DE19936569A1 - Herstellung von porösem Silicium - Google Patents

Abstract

Eine poröse Siliciumoberfläche wird hergestellt durch Hindurchbewegen von platten- oder strangförmigem Siliciummaterial (1) durch ein Bad (5), in dem eine elektrolytische Behandlung abläuft. Das Elektrolytbad (5) kann sich in einer Wanne an der Oberfläche des Siliciummaterials befinden, auf diese aufgestrahlt oder -gewalzt werden, oder das Material wird in das Bad getaucht und hindurchgezogen.

Description

Die Erfindung betrifft die Herstellung von porösem Silicium, zum Beispiel für Dünnschichtsolarzellen, auf großflächigen, insbesondere nicht runden Substraten für die Massenproduktion.

Stand der Technik

Poröses Silicium kann durch ein elektrochemisches Ätzverfahren aus einkristallinem, polykristallinem oder amorphem Silicium hergestellt werden. Ein hierfür verwendetes Elektrolytbad ist im allgemei­ nen flußsäurehaltig und zur Verringerung der Ober­ flächenspannung zum Beispiel mit Ethanol versetzt. Üblicherweise werden kreisrunde, monokristalline Wafer aus der Halbleiterherstellung eingesetzt. Um deren Oberflächen porös zu machen, ist ein Einzel­ wäferverfahren bekannt, bei dem der Wafer den Elek­ trolyten in zwei elektrisch getrennte Kammern teilt. Durch Elektroden in den Kammern wird der elektrische Strom bereitgestellt. Wenn die Wafer­ rückseite mit Metall beschichtet ist, kann auch nur eine einzelne Kammer an der Wafervorderseite für den Elektrolyten vorgesehen werden, und an der Rückseite des Wafers wird ein gewöhnlicher Metall­ kontakt, zum Beispiel ein Federkontakt verwendet.

Diese üblichen runden Wafer sind für Anwendungen im Bereich der Photovoltaik unzweckmäßig, denn um eine zur Verfügung stehende Oberfläche möglichst voll­ ständig mit Silicium-Solarzellen zu füllen, müssen diese eine Gestalt haben, die eine vollständige Pflasterung einer Ebene erlaubt. Zwar lassen aus runden Wafern mit mäßigem Flächenverlust sechsecki­ ge Elemente schneiden, wenn diese aber zu einem rechteckigen Modul zusammengesetzt werden sollen, bleiben an den Rändern zwangsläufig Flächen unge­ nutzt. Ein Zuschneiden in eine Rechteckform ist aufgrund der damit verbundenen hohen Flächenverlu­ ste wenig wirtschaftlich.

Da bei Photovoltaik-Anwendungen keine Einkristalli­ nität des verwendeten Siliciummaterials erforder­ lich ist, können polykristalline Siliciumplatten verwendet werden, deren Abmessungen wesentlich grö­ ßer sein können als die von typischen Wafern.

Bei der Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen wird zunächst die Oberfläche einer Siliciumplatte porös gemacht, und anschließend auf der durch die Porosität definierten Sollbruchstelle Silicium epi­ taktisch aufgewachsen oder Poly- oder α-Silicium mit abschließender Rekristallisation deponiert. Die so entstehende Dünnschicht wird anschließend zur Weiterverarbeitung an der Sollbruchschicht abgeho­ ben.

Des weiteren können poröse Siliciumschichten als Rückseitenreflektor für Dünnschichtsolarzellen ein­ gesetzt werden. Zu diesem Zweck werden zum Beispiel an der Rückseite einer Solarzelle mehrere Schichten aus porösem Silicium mit unterschiedlichen Bre­ chungsindizes und an das gewünschte Reflexionsver­ halten angepaßten Schichtdicken hergestellt.

Poröse Siliciumschichten können auch als Getterma­ terial zwischen einer Epitaxieschicht und einem Substrat dienen und so bei Verwendung von unsaube­ ren Substraten eine Verunreinigung der Epitaxie­ schicht verhindern.

