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DE19753664A1 - Oberflächenwellen-Resonatorfilter - Google Patents

Oberflächenwellen-Resonatorfilter

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DE19753664A1
DE19753664A1 DE19753664A DE19753664A DE19753664A1 DE 19753664 A1 DE19753664 A1 DE 19753664A1 DE 19753664 A DE19753664 A DE 19753664A DE 19753664 A DE19753664 A DE 19753664A DE 19753664 A1 DE19753664 A1 DE 19753664A1
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DE
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electrode
resonator filter
interdigital
interdigital electrode
electrodes
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Oberflächenwellen-Resonator­ filter (SAW-Resonatorfilter) der Längskopplungsart, bei dem Reflektoren auf beiden Seiten eines Bereichs ausgebildet sind, in dem sich interdigitale Elektroden befinden. Genauer gesagt betrifft die Erfindung den oben genannten Typ eines SAW- Resonatorfilters der Längskopplungsart, das eine verbesserte Elektrodenstruktur aufweist, bei der unerwünschte Falschansprechungen unterdrückt werden.
SAW-Filter werden als Bandpaßfilter für verschiedene Arten von Kommunikationsvor­ richtungen verwendet. Es besteht ein großer Wunsch danach, daß die Bandpaßfilter die benötigten Durchlaßbandbreiten mit einer hohen Selektivität gewährleisten. Folg­ lich ist es auch notwendig, daß ein SAW-Filter, der in einer Hochfrequenzstufe ver­ wendet wird, eine benötigte Durchlaßbandbreite mit einer hohen Selektivität sicher­ stellt. Es ist vor allem wichtig, daß HF-Stufen-SAW-Filter, die in schnurlosen Tele­ phonen benutzt werden, die CT-1-, CT-1⁺- und CT-2-Standards aufweisen, Dämp­ fungen in den Bereichen von ±20 MHz und ±40 MHz relativ zur Mittenfrequenz auf­ weisen, wobei diese Bereiche in Abhängigkeit von den Zwischenfrequenz (IF)-Filtern schwanken, die in diesen Telephonen benutzt werden. Somit müssen die HF-Stufen- SAW-Filter sogar noch höhere Selektivitätscharakteristiken aufweisen.
Andererseits sind SAW-Filter der Resonatorart gegenüber anderen Arten von SAW- Filtern im Hinblick auf verringerte Einfügungsdämpfungen und erhöhte Außerband- Dämpfungen vorteilhaft und stellen auch einen kompakteren Filter dar. So sind z. B. die folgenden Arten von SAW-Resonatorfilter der Längskopplungsart in einer Vielzahl von Stufen verbunden, um die oben genannten Anforderungen in einem erträglichen Maße zufriedenzustellen. Bei dieser Art von SAW-Filter sind drei interdigitale (im fol­ genden als "ID" bezeichnet) Elektroden nahe beieinander in einem gleichen Abstand auf einem sich in X-Richtung ausbreitenden piezoelektrischen 36-Y-Schnitt-LiTaO3- Substrat angeordnet, und Reflektoren befinden sich auf beiden Seiten eines Be­ reichs, in dem die ID-Elektroden angeordnet sind.
Aber bei dem oben genannten herkömmlichen Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter werden unerwünschte Falschansprechungen in einem Frequenzbereich erzeugt, der höher als der Durchlaßbereich ist. Fig. 3 veranschaulicht die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW- Resonatorfilters. Die Vollinie A gibt einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der Charakteristiken an, die durch die Vollinie B mit einer Maßeinteilung auf der vertika­ len Achse von Fig. 3 dargestellt sind. Das Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter mit den in Fig. 3 gezeigten Charakteristiken besitzt ein Durchlaßband von 864 bis 868 MHz. Bei den oben genannten Charakteristiken treten große Falschansprechungen, die mit dem Pfeil C gekennzeichnet sind, in einem Frequenzbereich auf, der höher als der Durchlaßbereich ist, nämlich in der Nähe von 890 MHz, in dem eine ausrei­ chend große Dämpfung nicht erzielt werden kann.
