DE19914701A1 - Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbilddetektors sowie Festkörperbilddetektor - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbilddetektors sowie FestkörperbilddetektorInfo
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Abstract
Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbilddetektors, umfassend eine aus mehreren nebeneinander angeordneten Panels bestehende, mit einer Passivierungsschicht belegte Pixelmatrix aus einem Halbleitermaterial, insbesondere aus amorphem Silizium, und eine Szintillatorschicht zum Konvertieren von auf die Szintillatorschicht einfallender Strahlung in von der Pixelmatrix verarbeitbare Strahlung, bei dem auf die Passivierungsschicht eine für die von der Szintillatorschicht emittierte Strahlung transparente Schicht aufgebracht wird, wonach die Szintillatorschicht auf die Schicht aufgedampft wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Festkörperbilddetektors, umfassend eine aus mehreren neben
einander angeordneten Panels bestehende, mit einer Passivie
rungsschicht belegte Pixelmatrix aus einem Halbleitermateri
al. insbesondere aus amorphem Silizum und eine Szintillator
schicht zum Konvertieren von auf die Szintillatorschicht ein
fallender Strahlung in von der Pixelmatrix verarbeitbare
Strahlung.
Bekannte derartige Festkörperbilddetektoren basieren auf ei
ner aktiven Auslesematrize in Form der Pixelmatrix aus einem
Halbleitermaterial, z. B. aus amorphem Silizium (a-Si). Die
Bildinformation wird in einem Röntgenkonverter, einer soge
nannten Szintillatorschicht (z. B. aus Cäsiumjodid (CsJ)) in
eine Strahlung gewandelt, die von der Pixelmatrix verarbeit
bar ist. In den aktiven Pixeln der Pixelmatrix wird die Bil
dinformation als elektrische Ladung gespeichert und anschlie
ßend mit einer dedizierten Elektronik ausgelesen und analog
digital gewandelt. Röntgenquanten werden in der Szintillator
schicht in Strahlung, im Falle des Cäsiumjodids in Licht ge
wandelt und anschließend zu den Fotodioden umfassenden Pixeln
des amorphen Siliziums transportiert. Dieser optische Prozess
muss optimiert sein, um eine gute Bildqualität zu erreichen.
Wesentlich entscheidend ist dabei die Ankopplung der Szintil
latorschicht an die Pixelmatrix, da eine schlechte Ankopplung
die wichtigsten bildqualitätsrelevanten Parameter negativ be
einflusst. Diese Parameter sind die Auflösung, die - im Fre
quenzraum - durch die MTF (Modulations Transfer Funktion)
quantifiziert wird, und das frequenzabhängige Signal-zu-
Rausch-Übertragungsvermögen, dass durch DQE (Dedektive Quan
ten Effizienz) beschrieben wird. Um für diese Parameter gute
Werte zu erhalten ist es wesentlich, das erzeugte Signal, al
so die vom Szintillator erzeugte Strahlung ohne nennenswerte
Schwächung (durch Verlust- und Streuprozesse) und ohne we
sentliche Aufweichung der Ortsinformation (durch Streuung
oder Brechung) auf die Pixelmatrix zu bringen.
Die beste bekannte Methode zur Erhaltung von Signal und
Ortsinformation ist die direkte Bedampfung der Pixelmatrix
bzw. der auf dieser ausgebildeten Passivierungsschicht mit
der Szintillatorschicht. Dies ist - unter Einhaltung von ge
wissen Temperaturrandbedingungen - für Festkörperdetektoren
bestehend aus einem einzelnen Panel möglich. Probleme ergeben
sich jedoch bei großflächigen Detektoren, die aus mehreren
Panels, die nebeneinander angeordnet sind bestehen. An den
Stoßkanten dieser Panels entstehen stets mikroskopisch kleine
Gräben, die das Kristallwachstum der Szintillatorschicht
stark stören und ein gleichmäßiges Wachstum verhindern. Im
umgebenen Bereich dieser Stoßkanten kann keine befriedigende
Signalübertragung und damit Bildqualität erreicht werden. Ei
ne direkte Bedampfung solcher großflächigen Festkörperbildde
tektoren ist bisher nicht möglich.
Um aber dennoch auf eine derart großflächige Pixelmatrix den
Szintillator aufbringen zu können behilft man sich damit,
dass die Szintillatorschicht zunächst auf ein Substrat, in
der Regel eine dünne Aluminiumfolie aufgedampft und anschlie
ßend mit der Szintillatorschicht zur Pixelmatrix weisend auf
die Panels des Festkörperbilddetektors geklebt wird. Durch
diese Klebung werden jedoch die optischen Ankopplungseigen
schaften erheblich beeinträchtigt, sodass sowohl MTF als auch
DQE, insbesondere bei höheren Ortsfrequenzen schlechter sind
als beim direkten Prozess.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren anzu
geben, welches die Herstellung eines großflächigen Festkör
perbilddetektors mit verbesserter optischer Ankopplung der
Szintillatorschicht ermöglicht.
Zur Lösung dieses Problems ist bei einem Verfahren der ein
gangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, dass auf die
Passivierungsschicht eine für die von der Szintillatorschicht
emittierte Strahlung transparente Schicht aufgebracht wird,
wonach die Szintillatorschicht auf die Schicht aufgedampft
wird.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird auf die Passivierungs
schicht (z. B. Siliziumnitrid der aus mehreren nebeneinander
angeordneten Panels bestehenden Pixelmatrix zunächst eine
strahlungstransparente Schicht aufgebracht, was dazu führt,
dass eine ebene Fläche auch im Bereich der Stoßnähte der Pa
nelkanten geschaffen wird. Dies ermöglicht es, das Szintilla
tormaterial direkt auf diese Schicht aufzudampfen und eine
homogene Szintillatorschicht auch im Bereich der Panel
stossnähte aufwachsen zu lassen. Da die strahlungstransparen
te Schicht unmittelbar auf der Passivierungsschicht der Pi
xelmatrix aufgebracht ist, und da die Szintillatorschicht un
mittelbar auf dieser Schicht aufgebracht ist, ergibt sich so
mit eine sehr gute optische Ankopplung.
Zur weiteren Verbesserung der optischen Ankopplung kann er
findungsgemäß eine in ihrem Brechungsindex in Abhängigkeit
der Brechnungsindices der Szintillatorschicht und der Passi
vierungsschicht und/oder gegebenenfalls des Halbleitermateri
als gewählte Schicht verwendet werden. Hierdurch kann er
reicht werden, dass die Brechung beim Einkoppeln der von der
Szintillatorschicht erzeugten Strahlung in die hierfür strah
lenresistente Schicht sowie beim Einkoppeln der diese durch
dringenden Strahlung in die Passivierungsschicht bzw. das
Halbleitermaterial auftretende Brechung möglichst gering ge
halten wird. Es hat sich als zweckmäßig herausgestellt, wenn
der Brechungsindex der Schicht im wesentlichen mittig zwi
schen dem Brechungsindex der Szintillatorschicht und der Pas
sivierungsschicht bzw. des Halbleitermaterials liegt.
Gemäß einer ersten Erfindungsausgestaltung kann als Schicht
eine Folie verwendet werden, die entweder auf die Passivie
rungsschicht aufgeklebt oder aber adhäsiv befestigt wird. Als
Kleber kann dabei ein solcher mit einem in Abhängigkeit der
Brechensindices der Folie und der Passivierungsschicht
und/oder gegebenenfalls des Halbleitermaterial gewählten Bre
chungsindex verwendet werden. Da auch die Kleberschicht eine
gewisse Dicke aufweist kann durch entsprechende Wahl des Bre
chungsindex derselben eine weitere Verbesserung der Strah
lungsführung im Hinblick auf die Brechung erreicht werden.
