denkbar, daß die Funktionsgruppen, also eine Antriebsvorrichtung mit Elektromotor und eingebauten intelligenten Hallsensor iHS6, anhand der Empfindlichkeit in verschiedene Güteklassen eingeteilt wird.If the sensitivity of the test object is sufficient, the control device CON signals the functionality of the intelligent Hall sensor iHS6 to the microcontroller MCU via the data connection Data6. The two reference voltages U re f2 and U re f3 are then optimized for the operating mode with the intelligent Hall sensor iHS6 installed by determining a possible drift of the Hall voltage U H or the reference voltages Uref2 or U re f3 and the interference immunity required according to the requirements using the size of the hysteresis window. The reference voltages U re f2 and U re f 3 are then optimized accordingly for the operating mode. In this design variant, it is also conceivable that the functional groups, i.e. a drive device with an electric motor and installed intelligent Hall sensor iHS6, are divided into different quality classes based on their sensitivity.
Das Verfahren zur Prüfung eines Sensors entsprechend der FIG 3 ist folgend beschrieben. The procedure for testing a sensor according to FIG 3 is described below.
• C ·<*· • C ·<*·
UT 065/00UT065/00
In Schritt 1 wird der Prüfmodus dem intelligenten Hallsensor iHS2 von dem Mikrocontroller MCU signalisiert, indem der Mikrocontroller MCU seinen Ein-/Ausgang I/O nach Masse GND für 100ms kurzschließt.
5In step 1, the test mode is signaled to the intelligent Hall sensor iHS2 by the microcontroller MCU by short-circuiting its input/output I/O to ground GND for 100ms.
5
In Schritt 2 wird gleichzeitig der Elektromotor für 100ms zur Bestromung angesteuert.In step 2, the electric motor is simultaneously activated for 100 ms to supply current.
In Schritt 3 wird von dem Exklusiv-Oder-Gatter EXOR die aufgrund des Kurzschlusses zwischen dem Ein- und Ausgang des Ausgangstreiber BUF zumindest temporär anliegende Spannungsunterschied detektiert.In step 3, the exclusive-OR gate EXOR detects the voltage difference that is present, at least temporarily, due to the short circuit between the input and output of the output driver BUF.
In Schritt. 4 wird das Flip-Flop FF im Sensor iHS2 gesetzt und der Schalttransistor T1 angesteuert und damit die Empfindlichkeit der Auswerteelektronik reduziert.In step 4, the flip-flop FF in the sensor iHS2 is set and the switching transistor T1 is activated, thus reducing the sensitivity of the evaluation electronics.
In Schritt 5 schaltet der Mikrocontroller MCU den Ausgang I/O zum Eingang I/O um und wertet über die Datenverbindung Data2 übertragene Bewegungssignale aus.In step 5, the microcontroller MCU switches the I/O output to the I/O input and evaluates motion signals transmitted via the data connection Data2.
In Schritt 6 entscheidet der Mikrocontroller MCU anhand der Auswertung ob der Prüfling funktionsfähig im Sinne der Püfung ist. Das Flip-Flop FF bleibt nur bis zu einer Betriebs-Spannungsunterbrechung gesetzt und kehrt mit einem Wiedereinschalten der Betriebsspannung in die Vorzugslage zurück.In step 6, the microcontroller MCU decides based on the evaluation whether the test object is functional in the sense of the test. The flip-flop FF only remains set until the operating voltage is interrupted and returns to the preferred position when the operating voltage is switched on again.
In Schritt 7 arbeitet der funktionsfähige Prüfling mit normaler Empfindlichkeit.In step 7, the functional test object operates with normal sensitivity.
