DE19753664A1 - Oberflächenwellen-Resonatorfilter - Google Patents
Oberflächenwellen-ResonatorfilterInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Oberflächenwellen-Resonator
filter (SAW-Resonatorfilter) der Längskopplungsart, bei dem Reflektoren auf beiden
Seiten eines Bereichs ausgebildet sind, in dem sich interdigitale Elektroden befinden.
Genauer gesagt betrifft die Erfindung den oben genannten Typ eines SAW-
Resonatorfilters der Längskopplungsart, das eine verbesserte Elektrodenstruktur
aufweist, bei der unerwünschte Falschansprechungen unterdrückt werden.
SAW-Filter werden als Bandpaßfilter für verschiedene Arten von Kommunikationsvor
richtungen verwendet. Es besteht ein großer Wunsch danach, daß die Bandpaßfilter
die benötigten Durchlaßbandbreiten mit einer hohen Selektivität gewährleisten. Folg
lich ist es auch notwendig, daß ein SAW-Filter, der in einer Hochfrequenzstufe ver
wendet wird, eine benötigte Durchlaßbandbreite mit einer hohen Selektivität sicher
stellt. Es ist vor allem wichtig, daß HF-Stufen-SAW-Filter, die in schnurlosen Tele
phonen benutzt werden, die CT-1-, CT-1⁺- und CT-2-Standards aufweisen, Dämp
fungen in den Bereichen von ±20 MHz und ±40 MHz relativ zur Mittenfrequenz auf
weisen, wobei diese Bereiche in Abhängigkeit von den Zwischenfrequenz (IF)-Filtern
schwanken, die in diesen Telephonen benutzt werden. Somit müssen die HF-Stufen-
SAW-Filter sogar noch höhere Selektivitätscharakteristiken aufweisen.
Andererseits sind SAW-Filter der Resonatorart gegenüber anderen Arten von SAW-
Filtern im Hinblick auf verringerte Einfügungsdämpfungen und erhöhte Außerband-
Dämpfungen vorteilhaft und stellen auch einen kompakteren Filter dar. So sind z. B.
die folgenden Arten von SAW-Resonatorfilter der Längskopplungsart in einer Vielzahl
von Stufen verbunden, um die oben genannten Anforderungen in einem erträglichen
Maße zufriedenzustellen. Bei dieser Art von SAW-Filter sind drei interdigitale (im fol
genden als "ID" bezeichnet) Elektroden nahe beieinander in einem gleichen Abstand
auf einem sich in X-Richtung ausbreitenden piezoelektrischen 36-Y-Schnitt-LiTaO3-
Substrat angeordnet, und Reflektoren befinden sich auf beiden Seiten eines Be
reichs, in dem die ID-Elektroden angeordnet sind.
Aber bei dem oben genannten herkömmlichen Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter
werden unerwünschte Falschansprechungen in einem Frequenzbereich erzeugt, der
höher als der Durchlaßbereich ist. Fig. 3 veranschaulicht die Dämpfung als Funktion
der Frequenzcharakteristiken eines bekannten Längskopplungs-SAW-
Resonatorfilters. Die Vollinie A gibt einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der
Charakteristiken an, die durch die Vollinie B mit einer Maßeinteilung auf der vertika
len Achse von Fig. 3 dargestellt sind. Das Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter mit
den in Fig. 3 gezeigten Charakteristiken besitzt ein Durchlaßband von 864 bis 868
MHz. Bei den oben genannten Charakteristiken treten große Falschansprechungen,
die mit dem Pfeil C gekennzeichnet sind, in einem Frequenzbereich auf, der höher
als der Durchlaßbereich ist, nämlich in der Nähe von 890 MHz, in dem eine ausrei
chend große Dämpfung nicht erzielt werden kann.
Als ein Verfahren zum Unterdrücken der oben genannten Falschansprechungen C
offenbart die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 8-191229 ein Verfah
ren, um unterschiedliche Abstände zwischen der mittleren ID-Elektrode und der ei
nen äußeren ID-Elektrode und zwischen der mittleren ID-Elektrode und der anderen
äußeren ID-Elektrode herzustellen. Das Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das in
dieser Veröffentlichung offenbart wird, ist in Fig. 4 gezeigt.
