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DE19756887A1 - Kunststoffverbundkörper - Google Patents

Kunststoffverbundkörper

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DE19756887A1
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Germany
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plastic
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composite body
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Achim Neu
Alexandra Dr Rer N Atzesdorfer
Thies Janczek
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Siemens Corp
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Siemens AG
Siemens Corp
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    • C08J5/124—Bonding of a preformed macromolecular material to the same or other solid material such as metal, glass, leather, e.g. using adhesives using adhesives based on a macromolecular component
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description

Die Erfindung betrifft Kunststoffverbundkörper wie elektri­ sche Bauelemente, die einen Körper aus einem Halbleitermate­ rial, beispielsweise einen Mikrochip aufweisen.
Es ist bekannt, Mikrochips mit einer Chip-Attach- Klebstoffschicht auf leitfähigen Trägerrahmen zu befestigen, die Lead-Frame genannt werden. Diese Lead-Frames werden dann mittels Leitkleber oder durch Lötung an Leiterbahnen auf ei­ ner Leiterplatte befestigt.
Bei Kunststoffverbundkörpern wie bei Halbleiterbauelementen, die einen Grundkörper aus Metall wie beispielsweise ein Lead- Frame und einen Körper aus Halbleitermaterial wie beispiels­ weise einen Mikrochip aufweisen, treten unter realen Umwelt­ bedingungen häufig unerwünschte Ausfälle auf. Dies wird auch auf eine mangelnde Wärmeableitung vom Mikrochip zurückge­ führt.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Lösungen bereitzustellen, die einen zuverlässigen Betrieb auch unter hoher Wärmebela­ stung gewährleisten.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der Hauptansprüche gelöst. Verbesserte Ausführungsformen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
Gemäß der Erfindung wird eine Kunststoffmasse insbesondere zur festen Verbindung von Halbleiterkörpern mit anderen Mate­ rialien wie Metall und/oder zur Umhüllung von Halbleiterkör­ pern bereitgestellt. Die Kunststoffmasse weist wenigstens ei­ nen Kunststoff auf, der ein Duroplast oder ein Thermoplast sein kann, wobei wenigstens ein Füllstoff in den Kunststoff eingelagert ist. Dabei weist der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe nanoskalige, insbesondere sphärische und mit einem Kondensationsverfahren hergestellte Partikel auf.
Eine neue Technologie des physikalischen Verdampfens ermög­ licht es, Partikel herzustellen, die kleiner als 100 nm sind. Die Partikel entstehen sphärisch durch Kondensation, wobei die Art der Verbindung durch die Verwendung von bestimmten Prozeßgasen bestimmbar ist. Auf diese Weise ist es möglich, Oxide, Nitride etc. mit besonders kleiner Größe herzustellen.
Durch die Verwendung in der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse ergeben sich zahlreiche Vorteile.
Beim Einsatz in der Halbleitertechnologie wird mit der erfin­ dungsgemäßen Kunststoffmasse ein elektrisches Bauelement vor mechanischen und chemischen Einflüssen geschützt. Dabei wird ein Halbleiterchip in einem Moldprozeß samt seiner Kontaktie­ rung beispielsweise mit einem Lead-Frame mit einer beispiels­ weise auf Epoxidharz basierenden Pressmasse unter Einwirkung von Druck und Temperatur umspritzt. Abschließend stehen aus dem so hergestellten Gehäuse nur noch die Anschlußdrähte her­ aus, die galvanisiert und umgebogen werden, um ein fertiges sogenanntes "Package" zu bilden.
Bei der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse ist ein hoher Füll­ grad gewährbar, so daß nur ein geringer Anteil von teurem Ba­ sisharz notwendig ist. Dabei werden vorteilhafterweise gute Fließeigenschaften im Moldwerkzeug bereitgestellt, wobei sich der Vorteil ergibt, daß das Package und die Anschlußdrähte im Spritzprozeß nicht beschädigt oder verschoben werden.
Bei der Verwendung der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse kann ein Optimieren der Füllstoffeinbindung in die Pressmasse, die Abstimmung des Tooldesigns und der Spritzparameter deutlich vereinfacht werden. Die Partikel stellen nämlich gegenüber dem Epoxidharz kein mechanisches Hindernis dar, so daß sich das Fließverhalten der Preßmasse im Moldflow verbessert. Da­ durch steigt die Standzeit des Moldtools, da die Ein­ spritzöffnung mit einem geringen Verschleiß durch kleinere Partikel ausgesetzt ist. Die mechanische Belastung der Drähte und Chips sinkt, da die Partikel leichter den ein Hindernis darstellenden Chip umfließen. Der Füllgrad bei der erfin­ dungsgemäßen Kunststoffmasse ist durch die Verwendung von Nanosphäricals erhöht, wodurch sich ein geringerer Wärmeaus­ dehnungskoeffizient ergibt.