Schließlich kann auch eine Folie bestehend aus mehreren ver
schiedene Brechensindices aufweisenden Folienschichten ver
wendet werden.
Die Dicke der Folie sollte möglichst gering sein und im Be
reich weniger µm liegen. Da unmittelbar auf die Folie aufge
dampft wird, diese also den beim Aufdampfen herrschenden Tem
peraturen ausgesetzt ist, sollte sie bis wenigstens 180°C,
insbesondere bis wenigsten 250°C temperaturstabil sein.
Eine zur Ausbildung der Schicht mittels einer Folie alterna
tive Erfindungsausführung sieht dem gegenüber vor, dass die
Schicht durch Aufgießen eines viskosen Schichtmaterials und
anschliessendes Aushärten desselben gebildet wird. Die Panels
werden quasi oberseitig vergossen, wodurch eine sehr ebene
Oberflächenschicht (auf welche dann das Szintillatormaterial
aufgedampft werden kann) erhalten wird. Als Schichtmaterial
kann ein Kleber verwendet werden, wobei auch hier die Dicke
der Schicht wenige µm betragen sollte. Das verwendete
Schichtmaterial sollte im ausgehärteten Zustand bis wenig
stens 180°C, insbesondere bis wenigstens 250°C stabil sein.
Insbesondere im Falle der Verwendung einer Folie hat es sich
aus Stabilitätsgründen als zweckmäßig erwiesen, wenn vor dem
Aufbringen der Schicht die Stoßnähte der nebeneinander ange
ordneten Panels, die auf einem Glassubstrat angeordnet sind,
zumindest teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt werden. Im
Falle des Aufgießens der Schicht werden die Stoßnähte ohnehin
mit dem Schichtmaterial verfüllt, sodass sich hierdurch eine
hinreichende Stabilität ergibt.
Um jedoch zu vermeiden, dass über die Stossnähte seitlich
Strahlung in das Halbleitermaterial und damit in die randsei
tigen Pixel eingekoppelt wird, sollte das Füllmaterial für
die von der Szintillatorschicht emittierte Strahlung nicht
transparent sein. Auch hierfür eignet sich ein Kleber. Dieses
Füllmaterial, insbesondere der Kleber wird sowohl im Falle
der Verwendung einer Folie als auch im Falle der Ausbildung
einer Gießschicht vorher in die Stoßnähte eingeführt, wonach
erst die Folie aufgebracht oder aber das Schichtmaterial auf
gegossen wird. Die Stoßnähte sollten dabei möglichst voll
ständig mit dem nicht strahlungstransparenten Material ge
füllt werden. Hierdurch kann ein unbeabsichtigtes, zu einer
Informationsverfälschung im Kantenbereich führendes Einkop
peln von vom Szintillator emittierter Strahlung vermieden
werden.
Neben dem Verfahren betrifft die Erfindung ferner ein Fest
körperbilddetektor, umfassend eine aus mehreren nebeneinander
angeordneten Panels bestehende, mit einer Passivierungs
schicht belegte Pixelmatrix aus einem Halbleitermaterial,
insbesondere aus amorphem Silizium und eine Szintillator
schicht zum Konvertieren von auf die Szintillatorschicht ein
fallender Strahlung in von der Pixelmatrix verarbeitbare
Strahlung. Dieser Festkörperbilddetektor zeichnet sich da
durch aus, dass auf die Passivierungsschicht eine diese be
deckende Schicht aufgebracht ist, auf welcher die Szintilla
torschicht aufgebracht ist.
