DE1614129C3 - Festkörper-Bildspeicher - Google Patents
Festkörper-BildspeicherInfo
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Description
fischen Widerstand zwischen 10° und 10D Ohm-cm
hat. Es hat sich experimentell erwiesen, daß mit diesem Bereich eine besonders hohe Empfindlichkeit erzielt
wird. Der angegebene Bereich des spezifischen Widerstandes liegt um sechs bis elf Zehnerpotenzen
unter demjenigen sonstiger üblicher Bindemittel. Als Material für das Bindemittel wird Glasemail bevorzugt.
Besonders günstige Bedingungen ergeben sich dadurch, daß die der Wechselspannung überlagerte
Gleichspannung in derselben Größenordnung wie oder höher als der Scheitelwert des Wechselstromanteils
ist, der im Zustand ohne einfallende Energie an der elektrolumineszierenden Schicht anliegt. In an
sich bekannter Weise kann es im Einzelfall zweckmäßig sein, zwischen der Elektrolumineszenzschicht
und der energieempfindlichen Schicht noch eine einen Widerstand aufweisende Lichtsperrschicht anzuordnen,
die der Anpassung dient und eine Rückkopplung verhindert.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung.
Auf der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise veranschaulicht, und zwar zeigt
F i g. 1 einen Vertikalschnitt durch einen Festkörper-Bildspeicher
gemäß der Erfindung mit der elektrischen Speisung,
Fig. 2 Oszillogramme von Wechselspannungsund
Lumineszenzverläufen beim Bildspeicher gemäß Fig. 1.
Der Festkörper-Bildspeicher hat eine Energieeinfallsseite 10 und eine Bildaustrittsseite 20.
Die Oberfläche einer Stützplatte 11 aus transparentem Glas oder Keramik mit hohem Schmelzpunkt ist
mit einer durchsichtigen, leitenden Elektrode 12 überzogen, die aus einem Metalloxid, wie Zinnasche
od. dgl., besteht. Hieran schließt sich eine elektrolumineszierende Schicht 13 an, die beispielsweise eine
Dicke in der Größenordnung von 50 μΐη hat und durch Mischen eines elektrolumineszierenden pulverförmigen
Leuchtstoffs, wie ZnS: Cu mit Glasemail, dessen spezifischer Widerstand in der Größenordnung
von 106 bis 109 Qcm liegt und der als
Bindemittel wirkt, hergestellt ist. Weiter schließt sich eine Lichtsperrschicht 14, die eine Dicke in der Größenordnung
von 10 μπα und einen spezifischen Widerstand,
der etwa in der Größenordnung von demjenigen der elektrolumineszierenden Schicht 13 oder
darunter liegt, hat und durch Vermischen von pulverisiertem Graphit mit Glasemail hergestellt ist, und
sodann eine energieempfindliche Schicht 15 an, die im beschriebenen Beispiel eine photoleitende Schicht
mit einer Dicke in der Größenordnung von 100 bis 200 μηι ist, die durch Sintern von CdS, CdSe, CdS-CdSe
od. dgl. oder durch Verbinden von pulverförmigem CdS, CdSe, CdS-CdSe od. dgl. mit Glasemail
von hohem spezifischem Widerstand als Bindemittel gebildet ist. Der maximale Widerstand der
energieempfindlichen Schicht 15 ist so ausgewählt, daß er dem Widerstand der elektrolumineszierenden
Schicht gleich oder höher als dieser ist.
Eine für die einfallende Energie durchlässige Elektrode 16 auf der Einstrahlungsseite der energieempfindlichen
Schicht 15 besteht aus einem aufgedampften Metallfilm, wie Aluminium, wenn die einfallende
Energie L1 Röntgenstrahlen sind, und ist als durchsichtige
Elektrode ausgebildet, wenn die einfallende Energie Lichtstrahlen sind. Zwischen den Elektroden
12 und 16 sind eine Wechselspannungsquelle 17 und eine Gleichspannungsquelle 18 geschaltet, um an
diese eine Wechselspannung VA und eine Gleichspannung
VB anzulegen.
Die energieempfindliche Schicht hat einen Widerstand, der entsprechend der Erregung durch die einfallende
Energie L1, wie Lichtstrahlen, sonstige elektromagnetische
Strahlen oder Elektronenstrahlen, variiert, und ist mit der elektrolumineszierenden
Schicht 13 so in gegenseitige Beziehung gesetzt, daß
ίο die energieempfindliche Schicht 15 die durch eine
Wechselspannung erregte Lumineszenz der elektrolumineszierenden Schicht 13 durch eine Gleichspannung
steuert, die von der Stärke der einfallenden Energie abhängt.