Die erfindungsgemäße Kunststoffmasse kann auch als sogenann­ ter Diebondkleber mit hohem Füllgrad eingesetzt werden, wo­ durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit beispielsweise zur Montage von Leistungshalbleiterbausteinen auf metallischen Lead- Frames erreicht wird. Dadurch kann man sich prozeßtechnisch schwierigere Montagetechniken wie Löten oder Ligieren erspa­ ren. Durch die Verwendung von nanoskaligen Füllstoffen können namlich höhere Füllgrade in Klebern ermöglicht werden. Zudem kann die Wärmeleitfähigkeit einer mit einer erfindungsgemäßen Kunststoffmasse hergestellten Klebstoffschicht auch variiert werden und ein gezielter Einsatz bei einer bestimmten Anfor­ derung an die Wärmeleitfähigkeit ist möglich.
Die Größe der Partikel können vorzugsweise in einem Bereich bis 1000% der Größe von Oligomerverbindungen des Kunststof­ fes gelegen sein, denn dadurch ergibt sich ein besonders gu­ ter Einbau der Partikel in einen sich im Vernetzungsprozeß befindlichen Kunststoff, wodurch sich eine dichte Packung des Kunststoffs bei gleichzeitig geschlossener Harzbedeckung der Partikel gewährleistet wird. Dabei ist unter einer Oligomer­ verbindung des Kunststoffs ein Zwischenzustand zwischen dem monomeren Zustand des Kunststoffs und dem polymeren bzw. kom­ plett vernetzten Zustand des Kunststoffs zu sehen.
Gemäß der Erfindung sind typische Partikelgrößen kleiner als 1 µm und vorzugsweise im Bereich kleiner als 40 nm vorgese­ hen. Derzeit können Partikel mit einer Größe von bis unter 10 nm bereitgestellt werden. Es sind noch kleinere Partikel denkbar.
Wenn der Füllstoff bzw. einer der Füllstoffe keramische Par­ tikel aufweist, dann läßt sich mit der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse eine elektrisch isolierende Kleberschicht be­ reitstellen. Vorzugsweise kommen Aluminiumoxide Al2O3, Borni­ trid BN und/oder Aluminiumnitrid AlN zum Einsatz. Dadurch er­ gibt sich eine Klebstoffschicht mit guter Wärmeleitfähigkeit, die dazu geeignet ist, einen Halbleiterbaustein von einem Lead-Frame elektrisch zu isolieren.
Der Füllstoff kann auch metallische Partikel aufweisen. Da­ durch lassen sich mit der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse Kleberschichten herstellen, durch die ein Halbleiterbaustein elektrisch leitend mit einem Lead-Frame verbunden wird. Durch die Steuerung des Mischungsverhältnisses von elektrisch leit­ fähigen Partikeln zu elektrisch isolierenden Partikeln kann zudem der Widerstand einer Klebstoffschicht eingestellt wer­ den, wobei eine gute Wärmeleitfähigkeit gewährleistet ist. Als Metallpartikel werden derzeit vorzugsweise Silber, Palla­ dium und/oder Kupfer verwendet.
Die Erfindung ist auch in einem Verbundkörper realisiert, der insbesondere einen integrierten Schaltkreis darstellt. Der Verbundkörper weist einen Grundkörper insbesondere aus einem Metall sowie einen über einer Kleberschicht auf dem Grundkör­ per befestigten Chip aus einem Halbleitermaterial auf, wobei die Kleberschicht aus der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse hergestellt ist. Dementsprechend umfaßt die Erfindung auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse bei ei­ nem Herstellungsverfahren zur festen Verbindung von Halblei­ terkörpern mit anderen Materialien wie Metall. Dadurch wird ein Einsatz als Diebondkleber mit hohem Füllgrad bewirkt.
Die Erfindung umfaßt auch einen Verbundkörper und insbesonde­ re einen integrierten Schaltkreis, der einen Chip aus einem Halbleitermaterial, einen Grundkörper insbesondere aus Metall sowie eine Umhüllung aufweist, wobei die Umhüllung einen Füllstoff sowie einen Kunststoff aufweist, wie sie in der er­ findungsgemäßen Kunststoffmasse eingesetzt werden.
Dementsprechend umfaßt die Erfindung auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Kunststoffmasse zur Umhüllung von Halblei­ terkörpern, um ein Gehäuse auszubilden.
Vorzugsweise werden hierbei Packages hergestellt, deren Um­ hüllung bzw. Gehäuse mit einer Pressmasse auf Biphenylbasis mit einem Füllstoff besteht, der SiO2 als Nanoscal-sphärical mit ca. 30 nm Durchmessern aufweist.

