DE19654686C2

DE19654686C2 - Verfahren zum Herstellen einer Dreiwannen-Anordnung in einer Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE19654686C2
Application number: DE19654686A
Authority: DE
Inventors: Sang-Don Lee
Original assignee: LG Semicon Co Ltd
Current assignee: SK Hynix Inc
Priority date: 1995-12-30
Filing date: 1996-12-30
Publication date: 2000-04-27
Anticipated expiration: 2016-12-31
Also published as: KR970052995A; US5927991A; KR0167303B1; JPH09199612A; JP2990498B2; DE19654686A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Dreiwannen-Anordnung in einer Halbleitervorrichtung, das insbesondere eine weiche Fehlerrate vermindern und ein Latch-up-Verhalten sowie die Isolationseigenschaft der Vorrich tung verbessern kann, indem eine Wanne durch einen Ionenimplan tationsprozeß gebildet wird, ohne einen Nitridfilm nach einem Feldoxidationsprozeß eines Halbleitersubstrates zu entfernen.

Die Fig. 1A bis 1D zeigen senkrechte Schnittdarstellungen einer Halbleitervorrichtung mit einer MeV-Dreifachwannenstruk tur, die mittels vier Masken gebildet ist. In dieser Hinsicht wird eine Erläuterung in SEMICON/Korea '95 Technical Symposium, Seite 112, gegeben. Wie in Fig. 1A gezeigt ist, ist ein Feld oxidationsfilm 2 in einem Feldbereich auf einem Halbleitersub strat 1 gebildet. Ein Nitridfilm und ein Kissenoxidationsfilm werden in einem aktiven Bereich mit Ausnahme des Feldoxidations films 2 entfernt. Ein (nicht gezeigter) neuer Kissenoxidations film wird gebildet. Wie in Fig. 1B gezeigt ist, wird eine n-Schirmmaske 3 auf dem Halbleitersubstrat 1 gebildet, auf wel chem der Feldoxidationsfilm 2 und der (nicht gezeigte) Kissen oxidationsfilm erzeugt sind, und eine n-Schirm-Ionenimplanta tionsschicht 3a wird in dem Halbleitersubstrat 1 durch Ionen implantation mittels eines hohen Energiepegels gebildet. Wie in den Fig. 1C und 1D gezeigt ist, werden n-Wannen- und p-Wannen-Masken 4 und 5 auf dem Halbleitersubstrat 1 gebildet, und eine Dreiwannen-Anordnung wird in dem Substrat 1 durch den n-Wannen- und p-Wannen-Ionenimplantationsprozeß, einen Kanal- Stop-Ionenimplantationsprozeß und einen Schwellenspannung- Einstell-Ionenimplantationsprozeß gebildet.

Insbesondere beim Stand der Technik wird der Feldoxidations film 2 auf dem Halbleitersubstrat 1 durch eine lokale Oxidation von Silicium bzw. durch ein LOCOS-Verfahren erzeugt. Danach wird ein neuer Kissenoxidationsfilm gebildet, und ein Ionenimplan tationsprozeß von hoher Energie wird durchgeführt, um die Eigen schaften der weichen Fehlerrate und des Latch-up bzw. unerwünsch ten Sperrens zu verbessern, und ein Ionenimplantationsprozeß mittlerer Energie wird vorgenommen, um die Durchgriff-Stop- und Vorrichtungsisolationseigenschaften zu verbessern, und sodann werden eine n-Wanne und eine p-Wanne gebildet. Zusätzlich wird der Schwellenspannung-Einstell-Ionenimplantationsprozeß vorge nommen, um die Eigenschaften oder Kennlinien der MOSFET-Vorrich tung zu erfüllen, und sodann wird eine Dreiwannen-Anordnung in dem Halbleitersubstrat erzeugt.

Da bei dem oben beschriebenen Herstellungsver fahren für eine Dreiwannen-Anordnung einer Halbleitervorrichtung der Ionenimplantationsprozeß durchgeführt wird, indem die n-Wannen- und p-Wannen-Masken verwendet werden, nachdem der Nitridfilm nach dem Feldoxida tionsprozeß entfernt wird, wird der Dotierstoff, der eingeführt wird, um die Isolationseigenschaft der Vorrichtung zu verbes sern, wie dies in den Fig. 1C und 1D gezeigt ist, am Boden teil des Feldoxidationsfilmes aufgrund der Form des Feldoxida tionsfilmes gebildet. Da nämlich der Dotierstoff nicht am Rand teil des Feldoxidationsfilmes erzeugt wird, ist die Isolations eigenschaft der Vorrichtung vermindert.

Wenn zusätzlich der Nitridfilm nach dem Feldoxidationsfilm und Durchführen bestimmter Prozesse zur Erzeugung einer n-Wanne und einer p-Wanne entfernt wird, kann, da zusätzliche Prozesse zum Entfernen des Kissenoxidationsfilmes und des neuen Oxidations filmes vorgenommen werden, der Feldoxidationsfilm während der Prozesse des Entfernens des Kissenoxidationsfilmes und des neu gebildeten Oxidationsfilmes entfernt werden, bevor ein Gate- Oxidationsfilm aufwächst, was so die Isolationseigenschaft der Vorrichtung herabsetzt.

Aus den US-Patenten 5 422 301, 5 091 332 und 5 071 777 sind Verfahren bekannt, die die Isolationseigenschaften zwischen unterschiedlichen Bereichen Halbleitervorrichtung erhöhen sowie unerwünschte Sperreigenschaften zwischen diesen Bereichen reduzieren sollen.

Bei dem in der US 5 422 301 beschriebenen Verfahren zur Her stellung einer Halbleitervorrichtung mit einer p-Wanne und einer n-Wanne gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 wird durch eine erste Energie-Ionenimplantation nur der Bereich eines Halbleiter-Substrates, der die n-Wanne aufweisen soll, entsprechend dotiert. Danach wird in gleicher Weise eine n-Wanne in dem Substrat durch eine zweite Energie- Ionenimplantation erzeugt, die nur in dem Bereich des Substra tes durchgeführt wird, der die n-Wanne aufweisen soll.

Das aus der US 5 091 332 bekannte Verfahren erlaubt es eben falls, eine Halbleitervorrichtung herzustellen, die eine n-Wanne und eine p-Wanne in einem Halbleitersubstrat aufweist. Die beiden Wannen werden nacheinander jeweils durch eine lokal auf den jeweiligen Bereich des Substrates begrenzte Energie- Ionenimplantation erzeugt.

Das in der US 5 071 777 offenbarte Verfahren soll insbesondere die Latch-up-Eigenschaften einer Halbleitervorrichtung verbes sern. Hier werden eine p-Wanne und eine n-Wanne in einem Halb leiter-Substrat nacheinander durch lokal begrenzte Energie- Ionenimplantationen erzeugt, wobei auch hier die Energie-Ionen implantationen auf den jeweiligen Bereich des Substrates be schränkt sind. Die einzelnen Energie-Ionenimplantationen zur Erzeugung der beiden Wannen umfassen jeweils zwei Implantati onsschritte unterschiedlicher Energiestufen, um so unterschied liche Dotierkonzentrationen in den beiden Wannenbereichen zu erzeugen. Auf diese Weise werden zwar die Latch-Up- Eigenschaften von Halbleitervorrichtungen verbessert, die Isolationseigenschaften sind jedoch verbesserungswürdig.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Dreiwannen-Anordnung in einer Halbleitervorrich tung vorzusehen, das die beim herkömmlichen Verfahren auftre tenden Probleme überwindet; außerdem soll ein verbessertes Ver fahren zum Herstellen einer Dreifachwanne in einer Halbleiter vorrichtung geschaffen werden, das einfacher und leichter eine Dreiwannen-Anordnung zu bilden vermag, ohne einen Antioxidationsfilm zu entfernen, und das es zusätzlich ermöglicht, die zu entfernende Größe des Feldoxidationsfilmes zu vermindern und die Latch-up- und Isolationseigenschaften der Vorrichtung zu verbessern.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 vor.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Erfindung schafft also ein Verfahren zum Herstellen einer Dreiwannen-Anordnung einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Vorbereiten eines Halbleitersubstrates eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem aktiven Bereich und einem Feldbereich, Bilden eines Pufferfilmes auf dem aktiven Bereich des Substrates und Bilden eines Antioxidationsfilmes auf dem Pufferfilm, Bilden eines Feldoxidationsfilmes auf dem Feld bereich, Bilden eines ersten Dotierbereiches eines zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Substrat durch Implantieren von ersten Ionen durch den Feldoxidationsfilm und den Antioxidationsfilm, Bilden eines ersten Dotierbereiches des ersten Leitfähigkeits typs durch Implantieren von zweiten Ionen in einen ersten Wannen bereich des Substrates, Bilden eines zweiten Dotierbereiches des ersten Leitfähigkeitstyps durch Implantieren von dritten Ionen in einen zweiten Wannenbereich des Substrates, der von dem ersten Wannenbereich beabstandet ist, und Bilden eines zweiten Dotierbereiches des zweiten Leitfähigkeitstyps durch Implan tieren von vierten Ionen in einem dritten Wannenbereich des Substrates zwischen dem ersten Wannenbereich und dem zweiten Wannenbereich.

Die Erfindung schafft also ein verbessertes Verfahren zum Erzeugen einer Dreiwannen-Anordnung einer Halbleitervorrichtung, das einfacher und leichter eine Dreifachwanne zu erzeugen vermag, ohne einen Antioxidationsfilm zu entfernen. Zusätzlich ist es möglich, die zu entfernende Menge des Feldoxidationsfilmes zu vermindern und die Eigenschaften des Latch-up und der Vorrich tungsisolation zu verbessern. Dieses Verfahren umfaßt die fol genden Schritte: Vorbereiten eines Halbleitersubstrates eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem aktiven Bereich und einem Feldbereich, Erzeugen eines Pufferfilmes auf dem aktiven Bereich des Substrates und eines Antioxidationsfilmes auf dem Puffer film, Erzeugen eines Feldoxidationsfilmes auf dem Feldbereich, Erzeugen eines ersten Dotierbereiches eines zweiten Leitfähig keitstyps auf dem Substrat durch Implantieren von ersten Ionen durch den Feldoxidationsfilm und den Antioxidationsfilm, Er zeugen eines ersten Dotierbereiches eines ersten Leitfähigkeits typs durch Implantieren von zweiten Ionen in einen ersten Wannen bereich des Substrates, Erzeugen eines zweiten Dotierbereiches des ersten Leitfähigkeitstyps durch Implantieren von dritten Ionen in einen zweiten Wannenbereich des Substrates, wobei der zweite Wannenbereich von dem ersten Wannenbereich beabstandet ist, und Erzeugen eines zweiten Dotierbereiches des zweiten Leitfähigkeitstyps durch Implantieren von vierten Ionen in einen dritten Wannenbereich des Substrates zwischen dem ersten Wannen bereich und dem zweiten Wannenbereich.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1A bis 1D vertikale Schnittdarstellungen eines herkömm lichen Wannen-Herstellungsverfahrens einer Halbleitervorrich tung, und

Fig. 2A bis 2E vertikale Schnittdarstellungen eines Herstellungsverfahrens für eine Dreiwannen-Anordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.

Die Fig. 2A bis 2E sind vertikale Schnittdarstellungen, die ein Herstellungsverfahren für eine Dreiwannen-Anordnung einer Halbleitervor richtung gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Wie in Fig. 2A gezeigt ist, werden ein Kissenoxidationsfilm 12, der ein Pufferfilm ist, und ein CVD-Nitridfilm 13 (CVD = chemische Dampfabscheidung), der ein Antioxidationsfilm ist, in dieser Reihenfolge auf einem p-Typ-Siliciumsubstrat 11 gebildet. Ein (nicht gezeigter) Photoresistfilm wird auf den Antioxida tionsfilm geschichtet und gemustert. Der Antioxidationsfilm und der Pufferfilm des Feldbereiches des Halbleitersubstrates 11 werden durch einen Ätzprozeß entfernt, wobei der gemusterte Photoresistfilm als eine Maske verwendet wird, und der Photo resistfilm wird gestrippt, und ein Feldoxidationsfilm 14 wird durch das LOCOS-Verfahren erzeugt.

Danach wird in einem Zustand, in welchem der gemusterte Anti oxidationsfilm vorliegt, der in dem aktiven Bereich des Halb leitersubstrates 11 gebildet ist, ein Ionenimplantationsprozeß hinsichtlich der Vorderfläche des Substrates 11 durchgeführt. Insbesondere in einem Zustand, in welchem der CVD-Nitrifilm 13 nach dem Feldoxidationsprozeß vorliegt, wird ein zweiter Leit fähigkeitstyp, nämlich ein erster n-Typ-Dotierbereich 15 durch eine Energie-Ionenimplantation ohne die Maske erzeugt.

Wie in Fig. 2B gezeigt ist, wird ein Photoresistfilm 16 auf die Vorderfläche des Halbleitersubstrates 11 geschichtet, und ein erster Wannenbereich wird definiert, und hochenergetische Ionen werden implantiert, wobei der gemusterte Photoresistfilm 16 als eine Maske dient. Daher wird ein erster Leitfähigkeitstyp, näm lich ein erster p-Typ-Dotierbereich 17, in dem Halbleitersub strat 11 erzeugt. Sodann wird der Photoresistfilm 16 entfernt.

Der erste Dotierbereich 17 des ersten Leitfähigkeitstyps wird bei der Tiefe des ersten Dotierbereiches 15 des zweiten Leit fähigkeitstyps gebildet, damit die p-Wannen mit anderen Ele menten durch das Substrat 11 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden sind.

Wie in Fig. 2C gezeigt ist, wird ein Photoresistfilm 18 auf das Substrat 11 des ersten Leitfähigkeitstyps geschichtet und gemustert, wodurch erste und zweite Wannenbereiche auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrates 11 festgelegt werden, und ein zweiter Dotierbereich 30 des ersten Leitfähigkeitstyps wird durch Ionenimplantation mittels des gemusterten Photo resistfilmes 18 als Maske gebildet. Ein zweiter Dotierbereich 30 des ersten Leitfähigkeitstyps wird mit einer niederenergetischen Ionenimplantationsschicht und einer mittelenergetischen Ionen implantationsschicht gebildet, die durch Implantieren von Ionen mit mittlerer und niederer Energie nacheinander erzeugt werden. Der Photoresistfilm 18 wird sodann entfernt.

Wie in Fig. 2D gezeigt ist, wird der Photoresistfilm 21 auf das Halbleitersubstrat 11 geschichtet und gemustert, um so einen dritten Wannenbereich zu definieren. Ein Dotierbereich 40 des zweiten Leitfähigkeitstyps wird in dem Substrat 11 durch einen Ionenimplantationsprozeß gebildet, wobei der gemusterte Photo resistfilm 21 als eine Maske verwendet wird. Der zweite Dotier bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps wird mit einer nieder energetischen Ionenimplantationsschicht 41 und einer mittel energetischen Ionenimplantationsschicht 42 gebildet, die durch Implantieren von Ionen mit mittleren und niederen Energien nach einander erzeugt werden. Der Photoresistfilm 21 wird sodann entfernt.

Danach werden der Antioxidationsfilm und der Pufferfilm des aktiven Bereiches entfernt, und die Struktur wird geglüht, um so eine Dreiwannen-Anordnung in dem Halbleitersubstrat 11 zu bilden.

Die Hochenergie-Ionenimplantation wird innerhalb eines Energie bereiches von 0,5 bis 4,0 MeV durchgeführt, die Dotierungskon zentration beträgt zwischen 10¹² und 10¹⁴, und die Ionenimplan tation mittlerer Energie wird in einem Energiebereich von 0,1 bis 4,0 MeV vorgenommen, und die Dotierungskonzentration beträgt zwischen 10¹² und 10¹⁴. Zusätzlich ist der Niederenergie-Ionen implantationsprozeß darauf gerichtet, den Energiepegel gemäß der Dicke des Feldoxidationsfilmes einzustellen. Hier beträgt die Dotierungskonzentration zwischen 10¹¹ und 10¹⁴.

Wie in den Fig. 2C und 2D gezeigt ist, können der zweite Dotierbereich 30 des ersten Leitfähigkeitstyps und der zweite Dotierbereich 40 des ersten Leitfähigkeitstyps durch lediglich einen Zeitprozeß der Ionenimplantation gebildet werden, und die Mittel- und Niederenergie-Ionenimplantationen können vorgenommen werden, um die Bereiche 30 und 40 zu erzeugen.

Die Dicke des Antioxidationsfilmes dient zum Positionieren des Dotierstoffes an einer gewünschten Stelle in dem Kanalbereich, wenn der Dotierstoff am Bodenteil des Feldoxidationsfilmes 14 durch den Niederenergie-Ionenimplantationsprozeß angebracht wird.

Wie in Fig. 2E gezeigt ist, wird die obere Oberfläche des Halbleitersubstrates 11 geätzt, und der Antioxidationsfilm wird entfernt, wodurch die Erzeugung der Dreiwannen-Anordnung abgeschlossen ist. Eine p-Wanne wird in dem dritten Wannenbereich des Halb leitersubstrates 11 gebildet, und eine p-Wanne wird in dem ersten Wannenbereich zwischen den dritten Wannenbereichen erzeugt. In dem zweiten Wannenbereich wird eine p-Wanne in dem ersten Dotierbereich 15 des zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Halbleitersubstrat 11 ein p-Typ-Siliciumsubstrat; jedoch kann für den gleichen Zweck ein n-Typ-Siliciumsubstrat verwendet werden, in welchem Fall jede Wanne von einem entgegengesetzten Aufbau zu den Anordnungen der Fig. 2E ist.

Bei dem oben beschriebenen Vorgehen wird ein Schwellenspannung- Einstell-Ionenimplantationsprozeß weiterhin nach den p-Wannen- und n-Wannen-Ionenimplantationsprozessen vorgenommen, wobei die mittleren und niederen Energien unter Verwendung der p-Wanne und der n-Wanne als eine Maske eingesetzt werden.

Soweit ist das den Nitridfilm verwendete LOCOS-Verfahren be schrieben. Ein Ionenimplantationsprozeß kann zum Bilden von Wannen ohne Entfernen des Nitridfilmes im Fall des Einsatzes einer anderen Isolationstechnik der Vorrichtung, beispielsweise einer Polysilicium-Seitenwand-LOCOS (PSL) durchgeführt werden.

Der Antioxidationsfilm überlappt sich teilweise mit Randteilen des Feldoxidationsfilmes, so daß es möglich ist, den Dotierstoff an den Randteilen des Feldoxidationsfilmes anzubringen.

Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen einer Dreiwannen-Anordnung einer Halbleitervorrichtung, wie oben beschrieben ist, es möglich ist, den Dotierstoff, der durch die Ionenimplan tation in einem Zustand eingeführt wird, in welchem der Antioxi dationsfilm vorliegt, enger an den Boden- und Randteilen des Feldoxidationsfilmes anzuordnen, können wirksam die Isolations- und Latch-up-Eigenschaften der Vorrichtung verbessert werden.

Zusätzlich hat die vorliegende Erfindung Vorteile, daß der Herstellungsprozeß einfacher ist, indem jeweils die erforder liche Anzahl der Oxidationsfilm-Wachstums- und Abtragungsprozesse zu einer Zeit vermindert wird. Darüberhinaus kann die Dicke des Photoresistfilmes, der als eine Maske zum Durchführen des hoch energetischen Ionenimplantationsprozesses verwendet wird, redu ziert werden, ohne den Antioxidationsfilm zu entfernen.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer Dreiwannen-Anordnung für eine Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte umfaßt:

1. Vorbereiten eines Halbleitersubstrates (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem aktiven Bereich und einem Feldbe reich,
2. Erzeugen eines Pufferfilmes (12) auf dem aktiven Bereich des Substrates (11) und eines Antioxidationsfilmes (13) auf dem Pufferfilm (12)
3. Erzeugen eines Feldoxidationsfilmes (14) auf dem Feldbereich,
4. Erzeugen eines ersten Dotierbereiches (15) eines zweiten Leitfähigkeitstyps durch Implantieren von ersten Ionen in dem Substrat (11),
5. Festlegen eines ersten Wannenbereiches in dem Substrat (11),
6. Erzeugen eines ersten Dotierbereiches (17) eines ersten Leitfähigkeitstyps durch Implantieren von zweiten Ionen in dem ersten Wannenbereich des Substrates (11),
7. Festlegen eines zweiten, lateral vom ersten Wannenbereich beabstandeten Wannenbereiches in dem Substrat (11),
8. Erzeugen eines zweiten Dotierbereiches (30) des ersten Leit fähigkeitstyps durch Implantieren von dritten Ionen in dem ersten und dem zweiten Wannenbereich,
9. Festlegen eines dritten Wannenbereiches in dem Substrat (11), der lateral zwischen dem ersten Wannenbereich und dem zweiten Wannenbereich liegt und den ersten Wannenbereich lateral um gibt, und
10. Erzeugen eines zweiten Dotierbereiches (40) des zweiten Leitfähigkeitstyps durch Implantieren von vierten Ionen in dem dritten Wannenbereich,

dadurch gekennzeichnet, daß

1. der erste Dotierbereich (15) des zweiten Leitfähigkeitstyps durch ganzflächiges Implantieren der ersten Ionen sowohl in dem aktiven Bereich als auch in dem Feldbereich des Substrates (11) erzeugt wird, wobei die ersten Ionen durch den gesamten Feld oxidationsfilm (14) und den gesamten Antioxidationsfilm (13) hindurch implantiert werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Dotierbereich (17) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem ersten Wannenbereich in der Tiefe des ersten Dotierbereiches (15) des zweiten Leitfähig keitstyps in dem Substrat (11) gebildet wird, um einen Boden teil des ersten Dotierbereiches (17) des ersten Leitfähigkeitstyps elektrisch mit dem Substrat (11) des ersten Leitfähigkeitstyps zu verbinden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Dotierbereich (30) des ersten Leitfähigkeitstyps in einer geringeren Tiefe als der erste Dotierbereich (15) des zweiten Leitfähigkeitstyps gebil det wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Dotierbereich (40) des zweiten Leitfähigkeitstyps in einer geringeren Tiefe als der erste Dotierbereich (15) des zweiten Leitfähigkeitstyps gebil det wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Dotierbereich (30) des ersten Leitfähigkeitstyps nacheinander durch aufeinanderfolgen de Ionenimplantationsprozesse von niederen und mittleren Ener gien gebildet wird, um einen niederenergetischen Dotierbereich (31) und einen mittelenergetischen Dotierbe reich (32) in dem zweiten Dotierbereich (30) zu erzeugen, wobei der niederenergetische Dotierbereich (31) in einer geringeren Tiefe als der mittelenergetische Dotierbereich (32) gebildet wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Dotierbereich (40) des zweiten Leitfähigkeitstyps nacheinander durch aufeinanderfol gende Ionenimplantationsprozesse bei niederen und mittleren Energien gebildet wird, um einen niederenergetischen Dotierbe reich (41) und einen mittelenergetischen Dotierbereich (42) in dem zweiten Dotierbereich (40) zu erzeugen, wobei der niedere nergetische Dotierbereich (41) in einer geringeren Tiefe als der mittelenergetische Dotierbereich (42) gebildet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Antioxidationsfilm (13) teil weise eine obere Oberfläche des Feldoxidationsfilmes (14) überlappt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß nach Bildung des dritten Wannenbe reiches zusätzlich ein Schwellenspannung-Einstell- Ionenimplantationsprozeß durchgeführt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp ein p- Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp ein n-Typ ist.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubtrat (11) ein p- Typ-Siliciumsubstrat ist.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erzeugen des zweiten Dotierbereiches (40) des zweiten Leitfähigkeitstyps der Puffer film (12) und der Antioxidationsfilm (13) von dem aktiven Bereich des Substrates (11) entfernt wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtung zusätz lich geglüht wird.