DE19519017A1

DE19519017A1 - Mehrfachmaskenverfahren zur Verbesserung selektiver Maskenstrukturelemente

Info

Publication number: DE19519017A1
Application number: DE19519017A
Authority: DE
Inventors: Mark Oliver Neisser
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1994-06-30
Filing date: 1995-05-24
Publication date: 1996-01-04
Also published as: JPH0851071A; US5563012A

Description

GEBET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Maskie rungstechniken für Feinstrukturelement-Lithographie und spe zieller auf Maskierungstechniken bei integrierten Schaltkreisen für Schaltkreisstrukturelemente zur Verbesserung der Auflösung des maskierten Bildes oder der Tiefenschärfe (DOF) in Photoresi sten.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Es gibt vier Haupttypen von Maskenbildstrukturelementen. Dabei handelt es sich um Linien/Abstands-Matrizen, isolierte Linien, isolierte Abstände und Kontaktlöcher. Ein übliches Problem, das bei Lithographieverfahren auftritt, besteht darin, daß Techniken des Standes der Technik zur Verbesserung der Auflösung oder DOF des Bildes nicht gleichmäßig alle vier Haupttypen verbessern. Statt dessen stellen Techniken des Standes der Technik eine opti male Verbesserung für spezielle Haupttypen der Strukturelemente bereit, so daß einige Strukturelemente relativ zu anderen in der gleichen Entwurfsstruktur verbessert werden. Diese vollständig verbesserten Strukturelementtypen werden im folgenden als ver bessert bezeichnet. Strukturelemente, die durch eine bestimmte Technik nicht vollständig verbessert werden, werden im folgenden als nicht verbessert bezeichnet. Da Techniken des Standes der Technik selektiv verbesserte spezielle Strukturelementtypen be günstigen, ist eine gleichmäßige Verbesserung des Maskenbildes für gemischte Entwurfsstrukturen, d. h. mit vielen Strukturele menttypen, sehr schwierig.

Das allgemein bekannte außeraxiale Beleuchtungsverfahren verbes sert zum Beispiel mit dicht beabstandeten Strukturen, wie Linien/Abstands-Matrizen, viel stärker als isolierte Struktur elemente oder Kontaktlöcher. Im Gegensatz dazu führt das ge dämpfte Phasenschiebungsmasken (PSM) -Verfahren zu einer besseren Auflösung und DOF für isolierte Strukturelemente und Kontaktlö cher als für Linien/Abstands-Matrizen. Das Rand-PSM-Verfahren ist dem gedämpften PSM-Verfahren hinsichtlich der verbesserten Strukturelementtypen ähnlich. Bildverbesserungstechniken des Standes der Technik stellen im allgemeinen lediglich eine selek tive Verbesserung bestimmter Strukturelementtypen bereit, die nicht zu einer gleichmäßigen Bildverbesserung führt, oder werfen erhebliche Schwierigkeiten hinsichtlich Design und/oder Her stellbarkeit auf.

ZIELE DER ERFINDUNG

Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, Strukturele mente von Bildern gleichmäßig für Strukturen mit verschiedenen Strukturelementtypen zu verbessern.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Ver besserung der Auflösung oder DOF ausgewählter Strukturelemente, um verbesserte Bilder in einem Photoresist auf Masken mit ver schiedenen Strukturelementtypen zu erzeugen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Bildverbesserung einer Struktur mit verschie denen Strukturelementtypen, wobei das Verfahren umfaßt: Eintei len von Strukturformen in eine Mehrzahl von Formgruppen entspre chend dem Strukturelementtyp einschließlich wenigstens einer verbesserten Strukturelementgruppe und wenigstens einer ver gleichsweise nicht verbesserten Strukturelementgruppe; Bilden einer Mehrzahl von Überlagerungsgruppen von wenigstens einer nicht verbesserten Strukturelementgruppe; und Bilden einer Mehrzahl von Überlagerungsmaskenbildern, wobei jedes Überlage rungsmaskenbild eine andere der Mehrzahl von Überlagerungsgrup pen beinhaltet und einem der Überlagerungsmasken wenigstens eine verbesserte Strukturelementgruppe beinhaltet. Aufeinanderfolgen de Belichtungen jedes Maskenbildes ohne zwischenzeitliche Ent wicklung des Resistes stellt eine verbesserte Auflösung und/oder Tiefenschärfe für wenigstens eine Strukturelementgruppe gegen über derjenigen bereit, die bei Verwenden einer einzelnen Maske und einer einzelnen Belichtung erzielt werden könnte. Bei einer Ausführungsform werden die Überlagerungsgruppen verschachtelt, um eine Matrix zu bilden, wenn die Überlagerungsmasken überla gert werden. Bei einer zweiten Ausführungsform verbinden sich die Überlagerungsgruppen, um eine gleichmäßige Belichtung zu erzeugen, die lediglich zu isolierten Strukturelementen führt.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine vereinfachte Draufsicht auf einen Teil eines Maskenentwurfs, der durch ein Strukturelement vom Typ Linien/ Abstands-Matrix charakterisiert ist und der gemäß der vorliegen den Erfindung in ein Paar modifizierter Masken zu unterteilen ist.

