DE1763015C - - Google Patents
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Description
Konstantstromquelle eingekoppelf ist. 35 tung liegt.
5. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, Die als Arbe:lsWu.er,ta»d de
dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektor- transistors wirkende ko«^tantstro'«W^te «t
Emitter-Strecke des Transistors (Γ4) der zweiten Jn vorteilhafter Wdtcrbildung der Erfindang ^m
Konstantstromquelle mittels einer Starttaste (Sl) Spannungsabfall am Arbeitswiderstand der zweiten
durch einen Widerstand (R9) überbrückbar ist. 4o Konstantstromquellc gesteuert. Mehraufwand
6. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 3 Ferner ergibt sich mit einem f/'Jf^Meh abwand
oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein zur der besondere \ortei^.daVnn,™romauenen^
Emitter-Kollektor-Strecke des SteUtransistors (Tl) der beiden komplementären^^ "^! 1^ J
paralleler Stromzweig vorgesehen ist (F i g. 3). Verbindung mit emem Meßw.derstand in} Langszweig
7. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 1, da- 45 der Serienregelung
durch gekennzeichnet, daß der an der ungesiebten piner elektronischen Üherlaslabschaltung übernehmen
Eingangsspannung (Ue) liegenden zweiten Kon- kann. „rfinHinwKrnaBeii Reeel-
staiftstromquelle (Transistor TA mit Arbeitswider- Ein weiterer Vorteil dei Mu^gemäßen Regel
stand« 10) ein Spannungsteiler, bestehend aus einrichtung besteht darm daß deren S^aUung;Remc
einer Serienschaltung von mehreren in Durchlaß- 5» Kapazitäten ^f0^^1'/^..,''"'^^ würden
richtung gepolten Dioden (DA, D5, D6) und einem Reglers in integrierter SchaUu"ffin b^'n e de" .^™
Widerstand (R 14), parallel geschaltet ist und daß Weitere Einzelheiten der .Erfindung werden an
dessen Abgriff zwischen Dioden und Widerstand Hand von mehreren Ausfuhrungsbeisp.elen in den
über eine weitere entgegengesetzt gepolte Diode Fig.2 bis 8 naher "»"««·.. . _ ,
(D3) mit dem negativen Ende des Arbeitswider- 55 In F. g. 2 .st ein Ausfuhrung beisp.el einer Rege
standest/? 10) der zweiten Konstantstromquelle einrichtung gemäß der Erfind™g £π^ e U die
verbunden ist (F i g 4) gleichzeitig als elektronische Uberlastabschaltung
e Ser^reÄnricntung nach Anspruch 3 wirkt. Von der in Fig 1 ^^^TuS
oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Koppel- Serienregele.nnchtung m.t dem Stelltrans.st^r ^l und
diode (Dl) durch die Basis-Emitter-Strecke eines 6o dem Span.uingsverstarkcrtrans.s or Γ2 unterscheidet
Transistors(TS) ersetzt ist (Fig 5) sich die neue Schaltung durch einen Kaskaden-
Transistors (/ 5) ersetzt ist (t g. D). schaltung von zwei gesteuerten Konstantstromquellen,
rjje von einem pnp-Transistor Γ3 und einem npn-
Transistor 7"4 gebildet werden, die im Kollektorkreis
Die Erfindung bezieht sich auf eine Serienregel- 65 des Verstärkertransistors 72 den Außenwiderstand Λ3
inrichtung hoher Rückwirkungsfreiheit zur Erzeugung in F i g. 1 ersetzt Der Transistor" dere sten
iner stabilisierten Gleichspannung unter Verwendung Konstantsjroinquelle ist m Re.he mit _dem Emitterines
SteUtransistors und eines Spannungsverstärker- widerstand Λ5 so in den Kollektorslromkre.s des
Verstärkertransistors Tl eingeschaltet, daß die Kollektorelektroden
beider Transistoren miteinander und der Emitter des Transistors Γ3 über den Widerstand R5
n.it der positiven Eingangsklemme verbunden sind. Die zweite Konstantstromquelle besteht aus der an der
Eingangsspanming Ue liegenden Reihenschaltung des
Widerstandes Z? 10, der Kollektor-Emitter-Strecke des
npn-Transistors TA und des Emitterwiderstandes RW. Der Verbindungspunkt von Widerstand RIO und
Transistor TA ist mit der Basis des Transistors Γ3 und die Basis des Transistors TA mit der positiven
Ausgangsklemme verbunden.
Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltung nach F i g. 2 wird nochmals auf die bekannte Schaltung
nach F i g. 1 eingegangen. In dieser Schaltung entnehmen der Spannungsverstärkertransistor TI den
Kollektorstrom Zc2 und der Emitterfolger bzw. Stelltransistor
7Ί den Basisstrom Zs1 über den Arbeitswiderstand
R'i aus der ungesiebten Eingungsspannung Ue- Alle Änderungen von Ue bewirken eine entsprechende
Änderung des Kollektorstromes Zc2 und
somit auch eine Änderung der Bais-Emitter-Spannung Übe* des Transistors Tl. Dadurch wiederum ändert
sich das Refrenzpoteniial Ur(s — Ube2 r U7. der
Schaltung, wodurch die Ausgangsspannung UA entsprechend
dem Übersetzungsverhältnis des Gegenkopplungsteih-rs
Ri, Rl schwankt.
Ersetzt man den Arbeitswiderstand des Transistors Tl durch den mit eingeprägtem Emitterstrom als
Konstantstromquelle arbeitenden pnp-Transistor 7*3 (F i g. 2), so erhält man einen sehr großen differentiellen
Arbeitswiderstand. Dadurch steigt die offene Spannungsverstärkung des Regelverstärkers Tl, Tl
beträchtlich, und der Innenwiderstand Rt der Regelschaltung
nimmt bei geschlossener Schleife entsprechen.-ab.
Infolge der hohen Impedanz am Punkt K reicht im allgemeinen die Kollektor-Basis-Kapazität des Spannungsverstärkertransistors
Tl (Miller-Kapazität) zur Phasenkoirmensation der geschlossenen Regelschleife
aus. Die Größe des Konstantstromes Zk3 ist direkt
von der Basis-Referenzspannung J Us abhängig. Deswegen wird in Λ10 ein zweiter Strom Im eingeprägt,
der einen konstanten Spannungsabfall Δ Us zur Folge hat. Der Konstantstrom Im wird von dem npn-Transistor
TA geliefert, der als Basis-Referenzspannung die geregelte Ausgangsspannung Ua benutzt. Durch
diese Maßnahme wird der Konstantstrom Im und damit auch Zr3 durch die geregelte Ausgangsspannung
Ua selbst stabilisiert. Die Ausgangsspannung Ua wird
durch die hohen Impedanzen der Kollektoren von 7Ί (Zci), T3 (Zk3) und TA (Im) von der ungesiebten Eingangsspannung
Ue dynamisch isoliert, wodurch die Rückwirkung aller Schwankungen der Eingangsspannung kleiner als 10~4 wird.
Die Kaskadenschaltung der zwei komplementären Stromquellen ermöglicht auf einfache Weise eine
elektronische überlastabschaltung. Eine solche elektronische
Sicherung entsteht durch Einfügen eines Meßwiderstandes R6 in die Kollektorzuleitung von Tl
und ein^r Koppeldiode Dl zum Emitter von T3. Sobald
der Kollektor.;':rom von Tl in Λ6 einen Spannungsabfall
Δ Umi =■■ Δ Um2 + Übe hervorruft, fließt
über die nun leitend werdende Diode Dl ein Teil des Emitterstromes Z^3 (;inmit auch des Kollektorstromes
IK3) in den Kollektor von Tl ab. Mit weiter zunehmendem
Kollektorstrom Zc1 wird schließlich immer
mehr Emitterstrom Ie3 über die Koppeldiode Dl abgeleitet.
Dadurch erhält Tl keinen Kollektorstrom mehr, die Ausgangsspannung Ua sinkt ab, der Konstantstrom
Im wird geringer, AUs wird geringer und
Γ3 in zunehmendem Maße gesperrt. Da der Stelltransistor
Π keinen Basisstrom mehr erhält, ist eier
Längszweig der Schaltung gesperrt, und die Ausgangsspannung Ua wird gleich Null. Dann sind aucn
die Transistoren Tl und TA gesperrt. Die Schaltung bleibt auch bei Wegnahme der Last
ίο oder des Kurzschlusses gesperrt und muß mittels
der Starttaste 51 wieder eingeschaltet werden. Dabei fließt über die Widerstände Λ10 und R9 der SlarlstromAs,
der an AlO einen Spannungsabfall A Us
hervorruft, der etwa dem zweifachen Wert der
Schwellenspannung der Emitter-Kollektor-Diode des
Transistors T3 entspricht. Da im gesperrten Zustanu Δ Um2. gleich Null ist, fließt "<in im Transistor / <
Basisstrom und somit auch k.'llektorstrom Ik3- *''
das Potential am Punkt K sofort anhebt, die Ai^-
gangsspannung Ua steigt mit, es fließt Konstantstem
IKi, und der Spannungsabfall AUs wird größer. Da
dur-h schaukelt sich die Ausgangsspannung Ua bi
zum stationären Wert auf. Beim Anlegen der Eingangspannung Ub an die Schaltung, d. h. bei lnbetrieb-
nähme, ergibt sich der gleiche Einschaltvorgang.
In F i g. 3 ist die gleiche Regehinrichtung mit eine; abgewandelten Form der elektronischen Überlastabschaltung
dargestellt. Wie in der Schaltung nach Fig. 2 führt auch bei dieser Schaltung ein Kurz
schluß zur totalen Sperrung aller Transistoren. Durch
Hinzufügendes Widerstandes «3 (F i g. 3) wird jedoch
erreicht, daß die Regelschaltung automatisch bei Inbetriebnahme oder Aufhebung des Kurzschlusses
wieder anspringt. Über die Widerstände R6, Z?3, R~!
und RS fließt bei noch gesperrter Schaltung ein Strom ht, der an der Reihenschaltung von RT, K8
einen Spannungsabfall Ua hervorruft, der größe;
ist als der zweifache Wert der Schwellenspannung der Emitter-Basis-Diode des Transistors TA. Dadurch
erhält der Transistor TA Basisstrom. Nacheinander fließen dann die Kollektorströme Zk4 und IKa- Sodann
steigt die Ausgangsspannung Ua und die gesamte Schaltung schaukelt sich bis zum stationären Zustand
auf. Der Einfluß des über die Widerstände Λ 6 und R3
aus der ungesiebten Eingangsspannung Ue in den
Ausgang fließenden Stromes Ist ist wegen des niedrigen
dynamischen Innenwiderstandes der Regelschaltung gering.
Tm Gegensatz zn den beiden vorangehenden Schal-
tungen nach Fig. 2 und 3 zeigt die Schaltung nach Fig. 4 bei Überlast ein Konstantstromveriialten. Bei
Inbetriebnahme springt die Regeleinrichtung auch unter Normallast automatisch an. Diese Eigenschaften
weiüsn Uu.w. iis aus den Dioden D3 bis D6 und den
Widerstand /ilA bestehende Netzwerk erzielt.
Sobald die Eingangsspannung Ue an die Schaltung
angelegt wird, fließt über die Dioden Dft, DS, D-i
und den Widerstand Λ14 ein Strom Is, der an dei
Dioden ZJ4.D5, D6den Spannungsabfall Wn: 3 Um
(Übe = Schwllenspannung einer Diode in Durchlaß
richtung) erzeugt, der wegen des geringen dynamische! Widerstandes der in Flußrichtung gepolten Dioden ;il
Spannungsquelle betrachtet werden kann. Da im ge sperrten Schaltüngszustand die Ströme Im lind !>t
gleich Null sind, wird die Diode Z>3 leitend, a Widerstand R10 entsteht der Spannungsabfall
AUs = AUd- AUr = 3 Übe - Uhb = 2 UIIE,
und es fließt Basisstrom im Transistor 7*3. Dadurch wiederum steigt der Kollcktorstrom Ik3, der das
