DE19922759A1 - Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer leitenden StrukturInfo
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Abstract
Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur besteht darin, daß auf ein Substrat ein unter Einwirkung der Strahlung in den leitenden Zustand umwandlungsfähiges Material in einer Schicht mit einer Dicke von 2 bis 20 nm aufgetragen wird, und die genannte Materialschicht mit einem modulierten Strahl von geladenen Teilchen bestrahlt wird. Als Ergebnis erfolgt eine Umwandlung des Materials dieser Schicht auf den bestrahlten Abschnitten in eine leitende Komponente, welche in dieser Schicht eine Mehrzahl der Elemente der leitenden Struktur bildet, und in eine nichtleitende Komponente, welche ins Substratmaterial abdriftet.
Description
Vorliegende Erfindung betrifft Technologie zur Herstellung von
komplizierten leitenden Strukturen mit Hilfe von geladenen Teilchen.
Vorliegende Erfindung kann in Mikroelektronik zur lythographischen
Herstellung von integrierten Schaltkreisen, Speichereinrichtungen und
optischen Elementen mit Abmessungen der Einzelelemente der leitenden
Strukturen im Nanometerbereich Anwendung finden.
Bis heutiger Zeit wurde die Mikroelektronik auf dem Wege der sukzessiver
Reduzierung der Abmessungen von Schaltungselementen von Mikrometer- bis
Submikrometerbereich entwickelt. Nachdrückliche Forderung nach
Elementen mit superkleinen Abmessungen bis zu einigen Nanometer führt
zur Suche nach neuen technologischen Methoden der lythographischen
Herstellung der leitender Struktur, die eine hohe Auflösung erlauben. Unter
der Auflösung wird in diesem Fall die minimale Abmessung von Elementen
der zu schaffenden leitenden Struktur verstanden, die eine noch zulässige
Elementendichte der leitender Struktur definiert, ohne daß sie sich auf
Längen- oder Flächeneinheit berühren.
Bekannt ist Verfahren zur Abscheidung einer leitender Struktur auf einer
Dielektrikumschicht (DE 195 03 173 A1). Gemäß dem bekannten Verfahren
wird ein erstes Substrat aus Silizium mit einer darauf aufgetragenen Schicht
aus mit Oxid bedecktem Aluminium und ein zweites Substrat mit einer
darauf aufgetragenen Schicht aus Chrom-Nickel-Verbindung verwendet. Die
Substrate werden mit einem Abstand angeordnet, so daß die erwähnten
Schichten zueinander weisen. Durch das Substrat mit einer Schicht aus
Chrom-Nickel-Verbindung wird Laserstrahlung durchgelassen, so daß
Aluminiumoxid auf dem ersten Substrat zerstört und die erwähnte
Chrom-Nickel-Verbindung in die gasförmige Phase überführt wird. Dabei wird auf
der an der Antreffstelle des Laserstrahls befindlichen Aluminiumschicht
Nickel unter Bildung mit Aluminium einer schichtförmigen metallisierten
leitenden Struktur in Form eines Flecks abgeschieden.
Zur Bildung einer Zeichnung der leitenden Struktur ist Abtastung der
Substratoberfläche notwendig, was die Zeit der Strukturbildung vergrößert.
Minimale Abmessungen von Elementen der erwähnten leitenden Struktur,
welche mit Hilfe des bekannten Verfahrens hergestellt werden können,
liegen in der Größenordnung von Hundert Nanometer. Das wird dadurch
bedingt, daß die Wellenlänge der Laserstrahlung ziemlich groß ist und der
Laserstrahl nur bis zur Fleckgröße von etwa 100 nm fokussiert werden kann.
Außerdem wird bei Wechselwirkung mit der Chrom-Nickel-Verbindung der
Strahl divergiert und auf der Aluminiumschichtoberfläche eine
unkontrollierte Verteilung des Metalls geschieht.
Bekannt ist ein Verfahren zur Herstellung einer Abbildung mit einem
Elektronenstrahl (WO 95/26042). Gemäß diesem Verfahren wird ein
Fokussierungssystem für den Elektronenstrahl in einer Reaktionskammer
angeordnet, senkrecht zur Elektronenstrahlachse eine Maske und eine zu
bearbeitende Platte mit darauf aufgetragener Materialschicht, welche unter
Einwirkung der Strahlung umwandlungsfähig ist (Photoresist), aufgestellt.
Dann wird die Platte mit dem Elektronenstrahl bestrahlt, wodurch
Umwandlung des Materials der Plattenoberschicht erfolgt. Durch räumliche
Modulation des Elektronenstrahls wird auf der Platte die vorgegebene
Zeichnung hergestellt.
In dem angegebenen Verfahren wird jedoch die stark verbreitete Technologie
zur Auftragung auf die Platte einer Photoresistschicht verwendet, welche es
erlaubt, diese Schicht mit einer Dicke in der Größenordnung von Hunderten
Nanometer (200 bis 500 nm) aufzutragen, welche Herstellung einer
Abbildung der leitenden Struktur mit linearen Abmessungen in der
Größenordnung von einigen Nanometer unmöglich macht.
Außerdem werden gemäß diesem Verfahren die Elemente der leitenden
Struktur nacheinander hergestellt. Dabei wird zur Sicherung einer hohen
Lagedichte von Elementen der zu schaffenden leitenden Struktur auf einer
Flächeneinheit, zum Beispiel bei Herstellung eines Mikrochips, eine lange,
Hunderte oder Tausende Stunden betragende Zeit gebraucht.
Bekannt ist auch ein Verfahren zur Herstellung einer leitenden metallischen
Struktur auf einem Substrat (US-Patent 5,459,093), welches darin besteht,
daß auf ein Substrat aus dielektrischem Material eine Metallnitridschicht
aufgetragen und mit einem fokussierten Laserstrahl bestrahlt wird, wodurch
Metallnitrid in eine feste metallische leitende Komponente, welche auf dem
Substrat verbleibt, und in eine gasförmige nichtleitende Komponente, welche
im Laufe des Verfahrens entfernt wird, zerlegt wird. Dabei liegt die
Zerlegungstemperatur des Metallnitrids im Bereich von 100 bis 1000°C.