Fig. 2 sind vereinfachte Draufsichten auf ein Paar modifizierter Masken, die an die Stelle der ursprünglichen Maske von Fig. 1 treten sollen; und

Fig. 3 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht des Ersatzmas kenpaares, das gemäß der vorliegenden Erfindung zur Verwendung mit einer außeraxialen Beleuchtungstechnik konstruiert ist.

BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG

Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Verbessern normalerweise nicht verbesserter Strukturelemente. Strukturformen werden auf zwei oder mehr modi fizierten Masken angeordnet. Aufgrund einer sorgfältigen Auswahl von auf jeder Maske angeordneten Formen weist jede modifizierte Maske weniger Strukturelementtypen auf als die ursprüngliche Entwurfsstruktur. Die ursprüngliche Entwurfsstruktur enthielt mehr verschiedene Strukturelementtypen als die modifizierten Masken. Auf diesen modifizierten Masken sind alle Strukturele mente von dem Typ, der normalerweise durch die gewählte Litho graphietechnik verbessert wird. Eine zusammengesetzte Struktur wird durch aufeinanderfolgende Belichtungen durch die modifi zierten Masken hindurch, im folgenden als "Überlagerungsmasken" bezeichnet, in das Photoresist eingeprägt.

Bei der bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens der vorlie genden Erfindung für gedämpfte Phasenschiebungsmasken oder für Rand-Phasenschiebungsmasken ist zu erwähnen, daß Bilder mit iso lierten Strukturelementen und Kontaktlöchern normalerweise rela tiv zu Strukturelementen von Linien/Abstands-Matrizen, die in der gleichen Maskenstruktur vorhanden sind, verbessert werden. Alternativ ist für Masken für außeraxiale Beleuchtung zu erwäh nen, daß Strukturelemente von Linien/Abstands-Matrizen relativ zu isolierten Strukturelementen und Kontaktlöchern verbessert werden.

Gemäß der Erfindung werden die Formen in den verbesserten Struk turelementtypen in eine oder mehrere Gruppen eingeteilt. Dann werden normalerweise nicht verbesserte Formen, zum Beispiel Strukturelemente von Linien/Abstands-Matrizen, in zwei oder mehr Überlagerungsgruppen eingeteilt. Die Überlagerungsgruppen werden entweder durch selektives Aufteilen der nicht verbesserten For men zwischen Überlagerungsgruppen oder durch Erzeugen von Hilfs formen, welche die nicht verbesserten Formen bilden, und dann selektives Aufteilen der Hilfsformen zwischen Überlagerungs gruppen gebildet. Somit ist jede Überlagerungsgruppe eine Gruppe verbesserter Strukturelemente (isolierte Formen in diesem Bei spiel). Jede Überlagerungsgruppe wird auf einer Überlagerungs maske erzeugt. Das zusammengesetzte Bild, das aus der aufein anderfolgenden Belichtung der Überlagerungsmasken auf dem glei chen Photoresist erzeugt wird, ist die ursprüngliche, nicht auf geteilte Struktur, jedoch mit einer relativ gleichmäßigen Ver besserung für die meisten oder alle Strukturelemente, die norma lerweise lediglich für ausgewählte Strukturelementtypen erzielt wird.

