DE19857800A1

DE19857800A1 - Electron beam tube with two grids has pot-shaped curvature in inner region of first grid stop towards second grid electrode and extending over edge of first carrier aperture

Info

Publication number: DE19857800A1
Application number: DE1998157800
Authority: DE
Inventors: Gerhard Hoersch
Original assignee: Thomson Tubes Electroniques GmbH
Current assignee: Thales Electron Devices GmbH
Priority date: 1998-12-15
Filing date: 1998-12-15
Publication date: 2000-06-29
Anticipated expiration: 2018-12-16
Also published as: DE19857800C2

Abstract

The electron beam tube has a grid arrangement with a cathode and two grid electrodes in the beam direction. The first grid electrode has a carrier with an aperture and stop spanning the aperture, connected at the edge to the carrier and with a central beam opening. The first grid stop has a pot-shaped curvature in its inner region towards the second grid electrode extending over the edge of the first carrier aperture.

Description

Die Erfindung betrifft eine Elektronenstrahlröhre nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to an electron beam tube according to the preamble of Claim 1.

Der Aufbau eines Strahlsystems einer Elektronenstrahlröhre mit einer Elektro denfolge Kathode, Gitter1 und Gitter2 sowie ggf. weiteren Elektroden, insbe sondere einer Fokuselektrode und einer Anode, ist gebräuchlicher Stand der Technik, wobei häufig die Gitter2-Elektrode in zwei separate, in Elektronen strahlrichtung beabstandete Elektroden Gitter21 und Gitter22 auf unterschiedli chen Potentialen unterteilt ist.The construction of a beam system of an electron beam tube with an electro consequently cathode, grid1 and grid2 and possibly further electrodes, in particular special a focus electrode and an anode, is the common state of the Technique, often using the grid2 electrode in two separate, in electrons Electrodes grid21 and grid22 spaced apart in the beam direction on different Chen potentials is divided.

Die Gitter1-Elektrode besteht bei einer bekannten Anordnung aus einem Git ter1-Träger, der in einer senkrecht zur Elektronenstrahlrichtung liegenden Elektrodenträgerfläche eine Aussparung aufweist, welche durch eine Gitter1- Blende mit einer zentralen Strahlöffnung überspannt ist. Die Materialstärke der Blende ist wesentlich geringer als die des Trägers.In a known arrangement, the grid 1 electrode consists of a grid ter1 carrier, which lies in a direction perpendicular to the electron beam direction Electrode support surface has a recess, which by a grid 1- Aperture is spanned with a central beam opening. The material thickness of the The aperture is much smaller than that of the wearer.

Die Abbildungseigenschaften einer bildgebenden solchen Elektronenstrahlröh re hängen maßgeblich von der bei einem gegebenen Röhrenaufbau maximal möglichen Hell-Dunkel-Umtastgeschwindigkeit der Strahlintensität ab, die wie derum bestimmt ist durch die maximale Modulationsfrequenz der zur Strahlintensitätssteuerung modulierten Elektrodenspannung. Die Modulationsfrequenz ist insbesondere begrenzt durch die für die modulierte Elektrodenspannung wirksame Kapazität. Bei der ursprünglich üblichen Kathodensteuerung zur Steuerung der Strahlintensität wird lediglich die Elektrodenspannung der Ka thode gegen Bezugspotential moduliert. Die Gitter1-Elektrode liegt auf kon stantem Potential.The imaging properties of such an electron beam tube re largely depend on the maximum for a given tube structure possible light-dark shift keying speed of the beam intensity, which like which is determined by the maximum modulation frequency for beam intensity control modulated electrode voltage. The modulation frequency is particularly limited by that for the modulated electrode voltage effective capacity. In the originally common cathode control Control of the beam intensity is only the electrode voltage of the Ka modulated against reference potential. The grid 1 electrode lies on con constant potential.