Schichtdicke des Metallnitrids liegt bei 8 µm. Das Verfahren wird in einer
Reaktionskammer durchgeführt, welche mit einem Inertgas gefüllt wird oder
in welcher erforderlicher Unterdruck erzeugt ist. Die erforderliche
Abbildung wird aus den Elementen der leitenden Struktur durch Abtastung
des Substrats mit einem Laserstrahl nach einem vorgegebenen Programm
gebildet, was die Arbeitsproduktivität herabsetzt.
Die Auflösung dieses Verfahrens ist nicht groß, da es unmöglich ist, einzelne
Elemente mit linearen Abmessungen von einigen und sogar von Zehnern
Nanometer herzustellen. Das wird durch Schwierigkeit der Fokussierung des
Laserstrahls bis zu solchen kleinen Abmessungen bedingt. Außerdem wird
der Laserstrahlfleck beim Eintreffen des Laserstrahls auf Metallnitrid infolge
der Wärmeleitfähigkeit verwaschen, was eine Vergrößerung der linearen
Abmessungen jedes einzelnen Elements der leitenden Struktur herbeiführt.
Somit ist Verwendung der Methode der optischen Lithographie zur Bildung
der Elemente der leitenden Struktur mit linearen Abmessungen im
Nanometerbereich wegen großer Wellenlänge der Laserstrahlung wenig
geeignet.
Außerdem ist uns bekannt, daß dieses Verfahren in der Produktion keine
breite Verwendung gefunden hat, da zur Herstellung der leitenden
Strukturen mit großer Länge, zum Beispiel der Leiterbahnen in
elektronischen Mikroschaltungen, eine lange, Hunderte und Tausende
Stunden betragende Zeit gebraucht wird.
Somit werden alle bekannten Verfahren durch mehrere Schritte und einen
großen Aufwand des Prozeßablaufs charakterisiert; falls das Verfahren in
einem Schritt abgewickelt wird, so hat es eine niedrige Produktivität, was
die Verwendung der bekannten Verfahren begrenzt.
Der vorliegenden Erfindung wurde die Aufgabe zugrundegelegt, ein
Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur zu entwickeln, bei dem
durch Auswahl der Wirkungsart einer modulierten Strahlung auf ein unter
Einwirkung dieser Strahlung umwandlungsfähiges Material und durch
Auswahl der Schichtdicke dieses Materials die Herstellung einer leitenden
Struktur ermöglicht wird, deren einzelne Elemente lineare Abmessungen in
der Größenordnung von einigen Nanometer aufweisen.
Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß im Verfahren zur Herstellung
einer leitenden Struktur, umfassend eine Auftragung auf Substrat einer
Schicht eines unter Einwirkung der Bestrahlung in den leitenden Zustand
umwandlungsfähigen Materials und eine Bestrahlung der Materialschicht mit
einem modulierten Strahl, erfindungsgemäß das erwähnte Material in einer
Schicht mit einer Dicke von 2 bis 20 nm aufgetragen, und als Bestrahlung ein
Teilchenstrahl von geladenen Teilchen verwendet wird, mit welchen die
Umwandlung des Materials dieser Schicht auf den bestrahlten Abschnitten in
eine leitende Komponente, welche in dieser Schicht mehrere Elemente der
leitenden Struktur bildet, und in eine nichtleitende Komponente, welche ins
Substratmaterial abdriftet, durchgeführt wird.
Das vorgeschlagene Verfahren ermöglicht durch Bestrahlung einer Schicht
aus einem Material, welches unter Einwirkung der Bestrahlung in leitenden
Zustand umgewandelt wird, mit einem Teilchenstrahl von geladenen
Teilchen, deren Wellenlänge unter der Wellenlänge der optischen Strahlung
(insbesondere Laserstrahlung) liegt, in der Schicht des angeführten Materials
ein Element der leitenden Struktur mit extrem kleinen Abmessungen
herzustellen. Die Auswahl der Schichtdicke des angegebenen Materials im
Bereich von 2 bis 20 nm gewährleistet die erforderliche Auflösung, das heißt
eine erforderliche räumliche Lage von Elementen der leitenden Struktur mit
vorgegebener Dichte.
Die angegebenen Merkmale des Verfahrens gewährleisten generell
Herstellung der einzelnen Elemente der leitenden Struktur mit linearen
Abmessungen in der Größenordnung von einigen Nanometer.
Es ist nützlich, daß als Material der erwähnten Schicht ein einphasiges
Halbleitermaterial oder ein dielektrisches, metallhaltiges Material, welches
mindestens eine erste Art von Atomen und eine zweite Art von Atomen mit
verschiedenen Atomnummern umfaßt, verwendet wird; zur Bildung des
Teilchenstrahls geladene Teilchen verwendet werden, von welchen jedes eine
durch dieses Teilchen bei Bestrahlung an die Materialatome ab gegebene
Energie besitzt, welche unter der Grenzdriftenergie der Atomen erster Art
und über der Grenzdriftenergie der Atomen zweiter Art liegt; und die
Umwandlung des Materials der erwähnten Schicht durch Abdrift der Atome
zweiter Art auf den bestrahlten Abschnitten ins Substratmaterial und
Umwandlung der Atome erster Art auf den bestrahlten Abschnitten der
erwähnten Schicht in eine Mehrzahl der Elemente der leitenden Struktur
durchgeführt wird.
Es ist zweckmäßig, daß die von den geladenen Teilchen bei Wechselwirkung
mit den genannten Atomen des genannten Materials der genannten Schicht
abgegebene Energie aus der Gleichung
bestimmt wird, worin
Emax die maximale vom geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie,
E0 Energie des geladenen Teilchens,
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenen Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
Emax die maximale vom geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie,
E0 Energie des geladenen Teilchens,
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenen Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
Verwendung als Material der auf das Substrat aufgetragenen Schicht eines
Materials mit oben beschriebenen Eigenschaften und die entsprechende
beschriebene Auswahl der Energie der geladenen Teilchen schaffen im
Prozeß der Bestrahlung Bedingungen zur Trennung des besagten Materials in
eine leitende und eine nichtleitende Komponente; dabei driftet die
nichtleitende Komponente in die Tiefe des Substratmaterials und beeinflußt
die Leitungseigenschaften des Substrats praktisch nicht, und die leitende
Komponente bleibt in der Materialschicht unter Bildung einer Mehrzahl von
Elementen der leitenden Struktur mit linearen Abmessungen in der
Größenordnung von einigen Nanometer. Abdrift der nichtleitenden
Komponente ins Substratmaterial ist ein kennzeichnendes Merkmal des
vorgeschlagenen Verfahrens im Vergleich zu den bekannten Verfahren, bei
welchen die nichtleitende Komponente in die Umgebung abgeleitet wird.
Es ist vom Nutzen, daß als Material der ersten Schicht ein Material,
ausgewählt aus einer Gruppe, welche Metallhydride, Metalloxide,
Metallnitride einschließt, verwendet wird.
Als Metallhydrid ist vorteilhaft Lanthanhydrid oder Ytterbiumhydrid, als
Metalloxid Urandioxid, als Metallnitrid Galliumnitrid zu verwenden.
Die angegebenen Stoffe werden in den bekannten Verfahren recht selten
verwendet, aber gerade solche Stoffe lassen bei Trennen durch Bestrahlung
in die leitende und nichtleitende Komponenten eine Drift der nichtleitenden
Komponente in Substratmaterial zu.
Als Material des Substrats ist ein Material, ausgewählt aus einer Gruppe,
welche dielektrisches Material, Halbleitermaterial oder leitendes Material
einschließt, zu verwenden.
An das Substratmaterial werden somit keine besonderen Forderungen
bezüglich der Leitfähigkeit gestellt, was die Herstellung der leitenden
Strukturen auf Substraten aus jeweiligen erforderlichen Stoffen erlaubt und
dadurch die technologischen Möglichkeiten des Verfahrens erweitert.
Es ist zweckmäßig, die Schicht des auf das Substrat aufgetragenen Materials
mit dem modulierten Elektronenstrahl oder Ionenstrahl zu bestrahlen.
Das erhöht die Auflösung des Verfahrens, da der Elektronenstrahl, der
Ionenstrahl bis zu Nanometerabmessungen, insbesondere bis zu einigen
Nanometer fokussiert werden können.
Es ist zweckmäßig, zur Herstellung einer räumlichen leitenden Struktur die
besagte Materialschicht nach Ausbildung darin einer Mehrzahl von
Elementen der leitenden Struktur als Substrat zur Herstellung einer
räumlichen leitenden Struktur zu verwenden, eine Mehrzahl der
nachfolgenden Schichten des bei Bestrahlung in den leitenden Zustand
umwandlungsfähigen Materials auf die vorhergehende Schicht nach
Herstellung darin einer Mehrzahl von Elementen der leitenden Struktur
sukzessiv aufzutragen, wobei jede nachfolgende Schicht auf eine
vorhergehende Schicht mit einer Dicke von 2 bis 20 nm aufgetragen wird,
jede nachfolgende Schicht mit einem Teilchenstrahl von geladenen Teilchen
bestrahlt wird und das Material jeder nachfolgenden Schicht auf ihren
bestrahlten Abschnitten in eine leitende Komponente, welche in der
jeweiligen nachfolgenden Schicht eine Mehrzahl von Elementen der
leitenden Struktur bildet, und in eine ins Material der vorhergehenden
Schicht driftende nichtleitende Komponente umgewandelt wird.
Dadurch wird eine räumliche leitende Schichtstruktur hergestellt, welche die
Dicke jeder Schicht etwa in der gleichen Größenordnung wie die lineare
Abmessung der einzelnen Elemente der leitenden Struktur aufweist, was zu
einer wesentlichen Erhöhung der Auflösung führt und die
Verwendungsmöglichkeit der hergestellten leitenden Strukturen erweitert.
Eine räumliche leitende Struktur kann zum Beispiel zur Herstellung von
Leiterbahnen zur Verbindung der in verschiedenen Schichten angeordneten
Elementen der elektronischen Schaltkreise verwendet werden.
Es ist nützlich, als Material jeder nachfolgenden Schicht ein einphasiges
Halbleitermaterial oder ein dielektrisches, metallhaltiges Material, welches
mindestens eine erste Art von Atomen und eine zweite Art von Atomen mit
verschiedenen Atomnummern umfaßt, zu verwenden, zur Bildung des
Teilchenstrahls geladene Teilchen zu verwenden, von welchen jedes eine
durch dieses Teilchen bei Bestrahlung an die Materialatome jeder
nachfolgenden Schicht ab gegebene Energie besitzt, welche unter der
Grenzdriftenergie der Atome erster Art und über Grenzdriftenergie der
Atome zweiter Art liegt, und die Umwandlung des Materials jeder
nachfolgenden Schicht durch Abdrift der Atome zweiter Art auf den
bestrahlten Abschnitten dieser Schicht ins Material der vorhergehenden
Schicht und die Umwandlung der Atome erster Art auf den bestrahlten
Abschnitten jeder nachfolgenden Schicht in eine Mehrzahl der Elemente der
leitenden Struktur durchzuführen.
Verwendung als Material, welches die zweite und die nachfolgenden
Schichten bildet, eines Materials mit oben beschriebenen Eigenschaften und
die entsprechende beschriebene Auswahl der Energie der geladenen Teilchen
schafft im Prozeß der Bestrahlung die gleichen Bedingungen zur Trennung
des besagten Materials in eine leitende und eine nichtleitende Komponente,
wie es für die erste Schicht beschrieben ist. In diesem Fall driftet die
nichtleitende Komponente in die Tiefe des Material der ersten
(vorhergehenden) Schicht, welche als Substrat für die nachfolgende Schicht
dient. Dabei ändern sich die Leitungseigenschaften der vorhergehenden
Schicht praktisch nicht, und die leitende Komponente bleibt in der
Materialschicht unter Bildung einer Mehrzahl von Elementen der leitenden
Struktur mit linearen Abmessungen in der Größenordnung von einigen
Nanometer.