Ein Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter, das allgemein mit 10 bezeichnet ist, be
sitzt einen Aufbau, bei dem eine erste ID-Elektrode 14 und zweite ID-Elektroden 12
und 13 nebeneinander auf einem piezoelektrischen Substrat 11 in der Richtung an
geordnet sind, in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Genauer gesagt befin
den sich die zweite und die dritte ID-Elektrode 12 und 13 jeweils auf beiden Seiten
der ersten ID-Elektrode 14. Reflektoren 15, 15 sind jeweils auf einer Seite der ID-
Elektrode 12 und auf einer Seite der ID-Elektrode 13 ausgebildet, und zwar in der
Oberflächenwellen-Ausbreitungsrichtung.
Die zweiten und dritten ID-Elektroden 12 und 13 sind mit einem Eingangsanschluß
21 verbunden, während die erste ID-Elektrode 14 mit einem Ausgangsanschluß 22
verbunden ist. An die ID-Elektroden 12 und 13 wird eine Spannung angelegt, um ei
ne Oberflächenwelle zu erregen. Die erregte Oberflächenwelle breitet sich zwischen
den Reflektoren 15, 15 aus, so daß eine stehende Welle erzeugt wird, und eine der
stehenden Welle entsprechende Ausgangsleistung wird an der ersten ID-Elektrode
14 abgegriffen.
In dem SAW-Resonatorfilter 10 ist der Abstand der ersten ID-Elektrode 14 zu der
zweiten ID-Elektrode 12, das heißt der Mittenabstand L1 zwischen den zueinander
am nächsten liegenden Elektrodenfingern der jeweiligen ID-Elektroden 14 und 12,
von dem Abstand der ersten ID-Elektrode 14 zu der zweiten ID-Elektrode 13, d. h.
dem Mittenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Elektroden
fingern der jeweiligen ID-Elektroden 14 und 13, verschieden.
Aber wenn die SAW-Resonatorfilter 10, die in Fig. 4 veranschaulicht sind, in zwei
Stufen angeschlossen werden, kommt es zu folgendem Problem. Aufgrund der un
terschiedlichen Mittenabstände L1 und L2 entsteht ein Dämpfungspol, der in Fig. 5 mit
dem Pfeil F bezeichnet ist und der höher als das Durchlaßband ist, in dem eine gro
ße Dämpfung erzielt werden kann. Andererseits können die oben genannten großen
unerwünschten Falschansprechungen C kaum unterdrückt werden und werden nicht
ausreichend verhindert, wie durch die Charakteristiken der Dämpfung als Funktion
der Frequenz angeben ist, die in Fig. 5 veranschaulicht sind. In Fig. 5 stellt die Volli
nie D einen vergrößerten wesentlichen Abschnitt der Charakteristiken dar, die mit der
Vollinie E mit einer Maßeinteilung auf der rechten Seite der vertikalen Achse von Fig.
5 angegeben sind. Wenn man Fig. 5 mit der Fig. 3 vergleicht, kann man sehen, daß
die unerwünschten Falschansprechungen C nicht wesentlich reduziert worden sind.
Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Längskopplungs-SAW-
Filter vorzusehen, das verbesserte Selektivitätscharakteristiken aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist nach der vorliegenden Erfindung ein Längskopplungs-
SAW-Resonatorfilter vorgesehen, das eine erste ID-Elektrode mit mindestens einem
Elektrodenfinger, eine zweite ID-Elektrode und eine dritte ID-Elektrode umfaßt, die
jeweils auf beiden Seiten der ersten ID-Elektrode in einer Richtung angeordnet sind,
in der sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die zweiten und dritten ID-Elektroden
besitzen jeweils mindestens einen Elektrodenfinger. Das Filter weist auch einen Re
flektor auf. Der Mittenabstand L1 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden
Fingerelektroden der ersten ID-Elektrode und der zweiten ID-Elektrode und der Mit
tenabstand L2 zwischen den am nächsten beieinanderliegenden Fingerelektroden
der ersten ID-Elektrode und der dritten ID-Elektrode sind verschieden. Mindestens
eine der ersten, zweiten und dritten ID-Elektroden ist gewichtet.
Aufgrund der verschiedenen Mittenabstände L1 und L2 wird bei dem oben genann
ten Resonatorfilter ein Dämpfungspol in einem Bereich gebildet, der höher als das
Durchlaßband ist, in dem große Falschansprechungen unterdrückt werden. Außer
dem ist mindestens eine ID-Elektrode gewichtet, wodurch die oben genannten Fal
schansprechungen effektiver verhindert werden.
