DE1763015C

DE1763015C -

Info

Publication number: DE1763015C
Application number: DE19681763015
Authority: DE
Filing date: 1968-03-22
Publication date: 1973-02-22

Description

Konstantstromquelle eingekoppelf ist. 35 tung liegt.Constant current source is coupled. 35 tion lies.

5. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, Die als Arbe:ls_Wu.er,ta»d de5. Series control device according to claim 3 or 4, which as work: ls _W u.er, ta »d de

dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektor- transistors wirkende ko«^tantstro'«W^te «t Emitter-Strecke des Transistors (Γ4) der zweiten J_n vorteilhafter Wdtcrbildung der Erfindang ^m Konstantstromquelle mittels einer Starttaste (Sl) Spannungsabfall am Arbeitswiderstand der zweiten durch einen Widerstand (R9) überbrückbar ist. ₄o Konstantstromquellc gesteuert. Mehraufwandcharacterized in that the collector transistor acting ko «^ tantstro '« W ^ te «t emitter path of the transistor (Γ4) of the second J _n advantageous Wdtcrbildung the invention ^ m constant current source by means of a start button (S1) voltage drop at the working resistor of the second can be bridged by a resistor (R9). ₄ o constant current sourcec controlled. extra effort

6. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 3 Ferner ergibt sich mit einem f/'Jf^Meh abwand oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein zur der besondere \^ortei^.^daVnn,™romauenen^ Emitter-Kollektor-Strecke des SteUtransistors (Tl) der beiden komplementären^^ "^! ¹^ J paralleler Stromzweig vorgesehen ist (F i g. 3). Verbindung mit emem Meßw.derstand in} Langszweig6. Series control device according to claim 3 Furthermore, with an f / 'Jf ^ Meh wall or 4, characterized in that one for the particular \ ^ortei ^. ^because Vnn, ™ romauenen ^ emitter-collector path of the control transistor (Tl) of the two complementary ^^ "^! ¹ ^ J parallel current branch is provided (Fig. 3). Connection with emem Meßw.derstand in} long branch

7. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 1, da- 45 der Serienregelung7. Series control device according to claim 1, there- 45 of the series control

durch gekennzeichnet, daß der an der ungesiebten piner elektronischen Üherlaslabschaltung übernehmen Eingangsspannung (Ue) liegenden zweiten Kon- kann. „rfinHinwKrnaBeii Reeel- characterized in that the input voltage (Ue) lying on the unfiltered pin electronic overload switch-off can take over the second con. "RfinHinwKrnaBeii Reeel-

staiftstromquelle (Transistor TA mit Arbeitswider- Ein weiterer Vorteil dei Mu^gemäßen Regelstaiftstromquelle (transistor TA with Arbeitswider- Another advantage dei Mu ^ proper rule

stand« 10) ein Spannungsteiler, bestehend aus einrichtung besteht darm daß deren S^aUung;Remc einer Serienschaltung von mehreren in Durchlaß- 5» Kapazitäten ^f⁰^^¹'/^..,''"'^^ würden richtung gepolten Dioden (DA, D5, D6) und einem Reglers in integrierter ^SchaUu"f_fin ^b^'ⁿ _e ^de" .^™ Widerstand (R 14), parallel geschaltet ist und daß Weitere Einzelheiten der .Erfindung werden anStand «10) a voltage divider, consisting of a device, that its switching; Remc a series connection of several in forward 5» capacitances ^ f ⁰ ^^ ¹ '/^..,''"'^^ would be polarized in the direction Diodes (DA, D5, D6) and a regulator in an integrated ^SchaUu "f _fin ^b ^ ' ⁿ _e ^de ". ^ ™ resistor (R 14), is connected in parallel and that further details of the .Erfindung are at