Als ein Verfahren zum Unterdrücken der oben genannten Falschansprechungen C offenbart die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 8-191229 ein Verfah­ ren, um unterschiedliche Abstände zwischen der mittleren ID-Elektrode und der ei­ nen äußeren ID-Elektrode und zwischen der mittleren ID-Elektrode und der anderen äußeren ID-Elektrode herzustellen. Das Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das in dieser Veröffentlichung offenbart wird, ist in Fig. 4 gezeigt.
Ein Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das allgemein mit 10 bezeichnet ist, be­ sitzt einen Aufbau, bei dem eine erste ID-Elektrode 14 und zweite ID-Elektroden 12 und 13 nebeneinander auf einem piezoelektrischen Substrat 11 in der Richtung an­ geordnet sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Genauer gesagt befin­ den sich die zweite und die dritte ID-Elektrode 12 und 13 jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode 14. Reflektoren 15, 15 sind jeweils auf einer Seite der ID- Elektrode 12 und auf einer Seite der ID-Elektrode 13 ausgebildet, und zwar in der Oberflächenwellen-Ausbreitungsrichtung.
Die zweiten und dritten ID-Elektroden 12 und 13 sind mit einem Eingangsanschluß 21 verbunden, während die erste ID-Elektrode 14 mit einem Ausgangsanschluß 22 verbunden ist. An die ID-Elektroden 12 und 13 wird eine Spannung angelegt, um ei­ ne Oberflächenwelle zu erregen. Die erregte Oberflächenwelle breitet sich zwischen den Reflektoren 15, 15 aus, so daß eine stehende Welle erzeugt wird, und eine der stehenden Welle entsprechende Ausgangsleistung wird an der ersten ID-Elektrode 14 abgegriffen.
In dem SAW-Resonatorfilter 10 ist der Abstand der ersten ID-Elektrode 14 zu der zweiten ID-Elektrode 12, das heißt der Mittenabstand L1 zwischen den zueinander am nächsten liegenden Elektrodenfingern der jeweiligen ID-Elektroden 14 und 12, von dem Abstand der ersten ID-Elektrode 14 zu der zweiten ID-Elektrode 13, d. h. dem Mittenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Elektroden­ fingern der jeweiligen ID-Elektroden 14 und 13, verschieden.
Aber wenn die SAW-Resonatorfilter 10, die in Fig. 4 veranschaulicht sind, in zwei Stufen angeschlossen werden, kommt es zu folgendem Problem. Aufgrund der un­ terschiedlichen Mittenabstände L1 und L2 entsteht ein Dämpfungspol, der in Fig. 5 mit dem Pfeil F bezeichnet ist und der höher als das Durchlaßband ist, in dem eine gro­ ße Dämpfung erzielt werden kann. Andererseits können die oben genannten großen unerwünschten Falschansprechungen C kaum unterdrückt werden und werden nicht ausreichend verhindert, wie durch die Charakteristiken der Dämpfung als Funktion der Frequenz angeben ist, die in Fig. 5 veranschaulicht sind. In Fig. 5 stellt die Volli­ nie D einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der Charakteristiken dar, die mit der Vollinie E mit einer Maßeinteilung auf der rechten Seite der vertikalen Achse von Fig. 5 angegeben sind. Wenn man Fig. 5 mit der Fig. 3 vergleicht, kann man sehen, daß die unerwünschten Falschansprechungen C nicht wesentlich reduziert worden sind.
Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Längskopplungs-SAW- Filter vorzusehen, das verbesserte Selektivitätscharakteristiken aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist nach der vorliegenden Erfindung ein Längskopplungs- SAW-Resonatorfilter vorgesehen, das eine erste ID-Elektrode mit mindestens einem Elektrodenfinger, eine zweite ID-Elektrode und eine dritte ID-Elektrode umfaßt, die jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode in einer Richtung angeordnet sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die zweiten und dritten ID-Elektroden besitzen jeweils mindestens einen Elektrodenfinger. Das Filter weist auch einen Re­ flektor auf. Der Mittenabstand L1 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Fingerelektroden der ersten ID-Elektrode und der zweiten ID-Elektrode und der Mit­ tenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Fingerelektroden der ersten ID-Elektrode und der dritten ID-Elektrode sind verschieden. Mindestens eine der ersten, zweiten und dritten ID-Elektroden ist gewichtet.
