DE19625894A1

DE19625894A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Abrasterdaten, die zum Herstellen einer Photomaske verwendet werden

Info

Publication number: DE19625894A1
Application number: DE19625894A
Authority: DE
Inventors: Hirochi Kawahira
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-06-30
Filing date: 1996-06-27
Publication date: 1997-01-02
Also published as: JPH0915833A; KR970002451A; US5725974A

Description

Die Erfindung betrifft Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von Abrasterdaten, die dazu verwendet werden, eine Photomaske zur Verwendung bei der Halbleiterherstellung zu erzeugen, und spezieller betrifft sie Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen von Abrasterdaten, wie sie dazu verwendet werden, den Musterschreibvorgang in einer Muster belichtungsvorrichtung vom Matrixabrastertyp oder vom Vek torabrastertyp zu steuern, wie sie in ein Photomasken-Her stellsystem zum Herstellen einer Photomaske mit einem Muster vorhanden ist, das hinsichtlich optischer Annäherungseffekte korrigiert ist.

Bei Lithographieprozessen zur Herstellung von Halbleiterbau teilen wird ein Resist auf einen Wafer aufgetragen und dann durch eine Photomaske hindurch belichtet, auf deren Oberflä che ein Muster ausgebildet ist. Dann wird der Resist ent wickelt. So wird im Resist ein Muster ausgebildet, das dem Muster auf der Photomaske entspricht. Nachfolgend wird das auf der Photomaske ausgebildete Muster auch als Maskenmuster bezeichnet, und das auf dem Resist ausgebildete Muster wird auch als Resistmuster bezeichnet. Beim Prozeß des Übertra gens eines Maskenmusters in ein Resistmuster können optische Annäherungseffekte im Bereich nahe der Auflösungsgrenze auf treten. Die optischen Annäherungseffekte bewirken eine Ab weichung (Differenz) hinsichtlich der Größe oder Form des übertragenen Resistmusters gegenüber der idealen Größe oder Form eines Konstruktionsmusters, wie es als Maskenmuster realisiert ist. Im Fall von Musterdesigns von 0,5 µm oder größer ermöglicht der Lithographieprozeß bei der Halbleiter herstellung relativ große Dimensionstoleranzen, und die oben angegebene Abweichung führt zu keinem schwerwiegenden Pro blem. Jedoch erlaubt der Lithographieprozeß bei der Halblei terherstellung bei einem Musterdesign von 0,35 µm oder weni ger nur eine sehr kleine Dimensionstoleranz, wodurch die Ab weichung zu erheblichen Schwierigkeiten führen kann.

Eine bekannte Technik zum Erhalten eines feineren Maskenmu sters mit geringerem optischem Näherungseffekt besteht dar in, eine Phasenschiebemaske zu verwenden (nachfolgend als Phasenschiebemaske-Technik bezeichnet). Eine andere Technik besteht darin, Verformungsbeleuchtung wie Schrägbeleuchtung zu verwenden (nachfolgend als Verformungsbeleuchtungstechnik bezeichnet). Es wird angegeben, daß diese bekannten Techni ken den optischen Annäherungseffekt verringern können, um dadurch die Musterübertragungseigenschaften im Bereich nahe der Auflösungsgrenze zu verbessern. In der Praxis tritt je doch bei der Phasenschiebemaske-Technik, bei der die Phase des Belichtungslichts kontrolliert wird, und auch bei der Verformungsbeleuchtungstechnik, bei der die Beugungsordnung des Beleuchtungslichts kontrolliert wird, ein anderer opti scher Annäherungseffekt aufgrund eines Peaks zweiter Ordnung des Lichts auf. Wenn eine Phasenschiebemaske verwendet wird, kann der eben angegebene zusätzliche optische Annäherungs effekt ein unerwünschtes Muster in einem anderen Resistbe reich als dem gewünschten Musterbereich erzeugen. Anderer seits kann, wenn die Verformungsbeleuchtungstechnik verwen det wird, zwar ein Muster mit hoher Auflösung von Linien und Zwischenräumen im Resist in einem zentralen Bereich ausge bildet werden, jedoch tritt in Randbereichen eine deutliche Auflösungsverschlechterung auf.

Wie oben beschrieben, können bei Musterdesigns mit Muster linien von 0,35 µm oder weniger optische Annäherungseffekte eine deutliche Abweichung eines Resistmusters von einem Mas kenmuster nicht nur dann bewirken, wenn ein Musterübertra gungsprozeß mit einer üblichen Photomaske unter Verwendung einer üblichen Belichtungstechnik ausgeführt wird, sondern selbst dann, wenn die Phasenschiebemaske-Technik oder die Verformungsbeleuchtungstechnik verwendet wird. Um die vor stehend angegebenen Schwierigkeiten zu überwinden, finden nun Techniken zum Korrigieren eines Maskenmusters hinsicht lich der optischen Annäherungseffekte viel Aufmerksamkeit. Die Hauptgesichtspunkte, die bei optischen Annäherungseffek ten zu berücksichtigen sind, sind die folgenden:

1. Linienbreitenkorrektur

Die Linienbreite einer isolierten Linie eines Maskenmusters nimmt zu, so daß nach dem Übertragen des Maskenmusters auf ein Resistmuster über einen Belichtungsprozeß die Linien breite der im Resist ausgebildeten isolierten Linie der Breite des entsprechenden Linien-Zwischenraum-Musters ent spricht (siehe Fig. 4A, in der der schraffierte Bereich einen Linienbreite-Korrekturbereich bezeichnet).

2. Hinzufügen von Modifizierungsmustern

Modifizierungsmuster werden zum ursprünglichen Maskenmuster z. B. an Stellen benachbart zu Kantenabschnitten von Kon taktlöchern hinzugefügt, um zu verhindern, daß die Kantenab schnitte der Kontaktlöcher im belichteten Resistmuster in runde Form verformt werden (siehe Fig. 4B, in der die schraffierten Bereiche Modifizierungsmuster repräsentieren).

3. Hinzufügung von Unterauflösungsmustern

Wenn die vorstehend angegebenen Modifizierungsmuster hin sichtlich einer Korrektur der optischen Annäherungseffekte nicht wirksam sind, werden Muster mit einer Größe, die so klein ist, daß sie nicht aufgelöst wird, weiter zum Masken muster hinzugefügt (siehe Fig. 4C, in der die schraffierten Bereiche Unterauflösungsmuster repräsentieren).

