DE202006013058U1

DE202006013058U1 - Störstrom-widerstandsfähige Platinenanordnung

Info

Publication number: DE202006013058U1
Application number: DE202006013058U
Authority: DE
Original assignee: Askey Computer Corp
Current assignee: Askey Computer Corp
Priority date: 2006-01-27
Filing date: 2006-08-25
Publication date: 2007-02-08
Anticipated expiration: 2016-08-26
Also published as: TWM298326U; US20070178763A1; US7341488B2

Abstract

Gegenüber elektromagnetischer Störbeeinflussung widerstandsfähiger Schaltkreis-Aufbau, welcher umfasst:
mindestens zwei Platinen (21, 22, 30, 32, 34, 40, 42), welche in einem Stapel angeordnet und jeweils mit einem elektronischen Schaltkreis darauf ausgestattet sind, wobei die Platinen eine erste Platine (21, 30, 32, 40) mit mindestens einer Hochgeschwindigkeitseinrichtung (230, 35) umfassen, welche Hochfrequenzrauschen erzeugen und
einen Abschirmungsrahmen (20, 31, 33, 41), welcher aus einem leitfähigen Metallmaterial hergestellt ist, und welcher zwischen jeweils zwei Platinen angeordnet ist und mit einem Erdungspotential der Platinen elektrisch verbunden ist, wobei der Abschirmungsrahmen (20, 31, 33, 41) die mindestens eine Hochgeschwindigkeitseinrichtung (230, 35) abschirmt, um das Hochfrequenzrauschen zu dem Erdungspotential zu leiten.

Description

Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft Platinen und insbesondere eine Störstrom-widerstandsfähige Platinenanordnung, bei denen/der der Einfluss elektromagnetischer Wellen und Hochfrequenzrauschen auf Eigenschaften von Einrichtungen und Platinen verhindert wird.
2. Beschreiben des Standes der Technik
Die Anordnung elektronischer Einrichtungen auf einer Platine muss unter Berücksichtigung der Funktion der Platine bestimmt werden, wobei eine elektrische Kupplung oder elektromagnetische Störung unter den Einrichtungen berücksichtigt werden muss. So produziert beispielsweise der Hochgeschwindigkeitsdigitalprozessor oder eine Steuerungsschaltung eines elektronischen Schaltkreises, oder die Antenne eine Hochfrequenzschaltkreises im Hochgeschwindigkeits- oder Hochfrequenz-Betrieb hochfrequente elektromagnetische Wellen. Das Hochfrequenz-Rauschen stört mehr oder weniger die Übertragung analoger Audio- oder Videosignale, wodurch die Signalübertragungsleistung beeinträchtigt wird. Bei der Schaltkreisanordnung einer Platine muss daher die Funktion des Widerstandes gegen elektromagnetische Störbeeinflussung (EMI) berücksichtigt werden.
In den 1 und 2 ist eine EMI-widerstandsfähige Platine 1 des Standes der Technik gezeigt. Gemäß dieses Aufbaus umfasst die EMI-widerstandsfähige Platine 1 mehrere Hochfrequenzschaltbereiche 11. Jeder Hochfrequenzschaltkreisbereich 11 umfasst mehrere elektronische Einrichtungen 110, welche während des Betriebs Hochfrequenzrauschen erzeugen, und mehrere Metallrahmen 111, welche den wirksamen Schaltkreis einer jeden elektronischen Einrichtung 110 umgeben, und die elektronische Einrichtung 110 von einer anderen abtrennt. Wie in 2 gezeigt, sind mehrere Metall-Schirmmasken 12 jeweils auf den Hochfrequenzschaltkreisbereichen 11 angeordnet und in Kontakt mit den Metallrahmen, um das Hochfrequenzrauschen auf das Erdungspotential zu führen. Das in den Hochfrequenzschaltkreisbereichen 11 erzeugte Hochfrequenzrauschen wird daher ohne Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften anderer Einrichtungen und Schaltkreise abgeschirmt, wobei die Metallrahmen 111 eine elektromagnetische Beeinträchtigung zwischen den elektronischen Hochfrequenzeinrichtungen 110 verhindern. Da die Metall-Abschirmmasken 12 jedoch unter Berücksichtigung der Konfiguration der Hochfrequenzschaltkreisbereiche 11 aufgebaut sind, ist die Herstellung der Metall-Abschirm-Baugruppen 12 kompliziert und kostenintensiv. Wenn ein Aufbau eingesetzt wird, bei dem die Hochfrequenzschaltkreisbereiche 11 zusammen angeordnet sind, ist nur eine einzige Metall-Abschirmmaske 12 erforderlich, um die Hochfrequenzschaltkreisbereiche 11 abzuschirmen. Wenn jedoch die Ränder der Hochfrequenzbereiche 11 nicht zueinander passen, wird auf der Platine bei dem Aufbau viel Platz vergeudet. In diesem Fall bedecken die Hochfrequenzbereiche 11 einen großen Oberflächenbereich der Platine 1. Als Folge ist die Größe des Endprodukts relativ groß und andere Schaltkreisfunktionsaufbauten müssen entsprechend größenmäßig verkleinert werden, wodurch die Integrität der Schaltkreisfunktion des elektronischen Produktes abnimmt.
Zusammenfassung der Erfindung
Die folgende Erfindung wurde im Hinblick auf die Umstände gemacht. Es ist eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, einen einfachen und kostengünstigen, EMI-widerstandsfähigen Platinen-Aufbau bereitzustellen, bei dem eine elektromagnetische Interferenz wirksam verhindert wird, bei dem der Raum für den Schaltkreisaufbau wirksam genutzt wird, und bei dem die Größe des Endproduktes verringert wird.
Um diese Aufgabe der vorliegenden Erfindung zu lösen, umfasst der EMI-widerstandsfähige Schaltkreisaufbau mindestens zwei Platinen, die als Stapel vorliegen, und einen Metall-Abschirmrahmen, der zwischen jeweils zwei benachbarten Platinen eingeschoben/angeordnet ist. Jede der Platinen weist darauf einen elektronischen Schaltkreis auf. Die Platinen um fassen eine erste Schaltplatte mit mindestens einer Hochgeschwindigkeitseinrichtung, welche in der Umgebung Hochfrequenzrauschen erzeugt, was zu einem EMI-Effekt führt. Der Metall-Abschirmungsrahmen ist mit einem Erdungs-Potential der Platinen elektrisch verbunden und schirmt mindestens eine Hochgeschwindigkeitseinrichtung ab, um das erzeugte Hochfrequenzrauschen zu dem Erdungs-Potential zu führen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Schemazeichnung, welche die Struktur einer EMI-widerstandsfähigen Platine des Standes der Technik zeigt.
2 ist eine andere Schemazeichnung der EMI-widerstandsfähigen Platine des Standes der Technik, welche Metall-Abschirmmasken über den jeweiligen Hochfrequenzschaltkreis-Bereich zeigt.
3 ist eine Explosionsansicht einer EMI-widerstandsfähigen Platinenanordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
4 ist eine Explosionsansicht einer EMI-widerstandsfähigen Platinenanordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine Explosionsansicht einer EMI-widerstandsfähigen Platinenanordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
6 zeigt die Schaltkreisanordnung auf der Bodenoberfläche der Analog-Platine der EMI-widerstandsfähigen Platinenanordnung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
7 ist eine Teilschnittsansicht der EMI-widerstandsfähigen Platinenanordnung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Ausführliche Beschreibung der Erfindung
In 3 ist eine EMI-widerstandsfähige Platinenanordnung 2 gemäß einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform gezeigt, welche eine Haupt-Platine 21 aufweist, die an der Bodenseite angeordnet ist, eine Analog-Platine 22, die an der oberen Seite angeordnet ist und einen Metall-Abschirmungsrahmen 20, der zwischen der Haupt-Platine 21 und der Analog-Platine 22 angeordnet ist.
Die am Boden angeordnete Haupt-Platine 21 weist darauf angeordnet einen Hochgeschwindigkeitsverarbeitungsschaltkreis auf. Die obere Analog-Platine 22 weist darauf einen Analogschaltkreis zur Übertragung eines analogen Signals auf. Diese beiden Platinen 21 und 22 weisen darüber hinaus einen entsprechenden Digital-Schaltkreis zur Übertragung eines digitalen Signals, welches frei von EMI ist, auf. Die Strukturen der Platinen 21 und 22 und der des Metall-Abschirmungsrahmens 22 und deren relatives Verhältnis werden nachstehend beschrieben.
Die Haupt-Platine 21 umfasst einen Hochfrequenzschaltkreisbereich 23 und einen digitalen Schaltkreisbereich 24. Darüber hinaus weist die Haupt-Platine 21 eine obere Oberfläche 210 und eine Bodenoberfläche 211 auf. Der Hochfrequenzschaltkreisbereich 23 weist mehrere Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 230 und einen Erdungsschaltkreis 231 auf, die auf der oberen Oberfläche 210 angeordnet sind. Der Erdungsschaltkreis 231 ist um den wirksamen Schaltkreis einer jeden Hochgeschwindigkeitseinrichtung 230 angeordnet. Diese Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 230 umfassen beispielsweise einen Hochgeschwindigkeitsprozessor oder Signalsteuerungselemente, welche während des Betriebs oder einer Steuerschaltung Hochfrequenzrauschen erzeugen. Der digitale Schaltkreisbereich 24 umfasst den vorstehend aufgeführten digitalen Schaltkreis, einen Stromadapter 240 zur Versorgung des gesamten Schaltkreissystems des EMI-widerstandsfähigen Platinenaufbaus 2 mit Strom, und Übertragungsinterface 241 zur Übertragung eines digitalen Signals zu peripheren Komponenten, die mit dem EMI-widerstandsfähigen Platinenaufbau 2 elektrisch verbunden sind.
Der Metall-Abschirmungsrahmen 20 besteht aus einem leitfähigen metallischen Material.
Strukturell ist der Metall-Abschirmungsrahmen 20 eingeteilt in einen äußeren Rahmen 201, welcher sich um die Ränder erstreckt und in mehrere Aufteilungsrahmen 202, die den Erdungsschaltkreisen 231 um den wirksamen Schaltkreisbereich einer jeden Hochgeschwindigkeitseinrichtung 230 entsprechen, wodurch mehrere Aufnahmekammern 203 definiert werden. Die untere Seite des äußeren Rahmens 201 und der Aufteilungsrahmen 202 ist mit dem Erdungsschaltkreis 231 verbunden. Der Metall-Abschirmungsrahmen 20 ist daher equivalent zu dem Erdungspotential. Die Höhe des Metall-Abschirmungsrahmens 20 ist etwas größer als die Befestigungshöhe aller elektronischen Einrichtungen in dem Hochfrequenzschaltkreisbereich 23. Die Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 230 sind jeweils in den Aufnahmekammern 203 aufgenommen.
Die Analog-Platine 22 weist eine obere Oberfläche 220 und eine untere Oberfläche 221 auf. Auf der oberen Oberfläche 220 sind die elektronischen Einrichtungen 222 des vorstehend aufgeführten Analog-Schaltkreises und Digital-Schaltkreises angeordnet. Die untere Oberfläche 221 ist mit dem Erdungspotential elektrisch verbunden und mit der oberen Seite des äußeren Rahmens 201 und den Aufteilungsrahmen 202 des Metall-Abschirmungsrahmen 20 verbunden, wobei der Metall-Abschirmungsrahmen 22 zwischen der unteren Oberfläche 221 der Analog-Platine 22 und der oberen Oberfläche 210 der Haupt-Platine 21 fixiert gehalten wird.
Der Metall-Abschirmungsrahmen 20 kann an die zwei Platinen 21 und 22 mit einem leitfähigen Bondingmittel oder mittels eines Lötverfahrens gebondet werden. Der Metall-Abschirmungsrahmen 20 stützt daher die zwei Platinen 21 fest, und umfasst die Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 230 in den Aufnahmekammern 203, was dazu führt, dass das während des Hochgeschwindigkeitsbetriebs der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 230 erzeugte Hochfrequenzrauschen an das Erdungspotential geführt wird, wodurch eine Ableitung des Hochfrequenzrauschens verhindert wird, so dass die Übertragung des analogen Signals durch das Hochfrequenzrauschen nicht beeinträchtigt wird. Darüber hinaus wird, da die EMI-widerstandsfähige Platinenanordnung 2 die zwei Platinen 21 und 22 und den Metall-Abschirmungsrahmen 20 in einem Stapel angeordnet aufweisen, die Belegung des planaren Raums minimiert und der verfügbare Schaltkreisaufbaubereich stark erhöht, wodurch eine Steigerung der Arbeit am Platinenaufbau wirksam verbessert wird.
Sind in dem gesamten Schaltkreissystem mehr Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 230 erforderlich und ist der Bodenbereich der Haupt-Platine 21 nicht ausreichend, dann kann die EMI-widerstandsfähige Platinenanordnung in vertikaler Richtung ausgedehnt werden, ohne den Bereich der Haupt-Platine 21 auszudehnen. 4 zeigt einen EMI-widerstandsfähigen Platinenaufbau 3 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß dieser zweiten Ausführungsform umfasst der EMI-widerstandsfähige Platinenaufbau 3 eine Haupt-Platine 30, einen ersten Metall-Abschirmungsrahmen 31 und eine Hochfrequenzplatine 32, einen zweiten Metall-Abschirmungsrahmen 33 und eine Analog-Platine 34, welche in Reihe gestapelt sind.
Funktionell ist der Aufbau der Haupt-Platine 30, des ersten Metall-Abschirmungsrahmens 31 und der Analog-Platine 34 jeweils equivalent zu der Haupt-Platine 21, dem Metall-Abschirmungsrahmen 20 und der Analog-Platine 22 der vorstehend aufgeführten ersten Ausführungsform.
Die Hochfrequenzplatine 32 weist einen Schaltkreisaufbau auf, der vergleichbar ist zu dem Hochfrequenzschaltkreisbereich 23 der Haupt-Platine 21 der vorstehend aufgeführten ersten Ausführungsform. Die Hochfrequenzplatine 32 weist ebenfalls eine obere Oberfläche 320 und eine untere Oberfläche 321 auf, die von der oberen Oberfläche 320 abgewandt ist. Die obere Oberfläche 320 weist darauf angeordnet mehrere Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 35 auf und einen Erdungsschaltkreis 36, der sich um die wirksamen Schaltkreise einer jeden Hochgeschwindigkeitseinrichtung 35 erstreckt. Funktionell ist der Aufbau der Bodenoberfläche 321 im Wesentlichen gleich zu der Bodenoberfläche 221 der Analog-Platine 22 der vorstehend aufgeführten ersten Ausführungsform, d. h. die Bodenoberfläche 321 ist mit dem Erdungspotential des gesamten Schaltkreissystems elektrisch verbunden und mit dem ersten Metall-Abschirmungsrahmen 31 verbunden.
Funktionell ist die Struktur des zweiten Metall-Abschirmungsrahmens 33 gleich der des Metall-Abschirmungsrahmens 20 der vorstehend aufgeführten ersten Ausführungsform. Der zweite Metall-Abschirmungsrahmen 33 ist zwischen der Analog-Platine 34 und der Hochgeschwindigkeitsplatine 32 fixiert angeordnet und angepasst, um das während des Betriebs der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen 322 erzeugte Hochfrequenzrauschen zu dem Erdungspotential zu leiten.
Aus diesem Grunde minimiert die EMI-widerstandsfähige Platinenanordnung 3 einfach mittels Ausdehnen des erforderlichen Schaltungsraums in vertikaler Richtung die Größe des Produkts und verhindert wirksam eine elektromagnetische Beeinträchtigung.
Darüber hinaus liefert die Erfindung, bei Berücksichtigung von EMI-Effekten in die Umgebung, wie Kommunikationsstörungen oder elektrostatische Umgebungsschädigungen oder die erforderliche Installation eines Transmitters/Empfängers für ein analoges Signal, wie eine Antenne, eine dritte Ausführungsform, bei der die Signalübertragung des internen Analog-Schaltkreises gegenüber Umgebungs-EMI-Auswirkungen geschützt wird. Wie in den 5–7 gezeigt, umfasst die EMI-widerstandsfähige Platinenanordnung 4 gemäß dieser dritten Ausführungsform eine Haupt-Platine 40, einen Metall-Abschirmungsrahmen 41 und eine Analog-Platine 42. Die Haupt-Platine 40, der Metall-Abschirmungsrahmen 41 und die Analog-Platine 42 sind in Stapel angeordnet.
Vergleichbar zu dem Schaltkreisaufbau der Haupt-Platine 21 der vorstehend aufgeführten ersten Ausführungsform weist die Haupt-Platine 40 einen Hochfrequenzschaltkreisbereich 43 und einen Digital-Schaltkreisbereich 44 auf.
Die Analog-Platine 42 weist eine obere Oberfläche 420 und eine untere Oberfläche 421 auf. Auf der oberen Oberfläche 420 sind zur Übertragung von digitalen Signalen elektronische Einrichtungen 45 angeordnet. Es ist daher nicht erforderlich, die obere Oberfläche 420 gegen EMI (elektromagnetische Störungen) zu schützen. Wie in 6 gezeigt, sind auf der unteren Oberfläche 420 elektronische Einrichtungen 46 zur Übertragung von analogen Signalen und ein Erdungsschaltkreis 460 angeordnet, der sich um den Rand erstreckt.
Der Metall-Abschirmungsrahmen 41 besteht aus einem leitfähigen metallischen Material. Die oberen und unteren Kanten des Metall-Abschirmungsrahmens 41 sind unter Berücksichtigung des Erdungsschaltkreises 460 der Analog-Platine 42 und der Grenzen des Erdungsschaltkreises des Hochfrequenzschaltkreisbereiches 43 ausgestaltet, wodurch der Metall-Abschirmungsrahmen 41 gleich dem Erdungspotential ist. Darüber hinaus ist der Metall-Abschirmungsrahmen 41 durch eine metallische Teilungs-Baugruppe 410 in einen oberen Abschirmungsbereich 411 und einen unteren Abschirmungsbereich 412 eingeteilt. Wie in 7 gezeigt, ist der untere Abschirmungsbereich 412 der Aufteilungsstruktur des Metall-Abschirmungsrahmens 20 der vorstehend aufgeführten ersten Ausführungsform vergleichbar. Daher wird das während des Betriebs des Schaltkreises des Hochfrequenzschaltkreisbereichs 43 erzeugte Hochfrequenzrauschen ohne Ableitung zu dem Erdungspotential geführt. Der obere Abschirmungsbereich 411 weist keine Aufteilungsstruktur auf. Die Höhe des oberen Abschirmungsbereichs 411 ist jedoch größer als die Befestigungshöhe aller elektronischen Einrichtungen auf der oberen Oberfläche 421 der Analog-Platine 42, so dass die von dem Erdungsschaltkreis 460 umgebenen Schaltkreise in dem oberen Abschirmungsbereich 411 umfasst sind, wodurch ein ausreichender elektrostatischer Abschirmungseffekt gegenüber äußerem Hochfrequenzrauschen, welches von einer nahen Signalübermittlungsquelle 5 erzeugt wird, geliefert wird.
Obwohl bestimmte Ausführungsformen der Erfindung zum Zwecke der Erläuterung ausführlich beschrieben wurden, können zahlreiche Modifikationen und Verbesserungen durchgeführt werden, ohne von dem Geist und Umfang der Erfindung abzuweichen. Die Erfindung ist daher mit der Maßgabe der anliegenden Ansprüche nicht begrenzt.