Aufgrund der verschiedenen Mittenabstände L1 und L2 wird bei dem oben genann­ ten Resonatorfilter ein Dämpfungspol in einem Bereich gebildet, der höher als das Durchlaßband ist, in dem große Falschansprechungen unterdrückt werden. Außer­ dem ist mindestens eine ID-Elektrode gewichtet, wodurch die oben genannten Fal­ schansprechungen effektiver verhindert werden.
Deshalb können dann, wenn das oben genannte Filter als ein HF-Filter für ein schnurloses Telephon verwendet wird, Dämpfungen in den Bereichen von ±20 MHz und ±40 MHz relativ zur Mittenfrequenz zuverlässig erzielt werden. Somit erreicht das Resonatorfilter ein hohes Niveau an Selektivität.
Bei der oben genannten Art von SAW-Resonatorfilter kann die gewichtete ID- Elektrode asymmetrisch relativ zu dem Mittelpunkt der ID-Elektrode sein. Demgemäß können große Falschansprechungen in einem Bereich, der höher als der Durchlaß­ bereich ist, effektiver verringert werden.
Außerdem kann die ID-Elektrode gemäß einem sogenannten "Elektrodenfinger- Abzugsverfahren" (electrode finger withdrawal method) gewichtet werden. Dadurch wird es möglich, einen Aufbau des Filters und eine Vorsehung eines Musters auf dem Filter noch weiter zu vereinfachen.
Die oben genannte Aufgabe sowie weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vor­ liegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung der vorliegenden Erfindung deutlich, die in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen gegeben wird. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht, die die Konfiguration eines Längskopplungs-SAW- Resonatorfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung veranschaulicht,
Fig. 2 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines Längs­ kopplungs-SAW-Resonatorfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
Fig. 3 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters,
Fig. 4 eine Draufsicht, die die Konfiguration eines herkömmlichen Längskopp­ lungs-SAW-Resonatorfilters veranschaulicht, und
Fig. 5 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters, der als Vergleichsbeispiel ver­ wendet wird.
Nun wird ein SAW-Resonatorfilter, das gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung aufgebaut ist, unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrie­ ben.
Wie in der in Fig. 1 gezeigten Draufsicht zu sehen ist, ist ein Längskopplungs-SAW- Resonatorfilter, das allgemein mit 1 bezeichnet ist, durch die Verwendung eines pie­ zoelektrischen Substrats 2 gebildet. Das piezoelektrische Substrat 2 ist aus einem piezoelektrischen Einkristall, z. B. aus LiTaO3, LiNbO3 oder Quarz, oder aus einem piezoelektrischen Keramikmaterial hergestellt, wie z. B. einer Blei-Titanat-Zirkonat- Keramik.
Auf dem piezoelektrischen Substrat 2 sind eine erste ID-Elektrode 3 sowie auch eine zweite ID-Elektrode 4 und eine dritte ID-Elektrode 5 ausgebildet, die sich jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode in der Richtung befinden, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektroden 3, 4 und 5 sind jeweils aus einem Paar von kammartigen Elektroden gebildet, wobei jede Elektrode mindestens einen Elektrodenfinger besitzt und die Finger zueinander parallelgeschaltet sind.
Bei dem oben beschriebenen Aufbau des SAW-Filters 1 bilden die zweiten und drit­ ten ID-Elektroden 4 und 5 einen Eingangs-ID-Umformer, wobei eine kammartige Elektrode jeder der ID-Elektroden 4 und 5 elektrisch mit einem Eingangsanschluß 6 verbunden ist. Die erste ID-Elektrode 3 bildet einen Ausgangs-ID-Umwandler, wobei eine kammartige Elektrode der ID-Elektrode 3 elektrisch mit einem Ausgangsan­ schluß 7 verbunden ist.
