DE1762809C3

DE1762809C3 - Logic circuit switching with constant current

Info

Publication number: DE1762809C3
Application number: DE19681762809
Authority: DE
Inventors: Koji Tokio Kodama
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1968-08-30
Filing date: 1968-08-30
Publication date: 1980-06-12
Also published as: DE1762809A1; DE1762809B2

Description

Vorspannungskreis mindestens eine Diode (44; 52, 53, 54; 63) parallel zu zwei in Reihe geschalteten Widerständen (39,40; 47,48; 57,58) bzw. eine Diode (127; 132) parallel zu zwei in Reihe geschalteten Widerständen (122, 123; 136, 137) mit mindestens einer in Reihe liegenden zusätzlichen Diode (121; 130,131) angeordnet ist.Bias circuit at least one diode (44; 52, 53, 54; 63) in parallel with two connected in series Resistors (39.40; 47.48; 57.58) or a diode (127; 132) in parallel with two series-connected resistors (122, 123; 136, 137) with at least an additional diode (121; 130, 131) lying in series is arranged.

2. Logikschaltung na^h Anspruch !, dadurch gekennzeichnet, daß die im zweiten Vorspannungskreis enthaltenen Dioden (44; 52,53,54;63; 121,127; 130, 131, 132) aus durch Basis- und Kollektor-Elektroden verbundenen Transistoren mit denselben Eigenschaften wie die ersten bis dritten Transistoren (28,23,27; 111,107,109) bestenen.2. Logic circuit na ^ h claim!, Thereby characterized in that the diodes (44; 52,53,54; 63; 121,127; 130, 131, 132) of transistors connected to the same by base and collector electrodes Properties like the first to third transistors (28,23,27; 111,107,109) are best.

Die hier vorliegende Erfindung geht aus von einer Logikschaltung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The present invention is based on a logic circuit according to the preamble of the patent claim 1.

Für Elektronenrechner sind schon eine große Anzahl von Logikschaltungen vorgeschlagen worden. Unter ihnen hat eine stromschaltende Logikschaltung als eine Ausführung, welche für sehr schnelle Datenverarbeitung Verwendung finden kann, viel Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Bei dieser stromschaltenden Logikschaltung wird die Datenverarbeitung oder der Logikvorgang dadurch bewerkstelligt, daß ein Transistor, dem ein bestimmter Schwellwert zugeordnet ist, auf einen Transistor ein aus den Ziffern »1« und »0« bestehendes Eingangs-Binärsignal schaltet, und zwar derart, daß die Ansprech- oder Schaltgeschwindigkeit sehr groß wird.A large number of logic circuits have been proposed for electronic computers. Under them has a current-switching logic circuit as a version, which for very fast data processing Use can get a lot of attention. With this current switching logic circuit the data processing or the logic operation is accomplished in that a transistor, the a certain threshold value is assigned, a transistor consisting of the digits »1« and »0« The input binary signal switches in such a way that the response or switching speed is very high.

Als ein Ergebnis jüngster Entwicklungen eines integrierten Stromkreises oder einer integrierten Schaltung hat sich, auf den Elektronenrechner bezogen, immer mehr die Forderung nach einer Logikschaltung mit kompakteren Abmessungen und weit schnelleren Schaltgeschwindigkeiten herauskristallisiert. In diesem Zusammenhang ist mit dem US-Patent 32 59 761 eine stromschaltende Logikschaltung, welche in eine integrierte Schaltung verwandelt worden ist, beschrieben worden. Mit diesem Patent wird ein Verfahren beschrieben, welches eine Verringerung des Stromverbrauchs und Ausgleich von Temperaturschwankungen zuläßt, desgleichen auch Schwankungen in der Anschlußspannung, was zu Problemen bei der Umwandlung der Logikschaltung in eine integrierte Schaltung führen wird.As a result of recent developments in an integrated circuit or integrated circuit In relation to the electronic computer, circuitry has increasingly demanded a logic circuit crystallized with more compact dimensions and far faster switching speeds. In this Connection is with the US Pat. No. 3,259,761 a current switching logic circuit, which is integrated into an Circuit has been transformed, has been described. With this patent a process described, which reduces power consumption and compensates for temperature fluctuations allows, as well as fluctuations in the connection voltage, which leads to problems in the conversion the logic circuit will result in an integrated circuit.

Weil jedoch der Ausgleich von Schwankungen in der Anschlußspannung und in der Temperatur unausweichlich direkt mit einer zuverlässigen Datenverarbeitung oder Logikverarbeitung in Zusammenhang steht, wird ίο die Regelung oder die Kontrolle bzw. die Überwachung dieser Schwankungen sehr wichtigt werden. Das aber bedeutet, daß, wenn eine Datenverarbeitung oder Logikverarbeitung unabhängig von der Spannung und der Temperatur durchgeführt werden könnte, es möglich wäre, eine aus einer Logikschaltung abgewandelte integrierte Schaltung in einem Elektronenrechner zu verwenden, und dies mit viel größerer Zuverlässigkeit However, because the compensation of fluctuations in the connection voltage and in the temperature is inevitable is directly related to reliable data processing or logic processing ίο regulation or control or supervision these fluctuations are very important. But that means that if a data processing or Logic processing regardless of the voltage and temperature could be done there an integrated circuit modified from a logic circuit in an electronic computer would be possible to use, and with much greater reliability

Andererseits aber müssen da, wo Transistoren und Widerstände bei der Umwandlung einer Logikschaltung in eine integrierte Schaltung auf einer Platte angeordnet werden, verschiedene Konstruktionsbedingungen berücksichtigt werden. Ist aber eine Logikschaltung beispielsweise unter Verwendung von Transistoren der gleichen Type als Funktionselemente hergestellt worden, dann kann er in einer bemerkenswert leichten Weise zu einer integrierten Schaltung umgeformt oder umgearbeitet werden. Wenn es auch schwer sein wird, eine derart hohe Präzisionsfertigung der zu einer j» integrierten Schaltung gehörenden einzelnen Widerstände zu fordern, daß eine perfekte Übereinstimmung in den absoluten Widerstandswerten dieser Widerstände gewährleistet ist, so kann möglicherweise doch ein auf diese Übereinstimmung bezogener spürbarer Grad r> einer relativen Präzision erwartet werden. Um es mit anderen Worten zu sagen: Bei den gleichen gegebenen Widerstandswerten brauchen nur Widerstände der gleichen Abmessung und Größe auf dem gleichen Plättchen angeordnet zu werden.On the other hand, there must be transistors and resistors when converting a logic circuit are arranged in an integrated circuit on a board, various design conditions are taken into account will. But is a logic circuit, for example using transistors same type as functional elements, then it can be made in a remarkably light weight Way to be reshaped or remodeled into an integrated circuit. Even if it will be difficult Such a high level of precision manufacturing of the individual resistors belonging to an integrated circuit to require that a perfect match in the absolute resistance values of these resistors is guaranteed, a noticeable degree related to this agreement can possibly r> a relative precision can be expected. In other words, given the same Resistance values just need resistors of the same dimension and size on the same Platelets to be arranged.