Die von der Wechselspannungsquelle 17 gelieferte Frequenz und Spannung sind ausreichend hoch, so
daß die elektrolumineszierende Schicht 13 während der Dunkelperiode, in der keine einfallende Energie
L1 vorhanden ist, eine ausreichend hohe Ausgangslumineszenz
L9 entwickelt. In diesem Zustand ist der Widerstand der energieempfindlichen Schicht
15 hoch, und es fließt ein Wechselstrom über die niedrige kapazitive Impedanz der Schicht 15 in die
elektrolumineszierende Schicht 13.
Der Wechselspannung F4 überlagert ist die Gleichspannung
VB, die in derselben Größenordnung wie oder höher als der Scheitelwert des Wechselstromanteils
ist, der im Dunkelzustand an der elektrolumineszierenden Schicht 13 anliegt.
Die Gleichspannung ist gemäß F i g. 1 so angelegt, daß die Elektrode 12 am Pluspol und die Elektrode
16 am Minuspol angeschlossen ist.
In Fig. 2 zeigt die Kurve (a) den an der elektrolumineszierenden
Schicht 13 auftretenden Wechselspannungsteil, der auf eine konstante Frequenz von
1 kHz und durch Adjutierung der Wechselspannung VA auf 85 V eingestellt ist. Die Kurve (b) zeigt
den zeitlichen Verlauf der Ausgangslumineszenz L.„ die von der elektrolumineszierenden Schicht 13 an
der Bildaustrittsseite 20 abgestrahlt wird, wenn die Stärke der einfallenden Energie L1 = 0 ist und die an
der elektrolumineszierenden Schicht 13 anliegende Gleichspannung 40 V beträgt. Erhöht sich die einfallende
Energie L1, so ändert sich der Wechselspannungsanteil an der elektrolumineszierenden Schicht
13 trotz des Sinkens des Widerstands der energieempfindlichen Schicht 15 kaum, da die kapazitive
Impedanz der energieempfindlichen Schicht 15 niedrig und ihr ohmscher Widerstand hoch ist. Andererseits
steigt der Gleichspannungsanteil an der elektrolumineszierenden Schicht 13 mit fallendem ohmschem
Widerstand jener Schicht erheblich an. Die Lichtstärke der periodisch mit der angelegten Wechselspannung
auftretenden Lumineszenzimpulse sinkt stetig beim Anwachsen der anteiligen Gleichspannung,
beispielsweise auf einen Verlauf gemäß Fig. 2 (c), wenn der Gleichspannungsanteil 260 V
"beträgt. In bezug zur einfallenden EnergieL1 wird
also ein verstärktes negatives Elektrolumineszenzbild als L, sichtbar, wobei der spezifische Widerstandsbereich
der elektrolumineszierenden Schicht 13 eine besonders hohe Empfindlichkeit bewirkt.
Wird die einfallende Energie L1 abgeschaltet, so
geht dennoch die Ausgangslumineszenz L1, nicht wieder
auf den vorherigen Dunkelwert gemäß Verlauf (b) zurück, sondern auf einen Verlauf (d). Der Übergang
von (c) auf (d) ist also irreversibel, und man erhält einen Lumineszenzspeichereffekt. Auf Grund dieser
Erscheinung wird eine Speicherung der Veränderung in L1 erhalten, wenn sich L1 ändert. Es entsteht also
ein verstärktes Elektrolumineszenzbild negativer Polarität über eine lange Zeitspanne, selbst nachdem
das einfallende Energiebild weggenommen ist.
Dieser Speichereffekt ist von der Polung der angelegten Gleichspannung abhängig, die Irreversibilität
kann nämlich nur erreicht werden, wenn die Gleichspannung VB oder das elektrische Gleichfeld so angelegt
werden, daß die Bildaustrittsseite 20 auf einem höheren Potential als die andere, gegenüberliegende
Seite 10 liegt.
Nachdem ein gespeichertes Feldmuster auf Grund des von der einfallenden Energie L1 zweidimensional
modulierten Gleichfeldes an der elektrolumineszierenden Schicht 13 gebildet ist, kann die angelegte
Gleichspannung zu Null gemacht werden. Weiterhin kann ein Speicher-Elektrolumineszenzbild erhalten
werden, indem die Wechselspannung VA erst angelegt
wird, nachdem die gespeicherte Feldverteilung durch das Anlegen von VB gebildet worden ist. Die Wechselspannung
VA muß nicht notwendigerweise bereits
angelegt sein, wenn die gespeicherte Feldverteilung gebildet wird.
