[go: up one dir, main page]

DE1794113B2 - Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdatomen in Siliciumcarbid - Google Patents

Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdatomen in Siliciumcarbid

Info

Publication number
DE1794113B2
DE1794113B2 DE1794113A DE1794113A DE1794113B2 DE 1794113 B2 DE1794113 B2 DE 1794113B2 DE 1794113 A DE1794113 A DE 1794113A DE 1794113 A DE1794113 A DE 1794113A DE 1794113 B2 DE1794113 B2 DE 1794113B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon carbide
diffusion
foreign atoms
foreign
annealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1794113A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1794113A1 (de
DE1794113C3 (de
Inventor
Masakazu Osaka Fukai
Kunio Kadoma Sakai
Atsutomo Hirakata Tohi
Yoshinobu Kashiwara Tsujimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE1794113A1 publication Critical patent/DE1794113A1/de
Publication of DE1794113B2 publication Critical patent/DE1794113B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1794113C3 publication Critical patent/DE1794113C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/826—Materials of the light-emitting regions comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/014—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group IV materials
    • H10P95/00—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/084—Ion implantation of compound devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/148—Silicon carbide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/931—Silicon carbide semiconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdatomen in Siliciumcarbid durch Ionenimplantation und anschließendes Glühen.
Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Eindiffundieren von ionisierten Fremdatomen in \- oder ^-Siliciumcarbid und anschließendes Glühen des so behandelten Siliciumcarbids bei einer bestimmten Temperatur für die Herstellung einer Leuchtdiode.
Es sind zwei Verfahren zum Einditiundieren von ionisierten Fremdatomen in Siliciumcarbid bekannt, nämlich das Eindiffundieren bei hoher Temperatur und ein Legierungsverfahren. Bei dem Diffusionsverfahren bei hoher Temperatur wird die Oberfläche von Siliciumcarbid beispielsweise mit Aluminium, Borsilicat usw. als Fremdatom überzogen oder dieses aufgedampft und dann eine thermische Diffusion bei wenigstens 1700 C ausgeführt. Das thermische Eindiffundieren von Ionen des Fremdatoms in das Siliciumcarbid kann auch in einer Gasatmosphäre der als Frerr.datom verwendeten Substanz bei wenigstens 1701) C erfolgen.
Im erstgenannten Fall muß die thermische Diffusion in einer geeigneten Gasatmosphäre ausgeführt werden, um einer thermischen Zersetzung und Sublimation des Siliciumcarbids zu vermeiden.
Bei dem Legierungsverfahren wird Silicium oder ein ähnlicher Stoff, welcher Fremdatome enthält, die eine n- oder p-Struktur zu erzeugen vermögen, bei wenigstens 1700c C auf der Oberfläche von Siliciumcarbid mit p- oder η-Struktur aufgeschmolzen; in das hierbei verwendete Material wurde bereits ein Fremdatom eindiffundiert und das so vorbehandelte Material wird dann mit dem Siliciumcarbid legiert.
In jedem Fall ist die Einstellung der hohen Temperatur und einer geeigneten Atmosphäre so schwierig, daß man kaum reproduzierbare Ergebnisse erzielen kann. Dies ist ein erheblicher Nachteil der bekannten Verfahren.
Die Erfindung schafft ein Diffusionsverfahren, bei dem dieser Nachteil nicht auftritt.
In der Literaturstelle F. A. Leith, W. J. King, P. McN a lly, »Et al High Energy Ion Implantation of Materials«, S. 41, »Diodes«, sind die Bedingungen und Ergebnisse beim Dotieren von p+-Ionen in das SiC-Gitter beschrieben. Die besten Ergebnisse erhält man gemäß Fig. 15 auf S. 44 dieser Litcraturstclle. Der Vorwärtsstromwert beträgt etwa 40 Mikroampere bei 8 V. Dies bedeutet, daß der innere Widerstand der p-n-Bindung sehr hoch ist und daß sich keine gute Bindung bildet. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren werden Vorwärtsströme von 35 Milliampere (Glühen bei 1200 ' C) und 95 Milliampere (Glühen bei 1300° C) bei 8 V erhalten. Diese Ströme sind also um mehr als 103 mal höher als bei dem Verfahren gemäß dieser Liteirawrstcllc. Hieraus ergibt sich, daß gemäß der obengenannten Literaturstelle keine guten p-n-Bindungen erzielt werden konnten. Dies ist auf Mangel des Verfahrens bei der Wärme- und Oberflächenbehandlung zurückzuführen. Die Erfindung ist nicht durch das Prinzip gekennzeichnet, das Verunreinigungen in SiC durch das Ioneneinpfianzverfahren dotiert werden, sondern durch die spezifischen Glühbedingungen, welche erfindungsgemäß erstmals angewandt wurden, um hervorragende Diodeneigenschaften zu erzielen. Es ist