UT 065/00UT065/00
UT 065/00UT065/00
Claims (14)
der Sensor (iHS1 bis iHS6) Mittel zum Schalten einer Empfindlichkeit der Vorrichtung für mindestens einen Prüfmodus aufweist, wobei
eine Sensorhilfsgröße (IHall) des Sensorelementes (HP) und/oder mindestens ein Schwellwert (SH, SL, Uref1 bis Uref3) der Auswerteelektronik so schaltbar ist, daß die durch eine Amplitude einer Meßgröße (UH, UH1(t), UH2(t)) des Sensorelementes (HP) und den Schwellwert (SH, SL, SPH, SPL, Uref1 bis Uref3) charakterisierte Empfindlichkeit der Vorrichtung im Prüfmodus, abweichend von einem Betriebsmodus, reduziert ist. 1. Device for detecting at least one characteristic value of a movement of parts that are movable relative to one another, in particular for adjustment drives in motor vehicles, with
the sensor (iHS1 to iHS6) comprises means for switching a sensitivity of the device for at least one test mode, wherein
an auxiliary sensor variable (I Hall ) of the sensor element (HP) and/or at least one threshold value (S H , S L , U ref1 to U ref3 ) of the evaluation electronics can be switched such that the sensitivity of the device characterized by an amplitude of a measured variable (U H , U H1 (t), U H2 (t)) of the sensor element (HP) and the threshold value (S H , S L , S PH , S PL , U ref1 to U ref3 ) is reduced in the test mode, deviating from an operating mode.
der Schwellwert (SH, SL, Uref1 bis Uref3) durch einen mit einem Spannungsteiler (R1, R2, R3, NET) verbundenen Schalttransistor (T1 bis T3) als Schaltelement (T1 bis T3) schaltbar ist, wobei
der Schalttransistor (T1 bis T3) eine Ausgangsspannung (Uref1 bis Uref3) des Spannungsteilers (R1, R2, R3, NET) schaltet. 3. Device according to claim 2, characterized in that
the threshold value (S H , S L , U ref1 to U ref3 ) can be switched by a switching transistor (T1 to T3) connected to a voltage divider (R1, R2, R3, NET) as a switching element (T1 to T3), whereby
the switching transistor (T1 to T3) switches an output voltage (U ref1 to U ref3 ) of the voltage divider (R1, R2, R3, NET).
das Sensorelement (HP) eine Hallplatte (HP) aufweist, und
eine Änderung eines Hallstromes (IHall) als Sensorhilfsgröße (IHall) durch eine mit der Hallplatte (HP) verbundene, schaltbare Stromquelle (IST) als Schaltelement (IST) schaltbar ist. 5. Device according to claim 2, characterized in that
the sensor element (HP) comprises a Hall plate (HP), and
a change in a Hall current (I Hall ) as an auxiliary sensor quantity (I Hall ) can be switched by a switchable current source (IST) connected to the Hall plate (HP) as a switching element (IST).
die Datenverbindung (Data2) durch eine externe Vorrichtung (MCU) gegen Masse kurzschließbar ist, und
der Kurzschluß durch einen mit der Datenverbindung (Data2) verbundenen Auswerteschaltkreis (EXOR) der Steuerungsvorrichtung zum Steuern auswertbar ist. 11. Device according to claim 10, characterized in that
the data connection (Data2) can be short-circuited to ground by an external device (MCU), and
the short circuit can be evaluated by an evaluation circuit (EXOR) of the control device connected to the data connection (Data2).
zur Ansteuerung eine Versorgungsspannung (Ub) der Versorgungsleitung durch eine schaltbare Spannungsquelle (Uvar) erhöht ist, und
die Erhöhung durch einen mit der Versorgungsleitung verbundenen Auswerteschaltkreis (ZD1 bis ZD3) der Steuerungsvorrichtung zum Steuern auswertbar ist. 13. Device according to claim 12, characterized in that
for controlling a supply voltage (U b ) of the supply line is increased by a switchable voltage source (U var ), and
the increase can be evaluated by an evaluation circuit (ZD1 to ZD3) of the control device for controlling, which is connected to the supply line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE20022841U DE20022841U1 (en) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | Device for motion detection |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE20022841U DE20022841U1 (en) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | Device for motion detection |
| DE10041736A DE10041736C1 (en) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | Device and method for detecting at least one parameter of a movement of parts which are movable relative to one another, in particular for adjusting drives in motor vehicles |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE20022841U1 true DE20022841U1 (en) | 2002-05-08 |
Family
ID=26006808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE20022841U Expired - Lifetime DE20022841U1 (en) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | Device for motion detection |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE20022841U1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007056676A1 (en) * | 2007-11-24 | 2009-05-28 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | To determine at least one function/characteristic of a driver-operated mechanism, at an automobile production line, the theoretic movement path is used with actual movement path data to establish e.g. play |
