DE1768285U

DE1768285U - AREA RECTIFIER OR -TRANSISTOR.

Info

Publication number: DE1768285U
Application number: DE1955S0018563
Authority: DE
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1955-10-29
Filing date: 1955-10-29
Publication date: 1958-06-12

Description

Flächengleichrichter bzw. -transistor.Surface rectifier or transistor.

---------------------------------------Bei Flächengleichrichtern bzw. -transistoren ist es von Wichtigkeit, einen solchen Aufbau für seine Elektroden und deren Anordnung zu erreichen, daß eine wirksame Injektion von LaDungsträgern aus dem Emitter über den p-n-bzw. n-p-Lbergang in den übrigen Halbleiterkörper stattfindet. Zur Erreichung großer Injektionsströme ist es notwendige für einen guten Durchgriff des Basispotentials zum Emitter zu sorgen. Da bei einer hohen Injektion lediglich die Randzone des Emitter bis zu einer Breite, die etwa der doppelten Diffusionslänge entspricht, wirksam ist, hat sich die Anwendung einer räumlichen bzw. flächenhaften Folge von Basis-und Emitterelektroden bzw. Basis- und Emitterelektrodenteilen als vorteilhaft erwiesen. Es ist hierfür bereits vorgeschlagen worden, zwei einander umschließende Elektroden an einen Halbleiterkörper 7, benutzen. Es ist weiterhin vorgeschlagen worden, kammartig 'ineinandergreifende Elektrodenkörper zu verw@@den. Schließlich ist auch bereits vorgeschlagen worden, mehrere streifenförmige Elektradenkörper parallel zueinander anzuordnen, die elektrisch in'der erwünschten Weise zusammengeschaltet werden.--------------------------------------- With surface rectifiers or -transistors it is important to have such a structure for its electrodes and their arrangement to achieve an effective injection of charge carriers from the emitter via the p-n or. n-p transition takes place in the rest of the semiconductor body. In order to achieve large injection flows, it is necessary for a good penetration of the base potential to the emitter. As with a high injection only the edge zone of the emitter up to a width which is about twice the diffusion length corresponds, is effective, the application has a spatial or areal Sequence of base and emitter electrodes or base and emitter electrode parts as proved beneficial. It has already been proposed for this purpose, two each other enclosing electrodes on a semiconductor body 7, use. It is still it has been proposed to use intermeshing electrode bodies in a comb-like manner. Finally, a number of strip-shaped electric wheel bodies has also already been proposed to be arranged in parallel to each other, which are interconnected electrically in the desired manner will.

Bei der erstgenannten Ausführung, also derjenigen, bei welcher ein 'Kreisflãchenkërper von einem Kreisringkörper umschlossen wird, WS, . die Injektion der Ladungsträger bei hohen Strömen nur klein, und, sie findet nur an einem kleinen Randzonenteil an der umschlossenen Elektrode statt. Bei den kammartig ineinandergreifenden Formen ist die Ausnutzung des Halbleiters für die Injektion zwar besser.In the first-mentioned version, that is, the one in which a 'Kreisflãchenkërper is enclosed by an annulus, WS,. the injection the charge carrier is only small at high currents, and it is only found on a small one Edge zone part instead of the enclosed electrode. With the comb-like interlocking Forming, the utilization of the semiconductor for the injection is better.

Es sind jedoch z. B. die Herstellung entsprechender Schablonen für das Aufbringen der einzelnen Elektroden und das einwandfreie Erhalten der Formen der aufgebrachten Elektrodenmaterialkörper bei ihrem Schmelzflüssigwerden während der Legierungsbildung mit dem Halbleiter sowie die einwandfreie Legierungsbildung an sich sehr schwierig zu beherrschen wegen der Spannungen des flüssigen Materials als auch des in den festen Zustand übergehenden Materials, und zwar insbesondere an den Zinkenende der Kammformen.However, there are z. B. the production of appropriate templates for the application of the individual electrodes and the perfect preservation of the shapes of the applied electrode material body as it melts during the alloy formation with the semiconductor as well as the perfect alloy formation in itself very difficult to control because of the tensions of the liquid material as well as the solid state material, in particular at the tine end of the comb forms.

Auch bei Anwendung einer einfachen gestreckten Form für die einzelnen Elektrodenkörper, welche z. B. als Sehnen eines Kreises auf dem Halbleiterkörper angeordnet werden, ergeben sich ähnliche Schwierigkeiten.Even when using a simple elongated shape for the individual Electrode body, which z. B. as chords of a circle on the semiconductor body are arranged, similar difficulties arise.

Nach der Erfindung wird zur Vermeidung der Mängel der bekannten bzw. vorgeschlagenen Aufbaufomien von Flachengleichrichtern bzw - transistoren eine neuartige Anordnung der Elektroden an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers vorgeschlagen. Ihr Wesen besteht darin, daß an dem Halbleiterkörper eine mehr als zwei betragende Anzahl von einander umschließenden Elektrodenkörpern vorgesehen ist, von denen jeder in seiner Grundform einem in sich geschlossenen Kurvenzug folgt, und von denen je zwei benachbarte Körper an allen Stellen den gleichen gegenseitigen Abstand haben bei verschiedenem Elektrodencharakter hinsichtlich ihrer Dotierung mit n-bzw. p-Leitung verursachenden Störstellen, so daß in der Folge, also abwechselnd, ein Elektrodenkörper nach dem anderen den Charakter einer Emitter-bzw. Basiselektrode hat.According to the invention, to avoid the shortcomings of the known or proposed structural shapes of flat rectifiers or transistors a new type Proposed arrangement of the electrodes on the surface of a semiconductor body. Their essence consists in the fact that on the semiconductor body one of more than two Number of mutually enclosing electrode bodies is provided, each of which in its basic form follows a self-contained curve, and of each of them two adjacent bodies have the same mutual distance at all points with different electrode characters with regard to their doping with n or. p-line causing defects, so that in the sequence, so alternately, an electrode body after the other the character of an emitter or. Has base electrode.

Die verschiedenen einander umschließenden Elektrodenformen werden dann an dem fertigen Element z. B. entsprechend untereinander elektrisch parallel geschaltet für die Bildung eines gemeinsamen Emitter-und Basisanschlusses. Eine solche Plächentra. istoranordnung kann jedoch auch in der Weise in einer Schaltung benutzt werden, daß. die verschiedenen Emitter-Basis-Systeme der Anordnung an verschiedenen Steuerspannungen liegen.The different shapes of electrodes surrounding each other are then on the finished element z. B. electrically parallel to each other accordingly switched to form a common emitter and base connection. One such Plächentra. However, the arrangement can also be used in this way in a circuit be used that. the various emitter-base systems of the arrangement at different control voltages.