Höhere Modulationsfrequenzen können durch die Gegentaktsteuerung erreicht werden, bei welcher die Elektrodenspannungen der Kathode und der Gitter1- Elektrode im Gegentakt moduliert werden, wobei die maximalen Spannungs werte der Elektrodenspannungen gegen Bezugspotential jeweils geringer sind als die zur gleichen Helligkeitsdynamik erforderliche Kathodenspannung bei der reinen Kathodensteuerung. Typisch sind beispielsweise maximale Span nungsamplituden für Gitter1 und Kathode von -50 V bzw. +50 V bei der Ge gentaktsteuerung gegenüber 100 V bei der Kathodensteuerung.Higher modulation frequencies can be achieved by push-pull control at which the electrode voltages of the cathode and the grid 1- Electrode can be modulated in push-pull, taking the maximum voltage values of the electrode voltages against the reference potential are lower in each case than the cathode voltage required for the same brightness dynamics the pure cathode control. Maximum span is typical, for example voltage amplitudes for grid 1 and cathode of -50 V and +50 V for Ge Genetic cycle control compared to 100 V in the cathode control.

Eine weitere Möglichkeit der Strahlintensitätssteuerung liegt in der reinen Git ter1-Steuerung, bei welcher die Elektrodenspannung der Gitter1-Elektrode mo duliert wird und die Kathode auf konstantem Potential liegt.Another option for beam intensity control is pure git ter1 control, in which the electrode voltage of the grid 1 electrode mo is dulated and the cathode is at constant potential.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Steuerungsmög lichkeiten der Strahlintensität einer Elektronenstrahlröhre zu verbessern.The present invention has for its object to control to improve the beam intensity of an electron beam tube.

Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 beschrieben. Die Unteransprüche ent halten vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung.The invention is described in claim 1. The subclaims ent hold advantageous refinements and developments of the invention.

Die Erfindung ermöglicht auf einfache Weise ohne Beeinträchtigung der elek tronenoptischen Eigenschaften des Strahlsystems eine deutliche Verringerung der Kapazität der Gitter1-Elektrode, die wesentlich durch die Teilkapazität ge gen die Gitter2-Elektrode bestimmt ist, und damit eine höhere Modulationsfre quenz für die Gitter1-Elektrodenspannung. Unter Gitter2-Elektrode sei hier und im folgenden soweit nicht explizit anders ausgeführt allgemein die in Strahl richtung auf die Gitter1-Elektrode folgende Elektrode, insbesondere beispiels weise die Gitter21-Elektrode einer aufgeteilten Gitter2-Anordnung verstanden.The invention allows in a simple manner without affecting the elek tron-optical properties of the beam system a significant reduction the capacity of the grid 1 electrode, which is significantly influenced by the partial capacity gene is determined, and thus a higher modulation fre sequence for the grid 1 electrode voltage. Under grid2 electrode be here and in the following, unless explicitly stated otherwise, generally in beam Direction to the grid 1 electrode following electrode, in particular example understand the grid 21 electrode of a split grid 2 arrangement.

Insbesondere kann bei Gegentaktsteuerung über die Höhe der topfförmigen Aufwölbung gezielt eine Einstellung der relativen Kapazitäten von Kathode und Gitter1 dahingehend vorgenommen werden, daß die Grenzfrequenzen für die Modulation der beiden Elektrodenspannungen ungefähr gleich sind. Bei der typischen und aus schaltungstechnischen Gründen für die Ansteuerschaltun gen günstigen Wahl betragsweise gleicher Spannungsamplituden für die bei den im Gegentakt modulierten Spannungen werden hierzu die Kapazitäten der Gitter1-Elektrode und der Kathode ungefähr gleich eingestellt. Die Abweichung der Gitter1-Kapazität von der Kathodenkapazität soll dabei vorzugsweise weni ger als 50%, insbesondere weniger als 25% betragen.In particular, with push-pull control via the height of the cup-shaped Bulge targeted adjustment of the relative capacities of the cathode and Grid1 are made in such a way that the cut-off frequencies for the Modulation of the two electrode voltages are approximately the same. In the typical and for circuitry reasons for the control circuit favorable choice in terms of amount equal voltage amplitudes for the at The voltages modulated in push-pull are the capacities of the Grid 1 electrode and the cathode set approximately the same. The deviation the grid 1 capacitance from the cathode capacitance should preferably be less less than 50%, in particular less than 25%.