Fig. 1 stellt einen Linien/Abstands-Matrixbereich eines größeren Entwurfs dar, der auch andere Strukturelementtypen beinhaltet, zum Beispiel isolierte Linien oder Abstände (nicht gezeigt) oder Kontaktlöcher (nicht gezeigt). Die erwähnten weggelassenen Mas kenstrukturelementtypen sind nicht gezeigt, da sie das Problem, das die vorliegende Erfindung angeht, nicht repräsentieren, d. h. die Photoresistbilder der weggelassenen Strukturelementtypen weisen, wenn sie unter Verwendung von Phasenschiebungsmasken er zeugt werden, normalerweise eine verbesserte Auflösung oder Tie fenschärfe (DOF) auf. Der Strukturelementtyp von Linien/Ab stands-Matrizen erzeugt andererseits keine Resistbilder mit dem gleichen Verbesserungsgrad wie die weggelassenen Strukturele menttypen, wenn gedämpfte oder Rand-Phasenschiebungsmasken ver wendet werden, wie ohne weiteres verständlich ist. Demgemäß setzt die folgende Beschreibung der vorliegenden Erfindung vor aus, daß andere als die in den Zeichnungen gezeigten Masken strukturelementtypen ebenfalls in einer gegebenen gesamten Mas kenstruktur enthalten sein können, und daß, wenn dem so ist, derartige Strukturelementtypen unverändert bleiben, wenn sie in eine der modifizierten, zu beschreibenden Ersatzmasken eingebaut werden.

Gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Linien/Abstands-Matrix in zwei Überlagerungsgruppen unterteilt. Die Buchstaben "A" von Fig. 1 stellen die erste Überlagerungsgruppe ausgewählter Linienbereiche (transparente Linien) dar. Diese Linienbereiche A sind mit gleichem Abstand voneinander angeordnet, der ausreichend ist, daß sie eher als voneinander "isolierte" Linien denn als Linien einer "Matrix" erscheinen, wobei das erstere verbesserte Resistbilder relativ zu dem letzteren erzeugt. Die Buchstaben "B" von Fig. 1 stellen in ähnlicher Weise die zweite Überlagerungsgruppe ausgewählter Linienbereiche dar. Diese Linienbereiche B sind ebenfalls mit gleichem Abstand voneinander angeordnet, der ausreichend ist, um die ausgewählten Linien als voneinander "isolierte" Linien er scheinen zu lassen. Es versteht sich, daß die schattierten Ge biete O undurchlässige Flächen der Phasenschiebungsmaske sind.

Fig. 2(A) stellt eine erste Überlagerungsmaske der bevorzugten Ausführungsform dar, die von den Linien der Gruppe A von Fig. 1 abgeleitet ist. In ähnlicher Weise repräsentiert Fig. 2(B) eine zweite Überlagerungsmaske der bevorzugten Ausführungsform, die von den Linien der Gruppe B von Fig. 1 abgeleitet ist. Wieder sind die schattierten Flächen in dem Überlagerungsmaskenpaar der Fig. 2(A) und 2(B) undurchlässig, während die Linien "A" und "B" transparent sind. In diesem Beispiel ist die Struktur in zwei Unterstrukturen unterteilt. Es versteht sich jedoch, daß die Struktur in mehr als 2 Unterstrukturen auf mehr als 2 Überlage rungsmasken durch Einteilen der Linien in mehr als 2 Überlage rungsgruppen unterteilt werden kann. Des weiteren kann eine der artige Unterteilung erforderlich sein, wenn die Strukturelemente kleiner werden und eine stärkere Verbesserung notwendig wird. Daher soll das Unterteilen der Struktur in zwei Gruppen ledig lich ein Beispiel und keine Beschränkung sein.

Bei dem Maskenpaar der bevorzugten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung sind beliebige isolierte Strukturelemente un verändert in dem geeigneten Gebiet jeder der Masken des Überla gerungspaars der Fig. 2A und 2B enthalten. Die isolierten Struk turelemente können zum Beispiel entlang der Linien der Gruppe A auf der Überlagerungsmaske von Fig. 2A enthalten sein, während sich lediglich die Linien der Gruppe B auf der Überlagerungsmas ke von Fig. 2B befinden. Alternativ kann die Maske von Fig. 2B Linien der Gruppe B und isolierte Formen enthalten, während le diglich Linien der Gruppe A auf der Überlagerungsmaske von Fig. 2A enthalten sind. Somit wird die gesamte Struktur der ursprüng lichen Maske durch aufeinanderfolgende Belichtung der Überlage rungsmaskenstrukturen auf das Photoresist eingeprägt.