Das Aufbringen der einzelnen Elektrodenkörper auf den Halbleiterkörper und die Legierungsbildung werden vorzugsweise durchgeführt unter Benutzung entsprechender Hilfsformen. Solche Hilfsformen können z, B. aus Graphit bestehen. Diese Formen sind mit entsprechenden einander umschließenden Vertiefungen ausgestattet, in welche das jeweilige Elektrodenmaterial eingebracht wird für die Legierungsbildung bzw. Dotierung an Halbleiterkörpern. Mittels dieser Hilfsformen werden die Elektrodenmaterialkörper gegen die Oberfläche des Halbleiterkörpers geführt sowie gegen diese gehalten, und auf diese Weise ist bei dem thermischen Legierungsprozee eine gute Benetzung zwischen der Halbleiteroberfläche und den Elektrodenmaterialien aufrechterhalten. Wird ein Aufbau für die Elektrodenanordnung an dem Halbleiter gewählt, bei welcher die einzelne Elektrode vorzugsweise Kreisringform hat, so lassensich die Hilfsformen relativ einfach durch mechanische Bearbeitungsprozesse, bei denen das Werkstück relativ zum Bearbeitungswerkzeug umläuft, mit großer Genauigkeit herstellen. Die einzelnen einander umschließenden Formenteile für die Aufnahme des Jeweili@ gen Blektrodenmaterialkörpers können daher auch mit relativ klei@ ner Flächenausdehnung und sehr geringem gegenseitigen Abstand bemessen werden. Es ergibt sich daher wegen des erreichbaren geringen und sehr gleichmäßigen Abstandes der Elektroden auch an dem fertigen Flächengleichrichter bzw. -transistor eine gute wirksame Injektion der Ladungsträger aus großen Flächenteilen der Emitter- zone über den p-n-bzw. n-p-tibergang in den weiteren Teil des Halbleiterkörpers.' Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungbeispiele wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug ge- nommen j i In den einander entsprechenden Rissen nach den Figuren 1 und 2 der Zeichnung ist ein fertiges Flächengleichrichter-bzw.-tran- sistorelement gemäß der Erfindung veranschaulicht, wobei Figur 1 ein Schnitt nach der Linie 1-1 der Figur 2 ist.The application of the individual electrode bodies to the semiconductor body and the formation of the alloy are preferably carried out using appropriate auxiliary molds. Such auxiliary forms can consist of graphite, for example. These molds are equipped with corresponding depressions that surround one another, into which the respective electrode material is introduced for the formation of alloys or doping of semiconductor bodies. By means of these auxiliary forms, the electrode material bodies are guided against the surface of the semiconductor body and held against it, and in this way good wetting between the semiconductor surface and the electrode materials is maintained during the thermal alloying process. If a structure is chosen for the electrode arrangement on the semiconductor in which the individual electrode preferably has a circular ring shape, the auxiliary shapes can be produced relatively easily with great accuracy by mechanical machining processes in which the workpiece rotates relative to the machining tool. The individual molded parts enclosing one another for receiving the respective sheet metal electrode material body can therefore also be dimensioned with a relatively small area and a very small mutual spacing. Because of the small and very even distance between the electrodes that can be achieved, the finished surface rectifier or transistor also results in a good, effective injection of the charge carriers from large areas of the emitter. zone via the pn or. np transition to the rest of the Semiconductor body. ' For a more detailed explanation of the invention on the basis of some exemplary embodiments, reference is now made to the figures of the drawing. take j i In the mutually corresponding cracks according to FIGS. 1 and 2 the drawing is a finished surface rectifier or tran- Illustrates sistorelement according to the invention, wherein Figure 1 is a section along the line 1-1 of Figure 2 is.