Weitere zweckmäßige Erfindungsausgestaltungen sind den abhän
gigen Unteransprüchen zu entnehmen.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung er
geben sich aus den nachfolgenden beschriebenen Ausführungs
beispielen sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:
Fig. 1 eine Prinzipdarstellung eines aus mehreren einzel
nen Panels bestehenden Festkörperbilddetektors,
Fig. 2 eine Schnittansicht in Form einer Prinzipskizze
durch den Festkörperbilddetektor mit einer Schicht
in Form einer Folie,
Fig. 3 eine Ansicht entsprechend Fig. 2 mit einer durch
Aufgießen erzeugten Schicht und
Fig. 4 eine Schnittansicht durch einen Festkörperbildde
tektor zur Darstellung der sich aus einem direkten
Aufdampfen der Szintillatorschicht ohne Einbringen
der erfindungsgemäßen Schicht ergebenden Konfigura
tion.
Fig. 1 zeigt in Form einer Prinzipdarstellung einen erfin
dungsgemäßen Festkörperbilddetektor 1 bestehend aus vier se
paraten Panels 2 aus einem Halbleitermaterial, die jeweils
eine Pixelmatrix bestehend aus einer Vielzahl einzelner Pixel
3 aufweisen. Die Panels 2 sind unter Bildung von Stoßnähten 4
nebeneinander geordnet. Die Stoßnähte 4 sind einige µm breit,
ihre Breite hängt im wesentlichen von der Kantenqualität der
aneinander gegenüberstehenden Panelkanten ab. Untersuchungen
haben gezeigt, dass sich Nahtbreiten im Bereich von 20-80 µm,
mitunter aber auch mehr ergeben. Die in Fig. 1 gezeigten Pa
nels 2 sind mit ihrer Unterseite auf einem gemeinsamen Sub
strat in Form eines Glasträgers angeordnet. Auf die aktive
Bildfläche, gebildet von den Pixeln 3, ist eine nicht näher
gezeigte Passivierungsschicht 5 aufgebracht, z. B. aus Silizi
umnitrid. Auf diese Passivierungsschicht wiederum wird, wie
wir nachfolgend noch beschreiben die Szintillatorschicht auf
gebracht. In Fig. 1 gezeigt sind ferner noch die Zeilentrei
ber 6 sowie die Auslesechips 7 der Ansteuer- und Ausleseelek
tronik.
Wie beschrieben ist auf die in Fig. 1 gezeigte Panelanordnung
eine Szintillatorschicht aufzubringen. Die sich aus den vor
handenen Stoßnähten ergebenden Probleme bei einer direkten
Bedampfung der nebeneinander angeordneten Panels zeigt Fig.
4. Zwischen den beiden Panels 2 auf dem Substrat 8 befindet
sich die Stoßnaht 4. Wie Fig. 4 deutlich zeigt ergibt sich
beim Aufwachsen der Szintillatorschicht 9, die im vorliegen
den Fall aus nadelförmigen Cäsiumjodid-Kristallen 10 besteht,
auf die Passivierungsschicht ein gestörtes Kristallwachstum.
Dies führt zu einer in Bereich der Stoßnaht unbefriedigenden
Bildqualität.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch einen Festkörperbilddetektor
11. Bei diesem ist die Stoßnaht 12 zwischen den beiden Panels
13 mittels eines Füllmaterials 14 z. B. in Form eines Klebers
aufgefüllt. Das Füllmaterial 14 ist für die vom Szintillator
15 emittierte Strahlung nicht transparent, sodass ein seitli
ches Einkoppeln von Strahlung in die Randbereiche der Panels
13 vermieden wird. Auf die Passivierungsschicht 16, die die
Pixelmatrizen. 17 der Panels 13 bedeckt, ist im gezeigten Aus
führungsbeispiel eine Schicht 18 in Form einer für die von
der Szintillatorschicht 15 emittierte Strahlung transparente
Folie 19 aufgebracht. Die Folie 19 überdeckt sowohl die Pas
sivierungsschicht 16 als auch die Stoßnaht 12 und bildet eine
ebene Fläche, auf die die Szintillatorschicht 15 unmittelbar
aufgedampft ist. Die Befestigung der Folie 19 erfolgt mittels
einer Kleberschicht 20. Der Brechungsindex der Folie 19, ge
gebenenfalls auch der Brechungsindex der Kleberschicht 20
sind zur Optimierung der Strahlungsführung von der Szintilla
torschicht 15 hin zu den Pixelmatrizen 17 entsprechend den
Brechungsindices der Szintillatorschicht 15 sowie der Passi
vierungsschicht 16 und gegebenenfalls des Halbleitermaterials
der Panels 13 gewählt. Alternativ zum Befestigen der Folie 19
mittels der Kleberschicht 20 ist es auch möglich, die Folie
adhäsiv zu befestigen.
