DE19740792A1 - Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas durch Einstrahlung von Mikrowellen - Google Patents

Description

Stand der Technik

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas durch Einstrahlung von Mikrowellen, wobei ein Prozeßgas in einen Rezi­ pienten geleitet wird, mittels einer Strahlenquelle eine Mikrowellenstrahlung erzeugt wird und diese Mikrowellenstrahlung in den Rezipienten einge­ strahlt wird, so daß ein Plasma gezündet wird.

Prozesse, bei denen Mikrowellenstrahlung erzeugt und damit ein Plasma gezündet wird, sind bekannt und werden in den unterschiedlichsten Gebieten ein­ gesetzt. Dabei kann es sich um eigenständige Pro­ zesse oder um einen Teil einer Abfolge verschiede­ ner Prozesse handeln. Das durch die Mikrowellen­ strahlung erzeugte Plasma kann auch zur Zündung ei­ nes weiteren Plasmas dienen.

Ein wichtiger Anwendungsbereich ist die Behandlung von Oberflächen. Darunter werden sowohl beschich­ tende als auch nicht beschichtende, z. B. abtra­ gende oder aktivierende Verfahren verstanden. Von den beschichtenden Verfahren sind die Beschichtung von Kunststoffen und gehärteten Stählen mit einer harten Verschleißschutzschicht von besonderer Be­ deutung. Bei einer derartigen Verschleißschutz­ schicht kann es sich z. B. um eine harte, amorphe Kohlenstoff-Schicht (a-C : H) handeln.

Gattungsgemäße Verfahren sind aus den DE 195 13 614, US 5,427,827 und US 4,869,923 bekannt. Die DE 195 13 614 beschreibt die Abscheidung von Kohlen­ stoffschichten mit angelegtem bipolar gepulstem Bi­ as. Die US 5,427,827 befaßt sich mit der Abschei­ dung von optisch transparenten, diamantartigen Koh­ lenstoffschichten im kontinuierlichen Mikrowellen- ECR-Plasma bei einer Substrattemperatur von 50°C, wobei eine sinusförmige RF-Wechselspannung angelegt wird. Es wird das sogenannte downstream-Verfahren beschrieben, bei dem die Plasmaerzeugung und die Schichtabscheidung räumlich getrennt in zwei Kam­ mern ablaufen. Die US 4,869,923 betrifft ein Ver­ fahren, bei dem ein Plasma durch kontinuierliche Einstrahlung von Mikrowellen erzeugt wird, jedoch ohne bipolar gepulsten Bias.

Nachteilig an diesen bekannten Verfahren ist, daß zur Abscheidung harter, einige µm dicker Schichten bei hohen Abscheideraten die typischen Prozeßtempe­ raturen bei etwa 180-220°C liegen. Diese hohen Temperaturen können einen Härteverlust beim Substrat bewirken. Eine Beschichtung von Kunst­ stoffsubstraten ist mit diesem Verfahren nicht ohne weiteres möglich, da der Kunststoff aufgrund der Temperaturbelastung erweicht, so daß die Substrate ihre Form ändern. Man kann zwar Abhilfe schaffen, indem die eingestrahlte Mikrowellenleistung verrin­ gert wird. Dadurch verringern sich aber auch die Beschichtungsrate, so daß die Prozeßzeit wiederum verlängert wird. Eine andere Abhilfemöglichkeit be­ steht darin, Pausenzeiten zwischen den bipolaren Substratpulsen zur Beschleunigung der Ionen einzu­ legen. Dies führt allerdings zu einer Verringerung der Abscheiderate und, was viel gravierender ist, zu einer Verringerung der Schichthärte.

Bei einem anderen bekannten Verfahren werden sowohl die Erzeugung des Plasmas als auch die Beschleuni­ gung der Ionen auf die Substrate gemeinsam durch eine hochfrequente, sinusförmige Wechselspannung an den Substraten bewirkt. Die Prozeßtemperatur liegt hier bei etwa 150°C. Nachteilig an diesem Verfahren ist aber, daß aus technischem Gründen eine Skalie­ rung auf große Chargenmengen wie z. B. die indu­ striell üblichen Chargengrößen nicht ohne weiteres möglich ist.

