DE19625904A1

DE19625904A1 - Schmelzsicherungssignaturschaltkreis einer Halbleiterspeichervorrichtung

Info

Publication number: DE19625904A1
Application number: DE19625904A
Authority: DE
Inventors: Sang-Kil Lee; Young-Sik Seok
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1995-06-30
Filing date: 1996-06-27
Publication date: 1997-01-02
Anticipated expiration: 2016-06-28
Also published as: GB9613518D0; GB2302953B; TW358945B; KR0149259B1; GB2302953A; US5818285A; JPH0917195A; DE19625904C2; KR970003328A; JP2872119B2

Description

Hintergrund der Erfindung 1. Feld der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Schmelz sicherungssignaturschaltkreis, der festzustellen in der Lage ist, ob eine Schmelzsicherung in einer integrierten Halbleiter speichervorrichtung durchgetrennt ist, und besonders auf einen elektrischen Schmelzsicherungssignaturschaltkreis, der in der Lage ist, leicht einen durchtrennten Zustand einer elektrischen Schmelzsicherung nachzuprüfen, die elektrisch durch einen Ver sorgungsstrom aufgetrennt werden kann, nachdem ein Chip gepackt worden ist.

Die vorliegende Anmeldung eines Schmelzsicherungssignatur schaltkreises einer Halbleiterspeichervorrichtung basiert auf der koreanischen Anmeldung Nr. 18973/1995, die hier durch Referenz für alle Zwecke einbezogen wird.

2. Beschreibung des Stands der Technik

In einer hochintegrierten Halbleiterspeichervorrichtung wer den ihre Betriebsmodes allgemein auf einem Halbleiterchip selek tiv ausgeführt. Wenn z. B. ein Schaltkreis zur Ausführung ver schiedener Modes, wie etwa Seitenmode (page mode), Nibblemode und statischer Mode, usw., auf dem Halbleiterchip vorgesehen ist, wird eine Schmelzsicherungsoption zur Auswahl des Betriebs modes auf Benutzerforderung hin benutzt.

Solch eine Schmelzsicherungsoption ist verschiedentlich als eine Verzögerungsoption für eine genaue Verzögerung zwischen Signalen, als eine Option für die Einstellung eines Gleichstrom pegels und als eine elektrische Schmelzsicherungsoption zur Reparatur einer defekten Speicherzelle nach dem Einpacken des Chips, usw., benutzt worden. Dazu ist wegen des Anwachsens der Anzahl von Schmelzsicherungen ein Schaltkreis erforderlich geworden, der prüft, ob eine gewünschte Schmelzsicherung nach dem Durchtrennen der Schmelzsicherung auch genau aufgetrennt worden ist, und dieser Schaltkreis wird allgemein als ein Sig naturschaltkreis bezeichnet.

Fig. 1 veranschaulicht ein schematisches Diagramm des Schmelzsicherungssignaturschaltkreises, der in der konventionel len Halbleiterspeichervorrichtung benutzt wird, und eine Schmelzsicherung 10, eine Anschlußfläche 12 und einen Vorspan nungsschaltkreis 14 enthält. In Fig. 1 ist die Schmelzsicherung 10 mit einem ihrer Seitenknoten mit der Versorgungsspannung Vcc verbunden, und der Vorspannungsschaltkreis 14 enthält einen oder mehrere, als Dioden geschaltete NMOS-Transistoren, die zwischen der Anschlußfläche 12 und dem anderen Seitenknoten der Schmelz sicherung 10 geschaltet sind. Hier wird die Schmelzsicherung 10 aus Materialien hergestellt, die auf einem Wafer durchgetrennt werden können, z. B. aus Polysilizium. Das Trennungsverfahren kann durch Laserstrahl oder durch Zufuhr eines elektrischen Stroms mittels Transistoren verwirklicht werden.