1 bezeichnet den Halbleiterkörper. An dessen unterer Oberfläche ist die Kollektorelektrode 2 vorgesehen. Auf der oberen Fläche sind die einander umschließenden Elektrodenkörper 3 bis 8 vorgesehen. Die Elektroden 3, 5 und 7 haben den Charakter von Emitterelektroden, die Elektroden 4,6 und 8 haben den Charakter von Basiselektroden und bestehen zu diesem Zwecke aus entsprechenden Werkstoffen. Handelt es sich z. B. bei dem Halbleiterkörper um n-leitendes Germanium, so bestehen die Elektroden 3,5 und 7 als Emitterelektroden beispielsweise aus Elementen der III. Gruppe des periodischen Systems bzw. aus Legierungen dieser Elemente oder aus Legierungen, in denen diese Elemente enthalten sind. Sinngemäß werden bei n-leitendem Germanium als Halbleiter für die Elektroden 4,6 und 8 mit ihrem Charakter als Basiselektroden beispielsweise Werkstoffe der V. Gruppe des periodischen Systems bzw.. deren Legierungen verwendet. Zwischen diesen konzentrischen Ringen läßt sich, wie bereits hervorgehoben, ein sehr genauer gegenseitiger Abstand sowohl zwischen den Elektrodenkörpern als auch zwischen den Zonen einhalten, in denen an dem Halbleiterkörper die Legierungsbildung stattfindet. Die einzelnen Elektrodenkörper sind in der Ansicht nach Figur 2 nur aus Gründen der Veranschaulichung schraffiert.1 designates the semiconductor body. At the bottom of which is the collector electrode 2 is provided. On the upper surface are the ones that surround each other Electrode bodies 3 to 8 are provided. The electrodes 3, 5 and 7 have the character of emitter electrodes, the electrodes 4, 6 and 8 have the character of base electrodes and are made of appropriate materials for this purpose. Is it z. B. in the semiconductor body to n-type germanium, so exist the electrodes 3, 5 and 7 as emitter electrodes, for example from elements of the III. Group of the periodic table or from alloys of these elements or from Alloys in which these elements are contained. In the case of n-conducting Germanium as a semiconductor for electrodes 4, 6 and 8 with their character as base electrodes for example materials of the V group of the periodic table or their alloys used. As already emphasized, between these concentric rings one can a very precise mutual distance both between the electrode bodies as also observe between the zones in which the alloy is formed on the semiconductor body takes place. The individual electrode bodies are only shown in the view according to FIG hatched for the sake of illustration.

In den Figuren 3 bis 5 wird veranschaulicht, wie unter Benutzung einer Hilfsform ein Flächengleichrichter bzw.-transistor nach den Figuren 1 und 2 hergestellt werden kann, 9 bezeichnet den Oberteil der Form, 10 den Unterteil der Form. Der Oberteil 9 der Form, mit dem beim Zusammenstellen der Form zunächst als Unterteil begonnen wird, ist zur Einlagerung der Materialien für die späteren Elektroden 3 bis 8 mit entsprechenden einander umschließenden Rillen 3a bis 8a versehen. Der während der Legierungsbildung den Unterteil der Form bildende Formenteil 10 ist zur Aufnahme des Elektrodenmaterials für die Bildung der Kollektorelektrode 2 mit einer zylindrischen Aussparung 2a und für die Aufnahme des Halbleiterkörpers mit einer Aussparung 1a versehen. Die Fertigung des Gleichrichter-bzw. Transistorelementes geht z. B. vorteilhaft in der folgenden Weise vor sich.In Figures 3 to 5 it is illustrated how using a Auxiliary form, a surface rectifier or transistor according to Figures 1 and 2 produced 9 denotes the upper part of the mold, 10 the lower part of the mold. Of the Upper part 9 of the mold, with which when assembling the mold initially as a lower part is started is to store the materials for the later electrodes 3 to 8 provided with corresponding mutually enclosing grooves 3a to 8a. Of the is the lower part of the mold forming part 10 during the alloy formation for receiving the electrode material for the formation of the collector electrode 2 with a cylindrical recess 2a and for receiving the semiconductor body with a recess 1a provided. The manufacture of the rectifier or. Transistor element goes z. B. advantageously in the following manner.

Es wird in die verschiedenen Rillen des Oberteiles 9 der Form das. jeweilige Elektrodenmaterial eingebracht für die Bildung der späteren Elektroden 3 bis 8. Ein sehr vorteilhaftes Anbringen wird z. B. in der ist erreicht, daß das Elektrodenmaterial in Form bestimmter vorgeformter Ringe eingebracht wird, die z. B. durch einen Stanzprozeß aus einem Blech bzw. einer Folie gewonnen werden. Auf den Oberteil 9 der Form wird dann der Halbleiterkörper 1 aufgebracht. Nunmehr wird auf den Halbleiterkörper der Elektrodenmaterialkörper für die Bildung der späteren Kollektorelektrode 2 aufgebracht, und schließlich wird nunmehr der Untertei :.It is in the various grooves of the upper part 9 of the form that. respective electrode material introduced for the formation of the later electrodes 3 to 8. A very advantageous attachment is e.g. B. in which is achieved that the Electrode material is introduced in the form of certain preformed rings which, for. B. obtained by a stamping process from a sheet or a film will. The semiconductor body 1 is then applied to the upper part 9 of the mold. Now is applied to the semiconductor body of the electrode material body for the formation of the later Collector electrode 2 applied, and finally the sub-part is now:.