Vorteile der Erfindung

Das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem zur Erzeu­ gung des Plasmas eine gepulste Mikrowellenstrahlung verwendet wird, hat demgegenüber den Vorteil, daß die Prozeßtemperatur auf weniger als 200°C einge­ stellt werden kann und eine Skalierung auf große Chargenmengen möglich ist. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich somit besonders für die Be­ handlung temperaturempfindlicher Substrate und für die Behandlung industriell üblicher Chargengrößen.

Die Erniedrigung der Prozeßtemperatur wird dadurch ermöglicht, daß die eingekoppelte Leistung der ge­ pulsten Mikrowellenstrahlung bei gleichem Prozeßer­ gebnis im Vergleich zur benötigten Leistung der un­ gepulsten Mikrowellenstrahlung gesenkt werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren beruht auf der Er­ kenntnis, daß die Ionenstromdichte, die aus einem durch Mikrowellenstrahlen erzeugten Plasma extra­ hierbar ist und auf die Substrate einwirken kann, überproportional zur eingekoppelten Leistung der Mikrowellenstrahlung ansteigt. Verdoppelt man also die Leistung der eingekoppelten Mikrowellenstrah­ lung, so steigt der Ionenstrom ebenfalls an, aber um mehr als das Doppelte. Im Stand der Technik wird die Leistung der kontinuierlichen Mikrowellenstrah­ lung daher so weit abgesenkt, bis die gewünschte Ionenstromdichte erreicht ist. Beim erfindungsgemä­ ßen Verfahren geht man statt dessen von einer hohen Leistung der Mikrowellenstrahlung aus und zündet das Plasma durch eine gepulste Anregung. Wird die ursprüngliche Leistung der Mikrowellenstrahlung z. B. verdoppelt und eine Pulsfrequenz gewählt, bei der der Mikrowellengenerator zu 50% der Betriebs­ zeit im Betriebszustand an und zu 50% im Be­ triebszustand "aus" ist, erreicht man effektiv also eine Halbierung der ursprünglich verdoppelten Lei­ stung. Diese Halbierung des sog. "duty cycle" von 100% auf 50% bewirkt eine Halbierung des Ionen­ stroms. Jedoch war der Ausgangswert des Ionenstroms durch die zu Beginn vorgenommene Verdoppelung im Vergleich zum ungepulsten Fall schon erhöht, und zwar auf mehr als das Doppelte.

Bei gleicher effektiver Mikrowellenleistung kann man also einen größeren Effekt, in diesem Fall also einen höheren Ionenstrom bekommen. Um den ursprüng­ lich gewünschten Ionenstrom wieder zu erhalten, muß man folglich die Betriebszeit des Mikrowellengene­ rators noch weiter reduzieren. Damit wird aber die effektive Leistung der Mikrowellenstrahlung unter den Ursprungswert gesenkt. Man erhält somit den gleichen Effekt, nämlich den gleichen Ionenstrom, bei reduzierter effektiver Leistung der Mikrowel­ lenstrahlung.

Die Reduktion der effektiven Leistung der Mikrowel­ lenstrahlung bei gleichem Prozeßresultat führt zu einer Senkung der Prozeßtemperatur. Das erfindungs­ gemäße Verfahren ist also zur Behandlung temperatu­ rempfindlicher Substrate besonders gut geeignet. Andererseits wird bei effektiv gleicher eingekop­ pelter Leistung der Mikrowellenstrahlung die Pro­ zeßrate erhöht. Damit reduziert sich die Prozeß­ zeit. Das Verfahren wird also schneller und billi­ ger und ist damit auf große Chargenmengen skalier­ bar.

Bei niedrigen Leistungen der Mikrowellenstrahlung (z. B. etwa 0,5 kW) beobachtet man ferner eine Sta­ bilisierung des Plasmas, wie sie bei den bisher be­ kannten Verfahren nicht möglich ist. Ein nicht ge­ pulstes Plasma ist im allgemeinen unterhalb einer bestimmten Leistung nicht stabil zu betreiben; es verlöscht. Beim erfindungsgemäßen Verfahren ist mittels Pulsung dagegen ein Dauerbetrieb auch bei kleinen Mikrowellenleistungen unterhalb dieses Grenzwertes möglich.

