DE19600288A1 - Abfrageverstärkerschaltung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Abfrage- bzw. Leseverstärkerschaltung zum Lesen von Daten aus einer Spei­ chervorrichtung, wie zum Beispiel einem E²PROM bzw. einem elektrisch löschbaren programmierbaren Nur-Lese-Speicher, bei welchem, nachdem gelesene Daten bestimmt worden sind, ein durch eine Speicherzelle fließender Strom verhindert wird, um eine Verringerung der Stromaufnahme zu erzielen.

Fig. 6 zeigt einen Stromlaufplan, der ein Beispiel ei­ ner Abfrageverstärkerschaltung im Stand der Technik zeigt, die zum Beispiel in "LSI Gÿyutsu No Kiso (Basic of LSI Technology)", Seite 179, veröffentlicht am 30. Januar 1992, von Denki Tsushin Kyoukai, offenbart ist. In der Figur be­ zeichnet das Bezugszeichen 61 einen P-Kanal-Transistor, der als ein Schalter zum Zuführen einer Leistung zu der Abfra­ geverstärkerschaltung als Reaktion auf ein Ansteuersignal dient, das durch einen Ansteuersignaleingabeanschluß 73 und einen Invertierer 67 angelegt wird; die Bezugszeichen 62 und 63 bezeichnen P-Kanal-Transistoren, die einen Teil ei­ nes Differentialverstärkers 66 bilden; die Bezugszeichen 64 und 65 bezeichnen N-Kanal-Transistoren, die einen anderen Teil des Differentialverstärkers 66 bilden; die Bezugszei­ chen 68 und 69 bezeichnen Verdrahtungsleitungen, welche ein Eingang bzw. ein Ausgang des Differentialverstärkers 66 sind; das Bezugszeichen 70 bezeichnet einen CMOS- bzw. Kom­ plementärmetalloxidhalbleiterinvertierer zum Invertieren des Ausgangssignals der Abfrageverstärkerschaltung; das Be­ zugszeichen 71 bezeichnet einen Dateneingabeanschluß zum Eingeben von Daten, die aus einem ausgewählten Speicher­ transistor (hier im weiteren als eine Speicherzelle be­ zeichnet) 72 gelesen werden, durch eine ausgewählte Bitlei­ tung BL in die Abfrageverstärkerschaltung; und das Bezugs­ zeichen BL bezeichnet eine Bitleitung, die an eine Pseu­ dospeicherzelle bzw. eine Dummyspeicherzelle angeschlossen ist.

Als nächstes wird die Funktionsweise der in Fig. 6 ge­ zeigten Schaltung beschrieben. Wenn das Ansteuersignal, das in den Ansteuersignaleingabeanschluß 73 eingeben wird, zu einem Zeitpunkt eines Auslesens von Daten zu einem hohen Pegel (hier im weiteren Verlauf als Pegel "H" bezeichnet) übergeht, wird der P-Kanal-Transistor 61 durch den Inver­ tierer 67 eingeschaltet, so daß der Abfrageverstärkerschal­ tung eine Leistung zugeführt wird. Dann fließt abhängig da­ von, ob Ladungen in einem schwebenden Gate der ausgewählten Speicherzelle 72, die an die ausgewählte Bitleitung BL an­ geschlossen ist, vorhanden sind oder nicht, ein Strom I_E durch die Bitleitung BL oder nicht. An die Bitleitung BL wird im voraus eine Referenzspannung angelegt. Der Diffe­ rentialverstärker 66 verstärkt die Potentialdifferenz zwi­ schen der Bitleitung BL und der Bitleitung BL, um gelesene Daten durch die Ausgabeverdrahtungsleitung 69 und den In­ vertierer 70 aus dieser Abfrageverstärkerschaltung auszuge­ ben.

Da die Abfrageverstärkerschaltung im Stand der Technik so aufgebaut ist, wie es zuvor beschrieben worden ist, ist die Bitleitung BL direkt an die Verdrahtungsleitung 68 an­ geschlossen, so daß sich die P-Kanal-Transistoren 61 und 62 in ihren Ein-Zuständen befinden, wenn Ladungen in dem schwebenden Gate der ausgewählten Speicherzelle 72 vorhan­ den sind und deshalb der Auslesestrom I_E zwischen dem Drain und der Source der Speicherzelle fließt (das heißt, wenn sich die ausgelesenen Daten an einem niedrigen Pegel (hier im weiteren Verlauf als Pegel "L" bezeichnet) befinden), so daß auch, nachdem die Daten, die aus der Abfrageverstärker­ schaltung ausgelesen worden sind, gesetzt worden sind, der Auslesestrom I_E fortfährt, während eines Betreibens der Ab­ frageverstärkerschaltung durch die P-Kanal-Transistoren 61 und 62 und zwischen dem Drain und der Source der Speicher­ zelle 72 zu fließen, wenn das Ansteuersignal an den Ansteu­ ersignaleingabeanschluß 73 angelegt wird. Demgemäß besteht ein Problem einer hohen Stromaufnahme.

Desweiteren fließt kein Auslesestrom I_E, wenn sich keine Ladung in dem schwebenden Gate der ausgewählten Spei­ cherzelle 72 befindet, so daß die Bitleitung BL den Pegel "H" annimmt; jedoch fließt auch, nachdem die ausgelesenen Daten gesetzt worden sind, ein Pseudo-Einschreibstrom wäh­ rend des Betreibens der Abfrageverstärkerschaltung von der Bitleitung BL des Pegels "H" zu der Speicherzelle 72, so daß dadurch ein Problem besteht, daß nicht nur die Daten in der Speicherzelle beschädigt werden, sondern ebenso die Stromaufnahme hoch wird.

Desweiteren befindet sich noch der Eingang des CMOS-In­ vertierers 70, der an den Ausgang dieser Abfrageverstärker­ schaltung angeschlossen ist, bevor das Ausgangssignal der Abfrageverstärkerschaltung gesetzt wird, an einem Zwischen­ pegel zwischen dem Pegel "H" und dem Pegel "L", so daß ein Strom durch den CMOS-Invertierer 70 geht; dadurch besteht ein Problem einer hohen Stromaufnahme.