dessen Abgriff zwischen Dioden und Widerstand Hand von mehreren Ausfuhrungsbeisp.elen in den über eine weitere entgegengesetzt gepolte Diode Fig.2 bis 8 naher "»"««·.. . _ , (D3) mit dem negativen Ende des Arbeitswider- 55 In F. g. 2 .st ein Ausfuhrung beisp.el einer Rege standest/? 10) der zweiten Konstantstromquelle einrichtung gemäß der Erfind™g £π^ e U die verbunden ist (F i g 4) gleichzeitig als elektronische Uberlastabschaltungits tap between diodes and resistance hand from several exemplary embodiments in the Fig. 2 to 8 nearer via a further diode with opposite polarity "» "« «· ... _, (D3) with the negative end of the labor counter- 55 In F. g. 2 .st an execution example of a Rege standest /? 10) the second constant current source device according to the invention which is connected (Fig. 4) at the same time as electronic overload cut-off

^e Ser^reÄnricntung nach Anspruch 3 wirkt. Von der in Fig 1 ^^^TuS oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Koppel- Serienregele.nnchtung m.t dem Stelltrans.st^r ^l und diode (Dl) durch die Basis-Emitter-Strecke eines 6o dem Span.uingsverstarkcrtrans.s or Γ2 unterscheidet Transistors(TS) ersetzt ist (Fig 5) sich die neue Schaltung durch einen Kaskaden- ^e Ser ^ reÄnricntung according to claim 3 acts. From the in Fig 1 ^^^ TuS or 4, characterized in that the coupling series regulation device mt the Stelltrans.st ^ r ^ l and diode (Dl) through the base-emitter path of a 6o the Span.uingsverstarkcrtrans. s or Γ2 differs transistor (TS) is replaced (Fig 5) the new circuit is by a cascade

Transistors (/ 5) ersetzt ist (t g. D). schaltung von zwei gesteuerten Konstantstromquellen,Transistor (/ 5) is replaced (t g. D). switching of two controlled constant current sources,

rjje von einem pnp-Transistor Γ3 und einem npn-rjje from a pnp transistor Γ3 and a npn-

Transistor 7"4 gebildet werden, die im KollektorkreisTransistor 7 "4 are formed in the collector circuit

Die Erfindung bezieht sich auf eine Serienregel- 65 des Verstärkertransistors 72 den Außenwiderstand Λ3 inrichtung hoher Rückwirkungsfreiheit zur Erzeugung in F i g. 1 ersetzt Der Transistor" dere sten iner stabilisierten Gleichspannung unter Verwendung Konstantsjroinquelle ist m Re.he mit _dem Emitterines SteUtransistors und eines Spannungsverstärker- widerstand Λ5 so in den Kollektorslromkre.s desThe invention relates to a series regulator 65 of the amplifier transistor 72, the external resistance Λ3 in the direction of a high degree of freedom from feedback for the generation in FIG. 1 replaces the transistor "dere most A stabilized DC voltage using a constant source is m Re.he with _dem emitterines Control transistor and a voltage amplifier resistor Λ5 so in the collector circuit

Verstärkertransistors Tl eingeschaltet, daß die Kollektorelektroden beider Transistoren miteinander und der Emitter des Transistors Γ3 über den Widerstand R5 n.it der positiven Eingangsklemme verbunden sind. Die zweite Konstantstromquelle besteht aus der an der Eingangsspanming Ue liegenden Reihenschaltung des Widerstandes Z? 10, der Kollektor-Emitter-Strecke des npn-Transistors TA und des Emitterwiderstandes RW. Der Verbindungspunkt von Widerstand RIO und Transistor TA ist mit der Basis des Transistors Γ3 und die Basis des Transistors TA mit der positiven Ausgangsklemme verbunden.Amplifier transistor Tl switched on so that the collector electrodes of both transistors are connected to one another and the emitter of transistor Γ3 is connected to the positive input terminal via resistor R5. The second constant current source consists of the series connection of the resistor Z? 10, the collector-emitter path of the npn transistor TA and the emitter resistor RW. The connection point of resistor RIO and transistor TA is connected to the base of transistor Γ3 and the base of transistor TA is connected to the positive output terminal.

Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltung nach F i g. 2 wird nochmals auf die bekannte Schaltung nach F i g. 1 eingegangen. In dieser Schaltung entnehmen der Spannungsverstärkertransistor TI den Kollektorstrom Zc₂ und der Emitterfolger bzw. Stelltransistor 7Ί den Basisstrom Zs₁ über den Arbeitswiderstand R'i aus der ungesiebten Eingungsspannung Ue- Alle Änderungen von Ue bewirken eine entsprechende Änderung des Kollektorstromes Zc₂ und somit auch eine Änderung der Bais-Emitter-Spannung Übe* des Transistors Tl. Dadurch wiederum ändert sich das Refrenzpoteniial Ur₍s — Ube2 r U₇. der Schaltung, wodurch die Ausgangsspannung U_A entsprechend dem Übersetzungsverhältnis des Gegenkopplungsteih-rs Ri, Rl schwankt.To explain the mode of operation of the circuit according to FIG. 2 is again referred to the known circuit according to FIG. 1 received. In this circuit, the voltage amplifier transistor refer TI the collector current Zc ₂ and the emitter follower or control transistor 7Ί the base current Zs ₁ via the load resistor R'i from the unscreened Eingungsspannung UE All changes from Ue cause a corresponding change of the collector current Zc ₂ and thus a . amending Bais-emitter voltage Practice * of the transistor Tl In turn, the Refrenzpoteniial Ur _(s changes -. Ube2 r U ₇ of the circuit, whereby the output voltage U _A corresponding to the gear ratio of the Gegenkopplungsteih-rs Ri varies Rl.

Ersetzt man den Arbeitswiderstand des Transistors Tl durch den mit eingeprägtem Emitterstrom als Konstantstromquelle arbeitenden pnp-Transistor 7*3 (F i g. 2), so erhält man einen sehr großen differentiellen Arbeitswiderstand. Dadurch steigt die offene Spannungsverstärkung des Regelverstärkers Tl, Tl beträchtlich, und der Innenwiderstand Rt der Regelschaltung nimmt bei geschlossener Schleife entsprechen.-ab. If the working resistance of the transistor Tl is replaced by the pnp transistor 7 * 3 (FIG. 2) operating with an impressed emitter current as a constant current source, a very large differential working resistance is obtained. As a result, the open voltage gain of the control amplifier Tl, Tl increases considerably, and the internal resistance Rt of the control circuit decreases accordingly when the loop is closed.

Infolge der hohen Impedanz am Punkt K reicht im allgemeinen die Kollektor-Basis-Kapazität des Spannungsverstärkertransistors Tl (Miller-Kapazität) zur Phasenkoirmensation der geschlossenen Regelschleife aus. Die Größe des Konstantstromes Zk₃ ist direkt von der Basis-Referenzspannung J Us abhängig. Deswegen wird in Λ10 ein zweiter Strom Im eingeprägt, der einen konstanten Spannungsabfall Δ Us zur Folge hat. Der Konstantstrom Im wird von dem npn-Transistor TA geliefert, der als Basis-Referenzspannung die geregelte Ausgangsspannung Ua benutzt. Durch diese Maßnahme wird der Konstantstrom Im und damit auch Zr₃ durch die geregelte Ausgangsspannung Ua selbst stabilisiert. Die Ausgangsspannung Ua wird durch die hohen Impedanzen der Kollektoren von 7Ί (Zci), T3 (Zk₃) und TA (Im) von der ungesiebten Eingangsspannung Ue dynamisch isoliert, wodurch die Rückwirkung aller Schwankungen der Eingangsspannung kleiner als 10~⁴ wird. As a result of the high impedance at point K, the collector-base capacitance of the voltage amplifier transistor Tl (Miller capacitance) is generally sufficient for phase compensation of the closed control loop. The size of the constant current Zk ₃ is directly dependent on the base reference voltage J Us. A second current Im is therefore impressed in Λ10, which results in a constant voltage drop Δ Us . The constant current Im is supplied by the npn transistor TA , which uses the regulated output voltage Ua as the base reference voltage. As a result of this measure, the constant current Im and thus also Zr ₃ are stabilized by the regulated output voltage Ua itself. The output voltage Ua is dynamically isolated by the high impedances of the collectors of 7Ί (ZCI), T3 (Zk ₃₎ and TA (Im) of the unscreened input voltage Vin, so that the return effect of all the variations of the input voltage is less than 10 ~. ⁴