ίο möglich, daß die Ähnlichkeit von Diamant und SiC hinsichtlich der Kristallstruktur zur Anwendung des herkömmlichen Ioneneinpflanzverfahrens bei der Herstellung einer SiC-Diode führen kann. Gegenstand der Erfindung ist jedoch nicht die Anwendung des herkömmlichen loneneinpflanzverfahrens, sondern die genau definierten Glühbedingungen, durch welche eine Diode mit hervorragenden elektrischen und Lumineszenzeigenschaften erhalten wird.
Die Erfindung schafft eine reproduzierbare Trennschicht, z. B. eine p-n-Trennschicht usw., wobei ionisierte Fremdatunie in Siliciumcarbid eingebracht und dieses dann innerhalb eines bestimmten Temperaturbereichs geglüht wird.
Die Erfindung schafft ferner ein Leuchtelement, dessen gute Eigenschaften auf der so erhaltenen p-n-Trennschicht beruhen.
Die Besonderheit des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß bei 1200 bis 1600^ C geglüht wird.
Die Erfindung wird nun an Hand der folgenden Beschreibung und der Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen bedeuten
F i g. 1 ein Strom-Spannungsdiagramm mit einer p-n-Trcr.r.rchicht, welches nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Eindiffundieren von ionisierten Fremdatomen in Siliciumcarbid erhalten wurde. F i g. 2 ein Leuchtintensitätsdiagramm einer Leuchtdiode, welche auf Grund der erfindungsgemäß erhaltenen p-n-Trennschicht erhalten wurde,
F i g. 3 ein Diagramm, aus welchem sich die Beziehung zwischen der Leuchtintensität der erfindungsgemäßerhältlichen Leuchtdiode und dem Durchlaßstrom ergibt.
Das erfindungsgemäße Diffusionsverfahren wird im folgenden im einzelnen erläutert:
Bei einem n-Siliciumcarbid, das beispielsweise Stickstoff als Fremdatom enthält, wird ein p-Fremdatom, wie Bor, Aluminium, Gallium, Indium usw. in einem Ionenstrahl auf wenigstens 10 KeV beschleunigt und dieser Strahl auf das n-Siliciumcarbid bei bestimmter Stromdichte und Bestrahlungszeit und einem bestimmten Wert der Verteilung der inneren Fremdatomkonzentration gerichtet. Bei einem p-Siliciumcarbid wird ein n-Fremdatom, wie Phosphor Arsen, Antimon, Stickstoff usw., beschleunigt und dei Strahl in gleicher Weise wie oben auf das p-Siliciumcarbid gerichtet. Beispielsweise erhält man eine p-n-Trennschicht durch Beschleunigen von Antimon ionen auf 40 KeV und 5 Minuten dauerndes Bc strahlen eines p-Siliciumcarbids mit diesen bcschleu nigten Antimonionen bei einer Stromdichte vor 1 uA/cm'-. Die elektrischen Eigenschaften der so er haltencn p-n-Trennschicht können durch cinstündi ges Glühen der so bestrahlten Probe bei 800° C ii einer Inertgasatmosphäre weiter verbessert werden.
Durch selektives Bestrahlen der Oberfläche eine Siliciumcarbidprobc mit einem Ionenstrahl unter Vcr wendung einer Metallmaske können die p-n-Trenn
dichten lokal ohne Photoätzen der Oberfläche ers<T\i „orHpn wodurch man einen sehr kleinen inteaelt StroiXeis herstellen kann. In diesem Fall Se Slmaske ^t einer Stärke von wenigstens te emem Ionenstrahl von etwa 60 KeV ausrei- S Fin Verfahren, bei dem ein Metall auf die he der Probe aufgedampft wird und Pettoen durch Photoätzen hergestellt werden, so daß Wirkung der Ionenstrahlen nur an den perforier-Sien der Oberfläche der Probe eintritt, kann « 11 hei der Herstellung einer Metallmaske zusatz-ζϊ dem Verfahren des Perforierens einer Metall-
dSießlich des Photoätzverfahrens angewandt einscr
W nie Glühtemperatur zum Beheben der Be^trah- !d lit zwischen 1600 und 1200° C. Hier-
mäßige Verteilung bei einer bestimmten Tiefe beinahe einheitlich ist. .
Die selektive Diffusion unter Verwendung; ernes SiO.-Fdms zum Herstellen eines integrierten Stromkreises auf Silicium ist bei Siliciumcarbid schwierig. Da die Diffusionstemperatur sehr hoch isι und beispielsweise über dem Schmelzpunkt von SiO, hegt, so besteht wenig Gewißheit, ob das SiO3 mit Sie heit eine Maskierungswirkung s"*"h™ nicht. In diesem FaU kann die durch selektives Bestrahlen mit einem eewöhnlicher oder verhältnismäßig niec „ ratur ausgeführt und ein sehr kleiner mtegrierter Stromkreis mit Sicherheit gebildet werden. Das Halbleiterelement aus «linnmca eine große Wärme- und """