Die hier vorliegende Erfindung zielt deshalb darauf ab, die bekannte stromschaltende Logikschaltung zu verbessern, so daß die integrierte Schaltung in der Lage ist, die Schwankungen in der Anschlußspannung und in der Temperatur weitgehend zu kompensieren oder 4-, auszugleichen. Die Lösung ergibt sich aus den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs 1.The present invention therefore aims to provide the known current switching logic circuit improve so that the integrated circuit is able to handle the fluctuations in the terminal voltage and in to largely compensate or compensate for the temperature. The solution arises from the Features of the characterizing part of claim 1.

Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß eine zuverlässige Datenverarbeitung oder Logikverarbei-Ki tung gewährleistet wird, indem ein Schwellwert eingestellt wird, der gegenüber den Schwankungen in der Anschlußspannung und in der Temperatur immer stabil ist.The invention has the advantage that reliable data processing or logic processing Ki processing is guaranteed by setting a threshold value that is set against the fluctuations in the connection voltage and the temperature is always stable.

Die hier vorliegende Erfindung wird an Hand von τ, Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigtThe present invention is explained in more detail with reference to τ, exemplary embodiments. It shows

Fig. 1 einen Stromlaufplan für eine stromschaltende Logikschaltung eines ersten Ausführungsbeispiels,1 shows a circuit diagram for a current-switching logic circuit of a first exemplary embodiment,

F i g. 2 einen Stromlaufplan für eine stromschaltende Logikschaltung einer anderen Ausführung des Erfin-Mi dungsgegenstandes,F i g. 2 shows a circuit diagram for a current-switching logic circuit of another embodiment of the Erfin-Mi subject matter,

Fig. 3 eine schematische Darstellung einer verwendeten Diodenkonstruktion,Fig. 3 is a schematic representation of a used Diode construction,

Fig. 4a, 4b und 4c geben jeweils die Konstruktion eines Steuerkreises wieder, dabei zeigen 4a und 4b h-i Steuerkreise, welche zu Fig. I gehören und 4c einen Steuerkreis, welcher F i g. 2 zugeordnet ist,4a, 4b and 4c each show the construction of a control circuit, 4a and 4b show h-i control circuits belonging to FIG. I and 4c one Control circuit, which F i g. 2 is assigned,

F i g. 5 eine Darstellung des Spannungsiibcrsetzungsverhältnisses in Kennlinienform. Dies Verhältnis für denF i g. 5 shows the voltage transformation ratio in the form of a characteristic. This ratio for the

Fall, daß ein konventioneller Steuerkreis verwendet wird. Zu erkennen sind bemerkenswerte Schwankungen im Schwellwert gegenüber den Schwankungen in der Anschlußspannung;Case that a conventional control circuit is used. Remarkable fluctuations can be seen in the threshold value compared to the fluctuations in the connection voltage;

F i g. 6 Kennlinien der Eingangseigenschaften und der Ausgangseigenschaften bei einer Logikschaltung gemäß F i g. 2. Diese Kennlinien geben zu erkennen, daß der Schwellwert gegenüber den Schwankungen in der Anschlußspannung keine wesentlichen Schwankungen aufweistF i g. 6 characteristic curves of the input properties and the output properties in a logic circuit according to FIG. 2. These characteristic curves show that the threshold value does not show any significant fluctuations compared to the fluctuations in the connection voltage

Mit F i g. 1 wird die Konstruktion einer in den Rahmen der hier vorliegenden Erfindung fallenden und in eine integrierte Schaltung umgewandelte Logikschaltung wiedergegeben. Die Eingangsstufe besteht aus den Transistoren 20,21,22 und 23, wobei die Kollektorelektroden und die Emitterelektroden eines jeden dieser Transistoren miteinander verbunden sind. Die Kollektorelektroden sind gemeinsam über einen Widerstand 24 mit einem Leiter 26 verbunden, welche^ seinerseits wiederum an Erde 25 liegt. Die Emitterelektrode eines als Spannungsvergleicher verwendeten Transistors 27 — dieser Transistor hat seine eigene Spannung mit jener der vorerwähnten Transistoren 20, 21, 22 und 23, diese Transistoren als Gruppe, zu vergleichen — ist, wie auch die Emitterelektroden jener Transistoren 20,21,22 und 23, mit der Kollektorelektrode eines Transistors 28 verbunden. Die Emitterelektrode des Transistors 28 wiederum ist über einen Widerstand 29 auf einen Leiter 31 geschaltet, welcher seinerseits wiederum mit der negativen Klemme einer Gleichspannungsquelle 30 in Verbindung steht. Die positive Seite der Spannungszuführung ist über Erdungspotential 25 geerdet. Die Kollektorelektrode des als Spannungsvergleicher arbeitenden Transistors 27 ist über einen Widerstand 32 auf einen Leiter 26 geschaltet.With F i g. 1 illustrates the construction of a device falling within the scope of the present invention and reproduced logic circuit converted into an integrated circuit. The entry level consists of the Transistors 20,21,22 and 23, the collector electrodes and the emitter electrodes of each of these Transistors are connected together. The collector electrodes are common across a resistor 24 connected to a conductor 26, which in turn is connected to earth 25. The emitter electrode of a transistor 27 used as a voltage comparator - this transistor has its own voltage that of the aforementioned transistors 20, 21, 22 and 23, these transistors as a group, to be compared - is how also the emitter electrodes of those transistors 20,21,22 and 23, connected to the collector electrode of a transistor 28. The emitter electrode of transistor 28 in turn is connected via a resistor 29 to a conductor 31, which in turn is connected to the negative terminal of a DC voltage source 30 is connected. The positive side of the voltage supply is grounded via ground potential 25. The collector electrode of the working as a voltage comparator Transistor 27 is connected to a conductor 26 via a resistor 32.

Auf der anderen Seite besteht ein der Koordinierung der Eingangsspannungen und der Ausgangsspannungen dienender Verstärker in Kollektorbasisschallung aus den Transistoren 33 und 34. Die Basiselektrode des Transistors 33 ist auf die Kollektorelektrode des Transistors 27 geschaltet. Die Kolieklorelektrode des Transistors 33 ist mit dem Leiter 26 verbunden und dessen Emitterelektrode über einen Widerstand 35 mit einem Leiter 31, so daß ein Ausgangssignal 36 an der Emitterelektrode 33 erhalten wird. Die Basiselektrode des Transistors 34 ist auf die Kollektorelektroden der bereits genannten Transistoren 20, 21, 22 und 23 geschaltet. Die Kollektorelektrode des Transisotrs 34 ist mit dem Leiter 26 verbunden, während seine Emitterelektrode über einen Widerstand 37 mit dem Leiter 31 in Verbindung steht und von der Emitterelektrode des Transistors 34 ein Ausgangssignal 38 abgenommen werden kann.On the other hand, there is the coordination of the input voltages and the output voltages Serving amplifier in collector base sound from the transistors 33 and 34. The base electrode of the The transistor 33 is connected to the collector electrode of the transistor 27. The Kolieklorelectrode des Transistor 33 is connected to conductor 26 and its emitter electrode via a resistor 35 a conductor 31 so that an output signal 36 at the emitter electrode 33 is obtained. The base electrode of transistor 34 is on the collector electrodes of the aforementioned transistors 20, 21, 22 and 23 switched. The collector electrode of the transistor 34 is connected to the conductor 26, while its emitter electrode is connected via a resistor 37 to the conductor 31 and from the emitter electrode of the Transistor 34, an output signal 38 can be picked up.

Nachstehend soll nun die Schaltweise einei in der vorerwähnten Weise konstruierten stromschaltenden Logikschaltung beschrieben werden. Es sei angenommen, daß die Basiselektroden der Transistoren 20,21,22 und 23, welche eine Eingangsstufe bilden, jeweils die Eingangsgrößen A\, A₂, Ai und A4 aufgeschaltet erhalten; es sei angenommen, daß an der Basiselektrode des Transistors 27 eine Vcivuniiiing in der Höhe des Schwellwertes liegt und der Transistor 27 als Eingangsbedingung leitend ist. Wenn zumindest eine der Eingangsspannungen A\, A;, A\ und As, einen »hohen Wert« erreicht, dann wird der Transistor 27 nichtleitend, wobei dann der gemeinsame Emitterstrom, welcher bis dahin durch die Widerstände 12 und 29 geflossen ist, in der erwähnten Reihenfolge durch die Widerstände 24 und 29 fließt Ist von dem Ausgang die Rede, dann fällt der Ausgang 36 auf einen »geringen Wert« ab, wenn der Transistor 27 leitet, während andererseits der Ausgang 38 auf einen »hohen Wert« ansteigt, weil es im Widerstand 24 nicht zu einem Spannungsabfall kommt Wird auf der anderen Seite aber der Transistor 27 nichtleitend, dann kommt es im Widerstand 32 zu keinem Spannungsabfall, so daß der Ausgang 36 auf einen »hohen Wert« ansteigt während der Ausgang 38 auf einen »geringen Wert« abfällt.The circuitry of a current-switching logic circuit constructed in the aforementioned manner will now be described below. It is assumed that the base electrodes of the transistors 20, 21, 22 and 23, which form an input stage, receive the input variables A 1, A ₂ , A 1 and A4 switched on; It is assumed that there is a voltage at the base electrode of transistor 27 at the level of the threshold value and that transistor 27 is conductive as an input condition. If at least one of the input voltages A \, A ;, A \ and As, reaches a "high value", then the transistor 27 becomes non-conductive, in which case the common emitter current that has flowed through the resistors 12 and 29 up to that point is in the mentioned sequence through the resistors 24 and 29 flows. If the output is mentioned, then the output 36 drops to a "low value" when the transistor 27 conducts, while on the other hand the output 38 rises to a "high value" because it There is no voltage drop in resistor 24 If, on the other hand, transistor 27 becomes non-conductive, then there is no voltage drop in resistor 32, so that output 36 rises to a "high value" while output 38 rises to a "low value" «Falls away.

Die zuvor erwähnten Schaltvorgänge können auch durch die nachstehend gegebenen Logikgleichungen wiedergegeben werden:The aforementioned switching operations can also be carried out by the logic equations given below be reproduced:

Wird der Ausgang 36 durch Xo wiedergegeben, dann ist:If the output 36 is represented by Xo, then is:

Oder-(OR)-Schaltung:Or (OR) circuit:

XoXo

+ A₂ + A₄ ++ A ₂ + A ₄ +

Wird der Ausgang 38 durch Xn wiedergegeben, dann ist: If output 38 is represented by Xn , then :

Nicht-Oder-iNORJ-Schaltung:Not-or-iNORJ circuit:

X_n = A\ + A₂ + A) + A₄ = X₀. X _n = A \ + A ₂ + A) + A ₄ = X ₀ .

Nun soll der Steuerkreis beschrieben werden, welcher auf die Basiselektrode des als Spannungsvergleichers verwendeten Transistors 27 eine Schwellwertspannung schaltet und auf die Basiselektrode des Transistors 28, der eine Konstantstromquelle bildet, eine Vorspannung oder Steuerspannung. Eine zwischen den Leitern 26 und 31 aufgedrückte Anschlußspannung oder Netzspannung wird von den in Reihe geschalteten Wider ständen 39,40 und 41 sowie von den Dioden 42 und 43 aufgenommen. Zu den Widerständen 39 und 40 ist eine Diode 44 parallelgeschaltet, und der Knotenpunkt zwischen den Widerständen 39 und 40 ist mit der Basiselektrode eines Transistors 45 verbunden. Die Kollektorelektrode des Transistors 45 ist auf den Leiter 26 geschaltet, während dessen Emitterelektrode zur Bildung eines Verstärkers in Kollektorbasisschaltung über einen Widerstand 46 mit dem Leiter 31 verbunden ist. Die Emitterelektrode des Transistors 45 ist auf die Basiselektrode eines als Spannungsvergleicher verwendeten Transistors 27 geschaltet, und zwar derart, daß die zuvor erwähnte Basiselektrode eine Steuerspannung oder Vorspannung in Höhe des Schwellwertes aufgeschaltet erhält. Der zwischen dem Widerstand 41 und der Diode 42 liegende Knotenpunkt ist mit der Basiselektrode des eine Konstantstromquelle bildenden Transistors 28 verbunden, und zwar derart, daß diese zuvor erwähnte Basiselektrode eine Steuerspannung oder eine Vorspannung aufgeschaltet erhält.The control circuit will now be described, which is applied to the base electrode of the as a voltage comparator used transistor 27 switches a threshold voltage and to the base electrode of transistor 28, which forms a constant current source, a bias or control voltage. One between conductors 26 and 31 imposed connection voltage or mains voltage is of the series-connected opposing stands 39.40 and 41 as well as by the diodes 42 and 43. A diode 44 is connected to the resistors 39 and 40 connected in parallel, and the junction between resistors 39 and 40 is one with the base electrode Transistor 45 connected. The collector electrode of transistor 45 is connected to conductor 26 while its emitter electrode to form an amplifier in a collector base circuit via a resistor 46 is connected to the conductor 31. The emitter electrode of the transistor 45 is connected to the base electrode of a Voltage comparator used transistor 27 switched, in such a way that the aforementioned Base electrode receives a control voltage or bias voltage in the amount of the threshold value. Of the between the resistor 41 and the diode 42 lying node is with the base electrode of the one Constant current source forming transistor 28 connected, in such a way that this previously mentioned Base electrode receives a control voltage or a bias voltage.