Die Kaskadenschaltung der zwei komplementären Stromquellen ermöglicht auf einfache Weise eine elektronische überlastabschaltung. Eine solche elektronische Sicherung entsteht durch Einfügen eines Meßwiderstandes R6 in die Kollektorzuleitung von Tl und ein^r Koppeldiode Dl zum Emitter von T3. Sobald der Kollektor.;':rom von Tl in Λ6 einen Spannungsabfall Δ Umi =■■ Δ Um₂ + Übe hervorruft, fließt über die nun leitend werdende Diode Dl ein Teil des Emitterstromes Z^₃ (;inmit auch des Kollektorstromes IK3) in den Kollektor von Tl ab. Mit weiter zunehmendem Kollektorstrom Zc₁ wird schließlich immer mehr Emitterstrom Ie₃ über die Koppeldiode Dl abgeleitet. Dadurch erhält Tl keinen Kollektorstrom mehr, die Ausgangsspannung Ua sinkt ab, der Konstantstrom Im wird geringer, AUs wird geringer und Γ3 in zunehmendem Maße gesperrt. Da der Stelltransistor Π keinen Basisstrom mehr erhält, ist eier Längszweig der Schaltung gesperrt, und die Ausgangsspannung Ua wird gleich Null. Dann sind aucn die Transistoren Tl und TA gesperrt. Die Schaltung bleibt auch bei Wegnahme der LastThe cascade connection of the two complementary current sources enables electronic overload shutdown in a simple manner. Such an electronic fuse is created by inserting a measuring resistor R6 in the collector lead of Tl and a ^ r coupling diode Dl to the emitter of T3. As soon as the collector.; ': Rom of Tl in Λ6 causes a voltage drop Δ Umi = ■■ Δ Um ₂ + Übe , a part of the emitter _{current Z ^ 3} (; with also the collector current IK3) flows through the now conductive diode Dl remove the collector from Tl . As the collector current Zc _{1 increases} , more and more emitter current Ie ₃ is finally diverted via the coupling diode Dl . As a result, T1 no longer receives any collector current, the output voltage Ua drops, the constant current Im becomes lower, AUs becomes lower and Γ3 is increasingly blocked. Since the setting transistor Π no longer receives a base current, a series branch of the circuit is blocked, and the output voltage Ua becomes zero. Then, AuCN the transistors Tl and TA locked. The circuit remains even when the load is removed

ίο oder des Kurzschlusses gesperrt und muß mittels der Starttaste 51 wieder eingeschaltet werden. Dabei fließt über die Widerstände Λ10 und R9 der SlarlstromAs, der an AlO einen Spannungsabfall A Us hervorruft, der etwa dem zweifachen Wert derίο or the short circuit blocked and must be switched on again using the start button 51. The SlarlstromAs flows through the resistors Λ10 and R9, which causes a voltage drop A Us at AlO that is about twice the value of

Schwellenspannung der Emitter-Kollektor-Diode des Transistors T3 entspricht. Da im gesperrten Zustanu Δ Um₂. gleich Null ist, fließt "<in im Transistor / < Basisstrom und somit auch k.'llektorstrom Ik₃- *'' das Potential am Punkt K sofort anhebt, die Ai^- gangsspannung Ua steigt mit, es fließt Konstantstem I_Ki, und der Spannungsabfall AUs wird größer. Da dur-h schaukelt sich die Ausgangsspannung Ua bi zum stationären Wert auf. Beim Anlegen der Eingangspannung Ub an die Schaltung, d. h. bei lnbetrieb- The threshold voltage of the emitter-collector diode of the transistor T3 corresponds. Since in the locked state Δ Um ₂ . equals zero, "<in flows in the transistor / <base current and thus also k.'llektorstrom Ik ₃ - * '' increases the potential at point K immediately, the output voltage Ua increases with it, the constant I _Ki , and flows the voltage drop AUs increases. Since dur-h the output voltage Ua bi swings up to the stationary value. When the input voltage Ub is applied to the circuit, ie during operation

nähme, ergibt sich der gleiche Einschaltvorgang.would take, the result is the same switch-on process.

In F i g. 3 ist die gleiche Regehinrichtung mit eine; abgewandelten Form der elektronischen Überlastabschaltung dargestellt. Wie in der Schaltung nach Fig. 2 führt auch bei dieser Schaltung ein KurzIn Fig. 3 is the same control device with a; modified form of the electronic overload cut-off shown. As in the circuit according to FIG. 2, a short also leads in this circuit

schluß zur totalen Sperrung aller Transistoren. Durch Hinzufügendes Widerstandes «3 (F i g. 3) wird jedoch erreicht, daß die Regelschaltung automatisch bei Inbetriebnahme oder Aufhebung des Kurzschlusses wieder anspringt. Über die Widerstände R6, Z?3, R~! conclusion to the total blocking of all transistors. However, by adding a resistor 3 (Fig. 3) it is achieved that the control circuit starts up again automatically when the short circuit is put into operation or when the short circuit is removed. Via the resistors R6, Z? 3, R ~!

und RS fließt bei noch gesperrter Schaltung ein Strom ht, der an der Reihenschaltung von RT, K8 einen Spannungsabfall Ua hervorruft, der größe; ist als der zweifache Wert der Schwellenspannung der Emitter-Basis-Diode des Transistors TA. Dadurch erhält der Transistor TA Basisstrom. Nacheinander fließen dann die Kollektorströme Zk₄ und I_Ka- Sodann steigt die Ausgangsspannung Ua und die gesamte Schaltung schaukelt sich bis zum stationären Zustand auf. Der Einfluß des über die Widerstände Λ 6 und R3 aus der ungesiebten Eingangsspannung Ue in denand RS flows when the circuit is still blocked, a current ht which causes a voltage drop Ua in the series connection of RT, K8, the size; is than twice the threshold voltage of the emitter-base diode of the transistor TA. As a result, the transistor TA receives base current. _{The collector currents Zk 4} and I _Ka then flow one after the other - then the output voltage Ua rises and the entire circuit swings to a steady state. The influence of the resistors Λ 6 and R3 from the unfiltered input voltage Ue in the

Ausgang fließenden Stromes I_st ist wegen des niedrigenOutput flowing current I _st is because of the low

dynamischen Innenwiderstandes der Regelschaltung gering.dynamic internal resistance of the control circuit is low.

Tm Gegensatz zn den beiden vorangehenden Schal-In contrast to the previous two

tungen nach Fig. 2 und 3 zeigt die Schaltung nach Fig. 4 bei Überlast ein Konstantstromveriialten. Bei Inbetriebnahme springt die Regeleinrichtung auch unter Normallast automatisch an. Diese Eigenschaften weiüsn Uu.w. iis aus den Dioden D3 bis D6 und den Widerstand /ilA bestehende Netzwerk erzielt.2 and 3, the circuit according to FIG. 4 shows a constant current variant in the event of an overload. When commissioning, the control device starts automatically even under normal load. These properties know uu.w. iis made up of the diodes D3 to D6 and the resistor / ilA network.