Potential des Punktes K hochzieht und die Basis des Transistors 7*1 ansteuert. Der Kollektorstrom Ic\ und
die Ausgangsspannung Ua steigen an, der Transistor TA wird leitend und nimmt den Kollektorstrom Ικ.\
auf. Der Spannungsabfall A Us wird durch den zusätzlicnen Strom größer, der Strom Ik3 steigt weiter an,
und die Ausgangsspannung U,\ erreicht ihren stationären Wert. Dabei wird die SpannungAUs größer
als die Spannung A Un- Infolgedessen sperrt die Diode
D3 und entkoppelt somit den geregelten Punkt C vom ungeregelten Punkt B. Bei Überlast verhält sich diese
Schaltung genauso wie die Schaltung nach F i g. 2. Jedoch von dem Zeitpunkt an, in dem der Kollcktorstrom
im Transistor Tl (durch das Absinken von Ua und der damit verbundenen Sperrung der Basis-Emitlcr-Streckc
von Tl) gleich Null wird, nehmen die Ströme Ik* und Ik3 nur bis auf den Wert ab, der
durch die nun leitend werdende Diode £>3 bestimmt wird. Die Spannung AUs kann nur bis auf den Wert
2 Uns absinken. Dadurch ist am Punkt C eine feste,
jedoch um etwa 50°/0 geringere Basis-Rcfercnz-Spannung A Us als im Normalbctricb gegeben. Da der
Spannungsabfall AUm1 durch die nun geschlossene Regelstrecke Γ3, Dl und Tl gleich AUs ■■=■- 2 U/ih
gehalten wird, sinkt der Kollcktorstrom Ia auf etwa 50°/0 des Abschaltstromes und bleibt konstant auf
diesem Wert, selbst wenn die Ausgangsspannung Ua = 0 wird. Bei Aufhebung des Kurzschlusses kehrt
die Schaltung, wie anfangs beschrieben, in den stationären Zustand zurück.
Für besondere Anwendungsfälle kann die in F i g. 4 dargestellte Schaltung abgewandelt werden. Bei besonders
kleinen Überlastgrenzströmen, die in die Größenordnung von /^3 kommen, empfiehlt sich die
Verwendung eines zusätzlichen pnp-Transistors 7*5 an Stelle der Koppcldiode Dl (F i g. 5). Dadurch wird
der notwendige Steuerstrom für die Abschaltung um die Stromverstärkung B des Transistors 7*5 verringert.
Für hohe Ausgangsströme läßt sich die Regeleinrichtung durcheine Kaskadenschaltung von Emitlcrfolgcrn
erweitern. In F i g. 6 ist eine Ausführung mit einem zusätzlichen Transistor 7'6 gezeigt. Der Widerstand
Λ15 dient zur Ableitung eventueller Kollcktor-Basis-Rcstströmc
des Transistors 7*1, kann jedoch bei guten Silizium-Transistoren meistens entfallen.
Soll die Regeleinrichtung integriert werden, so verwendet man aus Kostengründen allgemein laterale
pnp-Transistoren. Die geringe Stromverstärkung (B ^ I bis 5) dieser Transistoren kann man mittels
eines zusätzlichen npn-Emitterfolgers ausgleichen. Ein
Beispiel dafür ist in F i g. 7 mit dem lateralen pnp-Transistor 7*3 und dem zusätzlichen Transistor Tb
dargestellt.
In F i g. 8 ist eine Regeleinrichtung für eine geregelte Ausgangsspannung von 24 V mit Bemessungsangaben
für die wichtigsten Bauteile wiedergegeben. Im Hinblick auf eine gute Temperaturstabilität der Ausgangsspannung
wurde eine zusätzliche Diode Dl in Scr τ mit der Z-Piode Dl geschaltet. Die Z-Diode D\ luii
eine Durchbruchspannung von 7,2 V, so daß sicli Ί.·.·
negativen Temperaturkoeffizienten der in Flußrichiun.:
betriebenen Diode Dl und der Basis-Emittcr-Strcckc
von 7*2 mit dem positiven TcmpenUurkoeffizicnu·'
der Z-Diode Di kompensieren.
Weiterhin ist durch den Einstell widerstand / !ι
die Möglichkeit gegeben, Toleranzen der Z-Diodi /.'!
auszugleichen.