Die vorerwähnten Dioden 42, 43 und 44 kommen ^λ jeweils dadurch zustande, daß die Basiselektroden und die Kollektorelektroden von Transistoren, welche die gleichen elektrischen Eigenschaften wie die im Rahmen der hier vorliegenden Erfindung und mit Fig.3 gezeigten Transistoren haben, miteinander verbunden werden. Die zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode des hier verwendeten Transistors aufgedrückte Normalspannung wird mit dem Formelzeichen Vbe gekennzeichnet. Es sei nun angenommen, daß die Widerstände 39 und 40 die gleichen Widerstandswerte aufweisen, wobei diese Widerstände in Parallelschaltung gegenüber dem wirksamen Widerstand der Diode 44 einen genügend großen Gesamtwiderstand haben, so daß der wirksame Widerstand dieser Diode vernachlässigt werden kann. Daraus folgt dann, daß an der Basiselektrode des Transistors 45 ein Potential vonThe aforementioned diodes 42, 43 and 44 come ^{about λ} in that the base electrodes and the collector electrodes of transistors, which have the same electrical properties as the transistors shown in the present invention and shown in FIG. 3, are connected to one another. The normal voltage impressed between the base electrode and the emitter electrode of the transistor used here is identified by the symbol Vbe . It is now assumed that the resistors 39 and 40 have the same resistance values, these resistors connected in parallel having a sufficiently large total resistance with respect to the effective resistance of the diode 44, so that the effective resistance of this diode can be neglected. It then follows that at the base electrode of the transistor 45, a potential of

— ■γ Vbe ansteht und daß der Schwellwert an der Emitterelektrode des Transistors 45 — y Vbe beträgt. - ■ γ Vbe is present and that the threshold value at the emitter electrode of the transistor 45 is -y Vbe .

Auf der anderen Seite wird bei der Aufschaltung einer negativen Spannung V_Ee aus der Gleichspannungsquelle 30 der Spannungswert an den Dioden 42 und 43 gleich V_EE + 2 V_BE. Dieses Potential wird als Steuerspannung oder als Vorspannung auf die Basiselektrode des Transistors 28 geschaltet. Damit aber liegt der Widerstand 29 an einer Spannung Vbe, so daß der durch diesen Widerstand 29 fließende gemeinsame Emitterstrom von den Schwankungen in der Anschlußspannung oder in der Neztspannung unabhängig ist Das aber bedeutet, daß der durch die Widerstände 24 oder 32 fließende und die Schallung herbeiführende Strom dann gleich dem gemeinsamen Emitterstrom wird, wenn für den im Rahmen der hier vorliegenden Erfindung verwendeten Transistor eine genügend groß* Verstärkung zugestanden wird, so daß der Ausgang oder das Ausgangssignal von den Schwankungen in der Anschlußspannung oder in der Netzspannung nicht beeinflußt wird. Auch durch Temperaturänderungen verursachte Schwankungen im Arbeiten des Transistors 28 werden von den Dioden 42 und 43 kompensiert oder ausgeglichen werden.On the other hand, when a negative voltage V _E e is applied from the DC voltage source 30, the voltage value at the diodes 42 and 43 is equal to V _EE + 2 V _BE . This potential is switched to the base electrode of the transistor 28 as a control voltage or as a bias voltage. With this, however, the resistor 29 is at a voltage Vbe, so that the common emitter current flowing through this resistor 29 is independent of the fluctuations in the connection voltage or in the mains voltage Current then becomes equal to the common emitter current if a sufficiently large gain is allowed for the transistor used in the context of the present invention so that the output or the output signal is not influenced by the fluctuations in the connection voltage or in the mains voltage. Fluctuations in the operation of the transistor 28 caused by temperature changes are also compensated or compensated for by the diodes 42 and 43.

Wie schon zuvor beschrieben, ist der Schwellwert, der an der Basiselektrode des Transistors 27 gelegt ist,As previously described, the threshold is the is placed on the base electrode of transistor 27,

gleich einer Spannung von - y Vbe· Wenn auf der anderen Seite die den Logikeingängen »0« und »1« entsprechenden Spannungswerte auf die Werte —2 Vbe und — Vbe eingestellt werden, dann werden diese Spannungswerte unabhängig von Änderungen der Versorgungsspannung gehalten. Was die Temperaturänderungen betrifft, so sind die Schwankungen in der Diode 44 und im Transistor 45 auf jene im Transistor 27 angepaßt, so daß es möglich ist, diese Schwankungen auf der Schwellwertebene zu kompensieren oder auszugleichen. Wenn die Spannungen der Logikeingangssignale die Werte — Vbe und — 2 Vbe erhalten, wenn die Logikumschaltung auf den Wert Vbe festgelegt ist, wobei der Schwellwert einen im wesentlichen in der Mitte liegenden Punkt einnehmen kann, und wenn die Steuerkreise aus Transistoren hergestellt worden sind, 4 welche die gleichen Eigenschaften wie die Transistoren der Logikschaltung haben, dann wird eine zuverlässige Kompensation oder ein zuverlässiger Ausgleich in den Schwankungen der Anschlußspannung oder der Netzspannung und denen der Temperatur dadurch gewähr-equal to a voltage of - y Vbe · If, on the other hand, the voltage values corresponding to the logic inputs "0" and "1" are set to the values -2 Vbe and - Vbe , then these voltage values are held regardless of changes in the supply voltage. As far as the temperature changes are concerned, the fluctuations in the diode 44 and in the transistor 45 are matched to those in the transistor 27, so that it is possible to compensate for these fluctuations at the threshold level. If the voltages of the logic input signals have the values - Vbe and - 2 Vbe, if the logic switching is set to the value Vbe , whereby the threshold value can assume an essentially mid-point, and if the control circuits are made up of transistors, 4 which have the same properties as the transistors of the logic circuit, then a reliable compensation or a reliable compensation in the fluctuations of the connection voltage or the mains voltage and those of the temperature is guaranteed.

leistet sein, daß eine Schwellwertspannung von —=- Vbe makes that a threshold voltage of - = - Vbe

erreicht wird.is achieved.