Die Überlagerungsmasken werden nacheinander anstelle der ur sprünglichen Maske von Fig. 1 verwendet, um das (nicht gezeigte) Resist zu belichten und das jeweilige latente Bild in demselben zu erzeugen. Die Überlagerungsmasken werden während ihrer jewei ligen Belichtungsschritte justiert, so daß die resultierenden Bilder ineinander verschachtelt sind, wodurch in dem belichteten Resist ein resultierendes latentes Gesamtbild erzeugt wird. Das resultierende Bild weist die gleiche Struktur auf, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist. Da jedoch die Linien "A" und "B" als "iso lierte Linien" auf jede Überlagerungsmaske des Paars geschrieben wurden, wurden die Linien "A" und "B" verbessert. Das resultie rende Bild der Matrix ist gegenüber dem Bild der gleichen, unter Verwendung der ursprünglichen Maske des Standes der Technik von Fig. 1 eingeprägten Matrix signifikant verbessert.

Des weiteren liegt, da jede Überlagerungsmaske individuell be züglich der darunterliegenden Struktur auf dem Wafer justiert wird, jede Form des resultierenden Bildes weiterhin innerhalb des gleichen Überlagerungsziels wie bei der Maske des Standes der Technik von Fig. 1. Wenngleich, wie erwartet, eine gewisse zusätzliche Justierungsvariation der zwei Überlagerungsmasken relativ zueinander vorhanden ist, ist diese Variation viel ge ringer als jene, die aus der Justierung jeder Überlagerungsmaske bezüglich der darunterliegenden Struktur resultiert. Demzufolge ist die primäre Ursache für eine Variation in der Justierung zwischen dem Paar in der Genauigkeit begründet, mit welcher der Wafer abgefahren werden kann. Die Schwankung der Stepperstabili tät ist bei Steppern des Standes der Technik typischerweise klein. Fehler beim Abbilden der darunterliegenden Ebene, norma lerweise ein wesentlicher Teil des Überlagerungsfehlers, beein flussen die relative Justierung zwischen dem Maskenpaar nicht.

Ein möglicher Grund zur Besorgnis bei Verwendung der bevorzugten Ausführungsform besteht darin, daß gedämpfte PSMs einen Trans missionsgrad von inhärent niedrigem Niveau durch dunkle Gebiete hindurch aufweisen. Die Verwendung des Überlagerungsmaskenpaares der vorliegenden Erfindung führt zu einer doppelten Resistbe lichtung in dunklen Gebieten gegenüber gedämpften einzelnen Mas ken des Standes der Technik. Diese doppelte Belichtung kann den Kontrast zwischen den dunklen Gebieten gegenüber den hellen (be lichteten) Bereichen beeinträchtigen. Es kann sein, daß diese Besorgnis unbegründet ist, da bei einem typischen niedrigen Transmissionsgrad von ungefähr 4% bis 6% die doppelte Belich tung der dunklen Gebiete des Überlagerungsmaskenpaares nur eine Hintergrunddosis von ungefähr 8% bis 12% ergibt. Diese Hinter grunddosis liegt noch immer gut unterhalb des Empfindlichkeits pegels von Photoresisten des Standes der Technik. Optional kann diese Hintergrunddosis jedoch durch Verwendung von Rand-PSMs für jede Maske des Überlagerungspaares anstelle von gedämpften PSMs eliminiert werden.

Fig. 3 illustriert die auf eine außeraxiale Beleuchtung angewen dete bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung. Wie weiter oben ausgeführt, ergibt eine außeraxiale Beleuchtung typischerweise verbesserte Linien/Abstands-Matrizen, jedoch vergleichsweise nicht verbesserte isolierte Strukturele mente. Demgemäß werden bei der Anwendung der bevorzugten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung auf eine außeraxiale Be leuchtung im Gegensatz zu Linien/Abstands-Matrizen, die modifi ziert werden, um als isolierte Strukturelemente zu erscheinen, isolierte Strukturelemente modifiziert, um als Matrizen zu er scheinen.

Bei dem Beispiel von Fig. 3 besteht das isolierte Strukturele ment aus der undurchlässigen Linie 2. Zusätzliche undurchlässige "Hilfs"-Linien 3 wurden zu der Überlagerungsstruktur hinzuge fügt, so daß die Linie 2 eine Überlagerungsgruppe von Linien in einer Matrix, welche die Überlagerungsmaske 1 von Fig. 3 dar stellt, anstelle der einzelnen isolierten Linie in der ursprüng lichen Struktur, wie sie auf eine außeraxiale Maske des Standes der Technik eingeprägt worden wäre, bildet. Eine Photoresistbe lichtung von einer außeraxialen Beleuchtung der Überlagerungs maske ist durch die sich zyklisch wiederholende Kurve 4 (des latenten Bildes) dargestellt. Die Kurve 4 repräsentiert außerdem die Intensität des Lichtes (von der ersten Belichtung), die zwi schen den undurchlässigen Hilfslinien 3 der Maske 1, die ein latentes (virtuelles) Bild in dem Resist erzeugen, transmittiert wird.

Eine Überlagerungsmaske 5 ist die zweite des Paares von Überla gerungsmasken der vorliegenden Erfindung, wobei bei ihr die Überlagerungsgruppe von Hilfslinien 3 der Maske 1 um einen hal ben Rasterabstand verschoben ist. Die tatsächliche Linie 2 der Maske 1 verbindet sich mit benachbarten verschobenen Hilfslinien in der Überlagerungsgruppe, um eine erweiterte Linie 6 der zwei ten Überlagerungsmaske 5 zu bilden. Wenn die zuvor belichtete Photoresiststruktur, die durch die Kurve 4 dargestellt ist, nachfolgend mit einer außeraxialen Beleuchtung unter Verwendung der Überlagerungsmaske 5 belichtet wird, wird die ursprüngliche Struktur in das Resist eingeprägt, wie durch die Kurve 7 des latenten virtuellen Bildes dargestellt ist. Wie aus der Struktur der Kurve 7 ersichtlich, wird das überlagerte Gebiet überall gleichmäßig belichtet, mit Ausnahme des Gebietes, das der tat sächlichen Linie 2 der Maske 1 des Standes der Technik ent spricht. Die Gruppe von Hilfslinien 3 von der Überlagerungsmaske 5 ergänzt die Gruppe von Hilfslinien 3 der Maske 1. Somit ver binden sich alle Hilfsstrukturelemente und werden eliminiert, so daß lediglich die tatsächlichen Strukturelemente eingeprägt wer den. Insofern als die Kanten der tatsächlichen Linie 2 nur mit der Maske 1 belichtet wurden, sind die Auflösung und DOF der Linie 2 eine Funktion lediglich jener Belichtung. Daher wird die tatsächliche Linie 2 mit den Strukturelementen von Linien/Ab stands-Matrizen der Struktur ungeachtet der Tatsache verbessert, daß die Linie 2 in Wirklichkeit ein isoliertes Strukturelement in der Struktur ist. In Abhängigkeit vom Resisttyp wird eine isolierte Linie eingeprägt (mit negativem Resist), oder es wird ein isolierter Abstand eingeprägt (mit positivem Resist).

In der obigen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die zur Verbesserung vorgesehenen Strukturelemente so eingerichtet, daß sie als Strukturelemente erscheinen, die typischerweise auf einer oder beiden des Paares von Überlagerungsmasken verbessert werden. Im Fall des Masken paares der Fig. 2(A) und 2(B) werden die Bilder der zwei Ersatz masken (1 und 5) überlagert, so daß die Strukturen ineinander verschachtelt werden und das tatsächliche Bild in das Photore sist eingeprägt wird. Von dem Maskenpaar von Fig. 3 verbinden sich jedoch die Hilfsmatrizen der zwei Überlagerungsmasken und eliminieren einander, wobei lediglich die ursprünglichen iso lierten Strukturelemente eingeprägt werden.

Die vorliegende Erfindung kann außerdem auf weitere selektive Verfahren zur Verbesserung von Auflösung oder DOF angewendet werden, um entsprechende Resultate bereitzustellen. Weitere Ver fahren zur Verbesserung der Auflösung, auf welche die vorliegen de Erfindung angewendet werden kann, umfassen zum Beispiel Beu gungsgittermasken, Phasenkantenmasken oder verschiedene Typen von Verbesserungen der Belichtungsgeräteauflösung, wie Pupillen filter. Des weiteren kann die vorliegende Erfindung auf weitere, hier nicht beschriebene Strukturelementtypen angewendet werden. Derartige weitere Strukturelementtypen können zum Beispiel Strukturen beinhalten, die zur Festlegung dynamischer und stati scher Speicher mit wahlfreiem Zugriff erforderlich sind, z. B. können aktive Gebiete, wie die Speicherplatte, Polysilicium- Wortleitungen, oder Strukturen von aktiven Gebieten durch Ver wenden von Mehrfachbelichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung verbessert werden.