10 der Hilfsform auf den Halbleiterkörper 1 und den Kollektor-Elektroden-MaterialkSrper 2 aufgelegt. Die ganze Anordnung wird dann durch geeignete Mittel zusammengehalten. Eine solche Anordnung nach ihrem Zusammenbau veranschaulicht die Figur 4. Die in dieser Weise zusammengestellte, die Halbleiteranordnung einschließende Form wird dann einem entsprechenden thermischen Behandlungsprozeß unterworfen, so da3 die Elektroden schmelzflüssig werden und eine entsprechende Legierungsbildung der Elektroden-Materialkorper an dem Halbleiterkörper mit diesem stattfindet für die Erzeugung der Zonen bestimmten Leitfähigkeitscharakters in dem Halbleiterkörper und der erwünschten p-n-bzw. n-p-bergänge in diesem.10 of the auxiliary form on the semiconductor body 1 and the collector electrode material body 2 launched. The whole assembly is then held together by suitable means. Such an arrangement after its assembly is illustrated in FIG assembled in this way, the form including the semiconductor device then subjected to a corresponding thermal treatment process, so that the Electrodes become molten and a corresponding alloying of the electrode material body on the semiconductor body with this takes place for the production of the zones Conductivity character in the semiconductor body and the desired p-n or. n-p transitions in this.

Es sei noch darauf hingewiesen, daß erfindungsgemäß die beiden Hilfsformenteile in verschiedener Weise während des Legierungvorganges zusammengehalten werden können. Es kann z. B. für diese Zwecke eine Spannvorrichtung benutzt werden, wobei gegebenenfalls in der Spannvorrichtung besondere Kraftspeicher angewendet werden, Diese können z. B. aus Federn bestehen, anderen elastischen Körpern oder aus einer Einrichtung, die mit Luft oder Gasdruck arbeitet. Die Hilfsformen können aber auch dadurch zusammengehalter werden, daß sie aufeinander gelegt werden und das Oberteil durch ein Gewicht belastet wird. Diese Gewichtsbelastung kann verschiedener Art sein. Sie kann z. B. aus massiven Körpern, pulverförmigen Körpern oder auch flüssigen Körpern bestehen. Es kann sich bei der Anwendung von Kraftspeichern oder einer Gewichtsbelastung für das Zusammenhalten der Form auch empfehlen, im Verlauf des Legierungsvorganges die mechanische Belastung zu verändern, durch welche die Formenteile zusammengehalten werden bzw. durch welche die Benetzung zwischen den einzulegierenden Elektrodenmaterialien und dem Halbleiterkörper aufrechterhalten wird. Das kann z. B. erfolgen, indem bei Benutzung flüssiger oder gasförmiger Mittel die Menge bzw. der Druck verändert werden, welche als Kräfte für das Zusammenhalten der Formen wirksam sind. Im Falle von Kraftspeichern in Form von Federn oder Gewichten kann eine entsprechende Aufhebung der Federkraft in dem gewünschten tylaqe erfolgen oder +) und kann gegebenenfalls magnetisch polarisiert sein. auch eine Entlastung der Form von dem Gewichtsdruck, indem auf das Gewicht mit einer geeigneten Hubkraft, z. B. durch ein Gegengewicht oder einen permanenten Magneten bzw. Elektromagneten eingewirkt wird. Es kann auch ein Magnet allein die Druckkraft zwischen den Hilfsformenteilen erzeugen, die durch Veränderung der Speisung des Magneten entsprechend angepaßt wird. Dieses Einwirken auf ine Gewichtsbelastung oder andere wirksame Kraftspeicher im aufhebenden bzw. entlastenden Sinne kann entweder in dem Ofen selbst vorgenommen werden, in welchem die Legierungsbildung durchgeführt wird, oder man kann auch durch die Außenwand hindurch auf die Spannvorrichtung in mechanischer Hinsicht einwirken. Hierbei kann es sich gegebenenfalls als zweckmäßig erweisen, besondere Durchführungen in der Wand des Ofens zu vermeiden.It should be noted that according to the invention the two auxiliary mold parts can be held together in various ways during the alloying process. It can e.g. B. for these purposes a jig can be used, where appropriate Special energy storage devices can be used in the clamping device z. B. consist of springs, other elastic bodies or a device, that works with air or gas pressure. The auxiliary forms can also be held together by this be that they are placed on top of each other and the upper part is loaded by a weight will. This weight load can be of various types. You can z. B. from massive Bodies, powdery bodies or liquid bodies exist. It can when using energy storage mechanisms or a weight load for holding together Also recommend the shape of the mechanical load in the course of the alloying process to change by which the mold parts are held together or by which the wetting between the electrode materials to be alloyed and the semiconductor body is maintained. This can e.g. B. be done by using liquid or gaseous means the amount or the pressure can be changed, which as forces are effective for holding the forms together. In the case of energy stores in the form of springs or weights can be a corresponding cancellation of the spring force in the desired tylaqe or +) and can be magnetic if necessary be polarized. also relieving the shape of the weight pressure by putting on the weight with a suitable lifting force, e.g. B. by a counterweight or a permanent magnets or electromagnets is acted upon. It can also be a magnet only generate the compressive force between the auxiliary mold parts, which is caused by change the supply of the magnet is adapted accordingly. This action on a weight load or other effective energy storage in the relieving or relieving sense can either be made in the furnace itself in which the alloying is carried out , or you can also go through the outer wall on the jig in have a mechanical effect. In this case, it may prove to be expedient prove to avoid special penetrations in the wall of the furnace.