Tempe
n Fremdatomen in das Siliciumcarbid Zehnerpotenzen höhere Strahlungsfestigkeit als bin
ficher oder verhältnismäßig niedriger Tem- cium aufwies. nmwn für Silicium-
nebracht und dann die thermische Diffu- Der sehr kleine integrierte Stromkreis tür»
ührt werden. In diesem Fall kann die Kon- carbid kann genaue Bcstrahlungs- und T^P^
des Fremdatoms an der Oberfläche des a5 bedingungen als Element fur R—
eu cine sutc He- ^^
Beziehung zwischen den, Strom 30 spannung angelegt wird.
burcürichtung und die Rückwärtseigen- 35 Das Pulsieren ^ werden bei einer Temperatur von über Erhöhung des Leuchtw Ät Daher wird die Wärmebehandlung fid ß
se e in einem Temperaturbereich zwischen rOO-C ausgeführt. In Fig. 1 bedeuten rzahicnwl-rtc 1000, 1200, 1300. 1400, 15f'O und 1600 die Erhitzungstemperaturen und A und B Kenn-Bed,ngun^
Erhöhung chtw 11 KuiiLcra^ u
des crfindungsg, aßen Verfahrens karu^, d^e des integrierten ^rornkre^es -^ ^h und gleichzeitig die \\ armcbcstandig^ ^
l^ngsbcstiindigkeit des integrierten Stromkreises bessert würd«!; , ß cin Sticks,oH enthal-
S iSumcarbid im Vakuum bei einer Be- »,c
Phosphor Arsen Amjmon
us»
Art des Fremdatom, mrüekZu(„hfe„
liecwählt werden; der Faktor Rir die N ertclunp des Fremdatoms beruht h.crbc. auf cmcr gegens t g,η Beeinflussung des Ionen- und kr.stallg.ttcrs (KoI.-
des Fremdatoms auf
so hug. ,te HcC mn ^" 2wischcn (]cr rcla.
Aus . ,. -^ ^t dcr Wellenlänge der so
1. . ^ ^ 1^ · , crsichtiich: in F i g. 3 ist d.c B^Sun Aschen der Leuchtintensit.t und dem Durchlaßstrom svicdergege bcn kapn ,cicht
oder
niedriger Temperatur hergestellt werden. Das Fremdatom kann unabhängig von seinem Dampfdruck usw. ausgewählt werden. Die Tiefe des Leuchtteils an der Trennschicht kann durch die Beschleunigungsspannung geregelt werden. Die Menge der zuzugebenden Verunreinigungssubstanz kann durch eine integrierte Menge des Stroms des Ionenstrahls geregelt werden. Eine Leuchttrennschicht irgendeiner bestimmten Form kann ohne irgendeine spezielle Technik, wie Photomaskierung für hohe Temperaturen, schwieriges Photoätzen von Siliciumcarbidkristallen usw., Matrizenanordnung der Leuchtdiode usw., ohne weiteres erhalten werden.
Wenn ein äußerst kleines Leuchtelement hergestellt werden soll, wird Siliciumcarbid mit einem Ionenstrahl des Fremdatoms durch eine Maske mit sehr kleinen Perforationen von beispielsweise einem Durchmesser von 30 μ bestrahlt und anschließend erhitzt. Gemäß einem anderen Verfahren wird die gesamte Oberfläche von Siliciumcarbid mit einem Ionenstrahl des Fremdatoms bestrahlt und erhitzt und so eine p-n-Trennschicht hergestellt. Dann werden zwei Elektroden an das Siliciumcarbid, eine kleine Elektrode an der bestrahlten Seite und eine andere auf der gegenüber der ersten Elektrode befindlichen Rückseite angelegt und das Siliciumcarbid durch Anlegen einer Spannung an die Elektroden zum Leuchten gebracht. Der vorspringende Teil des Leuchtabschnitts von der Elektrode kann 5% der Elektrodenabmessung ausmachen, da ein großer Folienwiderstand auf Grund der geringen Bindungstiefe vorliegt; auf diese Weise läßt sich ein ultrakleines
ίο Leuchtelement herstellen, indem man die Elektrode kleiner macht. Ein Leuchtpunkt wird von der Rückseite durch das durchsichtige Siliciumcarbid hindurch beobachtet.
Die gesamte Oberfläche des Siliciumcarbids wird ferner mit einem Ionenstrahl des Fremdatoms bestrahlt und bei 1200 bis 16000C wärmebehandelt, wobei eine dünne p-n-Trennschicht entsteht. Bringt man dann auf der bestrahlten Oberfläche ein gewünschtes Muster mit einem Leiter mit ohmischer
ao Trennschicht an, so erhält man ein Leuchtelement entsprechend diesem Muster. In diesem Fall kann der Leuchtzustand von der Rückseite aus beobachtet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdatomen in Siliciumcarbid durch Ionenimplantation und anschließendes Glühen, dadurch gekennzeichnet, daß bei 1200 bis 16000C geglüht wird.
DE1794113A 1967-09-11 1968-09-10 Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdalomen in Siliciumcarbid Expired DE1794113C3 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5887767 1967-09-11
JP5890567 1967-09-11
US75805868A 1968-09-06 1968-09-06
US00164128A US3829333A (en) 1967-09-11 1971-07-19 Method for diffusing an impurity substance into silicon carbide