Um die zuvor erwähnten Probleme zu lösen, besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine Abfragever­ stärkerschaltung zu schaffen, bei welcher kein Strom durch eine Speicherzelle fließt, nachdem aus einer Speicherzelle ausgelesene Daten gesetzt worden sind, um die Stromaufnahme zu verringern.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß sie eine Abfrageverstärkerschaltung schafft, bei wel­ cher kein Pseudo- bzw. Quasi-Einschreibstrom durch eine Speicherzelle fließt, nachdem die aus der Abfrageverstär­ kerschaltung ausgelesenen Daten gesetzt worden sind, um ei­ ne Beschädigung bzw. einen Verlust von Daten zu verhindern und die Stromaufnahme zu verringern.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß sie eine Abfrageverstärkerschaltung schafft, bei welcher kein Strom durch einen CMOS- bzw. Komplementärme­ talloxidhalbleiterinvertierer fließt, der an der Ausgangs­ stufe vorgesehen ist, um die Stromaufnahme weiter zu ver­ ringern.

Um die zuvor erwähnte Aufgabe zu lösen, wird gemäß ei­ nem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Abfrage­ verstärkerschaltung zum Lesen von Daten aus einer aus ge­ wählten Speicherzelle, die an eine ausgewählte Bitleitung angeschlossen ist, geschaffen, die einen Kondensator, der ein Ende aufweist, das an Masse angeschlossen ist, und der eine Kapazität aufweist, die größer als die eines Parasi­ tärkondensators der ausgewählten Bitleitung ist; ein Strom­ zufuhrteil zum im wesentlichen gleichzeitigen Zuführen ei­ nes Stroms zu der ausgewählten Bitleitung und zu einem an­ deren Ende des Kondensators, um Potentiale der ausgewählten Bitleitung und des anderen Endes des Kondensators zu erhö­ hen; und einen Differentialverstärker zum Bestimmen der aus der Speicherzelle gelesenen Daten durch ein Vergleichen der von dem Stromzufuhrteil erhöhten Potentiale und zum Setzen des Spannungspegels der ausgewählten Bitleitung auf einen Pegel, bei welchem kein Lesestrom durch die ausgewählte Bitleitung fließt, nachdem die gelesenen Daten bestimmt worden sind, aufweist.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann die Stromauf­ nahme der Abfrageverstärkerschaltung durch die Abfragever­ stärkerschaltung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung verringert werden, da der Spannungspegel der Bit­ leitung nach dem Bestimmen der gelesenen Daten auf den Pe­ gel gesetzt wird, bei welchem kein Lesestrom durch die aus­ gewählte Speicherzelle fließt.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Abfrageverstärkerschaltung geschaffen, bei wel­ cher das Stromzufuhrteil des ersten Aspekts der Erfindung der ausgewählten Bitleitung und dem Kondensator als Reak­ tion auf ein Ansteuersignal zum Ansteuern der Abfragever­ stärkerschaltung einen Strom zuführt.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann die Stromauf­ nahme der Abfrageverstärkerschaltung während eines Ansteu­ erns der Abfrageverstärkerschaltung durch die Abfragever­ stärkerschaltung gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung verringert werden, da das Stormzufuhrteil der ausgewählten Bitleitung und dem Kondensator als Reaktion auf ein Ansteuersignal zum Ansteuern der Abfrageverstärker­ schaltung einen Strom zuführt.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Abfragerverstärkerschaltung geschaffen, bei wel­ cher das Stromzufuhrteil des ersten Aspekts der Erfindung durch das Ausgangssignal des Differentialverstärkers ge­ steuert wird.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird durch die Ab­ frageverstärkerschaltung gemäß dem dritten Aspekt der vor­ liegenden Erfindung die Zufuhr eines Quasi-Einschreibstroms zu der Bitleitung, welche ausgewählt worden ist, nach einem Lesen von Daten abgeschnitten, so daß eine Beschädigung bzw. ein Verlust von Daten in der Speicherzelle nach einem Bestimmen der gelesenen Daten verhindert werden kann, wenn der Anstieg des Potentials der Bitleitung aufgrund des La­ dens des Parasitärkondensators der Bitleitung schneller als der Anstieg des Potentials des Kondensators aufgrund des Ladens des Kondensators ist, und die Stromaufnahme der Ab­ frageverstärkerschaltung kann weiter verringert werden.

Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Abfrageverstärkerschaltung geschaffen, die des­ weiteren zusätzlich zu den Merkmalen des ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung einen Schalter vorsieht, welcher eingeschaltet wird, wenn die Daten, die den gesetzten Pegel aufweisen, der aus dem Differentialverstärker ausgegeben wird, und ein Lesebefehlssignal zum Anweisen, die Daten aus der Abfrageverstärkerschaltung zu lesen, vorhanden sind.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird durch die Ab­ frageverstärkerschaltung gemäß dem vierten Aspekt der vor­ liegenden Erfindung der Spannungspegel, der auf einen hohen Pegel bzw. Pegel "H" oder einen niedrigen Pegel bzw. Pegel "L" gesetzt ist, an den CMOS-Invertierer der Ausgangsstufe, der an den Schalter angeschlossen ist, angelegt, so daß ein Strom, der durch den CMOS-Invertierer fließt, verhindert werden kann.

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.

Es zeigt:

Fig. 1 einen eine Abfrageverstärkerschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung darstellenden Stromlaufplan;

Fig. 2 ein Diagramm einer Wellenform zum Erklären der Funktionsweise, wenn es einen Speicherzellenstrom I_E in der in Fig. 1 gezeigten Schaltung gibt;

Fig. 3 ein Diagramm einer Wellenform zum Erklären der Funktionsweise, wenn es keinen Speicherzellenstrom I_E in der in Fig. 1 gezeigten Schaltung gibt;

Fig. 4 einen eine Abfrageverstärkerschaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung darstellenden Stromlaufplan;

Fig. 5 einen eine Abfrageverstärkerschaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung darstellenden Stromlaufplan; und

Fig. 6 einen eine Abfrageverstärkerschaltung im Stand der Technik darstellenden Stromlaufplan.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten be­ vorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Fig. 1 zeigt einen Stromlaufplan, der eine Abfragever­ stärkerschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und eine daran angeschlossene Spei­ cherzelle darstellt. In der Figur bezeichnet das Bezugszei­ chen 1 einen P-Kanal-Transistor, welcher ausgeschaltet ist, um zu verhindern, daß ein Strom durch die Abfrageverstär­ kerschaltung fließt, wenn sich der Pegel an einem Ansteuer­ signaleingabeanschluß 101 an einem Pegel "L" bzw. niedrigen Pegel befindet; die Bezugszeichen 2 und 3 bezeichnen P-Ka­ nal-Transistoren; und die Bezugszeichen 4 und 5 bezeichnen N-Kanal-Transistoren. Der P-Kanal-Transistor 2 und der N-Kanal-Transistor 4 bilden einen Komplementärmetalloxidhalb­ leiter- bzw. CMOS-Invertierer 35. Der P-Kanal-Transistor 3 und der N-Kanal-Transistor 5 bilden einen anderen CMOS-In­ vertierer 36. Die Eingänge und die Ausgänge der zwei CMOS-In­ vertierer 35 und 36 sind kreuzgekoppelt, um einen Diffe­ rentialverstärker 30 auszubilden.

Das Bezugszeichen 10 bezeichnet einen CMOS-Invertierer, der zwischen dem Ansteuersignaleingabeanschluß 101 und dem Gate des P-Kanal-Transistors 1 angeschlossen ist; das Be­ zugszeichen 12 bezeichnet einen Kondensator, der eine Kapa­ zität aufweist, die größer als die Kapazität eines Parasi­ tärkondensators 32 einer Bitleitung 33 ist; das Bezugszei­ chen 34 bezeichnet ein Stromzufuhrteil, das aus N-Kanal-Tran­ sistoren 6 und 9 besteht, die Gates aufweisen, die ge­ meinsam an den Ansteuersignaleingabeanschluß 101 ange­ schlossen sind; das Bezugszeichen 104 bezeichnet eine Ver­ drahtungsleitung, die an den Ausgang des CMOS-Invertierers 35 und an den Eingang des CMOS-Invertierers 36 angeschlos­ sen ist; das Bezugszeichen 11 bezeichnet einen CMOS-Inver­ tierer, der an eine Verdrahtungsleitung 105 angeschlossen ist; und das Bezugszeichen 103 bezeichnet einen Ausgabean­ schluß der Abfrageverstärkerschaltung. Die Bezugszeichen 7 und 8 bezeichnen N-Kanal-Pulldown- bzw. -Tiefsetztransisto­ ren zum Setzen der Verdrahtungsleitungen 104 und 105 auf den Pegel "L"; und das Bezugszeichen VDD bezeichnet eine Energieversorgungsspannung. Desweiteren bezeichnet das Be­ zugszeichen 31 einen beispielhaft gezeigten ausgewählten Speichertransistor (hier im weiteren Verlauf als eine Spei­ cherzelle bezeichnet) aus einer großen Anzahl von elek­ trisch löschbaren Speichertransistoren bzw. E²-Speicher­ transistoren, die an die Bitleitung 33 angeschlossen sind, die auf der Außenseite der Abfrageverstärkerschaltung vor­ gesehen ist.

Als nächstes wird die Funktionsweise der in Fig. 1 ge­ zeigten Abfrageverstärkerschaltung beschrieben.

Fig. 2 zeigt ein Diagramm einer Wellenform zum Erklären der Funktionsweise, wenn es einen Speicherzellenstrom I_E gibt (das heißt, wenn Ladungen in der Speicherzelle 31 ge­ speichert sind, so daß sich der Pegel der gelesenen Daten an dem Pegel "L" befindet), und Fig. 3 zeigt ein Diagramm einer Wellenform zum Erklären der Funktionsweise, wenn es keinen Speicherzellenstrom I_E gibt (das heißt, wenn keine Ladung in der Speicherzelle 31 gespeichert ist, so daß sich der Pegel der gelesenen Daten an dem Pegel "H" befindet).

Bevor die Abfrageverstärkerschaltung betrieben wird, befindet sich das Potential an dem Ansteuersignaleingabean­ schluß 101 an dem Pegel "L", so daß sich das Gate des P-Ka­ nal-Transistors 1 durch den CMOS-Invertierer 10 an dem Pe­ gel "H" befindet, um den P-Kanal-Transistor 1 in seinem Aus-Zustand zu,halten, und die Gates der N-Kanal-Pulldown­ transistoren 7 und 8 durch den CMOS-Invertierer 10 an dem Pegel "H" befinden, um die Transistoren 7 und 8 in ihren Ein-Zuständen zu halten. Deshalb befinden sich die Verdrah­ tungsleitungen 104 und 105 an dem Pegel "L".

Zuerst wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 eine Beschreibung für den Fall gegeben, wenn der Speicher­ zellenstrom I_E fließt. Wenn eine Spannung des Pegels "H" an den Ansteuersignaleingabeanschluß 101 angelegt wird, werden die N-Kanal-Transistoren 7 und 8 ausgeschaltet, so daß die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 zu ihren schwebenden Zu­ ständen übergehen, und ebenso werden der P-Kanal-Transistor 1 und die N-Kanal-Transistoren 6 und 9 in dem Stromzufuhr­ teil 34 eingeschaltet. Unmittelbar danach werden die Ver­ drahtungsleitungen 104 und 105 so gehalten, daß sie sich an ihrem Pegel "L" befinden, so daß die P-Kanal-Transistoren 2 und 3, die den Pegel "L" an ihren Gates aufnehmen, einge­ schaltet werden, wenn der P-Kanal-Transistor 1 eingeschal­ tet wird. Deshalb beginnt sich der Parasitärkondensator 32 der Bitleitung 33, die an den Dateneingabeanschluß 102 an­ geschlossen ist, und der Kondensator 12, zu laden. Wie es zuvor vorausgesetzt worden ist, ist die Ladegeschwindig­ keit, um den Kondensator 12 zu laden, höher als die Ladege­ schwindigkeit, um den Parasitärkondensator 32 zu laden, da der Speicherzellenstrom I_E durch die Speicherzelle 31 fließt. Wie es in Fig. 2 gezeigt ist, geht deshalb nach der Periode zum Laden des Kondensators 12 zuerst der Pegel der Verdrahtungsleitung 105 zu dem Pegel "H" über. Als Reaktion auf den Pegel "H" der Verdrahtungsleitung 105 wird der N-Kanal-Transistor 4, der das Gate aufweist, das an die Ver­ drahtungsleitung 105 angeschlossen ist, eingeschaltet, und der P-Kanal-Transistor 2, der das Gate aufweist, das ebenso an die Verdrahtungleitung 105 angeschlossen ist, wird aus­ geschaltet. Als Ergebnis wird der Pegel der Verdrahtungs­ leitung 104, die an den Ausgang des CMOS-Invertierers 35 angeschlossen ist, auf den Pegel "L" gesetzt, so daß der P-Kanal-Transistor 3, der das Gate aufweist, das an die Ver­ drahtungsleitung 104 angeschlossen ist, eingeschaltet wird, und der N-Kanal-Transistor 5, der das Gate aufweist, das ebenso an die Verdrahtungsleitung 104 angeschlossen ist, ausgeschaltet wird, was dazu führt, daß der Pegel der Ver­ drahtungsleitung 105 auf den Pegel "H" gesetzt wird, so daß durch den Invertierer 11 der Pegel des Ausgabeanschlusses 103 auf den Pegel "L" gesetzt wird.

Da der Pegel der Verdrahtungsleitung 104 auf den Pegel "L" gesetzt ist, fließt, nachdem der Pegel des Ausgabean­ schlusses 103 zu dem Pegel "L" übergegangen ist, kein Strom durch die Speicherzelle 31. Demgemäß wird die Stromaufnahme verglichen mit der Abfrageverstärkerschaltung im Stand der Technik verringert.

Als nächstes wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 3 eine Beschreibung für den Fall gegeben, wenn kein Speicherzellenstrom I_E fließt. Wenn eine Spannung des Pe­ gels "H" an den Ansteuersignal-Eingabeanschluß 101 angelegt wird, werden die N-Kanal-Transistoren 7 und 8 ausgeschal­ tet, so daß die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 zu ihren schwebenden Zuständen übergehen und der P-Kanal-Transistor 1 und die N-Kanal-Transistoren 6 und 9 in dem Stromzufuhr­ teil 34 eingeschaltet werden. Unmittelbar danach werden die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 so gehalten, daß sie sich an ihrem Pegel "L" befinden, so daß die P-Kanal-Transisto­ ren 2 und 3, die den Pegel "L" an ihren Gates aufnehmen, eingeschaltet werden. Deshalb beginnen sich der Parasitär­ kondensator 32 der Bitleitung 33, die an den Dateneingabe­ anschluß 102 angeschlossen ist, und der Kondensator 12 zu laden. Wie es zuvor vorausgesetzt worden ist, ist die Lade­ geschwindigkeit, um den Parasitärkondensator 32 zu laden, höher als die Ladegeschwindigkeit, um den Kondensator 12 zu laden, da der Speicherzellenstrom I_E nicht durch die Spei­ cherzelle 31 fließt und da die Kapazität des Kondensators 12 größer als die Kapazität des Parasitärkondensators 32 ist. Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, geht deshalb nach der Periode zum Laden des Kondensators 32 zuerst der Pegel der Verdrahtungsleitung 104 zu dem Pegel "H" über. Als Reaktion auf den Pegel "H" der Verdrahtungsleitung 104 wird der N-Kanal-Transistor 5, der das Gate aufweist, das an die Ver­ drahtungsleitung 104 angeschlossen ist, eingeschaltet und der P-Kanal-Transistor 3, der das Gate aufweist, das ebenso an die Verdrahtungsleitung 104 angeschlossen ist, wird aus­ geschaltet. Als Ergebnis wird der Pegel der Verdrahtungs­ leitung 105, die an den Ausgang des CMOS-Invertierers 36 angeschlossen ist, auf den Pegel "L" gesetzt, so daß der P-Kanal-Transistor 2, der das Gate aufweist, das an die Ver­ drahtungsleitung 105 angeschlossen ist, eingeschaltet wird und der N-Kanal-Transistor 4, der das Gate aufweist, das ebenso an die Verdrahtungsleitung 105 angeschlossen ist, ausgeschaltet wird, was dazu führt, daß der Pegel der Ver­ drahtungsleitung 104 auf den Pegel "H" gesetzt wird. Der Pegel "L" der Verdrahtungsleitung 105 geht durch den Inver­ tierer 11 zu dem Pegel "H" an dem Ausgabeanschluß 103 über. In diesem Fall fließt auch, nachdem die gelesenen Daten be­ stimmt worden sind, kein Strom durch die Speicherzelle 31, da der Speicherzellenstrom I_E von Beginn an nicht fließt.

Es ist bevorzugt, den Stromverstärkungsfaktor β der P-Kanal-Transistoren 2 und 3 kleiner als den der anderen P-Kanal-Transistoren einzustellen. In diesem Fall ist die Zeit, die zu einem Laden des Parasitärkondensators 32 und des Kondensators 12 benötigt wird, länger als die in dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel, so daß die Zeit, die benötigt wird, um die Daten aus der Speicherzelle zu lesen, länger wird; jedoch kann der Gesamtspeicherzellen­ strom I_E, welcher fließt, bis der gesetzte Pegel "L" an dem Ausgabeanschluß 103 erzielt wird, weiter verringert werden.

Die Kapazität des Kondensators 12 kann als der Minimal­ wert der Werte bestimmt werden, die größer als die Parasi­ tärkapazität der Bitleitung 33 sind. Die Parasitärkapazität wird unter Bezugnahme auf Ausführungsbestimmungen für die Bitleitung 33 in der Abfrageverstärkerschaltung bestimmt.

In dem zuvor beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel wird es fortgesetzt, wenn es keinen Speicherzellenstrom I_E gibt, daß die Spannung des Pegels "H" an den Drain der Speicherzelle 31 angelegt wird, nachdem der Pegel der Ver­ drahtungsleitung 104 auf den Pegel "H" gesetzt worden ist und bis der Pegel des Ansteuersignaleingabeanschlusses 101 zu dem Pegel "L" übergeht, so daß ein Quasi-Einschreiben in die Speicherzelle 31 verursacht werden kann.

Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, das im folgen­ den Verlauf beschrieben wird, wird eine Abfrageverstärker­ schaltung geschaffen, bei welcher das Quasi-Einschreiben verhindert wird.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung des zweiten bevor­ zugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Fig. 4 zeigt einen Stromlaufplan, der eine Abfragever­ stärkerschaltung und eine Speicherzelle zeigt, die an die Abfrageverstärkerschaltung angeschlossen ist, gemäß diesem Ausführungsbeispiel. In der Figur bezeichnen die Bezugszei­ chen 1 bis 10, 12, 31, 32, 101, 104 und 105 und VDD die gleichen Teile, wie jene, die in Fig. 1 gezeigt sind, und die Beschreibungen davon werden hier weggelassen. Die Be­ zugszeichen 13 und 14 bezeichnen P-Kanal-Transistoren; die Bezugszeichen 15 und 16 bezeichnen N-Kanal-Transistoren; das Bezugszeichen 106 bezeichnet eine Verdrahtungsleitung; und das Bezugszeichen 107 bezeichnet einen Ausgabeanschluß dieser Abfrageverstärkerschaltung.

Die Unterschiede zwischen Fig. 4 und Fig. 1 bestehen darin, daß in Fig. 4 der Eingang eines CMOS-Invertierers, der aus dem P-Kanal-Transistor 14 und dem N-Kanal-Transi­ stor 16 besteht, an die Verdrahtungsleitung 104 angeschlos­ sen ist; der Ausgang des CMOS-Invertierers, der aus dem P-Kanal-Transistor 14 und dem N-Kanal-Transistor 16 besteht, an das Gate des N-Kanal-Transistors 6 angeschlossen ist; der Eingang eines CMOS-Invertierers, der aus dem P-Kanal-Tran­ sistor 13 und dem N-Kanal-Transistor 15 besteht, an die Verdrahtungsleitung 105 angeschlossen ist; und der Ausgang des CMOS-Invertierers, der aus dem P-Kanal-Transistor 13 und dem N-Kanal-Transistor 15 besteht, an das Gate des N-Kanal-Transistors 9 angeschlossen ist.

Als nächstes wird die Funktionsweise der in Fig. 4 ge­ zeigten Schaltung beschrieben.

Bevor die Abfrageverstärkerschaltung betrieben wird, befindet sich das Potential an dem Ansteuersignaleingabean­ schluß 101 an dem Pegel "L", so daß sich das Gate des P-Ka­ nal-Transistors 1 durch den CMOS-Invertierer 10 an dem Pe­ gel "H" befindet, um den P-Kanal-Transistor 1 in seinem Aus-Zustand zu halten, und die Gates der N-Kanal-Pulldown­ transistoren 7 und 8 durch den CMOS-Invertierer 10 an dem Pegel "H" befinden, um die Transistoren 7 und 8 in ihren Ein-Zuständen zu halten. Deshalb sind die Pegel der Ver­ drahtungsleitungen 104 und 105 auf den Pegel "L" herabge­ setzt. Desweiteren ist eine Spannung des Pegels "L" an die Gates der P-Kanal-Transistoren 2 und 3 angelegt, an welche die Verdrahtungsleitung 105 bzw. 104 angeschlossen sind.

Es wird zuerst eine Beschreibung für den Fall gegeben, wenn der Speicherzellenstrom I_E fließt. Wenn eine Spannung des Pegels "H" an den Ansteuersignaleingabeanschluß 101 an­ gelegt wird, werden die N-Kanal-Transistoren 7 und 8 ausge­ schaltet, so daß die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 zu ihren schwebenden Zuständen übergehen, und der P-Kanal-Tran­ sistor 1 wird eingeschaltet. Unmittelbar danach werden die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 so gehalten, daß sie sich an ihrem Pegel "L" befinden, so daß sich die P-Kanal-Tran­ sistoren 2 und 3 in ihren Ein-Zuständen befinden. Da die Verdrahtungsleitung 104 an die Gates des P-Kanal-Tran­ sistors 14 und des N-Kanal-Transistors 16 angeschlossen ist, wird außerdem der P-Kanal-Transistor 14 eingeschaltet und der N-Kanal-Transistor 16 ausgeschaltet. Da die Ver­ drahtungsleitung 105 an die Gates des P-Kanal-Transistors 13 und des N-Kanal-Transistors 15 angeschlossen ist, wird desweiteren der P-Kanal-Transistor 13 eingeschaltet und der N-Kanal-Transistor 15 ausgeschaltet. Als Ergebnis werden die N-Kanal-Transistoren 6 und 9 eingeschaltet, so daß sich der Parasitärkondensator 32 der Bitleitung 33, der an den Dateneingabeanschluß 102 angeschlossen ist, und der Konden­ sator 12 zu laden beginnen.

Wie es zuvor vorausgesetzt worden ist, ist die Ladege­ schwindigkeit, um den Kondensator 12 zu laden, höher als die Ladegeschwindigkeit, um den Parasitärkondensator 32 zu laden, da der Speicherzellenstrom I_E durch die Speicher­ zelle 31 fließt, die an den Dateneingabeanschluß 102 ange­ schlossen ist. Deshalb geht nach der Periode zum Laden des Kondensators 12 zuerst der Pegel der Verdrahtungsleitung 105 zu dem Pegel "H" über, so daß der N-Kanal-Transistor 4 eingeschaltet wird und der P-Kanal-Transistor 2 ausgeschal­ tet wird.

Als Ergebnis wird der Pegel der Verdrahtungsleitung 104 auf den Pegel "L" gesetzt, so daß der P-Kanal-Transistor 3 eingeschaltet wird und der N-Kanal-Transistor 5 ausgeschal­ tet wird, was dazu führt, daß der Pegel der Verdrahtungs­ leitung 105 auf den Pegel "H" gesetzt wird. Als Reaktion auf den gesetzten Pegel "H" der Verdrahtungsleitung 105 wird der P-Kanal-Transistor 13 ausgeschaltet und der N-Ka­ nal-Transistor 15 eingeschaltet, so daß der Ausgangspegel des CMOS-Invertierers, der aus dem P-Kanal-Transistor 13 und dem N-Kanal-Transistor 15 besteht, zu dem Pegel "L" übergeht. Als Ergebnis wird der N-Kanal-Transistor 9 ausge­ schaltet, so daß der Strompfad von der Verdrahtungleitung 105 des Pegels "H" zu dem Kondensator 12 abgeschnitten wird.

Nachdem der Pegel des Ausgabeanschlusses 107 auf den Pegel "L" gesetzt worden ist, das heißt, nachdem der Pegel der Verdrahtungsleitung 104 auf den Pegel "L" gesetzt wor­ den ist, fließt auch während eines Betreibens der Abfrage­ verstärkerschaltung kein Strom durch die Speicherzelle 31, so daß die Stromaufnahme verglichen mit der Abfrageverstär­ kerschaltung im Stand der Technik auf die gleiche Weise wie in dem ersten Ausführungsbeispiel verringert wird.

Als nächstes wird eine Beschreibung für den Fall gege­ ben, wenn kein Speicherzellenstrom I_E fließt. Wenn eine Spannung des Pegels "H" an den Ansteuersignaleingabean­ schluß 101 angelegt wird, werden die N-Kanal-Transistoren 7 und 8 ausgeschaltet, so daß die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 zu ihren schwebenden Zuständen übergehen, und der P-Kanal-Transistor 1 wird eingeschaltet. Unmittelbar danach werden die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 so gehalten, daß sie sich an ihrem Pegel "L" befinden, so daß die P-Ka­ nal-Transistoren 2 und 3 eingeschaltet werden. Da die Ver­ drahtungsleitung 104 an die Gates des P-Kanal-Transistors 14 und des N-Kanal-Transistors 16 angeschlossen ist, wird der P-Kanal-Transistor 14 eingeschaltet und der N-Kanal-Tran­ sistor 16 ausgeschaltet. Da die Verdrahtungsleitung 105 an die Gates des P-Kanal-Transistors 13 und des N-Kanal-Tran­ sistors 15 angeschlossen ist, wird desweiteren der P-Kanal-Transistor 13 eingeschaltet und der N-Kanal-Transi­ stor 15 ausgeschaltet. Als Ergebnis werden die N-Kanal-Tran­ sistoren 6 und 9 eingeschaltet, um das Laden des Para­ sitärkondensators 32 der Bitleitung 33, die an den Daten­ eingabeanschluß 102 angeschlossen ist, und des Kondensators 12 zu beginnen.

Wie es zuvor vorausgesetzt worden ist, fließt kein Speicherzellenstrom I_E, da keine Ladung in dem schwebenden Gate der Speicherzelle 31, die an den Dateneingabeanschluß 102 angeschlossen ist, gespeichert ist. Außerdem ist die Ladegeschwindigkeit, um den Parasitärkondensator 32 zu la­ den, höher als die Ladegeschwindigkeit, um den Kondensator 12 zu laden, da die Kapazität des Kondensators 12 größer als die Kapazität des Parasitärkondensators 32 ist. Deshalb geht zuerst der Pegel der Verdrahtungsleitung 104 zu dem Pegel "H" über. Als Reaktion auf den Pegel "H" der Verdrah­ tungsleitung 104 wird der N-Kanal-Transistor 5 eingeschal­ tet und der P-Kanal-Transistor 3 ausgeschaltet.

Als Ergebnis wird der Pegel der Verdrahtungsleitung 105 auf den Pegel "L" gesetzt, so daß der P-Kanal-Transistor 2 eingeschaltet wird und der N-Kanal-Transistor 4 ausgeschal­ tet wird, was dazu führt, daß der Pegel der Verdrahtungs­ leitung 104 auf den Pegel "H" gesetzt wird. Als Ergebnis auf den gesetzten Pegel "L" der Verdrahtungsleitung 105 wird der Ausgang des CMOS-Invertierers, der aus dem P-Ka­ nal-Transistor 13 und dem N-Kanal-Transistor 15 besteht, auf den Pegel "H" gesetzt. Obgleich diese Spannung des Pe­ gels "H" an den N-Kanal-Transistor 9 angelegt wird, fließt kein Strom in den Kondensator 12, da der Drain des N-Kanal-Tran­ sistors 9, der an die Verdrahtungsleitung 105 ange­ schlossen ist, auf den Pegel "L" gesetzt ist.

Andererseits wird, wenn der Pegel der Verdrahtungslei­ tung 104 auf den Pegel "H" gesetzt ist, der P-Kanal-Transi­ stor 14 in einem Aus-Zustand gehalten und der N-Kanal-Tran­ sistor 16 in einem Ein-Zustand gehalten, so daß der Aus­ gangspegel des CMOS-Invertierers, der aus dem P-Kanal-Tran­ sistor 14 und dem N-Kanal-Transistor 16 besteht, an dem Pe­ gel "L" gehalten wird. Als Ergebnis wird der N-Kanal-Tran­ sistor 6 in einem Aus-Zustand gehalten, so daß der Strom­ pfad von der Verdrahtungsleitung 104 des Pegels "H" zu der Bitleitung 33 abgeschnitten wird. Deshalb fließt, nachdem der Pegel des Ausgabeanschlusses 107 auf den Pegel "H" ge­ setzt worden ist, das heißt, nachdem die Verdrahtungslei­ tung 104 auf den Pegel "H" gesetzt worden ist, kein Strom in die Speicherzelle 31, so daß eine Funktionsweise eines Quasi-Einschreibens verhindert werden kann. Somit fließt auch dann, wenn es keinen Speicherzellenstrom I_E gibt, kein Quasi-Einschreibstrom in die Speicherzelle, nachdem der Ausgangspegel der Abfrageverstärkerschaltung gesetzt worden ist, so daß die Stromaufnahme verglichen mit der Abfrage­ verstärkerschaltung im Stand der Technik verringert werden kann.

Ähnlich zu dem ersten Ausführungsbeispiel ist es bevor­ zugt, den Stromverstärkungsfaktor β der P-Kanal-Transisto­ ren 2 und 3 kleiner als den der anderen P-Kanal-Transisto­ ren einzustellen. In diesem Fall ist die Zeit, die benötigt wird, um den Parasitärkondensator 32 und den Kondensator 12 zu laden, länger als die in dem zuvor beschriebenen Ausfüh­ rungsbeispiel, so daß die Zeit, die benötigt wird, um die Daten aus der Speicherzelle zu lesen, länger wird; jedoch kann der Gesamtspeicherzellenstrom I_E, welcher fließt, bis der gesetzte Pegel "L" an dem Ausgabeanschluß 103 erzielt wird, weiter verringert werden.