Reflektoren 8 und 9 sind jeweils auf einer Seite jeder der zweiten und dritten ID- Elektroden 4 und 5 in der Richtung ausgebildet, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die Reflektoren 8 und 9 sind so aufgebaut, daß eine Vielzahl von kurzge­ schlossenen Elektrodenfingern rechtwinklig zu der Richtung positioniert sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und die Reflekto­ ren 8 und 9 können dadurch gebildet werden, daß ein leitendes Material mit einem Muster versehen wird. Die Art des leitenden Materials ist nicht speziell eingeschränkt, und es kann ein geeignetes Metallmaterial, z. B. Aluminium oder eine Aluminiumlegie­ rung, verwendet werden.
Bei dem oben beschriebenen SAW-Resonatorfilter 1 ist der Mittenabstand L1 zwi­ schen den am nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern jeweils der ersten und zweiten ID-Elektroden 3 und 4 von dem Mittenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern der jeweils ersten und dritten ID- Elektroden 3 und 5 verschieden. Außerdem ist die erste ID-Elektrode 3 gewichtet.
Das heißt, in dem SAW-Resonatorfilter 1 sind die Mittenabstände L1 und L2 ver­ schieden, um ähnlich wie bei dem bekannten SAW-Resonatorfilter 10, das in Fig. 4 gezeigt ist, große unerwünschte Falschansprechungen zu verhindern, die in einem Bereich auftreten, der höher als das Durchlaßband ist. Aber die bekannten Arten von großen unerwünschten Falschansprechungen können durch diese Anordnung allein nicht ausreichend unterdrückt werden. Folglich wird die ID-Elektrode 3 gewichtet, wie in Fig. 1 gezeigt ist, und zwar asymmetrisch zu der Richtung, in der sich die Oberflä­ chenwelle ausbreitet.
Genauer gesagt, wenn die ID-Elektrode 3 eine typische normierte ID-Elektrode ist, dann werden die Elektrodenfinger 3a, 3c, 3e, 3g, 3i, 3k, 3m und 3o mit einem Erd­ potential verbunden, während die Elektrodenfinger 3b, 3d, 3f, 3h, 3j, 3l und 3n mit dem Ausgangsanschluß 7 verbunden werden. Im Gegensatz dazu werden bei der in Fig. 1 veranschaulichten ID-Elektrode 3 die Elektrodenfinger 3h und 3l, die her­ kömmlicherweise mit den Ausgangsanschluß verbunden sind, mit einem Massean­ schluß verbunden.
Änderungen in der Verbindung der vorbestimmten Elektrodenfinger ausgehend von einem Signalanschluß (einem Eingangs- oder Ausgangsanschluß) mit einem Masse­ anschluß und umgekehrt werden allgemein als "Elektrodenfinger-Abzug" (electrode­ finger withdrawal) bezeichnet. Eine Vielzahl von Elektrodenfingern wird in der oben genannten Weise abgezogen, um die Anordnung der Elektrodenfinger der ID- Elektroden zu ändern. Dies wird "die Abzugswichtung" genannt. Die ID-Elektrode 3 wird nämlich asymmetrisch zu der Richtung gewichtet, in der sich die Oberflächen­ welle ausbreitet, wie oben angemerkt worden ist.
Es ist zwar bekannt, die Frequenzcharakteristiken eines SAW-Filters durch Wichtung der ID-Elektroden einzustellen. Dieses Wichtungsverfahren wird aber nur zum Ver­ hindern der Seitenkeulen-Falschansprechungen und der Transversalmodus- Falschansprechungen eingesetzt. Es ist also nicht möglich, die Falschansprechun­ gen in der Hauptkeule der ID-Elektroden durch herkömmliche Wichtungsverfahren zu unterdrücken.
Die erfindungsgemäße Unterdrückung der Falschansprechungen durch asymmetri­ sches Wichten der ID-Elektrode ist nämlich nur dann wirksam, wenn die Mittenab­ stände L1 und L2 verschieden sind. Wenn dagegen ein Wichtungsverfahren bei ei­ nem Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter mit drei Elektroden angewandt wird, das einen Modus nullter Ordnung oder einen Modus zweiter Ordnung verwendet, in dem die Mittenabstände L1 und L2 nicht verschieden sind, ist die Symmetrie der Filtercha­ rakteristiken gestört, wodurch in dem Durchlaßband der Modus erster Ordnung als große Falschansprechungen erzeugt wird.
Gemäß dem Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter der vorliegenden Erfindung wird somit das Wichtungsverfahren entgegen dem bestehenden Vorurteil der Fachwelt verwendet, wobei die Mittenabstände L1 und L2 verschieden ausgebildet sind. Als eine Folge davon können die unerwünschten Falschansprechungen, die in einem Bereich erzeugt werden, der höher als der Durchlaßbereich ist, effektiv verhindert werden, wodurch die Selektivitätscharakteristiken des SAW-Resonatorfilters verbes­ sert werden.
Obwohl bei dem oben genannten Ausführungsbeispiel nur die ID-Elektrode 3 ge­ wichtet wird, können zusätzlich zu der ID-Elektrode 3 auch eine oder beide der ID- Elektroden 4 und 5 gewichtet werden. Alternativ dazu kann statt der ID-Elektrode 3 mindestens eine der ID-Elektroden 4 oder 5 gewichtet werden. Darüber hinaus kann die ID-Elektrode statt asymmetrisch auch symmetrisch in der Richtung gewichtet werden, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektrode kann vorzugs­ weise asymmetrisch gewichtet sein, weil die Falschansprechungen in einem Bereich, der höher als das Durchlaßband ist, effektiver reduziert werden können.
Das Wichtungsverfahren ist nicht auf das oben genannte Elektrodenfinger- Abzugsverfahren begrenzt, sondern es können auch andere Verfahren wie z. B. das Apodisationsverfahren oder das Schrägwichtungsverfahren verwendet werden.
Außerdem kann anstelle des piezoelektrischen Substrats 2 auch ein quasipiezoelek­ trisches Substrat verwendet werden, das durch das Überziehen eines Isoliersubstrats mit einem dünnen piezoelektrischen Film erhalten wird, wobei dann in diesem Fall die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und die Reflektoren 8 und 9 entweder auf der Oberseite oder auf der Unterseite des dünnen piezoelektrischen Films angeordnet sein können.
Die Wirkung des Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters der vorliegenden Erfindung wird nun durch die Veranschaulichung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels ver­ deutlicht.
Das SAW-Resonatorfilter 1, das in Fig. 1 veranschaulicht ist, wurde unter den fol­ genden Bedingungen hergestellt: ein piezoelektrisches, sich in der X-Richtung aus­ breitendes 36-Y-Schnitt-LiTaO3-Substrat 2 wurde verwendet, wobei die Anzahl an Elektrodenfingern der ersten ID-Elektrode 3 bei 71 lag, die Anzahl an Elektrodenfin­ gern sowohl der zweiten als auch der dritten ID-Elektrode 4 und 5 bei 41 lag, die Mittenabstände L1 und L2 jeweils 0,35 ë bzw. 0,71 ë betrugen, die Anzahl der Elektro­ denfinger jedes der Reflektoren 8 und 9 bei 170 lag, die Dicke der Elektroden der Reflektoren 8 und 9 3,6% der Wellenlänge ë betrug, und die ID-Elektrode 3 wurde gemäß dem Elektrodenfinger-Abzugsverfahren asymmetrisch in der Richtung ge­ wichtet wurde, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet. Genauer gesagt wurde die ID-Elektrode 3 auf die folgende Art und Weise gewichtet. Die Elektrodenfinger einer typischen normierten ID-Elektrode wurden durch das Verbinden der 30., 32., 34., 36., 38., 54., 58., 62., 66. und 68. Elektrodenfinger ausgehend von der linken Seite von Fig. 1 mit einem Masseanschluß abgezogen. ë gibt die Wellenlänge der Oberflächenwelle an, die durch den Elektrodenabstand der Reflektoren 8 und 9 be­ stimmt wird. Als Material für die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und für die Reflektoren 8 und 9 wurde Aluminium verwendet.
Die oben genannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter 1 wurden in zwei Stufen angeschlossen und als ein CT-2-Standard-HF-Filter für ein schnurloses Telephon verwendet, das eine Mittenfrequenz von 866 MHz aufweist. Die Filtercharakteristiken der Dämpfung als Funktion der Frequenz wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in Fig. 2 gezeigt. In Fig. 2 zeigt die Vollinie G einen vergrößerten wesentlichen Ab­ schnitt der Charakteristiken an, die durch die Vollinie H hinsichtlich der Einfügungs­ dämpfungen mit einer Maßeinteilung auf der rechten Seite der vertikalen Achse von Fig. 2 dargestellt sind.
