DE19521749C2

DE19521749C2 - LCD-Tafel und Aktivmatrixsubstrat für eine solche

Info

Publication number: DE19521749C2
Application number: DE19521749A
Authority: DE
Inventors: Toshihiro Yamashita; Masumi Kubo
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-06-15
Filing date: 1995-06-14
Publication date: 1998-12-03
Anticipated expiration: 2015-06-15
Also published as: DE19521749A1; KR100211008B1; JPH0862582A; KR960001821A; US5659375A; JP3164489B2; TW426807B

Description

Die Erfindung betrifft eine LCD-Tafel unter Verwen dung eines Aktivmatrixsubstrats, und spezieller betrifft sie den Aufbau eines Aktivmatrixsubstrats.

LCD-Tafeln finden weitverbreitete Anwendung hauptsächlich bei Computeranzeigen und auf anderen Gebieten von audiovisuellen Vorrichtungen wie Projek toren bis zu Unterhaltungseinrichtungen wie Spielma schinen. Es ist erwünscht, LCD-Tafeln mit höherer Auf lösung zu entwickeln, um den Erfordernissen einer Viel falt von Medien zu genügen.

Fig. 5 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat, wie es bei einer herkömmlichen LCD-Tafel verwendet wird; dabei ist ein Pixelabschnitt unter mehreren identi schen Pixelabschnitten dargestellt. Fig. 7 ist ein schema tisches Schaltbild, das den Schaltungsaufbau für ein Pi xel zeigt.

Gemäß Fig. 5 umfaßt das Aktivmatrixsubstrat 201 ein Quarzsubstrat 1, auf dem mehrere Flüssigkristall-An steuerelektroden (nachfolgend als Pixelelektroden be zeichnet) 54 zum Ansteuern von Flüssigkristallberei chen mit Schachbrettmuster angeordnet sind. Eine Da tensignalleitung 11a zum Zuführen von Daten zur Pixel elektrode 54 sowie eine Datensignalleitung 11b zum Zu führen von Daten zu einer benachbarten Pixelelektrode sind gemäß der Darstellung auf dem Quarzsubstrat 1 ausgebildet. Die Datenzuführung wird durch ein Schalt bauteil 13 gesteuert, das aus einem Dünnfilmtransistor (nachfolgend als TFT abgekürzt) besteht. Das Quarz substrat 1 verfügt auch über mehrere Abrastersignallei tungen 12, die auf ihm so angeordnet sind, daß sie die Datensignalleitungen 11a und 11b rechtwinklig schnei den. Ein Teil einer Abrastersignalleitung 12 arbeitet als Gate des Schaltbauteils 13, dessen Source 13a über ein Kontaktloch 3a mit der Datensignalleitung 11a verbun den ist und dessen Drain 13b über ein Kontaktloch 3b mit der Pixelelektrode 54 verbunden ist.

Eine Speicherkapazität (C_S) 23 bildet zusammen mit einer zwischen der Pixelelektrode 54 und einer (nicht dargestellten) Gegensubstratelektrode ausgebildeten Flüssigkristallkapazität (C_LC) eine Pixelkapazität (C_P) 34. Zwischen der Pixelelektrode 54 und der Datensignal leitung 11a ist eine Koppelkapazität (C_SD1) 35 ausgebil det; auf ähnliche Weise ist eine Koppelkapazität (C_SD2) 36 zwischen die Pixelelektrode 54 und der mit der be nachbarten Pixelelektrode verbundenen Datensignallei tung 11b ausgebildet.

Die Source, der Drain und der Kanal des TFT 13 bestehen aus Bereichen einer auf dem Quarzsubstrat 1 ausgebildeten Halbleiterschicht 113, während die Abra stersignalleitungen 12 und eine gemeinsame Elektrode 123 der Speicherkapazität 23 z. B. aus einer mit Phosphor dotierten Polysiliziumschicht besteht, die über der Halbleiterschicht 113 ausgebildet ist, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt. Der Be reich 13c der Halbleiterschicht 113, der einer Elektrode 123 zugewandt ist, wirkt als die andere Elektrode der Speicherkapazität. Die Datenleitungen 11a und 11b be stehen aus einer Aluminiumschicht, die über der Schicht der gemeinsamen Elektrode abgeschieden ist, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt, und die Pi xelelektrode besteht aus einem Indiumzinnoxid-Film (nachfolgend manchmal als ITO-Film bezeichnet), der über der Aluminiumschicht ausgebildet ist, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt.

Nachfolgend wird die Funktion beschrieben.

Wenn der TFT 13 durch ein von der Abrastersignal leitung 12 geliefertes Abrastersignal ausgewählt und in den leitenden Zustand versetzt wird, fließt das von der Datensignalleitung 11a zugeführte Datensignal durch den TFT 13 und wird in die Pixelkapazität 34 einge schrieben. Daten werden auf diese Weise in die mit jeder Abrastersignalleitung 12 verbundene Pixelkapazi tät 34 eingeschrieben, bis ein Halb- oder Vollbild abge schlossen ist.

Jedoch ist beim in Fig. 5 dargestellten herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat 201 die Richtung des an die Flüssig kristallbereiche an der Pixelelektrode 54 angelegten elektrischen Felds durch die Wirkungen verschiedener Potentiale von den Datensignalleitungen 11a, 11b und den Abrastersignalleitungen 12 gestört. Dies führt zu einer Störung der Flüssigkristallausrichtung, was Fehl stellungen und im Fall einer normalerweise weißen An zeige Lichtleckage und damit verringerten Kontrast hervorruft. Herkömmlicherweise wurde diese Schwie rigkeit dadurch berücksichtigt, daß der gestörte Bereich der Flüssigkristallausrichtung durch eine Schwarzma trix maskiert wurde, die auf dem Gegensubstrat ausge bildet wurde, um eine Verschlechterung der Anzeige qualität zu verhindern.

In der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 4-74714 und den japanischen Patentanmeldungsveröf fentlichungen 63-301924 und 58-172685 ist eine Struktur zum Überwinden dieser Schwierigkeit beim obenge nannten Aktivmatrixsubstrat 201 vorgeschlagen, bei der ein Teil der Pixelelektrode 64 über der Datensignallei tung 11a liegt, wobei ein Isolierfilm dazwischen einge bettet ist, wie beispielhaft in Fig. 6 dargestellt, um da durch Störungen des elektrischen Felds zu verringern. Im Überlappungsbereich der Pixelelektrode steht die Richtung des elektrischen Felds auf der Pixelelektrode wegen des Potentials der Datensignalleitung rechtwink lig zur Pixelelektrode, was dazu dient, Störungen der Flüssigkristallausrichtung an der Pixelelektrode zu un terdrücken.

Beim herkömmlichen Aktivmatrixsubstrat 201 be steht ein Übersprechungsproblem. Wenn sich der TFF 13 im nichtleitenden Zustand befindet und das in die Pixelkapazität 34 eingeschriebene Datensignal aufrech terhält, wird das Pixelpotential über die Kopplungska pazitäten 35 und 36 durch Datensignale beeinflußt; da her tritt bei einem allgemein ausgeübten Ansteuerver fahren, bei dem die Datensignalpolarität zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt wird, Übersprechen in ver tikaler Richtung auf, wenn eine der Kopplungskapazitä ten 35 und 36 oder beide deutlich größer sind als die Pixelkapazität 34. Um diese Schwierigkeit zu überwin den, ist ein Verfahren bekannt, bei dem die Flüssigkri stalle dadurch angesteuert werden, daß die Signalpolari tät zwischen Datensignalleitungen umgekehrt wird (sie he japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 5-43118). Gemäß diesem Ansteuerverfahren wird die Änderung des Pixelpotentials durch ein Datensignal aufgehoben, da die Polarität des Datensignals, das an eine Datensignalleitung angelegt wird, von der des Da tensignals verschieden ist, das an die nächste Datensi gnalleitung angelegt wird.

Jedoch wird beim herkömmlichen Aktivmatrixsub strat 202 mit dem in Fig. 6 dargestellten Aufbau die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixelelektrode 64 und der zugehörigen Datensignalleitung 11a größer als die Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixel elektrode 64 und der Datensignalleitung 11b, die mit der Pixelelektrode in der benachbarten Spalte verbunden ist, und es ist nicht möglich, die Wirkung ausreichend zu kompensieren, die an der Pixelelektrode von der be nachbarten Datensignalleitung hervorgerufen wird, an die ein Signal mit umgekehrter Polarität angelegt wird. Beim vorstehend genannten Ansteuerverfahren ist es daher nicht möglich, Übersprechen ausreichend zu be seitigen. Demgemäß war es beim herkömmlichen Aktiv matrixsubstrat nicht möglich, eine Störung der Flüssig kristallausrichtung und ein Auftreten von Übersprechen gleichzeitig zu unterdrücken, wenn LCD-Tafeln mit hö herer Auflösung entwickelt wurden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine LCD- Tafel und ein Aktivmatrixsubstrat für eine solche mit hoher Auflösung ohne Übersprechen zu schaffen. Diese Aufgabe wird hinsichtlich der LCD-Tafel durch die Leh ren der unabhängigen Ansprüche 1 und 2 sowie hin sichtlich des Aktivmatrixsubstrats durch die Lehren der unabhängigen Ansprüche 6 und 8 gelöst.

Bei der Erfindung ist jede Pixelelektrode so ausgebil det, daß sie die zugehörige Datensignalleitung über lappt, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt, wodurch verhindert werden kann, daß die Rich tung des an das Flüssigkristallmaterial durch die Pixel elektrode angelegten elektrischen Felds durch die Wir kungen verschiedener Potentiale gestört wird, die von der Pixelelektrode benachbarten Signalleitungen her rühren. Genauer gesagt, steht in einem Bereich, in dem die Pixelelektrode die Datensignalleitung über den Zwi schenniveau-Isolierfilm überlappt, die Richtung des elektrischen Felds an der Pixelelektrode wegen des Po tentials der Datensignalleitung rechtwinklig zur Pixel elektrode, was dazu beiträgt, Störungen der Flüssigkri stallausrichtung an der Pixelelektrode zu unterdrücken.

Da die Kopplungskapazität zwischen der Pixelelek trode und ihrer zugehörigen Datensignalleitung im we sentlichen derjenigen zwischen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung, die zur benachbarten Pixelelek trode gehört, daher entspricht, weil die Datensignalpo larität zwischen benachbarten Datensignalleitungen umgekehrt wird, werden Schwankungen des Pixelpo tentials aufgrund der an die Datensignalleitungen zu beiden Seiten der Pixelelektrode angelegten Signale aufgehoben, wodurch Übersprechen beseitigt wird, wie es durch Kopplungskapazitäten zwischen der Pixelelek trode und den Datensignalleitungen hervorgerufen wird.

Demgemäß kann eine Störung der Flüssigkristallaus richtung verhindert werden, und es kann ein LCD mit feinen Pixeln und frei von Übersprechen realisiert wer den.

Bei der Erfindung ist jede der Flüssigkristall-Ansteu erelektroden, die in jeder Spalte in einer Matrix ange ordnet sind, auf solche Weise ausgebildet, daß sie eine Datensignalleitung auf einer Seite der Flüssigkristall- Ansteuerelektrode überlappt, wobei ein Zwischenni veau-Isolierfilm dazwischen liegt. Ein leitender Film, der elektrisch mit der Flüssigkristall-Ansteuerelektrode verbunden ist, ist unter dieser auf solche Weise ausgebil det, daß er eine Datensignalleitung auf der anderen Sei te der Flüssigkristall-Ansteuerelektrode überlappt, wo bei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt. Demgemäß ist in einem Pixel auf einer Seite einer Da tensignalleitung eine Kopplungskapazität zwischen der Datensignalleitung und der Flüssigkristall-Ansteuer elektrode des Pixels ausgebildet, und in einem Pixel auf der anderen Seite der Datensignalleitung ist eine Kopp lungskapazität zwischen der Datensignalleitung und dem leitenden Film ausgebildet, der mit der Flüssigkri stall-Ansteuerelektrode des Pixels verbunden ist. Dieser Aufbau dient nicht nur dazu, eine Störung der Flüssig kristallausrichtung wie auch das Auftreten von Über sprechen zu verhindern, sondern er ermöglicht es auch, die Kopplungskapazität zwischen der Flüssigkristall- Ansteuerelektrode und der Datensignalleitung auf einer Seite derselben im wesentlichen mit der Kopplungska pazität zwischen ihr und der Datensignalleitung auf ih rer anderen Seite zur Übereinstimmung zu bringen, während ausreichender Zwischenraum zwischen be nachbarten Flüssigkristall-Ansteuerelektroden selbst dann gewährleistet ist, wenn die Pixelgröße verringert wird.