Für negative Eingangs- und Ausgangsspannur.iverzielt
man äquivalente Schaltungseigenschaften di · sinngemäßes Vertauschen der Leitfähigkeitstypen 1<
Transistoren und Umpolen der Dioden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1 transistors, dessen Arbeitswiderstand transistorisiert
Patentansprüche: jst . . mehreren
1. Serienregeleinrichtung hoher Rückwirkungs- Serie^regelschdtungen Beispiel ist in F i g. 1 eine
freiheit zur Erzeugung einer stabilisierten deich- Xa"a"ten c Λ,, ' " dargestellt, die im wesentlicher,
spannung unter Verwendung eines SteUtransistors S einfache bcha"u\ä * vejg liegenden Leistungsund
eines Spannungsverstärkertransistors, dessen aus einem . -, · nstromregelstrecke, einem Tran ·
Arbeitswiderstand transistorisiert ist, dadurch transistor l\ a's sverstärker mit Außenwidergekennzeichnet,
daß in den Kollektor- sisto.r ^ ^A"" Referenzdiode D1 besteht. Der
Stromkreis des Spannungsverstärkertransistors (Γ2) stand A3 una emc Spannungsteiler Al, Rl
der Ausgang einer aus zwei Konstantstromquellen io Transistor li Γι"' pannung Ua ab, vergleicht
bestehenden, von zwei Transistoren (Γ3, T4) ent- einen Teil der.Ausgag £ ^ ^ OiodeDl unc
gegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildeten Kas- sie mit der Ketrenap ^ ®eltransistor Tl wirk,
kadenschaltung eingeschaltet ist, deren Eingang ve, stärkt die U ere wid tan(L der die Differer-(Basis
des Transistors Γ4) an der geregelten Aus- als verändern^ er Ausgangsspannung Ua unu
stets? ttää^ %
2. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 1, da- die Regeleigei scna.^ ^ ^^ ^ ohmsch.. ,
durch gekennzeichnet, daß die als Arbeitswider- bessern, ist es .u.ui ^- Emitter.Kollektor-Streeke
stand des Spannungsverstärkertransistors (Γ2) wir- Außemv.dersu^., >
£nTiischal,en (S. W. W a g η c r.
kende Konstantstromquelle (Transistor Γ3) vom ao eines Irans:-..>s , , , onjscher Schaltungen uni
Spannungsabfall am Arbeitswiderstand (R 10) der »Stromve-^guns, γ >
Bild 7 2/25 und 2(-zweiten
Konstantstromquelle (Transistor Γ4) ge- Geräte«. ..ambur^l· *.·■ -^ zugninde>
eji._,
steuert ist· ,, , ®"u κ7vg ··^verbesserte Regelschaltung an
3. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 1 da- einfache, aber ν ;- Regelbereich Schwandurch
gekennzeichnet, daß die Kaskadenschaltung a5 zugeben, die iii <.-■ /^n einschließlich der
der beiden Konstantstromquellen bildenden korn- klingen der '-ΙΓ1'^;'Α, .s|nderungen ausregelt,
plementären Transistoren (73, 74) in Verbmdung Brummspannui^ ; uHkb^tung,^J 8 rn,ich ^
mit einem Meßwiderstand (R6) im Längszwe.g der ?emaß der hr ..J ·.·, ^rü α sverstärker.
Serienregeleinrichtung eine elektron.sche Übe.last- m den Kollekt r..i. ; ikre.s α ί Ko°stantstruin.
abschaltung bildet. 3o transistors der An .....ig ein r au^ entseßen-
4. Serienregeleinrichtung nach Anspruch 3, da- quellen bestehen.ien ν on zwei J^'^^g^
durch gekennzeichnet, daß der Spannungsabfall gesetzten Le.tfah.gke, styps g
am Meßwiderstand (Λ6) über eine Diode (Dl) in schaltung eingeschaltet ist ^^
den Steuerkreis des Transistors (Γ3) der ersten geregelten Ausgangssp.innung der
den Steuerkreis ds () gg
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681763015 DE1763015B2 (de) | 1968-03-22 | 1968-03-22 | Serienregeleinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DE19681763015 DE1763015B2 (de) | 1968-03-22 | 1968-03-22 | Serienregeleinrichtung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1763015A1 DE1763015A1 (de) | 1970-04-23 |
| DE1763015B2 DE1763015B2 (de) | 1972-07-27 |
| DE1763015C true DE1763015C (de) | 1973-02-22 |
Family
ID=5697326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE19681763015 Granted DE1763015B2 (de) | 1968-03-22 | 1968-03-22 | Serienregeleinrichtung |
Country Status (1)
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-
1968
- 1968-03-22 DE DE19681763015 patent/DE1763015B2/de active Granted
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