Deshalb können dann, wenn das oben genannte Filter als ein HF-Filter für ein
schnurloses Telephon verwendet wird, Dämpfungen in den Bereichen von ±20 MHz
und ±40 MHz relativ zur Mittenfrequenz zuverlässig erzielt werden. Somit erreicht
das Resonatorfilter ein hohes Niveau an Selektivität.
Bei der oben genannten Art von SAW-Resonatorfilter kann die gewichtete ID-
Elektrode asymmetrisch relativ zu dem Mittelpunkt der ID-Elektrode sein. Demgemäß
können große Falschansprechungen in einem Bereich, der höher als der Durchlaß
bereich ist, effektiver verringert werden.
Außerdem kann die ID-Elektrode gemäß einem sogenannten "Elektrodenfinger-
Abzugsverfahren" (electrode finger withdrawal method) gewichtet werden. Dadurch
wird es möglich, einen Aufbau des Filters und eine Vorsehung eines Musters auf
dem Filter noch weiter zu vereinfachen.
Die oben genannte Aufgabe sowie weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vor
liegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung der vorliegenden
Erfindung deutlich, die in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen gegeben
wird. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht, die die Konfiguration eines Längskopplungs-SAW-
Resonatorfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er
findung veranschaulicht,
Fig. 2 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines Längs
kopplungs-SAW-Resonatorfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung,
Fig. 3 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten
Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters,
Fig. 4 eine Draufsicht, die die Konfiguration eines herkömmlichen Längskopp
lungs-SAW-Resonatorfilters veranschaulicht, und
Fig. 5 die Dämpfung als Funktion der Frequenzcharakteristiken eines bekannten
Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters, der als Vergleichsbeispiel ver
wendet wird.
Nun wird ein SAW-Resonatorfilter, das gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung aufgebaut ist, unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrie
ben.
Wie in der in Fig. 1 gezeigten Draufsicht zu sehen ist, ist ein Längskopplungs-SAW-
Resonatorfilter, das allgemein mit 1 bezeichnet ist, durch die Verwendung eines pie
zoelektrischen Substrats 2 gebildet. Das piezoelektrische Substrat 2 ist aus einem
piezoelektrischen Einkristall, z. B. aus LiTaO3, LiNbO3 oder Quarz, oder aus einem
piezoelektrischen Keramikmaterial hergestellt, wie z. B. einer Blei-Titanat-Zirkonat-
Keramik.
Auf dem piezoelektrischen Substrat 2 sind eine erste ID-Elektrode 3 sowie auch eine
zweite ID-Elektrode 4 und eine dritte ID-Elektrode 5 ausgebildet, die sich jeweils auf
beiden Seiten der ersten ID-Elektrode in der Richtung befinden, in der sich eine
Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektroden 3, 4 und 5 sind jeweils aus einem
Paar von kammartigen Elektroden gebildet, wobei jede Elektrode mindestens einen
Elektrodenfinger besitzt und die Finger zueinander parallelgeschaltet sind.
Bei dem oben beschriebenen Aufbau des SAW-Filters 1 bilden die zweiten und drit
ten ID-Elektroden 4 und 5 einen Eingangs-ID-Umformer, wobei eine kammartige
Elektrode jeder der ID-Elektroden 4 und 5 elektrisch mit einem Eingangsanschluß 6
verbunden ist. Die erste ID-Elektrode 3 bildet einen Ausgangs-ID-Umwandler, wobei
eine kammartige Elektrode der ID-Elektrode 3 elektrisch mit einem Ausgangsan
schluß 7 verbunden ist.
Reflektoren 8 und 9 sind jeweils auf einer Seite jeder der zweiten und dritten ID-
Elektroden 4 und 5 in der Richtung ausgebildet, in der sich eine Oberflächenwelle
ausbreitet. Die Reflektoren 8 und 9 sind so aufgebaut, daß eine Vielzahl von kurzge
schlossenen Elektrodenfingern rechtwinklig zu der Richtung positioniert sind, in der
sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und die Reflekto
ren 8 und 9 können dadurch gebildet werden, daß ein leitendes Material mit einem
Muster versehen wird. Die Art des leitenden Materials ist nicht speziell eingeschränkt,
und es kann ein geeignetes Metallmaterial, z. B. Aluminium oder eine Aluminiumlegie
rung, verwendet werden.
