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DE19916636A1 - Halbleiterchip mit ferromagnetischer Abschirmung - Google Patents

Halbleiterchip mit ferromagnetischer Abschirmung

Info

Publication number
DE19916636A1
DE19916636A1 DE19916636A DE19916636A DE19916636A1 DE 19916636 A1 DE19916636 A1 DE 19916636A1 DE 19916636 A DE19916636 A DE 19916636A DE 19916636 A DE19916636 A DE 19916636A DE 19916636 A1 DE19916636 A1 DE 19916636A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
circuit
semiconductor chip
ferromagnetic
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19916636A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Hofreiter
Holger Sedlak
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE19916636A priority Critical patent/DE19916636A1/de
Publication of DE19916636A1 publication Critical patent/DE19916636A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W42/20
    • H10W42/287
    • H10P14/69398

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Zur Abschirmung eines Halbleiterchips vor magnetischen Feldern ist dieser mit einer ferromagnetischen Schicht versehen.

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip mit einer in ei­ nem Halbleitersubstrat realisierten Schaltung und einer die Schaltung zumindest einseitig vor elektrischen Feldern ab­ schirmenden leitenden Abdeckung.
Ein solcher Halbleiterchip ist aus der EP 0 169 941 B1 be­ kannt. Die dortige leitende Abdeckung dient zwar in erster Linie dazu, einen Schutz vor optischer beziehungsweise elek­ tronenoptischer Analyse der Schaltungsmuster im Halbleiter­ substrat zu bieten, da die leitende Abdeckung elektrisch mit der Schaltung in Verbindung ist und ein Entfernen dieser Ab­ deckung einfach detektiert werden kann und geeignete Schutz­ maßnahmen eingeleitet werden können. Allerdings bildet diese bekannte leitende Abdeckung auch einen Schutz vor der stören­ den Einstrahlung elektrischer Felder und darüber hinaus einen Schutz vor der Abstrahlung elektrischer Felder, die abgehört werden könnten und eine Analyse der in der Schaltung ablau­ fenden Vorgänge ermöglichen würden.
Allerdings kann diese leitende Abdeckung von magnetischen Feldern ungehindert durchdrungen werden und somit nach wie vor informationstragende Strahlung nach außerhalb des Chips gelangen.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Halbleiterchip anzugeben, bei dem auch die Abstrahlung magnetischer Felder verringert oder verhindert ist.
Die Aufgabe wird durch einen Halbleiterchip gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Durch die erfindungsgemäße zusätzliche ferromagnetische Schicht wird das magnetische Feld stark gedämpft und dadurch wirksam abgeschirmt.
Die abschirmende ferromagnetische Abdeckung kann nur auf der die Schaltung aufweisenden Oberfläche des Halbleitersubstrats aber auch auf beiden Oberflächen angeordnet sein oder gar den Halbleiterchip vollständig umhüllen, abgesehen von Öffnungen für die elektrische Kontaktierung.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbei­ spiels mit Hilfe einer Figur näher erläutert. Dabei zeigt die
Figur ein Halbleitersubstrat mit darauf angeordneter fer­ romagnetischer Schicht.
Die Figur zeigt ein Halbleitersubstrat 1 mit einer in einer Oberfläche ausgebildeten Schicht 2 mit darin realisierten elektrischen Schaltkreisen. Im dargestellten Beispiel ist oberhalb der Schaltkreisschicht 2 eine leitende Schicht 4 an­ geordnet, die von der Schaltkreisschicht 2 durch eine nicht leitende Schicht 3 isoliert sein muß, um keine Kurzschlüsse hervorzurufen. Oberhalb der leitenden Schicht 4 ist eine Schicht 5 aus ferromagnetischem Material angeordnet. Diese ferromagnetische Schicht 5 könnte auch unterhalb der leiten­ den Schicht 4 angeordnet werden. Für den Fall, daß das ferro­ magnetische Material nicht leitend ist, könnte in diesem Fall auf die isolierende Schicht 3 verzichtet werden.
Prinzipiell könnte auch nur eine Schicht, die sowohl leitende als auch ferromagnetische Eigenschaften aufweist verwendet werden.
Eine nur auf der die Schaltungsschicht aufweisenden Oberflä­ che des Halbleitersubstrats 2 angeordnete ferromagnetische Schicht 5 wird in den meisten Fällen für eine wirksame Ab­ schirmung ausreichen. Für eine noch wirksamere Abschirmung kann jedoch auch, wie dies strichliert dargestellt ist, der gesamte Halbleiterchip von der ferromagnetischen Schicht 5, 5a umhüllt sein.

Claims (3)

1. Halbleiterchip mit einer in einem Halbleitersubstrat (1) realisierten Schaltung (2) und einer die Schaltung (2) zumin­ dest einseitig vor elektrischen Feldern abschirmenden leiten­ den Schicht (4), gekennzeichnet durch eine weitere die Schaltung (2) zumindest einseitig vor magne­ tischen Feldern abschirmenden ferromagnetischen Schicht (5).
2. Halbleiterchip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Schicht (5) über der die Schaltungs­ schicht (2) aufweisenden Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist.
3. Halbleiterchip nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Schicht (5, 5a) den Halbleiterchip nahezu vollständig umhüllt.
DE19916636A 1999-04-13 1999-04-13 Halbleiterchip mit ferromagnetischer Abschirmung Ceased DE19916636A1 (de)

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DE102004040503A1 (de) * 2004-08-20 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement, Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers und Verfahren zur Abschirmung eines Halbleiterbauelements
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