Claims

Gegenüber elektromagnetischer Störbeeinflussung widerstandsfähiger Schaltkreis-Aufbau, welcher umfasst: mindestens zwei Platinen (21, 22, 30, 32, 34, 40, 42), welche in einem Stapel angeordnet und jeweils mit einem elektronischen Schaltkreis darauf ausgestattet sind, wobei die Platinen eine erste Platine (21, 30, 32, 40) mit mindestens einer Hochgeschwindigkeitseinrichtung (230, 35) umfassen, welche Hochfrequenzrauschen erzeugen und einen Abschirmungsrahmen (20, 31, 33, 41), welcher aus einem leitfähigen Metallmaterial hergestellt ist, und welcher zwischen jeweils zwei Platinen angeordnet ist und mit einem Erdungspotential der Platinen elektrisch verbunden ist, wobei der Abschirmungsrahmen (20, 31, 33, 41) die mindestens eine Hochgeschwindigkeitseinrichtung (230, 35) abschirmt, um das Hochfrequenzrauschen zu dem Erdungspotential zu leiten.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 1, worin die Platinen eine zweite Schaltplatte (22, 34, 42) aufweisen, welche oberhalb der ersten Schaltplatte (21, 30, 32, 40) angeordnet ist und mit einem Analog-Schaltkreis darauf zur Übertragung eines analogen Signals versehen ist.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 2, worin die zweite Schaltplatte eine obere Oberfläche (220) aufweist, auf der mehrere elektronische Einrichtungen (222) zur Übertragung des analogen Signals bereitgestellt sind, und eine untere Oberfläche (221), welche mit dem Erdungspotential elektrisch verbunden ist.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 2, worin die erste Schaltplatte einen Hochfrequenzschaltkreisbereich (23, 43) umfasst, auf dem mehrere der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen (230, 35) und ein Erdungsschaltkreis bereitgestellt sind, worin der Erdungsschaltkreis jeden der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen umgibt.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 4, worin der Abschirmrahmen einen äußeren Rahmen (201) und mehrere Aufteilungsrahmen (202) mit zu dem Erdungs- Schaltkreis entsprechendem Aufbau umfasst, worin die Aufteilungsrahmen mit dem äußeren Rahmen mehrere Aufnahmekammern (203) definieren, welche jeweils eine der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen aufnehmen.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 2, worin die zweite Schaltplatte (42) eine obere Oberfläche (420) aufweist, auf der mehrere elektronische Einrichtungen (45) zur Übertragung eines digitalen Signals bereitgestellt sind, und eine Bodenoberfläche (421), auf der mehrere elektronische Einrichtungen zur Übertragung eines analogen Signals bereitgestellt sind, worin die Bodenoberfläche der zweiten Schaltplatte an einem Umfang davon einen Erdungsschaltkreis aufweist, welcher mit dem Erdungspotential elektrisch verbunden ist.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 6, worin der Abschirmungsrahmen (41) einen oberen Abschirmungsbereich (411) und einen unteren Abschirmungsbereich (412) umfasst, und eine Metall-Aufteilungsplatte (410), welche den oberen Abschirmungsbereich und den unteren Abschirmungsbereich trennt, worin die elektronischen Einrichtungen (46) auf der Bodenoberfläche (421) der zweiten Schaltplatte (42) durch den oberen Abschirmungsbereich (411) des Abschirmungsrahmen (41) abgeschirmt sind, und wobei die mindestens eine Hochgeschwindigkeitseinrichtung durch den unteren Abschirmungsbereich (412) des Abschirmungsrahmens abgeschirmt ist.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 1, worin die Platinen aufwiesen, die erste Schaltplatte (30), eine zweite Schaltplatte (32) und eine dritte Schaltplatte (34), wobei ein erster des Abschirmungsrahmens (31) zwischen der ersten Schaltplatte (30) und der zweiten Schaltplatte (32) eingelegt ist, und wobei ein zweiter der Abschirmungsrahmen (33) zwischen der zweiten Schaltplatte (32) und der dritten Schaltplatte (34) eingelegt ist, so dass die zweite Schaltplatte über der ersten Schaltplatte angeordnet ist, und dass die dritte Schaltplatte über der zweiten Schaltplatte angeordnet ist, worin die zweite Schaltplatte auf einer Oberfläche (320) davon, welche der dritten Schaltplatte gegenüberliegt, mit mindestens einer Hochgeschwindigkeitseinrichtung (35) versehen ist, und worin die dritte Schaltplatte mit einem analogen Schaltkreis darauf zur Übertragung eines analogen Signals versehen ist.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 8, worin die dritte Schaltplatte (34) eine obere Oberfläche aufweist, auf der mehrere elektronische Einrichtungen zur Übertragung eines analogen Signals bereitgestellt sind, worin eine Bodenoberfläche mit dem Erdungspotential elektrisch verbunden ist.
EMI-widerstandsfähiger Platinenaufbau nach Anspruch 18, worin die zweite Schaltplatte mehrere der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen aufweist und einen Erdungsschaltkreis, welcher jeden der Hochgeschwindigkeitseinrichtungen der zweiten Schaltplatte umgibt.