Wenn poröses Silicium als Reflektor oder Getterma­ terial eingesetzt wird, muß es nicht zwangsläufig auch als Sollbruchstelle dienen.

Vorteile der Erfindung

Durch die vorliegende Erfindung werden Verfahren und Vorrichtungen geschaffen, die eine großflächige Herstellung von porösem Silicium in einem kontinu­ ierlichen Prozeß erlauben. Zu diesem Zweck ist es vorgesehen, das zu behandelnde Siliciummaterial, das Platten- oder Strangform haben sollte, kontinu­ ierlich entlang des Elektrolytbades zu fördern. Die zu einem gegebenen Zeitraum in der Behandlung be­ findliche Oberfläche macht zumeist nur einen gerin­ gen Teil der Gesamtoberfläche des Siliciummaterials aus. So können große Flächen in einer kompakten Vorrichtung bearbeitet werden. Dabei werden vor­ zugsweise Wischlippen eingesetzt, um einen Kontakt­ bereich zwischen dem Siliciummaterial und dem Elek­ trolytbad zu begrenzen. Diese örtliche Begrenzung entspricht im Zusammenwirken mit der Bewegung des Silciummaterials entlang des Bades einer exakten zeitlichen Begrenzung der Einwirkung des Elektro­ lytbades auf die Oberfläche und erlaubt es so, das Ausmaß der Porenbildung zu dosieren.

Eine erste bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die Wischlippen zusammen mit der re­ lativ zu dem Wischlippen bewegten Oberfläche des Siliciummaterials eine Wanne bilden, in der das Elektrolytbad steht. Die Oberfläche des Siliciumma­ terials bildet hier gleichsam den Boden der Wanne, der im Laufe Behandlung unter dem Elektrolytbad hindurchgezogen wird.

Eine zweite bevorzugte Ausgestaltung sieht die Ver­ wendung eines Elektrolytstrahls vor, der durch eine Düse auf die Oberfläche gelenkt wird. Man erzielt so einen kontinuierlichen Austausch des Elektroly­ ten an der Oberfläche, und die chemischen Bedingun­ gen an der Oberfläche lassen sich auch während ei­ nes langandauernden Behandlungsprozesses leicht konstant halten.

Der Elektrolytstrahl sollte dabei vorzugsweise ei­ nen quer zur Transportrichtung des Siliciummateri­ als langgestreckten, linienförmigen Querschnitt ha­ ben, um eine Behandlung des Siliciummaterials auf seiner gesamten Breite in einem Durchgang zu ermög­ lichen. Die Düse kann gleichzeitig als Elektrode für den Elektrolyseprozeß dienen.

Eine weiter bevorzugte Ausgestaltung sieht die Ver­ wendung einer mit dem Elektrolytbad befeuchtbaren Walze vor, die auf dem Siliciummaterial abrollt, so daß der Elektrolyseprozeß im Kontaktbereich zwi­ schen der Walze und dem Siliciummaterial ablaufen kann. Die Walze erstreckt sich ebenfalls vorzugs­ weise über die gesamte Breite des Siliciummateri­ als. Sie kann gleichzeitig als Elektrode dienen. Für einen kontinuierlichen Austausch des Elektro­ lytbades sind vorzugsweise Mittel zum Besprühen oder Beträufeln der Walze mit dem Elektrolytbad vorgesehen.

Der Transport des Siliciummaterials während des Elektrolysevorgangs erfolgt vorzugsweise mit Hilfe von Rollen, von denen wenigstens eine eine Gegene­ lektrode bildet.

Eine vierte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß das Elektrolytbad in einer Wanne enthalten ist, in die ein gebogener Abschnitt des Siliciummateri­ als eintaucht. Dieser Abschnitt unterteilt das Elektrolytbad in der Wanne in zwei Teilvolumina, die vorzugsweise zusätzlich durch Dichtlippen ge­ geneinander elektrisch isoliert sind, die das Sili­ ciummaterial an seinen Längsrändern führen.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausfüh­ rungsbeispielen mit Bezug auf die Figuren.