Diese Schmelzsicherung wird als Vielzahl von Schmelzsiche rungen entsprechend den auf dem Chip entworfenen Schaltkreisen dargestellt, und wird verschiedentlich benutzt in den Modeoptio nen für die Sortierung der Betriebsmodes und in einem Reihen- /Spaltenredundanzschmelzsicherungskasten für den Ersatz der defekten Zellen durch eine redundante Zelle, usw. Zum Beispiel wird in einer Reihenreparaturoperation die sich auf eine defekte Reihenadresse beziehende Schmelzsicherung erst durchgetrennt, und dann wird die Schmelzsicherung in dem Signaturschaltkreis, wie in Fig. 1 gezeigt, die für eine gegebene Adresse vorgesehen ist, durchgetrennt. Dazu wird die Durchtrennungsoperation der Schmelzsicherung im Waferzustand durchgeführt und wird allgemein durch einen Laserstrahl verwirklicht.

Für den oben beschriebenen Reihenreparaturmode gilt, daß durch Anlegen einer hohen Spannung an die Anschlußfläche des Signaturschaltkreises, der für eine gegebene Adressenanschluß fläche vorgesehen ist, und dann Messen des zur Anschlußfläche fließenden elektrischen Stroms zwecks Prüfung, ob die Schmelz sicherung aufgetrennt ist, erkannt werden kann, ob die Reihen reparaturoperation in einer Situation ausgeführt wurde oder nicht, in der die mit der defekten Reihenadresse korrespondie rende Schmelzsicherung aufgetrennt wurde.

Der Betrieb des konventionellen Signaturschaltkreises mit der vorgenannten Konfiguration wird anschließend mit Bezug auf Fig. 1 erläutert.

Um zu prüfen, ob die gewünschte Schmelzsicherung aufgetrennt wurde, wird eine Spannung größer als "4 × Vtn + Vcc" (hier steht Vtn für die Schwellenspannung eines NMOS-Transistors) zuerst an die Anschlußfläche 12 des Signaturschaltkreises in Korrespondenz mit dem korrespondierenden Schaltkreis angelegt, und dann wird der zur Anschlußfläche fließende elektrische Strom gemessen. Falls z. B. die in einer Situation mit nicht durchgetrennter Schmelzsicherung 10 an die Anschlußfläche 12 angelegte Spannung größer als "4 × Vtn + Vcc" ist, fließt der Gleichstrom über den Strompfad von der Anschlußfläche 12 zur Versorgungsspannung Vcc. Falls andererseits solch eine Spannung in einer Situation mit durchgetrennter Schmelzsicherung 10 innerhalb des Signatur schaltkreises an die Anschlußfläche 12 angelegt wird, ist der Strompfad von der Anschlußfläche 12 zur Versorgungsspannung Vcc aufgetrennt, und es fließt kein Strom. Dementsprechend kann mit dem Verfahren, wie oben beschrieben, durch Prüfung, ob nach Anlegen einer hohen Spannung an die Anschlußfläche 12 ein elek trischer Strom zur Anschlußfläche 12 gemessen wird oder nicht, erkannt werden, ob die Schmelzsicherung aufgetrennt ist oder nicht.

Mit solch einer Signaturoperation kann erkannt werden, welche der Reihenredundanzzellen und Spaltenredundanzzellen für die Reparatur benutzt wurde, und auch kann indirekt erkannt werden, ob von außerhalb des Chip zugeführte Signale korrekt zur Anschlußfläche eingegeben bzw. von ihr ausgegeben werden.

Durch Auftrennen der Schmelzsicherung auf dem Wafer mit dem Laserstrahl und Prüfen, ob ein elektrischer Stromfluß zur Anschlußfläche gemessen wird oder nicht, wie oben beschrieben, kann der konventionelle Schmelzsicherungssignaturschaltkreis leicht erkennen, ob die Schmelzsicherung aufgetrennt ist. Jedoch ist es unmöglich, das vorgenannte Verfahren nach dem Einpacken des Chip anzuwenden. Das heißt, daß es unmöglich ist, die Schmelzsicherung mit dem Laserstrahl nach dem Einpacken dem Chip aufzutrennen, und auch ist der in Fig. 1 gezeigte, konventio nelle ungeeignet für das Anlegen einer hohen Spannung (z. B. mehrerer Zehnfacher von mA), die für das Auftrennen der Schmelz sicherung erforderlich sind.

