[go: up one dir, main page]

DE19723614T1 - Vorrichtung, system und verfahren zur reduzierung von haarrissbildung - Google Patents

Vorrichtung, system und verfahren zur reduzierung von haarrissbildung Download PDF

Info

Publication number
DE19723614T1
DE19723614T1 DE19723614.4T DE19723614T DE19723614T1 DE 19723614 T1 DE19723614 T1 DE 19723614T1 DE 19723614 T DE19723614 T DE 19723614T DE 19723614 T1 DE19723614 T1 DE 19723614T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
coupled
terminal
deposition
deposition chamber
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19723614.4T
Other languages
English (en)
Other versions
DE19723614A1 (de
Inventor
Joshua B. PANKRATZ
Douglas R. Pelleymounter
Uwe Krause
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aes Global Holdings Pte Ltd
Original Assignee
Aes Global Holdings Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aes Global Holdings Pte Ltd filed Critical Aes Global Holdings Pte Ltd
Publication of DE19723614T1 publication Critical patent/DE19723614T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055—Arc discharge
    • H01J37/32064—Circuits specially adapted for controlling the arc discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Abscheidungssystem, das Folgendes umfasst:eine Wechselstromversorgung mit einem ersten Ausgang und einem zweiten Ausgang;ein erstes Triaxialkabel, das geerdet ist, wobei das erste Triaxialkabel einen ersten Mittelleiter und eine erste leitfähige Abschirmung umfasst;ein zweites Triaxialkabel, das geerdet ist, wobei das zweite Triaxialkabel einen zweiten Mittelleiter und eine zweite leitfähige Abschirmung umfasst;eine Abscheidungskammer mit einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss;wobei der erste Ausgang mit dem ersten Mittelleiter gekoppelt ist und der zweite Ausgang mit der ersten leitfähigen Abschirmung gekoppelt ist, wobei der erste Ausgang mit der zweiten leitfähigen Abschirmung gekoppelt ist und der zweite Ausgang mit dem zweiten Mittelleiter gekoppelt ist;wobei der erste Mittelleiter mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist und die zweite innere leitfähige Abschirmung mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist; undwobei die erste innere leitfähige Abschirmung mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist und der zweite Mittelleiter mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist.

Claims (25)

  1. Abscheidungssystem, das Folgendes umfasst: eine Wechselstromversorgung mit einem ersten Ausgang und einem zweiten Ausgang; ein erstes Triaxialkabel, das geerdet ist, wobei das erste Triaxialkabel einen ersten Mittelleiter und eine erste leitfähige Abschirmung umfasst; ein zweites Triaxialkabel, das geerdet ist, wobei das zweite Triaxialkabel einen zweiten Mittelleiter und eine zweite leitfähige Abschirmung umfasst; eine Abscheidungskammer mit einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss; wobei der erste Ausgang mit dem ersten Mittelleiter gekoppelt ist und der zweite Ausgang mit der ersten leitfähigen Abschirmung gekoppelt ist, wobei der erste Ausgang mit der zweiten leitfähigen Abschirmung gekoppelt ist und der zweite Ausgang mit dem zweiten Mittelleiter gekoppelt ist; wobei der erste Mittelleiter mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist und die zweite innere leitfähige Abschirmung mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist; und wobei die erste innere leitfähige Abschirmung mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist und der zweite Mittelleiter mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist.
  2. Abscheidungssystem nach Anspruch 1, wobei das erste Triaxialkabel ferner eine erste äußere leitfähige Abschirmung umfasst, die an der Wechselstromversorgung und der Abscheidungskammer geerdet ist, das zweite Triaxialkabel ferner eine zweite äußere leitfähige Abschirmung umfasst, die an der Wechselstromversorgung und der Abscheidungskammer geerdet ist.
  3. Abscheidungssystem nach Anspruch 2, wobei das Abscheidungssystem ein Glasbeschichtungssystem ist und das erste Triaxialkabel und das zweite Triaxialkabel kapazitive oder niederohmige Pfade zu Masse für parasitäre Ströme bereitstellen, die andernfalls Defekte auf einem in dem Glasbeschichtungssystem bearbeiteten Substrat verursachen.
  4. Abscheidungssystem nach Anspruch 1, bei dem die Stromversorgung eine erste Masseverbindung und die Abscheidungskammer eine zweite Masseverbindung aufweist, wobei das System ferner einen niederohmigen Rücklaufpfad umfasst, der zwischen der ersten Masseverbindung und der zweiten Masseverbindung gekoppelt ist.
  5. Abscheidungssystem nach Anspruch 2, wobei der niederohmige Rücklaufpfad ein Erdungsband ist, das den niederohmigen Rücklaufpfad für Hochfrequenzstrom aus der Kammer bereitstellt.
  6. Abscheidungssystem, das Folgendes umfasst: eine Stromversorgung mit einem ersten Ausgang, der mit einem ersten Anschluss einer Abscheidungskammer gekoppelt ist, so dass ein erster leitfähiger Pfad entsteht, wobei die Stromversorgung ferner einen zweiten Ausgang aufweist, der mit einem zweiten Anschluss der Abscheidungskammer gekoppelt ist, so dass ein zweiter leitfähiger Pfad entsteht, wobei die Abscheidungskammer ein Substrat bearbeiten soll; ein Impedanzelement zwischen dem ersten leitfähigen Pfad und Masse und zwischen dem zweiten leitfähigen Pfad und Masse, wobei das Impedanzelement einen symmetrischen Nebenschlusspfad für parasitäre Ströme zu Masse und weg von dem Substrat bereitstellt.
  7. Abscheidungssystem nach Anspruch 6, wobei das Impedanzelement einen zwischen dem ersten Anschluss und Masse gekoppelten ersten Kondensator und einen zwischen dem zweiten Anschluss und Masse gekoppelten zweiten Kondensator umfasst.
  8. Abscheidungssystem nach Anspruch 6, wobei das Impedanzelement einen zwischen dem ersten Ausgang und Masse gekoppelten ersten Kondensator und einen zwischen dem zweiten Ausgang und Masse gekoppelten zweiten Kondensator umfasst.
  9. Abscheidungssystem nach Anspruch 6, wobei das Impedanzelement ein erstes Impedanzelement zwischen dem ersten leitfähigen Pfad und Masse und ein zweites Impedanzelement zwischen dem zweiten leitfähigen Pfad und Masse umfasst, wobei das erste Impedanzelement und das zweite Impedanzelement die gleiche Impedanz aufweisen, um den symmetrischen Nebenschlusspfad bereitzustellen.
  10. Abscheidungssystem nach Anspruch 6, das ferner Folgendes umfasst: eine erste leitfähige Anordnung, die einen ersten Leiter umfasst, der mit dem ersten Anschluss der Plasmaabscheidungskammer gekoppelt ist; und eine zweite leitfähige Anordnung mit einem zweiten Leiter, der mit dem zweiten Anschluss der Plasmaabscheidungskammer gekoppelt ist.
  11. Abscheidungssystem nach Anspruch 10, wobei: das Impedanzelement ein erstes Impedanzelement und ein zweites Impedanzelement umfasst; die erste leitfähige Anordnung den ersten Leiter und das erste Impedanzelement zwischen dem ersten Leiter und Masse umfasst; die zweite leitfähige Anordnung den zweiten Leiter und das zweite Impedanzelement zwischen dem zweiten Leiter und Masse umfasst, wobei das zweite Impedanzelement die gleiche Impedanz wie das erste Impedanzelement bereitstellt; wobei das erste Impedanzelement und das zweite Impedanzelement den symmetrischen Nebenschlusspfad zu Masse bereitstellen.
  12. Abscheidungssystem nach Anspruch 11, wobei das erste Impedanzelement und das zweite Impedanzelement die gleiche Impedanz aufweisen.
  13. Abscheidungssystem nach Anspruch 11, wobei die erste leitfähige Anordnung ein erstes Triaxialkabel und die zweite leitfähige Anordnung ein zweites Triaxialkabel ist.
  14. Abscheidungssystem nach Anspruch 13, wobei: das erste Triaxialkabel einen ersten Mittelleiter und eine erste leitfähige Abschirmung enthält; das zweite Triaxialkabel einen zweiten Mittelleiter und eine zweite leitfähige Abschirmung enthält; der erste Ausgang mit dem ersten Mittelleiter gekoppelt ist und der zweite Ausgang mit der ersten leitfähigen Abschirmung gekoppelt ist, der erste Ausgang mit der zweiten leitfähigen Abschirmung gekoppelt ist und der zweite Ausgang mit dem zweiten Mittelleiter gekoppelt ist; der erste Mittelleiter mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist und die zweite innere leitfähige Abschirmung mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist; die erste innere leitfähige Abschirmung mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist und der zweite Mittelleiter mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist; das erste Impedanzelement einen durch den ersten Mittelleiter und die erste leitfähige Abschirmung und einen ersten Isolator dazwischen gebildeten ersten Kondensator und einen durch die erste leitfähige Abschirmung und eine erste äußere Abschirmung und einen zweiten Isolator dazwischen gebildeten zweiten Kondensator umfasst; und das zweite Impedanzelement einen durch den zweiten Mittelleiter und die zweite leitfähige Abschirmung und einen dritten Isolator dazwischen gebildeten dritten Kondensator und einen durch die zweite leitfähige Abschirmung und eine zweite äußere Abschirmung und einen vierten Isolator dazwischen gebildeten vierten Kondensator umfasst.
  15. Abscheidungssystem nach Anspruch 6, wobei die Stromversorgung einen ersten Masseanschluss und die Abscheidungskammer einen zweiten Masseanschluss aufweist, wobei das System ferner einen niederohmigen Pfad umfasst, der zwischen dem ersten Masseanschluss und dem zweiten Masseanschluss gekoppelt ist.
  16. Abscheidungssystem nach Anspruch 15, wobei der niederohmige Pfad ein Erdungsband umfasst, das einen Rücklaufpfad für Hochfrequenzstrom aus der Kammer bereitstellt.
  17. Abscheidungssystem, das Folgendes umfasst: eine erste Abscheidungskammer mit einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss; eine erste Stromversorgung, die mit dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss gekoppelt ist; eine zweite Abscheidungskammer mit einem dritten Anschluss und einem vierten Anschluss; eine zweite Stromversorgung, die mit dem dritten Anschluss und dem vierten Anschluss gekoppelt ist; ein Fördersystem, das ein Substrat zwischen der ersten Abscheidungskammer und der zweiten Abscheidungskammer bewegt, wobei die erste Abscheidungskammer neben der zweiten Abscheidungskammer positioniert ist und wobei die erste Stromversorgung, die ein erstes Wechselstromsignal an den ersten Anschluss und den zweiten Anschluss anlegt, mit der zweiten Stromversorgung koordiniert ist, die ein zweites Wechselstromsignal an den dritten Anschluss und den vierten Anschluss anlegt, wobei die Koordination eine Potentialdifferenz zwischen mindestens dem zweiten Anschluss der ersten Abscheidungskammer und dem dritten Anschluss der zweiten Abscheidungskammer minimiert.
  18. Abscheidungssystem nach Anspruch 17, wobei der zweite Anschluss der ersten Abscheidungskammer dem dritten Anschluss der zweiten Abscheidungskammer benachbart ist.
  19. Abscheidungssystem nach Anspruch 18, wobei die erste Abscheidungskammer betrieben wird, um gleichzeitig mit der zweiten Abscheidungskammer Material auf dem Substrat abzuscheiden, wobei das Koordinieren der ersten Stromversorgung und der zweiten Stromversorgung das Verwalten des ersten Wechselstromsignals und des zweiten Wechselstromsignals beinhaltet, so dass sie am zweiten Anschluss und am dritten Anschluss gleichzeitig dieselbe Polarität aufweisen.
  20. Abscheidungssystem nach Anspruch 17, wobei das System so betrieben wird, dass es die dem Substrat auferlegten Frequenzübergänge zwischen der ersten Abscheidungskammer und der zweiten Abscheidungskammer minimiert.
  21. Abscheidungssystem nach Anspruch 17, wobei das System so betrieben wird, dass es Übergänge zwischen der ersten Abscheidungskammer und der zweiten Abscheidungskammer synchronisiert.
  22. Abscheidungssystem, das Folgendes umfasst: eine erste Abscheidungskammer mit einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss, die mit einer ersten Stromversorgung gekoppelt sind; eine zweite Abscheidungskammer mit einem dritten Anschluss und einem vierten Anschluss, die mit einer zweiten Stromversorgung gekoppelt sind, wobei die zweite Abscheidungskammer neben der ersten Abscheidungskammer angeordnet ist und ein Fördersystem zum Bewegen eines Substrats zwischen der ersten Abscheidungskammer und der zweiten Abscheidungskammer zum Bearbeiten des Substrats enthält; wobei der zweite Anschluss der ersten Abscheidungskammer in der Nähe des dritten Anschlusses der zweiten Abscheidungskammer liegt, und wobei die erste Stromversorgung so konfiguriert ist, dass sie ein Wechselstromsignal an den zweiten Anschluss anlegt, das mit der zweiten Stromversorgung synchronisiert ist, die ein zweites Wechselstromsignal an den dritten Anschluss anlegt, so dass eine erste Polarität des ersten Wechselstromsignals am zweiten Anschluss dieselbe ist wie eine zweite Polarität des zweiten Wechselstromsignals am dritten Anschluss zur selben Zeit.
  23. Abscheidungssystem nach Anspruch 22, wobei der zweite Anschluss und der dritte Anschluss jeweils ein Magnetron desselben Typs umfassen.
  24. Verfahren, das Folgendes beinhaltet: Steuern, in einem System mit einem ersten Wechselstromsignal, das einen Plasmabeschichtungsprozess eines Substrats in einer ersten Kammer ansteuert, und einem zweiten Wechselstromsignal, das einen Plasmabeschichtungsprozess desselben Substrats in einer zweiten Kammer ansteuert, wobei die erste Kammer der zweiten Kammer benachbart ist, des ersten Wechselstromsignals und des zweiten Wechselstromsignals, um wenigstens eines aus einer Potentialdifferenz über das Substrat, einer Potentialdifferenz zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer und einer Potentialdifferenz von einem Plasma in der ersten Kammer und einem Plasma in der zweiten Kammer zu minimieren.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, das ferner das Steuern des ersten Wechselstromsignals und des zweiten Wechselstromsignals umfasst, um an benachbarte Magnetrons der ersten Kammer und der zweiten Kammer die gleiche Polarität anzulegen.
DE19723614.4T 2018-05-06 2019-04-30 Vorrichtung, system und verfahren zur reduzierung von haarrissbildung Pending DE19723614T1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862667569P 2018-05-06 2018-05-06
US201862667569P 2018-05-06
PCT/US2019/030056 WO2019217155A1 (en) 2018-05-06 2019-04-30 Apparatus, system and method to reduce crazing
EP19723614.4A EP3791420B1 (de) 2018-05-06 2019-04-30 Abscheidungssystem zur reduzierung von haarrissbildung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19723614T1 true DE19723614T1 (de) 2021-07-15

Family

ID=66484208

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19723614.4T Pending DE19723614T1 (de) 2018-05-06 2019-04-30 Vorrichtung, system und verfahren zur reduzierung von haarrissbildung

Country Status (9)

Country Link
US (2) US12159772B2 (de)
EP (1) EP3791420B1 (de)
JP (3) JP7471233B2 (de)
KR (1) KR102773804B1 (de)
CN (1) CN112136201B (de)
DE (1) DE19723614T1 (de)
PL (1) PL3791420T3 (de)
TW (1) TWI844538B (de)
WO (1) WO2019217155A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3796362A1 (de) * 2019-09-23 2021-03-24 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Verfahren zur plasmabehandlung eines substrats in einer plasmakammer und plasmaverarbeitungssystem
US20220145448A1 (en) * 2020-09-24 2022-05-12 Advanced Energy Industries, Inc. Coated-substrate sensing and crazing mitigation
US20220310370A1 (en) * 2021-03-23 2022-09-29 Advanced Energy Industries, Inc. Electrode phasing using control parameters
EP4460843A1 (de) * 2022-01-09 2024-11-13 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Plasmastromversorgungssystem und -verfahren
FR3148236B1 (fr) * 2023-04-28 2025-04-25 Saint Gobain Système et procédé pour le revêtement d’un substrat verrier
DE102024113393B3 (de) * 2024-05-14 2025-07-03 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumanordnung, Verfahren und Verwendung

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69110568T2 (de) * 1990-07-31 1995-12-21 Tandberg Data Verfahren und Einrichtung zum Unterdrücken von elektrostatischem Entladungsrauschen für ein elektronisches Gerät.
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE19537212A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum
US6516742B1 (en) * 1998-02-26 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Apparatus for improved low pressure inductively coupled high density plasma reactor
US6347043B1 (en) * 2000-04-19 2002-02-12 Sun Microsystems, Inc. Power supply including circuit board with a conductive bracket for electrical ground
US20050098337A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-12 Brock James V. Common grounding strap
JP5319150B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4752865B2 (ja) * 2008-05-12 2011-08-17 ソニー株式会社 インターフェース回路
JP5124344B2 (ja) 2008-05-26 2013-01-23 株式会社アルバック バイポーラパルス電源及び複数のバイポーラパルス電源からなる電源装置並びに出力方法
US10049859B2 (en) * 2009-07-08 2018-08-14 Aixtron Se Plasma generating units for processing a substrate
JP5375763B2 (ja) 2010-07-27 2013-12-25 三菱電機株式会社 プラズマ装置およびこれを用いた半導体薄膜の製造方法
US8357263B2 (en) * 2010-10-05 2013-01-22 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for electrical measurements in a plasma etcher
US9103026B1 (en) * 2010-10-21 2015-08-11 Apollo Precision Beijing Limited Filter circuit for a magnetron deposition source
CN103348038B (zh) * 2011-02-08 2015-05-20 夏普株式会社 磁控溅射装置、磁控溅射装置的控制方法和成膜方法
JP2015082384A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、給電ユニット、及び載置台システム
JP6552345B2 (ja) * 2015-09-04 2019-07-31 キヤノン株式会社 回路基板及び画像形成装置
US20180040461A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 Advanced Energy Industries, Inc. Application of diode box to reduce crazing in glass coatings
JP2018063167A (ja) 2016-10-13 2018-04-19 パイオニア株式会社 検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210003773A (ko) 2021-01-12
JP2024019678A (ja) 2024-02-09
US20190341235A1 (en) 2019-11-07
JP2025161868A (ja) 2025-10-24
PL3791420T3 (pl) 2024-09-09
EP3791420B1 (de) 2024-06-12
EP3791420A1 (de) 2021-03-17
JP2021523294A (ja) 2021-09-02
WO2019217155A1 (en) 2019-11-14
JP7471233B2 (ja) 2024-04-19
CN112136201B (zh) 2024-04-16
CN112136201A (zh) 2020-12-25
KR102773804B1 (ko) 2025-02-26
TWI844538B (zh) 2024-06-11
US12159772B2 (en) 2024-12-03
TW201948020A (zh) 2019-12-16
JP7729868B2 (ja) 2025-08-26
US20250166979A1 (en) 2025-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19723614T1 (de) Vorrichtung, system und verfahren zur reduzierung von haarrissbildung
DE4326100B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen
DE69324849T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Plasma-unterstützten chemischen Dampfphasen-Abscheidung
DE1790094B1 (de) Verfahren zum aufbringen von duennen nichtleitendenschichten
DE4042287C2 (de) Vorrichtung zum reaktiven Aufstäuben von elektrisch isolierendem Werkstoff
EP3309815B1 (de) Plasmabehandlungsvorrichtung mit zwei, miteinander gekoppelten mikrowellenplasmaquellen sowie verfahren zum betreiben einer solchen plasmabehandlungsvorrichtung
EP0411359A2 (de) Anordnung zur Dickenmessung von Dünnschichten
EP1433192A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines plasmas
EP0347717B1 (de) Schaltungsanordnung zum Erkennen eines Plasmas
EP3658925B1 (de) Verfahren und prüfvorrichtung zur messung von teilentladungsimpulsen eines geschirmten kabels
DE69903301T2 (de) Fenster hoher zerstäubungs- und ätz-festigkeit für plasma behandlungskammern
EP0546293B1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE112015000700T5 (de) System und Verfahren zum Klemmen eines Werkstücks
DE68909262T2 (de) Vorrichtung für RF-Plasma-Verarbeitung.
DE4136655A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats
DE2739873A1 (de) Verfahren zur zerstoerungsfreien werkstoffpruefung nach dem wirbelstromverfahren
EP3969886A1 (de) Vorrichtung zur berührungslosen spannungsmessung
EP4471821A1 (de) Verfahren zum magnetronsputtern
DE69620263T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum testen des isolationsgrades der isolation eines elektrischen leiters
DE4200636A1 (de) Vorrichtung zur messung von plasmaparametern in hochfrequenzentladungen
DE3336652A1 (de) Vorrichtung zum auftragen von materialien, insbesondere amorphen wasserstoffhaltigen kohlenstoffs
EP0725161B1 (de) Verfahren zur Plasmabehandlung von Werkstücken
EP0607787A2 (de) Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten
WO2016188848A1 (de) Reaktor und verfahren zur behandlung eines substrats
DE19960798C2 (de) Elektrisch beheizter Hochtemperaturgassensor