Zum Vergleich wurden die Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter 10, die in Fig. 4 ge­ zeigt sind, die als ein Vergleichsbeispiel verwendet wird, und die in einer Weise ähn­ lich dem Filter 1 aufgebaut sind, außer daß die ID-Elektrode 3 nicht gewichtet worden ist, wurden in zwei Stufen geschaltet und als ein CT-2-Standard-HF-Filter für ein schnurloses Telephon verwendet. Die Charakteristiken der Dämpfung als Funktion der Frequenz des Filters 10 wurden gemessen. Die Ergebnisse sind mit den Vollinien D und E in Fig. 5 gezeigt.
Wie oben diskutiert worden ist, werden in Abhängigkeit von den Charakteristiken des bekannten Filters 10, das in Fig. 5 gezeigt ist, die Mittenabstände L11 und L2 diffe­ renziert/beabstandet, wodurch ein Dämpfungspol erzeugt wird, bei dem die Dämp­ fung, die mit dem Pfeil F angegeben ist, erhöht werden kann. Aber die unerwünsch­ ten Falschansprechungen C werden nur geringfügig reduziert und werden nicht aus­ reichend unterdrückt, und die Dämpfung des Bereichs, der mit dem Pfeil C angege­ ben ist, liegt bei einem niedrigen Wert von 30 dB.
Im Gegensatz dazu offenbaren die Charakteristiken des SAW-Resonatorfilters 1 des in Fig. 2 veranschaulichten Ausführungsbeispiels, daß große unerwünschte Fal­ schansprechungen C, die in einem Bereich auftreten, der höher als der Durchlaßbe­ reich ist, effektiver unterdrückt werden, und die Dämpfung liegt bei einem Wert von 40 dB oder höher. Darüber hinaus werden die Charakteristiken des Filters 1, wie z. B. die Außerband-Einfügungsdämpfungen und die Durchlaßbandbreite durch das Wichten der ID-Elektrode durch das Elektrodenfinger-Abzugsverfahren nicht beein­ trächtigt.

Claims (10)

1. Oberflächenwellen-Resonatorfilter der Längskopplungsart,
mit einer ersten interdigitalen Elektrode und
mit einer zweiten interdigitalen Elektrode und einer dritten interdigitalen Elek­ trode, die jeweils auf beiden Seiten der ersten interdigitalen Elektrode ange­ ordnet sind,
wobei der Abstand (L1) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der zweiten interdigitalen Elektrode und der Abstand (L2) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode verschieden ist, und
wobei die erste und/oder die zweite und/oder die dritte interdigitale Elektrode gewichtet ist.
2. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß jeweils ein Reflektor neben der zweiten interdi­ gitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode angeordnet ist, der eine in Richtung der interdigitalen Elektroden sich ausbreitende Oberflä­ chenwelle reflektiert.
3. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach einem der Ansprü­ che 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die gewichtete interdigitale Elek­ trode asymmetrisch bezogen auf die Mittellinie senkrecht zur Richtung, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet, gewichtet ist.
4. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach einem der Ansprü­ che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die interdigitalen Elektroden aus Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung bestehen und auf einem pie­ zoelektrischen Substrat aufgebracht sind.
5. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach einem der Ansprü­ che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die interdigitalen Elektroden auf der Oberseite oder auf der Unterseite eines dünnen piezoelektrischen Films angeordnet sind, mit dem ein quasipiezoelektrisches Substrat überzogen ist.
6. Verfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwel­ len-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch ein Elektrodenfinger-Abzugsverfahren.
7. Verfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwel­ len-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch ein Apodisationsverfahren.
8. Verfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwel­ len-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch ein Schrägwichtungsverfahren.
9. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß jede der ersten, zweiten und dritten interdigitalen Elektroden gewichtet ist.
10. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß die erste interdigitale Elektrode gewichtet ist während die zweite und die dritte interdigitale Elektrode nicht gewichtet ist.