Bei der Erfindung ist eine Speicherkapazität so ausge bildet, daß sie sich unter einer Datensignalleitung er streckt. Eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht, die als ei ne Elektrode der Speicherkapazität dient, besteht z. B. aus einer Polycidschicht oder einer Metallschicht, und daher wirkt die Elektrodenschicht als Lichtsperrschicht. Dieser Aufbau dient dazu, eine Kontrastverschlechte rung zu unterdrücken, wie sie durch eine Störung der Flüssigkristallausrichtung nahe einer Datensignallei tung hervorgerufen wird.

Ferner muß kein Lichtsperrteil, wie es herkömmli cherweise verwendet wird, wie eine Schwarzmatrix, für den durch die Elektrodenschichten bedeckten Bereich vorhanden sein, oder die Fläche der Schwarzmatrix kann verringert werden. Daher kann die Toleranz für Ausrichtungsfehler der Schwarzmatrix oder derglei chen in bezug auf die Pixel beseitigt oder verringert werden, was das Öffnungsverhältnis verbessert.

Genauer gesagt, ist eine Schwarzmatrix im allgemei nen auf einem Gegensubstrat ausgebildet, das dem Ak tivmatrixsubstrat gegenüberstehend angeordnet ist, je doch ist hierfür eine Toleranz hinsichtlich Anordnungs fehlern zwischen dem Gegensubstrat und dem Aktiv matrixsubstrat erforderlich, wobei diese Toleranz hin sichtlich Ausrichtfehlern das Öffnungsverhältnis we sentlich verringert. Wenn die Gemeinsame-Elektrode- Schicht der Speicherkapazität in solchen Fällen als Lichtsperrschicht verwendet wird, muß keine Licht sperrschicht für den Datensignalleitungsbereich vor handen sein, oder die Fläche, in der die Schwarzmatrix ausgebildet wird, kann verringert werden, was wir kungsvoll eine wesentliche Verringerung des Öffnungs verhältnisses verhindert, wie sie durch die Toleranz we gen Anordnungsfehlern hervorgerufen wird.

So ermöglicht es die hier beschriebene Erfindung, ei ne LCD-Tafel zu schaffen, die eine Störung der Flüssig kristallausrichtung und das Auftreten von Überspre chen gleichzeitig verhindern kann.

Diese und andere Vorteile der Erfindung werden dem Fachmann durch Lesen der folgenden detaillierten Be schreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figu ren deutlicher.

Fig. 1, 2, 3 und 4A sind Draufsichten, die jeweils einen Pixelbereich eines Aktivmatrixsubstrats gemäß einem ersten bis vierten Beispiel der Erfindung zeigen;

Fig. 4B ist eine Schnittansicht durch das Aktivmatrix substrat von Fig. 4A entlang der Linie IVb-IVb in Fig. 4A;

Fig. 5 ist eine Draufsicht auf einen Pixelbereich eines Aktivmatrixsubstrats einer herkömmlichen LCD-Tafel;

Fig. 6 ist eine Draufsicht, die einen Pixelbereich bei einem anderen Aktivmatrixsubstrat eines herkömmli chen LCD zeigt;

Fig. 7 ist ein Ersatzschaltbild für einen Pixelbereich;

Fig. 8 und Fig. 9A sind Draufsichten auf jeweils einen Pixelbereich eines Aktivmatrixsubstrats gemäß einem fünften bzw. sechsten Beispiel der Erfindung; und

Fig. 9B ist eine Schnittansicht, die den Aufbau entlang der Linie IXb-IXb in Fig. 9A zeigt.

(Beispiel 1)

Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein erstes Beispiel eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der Erfindung. Hier ist ein Pixelbereich von mehreren identischen Pixelbereichen des Substrats dargestellt. In der Figur bezeichnen die selben Bezugszeichen, wie sie in Fig. 5 verwendet sind, dieselben Teile wie beim dortigen herkömmlichen Ak tivmatrixsubstrat 201.

Beim Aktivmatrixsubstrat 101 ist die Pixelelektrode 14 mit Bereichen ausgebildet, die zu beiden Seiten auf den Datensignalleitungen 11a und 11b liegen, wobei ein Zwischenniveau-Isolierfilm dazwischen liegt, um zu ver hindern, daß die Pixelelektrode 14 einen Kurzschluß zu den Datensignalleitungen 11a und 11b bildet. Wenn die Pixelelektrode 14 hergestellt wird, werden die Flächen des Bereichs, der die Datensignalleitung IIa überlappt, und die Fläche des Bereichs, der die Datensignalleitung 11b überlappt, so eingestellt, daß die Kopplungskapazi tät C_SD1, d. h. die Kapazität zwischen der Pixelelektrode und der Datensignalleitung 11a ungefähr der Kopp lungskapazität C_SD2 in Fig. 7 gleich wird, d. h. der Kopp lungskapazität zwischen der Pixelelektrode und der Da tensignalleitung 11b.

Bei der LCD-Tafel des vorliegenden Beispiels werden die Flüssigkristallbereiche durch Datensignale ange steuert, deren Polarität zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt wird, wobei zusätzlich eine Umkehrung von einer Datensignalleitung zur nächsten erfolgt, d. h. von der Datensignalleitung 11a auf die Datensignalleitung 11b.

Nachfolgend werden die Wirkung und der Vorteil des vorstehend genannten Aufbaus beschrieben. Im Aktiv matrixsubstrat 101 ist verhindert, da die Pixelelektrode 14 so ausgebildet ist, daß sie die Datensignalleitungen 11a und 11b auf ihren beiden Seiten überlappt, wobei ein Zwischenschicht-Isolierfilm dazwischen liegt, daß die Richtung des an den Flüssigkristallbereich nahe dem Rand der Pixelelektrode 14 angelegten elektrischen Felds durch die Potentiale der benachbarten Datensi gnalleitungen gestört wird.

Da die Kopplungskapazitäten 35 und 36 zwischen der Pixelelektrode 14 und den Datensignalleitungen 11a und 11b auf ihren beiden Seiten ungefähr gleich groß sind, kann eine Änderung des Pixelpotentials durch die Kopplungskapazitäten von den benachbarten Datensi gnalleitungen aufgehoben werden. Demgemäß kann bei einem Ansteuerverfahren, bei dem die Datensignalpola rität zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt wird, ein Übersprechen in vertikaler Richtung dadurch besei tigt werden, daß dafür gesorgt wird, daß Datensignale mit verschiedenen Polaritäten an die Datensignalleitun gen 11a sind 11b angelegt werden.

So beseitigt das vorliegende Beispiel Übersprechen in vertikaler Richtung, während gleichzeitig eine Störung der Flüssigkristallausrichtung verhindert ist, wie sie durch Störungen des elektrischen Felds von den Daten signalleitungen zu beiden Seiten der Pixelelektrode her vorgerufen werden könnte.

Da jedoch über jeweils eine Datensignalleitung hin weg benachbarte Pixel 14 so ausgebildet sind, daß sie in Breitenrichtung dieselbe Datensignalleitung überlap pen, kann kein ausreichender Abstand zwischen be nachbarten Pixeln 14 aufrechterhalten werden, wenn die Pixelgröße verringert wird und auch die Breite der Da tensignalleitung verringert wird, um das Öffnungsver hältnis beizubehalten.

Das zweite bis vierte Beispiel, wie sie nachfolgend beschrieben werden, sind zum Miniaturisieren von Pi xeln wirkungsvoll.

(Beispiel 2)

Fig. 2 ist eine Draufsicht auf das zweite Ausführungs beispiel eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der Erfin dung. Es ist ein Pixelbereich unter mehreren identischen Pixelbereichen des Substrats dargestellt.

Beim Aktivmatrixsubstrat 102 dieses Beispiels über lappt jede der Seiten der Pixelelektrode 24, die den Seiten der Pixelelektrode 64 (in Fig. 6 dargestellt) paral lel zu den Datensignalleitungen entsprechen, teilweise die benachbarte Datensignalleitung, wie in Fig. 2 darge stellt, wohingegen in Fig. 6 nur eine der Seiten der Pixel elektrode 64 die Datensignalleitung 11a vollständig überlappt.

Genauer gesagt, überlappt diejenige Seite der Pixel elektrode 24, die der Datensignalleitung näher liegt, die se Datensignalleitung 11a. D. h., daß eines von einem Paar Kanten der Pixelelektroden 24, die parallel zu den Datensignalleitungen laufen, teilweise auf der Datensi gnalleitung 11a liegt. Die andere Seite der Pixelelektro de 24, die der Datensignalleitung 11b näher liegt, über lappt diese Datensignalleitung 11b. D. h., daß die andere der Kanten teilweise auf der Datensignalleitung 11b liegt. Die Fläche des Bereichs 24a, in dem die Pixelelek trode 24 die Datensignalleitung 11a überlappt und die Fläche des Bereichs 24b, in dem die Pixelelektrode 24 die Datensignalleitung 11b überlappt, sind so festgelegt, daß die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixel elektrode 24 und der Datensignalleitung 11a ungefähr der Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixelelek trode 24 und der Datensignalleitung 11b gleich wird.

Um die Auswirkungen von Störungen des elektri schen Felds zu verringern, ist es erwünscht, daß der Bereich 24b so weit wie möglich von der Öffnung ent fernt liegt, d. h. einer Öffnung in der Schwarzmatrix, die die Transistor- und Signalleitungsbereiche maskiert, und daß diejenigen Bereiche der Pixelelektrode 24, die parallel zu den Datensignalleitungen liegen (in diesem Beispiel die geradlinigen Bereiche) innerhalb der Öff nung liegen. Hinsichtlich anderer Punkte stimmt dieser Aufbau mit dem des vorstehenden ersten Beispiels überein.

Beim Aufbau des vorliegenden Beispiels besteht ab weichend vom Fall des ersten Beispiels eine Möglich keit, daß kein ausreichender Abstand zwischen benach barten Pixelelektroden gewährleistet werden könnte, wenn die Pixelgröße verringert wird, da der Überlap pungsbereich 24b zwischen der Pixelelektrode 24 und der benachbarten Datensignalleitung so ausgebildet ist, daß er sich in einen maskierten Bereich hinein erstreckt. So ist das Aktivmatrixsubstrat des vorliegenden Bei spiels wirkungsvoll, wenn es darum geht, Pixel zu minia turisieren, wobei der Abstand zwischen Pixeln z. B. 50 µm oder weniger beträgt.

(Beispiel 3)

Nachfolgend wird ein drittes Beispiel der Erfindung beschrieben. Fig. 3 ist eine Draufsicht auf das dritte Bei spiel eines Aktivmatrixsubstrats gemäß der Erfindung. Es ist dort ein Pixelbereich von mehreren identischen Pixelbereichen dargestellt.

Das Aktivmatrixsubstrat 103 gemäß dem vorliegen den Beispiel beinhaltet Datensignalleitungen 31a und 31b, die mit den gestreckten Datensignalleitungen 11a und 11b übereinstimmen, wie sie beim herkömmlichen, in Fig. 6 dargestellten Aktivmatrixsubstrat 202 ausgebil det sind, mit der Ausnahme, daß ein Vorsprung 11c zu sätzlich an jeder Datensignalleitung vorhanden ist, der die Pixelelektrode 64 überlappt. Bei diesem Aufbau ist die Fläche des Überlappungsbereichs, in dem die Pixel elektrode 64 den Vorsprung 11c überlappt, so einge stellt, daß die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 31a unge fähr der Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixel elektrode 64 und der Datensignalleitung 31b gleich wird. In diesem Beispiel ist der zur Datensignalleitung zur Kapazitätseinstellung hinzugefügte Vorsprung 11c unter einem Bereich ausgebildet, der durch die Schwarzmatrix maskiert ist, um eine Verringerung des Öffnungsverhältnisses zu vermeiden. In anderer Hin sicht ist der Aufbau derselbe wie der des in Fig. 6 darge stellten herkömmlichen Aktivmatrixsubstrats 202.

Beim vorliegenden Beispiel sind die Datensignallei tungen jeweils so ausgebildet, daß sie einen zusätzlichen Vorsprung 11c aufweisen, der durch eine Pixelelektrode überlappt wird. Daher ist das Aktivmatrixsubstrat des vorliegenden Beispiels wie das des zweiten Beispiels hinsichtlich einer Miniaturisierung von Pixeln wirkungs voll.