Sobald die Eingangsspannung Ue an die Schaltung angelegt wird, fließt über die Dioden Dft, DS, D-i und den Widerstand Λ14 ein Strom Is, der an dei Dioden ZJ4.D5, D6den Spannungsabfall Wn^: 3 Um (Übe = Schwllenspannung einer Diode in Durchlaß richtung) erzeugt, der wegen des geringen dynamische! Widerstandes der in Flußrichtung gepolten Dioden ;il Spannungsquelle betrachtet werden kann. Da im ge sperrten Schaltüngszustand die Ströme Im ^lind ^!>t gleich Null sind, wird die Diode Z>3 leitend, a Widerstand R10 entsteht der SpannungsabfallAs soon as the input voltage Ue is applied to the circuit, a current Is flows through the diodes Dft, DS, Di and the resistor Λ14, which at the diodes ZJ4.D5, D6 the voltage drop Wn ^: 3 Um (Übe = threshold voltage of a diode in the forward direction ) generated because of the low dynamic! Resistance of the diodes polarized in the forward direction; il voltage source can be considered. Since the currents Im ^lin d ^! > t are equal to zero, the diode Z> 3 becomes conductive, a resistor R 10 creates the voltage drop

AUs = AUd- AUr = 3 Übe - Uhb = 2 U_IIE, AUs = AUd- AUr = 3 Übe - Uhb = 2 U _IIE ,

und es fließt Basisstrom im Transistor 7*3. Dadurch wiederum steigt der Kollcktorstrom Ik₃, der das Potential des Punktes K hochzieht und die Basis des Transistors 7*1 ansteuert. Der Kollektorstrom Ic\ und die Ausgangsspannung Ua steigen an, der Transistor TA wird leitend und nimmt den Kollektorstrom Ικ.\ auf. Der Spannungsabfall A Us wird durch den zusätzlicnen Strom größer, der Strom Ik₃ steigt weiter an, und die Ausgangsspannung U,\ erreicht ihren stationären Wert. Dabei wird die SpannungAUs größer als die Spannung A Un- Infolgedessen sperrt die Diode D3 und entkoppelt somit den geregelten Punkt C vom ungeregelten Punkt B. Bei Überlast verhält sich diese Schaltung genauso wie die Schaltung nach F i g. 2. Jedoch von dem Zeitpunkt an, in dem der Kollcktorstrom im Transistor Tl (durch das Absinken von Ua und der damit verbundenen Sperrung der Basis-Emitlcr-Streckc von Tl) gleich Null wird, nehmen die Ströme Ik* und Ik₃ nur bis auf den Wert ab, der durch die nun leitend werdende Diode £>3 bestimmt wird. Die Spannung AUs kann nur bis auf den Wert 2 Uns absinken. Dadurch ist am Punkt C eine feste, jedoch um etwa 50°/₀ geringere Basis-Rcfercnz-Spannung A Us als im Normalbctricb gegeben. Da der Spannungsabfall AUm₁ durch die nun geschlossene Regelstrecke Γ3, Dl und Tl gleich AUs ■■=■- 2 U/ih gehalten wird, sinkt der Kollcktorstrom Ia auf etwa 50°/₀ des Abschaltstromes und bleibt konstant auf diesem Wert, selbst wenn die Ausgangsspannung Ua = 0 wird. Bei Aufhebung des Kurzschlusses kehrt die Schaltung, wie anfangs beschrieben, in den stationären Zustand zurück.and base current flows in transistor 7 * 3. This in turn increases the collision gate current Ik ₃ , which pulls up the potential of point K and controls the base of transistor 7 * 1. The collector current Ic \ and the output voltage Ua increase, the transistor TA becomes conductive and absorbs the collector current Ικ. \ . The voltage drop A Us increases due to the additional current, the current Ik ₃ continues to rise, and the output voltage U, \ reaches its steady-state value. The voltage AUs is greater than the voltage A Un- As a result, the diode D3 blocks and thus decouples the regulated point C from the unregulated point B. In the event of an overload, this circuit behaves exactly like the circuit according to FIG. 2. However, from the point in time at which the collector current in the transistor Tl (due to the drop in Ua and the associated blocking of the base Emitlcr stretch of Tl) becomes zero, the currents Ik * and Ik ₃ only absorb up to the value that is determined by the now conductive diode £> 3. The voltage AUs can only drop to the value 2 Uns. As a result, there is a fixed base reference voltage A Us at point C , but lower by about 50 ° / ₀ than in normal operation. Since the voltage drop AUm ₁ is kept equal to AUs ■■ = ■ - 2 U / ih due to the now closed controlled system Γ3, Dl and Tl , the collector current Ia drops to about 50 ° / ₀ of the cutoff current and remains constant at this value, even if the output voltage Ua = 0. When the short circuit is removed, the circuit returns to the steady state, as described at the beginning.