Der am Ausgang 36 vorhandene Spannungswert ist gleich der Summe aus der Addition eines Spannungsabfalls von — Vbe am Transistor 33 und eines Spannungsabfalls am Widerstand 32. Der am Ausgang 38 vorhandene Spannungswert ist hingegen gleich der Summe aus der Addition eines Spannungsabfalls vonThe voltage value present at the output 36 is equal to the sum of the addition of a voltage drop of - Vbe on transistor 33 and a voltage drop at resistor 32. The voltage value present at output 38, however, is equal to that Sum of the addition of a voltage drop of

- Vß£am Transistor 34 und eines Spannungsabfalls am Widerstand 24. Werden nun die Werte für den Logikpegel »0« an den Ausgängen 36 und 38 jeweils mit den Formelzeichen V₀ und V_n gekennzeichnet, der gemeinsame Emitterstrom mit dem Formelzeichen Iro und die Widerstandswerte der Widerstände 29, 24 und 32 jeweils mit den Formelzeichen R₀, Äi und Ri, dann können die nachstehend gegebenen Gleichungen aufgestellt werden:- Vß £ at transistor 34 and a voltage drop at resistor 24. If the values for the logic level "0" at the outputs 36 and 38 are marked with the symbols V ₀ and V _n , the common emitter current with the symbol Iro and the resistance values of the resistors 29, 24 and 32 each with the symbols R ₀ , Ai and Ri, then the following equations can be set up:

V₀= -V ₀ = -

R2 -R2 -

= - ^ V_BE - V_B = - ^ V _BE - V _B

= - /«0 · R₁ - Vbe == - / «0 * R ₁ - Vbe =

~^-V_BE-V_BE.~ ^ -V _BE -V _BE .

Um den Logikpegel »0« des Ausgangs gleich dem Logikpegel »O«-Wert (— 2 Vbi) des Eingangs zu machen, müßte die GleichungTo make the logic "0" level of the output equal to the logic level "O" value ( -2 Vbi) of the input, the equation

V₀= V_n= -2 Vbe V ₀ = V _n = -2 Vbe

aufgestellt werden.be set up.

Zur Erfüllung der zuvor erwähnten Bedingung ist die Aufstellung einer GleichungAn equation is required to satisfy the aforementioned condition

Ro = R\ = R2 Ro = R \ = R2

erforderlich. Dies ist für eine integrierte Halbleiterschaltung besonders günstig. Um es anders zu sagen, vom Standpunkt der Fertigung der zu einer integrierten Schaltung gehörenden Widerstände aus betrachtet, kann allgemein angenommen werden, daß die Präzision in bezug auf die absoluten Widerstandswerte dieser Widerstände nicht völlig zufriedenstellend ist, daß aber die Möglichkeil besteht, die relative Genauigkeit spürbar zu verbessern und daß, wenn das Verhältnis der absoluten Widerstandswerte der jeweiligen Widerstände annähernd gleich 1 ist, es leichter sein wird, eine integrierte Schaltung herzustellen. Um eine integrierte Halbleiterschaltung zu erhalten, welche die Schwankungen in der Anschlußspannung oder Netzspannung und in der Temperatur zuverlässig kompensiert und ausgleicht, ist es nur erforderlich, Widerstände der gleichen Form und Abmessung auf die gleiche Platte zu montieren, wobei natürlich die Voraussetzung gilt, daß diese Widerstände die gleichen Widerstandswerte haben.necessary. This is particularly favorable for an integrated semiconductor circuit. To put it another way, from From the point of view of the manufacture of the resistors belonging to an integrated circuit, can generally be assumed that the precision in terms of the absolute resistance values of these Resistances is not entirely satisfactory, but there is a possibility of relative accuracy noticeably improve and that if the ratio of the absolute resistance values of the respective resistors is approximately equal to 1, it will be easier to manufacture an integrated circuit. To be an integrated To obtain semiconductor circuit, which the fluctuations in the connection voltage or mains voltage and Reliably compensates and balances in temperature, it is only necessary to use the resistors the same shape and dimensions to be mounted on the same plate, with the prerequisite, of course, that these resistors have the same resistance values.

Ein Steuerkreis kann auch in Übereinstimmung mit anderen Ausführungen des Erfindungsgegenstandes konstruiert werden. Ausführungsbeispiele dazu sind mit Fig.4a und 4b gegeben. Nach Fig.4a wird eine zwischen den Leitern 26 und 31 aufgedrückte Anschlußspannung oder Netzspannung von den in Reihe geschalteten Widerständen 47,48 und 49 aufgenommen, desgleichen auch von den Dioden 50 und 51. Weiterhin sind die Dioden 52, 53 und 54 zu den Widerständen 47 und 48, welche den gleichen Widerstandswert haben, parallelgeschaltet, wobei von einem zwischen den vorerwähnten Widerständen liegenden Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt 55 aus eine Schwellwertspannung von —j- Vbe agenommen werden kann. VonA control circuit can also be constructed in accordance with other embodiments of the subject invention. Embodiments for this are given with FIGS. 4a and 4b. According to FIG. 4a, a connection voltage or mains voltage impressed between the conductors 26 and 31 is picked up by the series-connected resistors 47, 48 and 49, as well as by the diodes 50 and 51. Furthermore, the diodes 52, 53 and 54 are connected to the resistors 47 and 48, which have the same resistance value, are connected in parallel, whereby a threshold voltage of -j- Vbe can be assumed from a node or branching point 55 located between the aforementioned resistors. from

einem zwischen dem Widerstand 49 und der Diode 50 liegenden Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt 56 aus kann auch eine Steuerspannung oder Vorspannung von Vee + 2V₈EfOr eine Konstantstromquelle entnommen werden. A control voltage or bias voltage of Vee + 2V ₈ EfOr from a constant current source can also be taken from a node or branching point 56 located between the resistor 49 and the diode 50.

Die mit Fig.4b wiedergegebene Steuerschaltung ist anders als die, welche mit F i g. 4a wiedergegeben ist In diesem Fall wird eine zwischen den Leitern 26 und 31 aufgedrückte Anschlußspannung oder Netzspannung von den in Reihe geschalteten Widerständen 57,58 und 59 sowie von den Dioden 60, 61 und 62 aufgenommen. Parallel zu den Widerständen 57 und 58 ist eine Diode 63 geschaltet, und der Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt zwischen den Widerständen 57 und 58 ist auf die Basiselektrode des Transistors 64 geführt Die Basiselektrode des Transistors 65 ist auf den zwischenThe control circuit shown with Fig.4b is unlike the ones with F i g. 4a is shown. In this case one is shown between conductors 26 and 31 impressed connection voltage or mains voltage from the series-connected resistors 57, 58 and 59 as well as by the diodes 60, 61 and 62 added. In parallel with resistors 57 and 58 is a diode 63 switched, and the node or branch point between the resistors 57 and 58 is led to the base electrode of the transistor 64. The base electrode of the transistor 65 is on the between

dem Widerstand 59 und der Diode 60 liegenden Verzweigungspunkt oder Knotenpunkt geschaltet, während die Emitterelektrode dieses Transistors mit dem Leiter 31 in Verbindung steht. Von der Emitterelektrode des Transistors 64 aus wird einer Anschlußklem- >the junction point or junction lying between the resistor 59 and the diode 60, while the emitter electrode of this transistor is connected to the conductor 31. From the emitter electrode of transistor 64 from becomes a connection terminal->

me 66 eine Schwellwertspannung von —-|- Vbu aufgedrückt, während von der Emitterelektrode des Transistors 65 aus die Anschlußklemme 67 an eine Vorspannung oder Steuerspannung von V'el + 2Vm: ι« gelegt wird, um eine Vorspannung an die Konstantstromquelle zu liefern.Me 66 a threshold voltage of - | - Vbu is pressed while the terminal 67 is applied from the emitter electrode of the transistor 65 to a bias voltage or control voltage of V 'el + 2Vm: ι «in order to supply a bias voltage to the constant current source.

Wie bereits zuvor beschrieben, haben die zu einem Steuerkreis gehörenden Dioden die gleichen Eigenschaften wie die die zu einer Logikschaltung gehörenden und mit Fig.3 wicdcrgcgcbcncn Transistoren. Im Rahmen der hier vorliegenden Erfindung werden zudem auch Transistoren verwendet, welche die gleichen Eigenschaften haben, so daß, wenn eine Steuerspannung oder Vorspannung von solchen Transistören aufgeschaltet wird, desgleichen auch von derartigen Dioden, dann die Schwellwertspannung den Wert von --| V_BE annimmt, während die Konstantstromquelle eine Vorspannung von VtE + 2Veehat. Aus diesem Grund wird die Arbeitsweise der in den Rahmen der hier vorliegenden Erfindung fallenden Logikschaltung in keiner Weise von den Schwankungen in der Anschlußspannung oder Netzspannung beeinflußt, die hier verwendeten Bauelemente, weil sie die gleichen jo Eigenschaften haben, kompensieren vielmehr auch die Temperaturschwankungen untereinander.As already described above, the diodes belonging to a control circuit have the same properties as those belonging to a logic circuit and transistors in accordance with FIG. 3. In the context of the present invention, transistors are also used which have the same properties, so that if a control voltage or bias voltage is applied from such transistors, likewise from such diodes, then the threshold voltage has the value of - | V _BE assumes while the constant current source has a bias voltage of VtE + 2Ve. For this reason, the operation of the logic circuit falling within the scope of the present invention is in no way influenced by the fluctuations in the connection voltage or mains voltage, the components used here, because they have the same properties, rather also compensate for the temperature fluctuations among themselves.

Mit Fig.2 wird der Stromlaufplan einer in den Rahmen der hier vorliegenden Erfindung fallenden anderen Ausführung des Erfindungsgegenstandes wiedergegeben. Der Unterschied zu der mit F i g. 1 dargestellten Logikschaltung liegt darin, daß bei der Ausführung nach F i g. 1 die Eingangsstufe aus Verstärkern in Kollektorbasisschaltung besteht und daß sich dadurch auch der Schwellwert entsprechend verschiebt.With Figure 2, the circuit diagram is a falling within the scope of the present invention another embodiment of the subject matter of the invention reproduced. The difference to that with FIG. 1 The logic circuit shown is that in the embodiment according to FIG. 1 the input stage from amplifiers exists in the collector base circuit and that this also shifts the threshold value accordingly.

Die Eingangsstufe besteht aus den Transistoren 101, 102, 103 und 104. Die Kollektorelektroden dieser Transistoren sind auf einen Leiter 105 geführt, welcher seinerseits wiederum am Erdungspotential 106 liegt Die Emitterelektroden der Transistoren 101, 102 und 104 sind gemeinsam auf die Basiselektrode eines Transistors 107 geschaltet, während die Emitterelektroden über den Widerstand 140 auf den Leiter 113 geführt sind. Die Kollektorelektrode des Transistors 107 ist über einen Widerstand 108 auf einen Leiter 105 geführt. Die Basiselektrode des Transistors 109, welcher im Zusammenwirken mit dem Transistor 107 einen Schaltvorgang durchführt, ist an eine Schwellwertspannung gelegt, der Kollektor des Transistors 109 ist über den Widerstand 110 auf den Leiter 105 geschaltet, während seine Emitterelektrode gemeinsam mit der Emitterelektrode des Transistors 107 auf die Kollektorelektrode eines^ Transistors 111 geschaltet ist Die Emitterelektrode des Transistors 111 ist über einen Widerstand 112 mit einem Leiter 113 verbunden. Der Transistor 111 bildet dabei eine Konstantstromquelle, wodurch der gemeinsam über den Widerstand 112 fließende Emitterstrom in einen Konstantstrom umgeformt wird. Der Leiter 113 ist an eine negative Klemme einer Gleichspannungsauelle 114 gelegt, dessen positive Seite über das Erdungspotential 106 geerdet wird.The input stage consists of the transistors 101, 102, 103 and 104. The collector electrodes of these Transistors are routed to a conductor 105, which in turn is connected to the ground potential 106 Emitter electrodes of transistors 101, 102 and 104 are common to the base electrode of a transistor 107 switched, while the emitter electrodes are led to the conductor 113 via the resistor 140. the The collector electrode of the transistor 107 is led to a conductor 105 via a resistor 108. the Base electrode of transistor 109, which, in cooperation with transistor 107, performs a switching process performs, is applied to a threshold voltage, the collector of transistor 109 is across the resistor 110 connected to the conductor 105, while its emitter electrode together with the emitter electrode of the transistor 107 is connected to the collector electrode of a transistor 111. The emitter electrode of the Transistor 111 is connected to a conductor 113 via a resistor 112. The transistor 111 thereby forms a constant current source, whereby the emitter current flowing jointly through the resistor 112 in a constant current is converted. The conductor 113 is to a negative terminal of a DC voltage source 114 placed, the positive side of which is grounded via the ground potential 106.