Es läßt sich in diesem Falle die Entlastung vorzugsweise mittels eines Magneten erreichen.In this case, the relief can preferably be achieved by means of a Reach magnets.

Ein Ausführungsbeispiel für die Erfindung unter Anwendung einer Kraft für das Zusammenhalten der Formenteile, die im Verlaufe des Legierungsprozesses einer bestimmten Kennlinie angepaßt werden kann in irgendeinem Abhängigkeitsverhältnis, z. B. zeitoder/und temperaturabhängig, veranschaulicht die Figur 6 der Zeichnung.An embodiment of the invention using a force for holding the mold parts together in the course of the alloying process can be adapted to a certain characteristic in any dependency relationship, z. B. time or / and temperature-dependent, illustrates Figure 6 of the drawing.

In dieser Figur bezeichnet 11 die Form, welche den Halbleiter zusammen mit den MaterialkOrpern-bzw.-Mengen für die verschiedenen Elektroden enthält. Diese Form ruht auf einer z. B. elektrisch beheizten Platte 12, welche für eine solche Erhitzung sorgt, da2 die verschiedenen Elektroden-Materialkörper in den schmelzflüssi- gen Zustand übergehen für die Durchführung der Legierungsbildung, bei welcher sie in enger bzw. guter Benetzung mit dem Halbleiter gehalten werden müssen. Die gesamte Anordnung ist in ein Ofengehäuse 13 eingeschlossen, welches vorzugsweise mit einem neutralen Gas bzw. einem Schutzgas gefüllt oder entsprechend evakuiert ist.In this figure, 11 denotes the form which contains the semiconductor together with the material bodies or quantities for the various electrodes. This form rests on a z. B. electrically heated plate 12, which provides such heating, da2 the various electrode material bodies in the molten pass over to the state for carrying out the alloy formation, in which they must be kept in close or good wetting with the semiconductor. The entire arrangement is enclosed in a furnace housing 13, which is preferably filled with a neutral gas or a protective gas or evacuated accordingly.