In der Technik sind verschiedene Techniken zum Bestimmen eines hinsichtlich optischen Annäherungseffekten korrigier ten Maskenmusters in bezug auf die obenangegebenen Gesichts punkte bekannt. Eine derartige Technik ist ein Korrekturver fahren auf Grundlage einer Photolithographiesimulation, wie z. B. in "Automated Determination of CAD Layout Failures Through Focus: Experiment and Simulation", C. Spence et al., SPIE, Vol. 2197 (1994), S. 302-313 beschrieben, gemäß der die Photolithographieprozeß-Simulation wiederholt ausgeführt wird, bis das Maskenmuster optimiert ist. Eine andere Tech nik ist ein auf Regeln basierendes Korrekturverfahren, wie es z. B. in "Correcting for proximity effect widens process latitude", R. Henderson et al., SPIE, Vol. 2197 (1994), S. 361-370 oder in "Automated optical proximity correction - a rules-based approach", O. Otto et al., SPIE, Vol. 2197 (1994, S. 278-293 offenbart ist, gemäß der ein Maskenmu ster auf Grundlage von Korrekturwerten bestimmt wird, die auf verschiedene Muster entsprechend vorbestimmten Regeln erzeugt wurden. Bei der als funktionsgestützte Korrektur technik bezeichneten Technik, wie sie zum Beispiel in "Using behavior modelling for proximity correction", M. Rieger et al., SPIE, Vol. 2197 (1994), S. 371-375 oder in "Fast proximity correction with zone sampling", J. Stirniman et al., SPIE, Vol. 2197 (1994), S. 294-301 offenbart ist, wird ein Maskenmuster auf Grundlage einer Funktion korri giert, die die Beziehung zwischen dem Maskenmuster und dem Resistmuster repräsentiert.

Bei einer herkömmlichen Technik zum Herstellen einer Photo maske werden, wie es im Flußdiagramm von Fig. 3 veranschau licht ist, nach dem Fertigstellen des Bauteildesigns (Zel lendesigns) LSI-Designdaten auf Grundlage des Bauteilsde signs erzeugt. Ferner werden Maskendaten, die zum Herstellen eines Maskenmusters zu verwenden sind, auf Grundlage der LSI-Designdaten erzeugt. Dann wird das Maskenmuster gemäß den obenangegebenen Maskendaten mittels einer Elektronen strahlbelichtungstechnik oder einer Laserstrahlbelichtungs technik unter Verwendung eines Photomaskenherstellsystems mit einer Musterbelichtungsvorrichtung vom Matrixabrastertyp oder vom Vektorabrastertyp auf ein auf eine Photomaske auf getragenes Resistmaterial geschrieben. Beim herkömmlichen Prozeß wird die Korrektur hinsichtlich optischer Annähe rungseffekte dann ausgeführt, wenn die Maskendaten erzeugt werden. In einigen Fällen wird nach der erstmaligen Ausfüh rung des Bauteildesigns die Korrektur für optische Annähe rungseffekte dadurch ausgeführt, daß das Bauteildesign modi fiziert wird, oder es erfolgt, nachdem einmal LSI-Designda ten erzeugt sind, eine Korrektur hinsichtlich optischer An näherungseffekte durch Modifizieren der LSI-Designdaten. Beim vorstehend angegebenen Prozeß wird die Datenverarbei tung für die Korrektur hinsichtlich der optischen Annähe rungseffekte unter Verwendung eines PC, einer Ingenieur-Workstation oder eines mittleren oder großen Computers aus geführt.

Beim herkömmlichen Prozeß erfolgt, wie oben beschrieben, die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte nach dem Ausführen des Bauteildesigns oder nach dem Erzeugen von LSI-Designdaten oder auf andere Weise während des Prozesses der Erzeugung von Maskendaten. Jedoch erfordert die Korrektur optischer Annäherungseffekte eine Datenverarbeitung mit einer großen Anzahl von Berechnungsschritten, wodurch sehr viel Berechnungszeit erforderlich ist. Daher ist es sehr schwierig, die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungs effekte während der Prozesse vom LSI-Design bis zur Herstel lung einer Photomaske innerhalb der zur Verfügung stehenden Zeit abzuschließen. Insbesondere im Fall von Asics (anwen derspezifische ICs) muß eine große Anzahl von Komponenten in einen einzelnen Chip integriert werden, weswegen eine sehr lange Verarbeitungszeit zum Ausführen der Korrektur opti scher Annäherungseffekte erforderlich ist. Zum Beispiel ist eine Verarbeitungszeit von einigen zehn Tagen oder mehr er forderlich, um die Berechnung für die Korrektur optischer Annäherungseffekte für eine Schicht eines ASIC auszuführen, der eine Chipgröße von 20 mm × 20 mm aufweist, wenn er auf einem tatsächlichen Wafer realisiert wird (mit einem Muster design von 0,25 µm Strichstärke), wenn hierzu ein Korrektur verfahren auf Grundlage der Photolithographiesimulation un ter Verwendung einer Ingenieur-Workstation von 135 MIPS ver wendet wird. Daher ist es in der Praxis schwierig, die Kor rektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte für ASICs auszuführen, bei denen es allgemein erforderlich ist, eine Folge von Prozessen von der Erzeugung von Maskendaten bis zur Erzeugung einer Photomaske innerhalb sehr kurzer Zeit auszuführen. Die Belichtungsprozeßzeit, wie sie für eine typische Photomaske erforderlich ist, beträgt ungefähr 2 Stunden. Daher kann, wenn es möglich ist, die Datenverarbei tung in Zusammenhang mit der Korrektur optischer Annähe rungseffekte innerhalb 2 Stunden auszuführen oder, allgemei ner gesagt, innerhalb einer Zeitspanne, die kürzer als die Belichtungsprozeßzeit für eine Photomaske ist, die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte ohne wesentliche Erhöhung der Gesamtbearbeitungszeit erfolgen.

Andererseits tritt, wenn die Korrektur optischer Annähe rungseffekte in einem Stadium vor dem Photomaskenbelich tungsprozeß erfolgt, ein Rundungsfehler während der Daten verarbeitung wie der Korrekturkalkulation oder der Datenum setzung auf. Der genannte Rundungsfehler kann einen Fehler im Maskenmuster erzeugen, wie es nach dem Photomaskenbelich tungsprozeß erhalten wird, was zum Mangel führt, daß die op tischen Annäherungseffekte nicht korrekt kompensiert sind.

Ferner muß die Datenverarbeitung in Zusammenhang mit der Korrektur optischer Annäherungseffekte jedesmal dann ausge führt werden, wenn die Lichtquelle einer Belichtungsvorrich tung ausgetauscht wird, der verwendete Resist gewechselt wird oder die Resistbelichtungsbedingungen geändert werden. Daher erfordert ein solcher Datenverarbeitungsvorgang eine große Anzahl von Verarbeitungsschritten und damit viel Zeit. Ferner ist es, wenn eine Designregel für kleinere Strich stärken verwendet wird, zwar möglich, die Maskendaten selbst zu verringern, jedoch ist es erforderlich, erneut eine Da tenverarbeitung in Zusammenhang mit der Korrektur optischer Annäherungseffekte auszuführen.

Angesichts der vorstehenden Mängel liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Er zeugen von Abrasterdaten zu schaffen, die dazu verwendet werden, ein Photomaskenherstellsystem zum Herstellen einer Photomaske zur Verwendung bei der Halbleiterherstellung so zu steuern, daß eine Photomaske mit einem Muster erzeugt wird, die hinsichtlich optischer Annäherungseffekte korri giert ist, wobei es möglich ist, die Datenverarbeitung und Datenumsetzung in Zusammenhang mit der Korrektur optischer Annäherungseffekte auszuführen, ohne daß wesentliche Run dungsfehler eingeführt werden, und wobei es möglich ist, eine Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte auszuführen, ohne daß die Zeit anwächst, die zum Herstellen der Photomaske erforderlich ist, und wobei es ferner möglich ist, auf einfache Weise mit Änderungen der Prozeßbedingun gen, wie Resistbelichtungsbedingungen, fertigzuwerden.

Diese Aufgabe ist hinsichtlich der Vorrichtung durch die Lehre des beigefügten Anspruchs 1 und hinsichtlich des Ver fahrens durch die Lehren der beigefügten unabhängigen An sprüche 3 und 8 gelöst.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung bestehen die Abraster daten-Erzeugungseinrichtung und die Korrekturverarbeitungs einrichtung vorzugsweise aus einer Anzahl von Mikroprozes soreinheiten, die parallel betrieben werden, um die Gesamt verarbeitungszeit zu verringern. In diesem Fall kann die Ab rasterdaten-Erzeugungseinrichtung aus einem Satz von Mikro prozessoreinheiten bestehen, und die Korrekturverarbeitungs einrichtung kann aus einem anderen Satz von Mikroprozessor einheiten bestehen, oder andernfalls können sowohl die Abra sterdaten-Erzeugungseinrichtung als auch die Korrekturverar beitungseinrichtung aus demselben Satz von Mikroprozessor einheiten bestehen.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren werden der Schritt des Er zeugens von Abrasterdaten und der Schritt des Korrigierens der Abrasterdaten vorzugsweise auf Parallelverarbeitungswei se ausgeführt, um die Gesamtverarbeitungszeit zu verringern.

Ferner kann beim Verfahren des Erzeugens von Abrasterdaten gemäß der Erfindung ein regelgestütztes Korrekturverfahren, ein funktionsgestütztes Korrekturverfahren oder ein Photo lithographiesimulation-Korrekturverfahren (auch als Lichtin tensitätsverteilungssimulations-Korrekturverfahren bezeich net) als obenangegebenes, vorbestimmtes Korrekturverfahren verwendet werden.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, da Abra sterdaten auf Grundlage von Maskendaten erzeugt werden und die Abrasterdaten anschließend gemäß dem vorbestimmten Kor rekturverfahren korrigiert werden, die Abrasterdaten hin sichtlich optischer Annäherungseffekte innerhalb kürzerer Zeit zu korrigieren, als dies bei der herkömmlichen Technik möglich war. Demgemäß ermöglicht es die Erfindung, eine Pho tomaske mit einem hinsichtlich optischer Annäherungseffekte korrigierten Muster ohne deutliche Zunahme der zum Herstel len der Photomaske erforderlichen Zeit zu erzeugen. Ferner können bei der Erfindung, da die Korrektur hinsichtlich op tischer Annäherungseffekte im Stadium unmittelbar vor dem Maskenmuster-Belichtungsprozeß ausgeführt wird, Rundungsfeh ler, wie sie während verschiedener Datenverarbeitungs- und Datenumsetzvorgänge auftreten, minimiert werden. Ferner ist es selbst dann, wenn die Resistbelichtungsbedingungen oder die Designregel geändert wird, möglich, mit einer derartigen Änderung auf einfache Weise einfach dadurch fertigzuwerden, daß eine Korrektur hinsichtlich der optischen Annäherungs effekte auf Grundlage der Maskendaten erfolgt.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen beschrieben.

Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm, teilweise in Block form, das ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungs gemäßen Photomasken-Herstellsystems veranschaulicht;

Fig. 2 ist ein schematisches Diagramm, teilweise in Block form, das ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungs gemäßen Photomasken-Herstellsystems veranschaulicht;

Fig. 3 ist ein Flußdiagramm, das den Vorgang des Erzeugens von Abrasterdaten gemäß der Erfindung veranschaulicht und das auch den Ablauf gemäß einer herkömmlichen Technik veran schaulicht; und

Fig. 4 ist eine schematische Wiedergabe verschiedener Tech niken zum Vornehmen von Korrekturen hinsichtlich optischer Annäherungseffekte.

Ausführungsbeispiel 1

Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel wird das regelgestütz te Korrekturverfahren zum Korrigieren der in einem vorange henden Verarbeitungsschritt erzeugten Abrasterdaten verwen det. Als erstes wird unter Bezugnahme auf Fig. 1 ein bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel verwendetes Photomas ken-Herstellsystem beschrieben.

Bei diesem Ausführungsbeispiel wird als Musterbelichtungs vorrichtung 10 eine Elektronenstrahl-Musterbelichtungsvor richtung MEBES4500 (verfügbar von Etec System Co.) vom Typ verwendet, bei dem eine auf einen kontinuierlich angetriebe nen Tisch aufgelegte Photomaske matrixförmig von einem Strahl mit Normalverteilung abgerastert wird. Der Belich tungsvorgang wurde mit einer Austastfrequenz von 160 MHz bei einer Beschleunigungsspannung von 10 kV bei einer Adreßgröße von 0,05 µm ausgeführt. Als Photomaskensubstrat wurde ein Synthesequarz-Chrom-Maskensubstrat EQZ6025 (verfügbar von HOYA Co.) verwendet. Auf die Oberfläche des Photomaskensub strats wurde ein 0,5 µm dicker Resist aufgetragen (positiver Elektronenstrahlresist EBR-9, wie von TORAY Co. verfügbar). Der Resist wurde mit 1,4 µC/cm² dem Elektronenstrahl ausge setzt. Bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel war das auf dem Photomaskensubstrat herzustellende Maskenmuster für einen Gatearray-ASCI mit 2 Millionen Gattern entsprechend der 0,2-µm-Regel konzipiert, wobei eine einzelne Bauteil schicht, d. h. eine Polysiliziumgateschicht verwendet wurde. Ferner wurde die Korrektur hinsichtlich optischer Annähe rungseffekte durch Hinzufügen von Modifizierungsmustern aus geführt.

Die Musterbelichtungsvorrichtung 10 im Photomasken-Herstell system umfaßt eine Belichtungsstrahlquelle 11 zum Erzeugen eines Elektronenstrahls, eine Linse 12 nullter Ordnung, eine Begrenzungsblende 13, eine erste Linse 14, eine zweite Linse 15, eine Strahl-Dunkelschalteinrichtung 16 und eine Objek tivlinse 17. Die Musterbelichtungsvorrichtung 10 umfaßt fer ner folgendes: einen Tisch 18 zum Tragen eines auf ihn auf gelegten Photomaskensubstrats 50; ein Laserinterferometer 21 und eine Hochgeschwindigkeits-Strahldunkelschalteinheit (Hochgeschwindigkeits-Dunkelschalteinrichtung) 37. Der von der Belichtungsstrahlquelle 11 erzeugte Elektronenstrahl durchläuft die Linse 12 nullter Ordnung, die Begrenzungs blende 13, die erste Linse 14, die zweite Linse 15, die Strahldunkelschalteinrichtung 16 und die Objektivlinse 17, und schließlich beleuchtet er das auf dem Tisch 18 liegende Photomaskensubstrat 50, so daß ein auf diesem ausgebildetes Resistmaterial (nicht dargestellt) belichtet wird.

Der Elektronenstrahl wird, gesteuert durch eine Strahlablen kungssteuerung 38, in den Richtungen ±Y durchgerastert. Auf das Ausgangssignal der Hochgeschwindigkeits-Strahldunkel schalteinheit 37 hin steuert die Strahldunkelschalteinrich tung 16 den Betrieb dahingehend, ob der Elektronenstrahl das Photomaskensubstrat an gewünschten Koordinaten beleuchtet. Der Tisch 18 wird durch einen Tischantriebsmechanismus (nicht dargestellt), gesteuert durch eine Tischsteuerung 22, in der X-Richtung verstellt. Der Ort des Tischs 18 wird durch das Laserinterferometer 21 über Strahlteiler 19 und 20 überwacht.

Das Photomaskenherstellsystem enthält auch einen Steuercom puter 40, der für die Steuerung von Vorgängen im gesamten Photomaskenherstellsystem zuständig ist. Genauer gesagt, werden das Starten, Stoppen, die Verarbeitung in Zusammen hang mit der Korrektur optischer Annäherungseffekte sowie andere Vorgänge des Photomaskenherstellsystems, gesteuert durch den Steuercomputer 40, ausgeführt. Dieser Steuercompu ter 40 ist mit einer Bedienkonsole 41 verbunden. Maskendaten und Korrekturparameter hinsichtlich optischer Annäherungs effekte werden vorab erzeugt und in eine mit dem Steuercom puter 40 verbundene Plattenspeichereinheit 42 eingespei chert.

Das Photomaskenherstellsystem umfaßt ferner einen Abraster datengenerator 30, der Abrasterdaten erzeugt, die dazu ver wendet werden, den Belichtungsabrastervorgang der Musterbe lichtungsvorrichtung 10 zu steuern. Der Abrasterdatengenera tor 30 besteht aus einer Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32, einer Datenspeichereinrichtung 33, einer Korrekturverar beitungseinrichtung 34 und einer Ausgabesteuereinrichtung 35. Die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 empfängt Mas kendaten von außen und erzeugt Abrasterdaten auf Grundlage der empfangenen Maskendaten. Die Datenspeichereinrichtung 33 speichert die von der Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 erzeugten Abrasterdaten ein. Die Korrekturverarbeitungsein richtung 34 modifiziert die in der Datenspeichereinrichtung 33 abgespeicherten Abrasterdaten entsprechend einem vorbe stimmten Verfahren (bei diesem speziellen Ausführungsbei spiel 1 ist dies das regelgestützte Korrekturverfahren), um optische Annäherungseffekte zu kompensieren. Die Ausgabe steuereinrichtung 35 besteht aus einer Mikroprozessoreinheit (nachfolgend auch als MPU bezeichnet). Diese Ausgabesteuer einrichtung 35 überträgt die korrigierten Abrasterdaten an die Musterbelichtungsvorrichtung.

Bei diesem Ausführungsbeispiel 1 bestehen die Abraster daten-Erzeugungseinrichtung 32 und die Korrekturverarbeitungsein richtung 34 jeweils aus vier Mikroprozessoreinheiten (genau er gesagt, aus 32-Bit-RISC-Chips, die mit einer Taktfrequenz von 135 MHz arbeiten), so daß durch diese Mikroprozessorein heiten eine Parallelverarbeitung ausgeführt werden kann. Der Begriff "Parallelverarbeitung" wird hier dazu verwendet, so wohl Parallelverarbeitung als auch gleichzeitige Verarbei tung zu repräsentieren. Obwohl bei diesem speziellen Ausfüh rungsbeispiel vier Mikroprozessoreinheiten verwendet sind, kann eine beliebige Anzahl von Mikroprozessoreinheiten ver wendet werden. Ferner kann die Anzahl von MPUs, die die Ab rasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 bilden, entweder der Anzahl von MPUs gleich sein, die die Korrekturverarbeitungs einrichtung 34 bilden, oder sie kann davon abweichen.

Der Abrasterdatengenerator 30 umfaßt ferner einen Busumset zer 31 vor der Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32, und er enthält auch folgend auf die Ausgabesteuereinrichtung 35 eine Bitanordnungseinrichtung 36.

Wenn eine Bedienperson es wünscht, einen Belichtungsvorgang zu starten, gibt sie über die Bedienkonsole 41 einen Start befehl in den Steuercomputer 40 ein. Dann liest der Steuer computer 40 sequentiell Maskendaten aus der Plattenspeicher einheit 42 gemäß einer zweckdienlichen zeitlichen Steuerung aus und liefert die Maskendaten an den Abrasterdatengenera tor 30. Wenn es erwünscht ist, eine Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte an den erzeugten Abrasterdaten ausführen, gibt die Bedienperson über die Bedienkonsole 41 beim Starten des Belichtungsvorgangs einen entsprechenden Befehl ein, der anzeigt, daß die Korrektur hinsichtlich op tischer Annäherungseffekte ausgeführt werden sollte.

Im Abrasterdatengenerator 30 werden die Maskendaten in der Belichtungsreihenfolge an vier die Abrasterdaten-Erzeugungs einrichtung 32 bildende MPUs über den Busumsetzer 31 ver teilt. Auf Grundlage der Maskendaten erzeugt die Abraster daten-Erzeugungseinrichtung 32 Abrasterdaten in Form bitkar tierter Rasterdaten, wozu sie eine bekannte Technik verwen det. Wie oben beschrieben, empfängt die Abrasterdaten-Erzeu gungseinrichtung 32 Maskendaten von außen (genauer gesagt, von der Plattenspeichereinheit 42 über den Steuercomputer 40), und sie erzeugt aus den empfangenen Maskendaten Raster daten, die als Abrasterdaten zu verwenden sind.

Beim herkömmlichen Prozeß wird, wie es durch Fig. 3 veran schaulicht ist, die Korrektur hinsichtlich optischer Annähe rungseffekte in einem Stadium nach dem Fertigstellen des Bauteildesigns ausgeführt oder nach der Erzeugung von LSI-Designdaten, oder auf andere Weise während eines Prozesses zum Erzeugen von Maskendaten. Andererseits wird bei der Er findung, wie es ebenfalls in Fig. 3 dargestellt ist, die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte dann ausgeführt, wenn Abrasterdaten auf Grundlage von Maskendaten erzeugt werden.

Die durch die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 erzeug ten Abrasterdaten werden sequentiell in die Datenspeicher einrichtung 33 eingespeichert, die bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel 1 aus zwei Direktzugriffsspeichern be steht, von denen jeder eine Kapazität von 256 MBits aufweist und von denen jeder als Rasterspeicher dient.