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1794113A1 DE1794113A1 (de) 1972-03-16
DE1794113B2 true DE1794113B2 (de) 1973-09-27
DE1794113C3 DE1794113C3 (de) 1975-08-21

Family

ID=27463699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1794113A Expired DE1794113C3 (de) 1967-09-11 1968-09-10 Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdalomen in Siliciumcarbid

Country Status (5)

Country Link
US (2) US3629011A (de)
DE (1) DE1794113C3 (de)
FR (1) FR1584423A (de)
GB (1) GB1238729A (de)
NL (1) NL151568B (de)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715636A (en) * 1972-01-03 1973-02-06 Gen Electric Silicon carbide lamp mounted on a ceramic of poor thermal conductivity
US3986193A (en) * 1973-02-08 1976-10-12 Jury Alexandrovich Vodakov Semiconductor SiCl light source and a method of manufacturing same
US3982262A (en) * 1974-04-17 1976-09-21 Karatsjuba Anatoly Prokofievic Semiconductor indicating instrument
US3999206A (en) * 1974-11-04 1976-12-21 Vladimir Alexandrovich Babenko Semiconductor indicating device and method for production of same
JPH01220822A (ja) * 1988-02-29 1989-09-04 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体装置の製造方法
US5135885A (en) * 1989-03-27 1992-08-04 Sharp Corporation Method of manufacturing silicon carbide fets
US5406237A (en) * 1994-01-24 1995-04-11 Westinghouse Electric Corporation Wideband frequency multiplier having a silicon carbide varactor for use in high power microwave applications
SE9500013D0 (sv) * 1995-01-03 1995-01-03 Abb Research Ltd Semiconductor device having a passivation layer
SE9501310D0 (sv) * 1995-04-10 1995-04-10 Abb Research Ltd A method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the mehtod and a use of a highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into SiC
SE9503631D0 (sv) * 1995-10-18 1995-10-18 Abb Research Ltd A method for producing a semiconductor device comprising an implantation step
US5849620A (en) * 1995-10-18 1998-12-15 Abb Research Ltd. Method for producing a semiconductor device comprising an implantation step
JP2001518706A (ja) * 1997-09-30 2001-10-16 インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト インプランテーションによってドープされたシリコンカーバード半導体を熱的に回復させる方法
US6107142A (en) * 1998-06-08 2000-08-22 Cree Research, Inc. Self-aligned methods of fabricating silicon carbide power devices by implantation and lateral diffusion
US6100169A (en) 1998-06-08 2000-08-08 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide power devices by controlled annealing
US6429041B1 (en) 2000-07-13 2002-08-06 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide inversion channel devices without the need to utilize P-type implantation
US6956238B2 (en) * 2000-10-03 2005-10-18 Cree, Inc. Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel
US7138291B2 (en) * 2003-01-30 2006-11-21 Cree, Inc. Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and resulting structures and devices
TW589669B (en) * 2002-09-25 2004-06-01 Nanya Technology Corp Gate with dual gate dielectric layer and method thereof
US7221010B2 (en) * 2002-12-20 2007-05-22 Cree, Inc. Vertical JFET limited silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors
US6979863B2 (en) * 2003-04-24 2005-12-27 Cree, Inc. Silicon carbide MOSFETs with integrated antiparallel junction barrier Schottky free wheeling diodes and methods of fabricating the same
US7074643B2 (en) * 2003-04-24 2006-07-11 Cree, Inc. Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same
US7118970B2 (en) * 2004-06-22 2006-10-10 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide devices with hybrid well regions
US20060261346A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Sei-Hyung Ryu High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same
US7615801B2 (en) * 2005-05-18 2009-11-10 Cree, Inc. High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities
US7391057B2 (en) * 2005-05-18 2008-06-24 Cree, Inc. High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities
US7414268B2 (en) 2005-05-18 2008-08-19 Cree, Inc. High voltage silicon carbide MOS-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities
US7528040B2 (en) 2005-05-24 2009-05-05 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide devices having smooth channels
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US7728402B2 (en) 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
EP2052414B1 (de) 2006-08-17 2016-03-30 Cree, Inc. Bipolare hochleistungstransistoren mit isoliertem gate
US8835987B2 (en) 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
US8288220B2 (en) * 2009-03-27 2012-10-16 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8629509B2 (en) 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8541787B2 (en) 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
US9199389B2 (en) 2011-04-11 2015-12-01 Milwaukee Electric Tool Corporation Hydraulic hand-held knockout punch driver
US9673283B2 (en) 2011-05-06 2017-06-06 Cree, Inc. Power module for supporting high current densities
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2842466A (en) * 1954-06-15 1958-07-08 Gen Electric Method of making p-nu junction semiconductor unit
US3341754A (en) * 1966-01-20 1967-09-12 Ion Physics Corp Semiconductor resistor containing interstitial and substitutional ions formed by an ion implantation method
US3515956A (en) * 1967-10-16 1970-06-02 Ion Physics Corp High-voltage semiconductor device having a guard ring containing substitutionally active ions in interstitial positions