Eine weitere Erfindungsausführung zeigt Fig. 3. Bei der dort
gezeigten Schnittansicht eines Festkörperbilddetektors 21 ist
die Schicht 22 durch Aufgießen eines viskosen Schichtmateri
als auf die Panels 23 und anschließendes Aushärten des
Schichtmaterials, bei dem bevorzugt ein Kleber verwendet
wird, gebildet. Die Schicht 22 bedeckt homogen die Passivie
rungsschichten 24 der Panels 23, ferner füllt sie die auch
hier mit einem nicht transparenten Füllmaterial 25 gefüllte
Stoßnaht 26 auf. Auch hier bildet sich eine ebene Oberfläche
aus, auf die die Szintillatorschicht 27 aufgedampft werden
kann.
Die Dicken der Schichten 18 und 22 betragen wenige µm. Sie
sind resistent gegen die vom Szintillator emittierte Strah
lung und hinsichtlich der während des Aufdampfens herrschen
den Temperaturen stabil. Die in Fig. 2 gezeigte Folie kann
weiterhin aus mehreren aufeinander angeordneten Folienschich
ten bestehen, wobei jede Schicht einen anderen Brechungsindex
aufweisen kann, um hierdurch eine Verbesserung der optischen
Ankopplung zu erzielen.
Claims (30)
1. Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbilddetektor,
umfassend eine aus mehreren nebeneinander angeordneten Panels
bestehende, mit einer Passivierungsschicht belegte Pixelma
trix aus einem Halbleitermaterial, insbesondere aus amorphem
Silizum und eine Szintillatorschicht zum Konvertieren von auf
die Szintillatorschicht einfallender Strahlung in von der Pi
xelmatrix verarbeitbare Strahlung, bei dem auf die Passivie
rungsschicht eine für die von der Szintillatorschicht emit
tierte Strahlung transparente Schicht aufgebracht wird, wo
nach die Szintillatorschicht auf die Schicht aufgedampft
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, dass eine in ihrem Brechungsin
dex in Abhängigkeit der Brechungsindices der Szintillator
schicht und der Passivierungsschicht und/oder gegebenenfalls
des Halbleitermaterials verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass als Schicht eine Folie
verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Folie auf die Passivie
rungsschicht aufgeklebt oder adhäsiv befestigt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, dass ein Kleber mit einem in Ab
hängigkeit der Brechungsindices der Folie und der Passivie
rungsschicht und/oder gegebenenfalls des Halbleitermaterials
gewählten Brechungsindex verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, da
durch gekennzeichnet, dass eine Fo
lie bestehend aus mehreren verschiedene Brechungsindices auf
weisenden Folienschichten verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, da
durch gekennzeichnet, dass eine Fo
lie mit einer Dicke von wenigen µm verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, da
durch gekennzeichnet, dass eine bis
wenigstens 180°C, insbesondere bis wenigstens 250°C stabile
Folie verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die Schicht durch Auf
gießen eines viskosen Schichtmaterials und anschließendes
Aushärten desselben gebildet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch ge
kennzeichnet, dass als Schichtmaterial ein
Kleber verwendet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet, dass eine Schicht mit einer
Dicke von wenigen µm ausgebildet wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, da
durch gekennzeichnet, dass ein
Schichtmaterial verwendet wird, das im ausgehärteten Zustand
bis wenigstens 180°C, insbesondere bis wenigstens 250°C sta
bil ist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 12, da
durch gekennzeichnet, dass vor dem
Aufbringen der Schicht die Stoßnähte der nebeneinander ange
ordneten Panels zumindest teilweise mit einem Füllmaterial
gefüllt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch ge
kennzeichnet, dass als Material ein für die
von der Szintillatorschicht emittierte Strahlung nicht trans
parentes Material verwendet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch
gekennzeichnet, dass als Material ein Kleber
verwendet wird.
16. Festkörperbilddetektor, umfassend eine aus mehreren ne
beneinander angeordneten Panels bestehende, mit einer Passi
vierungsschicht belegte Pixelmatrix aus einem Halbleitermate
rial, insbesondere aus amorphem Silizum und eine Szintilla
torschicht zum Konvertieren von auf die Szintillatorschicht
einfallender Strahlung in von der Pixelmatrix verarbeitbare
Strahlung, dadurch gekennzeich
net, dass auf die Passivierungsschicht (16, 24) eine
diese bedeckende Schicht (18, 22) aufgebracht ist, auf welche
die Szintillatorschicht (15, 27) aufgebracht ist.
17. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 16, da
durch gekennzeichnet, dass der Bre
chungsindex der Schicht (18, 22) in Abhängigkeit der Bre
chungsindices der Szintillatorschicht (15, 27) und der Passi
vierungsschicht (16, 24) und/oder gegebenenfalls des Halblei
termaterials gewählt ist.
18. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 16 oder 17,
dadurch gekennzeichnet, dass die
Schicht (18) eine Folie (19) ist.
19. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 18, da
durch gekennzeichnet, dass die Fo
lie (19) auf die Pixelmatrix (17) aufgeklebt oder adhäsiv be
festigt ist.
20. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 19, da
durch gekennzeichnet, dass der Bre
chungsindex des Klebers in Abhängigkeit der Brechungsindices
der Folie (19) und der Passivierungsschicht (16) und/oder ge
gebenenfalls des Halbleitermaterials gewählt ist.
21. Festkörperbilddetektor nach einem der Ansprüche 18 bis
20, dadurch gekennzeichnet,
dass die Folie aus mehreren verschiedene Brechungsindices
aufweisenden Folienschichten besteht.
22. Festkörperbilddetektor nach einem der Ansprüche 18 bis
21, dadurch gekennzeichnet,
dass die Dicke der Folie (19) wenigen µm beträgt.
23. Festkörperbilddetektor nach einem der Ansprüche 18 bis
22, dadurch gekennzeichnet,
dass die Folie (19) bis wenigstens 180°C, insbesondere bis
wenigstens 250°C stabil ist.
24. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 16 oder 17,
dadurch gekennzeichnet, dass die
Schicht (22) eine aufgegossene Schicht aus einem ausgehärte
ten Schichtmaterial ist.
25. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 24 dadurch
gekennzeichnet, dass das Schichtmaterial ein
Kleber ist.
26. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 24 oder 25 da
durch gekennzeichnet, dass die Dic
ke der Schicht (22) wenige µm beträgt.
27. Festkörperbilddetektor nach einem der Ansprüche 24 bis
26, dadurch gekennzeichnet,
dass die Schicht (22) bis wenigstens 180°C, insbesondere bis
wenigstens 250°C stabil ist.
28. Festkörperbilddetektor nach einem der Ansprüche 18 bis
27, dadurch gekennzeichnet,
dass die Stoßnähte (12, 26) der nebeneinandergeordneten Pa
nels (13, 23) zumindest teilweise mit einem Füllmaterial (14,
25) gefüllt sind.
29. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 28, da
durch gekennzeichnet, dass die
Stoßnähte (13, 23) mit einem für die von der Szintillator
schicht (15, 27) emittierte Strahlung nicht transparenten Ma
terial gefüllt sind.
30. Festkörperbilddetektor nach Anspruch 28 oder 29,
dadurch gekennzeichnet, dass das
Material ein Kleber ist.
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ID=7903141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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