DE19603802A1 - Spannungssonde mit Vielfachanschlußleitungen - Google Patents
Spannungssonde mit VielfachanschlußleitungenInfo
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 152
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- ZLGYJAIAVPVCNF-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-5-(3,5-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC(C=2C(=CC(Cl)=C(Cl)C=2)Cl)=C1 ZLGYJAIAVPVCNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
- G01R31/2836—Fault-finding or characterising
- G01R31/2844—Fault-finding or characterising using test interfaces, e.g. adapters, test boxes, switches, PIN drivers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49147—Assembling terminal to base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Spannungssonden zum
Leiten eines Testsignals von einem zu testenden elektroni
schen Schaltungselement zu einem Oszilloskop oder zu einem
anderen elektronischen Meßgerät, und insbesondere auf eine
derartige Sonde, die Vielfachanschlußleitungen aufweist, die
auf einer kleinen Fläche dicht gepackt sind.
Spannungssonden werden allgemein verwendet, um analoge Test
signale von einer zu testenden Schaltung zu einem Oszillo
skop oder zu einem anderen elektrischen oder elektronischen
Testgerät zu leiten. Eine derartige elektronische Sonde muß
in der Lage sein, ein elektrisches Signal auf einem Knoten
oder Anschlußstift der zu testenden Schaltung zu dem Test
gerät zu leiten, ohne dasselbe zu verzerren, d. h. mit einer
hohen Signalintegrität. Ferner sollte es weder eine Spannung
noch einen Strom an die zu testende Schaltung anlegen. Ge
genwärtige elektronische Schaltungen arbeiten bei Frequen
zen, die sich von Gleichstrom bis zu mehreren Gigahertz
erstrecken. Somit müssen Testsonden, die in der Lage sind,
mit einer breiten Vielzahl von Schaltungen verwendet zu
werden, in der Lage sein, eine hohe Signalintegrität über
eine breite Bandbreite von Frequenzen zu schaffen.
Integrierte und hybride Schaltungen werden immer komplexer
und kleiner, was dazu führt, daß immer größere Anzahlen von
Gehäuseanschlußleitungen in einen immer kleineren Raum ge
drängt werden, d. h., daß die Anschlußleitungen extrem dicht
mit sehr kleinen Zwischenräumen angeordnet werden. Die Tech
nik hat auf diese Anforderung geantwortet, indem große An
zahlen von Vorrichtungen hergestellt worden sind, die dazu
entworfen sind, um eine Schnittstelle mit Schaltungsgehäusen
zu bilden, wie z. B. PQFPs (PQFP = Plastic Quad Flat Packages
= Kunststoff-Viererflachgehäuse). Diese Vorrichtungen schaf
fen eine Verbindung zwischen dem dichten Array von Ausgangs
anschlußstiften auf einem Schaltungsgehäuse zu einem weniger
dichten Array von Ausgängen, die mit einer tragbaren Sonde
leichter manuell kontaktiert werden können.
Es ist zeitaufwendig, ein Signal nach dem anderen manuell zu
messen. Somit würde es nützlich sein, ein Sondensystem mit
einer hohen Dichte von Sondenkanälen zu haben, die über ei
nen Computer oder eine andere Auswahleinrichtung elektro
nisch ausgewertet werden können. Ein derartiges Sondensystem
wurde in der ebenfalls anhängigen U.S.-Patentanmeldung mit
der Seriennummer PD 1094751 geschaffen. Bei diesem Sonden
system ist jedoch die hohe Dichte der Verdrahtung in der zu
testenden Schaltung und in den Verbindungen durch die Sonde
selbst fortgesetzt. D.h., daß die Sonde im wesentlichen die
gleiche hohe Schaltungsanordnungsdichte wie bekannte inte
grierte und hybride Schaltungen aufweist. Die Nähe der ein
zelnen Anschlußleitungen bei derartigen Schaltungsanordnun
gen hoher Dichte resultiert im allgemeinen in einer Kopplung
zwischen den Anschlußleitungen und in einem zugeordneten
Rauschen, einer Verzerrung, usw.
Bisher waren die meisten, wenn nicht sogar alle, Gehäuse
hoher Dichte, die integrierte Schaltungen enthalten, Digi
talschaltungen. Bei der digitalen Schaltungstechnik ist eine
hohe Signalintegrität kein wesentliches Ziel, da digitale
Schaltungen nur den Anstieg oder Abfall eines digitalen
Signals erfassen müssen. Somit existiert bei digitalen
Schaltungen ein viel größerer Toleranzgrad der Kopplung, des
Rauschens, der Verzerrung, usw., als er bei analogen Schal
tungsgeräten sein kann. Ferner müssen digitale Schaltungen
nicht über eine breite Bandbreite von Frequenzen ohne Ver
zerrungen arbeiten, da bei digitalen Schaltungen kleinere
Signalformvariationen meistens unwichtig sind.
Somit schien die Entwicklung eines Sondensystems mit einer
hohen Dichte von Sondenkanälen, die elektronisch ausgewählt
werden können, unmöglich, da es schien, daß ein derartiges
System inkonsistent mit den Anforderungen gegenwärtiger Son
densysteme nach einer hohen Signalintegrität und einer hohen
Bandbreite ist.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
störungsarmes Sondensystem mit einer hohen Dichte von Son
denkanälen und ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen
Sonde zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch eine analoge Spannungssonde gemäß
Anspruch 1 und durch ein Verfahren zum Herstellen einer ana
logen Spannungssonde gemäß Anspruch 7 gelöst.
Die vorliegende Erfindung löst das obige Problem unter Ver
wendung neuer Materialien und Techniken bei der Konstruktion
der Schaltungsplatine für die Sonde. Die Schaltungsanschluß
leitungen wurden aus extrem feinen Leiterbahnen, vorzugswei
se etwa 0,0762 mm (3 Millizoll) fein, hergestellt. Ein neues
Material für die Schaltungsplatine mit einer sehr niedrigen
dielektrischen Konstante, und das in dünnen Schichten herge
stellt werden kann, wurde verwendet, um die Leiterbahnen und
die Masseebene zu trennen. Vorzugsweise ist das Material ein
Polytetrafluorethylen, wobei ein derartiges Material vor
zugsweise unter dem Warenzeichen DICLAD verkauft wird. Die
ses Material wurde zur Verwendung in der Mikrowellenelektro
nik entwickelt, es wurde jedoch herausgefunden, daß es bei
Schaltungsplatinen nützlich ist, um eine kapazitive Kopplung
mit der Masse zu reduzieren.
Zusätzlich ist jede aktive Anschlußleitung von jeder anderen
aktiven Anschlußleitung durch eine Anschlußleitung getrennt,
die mit der Masseebene verbunden ist, was eine Kopplung zwi
schen den aktiven Anschlußleitungen reduziert. Vergrabene
Widerstände in der Schaltungsplatine, die Implementierung
des Verstärkers in einem integrierten Schaltungschip und die
Verwendung von Auf-Chip-Eingangsteilernetzwerken tragen
ebenfalls zur Reduktion der Kopplung zwischen benachbarten
Sondenkanälen bei.
Zusätzlich ist die Sonde derart entworfen, daß ihre Masse
und die Masse der zu testenden Schaltungen so nah als mög
lich angeordnet sind. Dies wird erreicht, indem die Anzahl
von Sondenanschlußleitungen, die sowohl mit der Sondenmasse
als auch der Masse der zu testenden Schaltung verbunden
sind, maximiert wird. Dies wird erleichtert, indem es dem
Benutzer der Sonde erlaubt wird, die Anschlußstifte auf der
zu testenden Schaltung, welche die Massen sein sollen, zu
definieren, und dann die Sonde derart zu entwerfen, daß alle
Sondenanschlußleitungen, die auf Masse gelegten Anschluß
stiften der zu testenden Schaltung entsprechen, mit der Son
denmasse verbunden werden. Dies alles eliminiert Rauschen,
Kopplungen und Rückkopplungen über die Masse.
Die Erfindung schafft eine analoge Spannungssonde mit fol
genden Merkmalen: einer integrierten Schaltung mit einer
Mehrzahl von IC-Eingängen (IC = Integrated Circuit), einem
Ausgang und einem analogen Verstärker, der zwischen die Ein
gänge und den Ausgang schaltbar ist; einer Schaltungsplatine
mit einer Sondenmasse einschließlich einer Masseebene; einer
Mehrzahl von Eingangsanschlußleitungen, wobei ein Ende jeder
Anschlußleitung mit einem der IC-Eingänge verbunden ist und
das andere Ende angepaßt ist, um mit einer zu testenden
Schaltung verbunden zu werden, wobei jede Anschlußleitung
eine Leiterbahn auf der Schaltungsplatine aufweist, wobei
jede Leiterbahn zwischen 0,0127 mm (0,5 Millizoll) und 0,127
mm (5 Millizoll) breit ist; und wobei die Schaltungsplatine
ferner ein dielektrisches Material zwischen der Masseebene
und den Leiterbahnen aufweist, wobei die dielektrische Kon
stante des dielektrischen Materials 5 oder weniger ist. Vor
zugsweise umfaßt die analoge Spannungssonde ferner eine
Mehrzahl von Zwischenanschlußleitungen, wobei jede Zwischen
anschlußleitung zwischen einem benachbarten Paar der Ein
gangsanschlußleitungen positioniert ist und jede Zwischen
anschlußleitung mit der Sondenmasse verbunden ist, wodurch
jede Eingangsanschlußleitung von benachbarten Anschlußlei
tungen durch eine auf Masse gelegte Zwischenanschlußleitung
getrennt ist. Vorzugsweise beträgt die dielektrische Kon
stante 2,2 und das dielektrische Material weist DICLAD-Poly
tetrafluorethylen mit einer Dicke zwischen 0,1016 mm (4 Mil
lizoll) und 0,1524 mm (6 Millizoll) auf. Vorzugsweise umfaßt
jede Eingangsanschlußleitung ferner einen Widerstand, der in
der Schaltungsplatine vergraben ist, wobei die analoge Span
nungssonde ferner eine Mehrzahl von Auf-Chip-Eingangsteiler
netzwerken aufweist, wobei jedes dieser Netzwerke mit einer
Eingangsanschlußleitung verbunden ist.
Bei einem weiteren Aspekt schafft die Erfindung eine analoge
Spannungssonde mit folgenden Merkmalen: einer Mehrzahl von
Sondeneingängen, einem Ausgang und einem analogen Verstär
ker, der zwischen die Eingänge und den Ausgang schaltbar
ist; einer Schaltungsplatine einschließlich einer Sonden
masse; einer Mehrzahl von Eingangsanschlußleitungen, die
zwischen die Eingänge und den Verstärker geschaltet sind,
wobei jede Anschlußleitung eine Leiterbahn auf der Schal
tungsplatine aufweist; und einer Mehrzahl von Zwischenan
schlußleitungen, wobei jede Zwischenanschlußleitung zwischen
einem benachbarten Paar der Eingangsanschlußleitungen posi
tioniert ist und jede Zwischenleitung mit der Sondenmasse
verbunden ist, wodurch jede Eingangsanschlußleitung von be
nachbarten Eingangsanschlußleitungen durch eine auf Masse
gelegte Zwischenanschlußleitung getrennt ist. Vorzugsweise
werden ausgewählte Eingangsanschlußleitungen mit der Sonden
masse verbunden. Vorzugsweise umfaßt die Sonde eine inte
grierte Schaltung, wobei der analoge Verstärker in der inte
grierten Schaltung positioniert ist. Vorzugsweise umfaßt die
Sondenmasse eine Stromrückwegmasse, um einen Hochfrequenz
strom von der Sondenschaltung zu entfernen.
Bei einem weiteren Aspekt schafft die Erfindung ein Verfah
ren zum Herstellen einer Spannungssonde des Typs, der mit
einer zu testenden Schaltung verbindbar ist, wobei die zu
testende Schaltung eine Schaltungsmasse und eine Mehrzahl
von Schaltungsknoten aufweist und das Verfahren folgende
Schritte aufweist: Schaffen einer analogen Spannungssonde,
die eine Schaltungsplatine einschließlich einer Sondenmasse
und einer Mehrzahl von Eingangsanschlußleitungen aufweist,
wobei die Eingangsanschlußleitung eine Leiterbahn auf der
Schaltungsplatine aufweist, und jede der Mehrzahl von Ein
gangsanschlußleitungen angepaßt ist, um mit einem speziellen
Knoten der schaltungsknoten verbunden zu werden; und Ver
binden jeder Eingangsanschlußleitungen, die ausgewählten
Schaltungsknoten entspricht, mit der Sondenmasse. Vorzugs
weise weist der Schritt des Verbindens das Auswählen, welche
der Schaltungsknoten mit der Schaltungsmasse verbunden wer
den, und das Verbinden jeder Eingangsanschlußleitung, die
den Knoten entspricht, die ausgewählt sind, um mit der
Schaltungsmasse verbunden zu werden, mit der Sondenmasse
auf. Vorzugsweise wird der Schritt des Auswählens durch den
Benutzer der Schaltung durchgeführt, wobei der Schritt des
Verbindens das Maximieren der Anzahl der ausgewählten Schal
tungsknoten und daher das Maximieren der Anzahl von Verbin
dungen zwischen der Schaltungsmasse und der Sondenmasse auf
weist. Vorzugsweise umfaßt der Schritt des Schaffens ferner
das Schaffen einer Mehrzahl von Zwischenanschlußleitungen,
wobei jede Zwischenanschlußleitung zwischen einem benach
barten Paar der Eingangsanschlußleitungen positioniert ist,
wobei der Schritt des Verbindens ferner das Verbinden jeder
Zwischenanschlußleitung mit der Sondenmasse aufweist, wo
durch jede Eingangsanschlußleitung von benachbarten Ein
gangsanschlußleitungen durch eine auf Masse gelegte Zwi
schenanschlußleitung getrennt ist.
Die Erfindung schafft nicht nur eine tragbare Spannungsson
de, die Hunderte von Sondenkanälen aufweist, während eine
hohe Bandbreite und eine hohe Signalintegrität beibehalten
werden, sondern dieselbe führt dies einfach durch, wodurch
es möglich ist, daß die Sonde relativ preisgünstig herge
stellt werden kann.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltdiagramm des bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels eines elektronischen Sondensystems
gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ein Blockschaltdiagramm eines typischen PQFP-Son
denkopfs mit hoher Dichte des Sondensystems von
Fig. 1;
Fig. 3 ein Detail eines Sondenkopfs von Fig. 2, das die
Struktur und Anordnung der Schaltung einschließlich
von Anschlußleitungen und integrierten Schaltungs
chips zeigt;
Fig. 4 ein Querschnitt entlang der Linie 4-4 von Fig. 3;
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Sondenkopfs ge
mäß der Erfindung und eines PQFP, das zeigt, wie
der Sondenkopf an dem PQFP angebracht ist;
Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm der Eingangsschaltung, die
das Eingangsteilernetzwerk aufweist, der integrier
ten Schaltung von Fig. 7;
Fig. 7 ein Blockschaltdiagramm eines integrierten Schal
tungschips von Fig. 3.
Fig. 1 zeigt das bevorzugte Ausführungsbeispiel eines analo
gen Spannungssondensystems 100, bei dem die Erfindung imple
mentiert ist. Es sollte offensichtlich sein, daß das in den
Figuren und hierin beschriebene spezifische System beispiel
haft ist, d. h. daß die Absicht besteht, bevorzugte Beispiele
der Erfindung zu zeigen, damit Fachleute dieselbe voll und
ganz verstehen und implementieren können. Es ist nicht beab
sichtigt, die Erfindung auf die spezifischen hierin be
schriebenen und gezeigten Beispiele zu begrenzen.
In dieser Offenbarung bedeutet der Ausdruck "elektrisch ver
bunden", wenn er bei zwei elektrischen Elementen, wie z. B.
einem Eingang und einem Ausgang verwendet wird, daß ein
elektrisches Signal, wie z. B. eine Spannung, ein Strom, ein
analoges Signal oder ein digitales Signal, von einem Element
zu dem anderen laufen wird. Dies dient zur Unterscheidung
einer physischen Verbindung durch elektrische Komponenten.
Ein Eingang und ein Ausgang kann beispielsweise durch Dräh
te, Verstärker, Transistoren, Widerstände und andere elek
trische Komponenten physisch verbunden sein, wobei jedoch
kein Signal von dem Eingang zu dem Ausgang laufen wird, da
eines oder mehrere der Schalt- oder Verstärkungs-Komponenten
ausgeschaltet sein kann. In diesem Fall sind der Eingang und
der Ausgang nicht "elektrisch verbunden". In dieses Offenba
rung meint der Ausdruck "Verstärker" eine elektronische
Schaltung, die Signale weiterleitet, wobei gewöhnlich die
Amplitude verändert wird, jedoch keine wesentliche Verzer
rung auftritt. Der Ausdruck "Verstärker" umfaßt ferner 1 : 1-Ver
stärker sowie negative Verstärker und nicht nur Verstär
ker mit einem positiven Gewinn.
Das Sondensystem 100 umfaßt drei PQFP-Sonden, wie z. B. 101,
von denen jede einen Sondenkopf wie z. B. 103 und zwei Ko
axialkabel 115 aufweist. Jeder der Sondenköpfe 102, 103 und
104 weist eine spezifische Anzahl von Eingängen 105 (In =
Ein) auf und ist mechanisch in einem Sondenkörper 515 (Fig.
5) gehäust, wobei der Sondenkörper entworfen ist, um ohne
weiteres in einer Hand gehalten zu werden und ohne weiteres
mit einem spezifischen PQFP 510 (Fig. 5) mechanisch gekop
pelt zu werden. Die Sondeneingänge 105 in der Form eines
Schaltungsgruppenarrays 520 sind entworfen, um ohne weiteres
mit den Eingängen des spezifizierten PQFP elektrisch gekop
pelt zu werden. Der Sondenkopf 102 ist beispielsweise ent
worfen, um an ein PQFP mit 240 Anschlußstiften gekoppelt zu
werden, wobei der Sondenkopf 103 entworfen ist, um an ein
PQFP 530 mit 208 Anschlußstiften gekoppelt zu werden, wäh
rend der Sondenkopf 104 entworfen ist, um an ein PQFP mit
160 Anschlußstiften gekoppelt zu werden.
Das beispielhafte Sondensystem 100 umfaßt ferner eine All
zweck-Einzelpunktsonde 106, welche neun Sondenspitzen 108
und eine Schaltungsgruppe 109 umfaßt. Jede Sondenspitze 108
ist über ein 50-Ohm-Koaxialkabel 110 mit der Schaltungsgrup
pe 109 verbunden. Die Allzwecksonde 106 kann verwendet wer
den, um Schaltungen zu testen, bei denen kein spezifischer
Sondenkopf verfügbar ist.
Das Sondensystem 100 weist zwei Ausgänge 129 und 130 auf.
Auf ähnliche Weise weisen die meisten System-Komponenten,
wie z. B. die Sondenköpfe 102 - 104 und die Schaltungsgruppe
109 zwei Ausgänge (Out = Aus), wie z. B. 111 und 112 auf. In
jedem Fall wird ein Ausgang als der "A"-Ausgang (OutA) und
der andere Ausgang als der "B"-Ausgang (OutB) bezeichnet.
Jeder Sondenkopf 102, 103, 104, kann beliebige seiner Ein
gänge 105 mit entweder einem oder seinen beiden Ausgängen
verbinden. Der Sondenkopf 103 kann beispielsweise einen
beliebigen seiner 240 Eingänge mit entweder einem oder sei
nen beiden Ausgängen 111 und 112 verbinden. Jeder dieser ge
trennten Wege durch das System, denen ein Signal von einem
ausgewählten Eingang der Eingänge 105 oder Sondenspitzen 108
zu einem ausgewählten Sondenausgang der Sondenausgänge 129
und 130 folgen kann, definiert einen Kanal. In dem Fall der
Sonde 100 und ihrer Komponenten laufen allgemein die Hälfte
der Kanäle durch den "A"-Ausgang 129 und die Hälfte der Ka
näle durch den "B"-Ausgang 130. Es wird angemerkt, daß nach
folgend in einigen Fällen elektronische Schaltungen oder
Elemente als auf der "A"-Ausgangsseite oder eine Komponente
als eine "A"- oder "B"-Kanalkomponente bezeichnet werden.
Das Sondensystem 100 umfaßt ferner eine gedruckte Schal
tungsplatine (PCB; PCB = Printed Circuit Board) 120, welche
in einen Logikanalysator 130 paßt, der entworfen ist, um
eine Schnittstelle mit der Sonde zu bilden, wobei der Lo
gikanalysator in der Technik manchmal als ein "Grundgerät"
oder "main frame" bezeichnet wird. Die PCB 120 enthält eine
Kanalauswahl-Programmierschaltung 121, eine Kalibrations
steuerungsschaltung 122, eine Versatzsteuerungsschaltung
oder Offsetsteuerungsschaltung 123 und eine Sondenleistungs
schaltung 124, wobei die Schaltungen gemeinsam einen Mikro
prozessor 125 und seinen zugeordneten Speicher 126 verwen
den. Die Kanalauswahl-Programmiereinrichtung 121 weist bei
spielsweise den Speicher 126 und den Mikroprozessor 125 auf,
derart, daß eine Kanalauswahlsoftware, die in dem Speicher
126 gespeichert ist, von dem Mikroprozessor 125 verwendet
wird, um Ausgangssignale zu liefern, die bewirken, daß die
Programmiervorrichtung 121 über ein Kabel 160 Daten an Pro
gramm-Latch-Speicher (nicht gezeigt) in der Sonde 100 aus
gibt. Der Mikroprozessor 125 und der Speicher 126 befinden
sich nicht auf der PCB 120, sie sind jedoch in dem Grund
gerät 133 und deshalb mit einer gestrichelten Umrandung ge
zeigt. Die verschiedenen Schaltungen 121-126 auf der PCB
120 umfassen weitere elektrische Elementen und Verbindungen,
die für Fachleute aus der folgenden Beschreibung offensicht
lich sein werden.