Wenngleich die vorliegende Erfindung anhand von bevorzugten Aus führungsformen beschrieben ist, sind für einen Fachmann zahlrei che Modifikationen und Variationen ersichtlich, und es ist be absichtigt, daß jene Variationen und Modifikationen unter die beigefügten Ansprüche fallen.

Claims

1. Verfahren zur Bildverbesserung einer Struktur mit verschie denen Strukturelementtypen, wobei das Verfahren beinhaltet:
Einteilen von Struktur formen in eine Mehrzahl von Form gruppen gemäß einem Strukturelementtyp, wobei die Mehrzahl von Formgruppen wenigstens eine verbesserte Strukturele mentgruppe und wenigstens eine nicht verbesserte Struktur elementgruppe beinhaltet;
Bilden einer Mehrzahl von Überlagerungsgruppen aus wenig stens einer nicht verbesserten Strukturelementgruppe; und
Bilden einer Mehrzahl von Überlagerungsmaskenbildern, wobei jedes der Überlagerungsmaskenbilder eine andere der Mehr zahl von Überlagerungsgruppen beinhaltet und wobei eine der Überlagerungsmasken die verbesserte Strukturelementgruppe, von der es wenigstens eine gibt, beinhaltet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Mehrzahl von Formgrup pen aus zwei Formgruppen besteht, die Mehrzahl von Überla gerungsgruppen aus 2 Überlagerungsgruppen besteht und die Mehrzahl von Überlagerungsmasken aus zwei Masken besteht.

3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die 2 Überlagerungsgruppen durch Reproduzieren von Formen in der nicht verbesserten Strukturelementgruppe in zwei Matrizen dieser Formen mit je einer solchen Matrix in jeder Überlagerungsgruppe gebildet werden, wodurch Formen in beiden Überlagerungsgruppen ver schachtelt werden, wenn die Masken überlagert werden, wobei die reproduzierten Formen sich gegenseitig aufheben und die Struktur in einer Photoresistschicht gebildet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Überlagerungsmasken Masken für außeraxiale Beleuchtung sind und der nicht ver besserte Strukturelementtyp ein isolierter Strukturele menttyp ist.

5. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die eine der Überlage rungsgruppen durch Reproduzieren isolierter Formen in der nicht verbesserten Gruppe in einem vorgegebenen Rasterab stand gebildet wird, um eine Matrix zu erzeugen, und die zweite Überlagerungsgruppe durch Reproduzieren der isolier ten Formen und Verschieben der reproduzierten isolierten Formen um die Hälfte der Rasterabstands der Reproduktion gebildet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die 2 Überlagerungsgruppen durch Einteilen von Formen in der nicht verbesserten Struk turelementgruppe in zwei Untergruppen derart gebildet wer den, daß die zwei Untergruppen, wenn die Überlagerungsmas ken überlagert werden, verschachtelt werden und die Struk turbilder in der nicht verbesserten Strukturelementgruppe erzeugt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Überlagerungsmasken Phasenschiebungsmasken sind und der Strukturelementtyp ein Matrixstrukturelementtyp ist.

8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Überlagerungsmasken gedämpfte Phasenschiebungsmasken sind.

9. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Überlagerungsmasken Randmasken sind.

10. Verfahren zur Halbleiterchipfertigung, das beinhaltet:+z Bilden eines ersten Teils einer Matrix in einer Resist schicht; und
Bilden eines zweiten Teils einer Matrix in der Resist schicht, wobei der zweite Teil mit dem ersten Teil ver schachtelt ist.

11. Verfahren zur Halbleiterchipfertigung, das beinhaltet:
Bilden einer Schicht einer ersten Matrix in einer Resist schicht; und
Bilden einer zweiten Matrix in der Resistschicht, wobei die zweite Matrix mit der ersten Matrix derart verschachtelt ist, daß sich die erste und die zweite Matrix verbinden, um eine gleichmäßige Belichtung zu erzeugen, mit Ausnahme von wenigstens einem vorgegebenen Gebiet, wobei das wenigstens eine vorgegebene Gebiet eine isolierte Form bildet.