Die Erfindung macht sich zunutze, daß der Hauptbeitrag zur gesamten Gitter1- Kapazität und auch der Teilkapazität von Gitter1 gegen Gitter2 durch die au ßenliegenden, für die elektronenoptischen Eigenschaften des Strahlsystems nicht relevanten Bereiche von Gitter1 herrühren. Durch die erfindungsgemäße Aufwölbung der Blende über den Rand der Aussparung im Träger von Gitter1 wird die der Gitter2-Elektrode zugewandte Fläche des Gitter1-Trägers weiter von der Gitter2-Elektrode weg verschoben und so der Kapazitätsbeitrag dieser Fläche stark verringert. Die Höhe der Aufwölbung über den Rand beträgt vor zugsweise mindestens 25%, insbesondere mindestens 50% des Abstands zwi schen der Gitter1-Blende und der Gitter2-Elektrode im Bereich der Strahlöff nungen.The invention takes advantage of the fact that the main contribution to the overall grid Capacity and also the partial capacity of Grid1 against Grid2 by the au for the electron-optical properties of the beam system not relevant areas originate from grid1. By the invention Bulge of the panel over the edge of the recess in the support of grille 1 the surface of the grid 1 carrier facing the grid 2 electrode becomes wider shifted away from the grid 2 electrode and thus the capacity contribution of this Area greatly reduced. The height of the bulge over the edge is before preferably at least 25%, in particular at least 50% of the distance between the grid 1 aperture and the grid 2 electrode in the area of the beam aperture mentions.

Da mit zunehmender Höhe der Aufwölbung der topfförmigen Blende über den Rand der Aussparung im Träger der Gitter1-Elektrode unter Beibehaltung des elektronenoptisch wesentlichen Abstands der Kathode von der Gitter1-Blende in Elektronenstrahlrichtung die Kathode tiefer in die Trägeraussparung und die Topfform der Blende eintaucht, ist der Innendurchmesser der Topfform vor zugsweise mindestens gleich dem 1,5-fachen, insbesondere mindestens gleich dem 2-fachen des Durchmessers der Kathode in diesem Bereich. Der Durch messer der Aussparung im Träger der Gitter1-Elektrode ist typischerweise grö ßer als der Durchmesser der Topfform der Blende.Because with increasing height of the bulge of the cup-shaped aperture over the Edge of the recess in the support of the grid 1 electrode while maintaining the electronically significant distance of the cathode from the grid 1 aperture in the electron beam direction, the cathode deeper into the carrier recess and the Immersed pot shape of the panel, the inner diameter of the pot shape is in front preferably at least 1.5 times, in particular at least equal twice the diameter of the cathode in this area. The through The diameter of the recess in the carrier of the grid 1 electrode is typically larger larger than the diameter of the pot shape of the panel.

Die Herstellung der topfförmigen Blende erfolgt vorteilhafterweise durch Tiefziehen eines Bleches geringer Materialstärke in Form eines Topfes mit kra genförmig abstehendem, ebenem Kreisring als Topfrand und Befestigen der Blende auf dem Träger durch Verlöten, Verschweißen etc. des Topfrandes mit dem Träger. Die Materialstärke der Blende im ebenen Bereich betrage bei spielsweise 50 µm, wogegen die Materialstärke des Trägers der Gitter1- Elektrode im Bereich von 150 µm bis 250 µm liege.The pot-shaped diaphragm is advantageously produced by Deep drawing a sheet of low material thickness in the form of a pot with kra Genetically protruding, flat circular ring as a pot edge and fastening the Cover on the carrier by soldering, welding, etc. to the rim of the pot the carrier. The material thickness of the panel in the flat area is for example 50 µm, whereas the material thickness of the support of the grating 1- Electrode is in the range from 150 µm to 250 µm.