Durch die in den Unteransprüchen genannten Maßnah­ men sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesse­ rungen des in Anspruch 1 angegebenen Verfahrens möglich.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann naturgemäß An­ wendung in allen mikrowellen-unterstützten Prozes­ sen finden. Dabei kann es sich um einen eigenstän­ digen Prozeß handeln. Er kann aber auch Teil einer Abfolge verschiedener Prozesse sein. Bei den Pro­ zessen kann es sich um solche zur Oberflächenbe­ handlung handeln, die beschichtend oder nicht be­ schichtend sein können. Bei den nicht beschichten­ den Prozessen unterscheidet man abtragende und nicht abtragende, z. B. aktivierende Prozesse.

Die Mikrowellenstrahlung kann mit anderen Quellen für Teilchen, elektromagnetische Strahlung oder Teilchenstrahlung kombiniert werden, beispielsweise Sputterquellen, Verdampferquellen oder Bogenquel­ len.

Das Mikrowellenplasma selbst kann je nach dem Pro­ zeß, bei dem es eingesetzt wird, auf verschiedene Weise genutzt werden, beispielsweise als Plas­ maquelle oder als Ionenquelle. Diese Ionen können mittels einer negativen Substratspannung auf die Substrate beschleunigt werden.

Das Mikrowellenplasma kann aber auch als Zündhilfe für andere Plasmen genutzt werden.

Zeichnung

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Aus­ führungsbeispiels mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine graphische Darstellung der Abhän­ gigkeit der mittleren Leistung der Mikrowellenstrahlung von der Leistung pro Mikrowellenpuls für einen konstanten mittleren Ionenstrom auf den Substraten;

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Vor­ richtung zur Durchführung des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 3 einen Schnitt entlang der Linie III-III in Fig. 2.

Fig. 1 illustriert nochmals, wie durch das erfin­ dungsgemäße Verfahren die effektive Leistung der Mikrowellenstrahlung bei gleichem Prozeßresultat reduziert wird. In diesem Fall wurde mit einer Mikrowellenstrahlung mit einer Leistung von 0,84 kW mit Argon als Prozeßgas bei einem Druck p = 1 × 10³ mbar ein Mikrowellenplasma erzeugt. Durch Anlegen einer negativen Bias-Versorgung an im Plasma be­ findliche Substrate wurde der Substrat-Ionenstrom gemessen. Der Ausgangszustand entspricht 100% der ungepulsten Mikrowellenleistung, d. h. während der Betriebszeit der Strahlungsquelle war diese aus­ schließlich im Betriebszustand "an". Dies ent­ spricht einem sog. "duty cycle" von 1 (100%). Die Mikrowellenleistung wurde nun systematisch erhöht. Der damit ebenfalls ansteigende Ionenstrom wurde durch Pulsen der Mikrowellenstrahlung reduziert. Die Leistung der Mikrowellenstrahlung im Puls bleibt also hoch. Die Strahlungsquelle ist aber nicht mehr kontinuierlich im Betriebszustand "an", sondern zeitweise im Betriebszustand "aus". Dies entspricht einem "duty cycle" unter 1 (weniger als 100%). Aus der Strahlungsleistung pro Puls multi­ pliziert mit dem Wert für den duty cycle berechnet sich die effektive Leistung der Mikrowellenstrah­ lung. Diese wird so eingestellt, daß die Ionen­ stromdichte, also der Biasstrom an den Substraten auf den Ausgangswert reduziert und konstant gehal­ ten wird. Man erkennt aus der Auftragung, daß bei Erhöhung der Pulsleistung eine Reduktion der effek­ tiven Mikrowellenleistung bei gleichem Effekt mög­ lich ist.