Es ist wünschenswert, daß die von den geladenen Teilchen bei
Wechselwirkung mit den besagten Atomen des besagten Materials der
besagten Schicht ab gegebene Energie aus der Gleichung
bestimmt wird, worin
Emax die maximale vom geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie,
E0 Energie des geladenen Teilchens,
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenen Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
Emax die maximale vom geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie,
E0 Energie des geladenen Teilchens,
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenen Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
Es ist vom Nutzen, das als Material jeder nachfolgenden Schicht ein
Material, ausgewählt aus einer Gruppe, welche Metallhydride, Metalloxide,
Metallnitride einschließt, verwendet wird.
Als Metallhydrid ist vorteilhaft Lanthanhydrid oder Ytterbiumhydrid, als
Metalloxid Urandioxid, als Metallnitrid Galliumnitrid zu verwenden.
Die angegebenen Stoffe werden in den bekannten Verfahren recht selten
verwendet, aber gerade solche Stoffe lassen bei Trennen in die leitende und
nichtleitende Komponenten durch Bestrahlung eine Drift der nichtleitenden
Komponente in Material der vorhergehenden Schicht zu.
Es ist zweckmäßig, jede nachfolgende Schicht mit einem modulierten
Elektronenstrahl oder Ionenstrahl zu bestrahlen.
Es ist von Nutzen, daß zwischen jeder nachfolgender und jeder
vorhergehenden Schicht eine Zwischenschicht aus dielektrischen Material
angeordnet wird.
Das ermöglicht die Herstellung von mehrschichtigen supergroßen
integrierten Schaltungen.
Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung folgen aus der ausführlichen
Beschreibung, den Ausführungsbeispielen und Zeichnungen, in denen gezeigt
wird:
Fig. 1 Längsschnitt eines einzelnen Elements der leitenden Struktur;
Fig. 2 Schnittdarstellung einer mehrschichtigen leitenden Struktur; und
Fig. 3 Ansicht nach Fig. 2, jedoch mit einer dielektrischen Schicht
zwischen den leitenden Strukturen.
Das beanspruchte Verfahren zur Herstellung einer leitender Struktur besteht
erfindungsgemäß im folgenden. Auf ein Substrat wird eine erste Schicht des
bei Bestrahlung in den leitenden Zustand umwandlungsfähigen Materials
aufgetragen. Diese Schicht wird mit einer Dicke von 2 bis 20 nm zum
Beispiel durch Aufdampfen aufgetragen. Es wird ein Teilchenstrahl von
geladenen Teilchen - Elektronen oder Ionen - gebildet, welcher moduliert
und auf die auf dem Substrat befindliche Materialschicht gerichtet wird. Für
den Fachmann in diesem Bereich der Technik ist geläufig, daß die
Elektronen- und Ionenstrahlen bis zu Nanometerabmessungen, insbesondere
bis zu Abmessungen von einigen Nanometer fokussiert werden können, da
die Wellenlänge der geladenen Teilchen im Strahl viel kleiner, als die
Wellenlänge der optischen Strahlung (insbesondere Laserstrahlung) ist.
Solche Fokussierung kann zum Beispiel in den Elektronenmikroskopen
TECHNAT (PHILIPS) oder in den Anlagen FIB (PHILIPS) gesichert
werden.
Bestrahlung einzelner Abschnitte der besagten Materialschicht mit
Teilchenstrahl von geladenen Teilchen führt zur Umwandlung des Materials
auf diesen Abschnitten in eine leitende Komponente, welche in dieser
Schicht eine Mehrzahl von Elementen der leitenden Struktur bildet, und in
eine nichtleitende Komponente, welche ins Substratmaterial driftet. Diese
Wirkung wird dadurch erreicht, daß im beanspruchten Verfahren ein
bestimmtes Verhältnis zwischen Energie der geladenen Teilchen, Struktur,
Zusammensetzung und Energieparametern der Atome der auf Substrat
aufgetragenen Materialschicht gewählt wird.
Gemäß dem beanspruchten Verfahren wird als Material der ersten Schicht
ein einphasiges Halbleitermaterial oder ein dielektrisches metailhaltiges
Material verwendet, welches mindestens eine erste Art der Atome und eine
zweite Art der Atome mit unterschiedlichen Atomnummern umfaßt, welche
durch eine Grenzdriftenergie charakterisiert werden. Dabei weist jedes den
Strahl bildende geladene Teilchen eine durch dieses Teilchen bei seiner
Wechselwirkung bei Bestrahlung mit den Atomen der jeweiligen Art
ab gegebene Energie auf, die unter der Grenzdriftenergie der Atome der
ersten Art und über die Grenzdriftenergie der Atome der zweiten Art liegt.
Infolge der Bestrahlung der Materialschicht bleiben die Metallatome, die in
diesem Fall Atome der ersten Art sind, in der Materialschicht auf den
bestrahlten Abschnitten und bilden die Elemente der leitenden Struktur, und
die anderen Atome (zweiter Art) driften ins Substratmaterial und ändern
seine Eigenschaften praktisch nicht.
Das beanspruchte Verfahren wird in einer dem Fachmann bekannten
technologischen Anlage durchgeführt, welche eine Quelle der geladenen
Teilchen (Elektronen oder Ionen) und eine in der Reaktionskammer
angeordnete Maske, ein System aus Elektronen oder Ionen fokussierenden
Linsen und ein Substrat mit der aufgetragenen Schicht aufweist. Im Laufe des
Verfahrens wird in der Reaktionskammer der erforderliche Unterdruck
gebildet oder sie wird mit einem Inertgas gefüllt.
Auswahl der Dicke der auf das Substrat aufgetragenen Materialschicht im
Bereich von 2 bis 20 nm ist durch Notwendigkeit bedingt, die Bereiche der
Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem umzuwandelnden Material zu
lokalisieren.
Nachfolgend werden die Prozesse innerhalb der Schicht des besagten
Materials auf einem mit geladenen Teilchen bestrahlten Abschnitt
beschrieben. Experimentell ist festgestellt worden, daß bei Eindringen der
Strahlung von geladenen Teilchen, insbesondere Elektronen, in die Tiefe des
Materials ihre Streuung an den Atomen des Materials erfolgt, welche von der
Streuung der Elektronen, unter anderem auch von der Rückstreuung der
Elektronen begleitet wird.