Die PCB 120 umfaßt ferner einen Zweite-Ebene-Multiplexer
127. Der Multiplexer 127 ist als ein IC-Chip auf der PCB 120
implementiert und derselbe ist in der Lage, einen beliebigen
seiner acht Eingänge mit entweder einem oder seinen beiden
Ausgängen 129 und 130 zu verbinden. Zusätzlich umfaßt das
Sonnensystem 100 eine Einrichtung 140 zum Eingeben von
Steuerungssignalen, wie z. B. zum Programmieren des Zwei
te-Ebene-Multiplexers 127, der Sondenköpfe 102 bis 104 und der
Schaltungsgruppe 109. Bei dem bevorzugten Ausführungsbei
spiel umfaßt die Einrichtung 140 Wählscheiben 141 und eine
Tastatur 142, obwohl fast jede Vorrichtung zum Erzeugen
elektrischer Steuerungssignale verwendet werden könnte. Bei
dem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Wählscheiben
141 auf der Frontplatte des Logikanalysators 133 positio
niert, wobei die Tastatur die Tastatur einer Computer-Ar
beitsstation ist. Aus Gründen der Einfachheit sind sie je
doch als eine gemeinsame Steuerungssignaleingabeeinrichtung
140 gezeigt. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel bilden
mehrere Wählscheiben 145 zusammen mit der Kanalauswahl-Pro
grammiereinrichtung 121 eine Auswahleinrichtung 143 zum Aus
wählen eines der Sondeneingänge 105, 108 und eines der Son
denausgänge 129 oder 130, während eine Wählscheibe 146 zu
sammen mit der Kanalauswahl-Programmiereinrichtung 121 eine
Gewinnauswahleinrichtung 144 bilden, um einen einer Mehrzahl
von möglichen Gewinnen für Signale auszuwählen, die von dem
ausgewählten Eingang zu dem Ausgang laufen.
Die Ausgänge 111, 112 der Sondenköpfe 102 bis 104 und die
Schaltungsgruppe 109 sind über 50-Ohm-Standardkoaxialkabel
115 mit dem Zweite-Ebene-Multiplexer 127 verbunden. Die Aus
gänge 129, 130 des Zweite-Ebene-Multiplexers 127 sind mit
einem Testgerät, wie z. B. einem Oszilloskop 150, über
50-Ohm-Koaxialkabel 149 verbunden. Die Steuerungs-PCB 120 ist
über ein mehradriges Kabel 160 mit den Sondenköpfen 102 bis
104, der Schaltungsgruppe 109 und dem Zweite-Ebene-Multi
plexer 127 verbunden. Das mehradrige Kabel 160 umfaßt her
kömmliche Leistungsleitungen, eine serielle Schnittstelle
einschließlich Daten- und Takt-Leitungen und andere Leitun
gen. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Ko
axialkabel 115 und die Drähte 160 in einem einzigen Kabel
zusammengebunden.
Wie aus der obigen Beschreibung des Sondensystems zu sehen
ist, umfaßt es hunderte von Kanälen, die in einem Gerät, wie
z. B. dem Sondenkopf 103, zusammengepackt sind, das in einer
Hand gehalten werden kann. Offensichtlich müssen die Kanäle
physikalisch sehr nah zueinander angeordnet sein. Fig. 3
zeigt einen Abschnitt eines Sondenkopfes, der in seiner ho
rizontalen Dimension etwa 1,27 cm (0,5 Zoll) mißt. Dieser
Anschnitt umfaßt etwa 50 Anschlußleitungen 302, die eine
Verbindung mit den integrierten Schaltungschips, wie z. B.
202, herstellen, die sich alle auf einer gedruckten Schal
tungsplatine 306 befinden. Die Erfindung umfaßt den physi
schen Entwurf und die Struktur der Anschlußleitungen 302,
der Schaltungsplatine 306 und der integrierten Schaltungs
chips, welcher es erlaubt, daß so viele Kanäle so dicht ge
packt werden können, wobei gleichzeitig die hohe Signal
integrität und die hohe Bandbreite, die aus Gerätegründen
gefordert werden, beibehalten werden.
Bezugnehmend nun auf Fig. 2 ist ein Blockschaltdiagramm
einer PQFP-Sonde 101 mit zweihundertacht Anschlußstiften
gezeigt. Die Sonde 101 umfaßt den Sondenkopf 103 und die
Koaxialkabel 115. Der Sondenkopf 103 umfaßt einen Speicher
201, vier anwendungsspezifische integrierte Schaltungschips
202 bis 205, zweihundertacht Sondeneingänge 105, zweihun
dertacht Eingangswiderstände, wie z. B. 209, acht Ausgangswi
derstände, wie z. B. 210, 50-Ohm-Mikrostreifen-"Koaxiallei
tungen" 214 und 215 und Mikrostreifen-Abschlußwiderstände
212 und 213.
Der Speicher 201 ist über ein Drahtkabel 240, vorzugsweise
eine serielle Schnittstellenverbindung, in einem Kabelbündel
160 mit der Kalibrationssteuerungsschaltung 122 (Fig. 1)
verbunden. Der integrierte Schaltungschip 202 ist über ein
Kabel 242 in dem Kabelbündel 160, das ferner vorzugsweise
eine serielle Schnittstellenverbindung ist, mit der Kanal
auswahl-Programmiereinrichtung 121 verbunden. Jeder der
Chips 202 bis 205 ist über eine Schaltungsverbindung, wie
z. B. 243, mit dem nächsten Chip seriell verbunden. Diese
Verbindung über die Leitung 242 und die integrierte Schal
tungsverbindungen, wie z. B. 243, übertragen sequentiell Da
ten durch Latch-Speicher (nicht gezeigt) in den ICs, um zu
programmieren, welcher der Sondenkanäle aktiv sein wird,
d. h. welche Sondenkanäle ein Signal zu einem Testgerät 150
leiten werden. Jeder Sondeneingang 105 ist über einen Wi
derstand 209 mit einem der IC-Eingangsanschlußstifte 230
verbunden. Jeder der IC-Chips 202 bis 205 umfaßt einen "A"-Aus
gang und einen "B"-Ausgang. Jeder der "A"-Ausgänge ist
über einen Widerstand 210 und über eine Streifenleitung 214
mit dem Sondenkopfausgang 111 verbunden. Jeder der "B"-Aus
gänge ist über einen Widerstand 211 und über eine Streifen
leitung 215 mit dem Sondenkopfausgang 112 verbunden. Jede
Streifenleitung 214, 215 ist über Abschlußwiderstände 212
bzw. 213 mit der Masse verbunden. Es wird angemerkt, daß bei
dieser Offenbarung die Masse durch ein Dreieck, wie z. B. 220,
gezeigt ist.
Die Widerstände 209 sind vorzugsweise 150-Ohm-Widerstände,
die in der gedruckten Schaltungsplatine 306 (Fig. 3) des
Sondenkopfes 103 eingebettet sind. Die Widerstände 210, 211,
212 und 213 sind vorzugsweise 50-Ohm-Widerstände. Jeder der
IC-Chips 203-205 ist identisch und ein anwendungsspezifi
scher integrierter Schaltungschip, wie nachfolgend beschrie
ben wird.
In Fig. 3 ist ein Abschnitt eines Sondenkopfes 103 gezeigt.
Dieser Abschnitt des Sondenkopfes 103 wurde stark ver
größert, um Details zu zeigen. Die tatsächliche Größe des
gezeigten Abschnitts beträgt etwa 0,9525 cm × 1,27 cm (3/8
Zoll × 1/2 Zoll), obwohl die verschiedenen Teile nicht maß
stabsgerecht sein dürften. Fig. 3 zeigt einen integrierten
Schaltungschip 202 und einen Abschnitt eines weiteren, An
schlußleitungen 302 und ein Masseelement 304. Die Anschluß
leitungen 302 sind vorzugsweise durch Drahtverbindungen 305
mit den Eingangsanschlußstiften 230 des Chips 202 verbunden.
Die Anschlußleitungen 302 umfassen Eingangsanschlußleitun
gen, wie z. B. 308, welche den Chip 202 mit den Eingängen 105
verbinden, und Zwischenanschlußleitungen 309, welche den
Chip 202 mit dem Masseelement 304 verbinden. Jede Eingangs
anschlußleitung 308 umfaßt einen Anschluß 310, einen vergra
benen Widerstand 209 und einen Leiterbahnabschnitt 312. Der
Anschlußabschnitt 316 ist mittels eines plattierten Durch
gangsloches 316 mit einem Schaltungsgruppenarray 520 (Fig.
5) verbunden. Die Anschlüsse 310 sind in einem Paar von ver
setzten Reihen 321 und 322 vorhanden. Das Masseelement 304
ist mittels plattierter Durchgangslöcher (wie z. B. 326), mit
der unteren Masseebene 412 verbunden. Es existieren ausrei
chende derartige Durchgangslöcher 326, derart, daß das Mas
seelement 304 als eine Erweiterung der Masseebene 412 be
trachtet werden kann. Isolierungszwischenräume, wie z. B.
328, trennen die Eingangsanschlußleitungen 308 und die Zwi
schenanschlußleitungen 309. Bei ausgewählten Eingangsleitun
gen 308, wie z. B. 338, werden die Zwischenräume 328 von Lei
tern (wie z. B. 332) überspannt, welche diese bestimmten Ein
ganganschlußleitungen 338 mit dem Masseelement 304 verbin
den. Nachfolgend wird beschrieben, wie diese Eingangsan
schlußleitungen 338 ausgewählt werden.
Ein Querschnitt des Sondenkopfes 103 entlang der Linie 4-4
in Fig. 3 ist in Fig. 4 gezeigt. Der Querschnitt zeigt die
Schaltungsplatine 306 und die Leiterbahnen 312, die auf der
Platine gebildet sind. Die Schaltungsplatine 306 umfaßt eine
obere Masseebene 410, die untere Masseebene 412 und ver
schiedene weitere leitende Elemente, wie z. B. 430 und 434,
welche durch Isolierungsschichten 420, 421, 422 und 427 ge
trennt sind. Die Leiter 214 und 215 tragen die Ausgangssi
gnale. Die Leiter 434 sind Leitungen, wie z. B. 240 und 242
(Fig. 2), welche Datensignale zu den Chips 202 tragen, oder
sie sind Leistungsversorgungsleitungen, usw.
Vorzugsweise bestehen die Leiterbahnen 312 aus Gold-plat
tiertem Kupfer oder anderen geeigneten Leiterbahnenmateria
lien, wobei sie zwischen 0,0254 mm (1 Millizoll) und 0,0762
mm (4 Millizoll) dick sind, d. h. in der vertikalen Richtung
in Fig. 4. Vorzugsweise weisen die Leiterbahnen 312 eine
Breite zwischen 0,0254 mm (1 Millizoll) und 0,076 mm (3
Millizoll) und etwa eine Dicke von 0,0254 mm (1 Millizoll)
auf.
Vorzugsweise ist die dielektrische Schicht 420 zwischen den
Leiterbahnen 312 und der Masseebene 410 dünn. Es wurde
herausgefunden, daß hier ein Kompromiß besteht: je dünner
die dielektrische Schicht 420 ist, umso niedriger wird die
Kopplung zwischen den Leiterbahnen, wobei jedoch die Ein
gangskapazität umso größer wird. Vorzugsweise liegt die
Dicke zwischen 0,1016 mm (4 Millizoll) und 0,1524 mm (6
Millizoll). Bevorzugterweise ist sie 0,127 mm (5 Millizoll)
dick. Die dielektrische Konstante des Materials 420 ist
niedrig und vorzugsweise zwischen 0,5 und 5. Bevorzugter
weise beträgt sie 2,2. Das Dielektrikum 420 ist vorzugsweise
Polytetrafluorethylen und bevorzugterweise das Polytetra
fluorethylen, das unter dem Warenzeichen DICLAD 880 von
Arlon Microwave Materials Division verkauft wird, obwohl
weitere Materialien mit den obigen Eigenschaften ebenfalls
verwendet werden können.
Vergrabene Widerstände 209, die jeweils vorzugsweise 0,3302
mm (13 Millizoll) breit und 0,508 mm (20 Millizoll) lang
sind, bestehen aus einem 0,127 µm (0,5 Mikrozoll) dicken
Material mit 100 Ohm pro Quadrat und weisen vorzugsweise
einen Wert von 150 Ohm auf. Die Verwendung vergrabener
Widerstände erlaubt es, daß der Eingangsdämpfungswiderstand
sehr nahe am Eingang positioniert wird, was die Dämpfung der
Schaltungsantwort wesentlich verbessert. Gleichzeitig er
laubt die Verwendung vergrabener Widerstände eine hohe Dich
te an Widerständen. Die Isolierungsschicht 427 ist tatsäch
lich in mehreren Schichten ausgebildet, wobei die Details
dieser Schichten nicht gezeigt sind, da diese Details ent
weder redundant sind, oder bereits erörterte Details sind
oder sich auf herkömmliche Materialien und Dicken beziehen.
Die Isolierungsschichten 421 und 422 bestehen vorzugsweise
aus FR4, welches in der Technik der gedruckten Schaltungs
platinen bekannt ist, oder aus einem weiteren herkömmlichen
Material für gedruckte Schaltungsplatinen.
Die Kombination dünner Leiterbahnen 312 und einer dünnen
Trennung mit niedriger dielektrischer Konstante zwischen den
Leiterbahnen 312 und der Masseebene 410 ist von entscheiden
der Bedeutung, um eine Sonde mit einer hohen Signalintegri
tät und einer breiten Bandbreite zusammen mit einer hohen
Kanaldichte zu schaffen. Die Kombination der dünnen Leiter
bahnen 312 und des dünnen dielektrischen Materials 420 ist
wichtig, um eine Kopplung zwischen den Anschlußleitungen
über die Masse zu reduzieren. Die niedrige dielektrische
Konstante resultiert in einer niedrigen Kapazität zwischen
den Anschlußleitungen 302 und der Masse 410.
Ein wichtiges Merkmal der Schaltung auf der Schaltungspla
tine 306 besteht darin, daß jede zweite Anschlußleitung 302
eine Zwischenanschlußleitung ist, die mit der Masse verbun
den ist. Somit ist jede Eingangsanschlußleitung von jeder
anderen Eingangsanschlußleitung durch eine Masse getrennt.
Dieses Merkmal reduziert wesentlich die Kopplung und ist
ferner von entscheidender Bedeutung, um eine hohe Signal
integrität und eine breite Bandbreite zu schaffen.