Für besondere Anwendungsfälle kann die in F i g. 4 dargestellte Schaltung abgewandelt werden. Bei besonders kleinen Überlastgrenzströmen, die in die Größenordnung von /^₃ kommen, empfiehlt sich die Verwendung eines zusätzlichen pnp-Transistors 7*5 an Stelle der Koppcldiode Dl (F i g. 5). Dadurch wird der notwendige Steuerstrom für die Abschaltung um die Stromverstärkung B des Transistors 7*5 verringert. For special applications, the in F i g. 4 shown circuit can be modified. In particularly small overload limiting currents that come in the order of / ^ _3, the use is recommended of an additional PNP transistor 7 * 5 (g F i. 5) instead of the Koppcldiode Dl. As a result, the necessary control current for the shutdown is reduced by the current gain B of the transistor 7 * 5.

Für hohe Ausgangsströme läßt sich die Regeleinrichtung durcheine Kaskadenschaltung von Emitlcrfolgcrn erweitern. In F i g. 6 ist eine Ausführung mit einem zusätzlichen Transistor 7'6 gezeigt. Der Widerstand Λ15 dient zur Ableitung eventueller Kollcktor-Basis-Rcstströmc des Transistors 7*1, kann jedoch bei guten Silizium-Transistoren meistens entfallen. Soll die Regeleinrichtung integriert werden, so verwendet man aus Kostengründen allgemein laterale pnp-Transistoren. Die geringe Stromverstärkung (B ^ I bis 5) dieser Transistoren kann man mittels eines zusätzlichen npn-Emitterfolgers ausgleichen. Ein Beispiel dafür ist in F i g. 7 mit dem lateralen pnp-Transistor 7*3 und dem zusätzlichen Transistor Tb dargestellt.For high output currents, the control device can be expanded by cascading emit successors. In Fig. 6 shows an embodiment with an additional transistor 7'6. The resistor Λ15 serves to divert any collector-base currents of the transistor 7 * 1, but can usually be omitted with good silicon transistors. If the control device is to be integrated, lateral pnp transistors are generally used for reasons of cost. The low current gain (B ^ I to 5) of these transistors can be compensated for by means of an additional npn emitter follower. An example of this is shown in FIG. 7 with the lateral pnp transistor 7 * 3 and the additional transistor Tb .

In F i g. 8 ist eine Regeleinrichtung für eine geregelte Ausgangsspannung von 24 V mit Bemessungsangaben für die wichtigsten Bauteile wiedergegeben. Im Hinblick auf eine gute Temperaturstabilität der Ausgangsspannung wurde eine zusätzliche Diode Dl in Scr τ mit der Z-Piode Dl geschaltet. Die Z-Diode D\ luii eine Durchbruchspannung von 7,2 V, so daß sicli Ί.·.· negativen Temperaturkoeffizienten der in Flußrichiun.: betriebenen Diode Dl und der Basis-Emittcr-Strcckc von 7*2 mit dem positiven TcmpenUurkoeffizicnu·' der Z-Diode Di kompensieren.In Fig. 8 shows a control device for a regulated output voltage of 24 V with ratings for the most important components. In view of a good temperature stability of the output voltage of an additional diode Dl in Scr was τ with Z-Piode Dl switched. The Zener diode D \ luii a breakdown voltage of 7.2 V, so that · Sicli Ί.. · Negative temperature coefficient of in Flußrichiun .: operated diode Dl and the base Emittcr-Strcckc of 7 * 2 to the positive TcmpenUurkoeffizicnu · ' compensate the Zener diode Di.