(Beispiel 4)

Nachfolgend wird das vierte Beispiel der Erfindung beschrieben. Fig. 4A ist eine Draufsicht, die einen Pixel bereich von mehreren identischen Pixelbereichen des Aktivmatrixsubstrats 104 des vorliegenden Beispiels zeigt. Fig. 4B ist eine Schnittansicht entlang der Linie IVb-IVb in Fig. 4A.

Beim Aktivmatrixsubstrat 104 sind eine Drainelektro de 19 und ein Metallfilm 18 hinzugefügt. Die Drainelek trode 19 wird gleichzeitig mit den Datensignalleitungen 11a und 11b unter Verwendung desselben Materials, z. B. Aluminium, hergestellt. Der Metallfilm 18 besteht z. B. aus TiW, und er liegt zwischen der Drainelektrode 19 und der Pixelelektrode 64, wobei Isolierfilme 41b bzw. 41c zwischengefügt sind. Die Drainelektrode 19 ist über ein Kontaktloch 3c mit dem Drain 13b des TFT 13 verbunden, während der Metallfilm 18 über ein Kon taktloch 3d mit der Drainelektrode 19 und auch über ein Kontaktloch 3e mit der Pixelelektrode 64 verbunden ist. Der Metallfilm 18 dient auch als Lichtsperrfilm zum Überdecken des Bereichs, in dem der TFT 13 ausgebil det ist, und von Bereichen zwischen der Pixelelektrode 64 und den Leitungen 11b und 12, wie in Fig. 4A darge stellt.

Im Aktivmatrixsubstrat 104 überlappt die Pixelelek trode 64 wie beim in Fig. 6 dargestellten Aktivmatrix substrat die Datensignalleitung 11a. Die Fläche des Überlappungsbereichs zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 11a sowie die Fläche des Überlappungsbereichs zwischen dem Metallfilm 18 und der Datensignalleitung 11b sind so eingestellt, daß die Kopplungskapazität C_SD1 zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 11a im wesentlichen der Kopplungskapazität C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 64 und der Datensignalleitung 11b gleich wird.

Bei diesem Beispiel ist der Metallfilm 18 als Licht sperrfilm verwendet. Jedoch ist zu beachten, daß der Metallfilm 18 nicht notwendigerweise so ausgebildet sein muß, daß er den TFT 13 bedeckt und daß die Form des Metallfilms 18 nicht auf die in Fig. 4A dargestellte beschränkt ist.

Wie in Fig. 4B dargestellt, ist ein Isolierfilm 41a vor handen, um die Datensignalleitungen 11a und 11b gegen die darunter liegenden Abrasterleitungen 12 zu isolie ren, während der Isolierfilm 41b vorhanden ist, um die Datensignalleitungen 11a und 11b gegen den darüber ausgebildeten Metallfilm 18 zu isolieren, und der Isolier film 41c ist vorhanden, um den als Pixelelektrode 64 wirkenden ITO-Film gegen den darunter liegenden Me tallfilm 18 zu isolieren.

Beim vierten Beispiel ist der Metallfilm 18 so unter der Pixelelektrode 64 ausgebildet, daß er die Datensi gnalleitung 11b überlappt, und die Pixelelektrode 64 und der Metallfilm 18 sind über das Kontaktloch 3e mitein ander verbunden. Außerdem sind die Fläche des Be reichs, in dem die Pixelelektrode 64 die Datensignallei tung 11a überlappt und die Fläche des Bereichs, in dem der Metallfilm 18 die Datensignalleitung 11b überlappt, so eingestellt, daß die Kopplungskapazitäten C_SD1 und C_SD2 zwischen der Pixelelektrode 64 und den Datensi gnalleitungen 11a und 11b zu deren beiden Seiten im wesentlichen gleich sind. Demgemäß ist das Aktivma trixsubstrat dieses Beispiels wie das zweite Beispiel beim Miniaturisieren von Pixeln wirkungsvoll.

Beim vorliegenden Beispiel kann ein zusätzlicher Vorsprung hic an der Datensignalleitung, der von der Pixelelektrode 64 überlappt wird, vorhanden sein, um die Kopplungskapazitäten C_SD1 und C_SD2 einzustellen, wie beim dritten Beispiel. In diesem Fall ist der mit der Pixelelektrode 64 über das Kontaktloch 3e verbundene Metallfilm 18 so ausgebildet, daß er den Vorsprung 11c überlappt.

Beim vorliegenden Beispiel ist ein Kantenbereich der Datensignalleitung 11b, die aus Aluminium oder derglei chen mit einer Dicke von 600 nm bis 1 µm besteht, vom Metallfilm 18 bedeckt, wie in Fig. 4B dargestellt. Wenn der Metallfilm 18 so ausgebildet wird, daß er eine Dicke von z. B. 50 nm bis 150 nm aufweist, ist es möglich, die Stufe auf dem Substrat 104 nahe der Öffnung in der Schwarzmatrix zu verringern, was eine Störung der Flüssigkristallausrichtung und eine Kontrastverschlech terung verhindert. Die Dicken der Datensignalleitung 11b und des Metallfilms 18 sind nicht auf die vorstehend angegebenen Dicken beschränkt, solange die Dicke des Metallfilms 18 so eingestellt ist, daß die Stufe auf dem Substrat 104 nahe einer Öffnung in der Schwarzmatrix verringert ist.

(Beispiel 5)

Fig. 8 ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsubstrat einer LCD-Tafel gemäß dem fünften Beispiel zur Erfin dung. Es ist ein Pixelbereich unter mehreren identischen Pixelbereichen des Substrats dargestellt. In der Figur bezeichnen dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 1 die selben Teile.

Im Aktivmatrixsubstrat 105 verfügt die Speicherka pazität 23 über einen erweiterten Bereich 23a, der unter den Datensignalleitungen 11a und 11b ausgebildet ist, wobei dessen Breite geringfügig größer ist als die der Datensignalleitungen 11a und 11b. In anderer Hinsicht ist der Aufbau des Aktivmatrixsubstrats des vorliegen den Beispiels derselbe wie beim ersten Beispiel.