Auf der anderen Seite ist die Kollektorelektrode des Transistors 109 auf die Basiselektrode eines Transistors 115, welcher einen Verstärker in Emitterschaltung bildet, geschaltet. Die Kollektorelektrode des Transistors 115 ist mit dem Leiter 105 verbunden, während dessen Emitterelektrode über einen Widerstand 116 auf einen Leiter 113 geführt ist, wobei von der Emitterelektrode des Transistors 115 ein Ausgangssignal 117 ausgeht. Darüber hinaus ist die Kollektorelektrode des Transistors 107 auf die Basiselektrode eines einen Verstärker in Kollektorbasisschaltung bildenden Transistors 118 geschaltet. Die Kollektorelektrode des Transistors 118 ist mit dem Leiter 105 verbunden, während dessen Emitterelektrode über einen Widerstand 119 auf den Leiter 113 geführt ist, wobei von der Emitterelektrode des Transistors 118 ein Ausgangssignal 120 ausgeht.On the other hand is the collector electrode of the Transistor 109 to the base electrode of a transistor 115, which is an emitter circuit amplifier forms, switched. The collector electrode of transistor 115 is connected to conductor 105 while its emitter electrode via a resistor 116 a conductor 113 is guided, with an output signal 117 from the emitter electrode of the transistor 115 goes out. In addition, the collector electrode of the transistor 107 is on the base electrode of a one Amplifier connected in the collector base circuit forming transistor 118. The collector electrode of the Transistor 118 is connected to conductor 105, while its emitter electrode is connected via a resistor 119 is performed on the conductor 113, with the Emitter electrode of transistor 118 emits an output signal 120.

Auf die Basiselektroden der Eingangssiufeniransistoren 101, 102, 103 und 104 werden Eingangssignale mit Spannungswerten von -2VbF. und — Vbe. welche den Logikwerten »0« und »1« entsprechen — diese haben eine Logikumschaltung von Vbe — geschaltet. Die Transistoren 107 und 109 werden zur Durchführung eines Schaltvorgangs veranlaßt In diesem Fall bilden die Eingangsstufentransistoren 101, 102, 103 und 104 jeweils einen Verstärker in Kollektorbasisschaltung, so daß ein Schwellwert erforderlich ist, der um den Wert von Vbe verschoben wurde. Das aber bedeutet, daß die Basiselektrode des Transistors 109 an eine Steuerspannung oder an eine Vorspannung von — | Vß£gelegt ist. Input signals with voltage values of -2VbF are applied to the base electrodes of the input transistors 101, 102, 103 and 104. and - Vbe. which correspond to the logic values "0" and "1" - these have switched a logic switch from Vbe . The transistors 107 and 109 are caused to perform a switching operation. In this case, the input stage transistors 101, 102, 103 and 104 each form a collector-base amplifier, so that a threshold is required which has been shifted by the value of Vbe. But this means that the base electrode of the transistor 109 to a control voltage or to a bias voltage of - | Vß £ is laid.

Die Steuerspannung oder Vorspannung wird erhalten, wenn die zwischen den Leitern 105 und 113 aufgedrückte Anschlußspannung oder Netzspannung von der Reihenschaltung aus der Diode 121 und den Widerständen 123, 124 und 122 sowie den Dioden 125, 126 und 127 aufgenommen wird. Im Gegensatz zu der Logikschaltung nach F i g. 1 wird von der Diode 121 die Kompensation oder der Ausgleich durch Schwellwertverschiebung bei den Eingangsstufenverstärkern in Emitterschaltung herbeigeführt Parallel zu den Widerständen 122 und 123 ist die Diode 127 geschaltet, und der zwischen den Widerständen 122 und 123 liegende Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt ist auf die Basiselektrode des Transistors 128 geführt Die Kollektorelektrode des Transistors 128 ist mit dem Leiter 105 verbunden, während dessen Emitterelektrode über den Widerstand 129 auf den Leiter 113 geführt ist.The control voltage or bias voltage is obtained when the voltage between conductors 105 and 113 impressed connection voltage or mains voltage from the series connection of the diode 121 and the Resistors 123, 124 and 122 and the diodes 125, 126 and 127 is added. In contrast to the Logic circuit according to FIG. 1, the diode 121 provides compensation or compensation by means of a threshold shift in the case of the input stage amplifiers in emitter circuit brought about parallel to the resistors 122 and 123, the diode 127 is connected, and that between the resistors 122 and 123 The node or branch point is led to the base electrode of the transistor 128 The collector electrode of the transistor 128 is connected to the conductor 105, while its emitter electrode out via the resistor 129 to the conductor 113 is.

Wenn die Widerstände 122 und 123 den gleichen Widerstandswert haben, der insgesamt größer ist als der der Dioden, dann wird auf die Emitterelektrode des Transistors 128 eventuell eine Steuerspannung oderWhen resistors 122 and 123 have the same resistance value greater than that as a whole of the diodes, then a control voltage or possibly is applied to the emitter electrode of transistor 128

ClUCIl.ClUCIl.

Verbindung der Emitterelektrode des Transistors 128 mit der Basiselektrode des Transistors 109 macht es möglich, daß die Vorspannung oder SteuerspannungConnecting the emitter electrode of transistor 128 to the base electrode of transistor 109 makes it possible that the bias or control voltage

—γ Vbe als Schwellwert aufgeschaltet werden kann.- γ Vbe can be applied as a threshold value.

Der zwischen der Diode 125 und dem Widerstand 124 befindliche Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt ist auf die Basis des Transistors 111 geführt und versorgt auf. diese Weise die Konstantstromquelle mit einer Steuerspannung oder mit einer Vorspannung von Vee + 2 Vbe· Damit aber macht die Logikschaltung nach F i g. 2 gleich der nach F i g. 1 eine Logikoperation möglich, welche von Schwankungen der Anschlußspannung oder in der Netzspannung sowie von Schwankungen in der Temperatur nicht beeinflußt wird.The node or branching point located between the diode 125 and the resistor 124 is led to the base of the transistor 111 and supplied with power. this way the constant current source with a control voltage or with a bias voltage of Vee + 2 Vbe . 2 is the same as that of FIG. 1 a logic operation is possible, which is not influenced by fluctuations in the connection voltage or in the mains voltage, as well as fluctuations in the temperature.