Unter Berücksichtigung der oben angegebenen Verhältnisse zwischen
Energien der geladenen Teilchen, Struktur, Zusammensetzung und
Energieparametern der Atome der auf das Substrat aufgetragenen
Materialschicht läuft innerhalb des Materials eine Reaktion ab, welche der
auf der Oberfläche ablaufenden Reaktion unter Bildung einer leitenden
Komponente und einer nichtleitenden Komponente, welche ins
Substratmaterial driftet, analog ist. Der Prozeß der Streuung geschieht im
Volumen einer Halbsphäre und verläuft sich weiter verstärkend in die Tiefe,
welche durch Strahlungsleistung bestimmt wird. Als Resultat wird auf dem
Substrat 2 ein Element 1 (Fig. 1) der leitenden Struktur in Form eines Krugs
mit einem schlanken Hals gebildet. Es ist offensichtlich, daß es zur
Erhaltung der minimalen Abmessungen von Elementen der leitenden
Struktur (gemessen wird im breitesten Teil) ausreichend ist, nur den oberen
Teil der erhaltenen Struktur mit der Dicke von 2 bis 20 nm zu verwenden.
Für die moderne Technologie ist das Auftragen einer Schicht des besagten
Materials mit dieser Dicke stellt kein Problem dar und kann zum Beispiel
durch Plasmaaufdampfen durchgeführt werden.
Falls die Schichtdicke über 20 nm vergrößert wird, so werden die
Abmessungen der einzelnen Elemente der leitenden Struktur die
vorgegebenen Abmessungen übersteigen; falls die Schichtdicke unter 2 nm
verkleinert wird, so kann in der Materialschicht zur Störung der Kontinuität
kommen, was die Qualität der zu bildenden leitenden Struktur beeinflußt.
Als Material der ersten Schicht wird ein Material, ausgewählt aus einer
Gruppe, welche Metallhydride, Metalloxide, Metallnitride einschließt,
verwendet. Insbesondere ist möglich, als Metallhydrid Lanthanhydrid oder
Ytterbiumhydrid, als Metalloxid Urandioxid, als Metallnitrid Galliumnitrid
zu verwenden; nichtsdestotrotz ist diese Aufzählung nicht dadurch begrenzt
und es ist möglich, die anderen Metallhydride, -oxide und -nitride zu
verwenden.
Dabei kann die leitende Struktur in Form einer Zeichnung aus Metall auf
einem dielektrischen Substrat, in Form einer Zeichnung aus Halbleiter auf
einem Substrat aus Dielektrikum oder Metall, in Form einer Zeichnung aus
einem Metall auf dem anderen Metall oder auf einem Halbleiter hergestellt
werden.
Das beanspruchte Verfahren gewährleistet somit breite Möglichkeit der
Ausnutzung von Leitungseigenschaften der Stoffe und sichert Herstellung
der leitenden Strukturen mit erforderlichen Abmessungen der einzelnen
Elemente in der Größenordnung von einigen Nanometer.
Wie oben erwähnt ist, kann als Quelle der geladenen Teilchen eine
Elektronenquelle (Elektronenkanone) oder eine Ionenquelle, zum Beispiel
eine Thermoionen-, Gasentladungs-, Oberflächenplasma- oder
Photodesorbtionsquelle verwendet werden. Diese Ausführungen sind dem
Fachmann auf diesem Gebiet der Technik gut bekannt. Auswahl des
Quellentyps der geladenen Teilchen und der Betriebsparameter wird
rechnerisch oder experimentell ausgehend aus den Eigenschaften des
umzuwandelnden Materials bestimmt.
Bei Verwendung als Schichtmaterial verschiedener Oxide wird zum Beispiel
bevorzugt eine Ionenquelle, zum Beispiel der Wasserstoffionen zur
Sicherung des Ablaufs von Reduktionsreaktionen verwendet.
Bei Verwendung von Nitriden oder Hydriden ist es zweckmäßig, eine
Elektronenquelle zu verwenden.
In einzelnen Ausführungsformen des angemeldeten Verfahrens kann anstelle
von Metallhydriden und Metallnitriden ein Material verwendet werden,
welches eine übersättigte Festlösung eines Metalls im Dielektrikum darstellt.
Dabei können als Dielektrikum auch Metalloxide und Siliziumoxid
Anwendung finden.
Bei Verwendung der Elektronenstrahlen wird ein Substrat verwendet,
welches an den Abschnitten, wo die Elemente der leitenden Struktur
gebildet werden, die Öffnungen aufweist.
Zur Herstellung der Zeichnung der leitenden Struktur kann der
Teilchenstrahl von geladenen Teilchen mittels verschiedenen Verfahren
moduliert werden.
Zum Beispiel, durch Intensitätsmodulation des ganzen Teilchenstrahls von
geladenen Teilchen mit gleichzeitiger Abtastung mit dem fokussierten Fleck
der Oberfläche der zu bearbeitenden Materialschicht oder durch räumliche
Modulation, wenn mit einem entsprechend gebildeten Strahl von geladenen
Teilchen eine Maske mit daraus aufgetragenen Zeichnung bestrahlt wird und
danach die modulierte Strahlung auf der Materialschicht fokussiert wird.
Beide Verfahren sind für den Fachmann geläufig und sind in den Arbeiten zu
Elektronenlithographie, Rasterelektronenmikroskopie und Photolitho
graphie beschrieben.