Claims (26)

1. Kunststoffmasse insbesondere zur festen Verbindung von Halbleiterkörpern mit anderen Materialien wie Metall und/oder zur Umhüllung von Halbleiterkörpern, die wenig­ stens einen Kunststoff, insbesondere ein Duroplast, sowie wenigstens einen Füllstoff aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe nanoscalige, insbesondere sphärische und mit einem Kon­ densationsverfahren hergestellte Partikel aufweist.
2. Kunststoffmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 1000% der Größe von Oligomerverbindungen des Kunststoffs gelegen ist.
3. Kunststoffmasse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 40 nm gelegen ist.
4. Kunststoffmasse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe kera­ mische Partikel aufweist.
5. Kunststoffmasse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Aluminiumoxid, Bornitrit und/oder Aluminium­ nitrit aufweisen.
6. Kunststoffmasse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. die Füllstoffe metallische Partikel aufweisen.
7. Kunststoffmasse nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Silber, Palladium und/oder Kupfer aufweisen.
8. Verbundkörper, insbesondere integrierter Schaltkreis, mit einem Grundkörper insbesondere aus einem Metall und mit einem über eine Kleberschicht auf dem Grundkörper befe­ stigten Chip aus einem Halbleitermaterial, wobei die Kle­ berschicht wenigstens einen Füllstoff sowie einen Kunst­ stoff, insbesondere ein Duroplast, aufweist dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe nanoscalige, insbesondere sphärische und mit einem Kon­ densationsverfahren hergestellte Partikel aufweist.
9. Verbundkörper nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 1000% der Größe von Oligomerverbindungen des Kunststoffs gelegen ist.
10. Verbundkörper nach Anspruch 8 oder Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 40 nm gelegen ist.
11. Verbundkörper nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe kera­ mische Partikel aufweist.
12. Verbundkörper nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Aluminiumoxid, Bornitrit und/oder Aluminium­ nitrit aufweisen.
13. Kunststoffmasse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe metal­ lische Partikel aufweist.
14. Kunststoffmasse nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Silber, Palladium und/oder Kupfer aufweisen.
15. Verwendung von nanoscaligen, insbesondere sphärischen, mit einem Kondensationsverfahren hergestellte Partikel als Füllstoff in einer Kunststoffmasse bei einem Herstel­ lungsverfahren zur festen Verbindung von Halbleiterkör­ pern mit anderen Materialien wie Metall und/oder zur Um­ hüllung von Halbleiterkörpern mit der Kunststoffmasse.
16. Verwendung eines Stoffs nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 1000% der Größe von Oligomerverbindungen des Kunststoffs gelegen ist.
17. Verwendung eines Stoffs nach Anspruch 15 oder Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 40 nm gelegen ist.
18. Verwendung eines Stoffs nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe kera­ mische Partikel aufweist.
19. Verwendung eines Stoffs nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Aluminiumoxid, Bornitrit und/oder Aluminium­ nitrit aufweisen.
20. Verwendung eines Stoffs nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel metallische Partikel aufweisen.
21. Verwendung eines Stoffs nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Silber, Palladium und/oder Kupfer aufweisen.
22. Verbundkörper, insbesondere integrierter Schaltkreis, mit einem Chip aus einem Halbleitermaterial, mit einem Grund­ körper insbesondere aus Metall sowie mit einer Umhüllung, wobei die Umhüllung wenigstens einen Füllstoff sowie ei­ nen Kunststoff, insbesondere ein Duroplast, aufweist dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe nanoscalige, insbesondere sphärische und mit einem Kon­ densationsverfahren hergestellte Partikel aufweist.
23. Verbundkörper nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 1000% der Größe von Oligomerverbindungen des Kunststoffs gelegen ist.
24. Verbundkörper nach Anspruch 22 oder Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Partikel in einem Bereich bis 40 nm gelegen ist.
25. Verbundkörper nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff bzw. wenigstens einer der Füllstoffe kera­ mische Partikel aufweist.
26. Verbundkörper nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikel Aluminiumoxid, Bornitrit und/oder Aluminium­ nitrit aufweisen.
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EP98965611A EP1040519A1 (de) 1997-12-19 1998-12-14 Kunststoffverbundkörper
US09/596,423 US6469086B1 (en) 1997-12-19 2000-06-19 Plastic molding compound, composite body, and filler for a plastic molding compound

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10000834A1 (de) * 2000-01-12 2001-08-16 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Verbindungen
DE10206818A1 (de) * 2002-02-18 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Klebstoffschicht und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10228592A1 (de) * 2002-06-26 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Leistungsbauteil mit einer Wärmesenke
DE10335155A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-03 Siemens Ag Anordnung eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
DE10345157A1 (de) * 2003-09-29 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Wärmeleitende Verpackung von elektronischen Schaltungseinheiten
DE102004058305B3 (de) * 2004-12-02 2006-05-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem eine Passivierungsschicht aufweisenden Halbleiterchip sowie Verfahren zur Herstellung desselben