Der Stromkreis oder die Schaltung nach F i g. 2, bei der die Eingangsstufe aus Verstärkern in Kollektorbasisschaltung besteht, ermöglicht ein schnelleres Ansprechen auf die Eingangssignale. Denn bei einer Umwandlung einer Logikschaltung in eine integrierte Schaltung werden die KollektoreFektroden der zur Schaltung gehörenden Bauelemente direkt geerdet, so daß die Kollektorkapazität der Kollektorelektroden die Arbeitsweise der Eingangssignale, wie dies bei der Logikschaltung nach Fig. 1 geschieht, nicht beeinflußt. Das liegt darin begründet, daß es im Falle der Schaltung nach Fi g. 1 zu einer Zeitverzögerung kommt, und zwar wegen der auf den Kollektorschichten vorhandenen Kapazität, wohingegen im Falle einer Schaltung nach F i g. 2 dieser Nachteil dadurch aufgehoben wird, daß die Kollektorelektroden der Transistoren 101, 102, 103 und 104 an Erdungspotential gelegt sind. Durch diese Maßnahme aber kann die Kollektorfläche des Transistors 107 so klein wie die des Transistors 109 gehalten werden, was gleichzeitig dann aber auch zu einer spürbar kleineren Zeitkonstante führt.The circuit or the circuit according to FIG. 2, in which the input stage consists of amplifiers in a common collector circuit, enables a faster response to the input signals. This is because when a logic circuit is converted into an integrated circuit, the collector electrodes of the components belonging to the circuit are directly grounded, so that the collector capacitance of the collector electrodes does not influence the operation of the input signals, as is the case with the logic circuit according to FIG. The reason for this is that in the case of the circuit according to Fi g. 1 comes to a time delay due to the capacitance present on the collector layers, whereas in the case of a circuit according to FIG. 2 this disadvantage is eliminated in that the collector electrodes of the transistors 101, 102, 103 and 104 are connected to ground potential. By this measure, however, the collector area of the transistor 107 can be kept as small as that of the transistor 109 , which at the same time also leads to a noticeably smaller time constant.

Der mit F i g. 4c wiedergegebene Steuerkreis ist eine andere Ausführung des mit F i g. 2 wiedergegebenen Steuerkreises. Die zwischen den Leitern 105 und 113 aufgedrückte Anschlußspannung oder Netzspannung wird von den Dioden 130, 131 und 132, einem Widerstand 133 sowie von den Dioden 134 und 135 aufgenommen, wobei alle vorgenannten Stromkreiselemente in Reihe aufgeschaltet sind. Die Widerstände 136 und 137 haben den gleichen Widerstandswert, welcher viel größer als der der Diode 132 ist. Auf den zwischen den Widerständen 136 und 137 liegenden Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt 138 wird eine Schwellwertspannung von — y Vbe geschaltet, während der zwischen der Diode 134 und dem Widerstand 133 liegende Knotenpunkt oder Verzweigungspunkt an einer Steuerspannungoder Vorspannung von Vee + 2Vbe liegt.The one with F i g. 4c reproduced control circuit is another embodiment of the with F i g. 2 reproduced control circuit. The connection voltage or mains voltage impressed between the conductors 105 and 113 is absorbed by the diodes 130, 131 and 132, a resistor 133 and by the diodes 134 and 135 , all of the aforementioned circuit elements being connected in series. Resistors 136 and 137 have the same resistance value, which is much greater than that of diode 132 . A threshold voltage of -y Vbe is applied to the node or branching point 138 between the resistors 136 and 137 , while the node or branching point between the diode 134 and the resistor 133 is at a control voltage or bias voltage of Vee + 2Vbe .

F i g. 5 zeigt das Ansprechen der Ausgangssignale auf die Eingangssignale nach dem Entfernen der Diode 127 aus der Logikschaltung nach F i g. 2. Jetzt ändern sich die Werte beim Schwellwert, wenn sich gegenüber den OR-Ausgängen und NOR-Ausgängen die Anschlußspannung oder Netzspannung von -4 V bis -6 V verändert. Wie aus den Werten zu erkennen ist, verändert sich der Schwellwert dabei bis zu einer Größe von 0,32 V. Es ist auch zu erkennen, daß sich der Schwellwert, bezogen auf die Linie V_1n = V.„„ da merklich verändert, wo der Wert von V_1n gleich dem von V_;lusist.F i g. 5 shows the response of the output signals to the input signals after the removal of the diode 127 from the logic circuit according to FIG. 2. The threshold values now change if the connection voltage or mains voltage changes from -4 V to -6 V compared to the OR outputs and NOR outputs. As can be seen from the values, the threshold value changes up to a size of 0.32 V. It can also be seen that the threshold value, based on the line V _1n = V. "" changes noticeably where the value of V _{1n is} equal to that of V _{; lus} .

Mit F i g. 6 wird das Ansprechen der Ausgänge auf die Eingänge einer mit F i g. 2 dargestellten stromschaltenden Logikschaltung wiedergegeben. Wie bei F i g. 5 verändert sich gegenüber den OR-Ausgängen und den NOR-Ausgängen die Anschlußspannung oder Netzspannung um —4 V bis —6 V. Diese Schaltungsanordnung verringert aber die Veränderungen im Schwellwert auf ungefähr 0,07 V. Derartige Änderungen sind in bezug auf die Linie V_1n = V_JUS im wesentlichen vernachlässigbar, wodurch gleichzeitig auch der Geräuschpegel spürbar verbessert wird.With F i g. 6, the response of the outputs to the inputs of a with F i g. 2 reproduced current switching logic circuit shown. As with F i g. 5, the connection voltage or mains voltage changes by −4 V to −6 V compared to the OR outputs and the NOR outputs. This circuit arrangement, however, reduces the changes in the threshold value to approximately 0.07 V. _1n = V _JUS essentially negligible, which at the same time also noticeably improves the noise level.

4 Blatt Zeichnungen4 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1.Logic circuit of the current circuit type with a constant current source consisting of a first transistor for converting a conventional emitter current into a constant current, and with a voltage comparator consisting of at least one second transistor connected to the constant current source and supplied with an input signal, and with a third transistor with an applied threshold level, with a first bias circuit consisting of first and second diodes in series in parallel with the base-emitter strccke of the first transistor and a second bias circuit for supplying the threshold level to the base electrode of the third transistor, characterized in that the first and second bias circuits are connected in series and form a single control circuit that the second bias circuit is connected to the base electrode of the third transistor (27, 109) so that the threshold level -r- Vat -bzw. - _T Vflf results, and that in the second