Der Abstand zwischen Kathode und Gitter1-Blende in Strahlrichtung liegt bei spielsweise im Bereich von 100 µm, der Abstand zwischen Gitter1-Blende und Gitter2 im Bereich von 150 µm. Die Erfindung ist nachfolgend anhand von Aus führungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Abbildungen noch eingehend veranschaulicht. Dabei zeigt:The distance between the cathode and the grid1 aperture in the beam direction is included for example in the range of 100 µm, the distance between grating 1 aperture and Grid2 in the range of 150 µm. The invention is based on Aus examples of management with reference to the illustrations illustrated. It shows:

Fig. 1 eine Gesamtansicht eines Strahlsystems, Fig. 1 is an overall view of a beam system,

Fig. 2 eine Ausschnittsvergrößerung aus Fig. 1, Fig. 2 is an enlarged detail from Fig. 1,

Fig. 3 eine weiter vergrößerte Darstellung des Triodenbereichs, Fig. 3 is a further enlarged view of the Triodenbereichs,

Fig. 4 eine gebräuchliche Anordnung, Fig. 4 is a common arrangement,

Fig. 5 eine erste erfindungsgemäße Anordnung, Fig. 5 shows a first arrangement according to the invention,

Fig. 6 eine zweite erfindungsgemäße Anordnung. Fig. 6 shows a second arrangement according to the invention.

Fig. 1 zeigt einen Längsschnitt durch einen typischen Aufbau eines Strahlsy stems einer Elektronenstrahlröhre mit einer Anode AN, einer langgestreckten Fokuselektrode F und einer in dieser Darstellung im Detail nicht aufgelösten Troden-Elektrodengruppe TR. Die Elektroden sind in ihrer gegenseitigen Lage fixiert und beispielsweise an mehrere parallel zur Elektronenstrahlrichtung z verlaufende Trägerstäbe aus Glas angeschmolzen. Die Fig. 2 zeigt einen in Fig. 1 durch einen Kreis eingerahmten Ausschnitt in vergrößerter Form. Mit G1T ist der topfförmig ausgebildete Gitter1-Träger bezeichnet. Die Gitter2- Anordnung ist aufgeteilt in eine kathodenseitige Gitter21-Elektrode G21 und eine fokusseitige Gitter22-Elektrode G22. Fig. 1 shows a longitudinal section through a typical structure of a beam system of an electron beam tube with an anode AN, an elongated focus electrode F and a trode electrode group TR which is not resolved in detail in this illustration. The electrodes are fixed in their mutual position and, for example, melted onto a plurality of glass support rods running parallel to the electron beam direction z. FIG. 2 shows a detail framed by a circle in FIG. 1 in an enlarged form. With G1T the cup-shaped lattice 1 carrier is designated. The grid 2 arrangement is divided into a grid 21 electrode G21 on the cathode side and a grid 22 electrode G22 on the focus side.

In Fig. 3 ist die in Fig. 2 mit unterbrochener Kreislinie eingerahmte Elektroden gruppe weiter vergrößert dargestellt. In Elektronenstrahlrichtung Z aufeinan derfolgend sind nachfolgend insbesondere die Elektroden Kathode K, Gitter1 mit Gitter1-Träger G1T und Gitter1-Blende B sowie Gitter21-Elektrode G21 als Teil der Gitter2-Anordnung näher betrachtet. Die Elektroden seien zumindest in dem hier betrachteten Bereich vollständig aus Metall.In FIG. 3, the electrode group framed in FIG. 2 with a broken circular line is shown further enlarged. In the electron beam direction Z one after the other, the electrodes cathode K, grid 1 with grid 1 carrier G1T and grid 1 diaphragm B and grid 21 electrode G21 are considered in particular as part of the grid 2 arrangement. The electrodes are made entirely of metal, at least in the area considered here.