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10016380C2 (de) * 2000-03-29 2002-01-24 Infineon Technologies Ag Gehäuse für ein elektrisches Bauteil
DE10123232A1 (de) * 2001-05-12 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
DE10336747A1 (de) * 2003-08-11 2005-03-17 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelementanordnung mit einer Nanopartikel aufweisenden Isolationsschicht
AU2003269585B2 (en) * 2003-10-10 2010-10-14 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Wear resistant polymers
US8932632B2 (en) * 2003-10-21 2015-01-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Adhesives and sealants nanotechnology
DE102004015403A1 (de) * 2004-03-26 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Verwendung nanoskaliger Partikel zur Erzeugung kratzfester Schutzschichten auf Halbleiterchips
US8221885B2 (en) * 2004-06-02 2012-07-17 Cool Options, Inc. a corporation of the State of New Hampshire Thermally conductive polymer compositions having low thermal expansion characteristics
DE102004032605B4 (de) * 2004-07-05 2007-12-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und elektrischen Verbindungselementen zu einer Leiterstruktur
US20080127497A1 (en) * 2005-10-31 2008-06-05 Dennis Moss Blade assembly
US8631583B2 (en) 2005-10-31 2014-01-21 Dennis Moss Bagel slicer
WO2007091737A1 (ja) * 2006-02-10 2007-08-16 Teijin Limited 樹脂組成物およびその製造方法
GB2436739B (en) * 2006-03-31 2008-03-12 Int Rectifier Corp Process for fabricating a semiconductor package
GB2448117B (en) * 2007-03-30 2009-06-03 Cambridge Semiconductor Ltd Forward power converter controllers
CH705589A2 (de) 2011-10-03 2013-04-15 Berlinger & Co Behälter mit Verschlusssicherung.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4037972A1 (de) * 1989-12-20 1991-06-27 Asea Brown Boveri Bauteil hoher elektrischer feldbelastbarkeit und langzeitstabilitaet fuer verwendung als isolierkoerper

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3616133A1 (de) * 1985-09-25 1987-11-19 Merck Patent Gmbh Kugelfoermige sio(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-partikel
FI105605B (fi) * 1989-04-27 2000-09-15 Siemens Ag Planarisoiva eriste
JPH0724270B2 (ja) * 1989-12-14 1995-03-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
DE4219287A1 (de) * 1992-06-12 1993-12-16 Merck Patent Gmbh Anorganische Füllstoffe und organische Matrixmaterialien mit Brechungsindex-Anpassung
KR970008355B1 (ko) * 1992-09-29 1997-05-23 가부시키가이샤 도시바 수지밀봉형 반도체장치
JPH06302726A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Nitto Denko Corp 熱硬化性樹脂組成物
JPH07283347A (ja) * 1994-04-14 1995-10-27 Toppan Printing Co Ltd 半導体パッケージ
US5907190A (en) * 1994-11-24 1999-05-25 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Semiconductor device having a cured silicone coating with non uniformly dispersed filler
US5635240A (en) * 1995-06-19 1997-06-03 Dow Corning Corporation Electronic coating materials using mixed polymers
JP3468996B2 (ja) * 1995-08-01 2003-11-25 株式会社東芝 エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPH0967553A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイボンディング用樹脂ペースト
JPH104174A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Mitsui Petrochem Ind Ltd 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JP2957955B2 (ja) * 1996-08-29 1999-10-06 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4264991B2 (ja) * 1997-03-27 2009-05-20 住友ベークライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4037972A1 (de) * 1989-12-20 1991-06-27 Asea Brown Boveri Bauteil hoher elektrischer feldbelastbarkeit und langzeitstabilitaet fuer verwendung als isolierkoerper

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z: kleben & dichten Adhärison 42, (1998) 10-14 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10000834A1 (de) * 2000-01-12 2001-08-16 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Verbindungen
DE10206818A1 (de) * 2002-02-18 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Klebstoffschicht und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10228592A1 (de) * 2002-06-26 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Leistungsbauteil mit einer Wärmesenke
DE10335155A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-03 Siemens Ag Anordnung eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
DE10335155B4 (de) * 2003-07-31 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
US7649272B2 (en) 2003-07-31 2010-01-19 Siemens Aktiengesellschaft Arrangement of an electrical component placed on a substrate, and method for producing the same
DE10345157A1 (de) * 2003-09-29 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Wärmeleitende Verpackung von elektronischen Schaltungseinheiten
DE10345157B4 (de) * 2003-09-29 2009-01-08 Qimonda Ag Wärmeleitende Verpackung von elektronischen Schaltungseinheiten
DE102004058305B3 (de) * 2004-12-02 2006-05-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem eine Passivierungsschicht aufweisenden Halbleiterchip sowie Verfahren zur Herstellung desselben

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