D. h., um die Schmelzsicherung 10 durch Anlegen eines hohen Stroms von mehreren Zehnfachen von mA an den Signaturschaltkreis nach Fig. 1 aufzutrennen, müssen die Abmessungen der seriell zwischen der Anschlußfläche 12 und der Versorgungsspannung Vcc in Diodenform geschalteten NMOS-Transistoren vergrößert werden, z. B. ist das Verhältnis von Kanalbreite zu -länge eines solchen Transistors etwa 100 : 0,7. Falls die Abmessungen der NMOS-Tran sistoren wie oben festgestellt vergrößert werden, ist es schwie riger, mehrere Zehnfache von Signaturschaltkreisen auf dem Wafer unterzubringen, und auch die Sperrschichtkapazität hinsichtlich der Anschlußfläche 12 wird vergrößert, und dadurch wird die Betriebscharakteristik des Chip verschlechtert. Selbst wenn die Schmelzsicherung 10 unter Benutzung des Signaturschaltkreises, wie in Fig. 1 gezeigt, elektrisch aufgetrennt wird, gibt es darüber hinaus ein Problem, indem die Zuverlässigkeit bei der Prüfung, ob die gewünschte Schmelzsicherung exakt aufgetrennt wurde oder nicht, verschlechtert ist.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Schmelzsicherungssignaturschaltkreis vorzusehen, der in der Lage ist, schnell und genau zu prüfen, ob eine gewünschte Schmelz sicherung unter einer Vielzahl von Schmelzsicherungen auf dem Chip durchgetrennt ist oder nicht.

Es ist ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Schmelzsicherungssignaturschaltkreis vorzusehen, der in der Lage ist, eine Schmelzsicherung elektrisch durchzubrennen, nachdem ein Chip mit einer Vielzahl von Schmelzsicherungen eingepackt worden ist.

Es ist noch ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Schmelzsicherungssignaturschaltkreis vorzusehen, der in der Lage ist, leicht zu prüfen, ob eine gewünschte Schmelzsiche rung durchgetrennt ist oder nicht, selbst wenn ein Chip mit einer Vielzahl von Schmelzsicherungen eingepackt worden ist.

Um diese und andere Ziele zu erreichen, sieht die vorliegende Erfindung einen Schmelzsicherungssignaturschaltkreis vor, mit einem Schmelzsicherungsschaltkreis, der nach Anlegen eines elek trischen Durchtrennungssteuerungssignals durchtrennt wird, und der ein Durchtrennungszustandssignal ausgibt, das einen Durch trennungszustand der Schmelzsicherung anzeigt; einer Erkennungs anschlußfläche, an die eine Erkennungsspannung angelegt wird; einem Erkennungsschaltkreis, der zwischen die Erkennungsan schlußfläche und die Bezugsspannung geschaltet ist, und der mit einem Strompfad vorgesehen ist zum Umleiten der Erkennungsspan nung von der Erkennungsanschlußfläche zur Bezugsspannung als Reaktion auf das Durchtrennungszustandssignal, das von dem Schmelzsicherungsschaltkreis ausgegeben wird.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Eine vollständigere Würdigung dieser Erfindung und vieler ihrer darin enthaltenen Vorteile wird offenkundig, wenn sie unter Bezug auf die folgende genaue Beschreibung besser verstan den wird, die in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen zu betrachten ist, in denen gleiche Bezugszeichen dieselbe oder ähnliche Elementkomponenten bezeichnen, wobei:

Fig. 1 ein schematisches Schaltkreisdiagramm ist, das einen in einer konventionellen Halbleiterspeichervorrichtung benutzten Schmelzsicherungssignaturschaltkreis veranschaulicht;

Fig. 2 ein schematisches Schaltkreisdiagramm ist, das einen elektrischen Schmelzsicherungsschaltkreis nach der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; und

Fig. 3 ein Schaltkreisdiagramm ist, das einen Schmelzsiche rungssignaturschaltkreis einer Halbleiterspeichervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.

Genaue Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform

Folgend wird die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail mit Bezug auf die Fig. 2 und 3 beschrieben.

In Fig. 2, in der ein elektrischer Schmelzsicherungsschalt kreis nach der vorliegenden Erfindung veranschaulicht wird, ist ein Seitenknoten einer Schmelzsicherung 20, die elektrisch auf zutrennen ist, mit dem Drain-Anschluß eines PMOS-Transistors 22 verbunden, dessen Source-Anschluß mit der Versorgungsspannung und dessen Gate-Anschluß mit dem Massepotentialanschluß verbun den ist. Und der andere Seitenknoten der Schmelzsicherung 20 ist mit dem Drain-Anschluß eines NMOS-Transistors 24 verbunden, der mit seinem Source-Anschluß mit der Bezugsspannung (Massepoten tial Vss) verbunden ist, und der ein Durchtrennungssteuerungs signal an seinem Gate-Anschluß aufnimmt. Ein Ausgabeknoten eines NOR-Gatters 26, das das Durchtrennungssteuerungssignal als einen Haupttakt MC und ein Sicherungsauswahlsignal SIGi (hier kann i = 0, 1, 2, 3 . . . sein) erzeugt und das mit einem logisch "niedrig"- Zustand freigegeben wird, ist mit dem Gate-Anschluß des NMOS- Transistors 23 verbunden. Falls dann die Versorgungsspannung Vcc an den Chip angelegt wird, wird der Haupttakt MC mit einem logisch "niedrig"-Pegel freigegeben, und das Sicherungsauswahl signal SIGi wird mit einem logisch "niedrig"-Pegel als ein Deko diersignal für die Auswahl der Sicherung 20 freigegeben. Dement sprechend gibt das NOR-Gatter 26 bei Eingabe des freigebenden Haupttaktes MC und Sicherungsauswahlsignals SIGi ein Signal mit logisch "hoch"-Pegel an den Gate-Anschluß des NMOS-Transistors 24 ab und schaltet dadurch den Transistor 24 ein.

Falls das NOR-Gatter 26 das Durchtrennungssteuerungssignal mit logisch "hoch"-Pegel ausgibt, fließt dementsprechend die Versorgungsspannung Vcc, die an dem Source-Anschluß des PMOS- Transistors 22 angelegt ist, durch den Drain-Source-Kanal des NMOS-Transistors 24 in den Bezugsspannungsanschluß. Damit wird die Sicherung 20 elektrisch durch einen Stromfluß von mehreren Zehnfachen von mA über den oben genannten Strompfad aufgetrennt. Falls die Sicherung 20 wie oben beschrieben aufgetrennt wird, kommt ein Eingangsknoten eines Inverters 30 auf den logisch "niedrig"-Zustand und dadurch wird ein Signal mit logisch "hoch"-Pegel über den Ausgangsknoten des Inverters 30 ausge geben. D.h., das Durchtrennungssignal PXi wird mit logisch "hoch"-Pegel ausgegeben. Wie oben beschrieben, wird in dem Schmelzsicherungsschaltkreis mit einer Konfiguration nach Fig. 2 die Schmelzsicherung 20 aufgetrennt, falls der Haupttakt MC und das Sicherungsauswahlsignal SIGi freigegeben sind, und der Inverter 30 gibt das Durchtrennungszustandssignal mit logisch "hoch"-Pegel aus.

In Fig. 3, in der der Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach der vorliegenden Erfindung veranschaulicht wird, bezeichnen die Bezugszeichen 34-40 die Schmelzsicherungsschaltkreise, wie in Fig. 2 gezeigt. Wie zuvor beschrieben, durchtrennen die Schmelzsicherungsschaltkreise 34-40 ihre internen Schmelz sicherungen, wenn der Haupttakt MC und das Sicherungsauswahlsig nal SIGi freigegeben sind, und geben das Durchtrennungszustands signal PXi aus, das den Durchtrennungszustand der internen Schmelzsicherungen anzeigt. Dann wird das vom Schmelzsicherungs schaltkreis 34 ausgegebene Durchtrennungszustandssignal PXi in einen Erkennungsschaltkreis 54 eingegeben. Z.B. im Fall, daß nur ein in den Schmelzsicherungsschaltkreis eingegebenes Schmelz sicherungsauswahlsignal SIG1 freigegeben ist, wird nur PX1 im logisch "hoch"-Zustand ausgegeben, und PX4, PX8 und PX16 werden alle im logisch "niedrig"-Zustand ausgegeben.

Falls eine Signaturspannung von mehr als 5 × Vtn an die Anschlußfläche P5 angelegt wird, wird für die oben beschriebene Prüfung des bezeichneten Modes solch eine Signaturspannung über den Widerstand 48 an ein Transistorfeld 46 geleitet, in dem eine Vielzahl von NMOS-Transistoren seriell in Diodenform miteinander verbunden sind, und dadurch wird das Transistorfeld 46 einge schaltet. Hier wird der zwischen die Anschlußfläche 5 und einen Drain-Anschluß des NMOS-Transistors geschaltete Widerstand 48 als ein elektrostatischer ESD-Entladungsschutz vorgesehen. Falls der Vorspannungsschaltkreis 42 mit der oben beschriebenen Konfi guration arbeitet, liegt der Spannungspegel des internen Knotens 44, der ein Ausgabeknoten des Vorspannungsschaltkreises 42 ist, auf logisch "hoch"-Pegel. Die Spannung des internen Knotens 44 wird an einen Gate-Anschluß des NMOS-Transistors 56 innerhalb des Erkennungsschaltkreises 54 geführt, in dem die NMOS-Transis toren 56 und 58 in Serie miteinander verbunden sind. Dazu ist der Gate-Anschluß des NMOS-Transistors 58 innerhalb des Erken nungsschaltkreises 54 mit dem Ausgangsanschluß des Durchtren nungszustandssignals PXi des Schmelzsicherungsschaltkreises 34 verbunden, und sein Source-Anschluß liegt auf Massepotential.

Falls eine Erkennungsspannung mit Versorgungsspannungspegel an jede der Anschlußflächen P1-P4 angelegt wird, wird dement sprechend der direkt Strompfad zum Bezugsspannungsanschluß über den Kanal des NMOS-Transistors 58, der das Durchtrennungszu standssignal PX1 im logisch "hoch"-Zustand an seinem Gate- Anschluß aufnimmt, und den des NMOS-Transistors 56, der die Vor spannung an seinem Gate-Anschluß aufnimmt, innerhalb des Erken nungsschaltkreises 54 gebildet, und ein an die Anschlußfläche P1 geführter Gleichstrom fließt. In diesem Zustand wird ein Strom nur an der Anschlußfläche P1 der Anschlußflächen P1 bis P4 gemessen.

Wie aus dem Vorstehenden offenkundig ist, kann der Betriebs mode auf dem Chip erkannt werden durch Anlegen einer Spannung an die externen Anschlußflächen P1-P5 des Halbleiterspeichers und Prüfen, ob Stromfluß zu jeder Anschlußfläche gemessen wird oder nicht. In der Speichervorrichtung kann der Signaturschaltkreis benutzt werden zur Prüfung, ob Schmelzsicherungen in all den Schaltkreisen durchgetrennt sind oder nicht, die in der Lage sind, elektrisch durchtrennt zu werden, und dementsprechend neigt die Anwendung solch eines Schmelzsicherungssignaturschalt kreises dazu, ausgeweitet zu werden.

Die NMOS-Transistoren 50 und 52 in Fig. 3, die nicht erläu tert wurden, werden benutzt, um ein Schweben des Knotens 44 zu verhindern, der bei Anlegen der Versorgungsspannung Vcc bei erstmaligem Einschalten der Speichervorrichtung eingeschaltet wird. Diese Transistoren sind nützlich zum Beseitigen von Stö rungen, die am Knoten 44 während des Betriebs des Chip entstehen können.

Wie zuvor diskutiert, kann der in der Halbleiterspeichervor richtung benutzte Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach der vorliegenden Erfindung Schmelzsicherungen innerhalb des einge packten Chip elektrisch durchtrennen, und kann leicht prüfen, ob die Schmelzsicherung durchgetrennt ist oder nicht. Dementspre chend gibt es in der vorliegenden Erfindung Vorteile beim leich ten Sortieren von Speicherprodukten nach ihren Betriebsmodes und bei der Verbesserung der Produktzuverlässigkeit.

Es sollte verstanden werden, daß die vorliegende Erfindung nicht begrenzt ist auf die besondere Ausführungsform, die hier als bester Mode für die Ausführung der vorliegenden Erfindung betrachtet wird. Vielmehr werden die in der Technik Bewanderten leicht erkennen, daß verschiedene Änderungen und Modifikationen gemacht können, ohne vom Geist und Umfang der Erfindung abzuwei chen, wie in den angefügten Ansprüchen definiert.

Claims

1. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis für eine elektrische Schmelzsicherung, die in einer Halbleiterspeichervorrichtung benutzt wird, und die enthält:
einen Schmelzsicherungsschaltkreis, der nach Anlegen eines elektrischen Durchtrennungssteuerungssignals durchgetrennt wird, und der ein Durchtrennungszustandssignal ausgibt, das einen Durchtrennungszustand der Schmelzsicherung anzeigt;
eine Erkennungsanschlußfläche, die eine Erkennungsspannung aufnimmt; und
einen Erkennungsschaltkreis, der zwischen die Erkennungsan schlußfläche und die Bezugsspannung geschaltet ist, und der die Erkennungsspannung von der Erkennungsanschlußfläche zu der Bezugsspannung als Reaktion auf das Durchtrennungszustands signal, das von dem Schmelzsicherungsschaltkreis ausgegeben wird, umleitet.

2. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach Anspruch 1, wobei der Schmelzsicherungsschaltkreis enthält: eine Schmelzsicherung, die in der Lage ist, elektrisch durchtrennt zu werden; eine Spannungsversorgungseinheit zur Versorgung mit der Schmelzspan nungsquelle an einen Seitenknoten der Schmelzsicherung; einen Transistor, der zum Durchschmelzen der Sicherung benutzt wird, und der zwischen dem anderen Seitenknoten der Sicherung und der Bezugsspannung geschaltet ist, um damit Strom durch die Siche rung zum Bezugsspannungsanschluß durch das Durchtrennungssteuerungssignal fließen zu lassen; und eine Invertiereinheit, die den Pegel an dem anderen Seitenknoten der Sicherung invertiert und ein Durchtrennungszustandssignal ausgibt.

3. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach Anspruch 1, wobei der Erkennungsschaltkreis NMOS-Transistoren enthält, die zwi schen der Erkennungsanschlußfläche und der Bezugsspannung geschaltet sind, und die die Erkennungsspannung von der Erken nungsanschlußfläche zu der Bezugsspannung als Reaktion auf das von dem Schmelzsicherungsschaltkreis ausgegebenen Durchtren nungszustandssignal umleiten.

4. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis für eine elektrische Schmelzsicherung, die in einer Halbleiterspeichervorrichtung benutzt wird, und die enthält:
einen Schmelzsicherungsschaltkreis, der nach Anlegen eines elektrischen Durchtrennungssteuerungssignals durchgetrennt wird, und der ein Durchtrennungszustandssignal ausgibt, das einen Durchtrennungszustand der Schmelzsicherung anzeigt;
eine Erkennungsanschlußfläche, die eine Erkennungsspannung aufnimmt;
einen Vorspannungsschaltkreis, der die von einer externen Anschlußfläche eingegebene Signaturspannung aufnimmt; und
einen Erkennungsschaltkreis, der einen ersten und einen zwei ten NMOS-Transistor enthält, die seriell zwischen die Erken nungsanschlußfläche und die Bezugsspannung geschaltet sind, und die die Signaturspannung bzw. das Durchtrennungszustandssignal an ihrem Gate-Anschluß aufnehmen.

5. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach Anspruch 4, wobei der Vorspannungsschaltkreis einen oder mehrere Transistoren ent hält, die seriell in Diodenform zwischen der externen Anschluß fläche und dem Gate-Anschluß des ersten NMOS-Transistors geschaltet sind.

6. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach Anspruch 4 oder 5, der ferner ein schwebendes Gate zur Verhinderung eines Schwebens enthält, und das zwischen einem Ausgabeanschluß des Vorspan nungsschaltkreises und der Bezugsspannung vorgesehen ist.

7. Schmelzsicherungssignaturschaltkreis nach Anspruch 6, der ferner einen Widerstand für einen elektrostatischen Entladungs schutz enthält, der zwischen der externen Anschlußfläche und den in Diodenform miteinander verbundenen Transistoren vorgesehen ist.