Beim vorstehend genannten Aufbau ist die Gemein same-Elektrode-Schicht 123 der Speicherkapazität 23 so unter den Datensignalleitungen 11a und 11b ausge bildet, daß sie sich entlang derselben erstreckt, während die Halbleiterschicht 113 des TFT 13 ebenfalls so unter den Datensignalleitungen 11a und 11b ausgebildet ist, daß sie sich entlang denselben erstreckt. Der erweiterte Bereich 123a (der Bereich unter der Datensignalleitung) der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 123 sowie der er weiterte Bereich 113a (der Bereich unter der Datensi gnalleitung) der Halbleiterschicht 13 dienen als obere bzw. untere Elektrode des erweiterten Bereichs 23a un ter den Datensignalleitungen 11a und 11b.

Da bei diesem Beispiel der erweiterte Bereich 23a der Speicherkapazität 23 unter den Datensignalleitungen 11a und 11b ausgebildet ist, kann der erweiterte Bereich 123a, der den Teil 23a der Speicherkapazität 23 bildet, als Lichtsperrschicht verwendet werden. Dies unter drückt Kontrastverschlechterungen, wie sie durch Stö rungen der Flüssigkristallausrichtung nahe einer Daten signalleitung hervorgerufen werden.

Ein auf dem Gegensubstrat ausgebildetes Lichtsperr teil wie eine Schwarzmatrix muß nicht für denjenigen Bereich vorhanden sein, der von der Elektrode 123a des erweiterten Bereichs 23a der Speicherkapazität 23 be deckt wird, oder es kann die Fläche des Gegensubstrats verringert werden, in der das Lichtsperrteil ausgebildet ist. Daher kann die Toleranz für Ausrichtungsfehler der Schwarzmatrix oder dergleichen in bezug auf die Pixel verringert werden, was das Öffnungsverhältnis erhöht. Jedoch nimmt das Öffnungsverhältnis im Vergleich zu einem Aufbau ab, bei dem nur die Datensignalleitungen 11a und 11b als Lichtsperrteile verwendet sind. Dies, da der erweiterte Bereich 123a der Polysiliziumschicht 123 breiter als die Datensignalleitungen 11a und 11b ist. Bei der Aktivmatrix 105 des vorliegenden Beispiels kann eine Störung der Flüssigkristallausrichtung wegen der Stufe im Kantenbereich der Datensignalleitung wie auch eine Störung der Flüssigkristallausrichtung in ei nem Bereich nahe dem Kantenbereich einer Datensi gnalleitung nahe dem Rand einer Pixelelektrode durch die Elektroden 123a und 113a der Speicherkapazität 13 maskiert werden. Daher können Kontrastverschlechte rungen unterdrückt werden, wie sie durch eine Störung der Flüssigkristallausrichtung hervorgerufen werden.

Unter Verwendung der gemeinsamen Elektrode der Speicherkapazität, wie unter den Datensignalleitungen ausgebildet, als Lichtsperrteil kann eine Kontrastver schlechterung, wie sie durch Störungen der Flüssigkri stallausrichtung nahe einer Datensignalleitung hervor gerufen wird, unterdrückt werden, während eine deutli che Verringerung des Öffnungsverhältnisses unter drückt ist.

(Beispiel 6)

Fig. 9A ist eine Draufsicht auf ein Aktivmatrixsub strat einer LCD-Tafel gemäß einem sechsten Beispiel. In Fig. 9A ist ein Pixelbereich von einer Vielzahl identi scher Pixelbereiche eines Aktivmatrixsubstrats 106 dar gestellt. Fig. 9B ist eine Schnittansicht durch das Aktiv matrixsubstrat 106 entlang der Linie IXb-IXb in Fig. 9A. In den Fig. 9A und 9B bezeichnen dieselben Bezugszei chen wie in den Fig. 4A und 4B dieselben Teile.

Im Aktivmatrixsubstrat 106 weist die Speicherkapazi tät 23 einen erweiterten Bereich 23b auf, der unter jeder der Datensignalleitungen ausgebildet ist, wobei dessen Breite geringfügig größer ist als in einem Bereich, in dem eine Datensignalleitung und ein Metallfilm 18 aus gebildet sind.

Bei diesem Aufbau ist die Gemeinsame-Elektrode- Schicht 123, die als Elektrode der Speicherkapazität 23 dient, unter den Datensignalleitungen 11a und 11b so wie dem Metallfilm 18 so ausgebildet, daß sie über er weiterte Bereiche 123b verfügt, die sich entlang den Datensignalleitungen 11a und 11b und dem Metallfilm 18 erstrecken. Die Halbleiterschicht 113 des TFT 13 ist auch unter den Datensignalleitungen 11a und 11b und dem Metallfilm 18 so ausgebildet, daß sie erweiterte Bereiche 123b aufweist, die sich entlang den Datensi gnalleitungen 11a und 11b und dem Metallfilm 18 er strecken. Der erweiterte Bereich 123b (der Bereich un ter jeder Datensignalleitung) der Gemeinsame-Elektro de-Schicht 123 sowie der erweiterte Bereich 113b (der Bereich unter jeder Datensignalleitung) der Halbleiter schicht 113 wirken als obere bzw. untere Elektrode des erweiterten Bereichs 23b der Speicherkapazität 23.

Wie in Fig. 9B dargestellt, ist ein Isolierfilm 41a₁ vor handen, um die Halbleiterschicht 113, die den erweiter ten Bereich 113b aufweist und direkt auf dem Substrat 1 ausgebildet ist, von der Abrastersignalleitung 12 und der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 123 zu isolieren, die den erweiterten Bereich 123b aufweist. Auf dem Isolier film 41a₁ ist ein Isolierfilm 41a₂ so ausgebildet, daß er die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 123 bedeckt, wodurch die Polysiliziumschicht 123 gegen die darüber ausgebil deten Datensignalleitungen 11a und 11b isoliert ist. Die zwei Isolierfilme 41a₁ und 41a₂ entsprechen einem ein zelnen Isolierfilm 41a in Fig. 4.

In anderer Hinsicht ist der Aufbau des Aktivmatrix substrats beim vorliegenden Beispiel derselbe wie der des Aktivmatrixsubstrats beim vierten Beispiel.