Für die Aufrechterhaltung der guten Benetzung zwischen den schmelzflüssig gewordenen Elektroden-Materialkörpern und der Halbleiterschicht ist auf die zusammengesetzten Formenteile ein Gewicht 14 aufgelegt. Dieses besteht aus einem ferromagnetischen Stoff, wie z. B. Eise Auf diese Cewichtsplatte wirkt an dem Gestell-für die beiden Hilfsformenkorperteile zusätzlich eine Druckfeder 15, die sich also einerseits gegen diese Platte und andererseits gegen das Gestell abstützt. Dem Ofengehäuse 13 ist außen ein Magnetsystem mit dem Kern 17 und der Erregerwicklung 18 zugeordnet, welche von einer Gleichstromquelle 19 über den einstellbaren Widerstand 20 gespeist wird. Wird die Erregung des Elektromagneten 17-18 eingeschaltet bzw. gesteigert, so wird auf die Gewichtsplatte 14 entgegen der Wirkung der Feder 15 eine Hubkraft ausgeübt, so daß also die magnetische Belastung der beiden Formenteile herabgesetzt wird, und damit auch eine entsprechende Herabsetzung des. Druckes an der Benetzungsstelle zwischen den Elektroden-Materialmengen bzw. -Körpern und der Halbleiterschicht stattfindet. Eine solche Entlastung im Verlaufe des Vorganges der Legierungsbildung ist vorteilhaft, damit der Rekristallisationsprozeß bei der Abkühlung der Form bzw. der Halbleiteranordnung an dieser'in deren legierten Zonen ohne mechanische Beeinträchtigung vor sich gehen kann. Für den Zusammenbau der Form ist das Joch 16a des nichtmagnetischen Gestelles 16 leicht lösbar angebracht.To maintain good wetting between the molten liquid become electrode material bodies and the semiconductor layer is on the composite A weight 14 is placed on the mold parts. This consists of a ferromagnetic Fabric, such as B. Eise This weight plate acts on the frame for both of them Auxiliary mold body parts also have a compression spring 15, which is on the one hand against this plate and on the other hand is supported against the frame. The furnace housing 13 is outside a Magnet system with the core 17 and the excitation winding 18 assigned, which is from a direct current source 19 via the adjustable resistor 20 is fed. If the excitation of the electromagnet 17-18 is switched on or is increased, the weight plate 14 acts against the action of the spring 15 a lifting force is exerted, so that the magnetic load on the two mold parts Is reduced, and thus also a corresponding reduction in the pressure the wetting point between the electrode material quantities or bodies and the Semiconductor layer takes place. Such a relief in the course of the process the alloy formation is advantageous so that the recrystallization process in the Cooling of the mold or the semiconductor arrangement on this in its alloyed zones can go on without mechanical impairment. For assembling the mold the yoke 16a of the non-magnetic frame 16 is easily detachably attached.

Die Anwendung einer solchen Anordnung für Hilfsformen aus mehreren Teilen, die während der Durchführung des Arbeitsprozesses mittels einer Kraft zusammengehalten werden, welche während des Arbeitsprozesses gemäß einer bestimmten Kennlinie geändert wird' bzw. werden kann, ist an sich nicht beschränkt auf die Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einander umschließenden Elektroden.The use of such an arrangement for auxiliary forms from several Parts held together by a force while the work process is being carried out which are changed during the work process according to a certain characteristic curve is' or can be is not limited to the production of semiconductor arrangements with electrodes surrounding each other.

Sie ist vielmehr allgemein immer dann anwendbar, wenn für die Durchführung eines Arbeitsprozesses an einem von der Form eingeschlossenen Körper dessen mechanische Beanspruchung zweckmäßig in bestimmter Weise gelenkt wird. Rather, it is generally always applicable when, for the execution of a work process on a body enclosed by the mold, its mechanical stress is appropriately directed in a certain way.