Der Gitter1-Träger G1T weist in Richtung der Gitter21-Elektrode eine im we sentlichen ebene Trägerfläche auf, in welche eine Aussparung SP, vorzugs weise als kreisförmige zur Elektronenstrahlachse konzentrische Aussparung eingebracht ist. Die Aussparung SP ist überbrückt durch eine Gitter1-Blende B, die topfförmig ausgebildet und über die Fläche des Gitter1-Trägers G1T zur Gitter21-Elektrode hin aufgewölbt ist. Die Blende B ist in einem Randbereich R, der als ebener Kreisring den Topfrand der Topfform bildet, fest mit dem Gitter1- Träger G1T verbunden. Die Höhe der Aufwölbung der Blende B über die Trä gerfläche des Gitter1-Trägers sei mit D bezeichnet. Die aufgewölbte Fläche der Blende B liegt der Gitter21-Elektrode in einem Abstand H gegenüber. Die Grö ße des Abstands H ist von wesentlicher Bedeutung für die elektronenoptischen Eigenschaften des Strahlsystems. Dieser Abstand H wird durch die erfindungs gemäßen Maßnahmen nicht beeinflußt. Die wesentliche Wirkungsweise der Erfindung liegt in einer deutlichen Vergrößerung des Abstandes zwischen Git ter 21-Elektrode und der dieser zugewandten Fläche des Gitter1-Trägers G1T, der sich durch die erfindungsgemäße Maßnahme auf die gesamte Distanz H+D erhöht.The grid 1 carrier G1T has an in the direction of the grid 21 electrode substantial level support surface, in which a recess SP, preferred as a circular recess concentric to the electron beam axis is introduced. The cut-out SP is bridged by a grid 1 diaphragm B, which are cup-shaped and over the surface of the grid 1 support G1T Grid21 electrode is bulged out. The aperture B is in an edge area R, which forms a flat circular ring at the edge of the pot, firmly with the grid Carrier G1T connected. The height of the bulge of the panel B over the door The surface of the lattice 1 carrier is denoted by D. The bulging area of the Aperture B lies opposite the grid 21 electrode at a distance H. The size ß of the distance H is essential for the electron-optical Properties of the blasting system. This distance H is fictional measures not affected. The main mode of operation of the Invention lies in a significant increase in the distance between git ter 21 electrode and the surface of the grid 1 carrier G1T facing this, of the measure according to the invention over the entire distance H + D elevated.