Die Fig. 2 und 3 zeigen schematisch eine Vor­ richtung 1 zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Die Vorrichtung 1 weist einen im Quer­ schnitt kreisförmigen Rezipienten 2 mit einem Durchmesser von ca. 70 cm auf. In Rezipienten 2 sind Substrate 3 eingestellt. In diesem Fall han­ delt es sich um Stahl-Substrate. Im vorliegenden Fall sind zweifach rotierende Substrate 3 vorgese­ hen, die sich in Richtung der Pfeile A und B in Fig. 3 sowohl um sich selbst als auch um den Mittel­ punkt des Rezipienten 2 drehen. Die Substrate 3 sind an eine Spannungsquelle 4 angeschlossen, so daß eine negative Bias-Versorgung angelegt werden kann, die auch gepulst werden kann.

Der Rezipient 2 weist eine Öffnung 5 auf, durch die eine von einer Spannungsquelle 6 erzeugte Mikrowel­ lenstrahlung eingekoppelt werden kann. Ferner sind ein Zufuhrstutzen 7 für die Einleitung des Prozeß­ gases und ein Absaugstutzen 8 mit Regelventil 9 für das Anlegen des benötigten Unterdrucks vorgesehen. Der Rezipient 2 weist ferner zwei weitere Strah­ lungsquellen 10 und 11, im vorliegenden Fall zwei Sputterkathoden auf.

Das erfindungsgemäße Verfahren wurde wie folgt durchgeführt:
Zunächst wurde in einer bekannten Weise eine Plas­ mareinigung der Substrate durchgeführt, indem ein Ar-Plasma gezündet wurde bei an die Substrate ange­ legter negativer Spannung. Dies dient zur Reinigung und Erhöhung der Haftung der anschließend aufzu­ bringenden Schicht.

Als nächster Schritt wird durch ein bekanntes Ver­ fahren eine metallische Schicht aufgebracht, die eine Erhöhung der Haftung der anschließend aufzu­ bringenden Funktionsschicht bewirkt.

Die Funktionsschicht wird auf folgende Weise abge­ schieden: über den Zufuhrstutzen 7 wurde Acetylen als Prozeßgas in den Rezipienten 2 eingeleitet. Der Druck wurde auf 3 × 10⁻³ mbar eingestellt. Eine Mikrowellenstrahlung mit einer Leistung von 1,1 kW (= 100% ungepulste Leistung) wurde eingekoppelt, so daß sich ein Plasma 12 entzündete. Zum Pulsen wurde die Leistung der Mikrowellenstrahlung auf 110% er­ höht und die Pulsfrequenz auf 5 kHz eingestellt. Der "duty cycle" der Strahlungsquelle 6 betrug 50%, d. h. die Spannungsquelle 6 war während der gesamten Betriebsdauer zu 50% im Betriebszustand "an".

An die Substrate wurde eine bipolare Biasspannung angelegt. Der zeitliche Mittelwert der Substratspannung betrug -200 V.

Im Ausführungsbeispiel ist der Rezipient 1 mit zwei Sputterquellen 10, 11 gekoppelt. Auf diese Weise kann neben dem Beschichtungsprozeß ein Sputterpro­ zeß eingesetzt werden. Auch die Kopplung mit ande­ ren Quellen von elektromagnetischer oder Teilchen­ strahlung wie Verdampferquellen und Bogenquellen sind denkbar.

Die Temperatur des ungepulsten Prozesses (ungepulste Strahlung mit einer Leistung von 1,1 kW) betrug ca. 220°C. Nach dem Pulsen beobachtete man eine Reduktion der Temperatur auf unter 200°C. Beim gepulsten und beim ungepulsten Prozeß wurden amor­ phe Kohlenstoffschichten (a-C : H) mit vergleichbaren Raten und im Rahmen der Meßgenauigkeit gleichen Härten und tribologischen Eigenschaften abgeschie­ den. Die Eigenschaften der hergestellten Schichten waren:

• - amorphe, wasserstoffhaltige Kohlenstoffschicht (a-C : H) mit metallischer Haftschicht
• - Schichtdicke 2-3 µm
• - Schichthärte 2000-4000 HV
• - Reibwert gegen Stahl 0,1.