Fig. 5 zeigt eine PQFP-Sonde 101 und ein PQFP 510. Die
Schaltungsplatine 306 ist in einem Sondenkörper 515 gehäust
und, wie bereits oben angemerkt wurde, stellt mittels plat
tierter Durchgangslöcher einen Kontakt mit dem Schaltungs
gruppenarray 520 her. Das Schaltungsgruppenarray 520 bildet
die Eingänge 105 zu der Sonde 101. Dasselbe weist einen spe
ziellen Entwurf auf, welcher in einer getrennten Patentof
fenbarung offenbart ist. Derselbe ist entworfen, um einen
guten elektrischen Kontakt zwischen den Knoten der zu tes
tenden Schaltung, d. h. den Anschlußstiften 530, 538 des PQFP
510, und den Anschlüssen 310 der Eingangsanschlußleitungen
309 herzustellen.
Ein wichtiges Merkmal der Sonde 101 besteht darin, daß sie
derart entworfen ist, daß die Masse 304 und die Masse 504
der zu testenden Schaltung 510 so nah als möglich angeordnet
werden können. Die Masse 504 der PQFP 510 ist lediglich all
gemein und in Fig. 5 lediglich angedeutet gezeigt, da sie
üblicherweise ein Element sein wird, das dem Element 304 von
Fig. 3 ähnlich ist, welches innerhalb der Flachgehäusestruk
tur positioniert ist. Die beiden Massen 304 und 305 werden
so nah als möglich angeordnet, indem die Anzahl von Sonden
anschlußleitungen 302, die sowohl mit dem Sondenmassenele
ment 304 als auch der Masse 504 der zu testenden Schaltung
510 verbunden werden, maximiert wird. Dies wird erleichtert,
indem es dem Benutzer der Sonde ermöglicht wird, die An
schlußstifte 538 auf der Schaltung 510, welche auf Masse
gelegt werden sollen, zu definieren, und dann die Sonde
derart zu entwerfen, daß alle Sondeneingangsanschlußlei
tungen 309, die den auf Masse gelegten Anschlußstiften 538
auf der zu testenden Schaltung 510 entsprechen, mit dem
Sondenmassenelement 304 verbunden werden. D.h., daß der
Benutzer, wenn er ein Sondensystem 100 bestellt, bestimmte
erwünschte Merkmale, wie z. B. die Anzahl der Sonden 102,
103, usw., die Anzahl der Eingänge 105, die für jeden Son
denkopf erwünscht sind, und das spezielle Schaltungsgehäuse,
mit dem der Sondenkopf zusammenpassen soll, wie z. B. ein
PQFP, spezifizieren wird. Gemäß der Erfindung wird der Be
nutzer ferner angeben, welche ausgewählten Anschlußstifte
538 des Gehäuses 510 Massen sind. Die Sondenköpfe 102, 103,
usw. werden dann wie oben beschrieben hergestellt oder es
werden bereits hergestellte Sondenköpfe aus dem Lagerbestand
entnommen. Ausgewählte Anschlußleitungen, wie z. B. 338, der
Anschlußleitungen 309 entsprechen einem auf Masse gelegten
Anschlußstift 538. D.h., daß ausgewählte Anschlußleitungen
338 mittels Anschlüsse, wie z. B. 339, mittels Durchgangs
löcher, wie z. B. 340, und mittels eines Schaltungsgruppen
arrays 520 mit einem auf Masse gelegten Anschlußstift 538
verbunden sind. Vor dem Liefern zu dem Kunden werden die
elektrischen Verbindungen zwischen jeder der Eingangsan
schlußleitungen 338, welche einem auf Masse gelegten An
schlußstift 538 entsprechen, und dem Masseelement 304 herge
stellt. Vorzugsweise wird diese elektrische Verbindung durch
einfaches Aufbringen eines Tropfens Lötmittel zwischen dem
Anschluß 339 der Anschlußleitung 338 und dem Masseelement
304 hergestellt, wie es bei 332 gezeigt ist. Somit ist die
Masseebene 412 des Sondenkopfs 103 dann mit der Masse der zu
testenden Schaltung 510 verbunden. Je mehr Anschlußleitungen
309 mit den auf Masse gelegten Anschlußstiften 538 und mit
dem Masseelement 304 verbunden sind, umso niedriger ist der
Gesamtwiderstand zwischen den Massen der Schaltung 510 und
der Sonde 111 und umso näher wird das Potential der beiden
Massen sein. Durch das Herstellungsverfahren der Erfindung,
das gerade beschrieben wurde, wird die Anzahl von Eingangs
anschlußleitungen, die die Massen des Sondenkopfes 103 und
der Schaltung 510 verbinden, maximiert. Somit werden Signal
verzerrungen und weitere mögliche Probleme, die durch un
gleiche Massen bewirkt werden, minimiert.
Aus dem obigen ist zu sehen, daß bei den üblichen Anwendun
gen der Erfindung sowohl die Zwischenanschlußleitungen 308
als auch ausgewählte 338 der Eingangsanschlußleitungen mit
dem Masseelement 304 verbunden sein werden. Die Eingangs
anschlußleitungen 309, die nicht mit der Masse sondern mit
den Anschlußstiften 503 der zu testenden Schaltung verbunden
sind, sind aktiv, d. h. sie tragen ein Signal an einem gewis
sen Punkt in dem Zyklus der Schaltung 510, und werden hier
als "aktive Anschlußleitungen" bezeichnet.
Fig. 7 ist ein Blockschaltdiagramm eines integrierten Schal
tungschips 202. Der Chip 202 umfaßt einen "A"-Kanal-Multi
plexerverstärker 704, eine programmierbare Ausgangsstufe
705, einen "B"-Kanal-Multiplexerverstärker 706 und eine
programmierbare Ausgangsstufe 707. Die Kanäle "A" und "B"
sind identisch, weswegen nur einer beschrieben wird. Der
"A"-Multiplexerverstärker 704 ist ein 54 : 1-Multiplexerver
stärker, der drei 18 : 1-Multiplexerverstärker 710, 711 und
712 umfaßt. Wieder sind alle drei Multiplexerverstärker
identisch, weswegen nur der Multiplexerverstärker 710 de
tailliert erörtert wird. Der Multiplexerverstärker 710 kann
als ein 18 : 1-Multiplexer 720, ein Rückkopplungs-Differenz
verstärker 722 und eine Kabelkompensationsschaltung 750, die
Widerstände 752 und 755 und Kondensatoren 752 und 754 auf
weist, betrachtet werden. Der Rückkopplungsverstärker 724
umfaßt einen programmierbaren Verstärker 725 und eine Rück
kopplungs- und Spannungsteilerschaltung, die Widerstände 726
und 728 aufweist, auf.
Der IC-Chip 202 umfaßt vierundfünfzig Eingänge, obwohl aus
Einfachheitsgründen nur neun gezeigt sind. Jeder Eingang ist
mit einem 1/20-Eingangsteiler, wie z. B. 762 verbunden, wobei
jeder Eingangsteiler mit einem Eingang des "A"-Multiplexer
verstärkers 704 und einem Eingang des "B"-Multiplexerver
stärker 706 verbunden ist. Der Ausgang 770 des Multiplexer
verstärkers 704 ist mit dem Eingang einer programmierbaren
Ausgangsstufe 705 verbunden, wobei der Ausgang 772 der pro
graminierbaren Ausgangsstufe die "A"-Kanalausgabe des Chips
liefert. Ein Datensignal wird zu dem ersten 18 : 1-Multiplexer
720 auf einer Leitung 780 von der Programmiereinrichtung 121
geliefert, wenn dies der erste Chip, wie z. B. 202, in einem
Sondenkopf ist, oder dasselbe wird von dem letzten Latch-Spei
cher (nicht gezeigt) in dem vorhergehenden Chip gelie
fert, wenn dies nicht der erste Chip in dem Sondenkopf ist.