Also Published As

Publication number Publication date
NL151568B (nl) 1976-11-15
FR1584423A (de) 1969-12-19
DE1794113A1 (de) 1972-03-16
NL6812865A (de) 1969-03-13
DE1794113C3 (de) 1975-08-21
GB1238729A (de) 1971-07-07
US3829333A (en) 1974-08-13
US3629011A (en) 1971-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1794113B2 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Fremdatomen in Siliciumcarbid
DE102004049160B4 (de) Silicium-Solarzelle mit gitterförmigen Elektroden auf beiden Seiten des Siliciumsubstrats und Herstellverfahren für diese Silicium-Solarzelle
DE1806643C3 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial durch Ionenimplantation mit anschließender Glühbehandlung
DE2160427C3 (de)
DE2711365C2 (de)
DE2756861C2 (de) Verfahren zum Ändern de Lage des Fermi-Niveaus von amorphem Silicium durch Dotieren mittels Ionenimplantation
DE2908146C2 (de)
DE1764066B1 (de) Kernstrahlungsdetektor aus Diamant und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1219121B (de) Elektrolumineszente Halbleiter-Leuchtflaeche
DE3815512A1 (de) Solarzelle mit verminderter effektiver rekombinationsgeschwindigkeit der ladungstraeger
DE2448478A1 (de) Verfahren zum herstellen von pn-halbleiteruebergaengen
DE3011952C2 (de) Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial
DE2829627A1 (de) Bestrahlter hochgeschwindigkeitsgleichrichter und verfahren zum herstellen desselben
WO1999044225A1 (de) Verfahren zur herstellung eines mikroelektronischen halbleiterbauelements
DE1564401C3 (de) Anordnung mit einer Kaltkathode zum Erzeugen eines freien Elektronenstromes
EP0735590B1 (de) Verfahren zum Herstellung eines bipolaren Siliziumtransistors
DE1166394B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Kadmiumchalkogenid-Halbleitern, insbesondere Photozellen
DE102013107799A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten, transparenten und leitfähigen Oxidschicht und eines Dünnschichtbauelements
DE1268116B (de) Verfahren zur Herstellung eines photoleitenden Halbleiterkoerpers aus mindestens teilweise mit Kupfer aktiviertem Galliumphosphid
DE683330C (de) Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen
DE2019162C (de) Zinksulfidelement
DE102016118383A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Halbleiterbauelementes mit zumindest einer Halbleiterschicht
DE2631880A1 (de) Halbleiterbauelement mit schottky- sperrschicht und verfahren zu seiner herstellung
DE2231356A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes
DE1966243C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EF Willingness to grant licences
8339 Ceased/non-payment of the annual fee