Flächengleiohrichter bzw.. transistor, welche nach der Erfindung hergestellt werden, können einen Halbleiterkörper aus Germanium, Silizium oder einer Zweistoff-Verbindung besitzen. In der Zweistoff-Verbindung kann die eine Komponente z. B. der III. Gruppe und die andere der V. Gruppe des periodischen Systems angehören.Surface gauges or transistor, which are manufactured according to the invention can be a semiconductor body made of germanium, silicon or a two-component compound own. In the two-component compound, one component, for. B. the III. group and the other belong to Group V of the periodic table.

Solche Zweistoffverbindungen sind z. B. Aluminiumphosphid, Aluminiumantimonid, Galliumarsenid.Such binary compounds are z. B. aluminum phosphide, aluminum antimonide, Gallium arsenide.

Im Rahmen der Erfindung liegen auch Anordnungen, bei denen der Halbleiterkörper nur unter Benutzung eines@ einzigen Formenteiles gefertigt wi, rd, in den er zusammen mit den Elektrodenmaterialkörpern an der einen seiner Oberflächen eingebracht wird, während z. B. der Blektrodenmaterialkorper für die Bildung der Elektrode an der anderen Halbleiteroberfläche bereits vorher mit einen Trägerkörper vereinigt wurde und in dieser Form lediglich für die Legierungsbildung auf den Halbleiterkörper aufgelegt und auf diesem festgespannt wird. Der genannte Trägerkörper erfüllt hierbei unmittelbar die Funktion des einen Hilfsformenteiles.Arrangements in which the semiconductor body only using a single mold part wi, rd, in which he together is introduced with the electrode material bodies on one of its surfaces, while z. B. the Blektrodenmaterialkorper for the formation of the electrode previously combined with a carrier body on the other semiconductor surface was and in this form only for the alloy formation on the semiconductor body is placed and clamped on this. The carrier body mentioned here fulfills directly the function of one auxiliary mold part.

6 Figuren 7 Ansprüche6 figures 7 claims

Claims

Protection claims XZCXXXX: Xz: X * orw K xxxxxxxxxxxxxxx

1. Planar rectifier or transistor, in which at the Electrodes surrounding a surface of the semiconductor

of different character with regard to their impurity doping, characterized in that more than two total number of mutually enclosing electrode bodies are provided on the semiconductor, each of which in its basic form follows a self-contained and continuous curve, and two of which are adjacent all points have the same mutual distance with a different character with regard to their impurity doping.

2. Application or construction of a surface rectifier or

- transistor according to claim 1 in an electrical circuit, characterized characterized in that the electrodes have the character of the emitter and the electrodes of the character of the base electrode, each with a common electrical connection connected to the arrangement ..

3. Use or construction of a planar rectifier or

- transistor according to claims 1 or 2 in an electrical circuit, characterized in that the emitter electrodes are connected to different terminals or different electrical control voltages are connected.

4. Surface rectifier or transistor according to claim 1 or 2, characterized marked that the electrodes surrounding each other have a circular ring shape.

5. Device for producing a surface rectifier or

- transistor according to claim 1, characterized by using a Auxiliary form consisting of an upper and a lower part, each of which has a number of grooves or grooves. Recesses corresponding to the number of electrodes bodies to be applied to the semiconductor body surfaces is provided, and together in a frame or a guide device held together by a force.

6. Arrangement for multi-part auxiliary molds, their individual mold parts be held together by a force while the work process is being carried out, in particular according to claim 5, characterized in that the mold parts have a such means are held together that in the course of the alloy formation a certain characteristic curve of the force is achieved, which the auxiliary mold parts holds together and thus for maintaining the wetting between the electrode material bodies and the semiconductor is effective.

7. Arrangement according to claim 6, characterized in that da9 the force, which holds the mold parts together, is controlled magnetically.