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DE1922382A1 - Elektronische Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren - Google Patents

Elektronische Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren

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Publication number
DE1922382A1
DE1922382A1 DE19691922382 DE1922382A DE1922382A1 DE 1922382 A1 DE1922382 A1 DE 1922382A1 DE 19691922382 DE19691922382 DE 19691922382 DE 1922382 A DE1922382 A DE 1922382A DE 1922382 A1 DE1922382 A1 DE 1922382A1
Authority
DE
Germany
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voltage
field effect
matrix device
switching
output
Prior art date
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Granted
Application number
DE19691922382
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English (en)
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DE1922382C3 (de
DE1922382B2 (de
Inventor
Hans-Joachim Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Felten and Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH
Original Assignee
Tekade Felten and Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH
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Publication date
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Priority to DE19691922382 priority Critical patent/DE1922382C3/de
Publication of DE1922382A1 publication Critical patent/DE1922382A1/de
Publication of DE1922382B2 publication Critical patent/DE1922382B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1922382C3 publication Critical patent/DE1922382C3/de
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Elektronische -Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren Für die Durchschaltung von mehreren ankommenden und abgehenden Leitungen sind in der Nachrichtentechnik Koppelfeldeinrichtungen gebräuchlich. An den Verbindungsstellen der Leitungen, die Koppelpunkte genannt werden, sind z.B. Drucktasten, Relais, Dioden oder Transistoren als Koppelelemente üblich.
  • Die Erfindung betrifft eine Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren als Koppelelemente; sie ist dadurch gekennzeichnet, daß für jeden Koppelpunkt ein yeldeffekttransistor vorgesehen ist, dessen Drain-Anschluß mit der nicht geerdeten Ader einer der ankommenden leitungen verbunden ist, dessen Bulk-Anschluß mit dem Bezugspunkt der Schaltung verbunden ist, dessem Gate-Anschluß die zum Betätigen des Koppelelementes erforderliche Schaltspannung, gegebenenfalls über ein Entkopplungsnetzwerk, zugeführt ist, dessen Source-Anschluß mit dem hochohmigen Eingang eines der Ausgangsverstärker verbunden ist, die Gleichspannungsverstärker sind und daß der jeweilige Ausgangsverstärker durch einen leitend geschalteten Feldeffekttransistor in Betrieb gesetzt wird, indem mit dem Signal über den Feldeffekttransistor hinweg eine-Gleichspannung an den Eingang des Ausgangsverstärkers gelangt.
  • Es ist bekannt, daß Peldeffekttransistoren als Schalter verwendet werden können z.B. auf anderen Gebieten der Nachrichtentechnik als Schalter zur Modulation oder in Zerhackeranordnungen.
  • Die Erfindung und ihre Einzelheiten werden anhand der Abbildungen für einige Ausführungsbeispiele im folgenden näher erläutert: Fig.1 zeigt das Prinzipschaltbild eines Koppelfeldes, bei dem die leitungen 1, 2, 3, 4...n wahlweise mit den Leitungen a, b, c...m verbunden werden können. In den abgehenden leitungen sind Verstärker A, B... mit hochohmigen Eingängen vorgesehen, damit bei Bedarf mehrere abgehende leitungen mit nur einer ankommenden Leitung ohne gegenseitige Beeinflussung verbunden werden können. Die als Koppelelemente dienenden Feldeffekttransistoren FET sind durch ein Schaltsymbol angedeutet.
  • Fig.2 zeigt an einem Ausschnitt aus diesem Koppelfeld -etwa die Verbindung der Leitung 1 mit der Leitung b über den Verstärker B - wie der Koppelpunkt nach der Erfindung im einzelnen aufgebaut ist. Ein auf der Leitung 1 ankommendes Signal gelangt über den Koppelkondensator Co an den Drain-Anschluß des Feldeffekttransistors FET. Der Bulk-Anschluß Bu ist mit dem Bezugspunkt (-) der Schaltung verbunden, dem Gate-Anschluß Ga wird über die Widerstände R3 und R4 eine Sperrspannung zugeführt, die bei Betätigung des Schalters S aufgehoben werden kann, indem der Verbindungspunkt der Widerstände R3 und R4 mit dem positiven Anschluß der Betriebsspannungsquelle verbunden wird. Dadurch wird-der Feldeffekttransistor leitend und das Signal kann vom Source-Anschluß So dem Eingang eines Ausgangs-Gleichspannungs-Varstärkers B zugeführt werden.
  • Dieser Verstärker besteht aus den beiden Transistoren T1 und T2 und den Widerständen R5, R6, R7, R8. Die Widerstände R6 und R7 dienen zur Gegenkopplung und machen den Eingang des Verstärkers ausreichend hochohmig; denn der Eingangswiderstand eines solchen Verstärkers muß so hochohmig sein, daß die gewünschte Anzahl von Verstärkern gleichzeitig an eine ankommende Leitung angeschaltet werden kann, ohne daß sie sich gegenseitig beeinflussen. Der Ausgang des Verstärkers ist mit der abgehenden Leitung b verbunden, wobei der Widerstand R8 zur Anpassung an den Z-Wert der abgehenden Leitung dient.
  • Nach einem Teilmerkmal der Erfindung gelangt mit dem Signal über den Feldeffekttransistor hinweg eine Gleichspannung an den Eingang des Ausgangsverstärkers, um diesen dadurch funktionsfähig zu schalten. Diese Gleichspannung muß mindestens so groß sein, daß alle Augenblickswerte des Signals nur eine Polarität gegen den Bezugspunkt aufweisen. Bei manchen Fernsehsignalen ist diese Forderung ohnehin erfüllt, so daß in diesem Fall der Koppelkondensator Co entfallen kann. Bei anderen Signalen, die noch keine ausreichende Gleichspannungskomponente enthalten, kann diese - wie in Pig.2 dargestellt --über einen Spannungsteiler R2 -zugesetzt werden. Bei durchgeschaltetem Feldeffekttransistor gelangt diese Gleichspannung an die Basis des Transistors T1 und macht ihn damit funktionsfähig für die Verstärkung des Signals.
  • Der Sperrwiderstand von Feldeffekttransistoren ist außerordentlich groß. Bei höheren Prequenzen ist die Sperrwirkung eines Feldeffekttransistors hauptsächlich durch die Kapazitäten zwischen den Elektroden bestimmt.
  • Fig.3 zeigt das für höhere Prequenzen geltende Ersatzschaltbild eines Koppelpunktes unter Berücksichtigung der Teilkapazitäten zwischen den Elektroden. Die Spannung U stellt die von einer Eingangsleitung her ankommende Signalspannung dar, die von dem Feldeffekttransistor FET vom Lastwiderstand RL ferngehalten werden soll, wenn das Koppelelement gesperrt ist. Über die Kapazitäten C1 bis C6 gelangen jedoch Hochfrequenzanteile auf den Widerstand R. Durch den geerdeten Bulk-Anschluß sind die Kapazitäten C2 und C3 mit Masse verbunden und tragen zur Kopplung zwischen Ein- und Ausgang nicht mehr bei. Wird der Gate-Anschluß wechselstrommäßig durch eine zusätzliche Kapazität C7, die groß gegen jede der Teilkapazitäten C1 bis C6- ist, geerdet, so sind auch noch die Kapazitäten C5 und C6 sowie C4 für die Übertragung vom Eingang zum Ausgang unwirksam. Als Koppelkapazität verbleibt nur noch Ci.
  • Diese Kapazität ist aber im wesentlichen die Kapazität zwischen den beiden Anschlüssen und ohnehin sehr klein; ihr Einfluß kann durch AbschirmmaBnahmen noch weiter verringert werden. Dadurch wird auch bei sehr hohen Frequenzen eine gute Entkopplung zwischen Eingang und Ausgang des Koppelelements erzielt. Für den Fall, daß ein Feldeffekttransistor verwendet wird, der noch weitere Elektroden hat, z.B. noch einen weiteren Gate-Anschluß, müssen sinngemäß diese weiteren Anschlüsse mindestens wechselstrommäßig ebenfalls geerdet werden, um bei höheren Frequenzen eine gute Entkopplung zwischen Ausgang und Eingang zu erreichen.
  • Es ist gelegentlich nötig, vorhandene Koppelfeldeinrichtungen zum Schalten weiterer Leitungen zu erweitern (Fig.4), Dazu ist es erforderlich, daß die Koppelfeldeinrichtungen parallel schaltbare Eingänge haben; das kann auf bekannte Weise dadurch erreicht werden, daß die ankommenden Leitungen an den Eingängen durchgeschleift werden und nur am letzten Koppelfeld abgeschlossen sind. Ferner ist es nötig, daß Ausgänge parallelgescha°ltet werden müssen; in diesem Fall ist aber immer nur einer der parallelgeschalteten Verstärker in Betrieb; die anderen sind ausgeschaltet-, weil ihre Koppelelemente nicht benutzt sind. Dennoch können die ausgeschalteten Verstärker den in Betrieb befindlichen Verstärker belasten, weil sie auch im ausgeschalteten Zustand einen nicht vernachlässigbaren inneren Widerstand haben. Zur Vermeidung dieser Belastung wird in Weiterbildung der Erfindung in die Ausgangsleitungen der Ausgangsverstärker je eine Diode D2 (Fig.2) geschaltet, die jene zusätzliche Belastung verhindert. Zum Ausgleich der durch diese Diode entstehenden nichtlinearen Verzerrungen ist im Gegenkopplungsweg eine weitere Diode D1 vorgesehen.
  • Die Eingänge der erfindungsgemäßen Koppelfeldeinrichtung werden ferner zweckmäßigerweise so ausgestaltet, daß sie wahlweise hochohmig oder mit dem Wellenwiderstand der Leitung abschließbar sind. Für Koppelfeldeinrichtungen, die bis zu sehr hohen Frequenzen einsetzbar sein sollen, kann es vorteilhaft sein, auch an die Eingänge der Koppelfeldeinrichtung Verstärker zu legen, die einen niedrigen Innenwiderstand haben.
  • Diese Verstärker müssen demzufolge ebenfalls Gleichspannungsverstärker sein, damit ihr Arbeitspunkt beim Durchschalten des Feldeffekttransistors gleichzeitig die Arbeitspunkteinstellung des entsprechenden Ausgangsverstärkers einstellt.
  • Wenn das Koppelfeld Signale schalten soll) die impuls-artigen Charakter haben und nur die Kriterien "ein" oder "aus" enthalten, kann auf Analogverstärker in den Ein- und Ausgängen verzichtet werden. an ihrer Stelle- können Triggeranordnungen verwendet werden. In diesem Pall ist es dann möglich, mit dem Koppelfeld Spannungen zu übertragen, die wesentlich höher als die zulässigen Sperrspannungen des Feldeffekttransistors sind, denn zum Ansteuern der Trigger sind nur relativ kleine Spannungen nötig, sie können aber größere Spannungen abgeben.
  • In Fig.2 wird der Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors über die Widerstände R3 und R4 mit der Spannung U verbunden und dadurch gesperrt, solange der Schalter S offen ist. Es ist natürlich auch möglich, für eine ständige Durchschaltung des Feldeffekttransistors zu sorgen und durch Betätigen eines Schalters den Feldeffekttransistor zu sperren. Beide Möglichkeiten sind gleichwertig und hängen vom jeweiligen Verwendungszweck ab. Ferner können andere Typen von Feldeffekttransistoren verwendet werden, z.B. solche, die selbst sperren oder selbst öffnen, wenn ihre Gate-Elektrode mit dem Bezugspotential verbunden ist.
  • Da der Gate-Eingangswiderstand eines Feldeffekttransistors außerordentlich hoch ist, kann man in die Zuleitungen zum Gate-Anschluß große.Widerstände mit zusätzlichen Kondensatoren schalten, die die einzelnen Schaltleitungen zum Gate-Anschluß gut voneinander entkoppeln.
  • Die Beschreibung der Erfindung bezog sich bisher auf Koppelfeldeinrichtungen, die unsymmetrisch aufgebaut sind. Natürlich läßt sich die ganze Anordnung symmetrisch machen, indem beispielsweise die Schaltung spiegelbildlich aufgebaut wird. Ferner können die Verstärker mit symmetrischen Eingängen bzw. Ausgängen versehen sein, wobei die Koppelelemente selbst weiterhin unsymmetrisch schalten. Bei diesen beiden Varianten haben die symmetrischen Eln- und Ausgänge zwangsläufig eine Mittelpunkterdung. Sind die Leitungen potentialfrei und symmetrisch geführt, so können Übertrager zum Symmetrieren benutzt werden.
  • In diesem Fall muß bei den Ausgangsverstärkern dafür gesorgt werden, daß der Gleichstrom so fließt, als ob ein ohmscher Abschluß vorhanden wäre; dazu muß in Reihe mit dem Übertrager ein Widerstand R8'= R8 eingefügt und mit einem ausreichend großen Kondensator überbrückt werden (Fig.5). Im Falle der Zusammenschaltung mehrerer Koppelfeldeinrichtungen, z.B. wie in Fig.4, genügt ein Übertrager pro Leitung; die Ausgangsverstärker werden vor dem Übertrager zusammengefaßt, damit die gegenseitige Entkopplung durch die Dioden D2 weiterhin gewährleistet ist.
  • Koppelfeldeinrichtungen nach der Erfindung weisen folgende technische Vorteile auf: Da ein Ausgangsverstärker erst mit eingeschaltetem Koppelelement in Betrieb gesetzt wird, sind die nicht benutzten abgehenden Leitungen besonders gut von den signalführenden Eingangsleitungen entkoppelt. Würden die Ausgangsverstärker der nicht benutzten Ausgangsleitungen eingeschaltet bleiben, so müßte der Sperrwiderstand der beteiligten.Koppelelemente extrem hoch sein, um eine ausreichende Entkopplung zu bewirken.
  • Ein weiterer Vorteil der Durchschaltung eines mit Gleichspannung überlagerten Nutzsignales ergibt sich zusammen mit der Methode, den Bulk-Anschluß an den Bezugspunkt anzuschließen.
  • Dadurch wird die sperrbare Signalspannung ,so groß wie die Signalspannung selbst, während bsi der üblichen Betriebsart, bei der der Bulk-Anschluß mit dem Source-Anschluß verbunden ist oder nur Signal-Wechselspannungen geschaltet werden, die sperrbare negative Spannung nur ca. 0,7 V beträgt.
  • Koppelfeldeinrichtungen nach der Erfindung sind für sehr breite Frequenzbänder verwendbar und benötigen pro Koppelpunkt nur einen sehr geringen Raum, so daß die einzelnen Koppelelemente sehr dicht nebeneinander angeordnet werden können und Verbindungsleitungen üblicher Art entfallen. Ferner ist die pro Koppelelement benötigte Steuerleistung sehr gering.
  • Bei Betriebsspannungsausfall sind alle abgehenden leitungen in erwünschter Weise gesperrt, da alle Ausgangsverstärker ebenfalls außer Betrieb sind.

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    01. Elektronische Koppelfeldeinrichtung für die beliebige Durchechaltung -unsymmetrischer Leitungen mit Feldeffekttransistoren als Koppenelemente und mit Verstärkern in den abgehenden Leitungen, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden Koppelpunkt ein Feideffekttransistor (FEST) vorgesehen ist, dessen Drain-Anschluß (Dr) mit der nicht geerdeten Ader einer der ankommenden Leitungen verbunden ist, dessen Bulk-Anschluß (Bu) mit dem Bezugspunkt der Schaltung (-) verbunden ist, dessert Gate-Anschluß (Ga) die zum Betätigen des Koppelelementes erforderliche Schaltspannung, gegebenenfalls über ein Entkopplungsnetzwerk, zugeführt ist, dessen Source-Anschluß (So) mit dem hochohmigen Eingang eines der Ausgangsverstärker (A, B...) verbunden ist, die Gleichspannungsverstärker sind, und daß der jeweilige Ausgangsverstärker durch einen leitend geschalteten Feldeffekttransistor in Betrieb gesetzt-wird, indem mit dem Signal über den Feldeffekttransistor hinweg eine Gleichspannung an den Eingang des Ausgangsverstärkers gelangt.
  2. 2. Koppelfeldeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gate-Anschluß (Ga) wechselstrommäßig mit dem Bezugspunkt der Schaltung (-) verbunden ist.
  3. 3. Koppelfeldeinrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Feldeffekttransistoren mit weiteren Elektroden diese zumindest wechselstromuiäßig mit dem Bezugspunkt der Schaltung verbunden sind.
  4. 4. Koppelfeldeinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzcicimet, daß die Ausgangsverstarker neben dem gleichstroraführenden Ausgangsweg einen gleichstromführenden Gegenkopplungsweg (R7, R8) aufweisen und daß in jedem dieser Wege zumindest eine Diode (Di, D2) in Flußrichtung eingeschaltet ist.
  5. 5. Koppelfeldeinrichtung nach den Ansprüchen 1 bis A, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Signal an den Ausgangsverstärker gelangende Gleichspannung im alle, daß die ankommenden Signale Wechselspannungssignale sind, einem Spannungsteiler (Ri, R2) entnommen und dem Drain-Anschluß (Dr) zugeführt wird.
  6. 6. Koppelfeldeinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Spannungsteiler und dem Drain-Anschluß ein Gleichspannungsverstärker vorgesehen ist, dessen Ausgangswiderstand klein gegen deS Widerstand des geöffneten Peldeffekttransistors ist.
  7. 7. Koppelfeldeinrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler und gegebenenfalls der Eingang des Gleichspannungsverstärkers wahlweise hochohmig gegen den Wellenwiderstand der ankommenden Leitung oder an den Wellenwiderstand der Leistung anpaßbar sind.
  8. 8. Koppelfeldeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Anwendung der Koppelfeldeinrichtung zur Durchschaltung von Impulsen der Ausgangsverstärker durch eine Triggeranordnung ersetzt ist.
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Publications (3)

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DE1922382B2 DE1922382B2 (de) 1973-07-05
DE1922382C3 DE1922382C3 (de) 1978-03-30

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2123395A1 (de) * 1971-05-12 1972-11-02 Tekade Feiten & Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH, 8500 Nürnberg Elektronische Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren
FR2365263A1 (fr) * 1976-09-16 1978-04-14 Labo Cent Telecommunicat Perfectionnements aux etages de commutation electroniques
US4371797A (en) * 1979-05-04 1983-02-01 Robert Bosch Gmbh Circuit for decreasing the effect of parasitic capacitances in field effect transistors used in coupling networks
FR2561836A1 (fr) * 1984-03-20 1985-09-27 Constr Telephoniques Circuit de commutation de signaux de haute frequence
DE3534181A1 (de) * 1985-09-25 1987-03-26 Siemens Ag Schalter-chip und anwendung des zwei schalter aufweisenden schalter-chip

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2123395A1 (de) * 1971-05-12 1972-11-02 Tekade Feiten & Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH, 8500 Nürnberg Elektronische Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren
FR2365263A1 (fr) * 1976-09-16 1978-04-14 Labo Cent Telecommunicat Perfectionnements aux etages de commutation electroniques
US4371797A (en) * 1979-05-04 1983-02-01 Robert Bosch Gmbh Circuit for decreasing the effect of parasitic capacitances in field effect transistors used in coupling networks
FR2561836A1 (fr) * 1984-03-20 1985-09-27 Constr Telephoniques Circuit de commutation de signaux de haute frequence
DE3534181A1 (de) * 1985-09-25 1987-03-26 Siemens Ag Schalter-chip und anwendung des zwei schalter aufweisenden schalter-chip

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