Der beim sechsten Beispiel beschriebene Aufbau hat nicht nur dieselben Wirkungen wie das vierte Beispiel, sondern er hat auch die Wirkung, daß Kontrastver schlechterungen unterdrückt sind, wie sie durch Störun gen der Flüssigkristallausrichtung nahe den Datensi gnalleitungen hervorgerufen werden, während gleich zeitig eine deutliche Verringerung des Öffnungsverhält nisses vermieden ist.

Gemäß der Beschreibung jedes der vorstehenden Beispiele weist das Aktivmatrixsubstrat mehrere schachbrettförmig (d. h. matrixförmig) angeordnete Pi xel auf, jedoch ist zu beachten, daß die Pixelanordnung nicht auf das dargestellte Muster beschränkt ist. Es kön nen andere Pixelanordnungen verwendet werden, z. B. Dreiecksanordnungen, bei denen die Pixel in ungerad zahligen Zeilen gegenüber Pixeln in geradzahligen Zei len versetzt sind. Bei dieser Anordnung ist jede Datensi gnalleitung so gebogen, daß sie der Anordnung von Pi xeln in jeder Spalte entspricht, jedoch können dieselben Wirkungen wie bei den vorstehend beschriebenen Aus führungsbeispielen erzielt werden.

Wenn ein erfindungsgemäßes Aktivmatrixsubstrat verwendet wird, können Störungen der Flüssigkristall ausrichtung verhindert werden, und es kann ein feine Pixel enthaltendes LCD realisiert werden, das frei von Übersprechen ist.

Genauer gesagt, wird durch die Erfindung verhindert, da jede Pixelelektrode so ausgebildet ist, daß sie be nachbarte Datensignalleitungen mit einem dazwischen liegenden Isolierfilm überlappt, daß die Richtung des an den der Pixelelektrode benachbarten Flüssigkristall an gelegten elektrischen Felds durch die Wirkung eines anderen Potentials von einer Datensignalleitung gestört wird.

Die Kopplungskapazität zwischen der Pixelelektrode und ihrer entsprechenden Datensignalleitung ist so ein gestellt, daß sie im wesentlichen der Kopplungskapazi tät zwischen der Pixelelektrode und derjenigen Datensi gnalleitung entspricht, die der benachbarten Pixelelek trode entspricht. Daher wird dann, wenn ein Ansteuer verfahren verwendet wird, bei dem die Polarität des Datensignals zwischen benachbarten Datensignallei tungen umgekehrt wird, die Auswirkung der Datensi gnalleitungen, die mit Signalen mit umgekehrten Polari täten versorgt werden, auf die Pixelelektrode ausrei chend aufgehoben, weswegen Übersprechen beseitigt werden kann.

Dies verhindert Kontrastverschlechterungen wegen Störungen der Flüssigkristallausrichtung, wie sie durch Störungen des elektrischen Felds von Datensignallei tungen hervorgerufen werden, wie auch Übersprechen aufgrund der Kopplungskapazitäten zwischen der Pi xelelektrode und den Datensignalleitungen verhindert ist, und zwar selbst dann, wenn die Pixelgröße zum Er zielen höherer Auflösung verringert ist. Im Ergebnis kann eine gute Flüssigkristallanzeige mit hohem Kon trast erzielt werden.

Gemäß der Erfindung kann, da die Speicherkapazität unter jeder Datensignalleitung ausgebildet ist, die als eine Elektrode der Speicherkapazität dienende gemein same Elektrode als Lichtsperrteil verwendet werden, was dazu beiträgt, Kontrastverschlechterungen zu un terdrücken, wie sie durch eine Störung der Flüssigkri stallausrichtung nahe einer Datensignalleitung hervor gerufen werden. In diesem Fall muß ein Lichtsperrteil, wie es herkömmlicherweise auf dem Gegensubstrat ausgebildet ist, wie eine Schwarzmatrix, für einen Be reich nicht vorhanden sein, der durch die gemeinsame Elektrode der Speicherkapazität bedeckt wird. So kann die Toleranz hinsichtlich Ausrichtfehlern der Schwarz matrix oder dergleichen zu den Pixeln beseitigt oder verringert werden, was das Öffnungsverhältnis erhöht.

Claims

1. LCD-Tafel mit einem Aktivmatrixsubstrat (101; 102; 103; 105), das folgendes aufweist:

1. ein Substrat (1);
2. mehrere Pixelelektroden (14; 24; 64) zum Ansteuern eines Flüssigkristalls, die in Zeilen und Spalten auf dem Substrat angeordnet sind;
3. mehrere Datensignalleitungen (11a, 11b; 31a; 31b) zum Zuführen von Datensignalen zu den Pixelelektroden einer jeweiligen Spalte;
4. mehrere Schaltbauteile (13) zum elektrischen Verbinden jeder Datensignalleitung mit den Pixelelektroden der zugehörigen Spalte;
5. mehrere Abrastersignalleitungen (12) zum Steuern der Schaltbauteile; und
6. mehrere Speicherkapazitäten (23), die jeweils mit Anschlüssen der Schaltbauteile ver bunden sind, die ihrerseits mit den Pixelelektroden verbunden sind;
wobei jede Pixelelektrode die zugehörige Datensignalleitung (11a; 31a) in einem ersten Bereich (24a) überlappt, wobei ein Isolierfilm dazwischengefügt ist, und jede Pixelelektro de die mit dem Pixelbereich einer Nachbarspalte verbundene benachbarte Datensignallei tung (11b; 31b) in einem zweiten Bereich (24b) überlappt, wobei der isolierende Film da zwischengefügt ist,

dadurch gekennzeichnet, daß

1. eine im ersten Überlappungsbereich (24a) ausgebildete Kopplungskapazität (35) im we sentlichen einer im zweiten Überlappungsbereich (24b) ausgebildeten Kopplungskapazität (36) entspricht; und
2. das Aktivmatrixsubstrat Datensignale erhält, deren Polarität zwischen Halb- oder Vollbil dern umgekehrt sind und bei denen die Polaritäten zwischen jeweils benachbarten Datensi gnalleitungen verschieden sind.