Weiterhin ist durch den Einstell widerstand / !ι die Möglichkeit gegeben, Toleranzen der Z-Diodi /.'^! auszugleichen.Furthermore, the setting resistance /! Ι gives the possibility of tolerances of the Z-Diodi /. ' ^! balance.

Für negative Eingangs- und Ausgangsspannur.iverzielt man äquivalente Schaltungseigenschaften di · sinngemäßes Vertauschen der Leitfähigkeitstypen 1< Transistoren und Umpolen der Dioden.Achieved for negative input and output voltages only equivalent circuit properties are equivalent to interchanging the conductivity types 1 < Transistors and polarity reversal of the diodes.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

¹ transistor, the load resistance of which is transistorized. Claims: j _st . . _eral _me h first series regulator high kickback series ^ regelschdtungen example is in F i g. 1 a freedom to generate a stabilized deich- X ^a " ^a " ^th _c ,, '"shown, the voltage using a control transistor S simple ^bcha " ^u \ _ä * _ve j _g lying power and a voltage amplifier transistor, its from one. -, lstrecke _nstromre · g _e · Tran a load resistor is transistorized, characterized transistor l \ ^a ^'s _sverstär ker with external reflection in that in the collector ^sisto. ^r ^ ^ A "" reference diode D1 exists. The circuit of the voltage amplifier transistor (Γ2) stood A3 una EMC _Spann ungsteiler Al, Rl of the output of a two constant current sources io transistor li ^Γι "_'oltage Ua from comparison of two transistors (Γ3, T4) corresponds a part der.Ausgag £ ^ ^ _OiodeDl _unc opposite conductivity type formed cas- it with the Ketrenap ^ _{& regultrans} i _st or Tl effective, cadic circuit is switched on, whose input ve, strengthens the U ^ere _{wid tan (L} of the differer- (base of the transistor Γ4) at the _{regulated output} as changing output voltage Ua unu

always? ttää ^ %

2. Series regulating device according to claim 1, that the Regeleigei scna. ^ ^ ^^ ^ _ohmic .., characterized in that the better than work regressors, it is .u.ui ^ - E _middle .Kollektor-Streeke stood of the voltage amplifier transistor ( Γ2) we- Aussemv.dersu ^.,> £ _nTiischal , _{en (S.} W. W ag η c r. Kende constant current source (transistor Γ3) from ao an Iran: - ..> s,,, _on j _sc h _e r circuits uni voltage drop at the load resistance (R 10) of the »Stromve- ^ guns, γ> Fig. 7 2/25 and 2 (-second constant current source (transistor Γ4) - devices«. ..ambur ^ l · *. · ■ - ^ _{zuninde> eji} ._,

^{controls is} · ,,, ® " _u ^{κ7v g} ·· ^ improved control circuit

3. Series control device according to claim 1 da- simple, but ν; - control range Schwandurch characterized in that the cascade circuit a ₅ admit the iii <.- ■ / ^ _n including the grain blades of the two constant current sources forming the '- ^ΙΓ1 '^;'Α,. _s | corrects _walls conclusions tary transistors (73, 74) in Verbmdung Brummspannui ^; uHkb ^ tung, ^ J 8 _rn , _I ^ with a measuring resistor (R6) in the longitudinal branch of the? emaß der hr ..J ·. ·, ^ rü α _{s amplifier} . Series control device an electronic control load m the collector r..i. _; ikre.s α ί _Ko ° _stantstruin . shutdown forms. 3o transistor of the an ..... ig a ra ^u ^ entseßen-

4. Series control device according to claim 3, there are quellen.ien ν on two J ^ '^^ g ^ characterized in that the voltage drop set Le.tfah.gke, styps g

at the measuring resistor (Λ6) via a diode (Dl) is switched on ^ ^ the control circuit of the transistor (Γ3) of the first regulated output voltage of the

the control circuit ds () gg