Das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel kann auf vielfältige Weise variiert werden. Vor­ teilhaft ist eine Kombination der gepulsten Plas­ maerzeugung mit einer Substratspannungsversorgung. Diese ermöglicht die getrennte Plasmaerzeugung und Beschleunigung von geladenen Teilchen auf das Substrat und somit die gezielte Beeinflussung von Schichteigenschaften. Als Substratspannungsversor­ gung sind denkbar

• - DC-Spannungsversorgung
• - Wechselfrequenz, insbesondere für elektrisch iso­ lierende Schichten.

Die Frequenz der Wechselfrequenz kann dabei klei­ ner, gleich oder größer als die Frequenz der Mikro­ welle sein. Im Fall der Frequenzgleichheit kann es vorteilhaft sein, die Phase zwischen Biaspuls und Mikrowellenpuls definiert einzustellen.

Als Wechselfrequenz in Betracht kommen etwa ein si­ nusförmiger zeitlicher Spannungsverlauf, eine puls­ artige monopolare Spannung und eine pulsartige bi­ polare Spannung mit oder ohne Pausen zwischen den einzelnen Spannungspulsen.

Die Mikrowellenfrequenz kann im Industriefrequenz­ bereich liegen, beispielsweise bei 2,45 GHz, 1,225 GHz und 950 MHz GHz. Es sind z. B. Pulsfrequenzen denkbar, die bis in den Megahertzbereich reichen. Frequenzen von 0,1 bis 100 kHz sind zur Zeit aus technischen Gründen bevorzugt, wobei ein Frequenz­ spektrum von 2-10 kHz besonders leicht ohne großen apparativen Aufwand erreicht werden kann.

Je nach Anwendung kann man den Nutzeffekt des Pul­ sens mit der Mikrowellenleistung steigern. Die obe­ re Grenze der Leistung der Mikrowellenstrahlung ist gleich der Leistungsgrenze der verwendeten Strah­ lungsquelle. Eine untere Grenze von 0,5 kW ist emp­ fehlenswert. Besonders bevorzugt sind Werte über 1 kW bzw. über 3 kW.

Es können verschiedene Arten von Mikrowellenplasmen Verwendung finden. Zum einen können reine Mikrowel­ lenplasmen verwendet werden in einem Druckbereich < 10⁻² mbar, oder mit zusätzlichen Magnetfeld als ECR-Mikrowellenplasma in einem Druckbereich < 10⁻⁴ mbar.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist für alle Arten von beschichtenden Mikrowellen-Plasmen geeignet. Zur Beschichtung mit C-haltigen Schichten können z. B. Methan und Acetylen als Prozeßgase eingesetzt werden. Für die Herstellung silizium-haltiger Schichten eignen sich Silane, z. B. Silan, oder si­ liziumorganische Verbindungen wie HMDS, HMDS(O), HMDS(N) oder TMS als Prozeßgase. Aber auch andere, dem Fachmann bekannten Prozeßgase wie z. B. metal­ lorganische Verbindungen sind einsetzbar. Geeignet ist das Verfahren auch zur Abscheidung von Plasma­ polymerschichten. Möglich ist ebenfalls die Ab­ scheidung von Schichtsystemen durch Kombination un­ terschiedlicher Gase.

Es ist möglich, die nach dem beschriebenen Verfah­ ren abzuscheidende Schicht mit anderen Schichten zu kombinieren, insbesondere solchen, die nach bekann­ ten Verfahren abgeschieden werden. Die Kombination kann beispielsweise in Mehrfach- oder Multilagen erfolgen.

In den Pulspausen kann auch ein Austausch des Pro­ zeßgases erfolgen, so daß jeder Plasmapuls mit fri­ schem Prozeßgas startet. Dies kann wichtig für die Behandlung und Beschichtung von Substraten mit kom­ plexen Geometrieverhältnissen sein.

Die Substrate können stehend, drehend oder linear bewegt sein. Das Verfahren kann selbstverständlich in anderen Anlagentypen wie in Batch-Anlagen oder Durchlauf-Anlagen oder Schüttgutanlagen durchge­ führt werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist ferner geeignet für nicht beschichtende Prozesse zur Oberflächenak­ tivierung, für die Plasmafeinreinigung von Oberflä­ chen oder für die Plasmastrukturierung von Oberflä­ chen. Es ermöglicht auch hier in vorteilhafter Wei­ se niedrigere Behandlungstemperaturen oder einen schnelleren Prozeß, d. h. eine Verkürzung der Pro­ zeßzeit.