2. LCD-Tafel mit einem Aktivmatrixsubstrat (104; 106), das fol gendes aufweist:

1. ein Substrat (1);
2. mehrere Pixelelektroden (64) zum Ansteuern eines Flüssig kristalls, die in Zeilen und Spalten auf dem Substrat ange ordnet sind;
3. mehrere Datensignalleitungen (11a, 11b) zum Zuführen von Datensignalen zu den Pixelelektroden einer jeweiligen Spal te;
4. mehrere Schaltbauteile (13) zum elektrischen Verbinden je der Datensignalleitung mit den Pixelelektroden der zugehöri gen Spalte;
5. mehrere Abrastersignalleitungen (12) zum Steuern der Schaltbauteile; und
6. mehrere Speicherkapazitäten (23), die jeweils mit An schlüssen der Schaltbauteile verbunden sind, die ihrerseits mit den Pixelelektroden verbunden sind;

dadurch gekennzeichnet, daß

1. mehrere leitende Filme (18) zum elektrischen Anschließen der Pixelelektroden vorhanden sind;
2. jede Pixelelektrode eine von zwei benachbarten Datensi gnalleitungen (11a) überlappt, wobei ein Isolierfilm (41b) dazwi schengefügt ist, wobei der zugehörige leitende Film die an dere der zwei benachbarten Datensignalleitungen (11b) über lappt, wobei der isolierende Film (41b) dazwischengefügt ist, und wobei eine erste Kopplungskapazität (35), die zwischen jeder der Pixelelektroden und der einen (11a) der benachbarten zwei Daten signalleitungen ausgebildet ist, im wesentlichen einer zwei ten Kopplungskapazität (36) entspricht, die zwischen jeder der Pixelelektroden und der anderen (11b) der benachbarten zwei Daten signalleitungen ausgebildet ist; und
3. das Aktivmatrixsubstrat Datensignale empfängt, deren Pola ritäten zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt werden und deren Polaritäten für die benachbarten zwei Datensignallei tungen verschieden sind.

3. LCD-Tafel nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Datensignalleitungen (11a, 11b) einen Kapazitätseinstellbereich aufweist, um die erste Kopplungskapazität und/oder die zweite Kopplungskapazität einzustellen.

4. LCD-Tafel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltbauteile (13) Dünnfilmtransistoren sind und ein Teil jedes leitenden Films (18) als Lichtsperrteil dient, das den Kanalbereich des zugehörigen Dünnfilmtransistors bedeckt.

5. LCD-Tafel nach einem der vorstehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß die Speicherkapazitäten erweiterte Bereiche (113a, 123a) aufweisen, die unter den Datensignalleitungen ausgebildet sind.

6. Aktivmatrixsubstrat (101; 102; 103; 105) mit:

1. einem Substrat (1);
2. mehreren Datensignalleitungen (11a, 11b), die auf dem Substrat ausgebildet sind;
3. mehreren Abrastersignalleitungen (12), die auf dem Substrat so ausgebildet sind, daß sie die Datensignalleitungen im wesentlichen rechtwinklig überkreuzen;
4. einer Pixelelektrode (14), die in der Nähe jeder Überkreuzungsstelle zwischen den Daten signalleitungen und den Abrastersignalleitungen ausgebildet ist; und
5. einem Schaltbauteil (13) zum elektrischen Verbinden jeder Pixelelektrode mit einer zu gehörigen Datensignalleitung und einer zugehörigen Abrastersignalleitung;
wobei jede Pixelelektrode die zugehörige Datensignalleitung (11a; 31a) in einem ersten Bereich (24a) überlappt, wobei ein Isolierfilm dazwischengefügt ist, und jede Pixelelektro de die mit dem Pixelbereich einer Nachbarspalte verbundene benachbarte Datensignallei tung (11b; 31b) in einem zweiten Bereich (24b) überlappt, wobei der isolierende Film da zwischengefügt ist,

dadurch gekennzeichnet, daß

1. eine im ersten Überlappungsbereich (24a) ausgebildete Kopplungskapazität (35) im we sentlichen einer im zweiten Überlappungsbereich (24b) ausgebildeten Kopplungskapazität (36) entspricht; und
2. die Datensignalleitungen Datensignale übertragen, deren Polaritäten zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt sind, wobei die Polaritäten der Datensignale zwischen benachbarten Datensignalleitungen verschieden sind.

7. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 6, dadurch gekenn zeichnet, daß die Pixelelektrode eine erste und eine zweite Kante aufweist, wobei die erste Kante teilweise auf der zu gehörigen Datensignalleitung liegt und die zweite Kante teilweise auf der anderen Datensignalleitung liegt.

8. Aktivmatrixsubstrat (104; 106) mit:

dadurch gekennzeichnet, daß

1. ein leitender Film (18) unter der Pixelelektrode ausgebildet ist, wobei ein erster Isolier film (41c) dazwischengefügt ist, wobei der leitende Film über ein im ersten Isolierfilm aus gebildetes Kontaktloch (3e) elektrisch mit der Pixelelektrode verbunden ist; und
2. die Pixelelektrode einen Überlappungsbereich aufweist, der die zugehörige Datenleitung (11a) bedeckt, wobei der leitende Film die andere Datensignalleitung (11b), die benachbart zur zugehörigen Datensignalleitung ist, bedeckt, und er von dieser anderen Datensignallei tung durch einen zweiten Isolierfilm (41b) isoliert ist, wobei eine erste Kopplungskapazität (35), die zwischen der Pixelelektrode und der zugehörigen Datensignalleitung ausgebildet ist, im wesentlichen einer zweiten Kopplungskapazität (36) entspricht, die zwischen der Pixelelektrode und der anderen Datensignalleitung ausgebildet ist, und
3. die Datensignalleitungen Datensignale übertragen, deren Polaritäten zwischen Halb- oder Vollbildern umgekehrt sind, wobei die Polaritäten der Datensignale zwischen benachbarten Datensignalleitungen verschieden sind.

9. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 6 bis 8, gekennzeichnet durch eine mit dem Schaltbauteil (13) verbun dene Speicherkapazität (23), deren Elektroden unter der anderen Datensignalleitung (11b) so ausgebildet sind, daß sie sich entlang derselben erstrecken.

10. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 9, dadurch gekenn zeichnet, daß die erweiterten Bereiche (113a, 123a) der Elektroden der Speicherkapazitäten als Lichtsperrteil dienen.

11. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß jede Datensignalleitung (11a, 11b) einen vor springenden Bereich (11c) aufweist und der leitende Film (18) den vorspringenden Bereich der anderen Datensignallei tung überdeckt.