Mit dem beanspruchten Verfahren können auch die räumlichen leitenden
Strukturen hergestellt werden. Nachdem in der ersten Schicht 3 die ersten
Elemente 1 der ersten leitenden Struktur gebildet sind, wird darauf die
zweite Schicht 4 (Fig. 2) des unter Wirkung der geladenen Teilchen
umwandlungsfähigen Materials aufgetragen. Dabei dient die erste Schicht 3
praktisch als Substrat für die zweite Schicht 4, deren Stärke auch im Bereich
von 2 bis 20 nm gewählt wird. Dann wird das Verfahren wie für die erste
Schicht beschrieben unter Berücksichtigung der genannten Verhältnisse
zwischen Teilchenenergie, Struktur und Materialeigenschaften der zweiten
Schicht durchgeführt. Als Ergebnis der Bestrahlung werden in der zweiten
Materialschicht 4 auch die einzelnen Elemente 5 der leitenden Struktur
gebildet. Dabei wird für die Bildung der erforderlichen Zeichnung die Maske
der gleichen Konfiguration oder einer anderen Konfiguration verwendet, was
die Fig. 2 veranschaulicht, in welcher eine Schichtstruktur gezeigt wird,
welche mit einer anderen Maske zur Bildung der leitenden Struktur in der
zweiten Schicht hergestellt ist. Die gleichen Masken können für die
räumliche Vervielfachung von elektronischen Schaltkreisen Verwendung
finden.
Durch sukzessive Bildung der leitenden Struktur in jeder Schicht wird eine
räumliche leitende Struktur hergestellt, in welcher die Dicke jeder Schicht
etwa den linearen Abmessungen der einzelnen Elementen 1, 5 der leitenden
Struktur entspricht.
Gemäß dem vorgeschlagenen Verfahren können die räumlichen leitenden
Strukturen hergestellt werden, deren einzelne Schichten mit einer
Dielektrikumschicht 6 voneinander getrennt sind, wie es im Fig. 3 gezeigt
ist. Dabei wird nach Bildung der ersten leitenden Struktur eine
Dielektrikumschicht 6 mit einer erforderlichen Dicke und darauf eine
Schicht des unter Wirkung der Bestrahlung in den leitenden Zustand
umwandlungsfähigen Materials aufgetragen. Dann wird das Verfahren in der
oben beschriebenen Reihenfolge durchgeführt. Die erhaltenen leitenden
Strukturen können zur Herstellung von mehrschichtigen supergroßen
integrierten Schaltungen verwendet werden.
Zur besseren Verständnis von Wesen des angemeldeten Verfahren und seiner
Vorteile sind nachfolgende konkrete Ausführungsbeispiele angegeben.
Auf ein Substrat in Form einer Platte mit den Abmessungen 5×5×0,4 mm
wird mit beliebigen bekannten Verfahren eine Schicht aus Lanthanhydrid
mit Dicke von 2, 4, 3, 10 oder 20 nm aufgetragen. Dann wird sie in einer
Reaktionskammer der oben beschriebenen technologischen Anlage in einer
Halterung angeordnet. Vor der Platte wird eine Maske aus Wolfram mit
Abmessungen 20×20×0,1 mm mit einer darin ausgeführten Zeichnung in
Form von Rundöffnungen mit einem Durchmesser von 100 nm und geraden
Linien mit einer Breite von 100 nm und einer Länge von 30 mm beim
Abstand zwischen Zeichnungselementen von 1000 nm angeordnet. In der
Reaktionskammer wird zuerst mittels einer Turbomolekularpumpe und dann
einer Ionenpumpe ein Vakuum von 10 Torr geschaffen. Als Quelle der
geladenen Teilchen wird eine Elektronenkanone mit einer
Wolframthermokathode verwendet. Mittlere Elektronenenergie beträgt 200
keV und der Elektronenstrahlstrom 1 µA. Das angemeldete Verfahren wurde
auf Schichten des Lanthanhydrids mit Dicke von 2, 4, 8, 10, 20 nm getestet.
Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 angegeben.
Das Verfahren wird mit gleichen Parametern wie im Beispiel 1 durchgeführt,
es wird jedoch als umwandlungsfähiges Material Galliumnitrid verwendet.
Die Ergebnisse sind ebenfalls in der Tabelle 1 angegeben.
Das Verfahren wird mit gleichen Parametern wie im Beispiel 1 durchgeführt,
es wird jedoch als Quelle der geladenen Teilchen eine Protonenquelle
verwendet, welche Generierung von Wasserstoffionen mit Energie von 1 keV
sichert. Auf das Substrat wird eine Schicht von Ytterbiumhydrid
aufgetragen. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 2 angegeben.
Das Verfahren wird wie im Beispiel 2 durchgeführt, es wird jedoch als
umwandlungsfähiges Material Urandioxid verwendet. Die Ergebnisse sind in
der Tabelle 2 angegeben.
Das Verfahren wird wie in den Beispielen 1 und 2 durchgeführt, es wird
jedoch als umwandlungsfähiges Material Lanthanoxid mit einer Dicke von 10
nm verwendet. Es wird eine leitende Struktur mit Elementenabmessung von
10 nm erhalten, auf welche eine Dielektrikumschicht aus Siliziumoxid von
100 nm Dicke und dann erneut eine Schicht Lanthanoxid mit einer Dicke
von 10 nm aufgetragen wird. Bestrahlung der gebildeten Schicht wird mit
den gleichen Parametern unter Verwendung einer Maske, deren Zeichnung
sich von der Zeichnung der zur Bildung der ersten leitenden Struktur
verwendeten Maske unterscheidet, durchgeführt. Als Ergebnis wird auf der
zweiten Schicht eine leitende Struktur mit Elementenabmessung von 10 nm
erhalten.
Mit angemeldetem Verfahren können somit sowohl die flachen, als auch die
räumlichen leitenden Strukturen mit Abmessungen der einzelnen Elemente
von einigen Nanometer hergestellt werden, was eine wesentliche Steigerung
der Auflösung bedeutet.
Das Verfahren wird wie im Beispiel 1 durchgeführt, es wird jedoch als
umwandlungsfähiges Material Lanthanoxid mit 10 nm Dicke verwendet. Bei
Bestrahlung dieser Schicht mit Elektronenstrahl von 200 keV bleiben
Lanthanatome in der Schicht und die Sauerstoffatome driften ins
Substratmaterial. Die Grenzdriftenergie der Lanthanatome ist größer als 20
eV und die Grenzdriftenergie des Sauerstoffs ist kleiner als 5 eV. Im
Ergebnis wird aus Lanthan eine leitende Struktur mit Abmessungen der
einzelnen Elemente von 5 nm erhalten.
Das Verfahren wird wie im Beispiel 3 durchgeführt, es wird jedoch als
umwandlungsfähiges Material Wolframoxid mit 10 nm Dicke verwendet.