Bei dem oben beschriebenen SAW-Resonatorfilter 1 ist der Mittenabstand L1 zwi
schen den am nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern jeweils der ersten
und zweiten ID-Elektroden 3 und 4 von dem Mittenabstand L2 zwischen den am
nächsten beieinanderliegenden Elektrodenfingern der jeweils ersten und dritten ID-
Elektroden 3 und 5 verschieden. Außerdem ist die erste ID-Elektrode 3 gewichtet.
Das heißt, in dem SAW-Resonatorfilter 1 sind die Mittenabstände L1 und L2 ver
schieden, um ähnlich wie bei dem bekannten SAW-Resonatorfilter 10, das in Fig. 4
gezeigt ist, große unerwünschte Falschansprechungen zu verhindern, die in einem
Bereich auftreten, der höher als das Durchlaßband ist. Aber die bekannten Arten von
großen unerwünschten Falschansprechungen können durch diese Anordnung allein
nicht ausreichend unterdrückt werden. Folglich wird die ID-Elektrode 3 gewichtet, wie
in Fig. 1 gezeigt ist, und zwar asymmetrisch zu der Richtung, in der sich die Oberflä
chenwelle ausbreitet.
Genauer gesagt, wenn die ID-Elektrode 3 eine typische normierte ID-Elektrode ist,
dann werden die Elektrodenfinger 3a, 3c, 3e, 3g, 3i, 3k, 3m und 3o mit einem Erd
potential verbunden, während die Elektrodenfinger 3b, 3d, 3f, 3h, 3j, 3l und 3n mit
dem Ausgangsanschluß 7 verbunden werden. Im Gegensatz dazu werden bei der in
Fig. 1 veranschaulichten ID-Elektrode 3 die Elektrodenfinger 3h und 3l, die her
kömmlicherweise mit den Ausgangsanschluß verbunden sind, mit einem Massean
schluß verbunden.
Änderungen in der Verbindung der vorbestimmten Elektrodenfinger ausgehend von
einem Signalanschluß (einem Eingangs- oder Ausgangsanschluß) mit einem Masse
anschluß und umgekehrt werden allgemein als "Elektrodenfinger-Abzug" (electrode
finger withdrawal) bezeichnet. Eine Vielzahl von Elektrodenfingern wird in der oben
genannten Weise abgezogen, um die Anordnung der Elektrodenfinger der ID-
Elektroden zu ändern. Dies wird "die Abzugswichtung" genannt. Die ID-Elektrode 3
wird nämlich asymmetrisch zu der Richtung gewichtet, in der sich die Oberflächen
welle ausbreitet, wie oben angemerkt worden ist.
Es ist zwar bekannt, die Frequenzcharakteristiken eines SAW-Filters durch Wichtung
der ID-Elektroden einzustellen. Dieses Wichtungsverfahren wird aber nur zum Ver
hindern der Seitenkeulen-Falschansprechungen und der Transversalmodus-
Falschansprechungen eingesetzt. Es ist also nicht möglich, die Falschansprechun
gen in der Hauptkeule der ID-Elektroden durch herkömmliche Wichtungsverfahren zu
unterdrücken.
Die erfindungsgemäße Unterdrückung der Falschansprechungen durch asymmetri
sches Wichten der ID-Elektrode ist nämlich nur dann wirksam, wenn die Mittenab
stände L1 und L2 verschieden sind. Wenn dagegen ein Wichtungsverfahren bei ei
nem Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter mit drei Elektroden angewandt wird, das
einen Modus nullter Ordnung oder einen Modus zweiter Ordnung verwendet, in dem
die Mittenabstände L1 und L2 nicht verschieden sind, ist die Symmetrie der Filtercha
rakteristiken gestört, wodurch in dem Durchlaßband der Modus erster Ordnung als
große Falschansprechungen erzeugt wird.
Gemäß dem Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter der vorliegenden Erfindung wird
somit das Wichtungsverfahren entgegen dem bestehenden Vorurteil der Fachwelt
verwendet, wobei die Mittenabstände L1 und L2 verschieden ausgebildet sind. Als
eine Folge davon können die unerwünschten Falschansprechungen, die in einem
Bereich erzeugt werden, der höher als der Durchlaßbereich ist, effektiv verhindert
werden, wodurch die Selektivitätscharakteristiken des SAW-Resonatorfilters verbes
sert werden.
Obwohl bei dem oben genannten Ausführungsbeispiel nur die ID-Elektrode 3 ge
wichtet wird, können zusätzlich zu der ID-Elektrode 3 auch eine oder beide der ID-
Elektroden 4 und 5 gewichtet werden. Alternativ dazu kann statt der ID-Elektrode 3
mindestens eine der ID-Elektroden 4 oder 5 gewichtet werden. Darüber hinaus kann
die ID-Elektrode statt asymmetrisch auch symmetrisch in der Richtung gewichtet
werden, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet. Die ID-Elektrode kann vorzugs
weise asymmetrisch gewichtet sein, weil die Falschansprechungen in einem Bereich,
der höher als das Durchlaßband ist, effektiver reduziert werden können.
Das Wichtungsverfahren ist nicht auf das oben genannte Elektrodenfinger-
Abzugsverfahren begrenzt, sondern es können auch andere Verfahren wie z. B. das
Apodisationsverfahren oder das Schrägwichtungsverfahren verwendet werden.
Außerdem kann anstelle des piezoelektrischen Substrats 2 auch ein quasipiezoelek
trisches Substrat verwendet werden, das durch das Überziehen eines Isoliersubstrats
mit einem dünnen piezoelektrischen Film erhalten wird, wobei dann in diesem Fall
die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und die Reflektoren 8 und 9 entweder auf der Oberseite
oder auf der Unterseite des dünnen piezoelektrischen Films angeordnet sein können.
Die Wirkung des Längskopplungs-SAW-Resonatorfilters der vorliegenden Erfindung
wird nun durch die Veranschaulichung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels ver
deutlicht.
Das SAW-Resonatorfilter 1, das in Fig. 1 veranschaulicht ist, wurde unter den fol
genden Bedingungen hergestellt: ein piezoelektrisches, sich in der X-Richtung aus
breitendes 36-Y-Schnitt-LiTaO3-Substrat 2 wurde verwendet, wobei die Anzahl an
Elektrodenfingern der ersten ID-Elektrode 3 bei 71 lag, die Anzahl an Elektrodenfin
gern sowohl der zweiten als auch der dritten ID-Elektrode 4 und 5 bei 41 lag, die
Mittenabstände L1 und L2 jeweils 0,35 ë bzw. 0,71 ë betrugen, die Anzahl der Elektro
denfinger jedes der Reflektoren 8 und 9 bei 170 lag, die Dicke der Elektroden der
Reflektoren 8 und 9 3,6% der Wellenlänge ë betrug, und die ID-Elektrode 3 wurde
gemäß dem Elektrodenfinger-Abzugsverfahren asymmetrisch in der Richtung ge
wichtet wurde, in der sich die Oberflächenwelle ausbreitet. Genauer gesagt wurde
die ID-Elektrode 3 auf die folgende Art und Weise gewichtet. Die Elektrodenfinger
einer typischen normierten ID-Elektrode wurden durch das Verbinden der 30., 32.,
34., 36., 38., 54., 58., 62., 66. und 68. Elektrodenfinger ausgehend von der linken
Seite von Fig. 1 mit einem Masseanschluß abgezogen. ë gibt die Wellenlänge der
Oberflächenwelle an, die durch den Elektrodenabstand der Reflektoren 8 und 9 be
stimmt wird. Als Material für die ID-Elektroden 3, 4 und 5 und für die Reflektoren 8
und 9 wurde Aluminium verwendet.
Die oben genannten Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter 1 wurden in zwei Stufen
angeschlossen und als ein CT-2-Standard-HF-Filter für ein schnurloses Telephon
verwendet, das eine Mittenfrequenz von 866 MHz aufweist. Die Filtercharakteristiken
der Dämpfung als Funktion der Frequenz wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in
Fig. 2 gezeigt. In Fig. 2 zeigt die Vollinie G einen vergrößerten wesentlichen Ab
schnitt der Charakteristiken an, die durch die Vollinie H hinsichtlich der Einfügungs
dämpfungen mit einer Maßeinteilung auf der rechten Seite der vertikalen Achse von
Fig. 2 dargestellt sind.