Figuren

Die beigefügten Fig. 1 bis 4 zeigen jeweils Vor­ richtungen zum Erzeugen einer porösen Oberfläche auf Siliciummaterial gemäß verschiedenen Ausgestal­ tungen der Erfindung.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

Fig. 1 zeigt schematisch ein erstes Ausführungs­ beispiel der Erfindung. Eine Bahn 1 aus Siliciumma­ terial wird in einer Ätzvorrichtung über eine Mehr­ zahl von Rollen 2, 3 geführt, von denen die Rollen 3 jeweils mit einem positiven elektrischen Potential leitend verbunden sind. Um einen guten elektrischen Kontakt zwischen den metallischen Rollen 3 und dem Siliciummaterial 1 zu gewährleisten, wird vorzugs­ weise hoch dotiertes (p⁺)-Silicium verwendet, oder die in Kontakt mit den Rollen 3 stehende Rückseite des Siliciummaterials 1 ist hoch dotiert. An der Oberseite des Siliciummaterials 1 sind eine Mehr­ zahl von Wischlippen 4 quer zur Transportrichtung angeordnet, die zusammen mit nicht dargestellten Begrenzungen an den Seitenrändern des Siliciummate­ rials flache Wannen begrenzen, die ein Elektrolyt­ bad 5 aufzunehmen vermögen. Die Höhe des Elektro­ lytbads kann einige wenige Millimeter betragen. In das Elektrolytbad 5 tauchen jeweils Kathoden 6 ein. Während einer Elektrolysebehandlung der Oberfläche des Siliciummaterials kann somit ein Strom von den Rollen 3 durch das Siliciummaterial 1, das Elektro­ lytbad 5 zu der Kathode 6 fließen.

Je nach Leitfähigkeit des Siliciummaterials 1 und des Elektrolytbades 5 können unterschiedliche For­ men von Kathoden verwendet werden. Wenn die Leitfä­ higkeit des Siliciummaterials und des Elektrolytba­ des gut ist, kann es ausreichen, wenn die Kathode 6 an einem einzigen Punkt in das Bad eintaucht, wie links in Fig. 1 gezeigt. Komplementär dazu ist von den das Siliciummaterial im Bereich des Elektrolyt­ bades unterstützenden Rollen nur eine 3 an das po­ sitive Potential angeschlossen.

Eine gleichmäßigere Verteilung der Stromdichte über die Breite des Siliciummaterials hinweg läßt sich mit einer stabförmigen, sich im wesentlichen senk­ recht zur Ebene der Zeichnung über die Breite des Siliciummaterials 1 hinweg erstreckenden Kathode 6 erzielen.

Wenn die Leitfähigkeit des Elektrolytbades und/oder des Siliciummaterials zu gering ist, um auf diese Weise eine gleichmäßige Intensität der Elektrolyse­ behandlung auf der behandelten Oberflächen zu er­ zielen, kann eine an mehreren Stellen eintauchende Kathode 6' verwendet werden, wie in der Mitte von Fig. 1 gezeigt, oder es kann eine platten- oder gitterartig ausgebildete Kathode eingesetzt werden, wie rechts in der Figur gezeigt. In beiden Fällen sind jeweils sämtliche das Siliciummaterial 1 im Bereich des Elektrolytbades unterstützenden Rollen 3 an das positive Potential angeschlossen, um eine gleichmäßige Stromdichte auch innerhalb des Silici­ ums zu gewährleisten.

Die Elektrolysebehandlung kann stattfinden, während sich das Siliciummaterial 1 gleichmäßig in der durch den Pfeil 7 bezeichneten Transportrichtung unter dem Elektrolytbad 5 hindurchbewegt, es ist aber auch möglich, das Material 1 während der Zei­ ten eines Stromflusses zeitweilig zu stoppen und so eine felderweise auf Bereiche in der Größe der Wan­ nen beschränkte Behandlung durchzuführen.