Die gesamte bei der Ansteuerung des Gitter1 wirksame Kapazität setzt sich zusammen aus einer Teilkapazität C_G1,K gegenüber der Kathode K, einer Teil kapazität C_G1,G2 gegenüber der Gitter21-Elektrode sowie weiteren aus dem Aufbau und den Zuleitungen resultierenden Teilkapazitäten. Die Hauptbeiträge zur Gesamtkapazität von Gitter1 liefern die Teilkapazitäten gegen die Kathode und gegen die Gitter21-Elektrode. Der Abstand zwischen Gitter1-Elektrode und Kathode ist wesentlich bestimmt durch die Teilkapazität zwischen der Gitter1- Blende und der Kathode im Bereich des geringen Abstands dieser beiden Elektroden um die Elektronenstrahlachse Z. Die Kathode taucht in die Ausspa rung SP des Gitter1-Trägers G1T und, je nach Höhe D der topfförmigen Blende B auch in die Topfform ein. Durch Wahl des Durchmessers DS der Aussparung SP im Gitter1-Träger G1T zu dem mindestens 1,5-fachen, insbesondere dem mindestens 2-fachen des Durchmessers DK der Kathode in diesem Bereich ist der Kapazitätsbeitrag aufgrund der sich im größerem Abstand gegenüberste henden Wandflächen von Kathode K und Aussparung SP gering. Der Innen durchmesser der Topfform der Gitter1-Blende B ist vorzugsweise annähernd gleich groß wie der Innendurchmesser der Aussparung SP, so daß auch ein Kapazitätsbeitrag zwischen Kathode und den Seitenwänden der Topfform ver nachlässigbar ist. Der Abstand zwischen Kathode K und Gitter1-Blende B in Richtung des Elektronenstrahls Z ist für die elektronenoptischen Eigenschaften des Strahlsystems wesentlich und wird durch die erfindungsgemäßen Maß nahmen nicht beeinflußt. Eine Kapazitätszunahme durch tieferes Eintauchen der Kathode in die Aussparung SP und die Topfform der Blende bei zuneh mender Höhe D der Aufwölbung der Blende über die Fläche des Gitter1- Trägers G1T führt daher nicht zu einer beachtenswerten Kapazitätserhöhung.The total effective capacity for controlling the grid 1 is composed of a partial capacitance C _{G1, K} with respect to the cathode K, a partial capacitance C _{G1, G2} with respect to the grid 21 electrode and further partial capacities resulting from the structure and the feed lines. The main contributions to the total capacity of grid1 are provided by the partial capacities against the cathode and against the grid21 electrode. The distance between the grid1 electrode and the cathode is essentially determined by the partial capacitance between the grid1 aperture and the cathode in the region of the small distance between these two electrodes about the electron beam axis Z. The cathode is immersed in the recess SP of the grid1 carrier G1T and, depending on the height D of the pot-shaped panel B also in the pot shape. By choosing the diameter DS of the recess SP in the grid 1 support G1T to at least 1.5 times, in particular at least 2 times the diameter DK of the cathode in this area, the capacity contribution is due to the opposite wall surfaces of the cathode K and recess SP small. The inner diameter of the pot shape of the grid 1 screen B is preferably approximately the same size as the inner diameter of the recess SP, so that a capacity contribution between the cathode and the side walls of the pot shape is negligible. The distance between the cathode K and grid 1 diaphragm B in the direction of the electron beam Z is essential for the electron-optical properties of the beam system and is not influenced by the measures according to the invention. An increase in capacity due to deeper immersion of the cathode in the recess SP and the pot shape of the diaphragm with increasing height D of the bulging of the diaphragm over the surface of the grid 1 support G1T therefore does not lead to a remarkable increase in capacity.

Die Teilkapazität der Gitter1-Elektrode gegen die Gitter21-Elektrode kann bei der Anordnung nach Fig. 3 wieder in zwei Anteile unterschieden werden, näm lich einen ersten Anteil von dem aufgewölbten Blende B gegen die im Abstand H diesem gegenüberstehende Gitter21-Elektrode und einen zweiten Anteil von dem Gitter1-Träger G1T, der gemäß der Erfindung mit H+D einen wesentlich größeren Abstand gegen die Gitter21-Elektrode hat. Durch den größeren Ab stand gegenüber der Gitter21-Elektrode in Verbindung mit dem großen Flä chenanteil der kapazitätswirksamen Trägerfläche ergibt sich eine erhebliche Reduzierung der Teilkapazität der Gitter1-Elektrode gegen die Gitter21- Elektrode und damit auch eine deutliche Reduzierung der wirksamen Gesamt kapazität bei der Ansteuerung der Gitter1-Elektrode. Der Randbereich R mit dem kreisringförmigen Topfrand der Gitter1-Blende sei in der Betrachtung des Kapazitätsanteils der Fläche des Gitter1-Trägers gegen die Gitterelektrode 21 miteingeschlossen. Die topfförmige Blende kann auch von unten durch die Aussparung geführt und mit der Unterseite des Gitter1-Trägers verbunden sein.The partial capacity of the grid 1 electrode against the grid 21 electrode can again be differentiated into two parts in the arrangement according to FIG. 3, namely a first part from the bulging diaphragm B against the grid 21 electrode opposite at a distance H and a second part from the grid 1 carrier G1T which, according to the invention, has a substantially greater distance from the grid 21 electrode with H + D. Due to the larger distance from the grid 21 electrode in connection with the large surface area of the capacity-effective carrier surface, there is a considerable reduction in the partial capacity of the grid 1 electrode against the grid 21 electrode and thus a significant reduction in the effective total capacity when driving the Grid 1 electrode. The edge region R with the circular pot edge of the grid 1 screen is included in the consideration of the proportion of capacitance of the surface of the grid 1 support against the grid electrode 21 . The cup-shaped screen can also be guided from below through the recess and connected to the underside of the grid 1 support.