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Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19753664A1 true DE19753664A1 (de) 1998-07-02
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US (1) US5986524A (de)
JP (1) JPH10190394A (de)
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DE (1) DE19753664B4 (de)
MY (1) MY113662A (de)
SG (1) SG71073A1 (de)
TW (1) TW353552U (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1152529A3 (de) * 2000-04-18 2008-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustisches Oberflächenwellenfilter vom longitudinal gekoppelten Resonatortyp
DE102007010040A1 (de) * 2007-03-01 2008-09-04 Epcos Ag Mit Oberflächenwellen arbeitendes Resonator-Filter
DE10153093B4 (de) * 2001-04-20 2009-06-10 Fujitsu Ltd., Kawasaki Oberflächenakustikwellenresonator und Oberflächenakustikwellenfilter
EP1249933A3 (de) * 2001-03-23 2010-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustische Oberflächenwellenvorrichtung
EP1249934A3 (de) * 2001-04-09 2010-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustische Oberflächenwellenanordnung und Kommunikationseinheit

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638451A1 (de) * 1996-09-19 1998-04-02 Siemens Matsushita Components Reaktanzfilter mit OFW-Resonatoren
EP0961405A3 (de) * 1998-05-27 2002-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Akustische Oberflächenwellenanordung
DE19938748B4 (de) * 1999-08-16 2007-02-01 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellen-Filter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
JP3435640B2 (ja) 2000-05-22 2003-08-11 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3358615B2 (ja) * 2000-06-26 2002-12-24 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP2002152001A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nec Corp 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタ装置
JP4599758B2 (ja) * 2001-05-23 2010-12-15 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波共振子及びラダー型弾性表面波フィルタ
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP2003133889A (ja) * 2001-10-25 2003-05-09 Murata Mfg Co Ltd 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ
DE10352640B4 (de) * 2003-11-11 2014-02-13 Epcos Ag DMS-Filter
JP2006295434A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Epson Toyocom Corp 弾性表面波フィルタ
US9048807B2 (en) * 2010-03-18 2015-06-02 University Of Maine System Board Of Trustees Surface acoustic wave resonator with an open circuit grating for high temperature environments
JP2018110291A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 株式会社村田製作所 弾性波デバイス

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0259628B1 (de) * 1986-08-29 1992-03-04 Siemens Aktiengesellschaft Wandler für eine Filteranordnung mit akustischen Wellen
JP2601543B2 (ja) * 1989-04-25 1997-04-16 日本無線株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH036913A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Hitachi Ltd 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた移動無線装置
JPH03112210A (ja) * 1989-09-27 1991-05-13 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JPH05121997A (ja) * 1991-10-30 1993-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フイルタ
US5309126A (en) * 1991-11-18 1994-05-03 Motorola, Inc. Spatially varying multiple electrode acoustic wave filter and method therefor
JPH05315886A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3001349B2 (ja) * 1993-05-19 2000-01-24 日本電気株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH07212177A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Murata Mfg Co Ltd 表面波フィルタ
JP3000861B2 (ja) * 1994-09-28 2000-01-17 豊田合成株式会社 ステアリングホイール
JP3393945B2 (ja) * 1995-01-10 2003-04-07 東洋通信機株式会社 縦結合2重モードsawフィルタ
JPH08330889A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sawフィルタ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1152529A3 (de) * 2000-04-18 2008-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustisches Oberflächenwellenfilter vom longitudinal gekoppelten Resonatortyp
EP1249933A3 (de) * 2001-03-23 2010-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustische Oberflächenwellenvorrichtung
EP1249934A3 (de) * 2001-04-09 2010-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Akustische Oberflächenwellenanordnung und Kommunikationseinheit
DE10153093B4 (de) * 2001-04-20 2009-06-10 Fujitsu Ltd., Kawasaki Oberflächenakustikwellenresonator und Oberflächenakustikwellenfilter
DE102007010040A1 (de) * 2007-03-01 2008-09-04 Epcos Ag Mit Oberflächenwellen arbeitendes Resonator-Filter
DE102007010040B4 (de) * 2007-03-01 2014-08-07 Epcos Ag Mit Oberflächenwellen arbeitendes DMS-Filter

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