Wie in der Figur gezeigt, können mehrere Bäder mit gegebenenfalls unterschiedlichen Elektrolytbädern, in Transportrichtung hintereinander angeordnet sein, um eine stufenweise Behandlung des Siliciums durchzuführen. Durch die Wischlippen 4 wird die Si­ liciumoberfläche gereinigt, wenn sie den Bereich einer Wanne verläßt, so daß die Elektrolytbäder sich nicht vermischen. Zu diesem Zweck können auch zusätzliche (nicht dargestellte) Spül- und Reini­ gungseinrichtungen zwischen zwei Wannen vorgesehen sein.

Durch stufenweise Behandlung, zum Beispiel mit un­ terschiedlichen Stromdichten, können die Eigen­ schaften der bearbeiteten Siliciumoberfläche wie etwa der Porositätsgradient beziehungsweise die Verteilung von Schichten unterschiedlicher Porosi­ tät eingestellt werden.

Fig. 2 zeigt eine zweite Ausgestaltung einer Vor­ richtung zum Erzeugen einer porösen Silicumoberflä­ che gemäß der Erfindung. Wie im Fall der Fig. 1 umfaßt die Vorrichtung eine Mehrzahl von Rollen 2, 3, auf denen das zu bearbeitende Siliciummaterial 1 in Transportrichtung 7 durch die Vorrichtung ge­ fördert wird. Die Rollen 3 sind wiederum an ein po­ sitives Potential angeschlossen. Ein Becken 10 mit einem Elektrolytbad 5 darin ist unterhalb der Bahn aus Siliciummaterial angeordnet. An das Becken 10 ist eine Rohrleitung 11 angeschlossen, über die ei­ ne nicht dargestellte Pumpe Elektrolytbad 5 absaugt und Düsen 12 zuführt, die oberhalb des Siliciumma­ terials 1 angeordnet und auf dieses ausgerichtet sind. Die Düsen 12 haben jeweils einen quer zur Transportrichtung 7 langgestreckten Querschnitt und erzeugen einen Strahl 13 aus Elektrolytbad mit ei­ nem linienförmigen Querschnitt, der sich im wesent­ lichen über die gesamte Breite des Siliciummateri­ als 1 erstreckt. Der Strahl 13 trifft auf die zu ätzende Siliciumoberfläche zwischen zwei Wischlip­ pen 4, die ein Auseinanderfließen des Elektrolyten auf der Oberfläche in der Transportrichtung 7 be­ grenzen. Überschüssiges Elektrolytbad läuft von den Seitenrändern des Siliciummaterials 1 zurück in das Becken 10, wie durch Tropfen 14 in der Figur ange­ deutet.

Die Düsen 12 haben wenigstens zum Teil leitfähige, mit dem Elektrolyten in Kontakt stehende Oberflä­ chen, zum Beispiel aus Platin, die an ein negatives Potential angeschlossen sind und somit die Kathode des Elektrolyseprozesses bilden. Die Elektrolyse läuft an der Oberfläche des Siliciummaterials 1 im wesentlichen in einem streifenförmigen Bereich 15 ab, auf den der Strahl 13 auftrifft. Direkt unter­ halb dieses Bereichs 15 ist das Siliciummaterial 1 durch eine auf positivem Potential liegende Rolle 3 abgestützt.

Wie im Falle der Fig. 1 ist eine mehrstufige Be­ handlung mit Hilfe von mehreren in Transportrich­ tung hintereinanderliegenden Strahlen 13 möglich.