Claims (23)

1. Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas durch Einstrahlung von Mikrowellen, wobei ein Pro­ zeßgas in einen Rezipienten geleitet wird, mittels einer Strahlenquelle eine Mikrowellen­ strahlung erzeugt wird und diese Mikrowellen­ strahlung in den Rezipienten eingestrahlt wird, so daß ein Plasma gezündet wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Zündung und zum Be­ treiben des Plasmas eine gepulste Mikrowellen­ strahlung verwendet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine Mikrowellenstrahlung mit einer Pulsfrequenz von mindestens etwa 0,1 kHz verwendet wird, vorzugsweise 1 kHz-10 kHz.

3. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die ef­ fektive Betriebszeit (duty cycle) der Strah­ lenquelle frei wählbar ist, vorzugsweise auf 30-70% der Prozeßzeit eingestellt wird.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zeitlich gemittelte Größen wie etwa Substrat- Ionenstrom, oder Beschichtungsrate für den ge­ pulsten Prozeß (duty cycle < 100%) Größen gleich der im ungepulsten Prozeß (duty cycle 100%) sind bei im zeitlichen Mittel verringer­ ter Mikrowellenleistung.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zeitlich gemittel­ te Größen wie etwa Substrat-Ionenstrom, oder Beschichtungsrate für den gepulsten Prozeß (duty cycle < 100%) größer sind als die Größen im ungepulsten Prozeß (duty cycle 100%) bei im zeitlichen Mittel gleicher Mikrowellenlei­ stung.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in den Pulspausen ein Austausch des Prozeßgases vor­ genommen wird.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mikrowellenstrahlung mit einer Eingangslei­ stung von mindestens etwa 0,5 kW, insbesondere mehr als 1 kW bzw. mehr als 3 kW verwendet wird.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mikrowellenstrahlung mit einer Frequenz im Gi­ gahertzbereich verwendet wird, vorzugsweise 2,45 GHz, 1,225 GHz oder 0,95 GHz.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Pro­ zeßtemperatur auf unter 200°C eingestellt wird.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Plas­ ma als ECR-Plasma bei niedrigen Drücken ge­ staltet wird.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Plas­ ma als Plasmaquelle oder als Ionenquelle ver­ wendet wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es in Prozessen zur Behandlung und Beschichtung von Oberflächen von Substra­ ten verwendet wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es zur Erzeugung beschichtender Plasmen verwendet wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es für nichtbeschichtende Pro­ zesse zur Oberflächenaktivierung verwendet wird.

15. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine der folgenden Schichten abgeschieden wird:

• - kohlenstoffhaltige Schichten, insbesondere amorpher, wasserstoffhaltiger Kohlenstoff a-C : H
• - siliziumhaltige Schichten, insbesondere amor­ phes, wasserstoffhaltiges Silizium a-Si : H, oder
• - Plasmapolymerschichten.

16. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es in Prozessen zur abtragenden Oberflächenbehandlung, insbesondere Plasma­ feinreinigung und/oder Plasmastrukturierung von Oberflächen verwendet wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zu behandeln­ den oder zu beschichtenden Teile auf ein Bias- Potential gelegt werden, vorzugsweise ein ne­ gatives Bias-Potential.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Bias gepulst wird, insbesondere monopolar gepulster Bias, bipolar gepulster Bias, insbes. mit oder ohne Pausen zwischen den Pulsen.

19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Hochfrequenz-Bias, insbeson­ dere im kHz- oder MHz-Bereich verwendet wird.

20. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikrowellenstrahlung mit anderen Quellen für Teilchen, elektromagnetische Strahlung oder Teilchenstrahlung kombiniert wird.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma zum Zünden eines weiteren Plasmas verwendet wird.

22. Verfahren nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Be­ schichtung auf stehenden oder bewegten Substraten erfolgt.

23. Verwendung des Verfahrens nach einem der An­ sprüche 1 bis 22 in einer Batchanlage oder ei­ ner Durchlaufanlage oder einer Schüttgutanla­ ge.