Die Daten werden über eine Leitung 781 von dem Multiplexer
720 in den nächsten Multiplexer 721 und dann über eine Lei
tung 782 in den nächsten Multiplexer in den "A"-Kanal, und
dann zu den Multiplexern in dem "B"-Kanal auf einer Leitung
783, dann über eine Leitung 786 zu der "B"-Kanalausgangsstu
fe 707 und dann über eine Leitung 787 zu der "A"-Kanalaus
gangsstufe eingespeist. Dieser IC-Chip ist in der U.S.-Pa
tentanmeldung Seriennummer PDN 1094751 weitergehend be
schrieben, welche hier durch Bezugnahme aufgenommen ist.
Fig. 6 zeigt ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Ein
gangsteilers 762. Ein wichtiges Merkmal dieses Teilers ist,
daß er auf dem IC-Chip 202 ist, was es möglich macht, die
IC-Geometrie auszunützen, die eine große Anzahl von Netz
werken mit hoher Impedanz auf kleinen Flächen erlaubt und
immer noch eine niedrige Kopplung liefert. Der Eingangs
teiler 762 umfaßt den Eingang 230, eine Masseleitung GndF
612, eine Masseleitung GndS 614, einen Kompensationskon
densator 602 und Widerstände 604, 606, 608 und 610. Die
Masse GndS ist die "Erfassungs"-Masse der Verbindungsan
schlußfläche, auf der der IC positioniert ist, während die
Masse GndF eine spezielle Stromrückwegmasse ist, um einen
Hochfrequenzstrom von der Anschlußfläche zu entfernen. Wei
tere Kapazitäten, die keine tatsächlichen Bauelemente in
nerhalb des Teilernetzwerks sind, die jedoch betrachtet wer
den müssen, damit der Teiler wie gewünscht funktioniert,
sind in Fig. 6 gezeigt. Diese umfassen die Anschlußflächen
kapazität 630, welche die Nettoausgangskapazität der Ver
bindungsanschlußfläche ist, auf der der Chip positioniert
ist, die Verstärkerkapazität 640, welche die Eingangskapa
zität des Multiplexerverstärkers ist, mit dem der Ausgang
763 des Eingangsteilers 202 verbunden ist, eine Streukapa
zität 651, welche die Streukapazität zwischen dem Eingang
230 und der Masse GndS 612 ist, und eine Streukapazität 652,
welche die Streukapazität zwischen dem Eingang 230 und der
Masse GndS 614 ist. Die Linien zu den letzteren beiden Kapa
zitäten sind gestrichelt, um anzuzeigen, daß diese parasitä
re Kapazitäten sind.
Das Eingangsspannungsteilernetzwerk umfaßt Widerstände 604,
606 und 608, die seriell zwischen dem Eingang 230 und dem
Ausgang 763 des Eingangsteilers 762 angeordnet sind, und
einen Widerstand 610, der zwischen dem Ausgang 763 und die
Masse GndS 614 geschaltet ist. Der Kondensator 602 ist pa
rallel zu den Widerständen 604 und 606 zwischen dem Eingang
230 und dem Knoten 603 geschaltet. Dieser Kondensator kom
pensiert die Streukapazitäten 651 und 652 und die Verstär
kerkapazität 640. Die Anschlußflächenkapazität tritt zwi
schen dem Eingang 230 und der Masse GndF 612 auf, wobei die
Streukapazität 651 zwischen dem Knoten 601 und der
GndF-Masse 612 gezeigt ist und die Streukapazität 652 zwischen
dem Knoten 603 und der Masse GndS 614 gezeigt ist. Die Ver
stärkungskapazität tritt zwischen dem Ausgang 763 und der
Masse GndS auf.
Vorzugsweise beträgt die Kapazität 602 siebzig Femtofarad,
wobei die Widerstände 604, 606, 608 und 610 7,6 Kiloohm, 3,8
Kiloohm, 7,6 Kiloohm bzw. 1 Kiloohm aufweisen. Bei dem be
vorzugten Ausführungsbeispiel beträgt die Anschlußflächen
kapazität 630 150 Femtofarad, die Streukapazität 651 20 Fem
tofarad, die Streukapazität 652 10 Femtofarad und die Ver
stärkerkapazität 640 120 Femtofarad.
Die gesamte Eingangsimpedanz der Eingangsteilerschaltung 762
ist die Summe der vier Widerstände 604, 606, 608 und 610,
welche 20 Kiloohm beträgt. Eine hohe Eingangsimpedanz ist
bei einer analogen Sonde wichtig, da sie verhindert, daß die
Sondenschaltung mit der zu testenden Schaltung in Wechsel
wirkung steht. Wird das Eingangsteilerverhältnis jedoch zu
hoch gemacht, um eine höhere Eingangsimpedanz zu erhalten,
wird das Eingangssignal jedoch derart gedämpft, daß es zu
klein ist, um eine gute Signalintegrität beizubehalten. Wenn
ferner so viele Eingänge in einem derart kleinen Bereich
sind, d. h., wenn der Eingang sehr dicht ist, ist es schwie
rig, eine hohe Eingangsimpedanz mit niedriger Kopplung zwi
schen den Kanälen zu schaffen. Ein wichtiges Merkmal der
Erfindung ist, daß sie eine hohe Eingangsimpedanz für jeden
unter mehr als hundert Eingängen mit einer hohen Signalinte
grität kombiniert.
Es wurde eine neuartige Analogsignal-Spannungssonde be
schrieben, welche die Fähigkeit zur Auswahl unter hunderten
von Sondenkanälen liefert und gleichzeitig eine hohe Signal-In
tegrität und Bandbreite schafft, und welche viele weitere
Vorteile aufweist. Es ist offensichtlich, daß nach der voll
ständigen Offenbarung der Erfindung Fachleute viele Verwen
dungen und Modifikationen des spezifischen beschriebenen
Ausführungsbeispiels durchführen können, ohne von den erfin
derischen Konzepten abzuweichen. Nachdem beispielsweise nun
zu sehen ist, welche die kritischen Faktoren zum Entwerfen
einer Analogsignalsonde mit hunderten von Kanälen sind, wo
bei die Sonde gleichzeitig die hohe Bandbreite und Signalin
tegrität, die für solche Sonden benötigt werden, liefert,
können andere nun die Lehren verwenden, um viele verschie
dene Ausführungen analoger Sonden zu entwerfen und herzu
stellen. Darüberhinaus können verschiedene beschriebene Kom
ponenten und Schaltungen durch äquivalente Komponenten oder
Schaltungen ersetzt werden. Zusätzliche Merkmale können hin
zugefügt werden. Eine größere oder kleinere Anzahl von Tei
len kann verwendet werden. Folglich ist die Erfindung derart
gedacht, daß jedes neuartige Merkmal und jede neuartige Kom
bination von Merkmalen, die bei der beschriebenen Testsonde
vorhanden und von derselben besessen werden, eingeschlossen
sind.
Claims (10)
1. Analoge Spannungssonde (103) mit folgenden Merkmalen:
einem Eingang (230);
einem Ausgang (111);
einem Analogverstärker (710), der zwischen den Eingang und den Ausgang schaltbar ist;
einer Schaltungsplatine (306) mit einer Sondenmasse (304), die eine Masseebene (410, 412) umfaßt;
bei der der Verstärker (710) Teil einer integrierten Schaltung (202) ist und der Eingang einer einer Mehrzahl von integrierten Schaltungseingängen (230) ist;
wobei die Sonde ferner eine Mehrzahl von Eingangsan schlußleitungen (302) umfaßt, wobei ein Ende jeder An schlußleitung mit einem der IC-Eingänge (230) verbunden ist, und das andere Ende angepaßt ist, um mit einer zu testenden Schaltung (510) verbunden zu werden, wobei je de Anschlußleitung eine Leiterbahn (312) auf der Schal tungsplatine (306) aufweist und jede Leiterbahn zwischen 0,0127 mm (0,5 Millizoll) und 0,127 mm (5 Millizoll) breit ist; und
bei der die Schaltungsplatine (306) ferner ein dielek trisches Material (420) zwischen der Masseebene (410) und den Leiterbahnen (312) aufweist, wobei die dielek trische Konstante des dielektrischen Materials (420) fünf oder kleiner ist.
einem Eingang (230);
einem Ausgang (111);
einem Analogverstärker (710), der zwischen den Eingang und den Ausgang schaltbar ist;
einer Schaltungsplatine (306) mit einer Sondenmasse (304), die eine Masseebene (410, 412) umfaßt;
bei der der Verstärker (710) Teil einer integrierten Schaltung (202) ist und der Eingang einer einer Mehrzahl von integrierten Schaltungseingängen (230) ist;
wobei die Sonde ferner eine Mehrzahl von Eingangsan schlußleitungen (302) umfaßt, wobei ein Ende jeder An schlußleitung mit einem der IC-Eingänge (230) verbunden ist, und das andere Ende angepaßt ist, um mit einer zu testenden Schaltung (510) verbunden zu werden, wobei je de Anschlußleitung eine Leiterbahn (312) auf der Schal tungsplatine (306) aufweist und jede Leiterbahn zwischen 0,0127 mm (0,5 Millizoll) und 0,127 mm (5 Millizoll) breit ist; und
bei der die Schaltungsplatine (306) ferner ein dielek trisches Material (420) zwischen der Masseebene (410) und den Leiterbahnen (312) aufweist, wobei die dielek trische Konstante des dielektrischen Materials (420) fünf oder kleiner ist.
2. Analoge Spannungssonde (103) gemäß Anspruch 1, die fer
ner folgendes Merkmal aufweist:
eine Mehrzahl von Zwischenanschlußleitungen (309), wobei jede Zwischenanschlußleitung zwischen einem benachbarten Paar der Eingangsanschlußleitungen (308) positioniert ist und jede der Zwischenanschlußleitungen mit der Son denmasse (304) verbunden ist, wodurch jede der Eingangs anschlußleitungen (308) von benachbarten Eingangsan schlußleitungen durch eine auf Masse gelegte Zwischen anschlußleitung (309) getrennt ist.
eine Mehrzahl von Zwischenanschlußleitungen (309), wobei jede Zwischenanschlußleitung zwischen einem benachbarten Paar der Eingangsanschlußleitungen (308) positioniert ist und jede der Zwischenanschlußleitungen mit der Son denmasse (304) verbunden ist, wodurch jede der Eingangs anschlußleitungen (308) von benachbarten Eingangsan schlußleitungen durch eine auf Masse gelegte Zwischen anschlußleitung (309) getrennt ist.
3. Analoge Testsonde (103) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der
jede der Eingangsanschlußleitungen (308) ferner einen
Widerstand (209) aufweist, der in der Schaltungsplatine
(306) vergraben ist.
4. Analoge Spannungssonde (103) gemäß einem beliebigen der
Ansprüche 1 bis 3, die ferner folgendes Merkmal auf
weist:
eine Mehrzahl von Auf-Chip(202)-Eingangsteilernetzwerken (762), wobei jedes der Netzwerke mit einer der Eingangs anschlußleitungen (308) verbunden ist.
eine Mehrzahl von Auf-Chip(202)-Eingangsteilernetzwerken (762), wobei jedes der Netzwerke mit einer der Eingangs anschlußleitungen (308) verbunden ist.
5. Analoge Spannungssonde (103) gemäß einem beliebigen der
Ansprüche 1 bis 4, bei der
ausgewählte (338) der Eingangsanschlußleitungen (308)
mit der Sondenmasse verbunden sind.
6. Analoge Spannungssonde (103) gemäß einem beliebigen der
Ansprüche 1 bis 5, bei der
die Sondenmasse (612) eine Stromrückwegmasse umfaßt, um
einen Hochfrequenzstrom von der Sondenschaltung (202) zu
entfernen.
7. Verfahren zum Herstellen einer analogen Spannungssonde
(103) des Typs, der mit einer zu testenden Schaltung (510)
verbindbar ist, wobei die zu testende Schaltung
eine Schaltungsmasse (504) und eine Mehrzahl von
Schaltungsknoten (530) aufweist, und die Spannungssonde
(103) eine Schaltungsplatine (306) mit einer Sondenmasse
(304) umfaßt, wobei das Verfahren folgende Schritte auf
weist:
Bereitstellen einer Mehrzahl von Eingangsanschlußleitun gen (308), wobei jede der Eingangsanschlußleitungen eine Leiterbahn (312) auf der Schaltungsplatine aufweist und jede der Mehrzahl von Eingangsanschlußleitungen angepaßt ist, um mit einem spezifischen der Schaltungsknoten (530) verbunden zu werden; und
Verbinden jeder der Eingangsanschlußleitungen (530), die ausgewählten (538) der Schaltungsknoten entspricht, mit der Sondenmasse (304).
Bereitstellen einer Mehrzahl von Eingangsanschlußleitun gen (308), wobei jede der Eingangsanschlußleitungen eine Leiterbahn (312) auf der Schaltungsplatine aufweist und jede der Mehrzahl von Eingangsanschlußleitungen angepaßt ist, um mit einem spezifischen der Schaltungsknoten (530) verbunden zu werden; und
Verbinden jeder der Eingangsanschlußleitungen (530), die ausgewählten (538) der Schaltungsknoten entspricht, mit der Sondenmasse (304).
8. Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem
der Schritt des Verbindens das Auswählen, welche der
Schaltungsknoten (530) mit der Schaltungsmasse (504)
verbunden werden, und das Verbinden jedes der Eingangs
anschlußleitungen (308) mit der Schaltungsmasse (304)
aufweist, die den Knoten (538) entsprechen, die ausge
wählt wurden, um mit der Schaltungsmasse (504) verbunden
zu werden.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem
der Schritt des Auswählens durch den Benutzer der Schal
tung durchgeführt wird.
10. Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 7 bis 9,
bei dem
der Schritt des Verbindens das Maximieren der Anzahl der
ausgewählten Schaltungsknoten (538) und daher das Maxi
mieren der Verbindungen zwischen der Schaltungsmasse
(504) und der Sondenmasse (304) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=23516753
Family Applications (1)
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Country Status (5)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH08254545A (de) |
| DE (1) | DE19603802A1 (de) |
| FR (1) | FR2733598B1 (de) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (N.D.GES.D.STAATES DELA |
|
| 8130 | Withdrawal |