Wenn die Datenspeichereinrichtung 33 ganz mit Abrasterdaten gefüllt ist, beendet die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 die Erzeugung von Abrasterdaten. Die aus vier MPUs beste hende Korrekturverarbeitungseinrichtung 34 liest die Abra sterdaten aus der Datenspeichereinrichtung 33. Dann wählt die Korrekturverarbeitungseinrichtung 34 über den Steuercom puter 40 geeignete Parameter für die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte aus entsprechenden in der Plat tenspeichereinheit 42 abgespeicherten Parametern aus, und sie führt eine Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungs effekte für jeweils alle Abrasterdaten (bitkartierte Raster daten) entsprechend dem regelgestützten Korrekturverfahren aus. Nach Abschluß der Korrektur hinsichtlich optischer An näherungseffekte werden die korrigierten Abrasterdaten er neut in die Datenspeichereinrichtung 33 eingespeichert.

Ein spezielles Beispiel für eine Realisierung des regelge stützten Korrekturverfahrens ist das von Trans Vector Tech nologies Co. (US-Firma) entwickelte Programm OPRX. Bei die sem regelgestützten Korrekturverfahren werden verschiedene mögliche Kombinationen von Untermustern (nachfolgend auch als Zielmuster bezeichnet) des hinsichtlich optischer Annä herungseffekte zu korrigierenden Maskenmusters sowie den Zielmustern benachbarten Maskenmusterlayouts (nachfolgend werden derartige Layouts auch als benachbarte Layouts be zeichnet) berücksichtigt. Einige Beispiele für mögliche Kom binationen sind in der Tabelle 1 angegeben.

Zielmuster
benachbartes Layout
Einzelne Linie
Zwei Linien mit derselben Breite wie das Zielmuster, die jeweils über einen Zwischenraum auf jeder Seite des Zielmusters liegen
Einzelne Linie	Eine Linie mit derselben Breite wie das Zielmuster, die über einen Zwischenraum auf einer Seite des Zielmusters liegt
Einzelne Linie	Eine breite Linie, die über einen Zwischenraum auf einer Seite des Zielmusters liegt
Einzelne Linie	Eine Linie mit derselben Breite wie das Zielmuster, wobei die Linie benachbart zu einem Ende des Zielmusters liegt und sich in einer Richtung rechtwinklig zur einzelnen Linie des Zielmusters erstreckt

Gemäß Versuchen oder Simulationen wird ein Modifizierungsmu ster für jede der angenommenen möglichen Kombinationen von Zielmustern und benachbarten Layouts definiert, und in einer Tabelle werden die definierten Modifizierungsmuster reprä sentierende Korrekturparameter hinsichtlich optischer Annä herungseffekte eingespeichert. D. h., daß die Tabelle Kor rekturparameter hinsichtlich optischer Annäherungseffekte enthält, wie sie verschiedenen Kombinationen von Zielmustern und benachbarten Layouts entsprechen. Die Maskendaten werden analysiert, um die Beziehung zwischen einem Zielmuster, z. B. einem quadratischen Muster von 10 µm × 10 µm, und dem benachbarten Layout auszuwerten. Auf das Auswerteergebnis hin wird aus der Tabelle ein zweckdienlicher Korrekturpara meter hinsichtlich optischer Annäherungseffekte ausgelesen, der ein entsprechendes Modifizierungsmuster repräsentiert. Gemäß den Korrekturparametern hinsichtlich optischer Annähe rungseffekte, wie sie auf die obenangegebene Weise erhalten werden, führt die Korrekturverarbeitungseinrichtung 34 eine Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte aus, wie sie für alle Abrasterdaten (in bitkartierter Form) optimal ist. Hinsichtlich einer Linienbreitenkorrektur oder des Hin zufügens von Unterauflösungsmustern werden zweckdienliche Ausmaße der Linienbreitenkorrektur oder zweckdienliche Un terauflösungsmuster experimentell oder mittels Simulation für verschiedene Zielmuster bestimmt, wobei die benachbarten Layouts berücksichtigt werden, und die Ergebnisse werden als Korrekturparameter hinsichtlich optischer Annäherungseffekte in eine Tabelle eingespeichert.

Die Abrasterdaten, die hinsichtlich optischer Annäherungs effekte korrigiert wurden und in die Datenspeichereinrich tung 33 eingespeichert wurden, werden gemäß einer vorbe stimmten zeitlichen Steuerung durch die Ausgabesteuerein richtung 35 gelesen und sequentiell über die Bitanordnungs einrichtung 36 an die Hochgeschwindigkeits-Strahldunkel schalteinheit 37 geliefert, während das Datenformat gesteu ert wird. Demgemäß wird das Maskenmuster durch einen matrix gerasterten Elektronenstrahl geschrieben, der durch die Strahldunkelschalteinrichtung 16 auf das Ausgangssignal der Hochgeschwindigkeits-Strahldunkelschalteinheit 37 hin ge steuert wird.

Die Korrektur gemäß dem regelgestützten Korrekturverfahren kann für die in der Datenspeichereinrichtung 33 mit einer Kapazität von 256 MBit abgespeicherten Daten innerhalb 1,45 s abgeschlossen werden. Anders gesagt, ist die zum Ein schreiben (Belichten) von Abrasterdaten von 256 MBit erfor derliche Zeitdauer wie folgt gegeben:

{1/(160 × 10⁶) (s/Pixel)} × 256 × 10⁶ (Pixel) = 1,6 s

Da die zum Schreiben von Abrasterdaten von 256 MBit erfor derliche Schreibzeit länger als die Korrekturzeit beim re gelgestützten Korrekturverfahren ist, kann der Schreibvor gang kontinuierlich ausgeführt werden, während abwechselnd auf zwei 256-MBit-Rasterspeicher zugegriffen wird.

Die Photomaske, wie sie mittels des vorstehend beschriebenen Prozesses erhalten wird, verfügt über eine Mustergenauigkeit von innerhalb ± 0 03 µm bezogen auf die ideale Mustergröße, wie sie nach der Korrektur hinsichtlich optischer Annähe rungseffekte für Musterbereiche der Photomaske erhalten wer den sollte, die hinsichtlich der optischen Annäherungseffek te korrigiert sind (Bereiche mit zusätzlichen Modifizie rungsmustern). Auf ein Wafer wurde ein Resist (WKR-PT2, ver fügbar von Wakojunyaku) für einen 0,7-µm-Excimerlaser aufge tragen und durch Licht belichtet, wie es von einem KrF-Excimerlaser emittiert wurde, der als Belichtungsquelle diente, wobei die Belichtung durch eine mittels des obenbe schriebenen Prozesses hergestellte Photomaske unter Verwen dung eines Photorepeaters mit NA = 0,57 und σ = 0,5 erfolg te. Nach dem Belichtungsprozeß wurde der Resist entwickelt. Das entwickelte Muster wurde hinsichtlich der Mustergenauig keit bewertet. Die Breite des Polysiliziumgatemusters, des sen Designbreite 0,28 µm betrug, wurde an neun verschiedenen Stellen in einem Belichtungsfeld von 22 mm × 22 mm gemessen, nämlich im Zentrum des Felds, an den vier Ecken und in den Mittelpunkten der vier Seiten. Die ausgewertete Mustergenau igkeit betrug ± 0,02 µm. Die ausgewertete Brenntiefe beim Belichtungsprozeß betrug ± 0,5 µm, was ausreichend gut dafür war, daß den praxisbezogenen Prozeßerfordernissen genügt ist. Im Fall eines ASIC-Bauteils auf Grundlage der Design regel für Linien von 0,25 µm Breite erfordert der Prozeß z. B. eine Mustergröße von 0,28 ± 0,028 µm und eine Brenn tiefe von ± 0,045 µm.