Zum Vergleich wurden die Längskopplungs-SAW-Resonatorfilter 10, die in Fig. 4 ge
zeigt sind, die als ein Vergleichsbeispiel verwendet wird, und die in einer Weise ähn
lich dem Filter 1 aufgebaut sind, außer daß die ID-Elektrode 3 nicht gewichtet worden
ist, wurden in zwei Stufen geschaltet und als ein CT-2-Standard-HF-Filter für ein
schnurloses Telephon verwendet. Die Charakteristiken der Dämpfung als Funktion
der Frequenz des Filters 10 wurden gemessen. Die Ergebnisse sind mit den Vollinien
D und E in Fig. 5 gezeigt.
Wie oben diskutiert worden ist, werden in Abhängigkeit von den Charakteristiken des
bekannten Filters 10, das in Fig. 5 gezeigt ist, die Mittenabstände L11 und L2 diffe
renziert/beabstandet, wodurch ein Dämpfungspol erzeugt wird, bei dem die Dämp
fung, die mit dem Pfeil F angegeben ist, erhöht werden kann. Aber die unerwünsch
ten Falschansprechungen C werden nur geringfügig reduziert und werden nicht aus
reichend unterdrückt, und die Dämpfung des Bereichs, der mit dem Pfeil C angege
ben ist, liegt bei einem niedrigen Wert von 30 dB.
Im Gegensatz dazu offenbaren die Charakteristiken des SAW-Resonatorfilters 1 des
in Fig. 2 veranschaulichten Ausführungsbeispiels, daß große unerwünschte Fal
schansprechungen C, die in einem Bereich auftreten, der höher als der Durchlaßbe
reich ist, effektiver unterdrückt werden, und die Dämpfung liegt bei einem Wert von
40 dB oder höher. Darüber hinaus werden die Charakteristiken des Filters 1, wie z. B.
die Außerband-Einfügungsdämpfungen und die Durchlaßbandbreite durch das
Wichten der ID-Elektrode durch das Elektrodenfinger-Abzugsverfahren nicht beein
trächtigt.
Claims (10)
1. Oberflächenwellen-Resonatorfilter der Längskopplungsart,
mit einer ersten interdigitalen Elektrode und
mit einer zweiten interdigitalen Elektrode und einer dritten interdigitalen Elek trode, die jeweils auf beiden Seiten der ersten interdigitalen Elektrode ange ordnet sind,
wobei der Abstand (L1) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der zweiten interdigitalen Elektrode und der Abstand (L2) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode verschieden ist, und
wobei die erste und/oder die zweite und/oder die dritte interdigitale Elektrode gewichtet ist.
mit einer ersten interdigitalen Elektrode und
mit einer zweiten interdigitalen Elektrode und einer dritten interdigitalen Elek trode, die jeweils auf beiden Seiten der ersten interdigitalen Elektrode ange ordnet sind,
wobei der Abstand (L1) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der zweiten interdigitalen Elektrode und der Abstand (L2) zwischen der ersten interdigitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode verschieden ist, und
wobei die erste und/oder die zweite und/oder die dritte interdigitale Elektrode gewichtet ist.
2. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß jeweils ein Reflektor neben der zweiten interdi
gitalen Elektrode und der dritten interdigitalen Elektrode angeordnet ist, der
eine in Richtung der interdigitalen Elektroden sich ausbreitende Oberflä
chenwelle reflektiert.
3. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach einem der Ansprü
che 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die gewichtete interdigitale Elek
trode asymmetrisch bezogen auf die Mittellinie senkrecht zur Richtung, in der
sich die Oberflächenwelle ausbreitet, gewichtet ist.
4. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach einem der Ansprü
che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die interdigitalen Elektroden aus
Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung bestehen und auf einem pie
zoelektrischen Substrat aufgebracht sind.
5. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach einem der Ansprü
che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die interdigitalen Elektroden auf
der Oberseite oder auf der Unterseite eines dünnen piezoelektrischen Films
angeordnet sind, mit dem ein quasipiezoelektrisches Substrat überzogen ist.
6. Verfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwel
len-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch
ein Elektrodenfinger-Abzugsverfahren.
7. Verfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwel
len-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch
ein Apodisationsverfahren.
8. Verfahren zur Wichtung einer interdigitalen Elektrode eines Oberflächenwel
len-Resonatorfilters nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch
ein Schrägwichtungsverfahren.
9. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß jede der ersten, zweiten und dritten interdigitalen
Elektroden gewichtet ist.
10. Längskopplungs-Oberflächenwellen-Resonatorfilter nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß die erste interdigitale Elektrode gewichtet ist
während die zweite und die dritte interdigitale Elektrode nicht gewichtet ist.
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