Die Kapazität des Kondensators 12 kann als der Minimal­ wert der Werte bestimmt werden, die größer als die Parasi­ tärkapazität der Bitleitung 33 sind. Die Parasitärkapazität wird unter Bezugnahme auf Ausführungsbestimmungen für die Bitleitung 33 in der Abfrageverstärkerschaltung bestimmt.

Die Verdrahtungsleitungen 104 und 105 in den zuvor be­ schriebenen ersten und zweiten Ausführungsbeispielen befin­ den sich, nachdem sie von ihrem Pulldownpegel "L" geändert worden sind, in den schwebenden Zuständen zwischen dem Pe­ gel "H" und dem Pegel "L", bis sie auf den Pegel "H" oder "L" gesetzt werden. In dem schwebenden Zustand fließt ein Durchgangsstrom durch den CMOS-Invertierer 11, um Leistung aufzunehmen, wenn ein Signal auf der Verdrahtungsleitung 105 in den Fig. 1 gezeigten CMOS-Invertierer 11 eingegeben wird. Wenn ein Signal auf der Verdrahtungsleitung 104 des schwebenden Zustands in den CMOS-Invertierer eingegeben wird, der aus dem P-Kanal-Transistor 14 und dem N-Kanal-Tran­ sistor 16 besteht, fließt ebenso ein Strom durch den CMOS-Invertierer. Wenn desweiteren ein Signal auf der Ver­ drahtungsleitung 105 des schwebenden Zustands in den CMOS-In­ vertierer eingegeben wird, der aus dem P-Kanal-Transistor 13 und dem N-Kanal-Transistor 15 besteht, fließt ebenso ein Durchgangsstrom durch den CMOS-Invertierer.

Gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel wird eine Ab­ frageverstärkerschaltung geschaffen, bei welcher ein Durch­ gangsstrom in einem CMOS-Invertierer an der Ausgangsstufe der Abfrageverstärkerschaltung verhindert werden kann.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung des dritten bevor­ zugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Fig. 5 zeigt einen Stromlaufplan, der eine Abfragever­ stärkerschaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt. In der Figur bezeich­ net das Bezugszeichen 17 eine Abfrageverstärkerschaltung, welche mit Ausnahme dessen, daß der Invertierer 11 aus der in Fig. 1 gezeigten Abfrageverstärkerschaltung entfernt ist, die gleiche wie die, die in Fig. 1 gezeigt ist, ist, oder welche die gleiche, wie die, die in Fig. 4 gezeigt ist, ist. Das Bezugszeichen 20 bezeichnet ein ODER-Gatter; das Bezugszeichen 21 bezeichnet ein negiertes UND-Gatter; das Bezugszeichen 22 bezeichnet einen Invertierer; das Be­ zugszeichen 23 bezeichnet ein Durchlaßgatter (Schalter); die Bezugszeichen 104 und 105 bezeichnen Verdrahtungslei­ tungen, welche die gleichen, wie jene in dem ersten oder zweiten Ausführungsbeispiel sind, das Bezugszeichen 107 be­ zeichnet einen Ausgabeanschluß des zweiten Ausführungsbei­ spiels; das Bezugszeichen 109 bezeichnet einen Datenlesebe­ fehlsanschluß, welcher ein Datenlesebefehlssignal aufnimmt, welches sich an dem Pegel "H" befindet, wenn die Daten zu lesen sind; das Bezugszeichen 110 bezeichnet einen CMOS-In­ vertierer; und das Bezugszeichen 111 bezeichnet einen Aus­ gabeanschluß dieser Abfrageverstärkerschaltung.

Als nächstes wird die Funktionsweise der in Fig. 5 ge­ zeigten Schaltung beschrieben. Die Funktionsweise der Ab­ frageverstärkerschaltung 17 selbst ist die gleiche, wie die in dem ersten oder zweiten Ausführungsbeispiel, und deshalb wird eine Beschreibung davon hier weggelassen. Wenn ein Le­ sen von Daten aus der Speicherzelle von der Abfrageverstär­ kerschaltung 17 begonnen wird, geht der Pegel der Verdrah­ tungsleitung 104 oder 105 zu dem Pegel "H" über. Wenn der Pegel der Verdrahtungsleitung 104 oder 105 einen Schwell­ wertpegel überschreitet, gibt der Vergleicher 18 oder 19 das Signal des Pegels "H" aus. Wenn einer der beiden Ver­ gleicher 18 oder 19 das Signal des Pegels "H" ausgibt, gibt das ODER-Gatter 20 das Signal des Pegels "H" aus. Wenn ein Datenlesebefehlssignal des Pegels "H" in den Datenlesebe­ fehlsanschluß 109 eingegeben wird und wenn das Ausgangssi­ gnal des ODER-Gatters 20 der Pegel "H" wird, geht das Aus­ gangssignal des negierten UND-Gatters 21 zu dem Pegel "L" über, um das Durchlaßgatter 23 einzuschalten. Dadurch wer­ den die aus der Abfrageverstärkerschaltung 17 gelesenen Da­ ten durch das Durchlaßgatter 23 zu dem Ausgabeanschluß 111 ausgegeben.

Da das Durchlaßgatter 23 lediglich eingeschaltet ist, wenn der Spannungspegel der Verdrahtungsleitung 104 oder 105 den Schwellwertpegel überschreitet, nimmt der CMOS-In­ vertierer 110 eine Spannung eines gesetzten Pegels "H" oder "L" auf. Demgemäß nimmt der CMOS-Invertierer 110 keine in­ stabile und sich erhöhende Spannung der Verdrahtungsleitung 104 oder 105 auf, so daß der Durchgangsstrom in dem CMOS-In­ vertierer 110 verhindert werden kann, was dazu führt, daß die Stromaufnahme in der Abfrageverstärkerschaltung weiter verringert werden kann.

In den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen ist eine elektrisch löschbare Speicherzelle bzw. E²-Speicher­ zelle als eine Speicherzelle verwendet worden, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, sondern die gleichen Effekte können unter Verwendung einer Spei­ cherzelle eines anderen Typs, wie zum Beispiel eines dyna­ mischen Direktzugriffspeichers bzw. DRAM eines Ein-Transi­ stor-Ein-Kondensator-Typs erzielt werden. Ebenso sind die Transistoren, die die Abfrageverstärkerschaltung ausbilden, nicht auf die MOS-Transistoren beschränkt, sondern die gleichen Effekte können unter Verwendung von Bipolartransi­ storen, um einen ähnlichen Aufbau auszubilden, erzielt wer­ den.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, fließt gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung in einer Abfrage­ verstärkerschaltung kein Auslesestrom durch die Speicher­ zelle, nachdem die ausgelesenen Daten bestimmt worden sind, da der Spannungspegel der Bitleitung nach dem Bestimmen der gelesenen Daten auf einen Pegel gesetzt wird, bei welchem kein Strom durch die ausgewählte Speicherzelle fließt, so daß es hier dadurch einen Effekt gibt, daß die Stromauf­ nahme der Abfrageverstärkerschaltung verringert werden kann.

Gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung gibt es dadurch einen Effekt, daß die Stromaufnahme der Ab­ frageverstärkerschaltung während eines Ansteuerns der Ab­ frageverstärkerschaltung verringert werden kann, da ein Strom als Reaktion auf ein Ansteuersignal zum Ansteuern der Abfrageverstärkerschaltung zu der ausgewählten Bitleitung und dem Kondensator zugeführt wird.

Gemäß dem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die Zufuhr eines Quasi-Einschreibstroms zu der Bitlei­ tung, welche ausgewählt ist, nach einem Lesen von Daten ab­ geschnitten, wenn der Anstieg des Potentials der Bitleitung aufgrund des Ladens der Parasitärkondensators der Bitlei­ tung schneller als der Anstieg des Potentials des Kondensa­ tors aufgrund des Ladens des Kondensators ist, so daß es dadurch einen Effekt gibt, daß eine Beschädigung von Daten in der Speicherzelle nach einem Bestimmen der gelesenen Da­ ten verhindert werden kann und die Stromaufnahme der Abfra­ geverstärkerschaltung weiter verringert werden kann.

Gemäß dem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird der Spannungspegel, der auf den Pegel "H" oder den Pe­ gel "L" gesetzt ist, an den CMOS-Invertierer der Ausgangs­ stufe angelegt, der an den Schalter angeschlossen ist, an­ gelegt, so daß es dadurch einen Effekt gibt, daß ein Strom, der durch den CMOS-Invertierer geht, verhindert werden kann.

Eine in der vorhergehenden Beschreibung offenbarte Ab­ frageverstärkerschaltung weist einen Kondensator, der eine Kapazität aufweist, die größer als die eines Parasitärkon­ densators einer ausgewählten Bitleitung ist, und einen Dif­ ferentialverstärker zum Setzen des Spannungspegels der aus­ gewählten Bitleitung auf einen Pegel, bei welchem kein Le­ sestrom durch die ausgewählte Bitleitung fließt, nachdem die gelesenen Daten bestimmt worden sind, oder zum Ab­ schneiden eines Pseudo-Einschreibstroms auf, so daß dieser nicht in eine ausgewählte Speicherzelle fließt; dadurch wird die Stromaufnahme verringert und eine Beschädigung von Daten aufgrund eines Pseudo-Einschreibens verhindert.

Claims (4)

1. Abfrageverstärkerschaltung zum Lesen von Daten aus ei­ ner ausgewählten Speicherzelle (31), die an eine ausgewähl­ te Bitleitung (33) angeschlossen ist, die aufweist:
einen Kondensator (12), der ein Ende aufweist, das an Masse angeschlossen ist, und der eine Kapazität aufweist, die größer als die eines Parasitärkondensators (32) der aus­ gewählten Bitleitung (33) ist;
ein Stromzufuhrteil (34) zum im wesentlichen gleichzei­ tigen Zuführen eines Stroms zu der ausgewählten Bitleitung (33) und zu einem anderen Ende des Kondensators (12), um Po­ tentiale der ausgewählten Bitleitung (33) und des anderen Endes des Kondensators (12) zu erhöhen; und
einen Differentialverstärker (2, 3, 4, 5) zum Bestimmen von aus der Speicherzelle (31) gelesenen Daten durch ein Ver­ gleichen der von dem Stromzufuhrteil (34) erhöhten Poten­ tiale und zum Setzen des Spannungspegels der ausgewählten Bitleitung (33) auf einen Pegel, bei welchem kein Strom durch die ausgewählte Bitleitung (33) fließt, nachdem die gelesenen Daten bestimmt worden sind.

2. Abfrageverstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Stromzufuhrteil (34) der ausgewähl­ ten Bitleitung (33) und dem Kondensator (12) als Reaktion auf ein Ansteuersignal zum Ansteuern der Abfrageverstärker­ schaltung einen Strom zuführt.

3. Abfrageverstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Differentialverstärker (2, 3, 4, 5) das Stromzufuhrteil (34) auf eine solche Weise steuert, daß, wenn die Erhöhung des Potentials der ausgewählten Bitlei­ tung (33) durch ein Laden des Parasitärkondensators (32) schneller als die Erhöhung des Potentials eines anderen En­ des des Kondensators (12) durch ein Laden des Kondensators (12) ist, eine Zufuhr eines Pseudo-Einschreibstroms zu der ausgewählten Bitleitung (33) abschnitten wird, nachdem die Daten gelesen worden sind, und wenn die Erhöhung des Poten­ tials des anderen Endes des Kondensators (12) durch ein La­ den des Kondensators (12) schneller als die Erhöhung des Po­ tentials der ausgewählten Bitleitung (33) durch ein Laden des Parasitärkondensators (32) ist, eine Zufuhr eines Stroms zu dem Kondensator (12) abgeschnitten wird.

4. Abfrageverstärkerschaltung nach Anspruch 1, gekenn­ zeichnet durch einen Schalter (23), welcher eingeschaltet wird, wenn die Daten, die den gesetzten Pegel aufweisen, aus dem Differentialverstärker (2, 3, 4, 5) ausgegeben wer­ den, und ein Leseanweisungssignal zum Anweisen, Daten aus der Abfrageverstärkerschaltung zu lesen, vorhanden sind, um die Daten, die den gesetzten Pegel aufweisen, als die aus der Speicherzelle (31) gelesenen Daten auszugeben.