Wenn die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte für die erzeugten Abrasterdaten nicht ausgeführt wird, wer den die Abrasterdaten in Form von Rasterdaten von der Daten speichereinrichtung 33 über die Ausgabesteuereinrichtung 35 und die Bitanordnungseinrichtung 36 direkt an die Hochge schwindigkeits-Strahldunkelschalteinrichtung 37 übertragen.

Vergleichsbeispiel 1

Eine Photomaske wurde auf dieselbe Weise wie beim Ausfüh rungsbeispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, daß keine Kor rektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte ausgeführt wurde. Unter Verwendung dieser Photomaske wurden Belich tungs- und Entwicklungsvorgänge auf dieselbe Weise wie beim Ausführungsbeispiel 1 ausgeführt, um dadurch ein Resistmu ster herzustellen. Die Breite des sich ergebenden Resistmu sters betrug 0,19 µm, was eine große Abweichung gegenüber dem Designwert darstellt und demgemäß die Prozeßerfordernis se nicht erfüllt. In diesem Fall war es unmöglich, die Brenntiefe auszuwerten.

Ausführungsbeispiel 2

Bei diesem Ausführungsbeispiel 2 wurden die erzeugten Abra sterdaten gemäß dem funktionsgestützten Korrekturverfahren korrigiert. Fig. 2 veranschaulicht schematisch ein Photomas kenherstellsystem, wie es bei diesem Ausführungsbeispiel 2 verwendet wird. Ein Unterschied des in Fig. 2 dargestellten Photomaskenherstellsystems gegenüber dem von Fig. 1 besteht darin, daß die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 und die Korrekturverarbeitungseinrichtung 34 vom selben Satz von MPUs (vier MPUs) gebildet werden. Ferner werden beim Ausfüh rungsbeispiel 2 Maskendaten in eine externe Speichereinrich tung eingespeichert, die mit dem Photomaskenherstellsystem verbunden ist. Die anderen Elemente sind denen beim Photo maskenherstellsystem des Ausführungsbeispiels 1 ähnlich, und sie werden hier nicht detaillierter beschrieben.

Die in der externen Speichereinrichtung abgespeicherten Mas kendaten werden über eine Kommunikationsleitung an ein Mas kendaten-Verwaltungssystem 60 übertragen und in eine Masken daten-Speicherplatte 61 eingespeichert. Wenn eine Bedienper son einen Belichtungsvorgang zu beginnen wünscht, gibt sie über die Bedienkonsole 41 einen Startbefehl an den Steuer computer 40 aus. Wenn es erwünscht ist, eine Korrektur hin sichtlich optischer Annäherungseffekte an den erzeugten Ab rasterdaten auszuführen, gibt die Bedienperson zu Beginn des Belichtungsvorgangs auch einen Befehl über die Bedienkonsole 41 ein, der anzeigt, daß eine solche Korrektur ausgeführt werden soll. Der Steuercomputer 40 gibt eine Masken daten-Übertragungsanweisung an das Maskendaten-Verwaltungssystem 60 aus. Auf diese Maskendaten-Übertragungsanweisung hin wer den von der Maskendaten-Speicherplatte 61 gewünschte Masken daten sequentiell gelesen und an den Abrasterdatengenerator 30 übertragen.

Im Abrasterdatengenerator 30 werden die Maskendaten in der Belichtungsreihenfolge an vier MPUs, die die Abraster daten-Erzeugungseinrichtung 32 bilden, über den Busumsetzer 31 verteilt. Wie beim Ausführungsbeispiel 1 werden die Masken daten von der Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 in Ab rasterdaten in Form von bitkartierten Rasterdaten unter Ver wendung einer bekannten Technik umgesetzt. Wie oben be schrieben, empfängt die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 Maskendaten von außen (genauer gesagt, von der Platten speichereinheit 42 über den Steuercomputer 40), und sie er zeugt aus den empfangenen Maskendaten Rasterdaten, die als Abrasterdaten zu verwenden sind.

Die von der Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 erzeugten Abrasterdaten werden sequentiell in die Datenspeicherein richtung 33 eingespeichert, die auch bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel 2 aus zwei Direktzugriffsspeichern mit jeweils einer Kapazität von 256 MBits besteht, die als Ra sterspeicher dienen.

Wenn die Datenspeichereinrichtung 33 ganz mit Abrasterdaten gefüllt ist, beendet die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 die Erzeugung von Abrasterdaten. Die Korrekturverarbei tungseinrichtung 34 (die aus demselben Satz von MPUs be steht, die auch die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung 32 bilden) liest die Abrasterdaten sequentiell aus der Daten speichereinrichtung 33 aus. Dann wählt die Korrekturverar beitungseinrichtung 34 über den Steuercomputer 40 zweckdien liche Korrekturparameter hinsichtlich optischer Annäherungs effekte aus den entsprechenden in der Plattenspeichereinheit 42 abgespeicherten Parametern aus und führt eine Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte für alle Abraster daten (bitkartierte Rasterdaten) gemäß dem funktionsgestütz ten Korrekturverfahren aus. Nach Abschluß der Korrektur hin sichtlich optischer Annäherungseffekte werden die korrigier ten Abrasterdaten erneut in die Datenspeichereinrichtung 33 eingespeichert.

Ein spezielles Beispiel für eine Realisierung des funktions gestützten Korrekturverfahrens ist das von Precim (US-Firma) entwickelte Programm Proxima. Die Stärke des Belichtungs lichts an einem bestimmten Resistpunkt wird nicht nur durch die Intensität des Belichtungslichts bestimmt, das diesen Punkt direkt beleuchtet, sondern sie wird auch durch die Intensität des Belichtungslichts beeinflußt, die einen zu diesem Punkt benachbart liegenden Bereich beleuchtet. Bei der funktionsgestützten Korrekturtechnik wird die Beziehung zwischen der Lichtintensität Z(x_o, y_o) unter Berücksichti gung des Lichts, das einen Bereich benachbart zu einem in teressierenden Punkt beleuchtet, und den Resistmuster-De signdaten D(x_o, y_o) (die Lichttransmissionsbereiche und Lichtsperrbereiche definieren) durch eine Näherungsfunktion F ausgedrückt, die wie folgt angegeben werden kann:

Z(x_o, y_o = F(D(x_o, y_o))

Die Näherungsfunktion F wird vorab experimentell oder mit tels Simulation bestimmt. Es wird eine Lösung gleichzeitiger Gleichungen bestimmt, die Z(x_o, y_o) entlang einer Kante eines Resistmusters konstant macht, das hinsichtlich opti scher Annäherungseffekte zu korrigieren ist. Die Lösung der gleichzeitigen Gleichungen kann durch Berechnen der zugehö rigen Umkehrmatrix erhalten werden. Durch Ausführen der obi gen Berechnung ist es möglich, die Kantenform des Maskenmu sters zu ermitteln, die zu einem konstanten Wert von Z(x_o, y_o) an der Kante des Resistmusters führt, das hin sichtlich optischer Annäherungseffekte zu korrigieren ist. Dann wird eine Datenverarbeitung an den in der Datenspei chereinrichtung 33 abgespeicherten Abrasterdaten in solcher Weise ausgeführt, daß die sich ergebenden Abrasterdaten das beim obenangegebenen Prozeß bestimmte Maskenmuster repräsen tieren. Nachfolgend sind einige Beispiele für Näherungsfunk tionen angegeben, wobei es vom Zielmuster und dem ihm be nachbarten Layout abhängt, welche Näherungsfunktion verwen det werden sollte.

wobei k, A, B, α und β Konstanten sind.