Die Fig. 4, 5 und 6 zeigen im Vergleich Anordnungen mit verschiedener Höhe D der Aufwölbung der topfförmigen Blende, wobei in Fig. 4 die bekannte Ausführungsform mit D=0 und damit im wesentlichen ebener Fläche der Git ter1-Elektrode dargestellt ist. Auch bei dieser bekannten Anordnung ist im Git ter1-Träger eine Aussparung vorgesehen, welche durch eine Blende mit einer zentralen Strahlöffnung überspannt ist, wobei auch hier die Blende selbst Topfform haben kann, jedoch dann von unten in die Aussparung eingesetzt ist und mit dem aufgewölbten Flächenteil einen ebenen Abschluß mit der in Strahlrichtung weisenden Fläche des Gitter1-Trägers bildet. FIGS. 4, 5 and 6 show in comparison with arrangements of different height D of the bulging of the pot-shaped aperture, wherein in Fig. 4, the known embodiment with D = 0, and thus represented TER1 electrode substantially planar surface of the Git. In this known arrangement, too, a recess is provided in the git ter1 carrier, which is spanned by an aperture with a central beam opening, the aperture itself being pot-shaped here, but then inserted from below into the recess and with the bulging surface part forms a flat termination with the face of the lattice 1 support pointing in the beam direction.

In Fig. 5 ist eine Ausführungsform mit einer erfindungsgemäßen Aufwölbung der Blende über die Fläche des Trägers hinaus mit einem mittleren Aufwöl bungsmaß D skizziert, wogegen in dem Beispiel nach Fig. 6 eine hohe Aufwöl bung D dargestellt ist. Die signifikante Änderung des Abstands des Gitter1- Trägers von der Gitter21-Elektrode ist augenfällig.In Fig. 5 an embodiment with a bulging of the diaphragm according to the invention over the surface of the carrier with a medium bulge dimension D is outlined, whereas in the example of Fig. 6 a high bulge D is shown. The significant change in the distance of the grid 1 carrier from the grid 21 electrode is striking.

Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen bevorzugten Ausführungsbei spiele beschränkt, sondern im Rahmen fachmännischen Könnens in mancher lei Weise abwandelbar.The invention is not based on the preferred embodiments described games limited, but within the scope of professional skill in some easily modifiable.

Claims

1. Electron tube with a grid arrangement, which in the electron beam direction contains a cathode, a grid 1 electrode and a grid 2 electrode, wherein the grid 1 electrode consists of a grid 1 carrier with a recess and a grid spanning the recess, which with its outer edge is connected to the lattice 1 support and has a central beam opening, characterized in that the lattice 1 aperture bulges in its inner region in the direction of the lattice 2 electrode in a pot shape over the edge of the recess in the lattice 1 support is.

2. Electron beam tube according to claim 1, characterized in that the Bulge over the edge of the recess at least 25%, in particular at least 50% of the distance between the screen and the grille2 in the area of the Jet openings is.

3. Electron beam tube according to claim 1 or 2, characterized in that the bulge is dimensioned such that the lattice 1 capacity is approximately is equal to the cathode capacity.

4. Electron beam tube according to claim 3, characterized in that the Grid1 capacity less than 50%, especially less than 25% deviates from the cathode capacity.

5. Electron beam tube according to one of claims 1 to 4, characterized shows that the inner diameter of the pot shape of the grid 1 aperture min at least equal to 1.5 times, in particular at least equal to 2 times of the diameter of the cathode.

6. Electron beam tube according to one of claims 1 to 5, characterized records that for the beam intensity control the electrode voltages of Cathode and grid1 are modulated in push-pull.