Das Gerät weist den besonderen Vorteil auf, daß es mit extrem hoher Empfindlichkeit gebaut werden
kann.
Es können verschiedene Festkörper-Bildspeicher gemäß der Erfindung ausgeführt werden. Wird z. B.
als energieempfindliche Schicht 15 eine Schicht aus einem infrarotlöschbaren photoleitenden Material,
wie beispielsweise CdS : Cu oder Ga od. dgl. verwendet,
so kann ein verstärktes Elektrolumineszenzbild positiver Polarität als Ausgangslichtbild für ein einfallendes
Infrarotbild gespeichert werden, indem eine Vorbeleuchtung aufgebracht wird, die den Widerstand
der energieempfindlichen Schicht 15 erniedrigt,
ίο und als einfallende Energie L1 Infrarotstrahlen, der
Vorbeleuchtung überlagert, aufgestrahlt werden. Allgemein gilt, daß, je größer die Dunkelleitfähigkeit
und die Photoleitfähigkeit des infrarotlöschbaren Materials ist, desto kleiner die Infrarot-Unterdrükkungsempfindlichkeit
und der Variationsbereich der Leitfähigkeit des infrarotlöschbaren photoleitfähigen
Materials ist. Der Bildspeicher arbeitet mit hoher Empfindlichkeit entsprechend dem kleineren Leitfähigkeitsminrmum
der energieempfindlichen Schicht 15, selbst wenn die Widerstandsveränderung klein
ist, indem das Verhältnis zwischen den Widerständen der energieempfindlichen Schicht 15 und der elektrolumineszierenden
Schicht 13 geeignet gewählt ist. Ein Infrarot-Positiv-Bildspeicher mit hoher Empfindlichkeit
kann also durch die Verwendung eines infrarotlöschbaren photoleitenden Materials mit einer niedrigen
Dunkelleitfähigkeit und einer hohen Löschungsempfindlichkeit erhalten werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Festkörper-Bildspeicher mit einer energie- Kennlinie der Lichtstärke des Lumineszenzausgangs
empfindlichen Schicht auf der Basis von CdS 5 in Abhängigkeit von der anliegenden Gleichspannung
und/oder CdSe und mit einer elektrolumineszie- kann hierbei sowohl fallende als auch steigende Berenden
Schicht auf der Basis von ZnS oder CdS reiche aufweisen. Es ist auch bekannt, solche Materiamit
Aktivierungsstoffen und einem Bindemittel. lien, die in der deutschen Literatur gelegentlich als
die durch eine anliegende Wechselspannung zur »WGE-Materialien« bezeichnet werden, zum Betrieb
Lumineszenz erregbar ist und in ihrer Lichtstärke io eines Festkörper-Bildwandlers mit Speichereigendurch
eine Gleichspannung steuerbar ist, die schäften zu verwenden (deutsche Patentschrift
ihrerseits durch den von der einfallenden Energie 1 087 698). Hierdurch läßt sich die günstigere Erabhängigen
Widerstand der energieempfindlichen regung der elektrolumineszierenden Schicht durch
Schicht bestimmt wird, wobei die beabsichtigte Wechselstrom mit der leichteren Beeinflußbarkeit des
Lichtausgangsseite der elektrolumineszierenden 15 Gleichstroms durch die Widerstandsänderungen der
Schicht an den positiven Pol und die Energieein- energieempfindlichen Schicht sowohl für die Bildfallsseite
der photoleitenden Schicht an den nega- Wandlung und -verstärkung als auch in gewissem
tiven Pol der Gleichspannung angeschlossen sind. Umfang für die Bildspeicherung kombinieren. Schwiedie
gleich oder höher als der Scheitelwert der rigkeiten bereitet es jedoch noch, einen solchen Bild-Wechselspannung
ist, dadurch gekenn- 20 speicher mit extrem hoher Empfindlichkeit herzuzeichnet,
daß das Bindemittel der elektro- stellen.
lumineszierenden Schicht (13) einen spezifischen Es sind auch elektrolumineszierende Leuchtzcllen
Widerstand zwischen 10« und 10!) Ohm-cm hat. bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 076 815), die eine
2. Festkörper-Bildspeicher nach Anspruch 1. elektrolumineszierende Schicht auf der Basis von
dadurch gekennzeichnet, daß das Bindemittel ein 25 ZnS aufweisen, das in einem Bindemittel enthalten
Glasemail ist. ist, das beispielsweise aus Glasemail bestehen kann.
