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DE1621244A1 - Evaporation process for the production of thin layers or foils - Google Patents

Evaporation process for the production of thin layers or foils

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Publication number
DE1621244A1
DE1621244A1 DE19671621244 DE1621244A DE1621244A1 DE 1621244 A1 DE1621244 A1 DE 1621244A1 DE 19671621244 DE19671621244 DE 19671621244 DE 1621244 A DE1621244 A DE 1621244A DE 1621244 A1 DE1621244 A1 DE 1621244A1
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DE
Germany
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die
compact
heated
opposite
foils
Prior art date
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Pending
Application number
DE19671621244
Other languages
German (de)
Inventor
Kurt Dr-Phys Frank
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
Original Assignee
Fernseh GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Fernseh GmbH filed Critical Fernseh GmbH
Publication of DE1621244A1 publication Critical patent/DE1621244A1/en
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

A--Ltfdaup4ve,irfili,reii, zur-Erzeugung -dünner Schichten--Oder.Polien- Die 3rfliidi-ni b ieht sio ve r g e-2 h auf ein rf ahren _#äu _Erzeugung von Aufdampf schiellten, -,wobei.- das-- züi verdampfende -Material durch11),witreffen-eines Energiestrahls- (,Läserä-trali-1..-»U-lektroiien- strahl) -erlii tzt, , -.in Dämpff orr ni überführt und - auf - ein- en gegen- über der Verdampfungsstelle,-an ebraöliteii Trä-er niederge- 9 9 schlagen tird.- Sie bef t(ut siall- mit- einem Verf aIhren zur F"r-- zeugung von-Aufdampf-schichten -aus Stoff en x_ die äus- -einer, Verbindung von verschiedenen Dampf drucke s - oder verechip-denerZiedetämperatur he'stehen, z.B. von--Gläserli.,- Legierungeny- !Ialb-leitervg#rbihdu-ngeii--der.BleIctroiillc und -anderen chewischm Verbindungen, Währendi -die- Herstellung -von- Schiehten aus nur einer- Komponente oder -mehreren- annähernd -eleichartig verdax.i-.ii,feili-d#eii-.I:-#oiüpoile,nteiä du-roh . Zufuhr hinreichen-der# Wärme- jaeugen ohne- weiteres erreicht iverdeii,kann" hät# sich Uie, lerste#J1ung dünfier -Schichten aus - Verbindungen. i:iit, sehr ver- l','or.ilionenten durch ein VerdanipfuÜgsverfahreii als recht schwierig -erwiesen Weil es nicht gelang,#eine Iischullg- der einzelnen-Komponenten-während 46r---Vordaiitj)fung zu Verhindern. Sowohl bei der-Verdampfung von einer glÜheilde-n Unterlage als auch bei derjenigen mittels eine.-> auf ein Kompahrtmaterial auftreffenden-Energiestrahls trat--eine Entnischung der 1?.-ompolieiiten (luröh eine Art fraktionierte Destillation ein, so daß sich auf der Unterlage zuerst die leicht flüchtigen Bestandteile, danac, li die weniger flücht-Igen Bestandteile niederschlugent i7älirend gasförmige Komponenten vom Vaktitirisystdiu, abgesaugt wurden. A - Ltfdaup4ve, irfili, reii, for-generation -thinner layers - or poles- The 3rfliidi-ni b pulls in sio ve r g e-2 h on a rf ahren _ # ou _generation of evaporation, -, whereby.- the - too evaporating - material through11), meet-an energy beam- (, Läserä-trali-1 ..- »U-lektroiien- ray) -erlii TZT, -.in Dämpff orr ni transferred and - on - one en counter over the evaporation point, -an ebraöliteii carrier down 9 9 beat tird.- You bef t (ut siall- with- a procedure for F "r-- creation of-vapor-deposition-layers -from material en x_ the outside- -einer, Connection of different steam pressures s - or Verechip-dener Ziedetämperatur he 'stand, e.g. from - Gläserli., - Alloysy-! Ialb-leitervg # rbihdu-ngeii - der.BleIctroiillc and others chewischm connections, while -the- production -of- shifts from only one component or several almost-easily-like verdax.i-.ii, feili-d # eii-.I: - # oiüpoile, nteiä du-raw . Supply of sufficient heat jaeugen reached iverdeii without further ado, can "hät # uie, lerste # J1ung dünfier layers from - compounds. i: iit, very ver l ',' or.ilionenten by a VerdanipfuÜgsverfahreii proven to be quite difficult because it did not succeed in # a Iischullg- the individual components-while 46r --- Vordaiitj) fung to prevent. Both with the evaporation of a glowing substrate and with that by means of an energy beam hitting a compass material, a de-netting of the 1? First put the volatile constituents on the surface, then let the less volatile constituents precipitated in the form of gaseous components were sucked off by the Vaktitirisystdiu.

Die erneute Vereinigung; der Stoffe zu der ursprünglichen Verbindung durch Nacherhitzung gelingt praktisch nur dann, wenn die nieder ge-schlagenen Stoffkoräponenten hinreichend innig miteinander -vermengt sind. Idenn aber bei der Zrhitzung der Unterlage oder des Trägers Grenzen gesetzt sind, so kann wegen des hohen Diffusionswiderstandes eine Vereinigung der Stoffe zu der ursprünglichen'Verbindung nicht 'mehr stattf inden.The reunification; of the substances to the original connection reheating is only possible if the material corponents have been knocked down are sufficiently intimately mixed with one another. But it does so when the substrate is heated or the carrier are limited, so can because of the high diffusion resistance a union of the substances to the original 'connection no longer takes place' in the.

Das Verf ahr en der Erfindung,gelit über die bekannt-en.Verfahren hinaus , indem statt eineg ruhenden oder willkürlich bewegten Energiestrahls ein solcher mit einer bestimmten Relativgeschwindigkeit zwischen der zu verdampfenden Verbindung und dem Strahl verwendet, und eine solche Intensität de s letzteren eingehalten-wirdv daß in dem durch den Strahlquerse-linitt und die Eindringtiefe gegebenen Volumen des I.L-oiupaktiiiaterials die zur Verdampfung der am wenigsten flüchtigen Komponente erf orderlicha - Temperatur während der- Verweilzeit des S.tra Ills gerade Überschritten wird., Durch dieses Verfahren wird eine große Anzahl bisher nicht in Dünnsphichtfolienform herstellbarer Stoffe dazu varwendbar-Während man -früher z.IL, bei dem Versuch zur Herstellung von Glasfolien durch- Erhitzung des Glases mit einei"i Anorg.iastralil entweder zu stark- erhitzte so cläß -eine völlige Dissoziation Z eintrat ufid.#die flüchtigen Stoffe', wie Natrium. und Sauerstoff als Gase verdampften und abgesaugt wurden, oder aber _ZU Wenig oder zu lange erhitzte." so dall zwar das Natrium weitgehend abdestilliert wurde, aber _die verbleibenden Ii-ilil#iate in eine se,'Llr schwer verdampfbare Verbindwig überführt wurden, -hann rlan nach der erf indungsgemäßen -Lehre die einzelnen -lTL,01*l-Iponenteii das Glases praktisch glei;olizeI-tig-.verdai-.,ipfen, -indem man -dem vom Strehlquerschnitt auf -Grund der bekannten --r4,indringtief e gegebenen Volumen gerade so viel Energie durch#den.Strälil während einer so kurzen Zfe-it -zuführt daß- di ie ganze Verbindung praktisch gleichzeitig in, Dauipfförm-überführt -Wird-. Dei der erreichbaren hohen Energiedichte von Ellektronenstrahlen oder Laserstrahlen Ikann man die Dniter-d-er_Zufüllruiig des Energie- impulses so 11Zurz lnachen, daß praktisch ICeine liennensiverte durch das verbleibende Ti#ompaL-tiuaterial statt- findet und nahezu die gesarate Strahlenergie an das zu ver- dampfende Material übertragen wird. Diese 1-,.".ögliellk-eit ver- einfacht eine Derechnung der--erforderlichen Leistung zur Ver- dampfung des durch den Strahlquerseiwitt und die Eindring- tiefe Gegebemen Volumens auf Grund der berechenbaren Ver- dampfungsarbeit des 'Materials. Die -rf indung wird nun an iland der Zeichnung näher erläutert, ZU welche ein Ausführungsbeispieleiner Apparatur zur 2r zeugung von Folien aus schwer verdampfbarem Material darztellt. -Li; die-sov 1,#i-ur ist i ei-ii PerEiaiieiitiuagiiet» der eilien Polschulr 2 aus Ueicheisen trägt, Dieser Polschu-A ist i-3.it einer Dohrung 3 versehen, welche in eine eng-re ÖffnunE:) 4- ausläuft. Ii:i imieren c.er ijoliruii,- ist eine Glüliicatliode 5 äus 7Jolfrai,idr.aiit aiigebi-aalit.. l#aiie dera anderen Pol des ilerz:ialieiiti#iagi'Ieteli befindet sich ein j.Ictallischer Yiegel 69 welciier Clas Zu verdarIp -Lel.(IC 1.ia.-Lerial 7 in 1"-oLipaktfor-M, d.Iii 'aus einem homcgenen Block bestehend ent- hält. Der Tiegel 6 kann auf dem gleichen ]Potential wie die Volschühe liegen-, z.13., auf Masse. Beim Betrieb dieses Syster.is -'sendet die l'#'.a.t1-i6de 5 Elektronen aus, - die durch (las- zwischen der Kathode -und deini Polschuh -4 gebildete Feld i.B. auf 3 bis 4 IN beschleunigt und durch die zwischen den Polen des Magneten- herrschenden Magnetfelder geführt.Und-zu einer Kreisbahn gebogen werden, so daß sie im Punkt 8 auf die Ober- f.läche'.-des'.-1#.,täte.r:L'glä,7 auf.troffen. Zur kontrollierten-Ver- dampfung der Tiegel#6 z.IB-;,-- mit. Hilfe einer Nockenscheibe 8 und eines ilebel,sys,«#emi#- s:oivie eines weiteren (nicht gezeigten) Vor- schubsystems kso, bewegt x daß der Auf treff punkt de.s Elektronen- strahls, auf der Oberfläche des -Blocks 7 ein sich wiederholendes Raster der durch die;-Linien 10 dargestellten Form beschreibt. Das liaster kann statt zeilenfÖrmig auch spiralförgig oder einerweiteren Form ents,prochend.ausgebildet sein. Der durch den Elektronenstrahl erzeugte,Dampf wird auf dem-Auffänger 11 niedergeschlagen. Dieser Auffänger 11 kann z.B. aus einem 1r,ollodiunüiäutühen bestehen, welches bei der Nachbehandlung den-Niedersolibg s zur Erzeugung einer homogenen freitragenden Folie zersetzt wird. The method of the invention goes beyond the known methods , in that instead of a static or arbitrarily moving energy beam, one uses one with a certain relative speed between the compound to be vaporized and the beam, and such an intensity of the latter is maintained. wirdv that linitt Strahlquerse and in which the depth of penetration by the volume of the given IL-oiupaktiiiaterials to the evaporation of the volatile component erf least orderlicha - temperature during DER residence time of the S.tra Ills just passed is, by this method is a large one. Number of substances that could not be produced in thin film form up to now - while one - previously, for example, when attempting to produce glass films by heating the glass with some inorganic material either overheated so class - a complete dissociation Z entered ufid. # the volatile substances' such as sodium. and oxygen f as gases evaporated and sucked off, or too little or heated too long. "so the sodium largely Was distilled off, but _the remaining Ii-ilil # iate into a se, 'llr difficult to vaporize compounds were transferred, -hann According to the teaching according to the invention, the individual -ITL, 01 * l-Iponenteii the glass is practically the same; olizeI-tig-.verdai -., ipfen, -by -dem the Strehl cross section - because of the known --r4, indringtief e given volume just as much energy through # den.Strälil during such a short break-it -supply that- di he whole connection practically at the same time in, daui-shaped-is-converted. Yours achievable high energy density of electron beams or Laser beams can be used to fill up the energy impulses so much for a quick laugh that practically no line intensified through the remaining Ti # ompaL-tiu material instead of and almost all of the beam energy is sent to the steaming material is transferred. This 1 -,. ". Ögliellk-eit ver simplifies a calculation of the - required power to attenuation of the cross-beam and the penetration low given volume due to the calculable computation steam work of the 'material. The invention will now be explained in more detail on the basis of the drawing, TO which is an embodiment of an apparatus for generating 2r of foils made of hard-to-evaporate material. -Li; die-sov 1, # i-ur is i ei-ii PerEiaiieiitiuagiiet »der eilien Polschulr 2 made of Ueicheisen, This Polschu-A is i-3.it a Dohrung 3 provided, which ends in a narrower opening :) 4- . Ii: i imieren c.er ijoliruii, - is a Glüliicatliode 5 äus 7Jolfrai, idr.aiit aiigebi-aalit .. l # aiie dera other pole of ilerz: ialieiiti # iagi'Ieteli is a j.Ictallischer Yiegel 69 welciier Clas to verdarIp -Lel. (IC-1.ia. Lerial 7 in 1 "-olipaktfor-M, d.Iii 'consisting of a homogeneous block consisting of holds. The crucible 6 can be at the same] potential as the Volschühe lie, for the 13th time, on the ground. When operating this Syster.is -sends out the l '#'. a.t1-i6de 5 electrons , - which pass through (las- between the cathode -and deini pole piece -4 formed field iB on 3 to 4 IN accelerated and through the between the poles of the Magnet- prevailing magnetic fields led.And-to one Curved circular path so that at point 8 it points to the upper f.surface '.- des' .- 1 #., täte.r: L'glä, 7 auftroffen. For controlled damping the crucible # 6 z.IB -;, - with. Using a cam disk 8 and one ilebel, sys, «# emi # - s: oivie of a further (not shown) thrust system kso, moves x that the point of impact of the electron ray, on the surface of the block 7 a repeating Grid of the form represented by the lines 10 describes. The liaster can also be spiral-shaped or linear instead of linear to be trained in a further form. The through the electron beam generated, vapor is deposited on the collector 11 dejected. This catcher 11 can, for example, from a 1r, ollodiunüiäutühlen exist, which in the follow-up treatment den-Niedersolibg s to create a homogeneous self-supporting Foil is decomposed.

Claims (1)

Pät-eetaiisprüolie
1. Aufdampfverfahren zur Uberführüng schvier verdaulpfbarer Verliiiidungen oder Lägierulageii -aus der 1Zo,mpaktf'ori;i #in die Form (Winier Schichteij oder Folien--unter Beibehaltuhg- der relativell Massenverhältnise.a --der-Bestandteile, wobei. zur Verdämpfung das Stoffes e#in#-Pi,'liergi est-rahl (Elakt r-Vilenstrahl oder-Laserstralil)- verweiirlat--wird, welcher beim Auftröffen auf die- Oberfläche des:-zu---vördam-Ofenden Stoffes diesen punktf` örmig erhitzt, Bund der-erzeugte Dampf -auf eiiiem gegenübersteheildeii-Aüf±än-g'er#-ni-edergesolilag-.e-ii wird, dadurch ge#kennz-eichndt". daß- der gerbülldelte--:- iiergies,tra-hl dureh.eine Itelativbewegung zwiäohen Kompaktmaterial -Li'nergiestrahl über die -Oberl , läelie des Kompäkt- erials mat- h-iiii.veggeführt wird -tind-däß---die'-Eliergiedich#tü und-Ge-- schivindigkeit döe Strahls so- gewählt-- sind07 daß -iii- dem. durch den -,Stralilque,rsälni-i-6t- die Eilidri-ngti.efe, gegebenen Volumeil# die, zür Verdampf Wig dar-am weiiigsten -fliie,'ci-tigeil Lomponente erf orderliche', Te.Xperatu:r Ivähreild de-r.-.Verweil- zeit des Strahls gerade überschritten wird. 2. Verf ahreii nach Anspruchs 1.,- --zur Herstellulig. dUlilier Glas-- filmei- dadurch gelrenii-ze:L(31inet#p daß#Aas in Blockf orm- vor- liege,nde-Glasmaterial voräewäriut ivird Wid daß al s- Auf - f-äiif--er Lue-Trägerfolie aus 'Ve.rdainpf barem, oder- zersetzbarem e iitoff z. B#. 1-,'ollodium verwendet wird und daß der Träger_ nach der Uberführung dar Schicht laiigeam an -der Luft erhitzt wird. irch g 3. Verf aizre- ii nach Anspruch --1 der 2.9 dad-u
daß (AG-r- Auf traf ff 1:>ulijii, -des Ener, g - iestrahls -au.f de--_ ri#"berfläche des . zu-verdampfeuden 1-,Iater:Lal.9 Infolge der ulig
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Raster aus geraden Zeilen besteht. 5. Verfahren nach Anspruch 4x dadurch-gekennzeiel-unet, daß die-Relativbeviegung durch periodische Verse hiebung des zu vei-dampfenden Materials in zwei zueinander senkrechten Richtungen erz.eugt# wird. 6. Anwendung des Verfahrens-nach Anspr uch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Halbleiter oder Halbleiterverbinclungen samt den für die -Festlegung der elektronischen Eigenschaf ten- erf orderlichen Dotierungeil aus der Komp.ah-tf orm in die Folienf orni Überführt iverden. 7. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ajisprüche, daduröli_gekeiinzeichne t. daß der Energiestrahl ein Elektronenstrahl ist$ der von einer in Ginem Hohlraum (3), eines Poischuhs- (2) eines Permanentmagneten (ly untergebrachten Glühkathode (5) ausgeht und daß das Kompaktmaterial in der gegenüberliegenden Polschuhebene uhtergebraqht istz derart" daß ein Punkt der Ob.erf läohe de s- Kompaktmaterials durch den Eiehtronen-strahl erhitzt wird, welcher auf der durch die Kathode und durch die Oberf . läche des Kompaktmat-erials gehenden magnetischen Kraftlinie liegt. 8, Anordnung,-nach Anspruch TD dadurch gekennzeichnetg daß, der das KDuiliaktmaterial enthaltende Tie901-=(6) mittels eIner tiechanischen - Vorrichtung (82 9) derart bewegt vzird, daß der Auftreffpunkt auf der Oberfläche das KOMPahtmiaterials e:Ln itaster in periodischer "7ioderlieluiip- -besehr-eibtp ulc3# (laß der Auffängär (ii) für das überführte 1--laterial rle-r oberfläche das l'#-or#ipalztmaterials Para1101 gegenüber-
Pät-eetaiisprolie
1. Evaporation process for transferring easily digestible Verliiiidungen or Lägierulageii -from the 1Zo, mpaktf'ori; i #in the Form (Winierschichteij or foils - while retaining relative mass ratios.a --the -components, where. to the Attenuation of the substance e # in # -Pi, 'liergi est-rahl (Elakt r-Vilenstrahl oder-Laserstralil) - verweiirlat - which when appearing on the surface of the: -zu --- vördam-Furnace this Heated in a punctiform manner, the steam generated on a bunch opposite parteii-Aüf ± än-g'er # -ni-edergesolilag-.e-ii becomes, thereby ge # ident-eichndt ". that- the gerbülldelte -: - iiergies, tra-hl through an itelative movement between compact material -Li'nergy beam over the -Oberl , läelie des Kompäkt- erials mat- h-iiii. is carried away -tind-däß --- die'-Eliergiedich # tü und-Ge-- schivindigkeit of the ray are chosen so that -iii- dem. by the -, Stralilque, rsälni-i-6t- die Eilidri-ngti.efe, given Volumeil # die, for evaporation wig-dar-most -fliie, 'ci-tigeil Lomponente erf orderliche ', Te.Xperatu: r Ivehreild de-r .-. Dwell- time of the beam is just exceeded. 2. Process according to claim 1., - - zur Manufactulig. dUlilier glass-- filmei- thereby gelrenii-ze: L (31inet # p that # carrion in block form- before- lie, nde-glass material voräewäriut ivird that as s- on - f-äiif - er Lue carrier film made of Ve.rdainpfbarem, or- decomposable e iitoff z. B #. 1-, 'ollodium is used and that the carrier_ after Uber guide layer is laiigeam to - the air is heated. irch g 3. Ver aizre- ii according to claim -1 of 2.9 dad-u
that (AG-r- on met ff 1:> ulijii, -des ener, g - iestrahls -au.f de --_ ri # "surface of . zu-evaporate 1-, Iater: Lal.9 As a result of the ulig
4. The method according to claim 3, characterized in that the grid consists of straight lines. 5. The method according to claim 4x characterized-gekennzeiel-unet that the relative bending by periodic displacement of the material to be vaporized in two mutually perpendicular directions is erz.eugt #. 6. Application of the method according to claims 1 to 5, characterized in that semiconductors or semiconductor compounds including the doping part required for establishing the electronic properties are transferred from the component shape into the film shape. 7. Arrangement for carrying out the method according to one of the preceding Ajisprüche, daduröli_gekeiinzeichne t. that the energy beam is an electron beam emanating $ of from one to Ginem cavity (3), a Poischuhs- (2) a permanent magnet (ly accommodated thermionic cathode (5) and that the compact material in the opposite Polschuhebene uhtergebraqht istz such "that a point Ob erf läohe de s- compact material is heated radiant-Eiehtronen by which on through the cathode and through the Oberf. Smile Friend of the compact continuous line of magnetic force is. 8, arrangement -to claim TD characterized gekennzeichnetg that of the Tie901 - = (6) containing ductile material is moved by means of a Tiechanic - device (82 9) in such a way that the point of impact on the surface of the composite material in periodic "7ioderlieluiip- -beehr-eibtpulc3 # (let the catcher (ii ) for the transferred 1 - material rle-r surface the l '# - or # ipalztmaterials Para1101 opposite-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2465009A1 (en) * 1979-09-17 1981-03-20 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Coating substrates, esp. gas turbine blades, in vacuum chamber - by electron beam evapn. of molten alloy contg. metals with different vapour pressures
WO1992019787A1 (en) * 1991-04-24 1992-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Process and device for vacuum evaporating siox coatings on a substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2465009A1 (en) * 1979-09-17 1981-03-20 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Coating substrates, esp. gas turbine blades, in vacuum chamber - by electron beam evapn. of molten alloy contg. metals with different vapour pressures
WO1992019787A1 (en) * 1991-04-24 1992-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Process and device for vacuum evaporating siox coatings on a substrate

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