Fig. 3 zeigt eine Abwandlung der Vorrichtung aus Fig. 2. Die Anordnung von Rollen 2, 3 zum Abstützen und Fördern des Siliciummaterials 1, das Becken 10 mit Elektrolytlösung 5 sowie die Rohrleitung 11 sind die gleichen wie beim Ausführungsbeispiel der Fig. 2. Die Düsen 12 sind durch Austrittsöffnungen 20 ersetzt, aus denen Elektrolyt auf Walzen 21 tropft, die mit der zu ätzenden Oberfläche des Si­ liciummaterials 1 in Kontakt stehen und entspre­ chend der Fortbewegung des Siliciummaterials 1 in Transportrichtung 7 rotieren. Die Walzen haben ei­ nen metallischen Kern 22, der jeweils mit einem ne­ gativen Potential verbunden ist und so die Kathode des Elektrolyseprozesses bildet, und eine den Kern 22 umgebende Mantelschicht 23, die ein Speicherver­ mögen für die Elektrolytlösung besitzt und zum Bei­ spiel von schwammiger Konsistenz ist. Der Elektro­ lyt wird durch die Öffnung 20 von oben auf die Wal­ ze 21 gleichmäßig über deren Länge verteilt aufge­ tropft oder -gesprüht.

Die mit dem positiven Potential verbundenen Rollen 3 sind gegenüber den Walzen 21 an der Unterseite des Siliciummaterials 1 plaziert, so daß der Elek­ trolysestrom auf kürzestem Wege senkrecht durch das Siliciummaterial 1 fließen kann und die Elektrolyse im wesentlichen auf den streifenförmigen Bereich beschränkt ist, wo sich die Walze 21 und das Sili­ ciummaterial 1 berühren. Von der Walze 21 abflie­ ßender Elektrolyt, in der Figur als dünne Flüssig­ keitsschicht 24 dargestellt, verteilt sich in der Nachbarschaft der Walze 21 zwischen quer zur Trans­ portrichtung orientierten Wischlippen 4, und über­ schüssiger Elektrolyt 14 tropft in die Wanne 10 zu­ rück.

Auch bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Silici­ ummaterial 1 wenigstens an seiner Unterseite stark p-dotiert, um einen guten Stromfluß zwischen den Rollen 3 und dem Siliciummaterial 1 zu gewährlei­ sten.

Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei der das Siliciummaterial durch ein mit Elektrolytbad 5 gefülltes Ätzbecken 30 geführt wird. In Transportrichtung 7 vor und hinter dem Ätzbecken 30 ist das Siliciummaterial durch Rollen 2 unterstützt. Im Bereich des Beckens hängt es auf­ grund seines Eigengewichts nach unten durch oder durch nicht eingezeichnet Rollen nach unten ge­ drückt und bildet so einen reversibel gebogenen Ab­ schnitt, der in das Elektrolytbad 5 eintaucht. Zwei Gegendruckrollen 31 an der Oberseite des Materials 1 verhindern, daß sich das Material 1 infolge der Durchbiegung stellenweise von den Rollen 2 abhebt. Die Elektroden 32, 33 sind oberhalb und unterhalb des Siliciummaterials 1 im Becken 30 so verteilt, daß ein homogener Stromfluß durch den eingetauchten Abschnitt realisiert wird.

Es können auch jeweils Gruppen von Elektroden 32, 33 zusammengefaßt und mit unterschiedlichen Stromstär­ ken beaufschlagt sein, um so im Becken 30 in Trans­ portrichtung 7 Bereiche unterschiedlicher Strom­ dichte zu realisieren, und so eine stufenweise Be­ handlung des Siliciummaterials 1 durchzuführen.

Die Breite des Beckens 30 senkrecht zur Ebene der Figur entspricht genau der Breite des Siliciummate­ rials 1, so daß an dessen Rändern allenfalls mini­ male offene Querschnitte bleiben, über die ein Strom zwischen den Elektroden 32, 33 unter Umgehung des Siliciummaterials 1 fließen kann. Um solche Ne­ benschlüsse gänzlich zu vermeiden, können Dichtlip­ pen an den Seitenwänden des Beckens 30 der Kontur des Siliciummaterials 1 folgend vorgesehen werden, zwischen denen die Ränder des Siliciummaterials bei seinem Durchlauf durch das Becken 30 dicht gehalten werden.