Protonenmasse beträgt 1 und die Protonenenergie 900 eV; die
Grenzdriftenergie des Wolframs ist größer als 200 eV, die Grenzdriftenergie
des Sauerstoffs ist kleiner als 100 eV. Im Ergebnis wird aus Wolfram eine
leitende Struktur mit Abmessungen der einzelnen Elemente von 8 nm
erhalten.
Das Verfahren wird wie im Beispiel 7 durchgeführt, die Bestrahlung wird
mit Protonen mit Energie von 900 eV durchgeführt. Als umwandlungsfähiges
Material wird PbHfO3 mit 10 nm Dicke verwendet. Maximale von den
Protonen abgegebene Energie beträgt für Sauerstoffatome 199 eV, für
Hafniumatome 20,2 eV und für Bleiatome 17,4 eV. Grenzdriftenergie dieser
Atome beträgt entsprechen 60 eV, 31 eV, 25 eV. Bei Bestrahlung dieses
Materials mit Protonenstrahl werden die Elemente der leitenden Struktur
aus Hafniumatomen und Bleiatomen gebildet und die Sauerstoffatome driften
ins Substratmaterial. Es wurde eine leitende Struktur mit Abmessungen der
einzelnen Elemente von 7 nm erhalten.
Claims (21)
1. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur, umfassend eine
Auftragung auf Substrat einer Schicht des unter Einwirkung der Bestrahlung
in den leitenden Zustand umwandlungsfähigen Materials, eine Bestrahlung
dieser Materialschicht mit einem modulierten Strahl, dadurch
gekennzeichnet, daß das erwähnte Material in einer Schicht mit einer Dicke
von 2 bis 20 nm aufgetragen, und als Bestrahlung ein Teilchenstrahl von
geladenen Teilchen verwendet wird, mit welchen die Umwandlung des
Materials dieser Schicht auf den bestrahlten Abschnitten in eine leitende
Komponente, welche in dieser Schicht eine Mehrzahl der Elemente der
leitenden Struktur bildet, und in eine nichtleitende Komponente, welche ins
Substratmaterial abdriftet, durchgeführt wird.
2. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß als Material der erwähnten Schicht ein
einphasiges Halbleitermaterial oder ein dielektrisches, metallhaltiges
Material, welches mindestens eine erste Art von Atomen und eine zweite Art
von Atomen mit verschiedenen Atomnummern umfaßt, verwendet wird; zur
Bildung des Teilchenstrahls geladene Teilchen verwendet werden, von
welchen jedes eine durch dieses Teilchen bei Bestrahlung an die
Materialatome ab gegebene Energie besitzt, welche unter der
Grenzdriftenergie der Atomen erster Art und über Grenzdriftenergie der
Atomen zweiter Art liegt; und die Umwandlung des Materials der erwähnten
Schicht durch Abdrift der Atome zweiter Art auf den bestrahlten
Abschnitten ins Substratmaterial und durch die Umwandlung der Atome
erster Art auf den bestrahlten Abschnitten der erwähnten Schicht in eine
Mehrzahl der Elemente der leitenden Struktur durchgeführt wird.
3. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die von den geladenen Teilchen bei
Wechselwirkung mit den genannten Atomen der Materialschicht ab gegebene
Energie aus der Gleichung
bestimmt wird, worin
Emax die maximale vom genannten geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie;
E0 Energie des genannten geladenen Teilchens;
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenes Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
bestimmt wird, worin
Emax die maximale vom genannten geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie;
E0 Energie des genannten geladenen Teilchens;
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenes Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
4. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß als Material der genannten Schicht ein
Material, ausgewählt aus einer Gruppe, welche Metallhydride, Metalloxide,
Metallnitride einschließt, verwendet wird.
5. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß Metallhydrid Lanthanhydrid oder
Ytterbiumhydrid verwendet wird.
6. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metalloxid Urandioxid verwendet wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metallnitrid Galliumnitrid verwendet
wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß als Material des Substrats ein Material,
ausgewählt aus einer Gruppe, welche dielektrisches Material,
Halbleitermaterial oder leitendes Material umfaßt, verwendet wird.
9. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Materialschicht mit einem
modulierten Elektronenstrahl bestrahlt wird.
10. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Materialschicht mit einem
modulierten Ionenstrahl bestrahlt wird.
11. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Materialschicht nach Ausbildung
darin einer Mehrzahl von Elementen der leitenden Struktur als Substrat zur
Herstellung einer räumlichen leitenden Struktur verwendet wird; eine
Mehrzahl der nachfolgenden Schichten des bei Bestrahlung in den leitenden
Zustand umwandlungsfähigen Materials auf die vorhergehende Schicht nach
Herstellung darin einer Mehrzahl von Elementen der leitenden Struktur
sukzessiv aufgetragen wird, wobei jede nachfolgende Schicht auf eine
vorhergehende Schicht mit einer Dicke von 2 bis 20 nm aufgetragen wird;
und jede nachfolgende Schicht mit einem modulierten Strahl von geladenen
Teilchen bestrahlt wird und das Material jeder nachfolgenden Schicht auf
ihren bestrahlten Abschnitten in eine leitende Komponente, welche in der
jeweiligen nachfolgenden Schicht eine Mehrzahl von Elementen der
leitenden Struktur bildet, und in eine ins Material der vorgehenden Schicht
driftende nichtleitende Komponente umgewandelt wird.
12. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß als Material jeder nachfolgenden Schicht ein
einphasiges Halbleitermaterial oder ein dielektrisches, metallhaltiges
Material, welches mindestens eine erste Art von Atomen und eine zweite Art
von Atomen mit verschiedenen Atomnummern umfaßt, verwendet wird; zur
Bildung des Teilchenstrahls geladene Teilchen verwendet werden, von
welchen jedes eine durch dieses Teilchen bei Bestrahlung an die
Materialatome jeder nachfolgenden Schicht abgegebene Energie besitzt,
welche unter der Grenzdriftenergie der Atome erster Art und über der
Grenzdriftenergie der Atome zweiter Art liegt; und die Umwandlung des
Materials jeder nachfolgenden Schicht durch Abdrift der Atome zweiter Art
auf den bestrahlten Abschnitten dieser Schicht ins Material der
vorhergehenden Schicht und durch die Umwandlung der Atome erster Art
auf den bestrahlten Abschnitten jeder nachfolgenden Schicht in eine
Mehrzahl der Elemente der leitenden Struktur durchgeführt wird.
13. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die von den geladenen Teilchen bei
Wechselwirkung mit den genannten Atomen der Materialschicht abgegebene
Energie aus der Gleichung
bestimmt wird, worin
Emax die maximale vom genannten geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie;
E0 Energie des genannten geladenen Teilchens;
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenes Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
bestimmt wird, worin
Emax die maximale vom genannten geladenen Teilchen an die Atome beider Arten abgegebene Energie;
E0 Energie des genannten geladenen Teilchens;
M1 Masse des geladenen Teilchens, und
M2 Masse eines Atoms beider Arten, mit welchen ein geladenes Teilchen zusammenstößt,
bedeuten.
14. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß als Material jeder nachfolgenden Schicht ein
Material, ausgewählt aus einer Gruppe, welche Metallhydride, Metalloxide,
Metallnitride einschließt, verwendet wird.
15. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metallhydrid Lanthanhydrid oder
Ytterbiumhydrid verwendet wird.
16. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metalloxid Urandioxid verwendet wird.
17. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metallnitrid Galliumnitrid verwendet
wird.
18. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß als Material jedes vorhergehenden Schicht ein
Material, ausgewählt aus einer Gruppe, welche dielektrisches Material,
Halbleitermaterial oder leitendes Material umfaßt, verwendet wird.
19. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß jede nachfolgende Schicht mit einem
modulierten Elektronenstrahl bestrahlt wird.
20. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß jede nachfolgende Schicht mit einem
modulierten Ionenstrahl bestrahlt wird.
21. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen jeder vorhergehenden Schicht und
jeder nachfolgenden Schicht eine Zwischenschicht aus dielektrischem
Material angeordnet wird.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19934089A1 (de) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Univ Schiller Jena | Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Bereiche in mehrkomponentigen Materialien |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2153208C1 (ru) * | 1999-07-21 | 2000-07-20 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | Способ получения кремниевых наноструктур |
| DE19964099B4 (de) * | 1999-12-31 | 2006-04-06 | Götzen, Reiner, Dipl.-Ing. | Verfahren zur Herstellung dreidimensional angeordneter Leit- und Verbindungsstrukturen für Volumen- und Energieströme |
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| RU2192689C1 (ru) * | 2001-03-21 | 2002-11-10 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ получения кремниевых наноструктур |
| WO2003009359A1 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Boris Aronovich Gurovich | Procede de formation d'une structure a couches multiples a parametres predetermines |
| RU2205469C1 (ru) * | 2002-04-18 | 2003-05-27 | Гурович Борис Аронович | Способ получения объемной проводящей структуры |
| RU2243613C1 (ru) * | 2003-07-16 | 2004-12-27 | Гурович Борис Аронович | Способ формирования объемной структуры |
| US7294449B1 (en) | 2003-12-31 | 2007-11-13 | Kovio, Inc. | Radiation patternable functional materials, methods of their use, and structures formed therefrom |
| MD152Z (ro) * | 2009-03-10 | 2010-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de formare a unei microstructuri tridimensionale |
| RU2404479C1 (ru) * | 2009-10-28 | 2010-11-20 | Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") | Способ формирования проводящей структуры в диэлектрической матрице |
| RU2425794C1 (ru) * | 2010-03-26 | 2011-08-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки | Способ получения нанослоев |
| RU2477902C1 (ru) * | 2011-10-04 | 2013-03-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ формирования проводников в наноструктурах |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4339285A (en) * | 1980-07-28 | 1982-07-13 | Rca Corporation | Method for fabricating adjacent conducting and insulating regions in a film by laser irradiation |
| US5060595A (en) * | 1988-04-12 | 1991-10-29 | Ziv Alan R | Via filling by selective laser chemical vapor deposition |
| US4938996A (en) * | 1988-04-12 | 1990-07-03 | Ziv Alan R | Via filling by selective laser chemical vapor deposition |
| US4960613A (en) * | 1988-10-04 | 1990-10-02 | General Electric Company | Laser interconnect process |
| CA2002213C (en) * | 1988-11-10 | 1999-03-30 | Iwona Turlik | High performance integrated circuit chip package and method of making same |
| US5075243A (en) * | 1989-08-10 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of nanometer single crystal metallic CoSi2 structures on Si |
| US5064685A (en) * | 1989-08-23 | 1991-11-12 | At&T Laboratories | Electrical conductor deposition method |
| US5106779A (en) * | 1990-12-06 | 1992-04-21 | Micron Technology, Inc. | Method for widening the laser planarization process window for metalized films on semiconductor wafers |
| JPH04247681A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Fujitsu Ltd | 導体パターンの形成方法 |
| JPH088225B2 (ja) * | 1991-12-17 | 1996-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 改良された半導体用局部的相互接続 |
| US5459098A (en) * | 1992-10-19 | 1995-10-17 | Marietta Energy Systems, Inc. | Maskless laser writing of microscopic metallic interconnects |
| US5821017A (en) * | 1992-11-19 | 1998-10-13 | The University Court Of The University Of Dundee | Method of deposition |
| US5559057A (en) | 1994-03-24 | 1996-09-24 | Starfire Electgronic Development & Marketing Ltd. | Method for depositing and patterning thin films formed by fusing nanocrystalline precursors |
| JP3402821B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2003-05-06 | 科学技術振興事業団 | 超微粒子の製造方法と超微粒子配向成長体の製造方法 |
| US5759906A (en) * | 1997-04-11 | 1998-06-02 | Industrial Technology Research Institute | Planarization method for intermetal dielectrics between multilevel interconnections on integrated circuits |
| US6069380A (en) * | 1997-07-25 | 2000-05-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Single-electron floating-gate MOS memory |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19934089A1 (de) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Univ Schiller Jena | Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Bereiche in mehrkomponentigen Materialien |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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