Bei dieser Technik wird, wenn Maskendaten vorgegebenen sind, die Beziehung zwischen einem Zielmuster und dem ihm benach barten Layout ausgewertet, und die optimale Näherungsfunk tion wird auf Grundlage des obigen Auswertungsergebnisses ausgewählt. Unter Verwendung der ausgewählten Näherungsfunk tion führt die Korrekturverarbeitungseinrichtung 34 eine Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte für alle Abrasterdaten (bitkartierte Rasterdaten) aus. Hinsichtlich einer Linienbreitenkorrektur oder eines Hinzufügens von Un terauflösungsmustern werden zweckdienliche Ausmaße der Li nienbreitenkorrektur oder zweckdienliche Unterauflösungsmu ster, die hinzugefügt werden sollten, experimentell oder mittels Simulation für verschiedene Zielmuster bestimmt, und es werden die zugehörigen Näherungsfunktionen bestimmt.

Die Abrasterdaten, die hinsichtlich optischer Annäherungs effekte korrigiert wurden und in die Datenspeichereinrich tung 33 eingespeichert wurden, werden gemäß einer vorbe stimmten zeitlichen Steuerung durch die Ausgabesteuerein richtung 35 gelesen und sequentiell über die Bitanordnungs einrichtung 36 an die Hochgeschwindigkeits-Strahldunkel schalteinheit 37 geliefert. So wird ein Maskenmuster gesteu ert durch die Strahldunkelschalteinrichtung 16 auf das Aus gangssignal von der Hochgeschwindigkeits-Strahldunkelschalt einheit 37 hin durch einen matrixgerasterten Elektronen strahl geschrieben.

Die Korrekturverarbeitungszeit und die Belichtungsverarbei tungszeit, wie sie bei diesem funktionsgestützten Korrektur verfahren erforderlich sind, sind in der Tabelle 2 für ver schiedene Datenmengen (in Einheiten von Bits), wie sie in einem Rasterspeicher mit einer Kapazität von 256 MBits abge speichert sind und wie sie einem gleichzeitigen Korrektur prozeß unterzogen werden, dargestellt.

Tabelle 2

Wie es aus der Tabelle 2 erkennbar ist, ist es dann, wenn die Menge der Daten, die gleichzeitig einer Korrekturverar beitung und Belichtungsverarbeitung unterworfen wird, auf 4 MBits festgelegt wird, möglich, einen Maskenmuster-Belich tungsprozeß zum Herstellen eines Maskenmusters, das hin sichtlich optischer Annäherungseffekte korrigiert ist, mit derselben Geschwindigkeit auszuführen wie dann, wenn keine derartige Korrektur erfolgt, wobei keinerlei Verzögerung we gen des Korrekturprozesses hinsichtlich optischer Annähe rungseffekte auftritt.

Auf einen Wafer wurde ein Resist (WKR-PT2, verfügbar von Wakojunyaku) für einen 0,7-µm-Excimerlaser aufgetragen und auf ähnliche Weise wie beim Ausführungsbeispiel 1 durch einen Excimerlaser belichtet. Nach dem Belichtungsprozeß wurde der Resist entwickelt. Das entwickelte Muster wurde hinsichtlich der Mustergenauigkeit bewertet. Die Breite des Polysiliziumgatemusters, dessen Designbreite 0,28 µm betrug, wurde an neun verschiedenen Stellen in einem Belichtungsfeld von 22 mm × 22 mm gemessen. Die gemessene Mustergenauigkeit betrug ± 0 017 µm. Das vorstehende Ergebnis zeigt, daß die beim Ausführungsbeispiel 2 hergestellte Photomaske höheres Funktionsvermögen als die beim Ausführungsbeispiel 1 herge stellte aufwies. Dies bedeutet, daß das funktionsgestützte Korrekturverfahren zu höherer Korrekturgenauigkeit als das regelgestützte Korrekturverfahren führt. Die ausgewertete Brenntiefe beim Belichtungsprozeß betrug ± 0,5 µm.

Obwohl die Erfindung vorstehend unter Bezugnahme auf spe zielle Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist zu beach ten, daß sie nicht auf diese beschränkt ist. Z. B. kann auch ein Photolithographiesimulations-Korrekturverfahren als Kor rekturverfahren verwendet werden. Ein spezielles Beispiel eines Photolithographiesimulations-Korrekturverfahrens ist das Programm OPTIMASK oder ODE auf Grundlage des Photolitho graphiesimulators FAIM, wie von Vector Technologies (US-Firma) entwickelt. Beim Photolithographiesimulations-Korrek turverfahren wird der Photolithographieprozeß unter Berück sichtigung von Prozeßparametern oder Faktoren einschließlich der Belichtungslichtintensität, der Defokussierung im Re sistfilm, der Reflexion von Belichtungslicht durch den Re sist und der Entwicklungsbedingungen simuliert. Die Simula tion wird wiederholt ausgeführt, bis die Lichtintensitäts verteilung über den Resist ermittelt ist, die ein Resistmu ster erzeugen kann, das dem konzipierten Muster entspricht.

Ferner ist bei den vorstehend beschriebenen speziellen Aus führungsbeispielen zwar eine Elektronenstrahl-Musterbelich tungsvorrichtung verwendet, jedoch können auch andere Arten von Musterbelichtungsvorrichtungen verwendet werden, z. B. eine solche unter Verwendung eines Ar-Lasers von 365 nm oder eines HeCd-Lasers von 325 nm. Ferner gehören zu Typen von Musterbelichtungsvorrichtungen, die bei der Erfindung ver wendet werden können, Photorepeater mit Matrixabrasterung mit einem Strahl mit Normalverteilung, Photorepeater mit Vektorabrasterung mit einem Strahl mit Normalverteilung, solche vom Typ mit kontinuierlich angetriebenem Tisch und einem matrixförmig durchgerasterten Strahl variabler Form, ein Photorepeater mit einem matrixförmig durchgerasterten Strahl mit variabler Form sowie ein Photorepeater mit einem vektordurchgerasterten Strahl variabler Form. Bei jeder be liebigen Abrastertechnik ist das Photomaskenherstellsystem mit einer Datenspeichereinrichtung wie einem Feldspeicher oder einem Abrasterspeicher versehen, um Abrasterdaten ein zuspeichern, gemäß denen der Belichtungsstrahl ein-/ausge schaltet und abgelenkt wird. Wie oben beschrieben, korri giert die Korrekturverarbeitungseinrichtung die in der Da tenspeichereinrichtung abgespeicherten Abrasterdaten gemäß dem vorgegebenen Korrekturverfahren.

Ferner kann die Erfindung auf die Herstellung einer großen Anzahl von Bauteilen wie Speicher-ICs, Mikroprozessoreinhei ten, Mikrocomputereinheiten (CPUs), Logik-ICs, ladungsgekop pelten Bauteilen (CCDs) usw. angewandt werden.

Bei der Erfindung ist es, wie oben beschrieben, möglich, ein Maskenmuster herzustellen, das hinsichtlich optischer Annä herungseffekte innerhalb derselben Zeitdauer korrigiert wird, wie sie dazu erforderlich ist, ein Maskenmuster her zustellen, das nicht hinsichtlich optischer Annäherungsef fekte korrigiert ist. Ferner können, da die Datenverarbei tung in Zusammenhang mit der Korrektur optischer Annähe rungseffekte innerhalb des Photomaskenherstellsystems ausge führt wird, Rundungsfehler von Daten, wie sie während der Berechnung in Zusammenhang mit der Korrektur optischer Annä herungseffekte und auch während der Datenumsetzung auftre ten, minimiert werden. Dies ermöglicht es, ein hochgenaues Maskenmuster herzustellen, das hinsichtlich optischer Annä herungseffekte korrigiert ist.

Ferner können bei der Erfindung ein Bauteildesign, LSI-De signdaten und Maskendaten verwendet werden, die mit solchen übereinstimmen, wie sie bei herkömmlicher Technik verwendet werden. Daher kann die Erfindung ausgeführt werden, ohne daß die Bauteildesignumgebung, die LSI-Designdaten-Verarbei tungsumgebung oder die Maskendaten-Erzeugungsumgebung zu än dern ist. Ferner kann die Korrektur hinsichtlich optischer Annäherungseffekte ausgeführt werden, ohne daß eine Investi tion in zusätzliche Vorrichtungen (wie eine zusätzliche In genieur-Workstation) erfolgen muß. Dies ermöglicht eine Ver ringerung der Vorrichtungskosten und damit der Herstellko sten. Ferner ist es möglich, da dasselbe Bauteildesign, die selben LSI-Designdaten und dieselben Maskendaten unabhängig davon verwendet werden können, ob eine Korrektur hinsicht lich optischer Annäherungseffekte ausgeführt wird oder nicht, eine Datenverarbeitung in Zusammenhang mit der Kor rektur optischer Annäherungseffekte innerhalb kurzer Zeit selbst dann auszuführen, wenn die Resistbelichtungsbedingun gen geändert werden oder eine Designregel für feinere Muster verwendet wird.

Claims

1. Vorrichtung zum Erzeugen von Abrasterdaten, die zum Herstellen einer Photomaske durch Abrastern mit einem Ener gie abstrahlenden Strahl verwendet werden, gekennzeichnet durch

- eine Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung (32), die der Photomaske zugehörige Maskendaten empfängt und Abrasterdaten erzeugt, die dazu verwendet werden, den genannten Strahl durchzurastern, wobei diese Abrasterdaten auf Grundlage der empfangenen Maskendaten erzeugt werden;
- eine Datenspeichereinrichtung (33) zum Einspeichern der von der Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung erzeugten Abra sterdaten;
- eine Korrekturverarbeitungseinrichtung (34) zum Korrigie ren der in der Datenspeichereinrichtung abgespeicherten Ab rasterdaten; und
- eine Ausgabesteuereinrichtung (35) zum Übertragen der korrigierten Abrasterdaten an eine Musterbelichtungsvorrich tung (10);
- wobei die Korrektur eine solche ist, die an einem Photo maskenmuster so ausgeführt wird, daß ein gewünschtes Resist muster erhalten wird, und daß das Resistmuster ein Muster betrifft, das in einem Resist dadurch erzeugt wird, daß dieser Resist durch die Photomaske hindurch Belichtungslicht ausgesetzt wird, um dadurch das auf der Photomaske ausgebil dete Muster in den Resist zu übertragen, wonach der Resist entwickelt wird.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abrasterdaten-Erzeugungseinrichtung (32) und die Korrekturverarbeitungseinrichtung (34) eine Anzahl von Mikroprozessoreinheiten aufweisen, die so ausgebildet sind, daß sie eine Parallelverarbeitung ausführen.

3. Verfahren zum Erzeugen von Abrasterdaten, die zum Her stellen einer Photomaske durch Abrastern mit einem Energie abstrahlenden Strahl verwendet werden, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

- Erzeugen von Abrasterdaten auf Grundlage der Maskendaten und
- Korrigieren der Abrasterdaten gemäß einem vorbestimmten Korrekturverfahren;
- wobei die Korrektur eine solche ist, die an einem Photo maskenmuster so ausgeführt wird, daß ein gewünschtes Resist muster erhalten wird, und daß das Resistmuster ein Muster betrifft, das in einem Resist dadurch erzeugt wird, daß dieser Resist durch die Photomaske hindurch Belichtungslicht ausgesetzt wird, um dadurch das auf der Photomaske ausgebil dete Muster in den Resist zu übertragen, wonach der Resist entwickelt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Erzeugens von Abrasterdaten und der Schritt des Korrigierens der Abrasterdaten mittels Parallelverarbei tung ausgeführt werden.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das im Schritt des Korrigierens der Ab rasterdaten verwendete vorbestimmte Korrekturverfahren ein regelgestütztes Korrekturverfahren ist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das im Schritt des Korrigierens der Ab rasterdaten verwendete vorbestimmte Korrekturverfahren ein funktionsgestütztes Korrekturverfahren ist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das im Schritt des Korrigierens der Ab rasterdaten verwendete vorbestimmte Korrekturverfahren ein Photolithographiesimulations-Korrekturverfahren ist.

8. Verfahren zum Herstellen einer Photomaske, gekennzeich net durch die folgenden Schritte:

- Erzeugen von Abrasterdaten auf Grundlage von Maskendaten;
- Korrigieren der Abrasterdaten parallel zum Schritt des Er zeugens von Abrasterdaten, wobei die Korrektur hinsichtlich Photolithographieeffekten erfolgt;
- Abrastern eines auf einem Photomaskensubstrat hergestell ten Resists mittels eines Energie abstrahlenden Strahls ge mäß den korrigierten Abrasterdaten, um dadurch ein Muster in den Resist zu schreiben;
- Entwickeln des Resists, um ein Resistmuster auszubilden; und
- Herstellen eines Musters in einem Lichtsperrfilm auf der Photomaske unter Verwendung des Resistmusters als Maske.