| DE102008060986A1 (en) * | 2008-12-06 | 2010-06-10 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Motor-driven vehicle adjusting system's adjusting process monitoring method for use during electric motor-driven closing system manufacturing, involves using monitoring parameter as evaluation criterion to evaluate adjusting system quality |
| DE102023204376A1 (en) | 2023-05-11 | 2024-11-14 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Electrical machine with an electronic board arranged in a stator housing |
-
2000
- 2000-08-25 DE DE20022841U patent/DE20022841U1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007056676A1 (en) * | 2007-11-24 | 2009-05-28 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | To determine at least one function/characteristic of a driver-operated mechanism, at an automobile production line, the theoretic movement path is used with actual movement path data to establish e.g. play |
| DE102008060986A1 (en) * | 2008-12-06 | 2010-06-10 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Motor-driven vehicle adjusting system's adjusting process monitoring method for use during electric motor-driven closing system manufacturing, involves using monitoring parameter as evaluation criterion to evaluate adjusting system quality |
| DE102023204376A1 (en) | 2023-05-11 | 2024-11-14 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Electrical machine with an electronic board arranged in a stator housing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4013624C2 (en) | ||
| DE4123828C1 (en) | Contactless proximity switch for machine mounting - has standard connector for transmission of program data e.g. from EEPROM to set parameters of device | |
| DE60303668T2 (en) | DEVICE FOR CONTROLLING ENGINE SPEED-BASED COVER PROTECTION AND METHOD FOR DETECTING AND COMPENSATING BAD TRAFFIC CONDITIONS | |
| DE10145711B4 (en) | Opening and closing control device for a cover | |
| DE3503451A1 (en) | DEVICE FOR AUTOMATIC LIGHTING CONTROL FOR VEHICLES | |
| DE19639974C2 (en) | Device and method for converting from manual to automatic operation for an automatically movable object of a motor vehicle | |
| DE10041736C1 (en) | Device and method for detecting at least one parameter of a movement of parts which are movable relative to one another, in particular for adjusting drives in motor vehicles | |
| DE4307794A1 (en) | Device for monitoring symmetrical two-wire bus lines and bus interfaces | |
| EP1203933B1 (en) | Sensor device for measuring at least one variable | |
| DE102005002679A1 (en) | Wake-up circuit for microcontroller for motor vehicle, generates wake-up signal based on signal change or impedance change at inputs having low-pass characteristic | |
| DE20022841U1 (en) | Device for motion detection | |
| DE102007029824A1 (en) | Device for detecting quadrature signals | |
| DE10047907C1 (en) | Circuit arrangement for detecting the state of at least one electrical actuating element | |
| EP0666957B1 (en) | Electromotive drive | |
| DE10037495B4 (en) | Method and device for detecting a malfunction of a sensor or a line break | |
| DE10041738B4 (en) | Apparatus for detecting at least one characteristic and a direction of movement of parts movable relative to each other and a method for setting a detection device | |
| DE102007029709A1 (en) | Method and device for detecting the direction of rotation of a drive unit | |
| EP1479587B1 (en) | Circuit arrangement for adjusting inductive sensors | |
| EP0396695B1 (en) | Universal output circuit | |
| DE10061025A1 (en) | Multi-position switch in motor vehicle has two contact elements that activate electrical resistances of different values in first positions, each bridged by contact element in second position | |
| DE102008057725A1 (en) | System for adjusting, adjusting and / or programming electronic devices, in particular measuring devices, which have sensors, and circuit arrangements for adjusting, setting or programming electronic elements, such as digital potentiometers | |
| DE19634320A1 (en) | Method and device for testing a memory element | |
| EP1120660B1 (en) | Apparatus and method for evaluating offset voltages of digital signals | |
| DE102006009240B4 (en) | Engine control unit and method for evaluating a sensor current signal | |
| DE102023119641A1 (en) | control device for vehicles |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R207 | Utility model specification |
Effective date: 20020613 |
|
| R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20031007 |
|
| R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years |
Effective date: 20060914 |
|
| R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years |
Effective date: 20080917 |
|
| R071 | Expiry of right |