Die mit Hilfe der beschriebenen Vorrichtungen be­ ziehungsweise Verfahren erhaltenen porösen Silici­ umflächen können, wie zu Beginn der Beschreibung dargelegt, verwendet werden, um dünne Silicium­ schichten großflächig darauf aufwachsen zu lassen, die für die Herstellung von photovoltaikschen Ele­ menten eingesetzt werden können.

Claims (21)

1. Verfahren zum Erzeugen einer porösen Silicium­ oberfläche durch elektrolytisches Behandeln einer massiven Siliciumoberfläche mit einem Elektrolytbad (5), dadurch gekennzeichnet, daß platten- oder strangförmiges Siliciummaterial (1) durch das Bad (5) hindurchbewegt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Elektrolytbad (5) an der Oberfläche des Siliciummaterials (1) durch Wischlippen (4) lo­ kal eingegrenzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Wischlippen (4) und die relativ zu den Wischlippen bewegte Oberfläche des Siliciummateri­ als (1) eine Wanne bilden, in der das Elektrolytbad (5) steht.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Elektrolytbad (5) in Form ei­ nes Strahls (13) auf die Oberfläche gelenkt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß der Strahl (13) mit quer zur Bewegungs­ richtung (7) des Siliciummaterials (1) linienförmi­ gem Querschnitt erzeugt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Siliciummaterial (1) in Kon­ takt mit einer mit dem Elektrolytbad (5) befeuchte­ ten Walze (21) gebracht wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich­ net, daß das Elektrolytbad (5) auf die Walze (21) gesprüht oder geträufelt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Siliciummaterial (1) lokal durchgebogen und mit seinem durchgebogenen Ab­ schnitt in das Elektrolytbad (5) getaucht wird.

9. Vorrichtung zum Erzeugen einer porösen Oberflä­ che auf Siliciummaterial (1) mit einem Elektrolyt­ bad (5), einer mit dem Elektrolytbad (5) in Kontakt stehenden ersten Elektrode (6) und einer mit dem Siliciummaterial (1) in Kontakt stehenden zweiten Elektrode (3) sowie mit Transportmitteln zum För­ dern des Siliciummaterials entlang des Bades (5).

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch Wischlippen (4) zum Begrenzen eines Kontakt­ bereichs zwischen dem Siliciummaterial (1) und dem Elektrolytbad (5).

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Wischlippen (4) und die relativ zu den Wischlippen (4) bewegte Oberfläche des Sili­ ciummaterials (1) eine Wanne bilden, in der das Elektrolytbad (5) steht.

12. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, gekenn­ zeichnet durch eine Düse (12) zum Lenken eines Elektrolytstrahls (13) auf die Oberfläche.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Düse (12) einen quer zur Bewe­ gungsrichtung (7) des Siliciummaterials (1) langge­ streckten Querschnitt aufweist.

14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Düse (12) die erste Elek­ trode umfaßt.

15. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen mit dem Elektrolytbad (5) befeuchtbare Walze (21) umfaßt, die angeordnet ist, um mit dem Siliciummaterial (1) in Kontakt zu kommen.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch Mittel (20) zum Besprühen oder Beträufeln der Walze (21) mit dem Elektrolytbad (5).

17. Vorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Walze (21) die erste Elek­ trode umfaßt.

18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciummaterial (1) auf Rollen (2, 3) geführt ist, wobei wenigstens eine der Rollen (3) die zweite Elektrode bildet.

19. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrolytbad (5) in einer Wanne (30) enthalten ist, in die ein gebogener Ab­ schnitt des Siliciummaterials (1) eintaucht.

20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Siliciummaterial (1) in der Wanne an seinen Rändern durch Dichtlippen geführt ist, die die Wanne (30) in zwei durch das Siliciummate­ rial (1) getrennte Teilvolumina aufteilen.

21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Elektroden (32, 33) jeweils an ei­ nes der Teilvolumina angeschlossen sind.