DE19727882A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels gepulster Funkenentladung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels gepulster FunkenentladungInfo
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung
hochangeregter Gasplasmen mittels gepulster Funkenentladung, wie sie z. B. für die
Reinigung von Oberflächen eines zu beschichtenden Substrates eingesetzt werden.
In der DE 42 08 764 C2 ist ein gasgefüllter Teilchenbeschleuniger angegeben, der
aus einer Quelle für Plasmen hoher Dichte geladener Teilchen besteht, sowie aus
einer Beschleunigungseinrichtung zwischen zwei Elektroden von denen die eine das
Plasma teilweise mitbegrenzt und die andere außerhalb liegt. In diesem
Beschleuniger ist mindestens ein dielektrischer Rohrraum eingerichtet, der mit einer
Öffnung in der Elektrode beginnt und zur anderen Elektrode gerichtet ist. In diesem
Rohrraum findet die Teilchenbeschleunigung raumladungsreduziert statt und der
Teilchenstrahl wird elektrostatisch fokussiert.
Durch diese Vorrichtung wird die Funkenentladung entlang einer vorgegebenen
Wegstrecke geführt. Durch die Öffnung in der Anode verläßt der Elektronenstrom
die Entladungsstrecke und ist als Elektronenstrahl nutzbar.
Gemäß der DE 38 34 402 C1 wird ein gepulster Teilchen- oder Laserstrahl auf ein
Spendertarget gerichtet. Durch den Strahl und infolge der Wechselwirkung des
Teilchen- oder Laserstrahls mit der Festkörperoberfläche des Spendertargets wird
auf dem Spendertarget ein Ablationsprozeß eingeleitet und die dabei entstehenden
kleinen Tröpfchen gelangen auf ein geheiztes Substrat. Dadurch wird eine Schicht
von Hoch-Tc-Oxidsupraleitern auf der Oberfläche dieses Substrates gebildet. Das
Abtragen der Partikel von den Spendertarget während des Ablationsprozesses
erfolgt eruptionsartig.
Durch die bekannten Verfahren und Vorrichtungen ist es nicht möglich, Gasplasmen
mit Temperaturen 15 000 K zu erzeugen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, sehr heiße Gasplasmen zu erzeugen,
beispielsweise vollionisierten Stickstoff mit T ≈ 20 000 K.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen 1 und 6 angegebene Erfindung
gelöst. Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Durch die erfindungsgemäße Vorrichtung wird eine gepulste Funkenentladung
kanalisiert. Dabei wird das Gas im Innenraum des dielektrischen Rohres als
Plasmaquelle genutzt, da das Gas während der Entladung extrem erhitzt und in den
Plasmazustand überführt wird. Aufgrund des hohen Temperatur- und
Druckgradienten zwischen Entladungsstrecke und Außenraum wird das Plasma der
Funkenentladung in den Außenraum gedrückt. Vor der anodenseitigen Öffnung des
dielektrischen Rohres kann ein zu behandelndes Substrat positioniert werden.
Die Zündung der Entladung ist wechselseitig abhängig von der Geometrie des
dielektrischen Rohres, der Spannung und dem Gasdruck und erfolgt beispielsweise
durch einen Gasdurchbruch oder durch das Einbringen zusätzlicher Ladungsträger
in das dielektrische Rohr. Um ein sehr heißes Plasma zu erzeugen, sind
Durchschlagspannungen 15 kV erforderlich. Somit existiert ein in Abhängigkeit von
der Geometrie des dielektrischen Rohres bestimmter gasabhängiger Druckbereich,
in dem eine solche Funkenentladung gezündet werden kann. Für einen Kathoden-
Anoden-Abstand von etwa 60 mm und Stickstoff als Atmosphäre gilt: p 1 Pa. Der
Stickstoff wird dabei vollständig ionisiert (Ionisationsgrad ≈ 1,4). Nach Zündung der
Entladung existiert diese etwa 150 ns und entwickelt sich in dieser Zeit zu einer
Bogenentladung. Als Stromquelle der Entladung kann beispielsweise ein
Kondensator dienen. Nach dessen Entladung erlischt die Funkenentladung. Das
gepulste Regime gestattet extrem hohe Leistungen von etwa 20 MW während einer
Entladung. Derartige Leistungen sind Voraussetzung für die Erzeugung eines sehr
heißen Plasmas (T ≈ 15 000 K).
Der Elektronenstrom erzeugt innerhalb des dielektrischen Rohres einen leitfähigen
Plasmakanal. Bei Drücken unter 1 Pa wird dabei auch Material der Kathode, der
Anode und des dielektrischen Rohres mit verdampft. Um dies zu vermeiden werden
Gasdrücke von 1 Pa realisiert. Gleichzeitig kann die Erosion der Kathode und
Anode auch durch die Wahl des Materials weitgehend verhindert werden.
Einem Gasdruck von oberhalb 5 Pa sind gegenwärtig noch Grenzen gesetzt, da mit
zunehmendem Gasdruck die Durchschlagsspannung in dem dielektrischen Rohr
entsprechend der Pasche-Kurve unter 10 000 V abfällt und damit kein sehr heißes
Plasma mehr erzeugt werden kann.
Über den Gasdruck läßt sich die Intensität der Wechselwirkung zwischen
Elektronenstrom und dielektrischen Rohr beeinflussen. Bei einem wie o.g.
Kathoden-Anoden-Abstand und Stickstoff-Gasdrücken von p < 1 Pa ist die
Wechselwirkung zwischen Elektronenstrom und dielektrischem Rohr nur gering.
Dann besteht das Entladungsplasma vor allem aus hochionisiertem Gas der
Entladungsstrecke. Entsprechend wird bei p 1 Pa ein Plasma mit einem hohem
Anteil an Rohrmaterial gebildet, welches zur Abscheidung von Schichten verwendet
wird.
Über ein Extraktionsgitter ist die Extraktion von Ionen aus dem Plasma möglich. Das
Gitter befindet sich gegenüber der Anode auf negativem Potential, so daß die Ionen
des Plasmas in Gitternähe zusätzlich beschleunigt werden und sich deren kinetische
Energie erhöht. Der Effekt der zusätzlichen elektrostatischen Beschleunigung der
Ionen kann ebenfalls durch ein positiv oder negativ geladenes Substrat bewirkt
werden.
Im weiteren wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
In ein dielektrisches Rohr 2 aus BN mit einer Wanddicke von 2 mm, einer Rohrlänge
von 7 cm und einem Innendurchmesser von 7 mm wird auf der einen Seite eine
Kathode 1 eingebracht. Auf der anderen Seite des dielektrischen Rohres 2 wird die
Anode 3 angeordnet. Der Abstand zwischen der Kathode 1 und der Anode 3 beträgt
8 cm.
Durch die Entladung eines Kondensators mit einer Kapazität von 15 nF wird ein
Gasdurchschlag von 20 000 V ausgelöst, der zur Zündung des Plasmas im
Rohrinnenraum führt. Die Pulse folgen mit einer Frequenz von 5 Hz.
Die anodenseitige Öffnung des dielektrischen Rohres 2 ragt in einen Raum, dessen
Atmosphäre aus Argon besteht. Der Gasdruck der Argon-Atmosphäre beträgt 2 Pa.
In diesem Raum mit der Argon-Atmosphäre befinden sich weiterhin das Substrat aus
Silicium, was eine Spannung von - 30 V aufweist.
Vor dieses Substrat ist eine Extraktionsgitter angeordnet, das eine Gitterspannung
von - 50 V aufweist.
Durch die Entladung des Kondensators wird in dem dielektrischen Rohr 2 eine
Funkenentladung erzeugt. Durch die hohe Temperatur des Plasmas expandiert
dieses und strömt zur anodenseitigen Öffnung in den Raum mit der
sauerstoffhaltigen Atmosphäre. Dort trifft es auf das Extraktionsgitter. Durch die
Gitterspannung von - 50 V werden die positiv geladenen Teilchen des Plasma
angezogen und zusätzlich beschleunigt. Danach treffen sie mit hoher
Geschwindigkeit auf das Substrat. Dadurch wird das Substrat auf seiner Oberfläche
gereinigt. Die Reinigung erfolgt einerseits durch die sehr hohe Geschwindigkeit der
Teilchen und andererseits durch die hohe Temperatur des Plasmas.
Bezugszeichenliste
1 Kathode
2 dielektrisches Rohr
3 Anode
4 Plasmastrom
2 dielektrisches Rohr
3 Anode
4 Plasmastrom
Claims (7)
1. Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Gasplasmen mittels gepulster
Funkenentladung bestehend aus einem dielektrischen Rohr (2), aus einer
Vorrichtung zur Steuerung und Regelung eines Gasinnendruckes von p 1 Pa
mindestens im dielektrischen Rohr (2), aus einer Kathode (1), die sich an oder in
einer der Öffnungen des dielektrischen Rohres (2) befindet, aus einer Anode (3), die
sich am anderen Ende des dielektrischen Rohres (2) befindet, aus einem Substrat,
vor das ein Extraktionsgitter angeordnet sein kann, wobei Substrat und/oder
Extraktionsgitter unter negativer Spannung stehen können, aus einer Anordnung,
die eine Zündung der Entladung im dielektrischen Rohr hervorruft, wobei
mindestens die anodenseitige Öffnung des dielektrischen Rohres (2), die Anode (3)
und das Substrat mit dem Extraktionsgitter sich innerhalb eines Raumes befinden, in
dem eine inerte oder reaktive Atmosphäre oder ein Vakuum vorhanden ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei dem eine Kathode (1) aus Metall, Halbleiter oder
Kohlenstoff eingesetzt ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei dem eine Anode (3) aus Metall, Halbleiter oder
Kohlenstoff eingesetzt ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei dem die Stromquelle zur Zündung der
Funkenentladung ein Kondensator ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei dem mindestens die anodenseitige Öffnung des
dielektrischen Rohres (2), die Anode (3) und das Substrat mit dem Extraktionsgitter
sich innerhalb eines Raumes befinden, in dem eine Stickstoff- oder Argon- oder
Sauerstoff- oder Methan-Atmosphäre oder eine Atmosphäre aus organischen
reaktiven Gasen vorhanden ist.
6. Verfahren zur Erzeugung hochangeregter Gasplasmen mittels gepulster
Funkenentladung in einer Vorrichtung entsprechend Anspruch 1, bei dem im
Innenraum eines dielektrischen Rohres (2) durch eine Funkenentladung ein Plasma
erzeugt wird und bei dem der Druck des Gases mindestens im dielektrischen Rohr
(2) auf einen Wert p 1 Pa eingestellt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem ein Gasdruck von p = 1,5-5 Pa eingestellt
wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19727882A DE19727882A1 (de) | 1996-07-18 | 1997-06-30 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels gepulster Funkenentladung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19629054 | 1996-07-18 | ||
| DE19727882A DE19727882A1 (de) | 1996-07-18 | 1997-06-30 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels gepulster Funkenentladung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19727882A1 true DE19727882A1 (de) | 1998-01-29 |
Family
ID=7800212
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19727882A Withdrawn DE19727882A1 (de) | 1996-07-18 | 1997-06-30 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels gepulster Funkenentladung |
| DE19727883A Withdrawn DE19727883A1 (de) | 1996-07-18 | 1997-06-30 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels Funkenentladung für die Abscheidung dünner Schichten |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19727883A Withdrawn DE19727883A1 (de) | 1996-07-18 | 1997-06-30 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung hochangeregter Plasmen mittels Funkenentladung für die Abscheidung dünner Schichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (2) | DE19727882A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19902146A1 (de) * | 1999-01-20 | 2000-08-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020092616A1 (en) * | 1999-06-23 | 2002-07-18 | Seong I. Kim | Apparatus for plasma treatment using capillary electrode discharge plasma shower |
| US6632323B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Plasmion Corporation | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma |
-
1997
- 1997-06-30 DE DE19727882A patent/DE19727882A1/de not_active Withdrawn
- 1997-06-30 DE DE19727883A patent/DE19727883A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19902146A1 (de) * | 1999-01-20 | 2000-08-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung |
| DE19902146C2 (de) * | 1999-01-20 | 2003-07-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19727883A1 (de) | 1998-01-29 |
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