3. Festkörper-Bildspeicher nach Anspruch 1 Für die elektrolumineszierenden Zellen wurde jedoch
oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dieses Bindemittel als ungeeignet empfunden, da die
der elektrolumineszierenden Schicht (13) und der Beherrschung des Feldverlaufs auf Grund der Dienergieempfindlichen
Schicht (15) eine einen 30 elektrizitätskonstante sowie der dielektrischen VerWiderstand
aufweisende Lichtsperrschicht (14) kiste Schwierigkeiten bereitet. Für die elektroluminesangeordnet
ist. zierende Schicht ist es weiterhin bekannt (USA.-Pa-
4. Festkörper-Bildspeicher nach einem der An- tentschrift 2 975 280), den elektrolumineszierenden
Sprüche i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtstoff in einem Bindemittel wie Nitrocellulose
der Wechselspannung (K4) überlagerte Gleich- 35 oder einem Alkydharz zu dispergieren. Es sind auch
spannung (VB) von derselben Größenordnung wie verhältnismäßig komplizierte Konstruktionen von
oder höher als der Scheitelwert des Wechsel- Festkörperbildwandlern bekannt (deutsche Patentstromanteils
ist, der bei fehlender einfallender Schriften 1 004 301 und 1 137 147), bei denen durch
Energie an der elektrolumineszierenden Schicht eine besondere, rasterbildende Strukturierung der
(13) anliegt. 40 photoleitenden Schicht im wesentlichen eine Gleichstromspeisung
der energieempiindlichen Schicht und eine VV'echselstromspeisung der elektrolumineszierenden
Schicht angestrebt wird. Teilweise wird hierbei ein symmetrischer Gleichgewichtszustand innerhalb
Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörper- 45 der Struktur ausgenützt, der durch einseitige Bestrah-Bildspeicher
mit einer energieempfindlichen Schicht lung verschoben wird. Es ist auch bekannt (deutsche
auf der Basis von CdS und/oder CdSe und mit einer Auslegeschrift 1 045 569), die energieempfindliche
elektrolumineszierenden Schicht auf der Basis von Schicht und einen überlinearen Widerstand in Reihe
ZnS oder CdS mit Aktivierungsstoffen und einem mit einer Gleichstromquelle sowie diesen überBindemittel,
die durch eine anliegende Wechselspan- 50 linearen Widerstand und die elektrolumineszierende
nung zur Lumineszenz erregbar ist und in ihrer Licht- Schicht in Reihe mit einer Wechselstromquelle zu
stärke durch eine Gleichspannung steuerbar ist, die schalten, so daß der Widerstand der energieempfindihrerseits
durch den von der einfallenden Energie liehen Schicht den Arbeitspunkt des überlinearen
abhängigen Widerstand der energieempfindlichen Widerstands und diese wiederum die Leuchtstärke
Schicht bestimmt wird, wobei die beabsichtigte Licht- 55 der elektrolumineszierenden Schicht bestimmt. Weiausgangsseite
der elektrolumineszierenden Schicht terhin sind Festkörper-Bildwandler bekannt (deutsche
an den positiven Pol und die Energieeinfallsseite der Patentschrift 1 021 099), deren energieempfindliche
photoleitenden Schicht an den negativen Pol der Schicht eine photoleitende Schicht ist, deren Photo-Gleichspannung
angeschlossen sind, die gleich oder leitfähigkeit durch eine weiterhin einfallende Infrarothöher als der Scheitelwert der Wechselspannung ist. 60 strahlung wieder gelöscht werden kann, und die
Eine Bildspeicherung, die zugleich mit einer Bild- lichtabschirmende Zwischenschichten aufweisen,
verstärkung oder Bildwandlung vor sich geht, kann Vor dem Hintergrund dieses bereits sehr differen-
in vielen Fällen erwünscht sein, beispielsweise beim zierten Standes der Technik liegt der Erfindung die
längeren Beobachten flüchtiger Erscheinungen oder Aufgabe zugrunde, einen Bildwandler von besonders
beim Vergleich zeitlich getrennter Erscheinungen. 65 hoher Empfindlichkeit zu schaffen. Diese Aufgabe
Die Eigenschaft bestimmter Materialien, durch wird, ausgehend von einem Bildspeicher der eingangs
eine anliegende Wechselspannung zur Lumineszenz genannten Art, dadurch gelöst, daß das Bindemitte!
erregt zu werden und in ihrer Lichtstärke durch eine der elektrolumineszierenden Schicht einen spezi-
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |