[go: up one dir, main page]

DE19714510A1 - Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige - Google Patents

Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige

Info

Publication number
DE19714510A1
DE19714510A1 DE19714510A DE19714510A DE19714510A1 DE 19714510 A1 DE19714510 A1 DE 19714510A1 DE 19714510 A DE19714510 A DE 19714510A DE 19714510 A DE19714510 A DE 19714510A DE 19714510 A1 DE19714510 A1 DE 19714510A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
forming
layer
liquid crystal
crystal display
insulation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19714510A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19714510C2 (de
Inventor
Ki-Hyun Lyu
Hoo-Young Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of DE19714510A1 publication Critical patent/DE19714510A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19714510C2 publication Critical patent/DE19714510C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
    • H10D30/0316—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral bottom-gate TFTs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0321—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] comprising silicon, e.g. amorphous silicon or polysilicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/451—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by the compositions or shapes of the interlayer dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H10W20/056—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357—Planarisation layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige (LCD: liquid crystal display) und insbesondere ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige mit einem Dünnschichttransistor (TFT: thin film transistor) als Schaltelement.
In einer Flüssigkristallanzeige mit Dünnschichttransistoren als Schaltelementen sind diese so integriert, daß sie jeweils ein Pixel ansteuern. Wie aus Fig. 1 ersichtlich, sind in einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit einer Dünnschichttransistor-Anordnung annähernd rechteckige Pixel-Elektroden 12 in Reihen und Spalten auf einem Substrat 11 angeordnet. Gate-Leitungen 13 sind entlang der Reihen und Daten-Leitungen 14 sind entlang der Spalten angeordnet.
Aus Fig. 2a ist eine Draufsicht auf einen Teil einer Flüssigkristallanzeige mit Dünnschichttransistor-Anordnung. Wie aus Fig. 2a ersichtlich, ist auf dem Substrat eine Gate-Elektrode 23 ausgebildet, und eine Mehrzahl von Daten-Leitungen 14, die die Gate-Leitungen 13 senkrecht überkreuzen, sind parallel zueinander angeordnet. Dünnschichttransistoren sind in der Nähe eines jeden Überkreuzungspunktes der Gate-Leitungen 13 mit den Daten-Leitungen 14 ausgebildet.
Aus Fig. 2b ist ein Schnitt entlang der Linie I-I aus Fig. 2a ersichtlich. Wie aus Fig. 2b ersichtlich, ist eine Gate-Elektrode 23 aus Ta auf dem Substrat 11 ausgebildet. Eine Gate-Isolierungsschicht 21 aus SiNx ist auf der gesamten Oberfläche einschließlich der Gate-Elektrode 23 ausgebildet, und eine Halbleiterschicht 22 aus a-Si (amorphem Silizium) ist auf der Gate-Isolierungsschicht 21 in einem Bereich über der Gate-Elektrode 23 ausgebildet. Eine ohmsche Verbindungsschicht 33 aus n⁺-dotiertem a-Si ist auf der Halbleiterschicht ausgebildet. Eine Source-Elektrode 24 und eine Drain-Elektrode 34 aus No sind auf der ohmschen Verbindungsschicht 33 ausgebildet, wobei der Bereich der ohmschen Verbindungsschicht 33 zwischen der Source-Elektrode 24 und der Drain-Elektrode 34 entfernt ist. Darüber ist eine organische Schicht 10 aus einem organischen Material als Passivierungsschicht ausgebildet.
Das organische Material weist ein glatteres Oberflächenprofil als anorganische Materialien auf. Somit kann die gestufte Oberfläche geglättet werden, wenn das organische Material auf die Oberfläche der Flüssigkristallanzeige aufgebracht wird, die aufgrund von mehrfach geschichteten Elementen ein unebenes Oberflächenprofil aufweist. Somit können Defekte, wie ungleiche Ausrichtungsbedingungen oder Falschausrichtungen der Flüssigkristallmoleküle aufgrund der gestuften Oberfläche verringert werden. Außerdem kann durch Vergrößerung der Fläche der Pixel-Elektroden ein größeres Öffnungsverhältnis erzielt werden.
Als Nächstes wird eine anorganische Isolierungsschicht 15 aus SiO₂ oder SiNx auf der organischen Passivierungsschicht 10 ausgebildet. Ein Verbindungsloch wird in den Isolierungsschichten 10, 15 über der Drain-Elektrode 34 ausgebildet und schließlich wird eine Pixel-Elektrode 12 aus einem transparenten, leitfähigen Material, wie ITO (indium tin oxide: Indiumzinnoxid) ausgebildet und mit der Drain-Elektrode durch das Verbindungsloch hindurch verbunden.
Wie oben beschrieben, weist die insgesamt erzielte Passivierungsschicht der herkömmlichen Flüssigkristallanzeige eine Schichtstruktur aus einer organischen Isolierungsschicht 10 und einer anorganischen Isolierungsschicht 15 auf. Die anorganische Isolierungsschicht 15 ist auf der organischen Passivierungsschicht 10 ausgebildet, um die Hafteigenschaften der ITO-Schicht auf der Passivierungsschicht zu unterstützen. Der Grund dafür ist, daß die organische Passivierungsschicht keine gute Haftung für die ITO-Schicht sicherstellt.
Es gibt zwei Möglichkeiten, die organische Isolierungsschicht und die anorganische Isolierungsschicht zu bilden. Eine besteht darin, nacheinander die organische Isolierungsschicht und die anorganische Isolierungsschicht aufzubringen und sie gleichzeitig zu strukturieren. Die andere besteht darin, zuerst die organische Passivierungsschicht aufzubringen und zu strukturieren und dann die anorganische Isolierungsschicht zu bilden.
Erstens weist die erste Möglichkeit folgendes Problem auf: Der Verfahrensschritt des Strukturierens der organischen Isolierungsschicht und der anorganischen Isolierungsschicht umfaßt die Verwendung einer organischen Lösung, wie einer Mischung von N-Methyl-Pyrolidon ("NMP"), Alkohol und Amin, um den Fotolack zu entfernen. Die Isolierungsschichten können dann anschwellen oder sich ausdehnen, da die organische Lösung in den Grenzbereich zwischen der organischen Passivierungsschicht und der anorganischen Isolierungsschicht eindringen kann.
Zweitens weist die zweite Möglichkeit ein Problem derart auf, daß zwei Strukturierungsschritte erforderlich sind, um die Passivierungsschicht zu bilden. Zusätzlich kann die Verbindung mit der Drain-Elektrode unterbrochen werden, da der Unterschied zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der organischen Isolierungsschicht und dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der anorganischen Reolierungsschicht zu Brüchen in dem Bereich des Verbindungslochs führen kann.
Dementsprechend ist die Erfindung auf ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gerichtet, das eines oder mehrere der Probleme vermeidet, die auf Beschränkungen und Nachteile des Standes der Technikzurückzuführen sind.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor anzugeben, das die oben genannten Probleme nicht aufweist.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen, weist ein erfindungsgemäßes Verfahren einer Flüssigkristallanzeige folgende Schritte auf: Ausbilden von Gate-Leitungen, Daten-Leitungen und einer Dünnschichttransistor-Anordnung auf einem Substrat; Aufbringen einer organischen Passivierungsschicht, um die oben genannten Elemente einschließlich der Dünnschichttransistor-Anordnung zu überdecken, Beschichten der organischen Passivierungsschicht mit einem Fotolack; Entwickeln des Fotolacks; selektives Abätzen der organischen Passivierungsschicht entlang der entwickelten Struktur des Fotolacks; Entfernen des Fotolacks und Umwandeln der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht in SiO₂ durch Veraschen derselben mit O₂; Aufbringen einer ITO-Schicht, d. h. einer transparenten, leitfähigen Schicht; Beschichten der ITO-Schicht mit einem Fotolack und Entwickeln des Fotolacks; Ausbilden einer Pixel-Elektrode durch selektives Abätzen der ITO-Schicht entlang der entwickelten Struktur des Fotolacks und Entfernen des Fotolacks durch Veraschen mit O₂.
Gemäß eines anderen Gesichtspunktes weist die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige ein Substrat, Gate-Leitungen mit Gate-Elektroden auf dem Substrat, eine die Gate-Leitungen überdeckende Gate-Isolierungsschicht, Halbleiterschicht-Inseln auf der Gate-Isolierungsschicht in Bereichen über den entsprechenden Gate-Elektroden, jeweils eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf den Halbleiterschicht-Inslen, eine die gesamte Oberfläche des Substrates einschließlich der Source-Elektroden und der Drain-Elektroden überdeckende organische Passivierungsschicht, eine durch Umwandeln der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht zu SiO₂ mittels Veraschen mit O₂ gebildete anorganische Isolierungsschicht, Verbindungslöcher in der Isolierungsschicht über den jeweiligen Drain-Elektroden und Pixel-Elektroden auf der anorganischen Isolierungsschicht auf, wobei jede Pixel-Elektrode mit der entsprechenden Drain-Elektrode durch das Verbindungsloch hindurch verbunden ist.
Gemäß eines anderen Gesichtspunktes weist die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige mit einer Dünnschichttransistoranordnung eines gestaffelten Typs (staggered type TFT) ein Substrat, Source-Elektroden und Drain-Elektroden auf dem Substrat, eine Halbleiterschicht auf und jeweils zwischen einer Source- Elektrode und der entsprechenden Drain-Elektrode, eine Gate-Isolierungsschicht auf der Halbleiterschicht, Gate-Elektroden auf der Gate-Isolierungsschicht, eine die gesamte Oberfläche des Substrates einschließlich der Gate-Elektroden bedeckende organische Passivierungsschicht, eine durch Umwandeln der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht in SiO₂ gebildete anorganische Isolierungsschicht und Verbindungslöcher in der Isolierungsschicht über den Drain-Elektroden und den Pixel-Elektroden auf der anorganischen Isolierungsschicht auf, wobei jede der Pixel-Elektroden mit der jeweiligen Drain-Elektrode durch ein entsprechendes Verbindungsloch hindurch verbunden ist.
Gemäß eines anderen Gesichtspunktes weist das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige auf einem Substrat folgende Schritte auf: Ausbilden eines Dünnschichttransistors auf dem Substrat; Aufbringen einer organischen Passivierungsschicht auf den Dünnschichttransistor; Ausbilden eines strukturierten Fotolacks auf der organischen Passivierungsschicht; selektives Abätzen der organischen Passivierungsschicht um ein Verbindungsloch über dem Source-Bereich oder dem Drain-Bereich des Transistors zu bilden; Entfernen des Fotolacks; Ausbilden einer SiO₂-Schicht auf der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht durch Veraschen derselben mit O₂; und Ausbilden einer Pixel-Elektrode, die mit dem Source-Bereich oder dem Drain-Bereich des Transistors durch das Verbindungsloch hindurch verbunden ist.
Gemäß eines anderen Gesichtspunktes weist ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige auf einem Substrat folgende Schritte auf: Ausbilden eines Transistors mit einer Gate-Elektrode, einer Gate-Isolierungsschicht, einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode auf dem Substrat; Ausbilden einer mit der Source-Elektrode des Transistors verbundenen Daten-Leitung; Ausbilden einer mit der Gate-Elektrode des Transistors verbundenen Gate-Leitung; Ausbilden einer organischen Passivierungsschicht auf dem Transistor, wobei die Passivierungsschicht wenigstens eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus fluoriertem Polyimid, Teflon, fluoriertem Polyzykloalkylpolymethylen (Cytop), Fluorpolyaryläther, fluoriertes Paraxylol, PFCB (Perfluorzyklobutan) und BCB (Benzozyklobuten) sowie bevorzugt eine Dielektrizitätskonstante von weniger als 3 aufweist; und Durchführen einer Plasma-Behandlung der Passivierungsschicht unter Verwendung eines Gases mit Sauerstoff.
Gemäß eines anderen Gesichtspunktes weist das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige auf einem Substrat folgende Schritte auf: Ausbilden eines Dünnschichttransistors mit einer Gate-Elektrode, eine Gate-Isolierungsschicht, einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode auf dem Substrat; Ausbilden einer mit der Source-Elektrode des Transistors verbundenen Datenleitung; Ausbilden einer mit der Gate-Elektrode des Transistors verbundenen Gate-Leitung; Ausbilden einer organischen Passivierungsschicht auf dem Dünnschichttransistor, wobei die organische Passivierungsschicht wenigstens eine Verbindung aus der Gruppe bestehend aus fluoriertem Polyimid, Teflon, fluoriertem Polyzykloalkylpolymethylen (Cytop), Fluorpolyaryläther, fluoriertes Paraxylol, PFCB (Perfluorzyklobutan) und BCB (Benzozyklobuten) sowie bevorzugt eine Dielektrizitätskonstante von weniger als 3 aufweist; Ausbilden eines strukturierten Fotolacks auf der organischen Passivierungsschicht; selektives Abätzen der organischen Passivierungsschicht, um ein Verbindungsloch über der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors zu bilden; Entfernen des Fotolacks; Ausbilden einer SiO₂-Schicht auf der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht durch Veraschen derselben mit O₂; und Ausbilden einer Pixel-Elektrode, die mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors durch das Verbindungsloch hindurch verbunden ist.
Die Zeichnung zeigt bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur näheren Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 einen Schaltplan einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige;
Fig. 2 eine vergrößerte Draufsicht auf Dünnschichttransistoren und Teile von Pixel-Elektroden gemäß einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige;
Fig. 3 einen Schnitt entlang der Linie I-I aus Fig. 2a;
die Fig. 3a bis 3f Schnitte zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens für eine Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; und
die Fig. 4a bis 4d Schnitte zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens für eine Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Im Folgenden wird auf bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung, die beispielhaft aus den Zeichnungen ersichtlich sind, näher Bezug genommen.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich, wird ein Metall, wie Aluminium, auf die gesamte Oberfläche eines Substrates 111 aufgebracht und derart strukturiert, daß eine Gate-Leitung (nicht gezeigt) und eine Gate-Elektrode 123 gebildet werden. Eine Gate-Isolierungsschicht 121 wird auf die gesamte Oberfläche des Substrates aufgebracht, auf der die Metallschicht schon strukturiert worden ist (Fig. 3a). Eine a-Si-Schicht 122 und eine n⁺-dotierte a-Si-Schicht 133 werden aufgebracht (Fig. 3b) und strukturiert, um eine a-Si-Schicht-Insel 122 und eine n⁺-dotierte a-Si-Schicht-Insel 133 (Fig. 3c) in einem Bereich über der Gate-Elektrode 123 zu bilden. Eine Cr-Schicht, als Beispiel, wird aufgebracht und strukturiert, um eine Source-Elektrode 124 und eine Drain-Elektrode 134 zu bilden. Dann wird der zwischen der Source-Elektrode 123 und der Drain-Elektrode 134 freiliegende Bereich der n⁺-dotierten a-Si-Schicht 133 abgeätzt (Fig. 3d).
Wie aus Fig. 3e ersichtlich, wird eine Passivierungsschicht 110 auf der gesamten Oberfläche durch Aufbringen eines organischen Materials mit einer --O-Bindungsstruktur gebildet. Die Passivierungsschicht wird mit einem Fotolack beschichtet und dieser wird entwickelt. Dann wird ein Verbindungsloch 143 gebildet, beispielsweise mittels eines Trockenätzverfahrens. Der Fotolack wird durch Veraschen mit O₂ entfernt. Eine anorganische Passivierungsschicht 115 wird durch Oxidieren der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht erzeugt, wodurch diese in SiO₂ umgewandelt wird (Fig. 3e). Falls die organische Passivierungsschicht die Gate-Leitungsanschlüsse und die Daten-Leitungsanschlüsse überdeckt, kann die organische Passivierungsschicht in diesen Bereichen gleichzeitig selektiv abgeätzt werden, wenn das Verbindungsloch mittels des Trockenätzverfahrens gebildet wird (in der Zeichnung nicht gezeigt).
Wie aus Fig. 3f ersichtlich, wird als nächstes eine ITO-Schicht aufgebracht. Diese wird mit einem Fotolack beschichtet, und der Fotolack wird entwickelt. Eine Pixel-Elektrode 112 wird durch selektives Abätzen der ITO-Schicht gemäß der entwickelten Struktur des Fotolacks gebildet. Der verbleibende Fotolack kann durch Veraschen mit O₂ entfernt werden (Fig. 3f).
Die Fig. 4a bis 4d zeigen eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Wie aus Fig. 4a ersichtlich, wird ein Metall, wie Cr, auf der gesamten Oberfläche eines Substrats 11 aufgebracht und derart strukturiert, daß eine Datenleitung (nicht gezeigt), eine Source-Elektrode 124 und eine Drain-Elektrode 134 gebildet werden. Eine a-Si-Schicht, eine SiNx-Schicht und eine Al-Schicht werden auf die gesamte Oberfläche des Substrates aufgebracht, auf der die Cr-Schicht schon strukturiert worden ist (Fig. 4a). Diese Schichten werden strukturiert, um eine Halbleiterschicht 122, eine Gate-Isolierungsschicht 121, eine Gate-Leitung (nicht gezeigt) und eine Gate-Elektrode 123 zu bilden (Fig. 4b).
Eine Passivierungsschicht 110 wird durch Aufbringen eines organischen Materials mit einer --O-Bindungsstruktur auf die gesamte Oberfläche gebildet. Viele unterschiedliche Verbindungen mit einer --O-Bindungsstruktur kommen für die Erfindung in Betracht. Ein Beispiel für eine solche Verbindung ist Benzozyklobuten (BCB). Die Passivierungsschicht wird mit einem Fotolack beschichtet und dieser wird entwickelt. Ein Verbindungsloch 143 wird in der Passivierungsschicht 110 über der Drain-Elektrode 134 ausgebildet, beispielsweise unter Verwendung eines Trockenätzverfahrens. Der Fotolack wird durch Veraschen mit O₂ entfernt. Eine anorganische Isolierungsschicht 115 wird durch ein eine gewisse Zeitdauer andauerndes Veraschen der organischen Passivierungsschicht 110 mit O₂ gebildet, wodurch die Oberfläche der organischen Passivierungsschicht 110 in eine SiO₂-Schicht umgewandelt wird (Fig. 4c). Falls die organische Passivierungsschicht die Gate-Leitungsanschlüsse und die Datenleitungsanschlüsse überdeckt, kann die organische Passivierungsschicht zur gleichen Zeit selektiv abgeätzt werden, wenn das Verbindungsloch unter Verwendung des Trockenätzverfahrens gebildet wird (in der Zeichnung nicht gezeigt).
Wie aus Fig. 4d ersichtlich, wird dann eine ITO-Schicht aufgebracht. Danach wird ein Fotolack aufgebracht und entwickelt. Die Pixel-Elektrode 112 wird durch selektives Abätzen der ITO-Schicht gemäß der entwickelten Struktur des Fotolacks unter Verwendung eines Trockenätzverfahrens oder eines Naßätzverfahrens gebildet. Der verbleibende Fotolack kann durch Veraschen mit O₂ entfernt werden (Fig. 4d).
Die Merkmale des oben erläuterten erfindungsgemäßen Verfahrens werden im Folgenden beschrieben. Ein Fotolack wird auf eine organische Passivierungsschicht aufgebracht. Der Fotolack wird belichtet und entwickelt, wobei die gewünschte Struktur durch die Verwendung einer Maske erzielt wird. Die organische Passivierungsschicht wird gemäß der entwickelten Struktur des Fotolacks unter Verwendung eines Trockenätzverfahrens strukturiert. Der verbleibende Fotolack wird durch Veraschen mit O₂ oder unter Verwendung eines Naßätzverfahrens (Wet-Strip) entfernt. Im Falle des O₂-Veraschens kann eine anorganische Isolierungsschicht 115 durch andauerndes Veraschen der organischen Passivierungsschicht mit O₂ für eine gewisse Zeitdauer gebildet werden, wobei die Oberfläche der organischen Passivierungsschicht in SiO₂ umgewandelt wird. Dementsprechend können die drei Verfahrensschritte des (1) Ätzens der organischen Passivierungsschicht, (2) Entfernens des Fotolacks und (3) Veraschens der organischen Passivierungsschicht mit O₂ in einer Trockenätzkammer nacheinander durchgeführt werden. Somit ist, da die drei Vorgänge in einer Trockenätzkammer nacheinander in einem Schritt durchgeführt werden, die Anzahl der Verfahrensschritte bei der Erfindung verringert.
Alternativ dazu kann der Fotolack unter Verwendung eines Naßätzverfahrens entfernt werden. In diesem Fall kann eine Mischung aus Alkohol, Aceton, H₂SO₄ und HNO₃ als Lösung für das Wet-Strip-Verfahren neben verschiedenen anderen Verfahren zum Entfernen des Fotolacks verwendet werden. Dann kann eine anorganische Isolierungsschicht durch Umwandeln der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht 110 in eine SiO₂-Schicht mittels Veraschen der organischen Passivierungsschicht mit O₂ gebildet werden, nachdem der Fotolack auf der organischen Passivierungsschicht entfernt worden ist.
Außerdem kann das unerwünschte Anschwellen der Isolierungsschicht gemäß dem herkömmlichen Verfahren, welches Anschwellen auf das Eindringen einer organischen Lösung, wie einer Mischung aus NMP, Alkohol und Amin in den Grenzbereich zwischen der organischen Passivierungsschicht und der anorganischen Isolierungsschicht zurückzuführen ist, verhindert werden, weil die anorganische Isolierungsschicht durch Umwandeln der Oberfläche der organischen Passivierungsschicht in eine SiO₂-Schicht gebildet wird.
Ferner verhindert erfindungsgemäß die SiO₂-Schicht auf der Isolierungsschicht das Problem, daß die Verbindung zwischen der Pixel-Elektrode und der Drain-Elektrode abbricht oder sich löst, was auf Brüche in dem Bereich des Verbindungslochs aufgrund eines Unterschieds zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der organischen Isolierungsschicht und dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der anorganischen Isolierungsschicht zurückzuführen ist. Probleme durch solche Unterschiede zwischen den thermischen Ausdehnungskoeffizienten werden durch die Erfindung überwunden.
Die Strukturformeln sowie die Dielektrizitätskonstanten beispielhafter Materialien, die für die organische Passivierungsschicht bzw. die organische Isolierungsschicht verwendet werden können, sind in der folgenden Tabelle 1 dargestellt. Um beim Veraschen mit Sauerstoff eine anorganische Schicht auf der organischen Schicht bilden zu können, sollte in der organischen Schicht eine die anorganische Schicht bildende Verbindung enthalten sein. Silizium enthaltende Materialien sind dabei bevorzugt. In der organischen Passivierungsschicht kann das Silizium in den polymeren Verbindungen enthalten oder in der Schicht als Silizium-Verbindung dispergiert sein.
Tabelle 1

Claims (15)

1. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige auf einem Substrat (111), mit folgenden Schritten Ausbilden eines Dünnschichttransistors auf dem Substrat (111)
Ausbilden einer organischen Isolierungsschicht (110) auf dem Dünnschichttransistor;
Ausbilden eines strukturierten Fotolacks auf der organischen Isolierungsschicht (110);
selektives Abätzen der organischen Isolierungsschicht (110), um ein Verbindungsloch (143) auf der Source-Elektrode (124) oder der Drain-Elektrode (134) des Transistors zu bilden;
Entfernen des Fotolacks;
Ausbilden einer anorganischen Schicht (115) auf der Oberfläche der organischen Isolierungsschicht (110) durch Veraschen derselben mit O₂; und
Ausbilden einer Pixel-Elektrode (112), die mit der Source-Elektrode (124) oder der Drain-Elektrode (134) des Transistors durch das Verbindungsloch (143) hindurch verbunden ist.
2. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige auf einem Substrat (111) mit folgenden Schritten:
Ausbilden eines Dünnschichttransistors mit einer Gate-Elektrode (123), einer Gate-Isolierungsschicht (121), einer Source-Elektrode (124) und einer Drain-Elektrode (134) auf dem Substrat (111);
Ausbilden einer mit der Source-Elektrode (124) des Transistors in Verbindung stehenden Daten-Leitung;
Ausbilden einer mit der Gate-Elektrode (123) des Transistors in Verbindung stehenden Gate-Leitung;
Ausbilden einer organischen Isolierungsschicht (110) auf dem Dünnschichttransistor, wobei die organische Isolierungsschicht (110) eine der folgenden Verbindungen aufweist: fluoriertes Polyimid, Teflon, fluoriertes Polyzykloalkylpolymethylen (Cytop), Fluorpolyaryläther, fluoriertes Paraxylol, PFCB (Perfluorzyklobutan) und BCB (Benzozyklobuten);
Ausbilden eines strukturierten Fotolacks auf der organischen Isolierungsschicht (110);
selektives Abätzen der organischen Isolierungsschicht (110), um ein Verbindungsloch (143) auf der Source-Elektrode (124) oder der Drain-Elektrode (134) des Transistors zu bilden;
Entfernen des Fotolacks;
Ausbilden einer anorganischen Schicht (115) auf der Oberfläche der organischen Isolierungsschicht (110) durch Veraschen mit O₂; und
Ausbilden einer Pixel-Elektrode (112), die mit der Source-Elektrode (124) oder der Drain-Elektrode (134) des Dünnschichttransistors durch das Verbindungsloch (143) hindurch verbunden ist.
3. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt des Entfernens des Fotolacks ein Veraschen mit O₂ aufweist.
4. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 3, wobei der Schritt des Veraschens mit O₂ kontinuierlich andauert, bis der Fotolack entfernt ist und die anorganische Schicht (115) auf der Oberfläche der organischen Isolierungsschicht (110) gebildet ist.
5. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die organische Isolierungsschicht (110) wenigstens eine Si-Bindungsstruktur aufweist.
6. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 5, wobei der Schritt des Entfernens des Fotolacks durch Veraschen mit 0₂ und der Schritt des Herstellens einer anorganischen Schicht (115) kontinuierlich durchgeführt werden.
7. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 6, wobei der Schritt des Bildens der anorganischen Schicht (115) einen Schritt aufweist, in dem die Oberfläche der organischen Isolierungsschicht (110) durch Veraschen mit O₂ in SiO₂ umgewandelt wird.
8. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt des Entfernens des Fotolacks ein Naßätzverfahren aufweist.
9. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 8, wobei für das Naßätzverfahren eine Mischung aus Alkohol, Aceton, HNO₃ und H₂SO₄ verwendet wird.
10. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, wobei die organische Isolierungsschicht (110) eine der folgenden Verbindungen aufweist: fluoriertes Polyimid, Teflon, fluoriertes Polyzykloalkylpolymethylen (Cytop), Fluorpolyaryläther, fluoriertes Paraxylol, PFCB (Perfluorzyklobutan) und BCB (Benzozyklobuten).
11. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige auf einem Substrat (111) mit folgenden Schritten:
Ausbilden eines Transistors mit einer Gate-Elektrode (123), einer Gate-Isolierungsschicht (121), einer Source-Elektrode (124) und einer Drain-Elektrode (134) auf dem Substrat (III);
Ausbilden einer mit der Source-Elektrode (124) des Transistors verbundenen Daten-Leitung;
Ausbilden einer mit der Gate-Elektrode (123) des Transistors verbundenen Gate-Leitung;
Ausbilden einer Passivierungsschicht (110) auf dem Transistor, wobei die Passivierungsschicht (110) wenigstens eine der folgenden Verbindungen aufweist: fluoriertes Polyimid, Teflon, fluoriertes Polyzykloalkylpolymethylen (Cytop), Fluorpolyaryläther, fluoriertes Paraxylol, PFCB (Perfluorzyklobutan) und BCB (Benzozyklobuten); und
Ausführen einer Plasma-Behandlung der Passivierungsschicht (110) unter Verwendung eines Gases mit Sauerstoff.
12. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 11, wobei die Passivierungsschicht (110) eine Si-Bindungsstruktur aufweist.
13. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 11, wobei in dem Schritt, in dem die Plasma-Behandlung durchgeführt wird, auf der Oberfläche der Passivierungsschicht (110) Siliziumoxid gebildet wird.
DE19714510A 1996-04-08 1997-04-08 Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige Expired - Lifetime DE19714510C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960010414A KR100202231B1 (ko) 1996-04-08 1996-04-08 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19714510A1 true DE19714510A1 (de) 1997-11-06
DE19714510C2 DE19714510C2 (de) 2000-05-25

Family

ID=19455205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19714510A Expired - Lifetime DE19714510C2 (de) 1996-04-08 1997-04-08 Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4023866B2 (de)
KR (1) KR100202231B1 (de)
DE (1) DE19714510C2 (de)
FR (1) FR2747233B1 (de)
GB (1) GB2312073B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1189096A1 (de) * 2000-09-18 2002-03-20 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Flüssigkristall-Lichtmodulator
DE19752649C2 (de) * 1996-11-29 2002-04-18 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeigevorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10025261B4 (de) * 1999-05-21 2008-07-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Herstellen derselben

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100223153B1 (ko) * 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
JP3431128B2 (ja) 1998-08-05 2003-07-28 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000353809A (ja) * 1999-03-02 2000-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US7821065B2 (en) 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
KR100317625B1 (ko) * 1999-05-25 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터의 제조방법
KR100326881B1 (ko) * 1999-10-15 2002-03-13 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100752204B1 (ko) * 1999-12-28 2007-08-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
TWI238444B (en) 2002-12-10 2005-08-21 Seiko Epson Corp Method for manufacturing optoelectronic device, optoelectronic device and electronic machine
KR100915864B1 (ko) * 2002-12-26 2009-09-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4636038A (en) * 1983-07-09 1987-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit member and liquid crystal display device using said member
US4646424A (en) * 1985-08-02 1987-03-03 General Electric Company Deposition and hardening of titanium gate electrode material for use in inverted thin film field effect transistors
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JPH04257826A (ja) * 1991-02-13 1992-09-14 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH05210116A (ja) * 1992-01-31 1993-08-20 Canon Inc 液晶表示装置
KR100292767B1 (ko) * 1992-09-25 2001-09-17 이데이 노부유끼 액정표시장치
DE69332142T2 (de) * 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp., Tokio/Tokyo Substrat mit aktiver Matrix
US5441765A (en) * 1993-09-22 1995-08-15 Dow Corning Corporation Method of forming Si-O containing coatings
JPH07302912A (ja) * 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19752649C2 (de) * 1996-11-29 2002-04-18 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeigevorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10025261B4 (de) * 1999-05-21 2008-07-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Herstellen derselben
US7889306B1 (en) 1999-05-21 2011-02-15 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display and fabrication method thereof
US8184254B2 (en) 1999-05-21 2012-05-22 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display and fabrication method thereof
EP1189096A1 (de) * 2000-09-18 2002-03-20 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Flüssigkristall-Lichtmodulator

Also Published As

Publication number Publication date
GB2312073A (en) 1997-10-15
JPH1068970A (ja) 1998-03-10
KR970071092A (ko) 1997-11-07
KR100202231B1 (ko) 1999-06-15
FR2747233B1 (fr) 2000-09-15
GB2312073B (en) 1998-06-24
GB9707017D0 (en) 1997-05-28
DE19714510C2 (de) 2000-05-25
JP4023866B2 (ja) 2007-12-19
FR2747233A1 (fr) 1997-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19808989B4 (de) Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafür
DE19721451C2 (de) Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Herstellungsverfahren dafür
DE19727212C2 (de) Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor, Dünnschichttransistor und daraus aufgebautes Flüssigkristallanzeigepaneel
DE19752649C2 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19808990C2 (de) Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafür
DE19811624B4 (de) Aktives Paneel für eine LCD und Herstellungsverfahren für ein aktives Paneel einer LCD
DE3782683T2 (de) Verfahren zur herstellung eines duennfilmtransistors.
DE4434321C2 (de) Optischer Wellenleiter mit einem Polymerkern und dessen Herstellungsverfahren
DE68923727T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines aktiven Matrixsubstrats.
DE4339721C1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren
DE69833717T2 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit querelektrischem Feld und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3640174C2 (de)
DE10361649B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102005027445B4 (de) Dünnschichttransistorarray-Substrat und Herstellungsverfahren für ein solches
DE19809084C2 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE69622607T2 (de) Flüssigkristall-Anzeige und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3884891T2 (de) Aktive Matrixzelle und deren Herstellungsverfahren.
DE19714510C2 (de) Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige
DE10354866B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE19610283A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Speicherkondensatoren erhöhter Kapazität und Flüssigkristallvorrichtung
DE3245313A1 (de) Verfahren zur herstellung von duennfilm-transistoren
DE102004048723B4 (de) Herstellverfahren für ein Dünnschichttransistorarray-Substrat
DE19737372C2 (de) Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
DE10352404A1 (de) Matrixsubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19729176C2 (de) Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Struktur der mit diesem Herstellungsverfahren hergestellten Flüssigkristallanzeige

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LG PHILIPS LCD CO., LTD., SEOUL/SOUL, KR

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD., SEOUL, KR

R071 Expiry of right