DE1789193A1 - Steuerbarer halbleitergleichrichter - Google Patents
Steuerbarer halbleitergleichrichterInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPEKUPPJGIMIDT-UHFFFAOYSA-N boron gold Chemical compound [B].[Au] OPEKUPPJGIMIDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/221—Thyristors having amplifying gate structures, e.g. cascade configurations
Landscapes
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- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
Description
P 17 B9 193.-9^3-3
W. 27241/77 20/Bt (Ausscheidung aus P 16 39 019.5-33)
Westinghouse Brake and
Signal Company Limited
London (England)
Steuerbarer Halbleitergleichrichter
Die Erfindung bezieht sich auf einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit drei aufeinanderliegenden
Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, einem vierten und einem von diesem getrennten, fünften
Bereich, die in die Oberfläche der ersten Schicht eindiffundiert sind und mit der ersten Schicht pn-übergänge
bilden, zwei Hauptanschlüssen, die mit dem vierten Bereich bzw. der dritten Schicht verbunden sind, und mit
einem Steueranschluß.
Ein derartiger Halbleitergleichrichter ist bekannt (US-PS 3 124 703, Pig. 4) und weist eine Hauptelektrode
auf, die über einem np-Übergang angeordnet ist, wobei
sich unterhalb dieses Übergangs zunächst ein p-, ein n- und dann ein p-Bereich fortsetzt. Ebenfalls am p-
Bereich ist der Hauptelektrode benachbart ein ohmscher
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Kontakt angeordnet. Der bekannte Kalbleitergleichrichter ist jedoch nicht zum schnellen Schalten geeignet, ohne
daß dabei die Gefahr der Zerstörung abgewendet werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleitergleichrichter der eingangs genannten Art derart auszuführen,
daß sehr schnelle Zündung erreicht wird, ohne daß die Gefahr der Beschädigung oder Zerstörung des Halbleitergleichrichters
besteht.
Die Aufgabe wird durch einen Halbleitergleichrichter der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß ein ohmscher
Kontakt (Steueranschluß) räumlich zwischen dem vierten
und dem fünften Bereich an der Oberfläche der ersten
Schicht ohne elektrische Verbindung zum vierten und zum fünften Bereich angeordnet ist und der ohmsche Kontakt
als Steueranschluß für ein Triggersignal dient.
Durch das ältere Recht (D. P. 1 489 931) wird zwar
eine ähnliche Aufgabe gelöst, jedoch wird hierzu vorgeschlagen, die Oberfläche des Halbleitergleichrichters in
bestimmter Art und Weise auszugestalten, wodurch ein verhältnismäßig
kompliziertes Herstellungsverfahren erforderlich wird.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der einzigen
Figur der Zeichnung beispielsweise erläutert»
Die Figur zeigt einen steuerbaren Halbleitergleichrichter
gemäß der Erfindung im Querschnitt, der aus einem
scheibenförmigen Bereich II mit N-Leitfähigkeit gebildet
ist, an dessen gegenüberliegenden Flächen sich Bereiche I
und III mit p-Leitfähigkeit befinden. Eine Anode 6 ist mit dem Bereich III in bekannter Weise verbunden und bildet
die eine den Hauptstrom führende Elektrode. In die gegenüberliegende
Oberfläche des Bereichs I ist ein Bereich IV aus Gold-Antimon diffundiert, der mit einer weiteren
Hauptstrom führenden Elektrode verbunden ist. Weiterhin ist dort ein Bereich V als Hilfskathode aus Gold-Antimon
hineindiffundiert. Zusätzlich ist ein Steueranschluß 12
an dieser Oberfläche aus Gold-Bor in im wesentlichen ohmscher Berührung vorgesehen, der sich zwischen dem Bereich V
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(Hilfskathode) und dem Bereich IV (Hauptkathode) befindet.
Der dargestellte Halbleitergleichrichter hat vier Anschlüsse, benötigt jedoch keinen zusätzlichen ohmschen
Kontakt.
Der Halbleitergleichrichter wird dadurch betätigt, daß zwischen dem Steueranschluß 12 und der Hilfskathode
(Bereich V) ein Triggersignal eingespeist wird, um die Hilfskathode zu schalten, die dann tatsächlich die '
volle Speisespannung zum Schalten der Hauptkathode (Bereich IV) liefert. Wenn ein Strom zwischen dem
Steueranechluß 12 und der Hauptkathode (Bereich IV) fließt, arbeitet der Halbleitergleichrichter in der
üblichen Art und Weise eines Silizium-Gleichrichters.
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Claims (2)
1. Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit drei aufeinanderliegenden Schichten abwechselnd entgegengesetzten
Leitungstyps, einem vierten und einem von diesem getrennten,, fünften Bereich, die in die Oberfläche der
ersten Schicht eindiffundiert sind und mit dar ersten Schicht pn-Ubergänge bilden, zwei Hauptanschlüssen, die
mit dem vierten Bereich bzw. der dritten Schicht verbunden sind, und mit einem Steueranschluß, dadurch gekennzeichnet,
daß ein ohmscher Kontakt (Steueranschluß 12) räumlich zwischen deni vierten (IV) und dem fünften
(V) Bereich an der Oberfläche der ersten Schicht (I)
ohne elektrische Verbindung zum vierten und zum fünften Bereich angeordnet ist und der ohmsche Kontakt als
Steueranschluß (12) für ein Triggersignal dient.
2. Steuerbarer Halbleitergleichrichter nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß der fünfte Bereich (V) mit einem Stromrückleiter für das Triggersignal versehen ist.
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB06573/66A GB1174899A (en) | 1966-04-15 | 1966-04-15 | Improvements relating to Controllable Rectifier Devices |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1789193A1 true DE1789193A1 (de) | 1977-08-11 |
| DE1789193B2 DE1789193B2 (de) | 1979-05-10 |
| DE1789193C3 DE1789193C3 (de) | 1982-07-15 |
Family
ID=10079755
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1789193A Expired DE1789193C3 (de) | 1966-04-15 | 1967-04-06 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
| DE1639019A Expired DE1639019C3 (de) | 1966-04-15 | 1967-04-06 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1639019A Expired DE1639019C3 (de) | 1966-04-15 | 1967-04-06 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3476989A (de) |
| DE (2) | DE1789193C3 (de) |
| GB (1) | GB1174899A (de) |
| NL (1) | NL6704952A (de) |
| SE (1) | SE351524B (de) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3124703A (en) * | 1960-06-13 | 1964-03-10 | Figure |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| In Betracht gezogene ältere Patente: DE-PS 14 89 931 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE351524B (de) | 1972-11-27 |
| DE1639019A1 (de) | 1971-01-21 |
| NL6704952A (de) | 1967-10-16 |
| GB1174899A (en) | 1969-12-17 |
| US3476989A (en) | 1969-11-04 |
| DE1789193B2 (de) | 1979-05-10 |
| DE1639019B2 (de) | 1978-02-09 |
| DE1639019C3 (de) | 1986-02-13 |
| DE1789193C3 (de) | 1982-07-15 |
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Legal Events
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| AC | Divided out of |
Ref country code: DE Ref document number: 1639019 Format of ref document f/p: P |
|
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| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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|
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |