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DE1640296A1 - Strahlungsgesteuertes Potentiometer - Google Patents

Strahlungsgesteuertes Potentiometer

Info

Publication number
DE1640296A1
DE1640296A1 DE19661640296 DE1640296A DE1640296A1 DE 1640296 A1 DE1640296 A1 DE 1640296A1 DE 19661640296 DE19661640296 DE 19661640296 DE 1640296 A DE1640296 A DE 1640296A DE 1640296 A1 DE1640296 A1 DE 1640296A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
resistance
conductive
resistor
photoconductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661640296
Other languages
English (en)
Inventor
Waer Robert L
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of DE1640296A1 publication Critical patent/DE1640296A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
    • H10F55/205Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive semiconductor devices have no potential barriers, e.g. photoresistors
    • H10F55/208Optical potentiometers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C10/00Adjustable resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Adjustable Resistors (AREA)

Description

  • Strahlungsgesteuertes Potentiometer. Die vorliegende Erfindung betrifft strahlungs- . -gesteuerte Potentiometer, insbesondere Potentiometer dieser Art, die sich durch hohe Linearität-, niedriges Rauschen und hohe Zuverlässigkeit auszeichnen.
  • Potentiometer hoher Linearität enthalten gewöhn lieh einen drahtgewickelten Widerstand, der zwischen zwei Eingangsklemmen geschaltet ist und als Teilerelement des Potentiometers dient. Auf dem drahtgewickelten Widerstand gleitet ein mit einer Ausgangsklemme verbundener Schleifer. Drahtpotentiometerdieser Art haben den Nachteil, daß das Ausgangssignal nicht kontinuierlich ist, sondern digitalen Charakter hat, da der Schleifer von Drahtwindung zu Draht.-. windeng springt, wenn er über den drahtgewickelten Widerstand bewegt. wird. Drahtpotentiometer sind außerdem unzuverlässig, da der elektrische Kontakt zwischen dem Schleifer und dem drahtgewickelten Widerstand infolge der-nie völlig zu vermeidenden Verschmutzung des Kontaktbereiches zu Schwankungen oder Unterbrechungen neigt. Dureh den Ab@ rieb und Verschleiß des drahtgewickelten Widerstandes und des Schleifkontaktes ist das Rauschen hoch und die Zuvor. lässigkeit gering Die sich aus dem Gleiten des mechanischen Ab.., griffes auf dem drahtgewickelten Widerstand ergebenden Nach. teile werden bei den bekannten strahlungsgesteuerten Po.., tentiometern (Photopotentiometern) vermieden; die sich also durch niedriges Rauschen und hohe Zuverlässigkeit auszeichnen. Strahlungsgesteuerte Potentiometer konnten bisher je@ doch nicht mit der gleichen hohen Linearität hergestellt werden;- wie Drahtpotentiometer. Die Linearität der bekannten Phötopotentiometer, bei denen eine als Spannungsteilerele. ment arbeitende aufgedampfte Schicht mittels einer durch einen beweglichen Lichtstrahl gesteuerten Photoleiterschicht mit einer Ausgangsklemme verbunden wird, ist beim derzeitigen Stand der Aufdampftechnik auf einige Prozent be" schränkt. _ Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Potentiometeranordnung anzugeben, die sichdurch dieselbe hohe Linearität wie Drahtpotentiometer aus.. zeichnet und -gleichzeitig das günstige Rauschverhalten und die hohe Zuverlässigkeit von Photopotentiometern hat: Allge-. mein gesprochen soll ein strahlungsgesteuertes Potentiometer angegeben werden., das einelektrisches Ausgangssignal liefert,»-welches-mit sehr hoher Genauigkeit proportional einer mechanischen Auslenkung ist: Eine elektrische-Widerstandsanordnung:mit einem Widerstandselement aus einem bestimmten Werkstoff und einem leitenden Element, das in im wesentlichen gleichbleibendem Abstand längs eines Randes des Widerstandselementes angeord._ net ist, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daB das leitende Element längs des dem Widerstandselement zage.., wandten Randes mit dem bestimmten Werkstoff überzogen ist und daß ein strahlungsempfindliches fqateriäl,, das bei Bestrahlung eine hohe Leitfähigkeit hat, in Kontakt mit dem Widerstandselement und dem überzogenen leitenden Element angeordnet ist.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Po.. tentiometer, das ein Substrat enthält, auf der sich ein Teilerelement in Form einer Widerstandsschicht und eine A-usgangso klemme in-Form einer leitenden Schicht befinden, die die Form benachbarter-Streifen haben und in einem bestimmten Abstand voneinander verlaufen. Auf dem Substrat sind außerdem noch leitende. Dünnschicht-Klemmen angeordnet, die die Enden der Widerstandsschicht kontaktieren: An der Widerstandsschicht ist ein drahtgewickelter Widerstand kolinear angebracht, der mit dieser Schicht das Teilerelement,also den abgreifbaren Widerstand des Potentiometers,bildet. Dieser Widerstand ist über seine ganze Länge durch ein photoleitendes Element mit der benachbarten Ausgangsklemme gekoppelt, dieses phötolei@ tende Element wird durch eine optische Anordnung, z.B. einen beweglichen Lichtstrahl, aktiviert oder gesteuert.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, es zeigen: Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform der Erfindung und . Fig. 2 eine schematische Draufsicht eines Teiles einer zweiten Ausführungsformaler Erfindung.
  • In Fig. 1 sind mit zum Teil vergrößerten Abmessungen ein strahlungsgesteuertes Potentiometer 10 und eine Anordnung zum Verstellen eines Abgriffes dieses Potentio.. meters entsprechend einer translatorischen Bewegung 1ängseiner Führungsbahn dargestellt. Das strahlungsgesteuerte Potentiometer 10 enthält einen Träger 14 mit einer glatten Oberfläche 16; der Träger kann aus irgend einem elektrisch isolierenden Werkstoff, wie Glas oder Keramik, bestehen.
  • Auf der glatten Oberfläche 16 des Trägers 14 sind eine längR liehe, rechteckige elektrisch leitende Schicht 18 und zwei leitende Streifen 20 angeordnet, die aus. Silber oder einem anderen gut leitenden Metall bestehen und durch Aufdampfen oder kaltes Auftragen mit einer Bürste oder durch ein Siebdruckverfahren hergestellt werden. Die leitenden Streifen 20. sind in-einem bestimmten Abstand von der leitenden Schicht 20 bei deren Enden angeordnet. Eine längliche, rechteckige --Widerstandsschicht 22 überlappt mit ihren Enden die leitenden Streifen 20 auf der glatten Oberfläche 16 des Trägers 14 und verläuft neben der leitenden-Schicht 18, die sie jedoch nicht berührt. Die Widerstandsschicht 22 kann beispielsweise eine aufgedampfte Schicht aus Cermet-Widerstandsmaterial bestehen und bildet-das Spannungsteilerelement-des Potentiometers 10. Die leitenden Streifen 20, die mit den Enden der Widerstandsschicht 22 Kontakt. machen, dienen als Eingangsklemmen des Potentiometers,-während die leitende Schicht 18 die Ausgangsklemme des Potentiometers darstellt: Die Widerstandsschicht 22 ist über eine photoleitende Schicht 24, die einen hohen Dunkelwiderstand hat, mit der die Ausgangsklemme bildenden leitenden Schicht 18 gekoppelt. Die photoleitende Schicht 24 besteht beispielsweise aus Cadmium-Sulfid oder Cadmiumselenid. Sie kann auf die Oberfläche 16 des Trägers@14 durch Aufdampfen im Vakuum, Auftragen einer farbartigen Suspension gesinterten Materials in einem Bindemittel, das zu einer festen Schicht aushärtet, durch-Siebdruck usw. aufgebracht werden.
  • Wenn die Kontaktstelle zweier verschiedener Werk-. Stoffe, wie der Widerstandsschicht 22 und-der Photoleiter.-schickt 18 mit Strahlung, wie sichtbarem Licht, beaufschlagt wird, entsteht eine sogenannten Photo..,Spannung.- Das Auftreten dieser bei höheren Genauigkeitsanforderungen sehr störenden Photospannung kann dadurch verhindert werden, daß auf die glatte Oberfläche 16 des Trägers 14 eine längliehe, rechteckige Widerstandsschicht 26 aufgebracht wird, -die der Widerstandsschicht 22 entspricht und die leitende Schicht 18 überlappt, die benachbarte Widerstandsschicht 22 jedoch nicht berührt. Die auf der Oberfläche 16 angeordnete Photoleiterschicht 24 überlappt dann die gleichartigen Widerstandsschichten 22, 26, so»daß bei Bestrahlung der photoleitenden Schicht 24 zwei gleichartige Werkstoffe elektrisch miteinander verbunden werden und im Effekt keine Photospannung auftreten kann.
  • Auf der Widerstandsschicht 22 ist ein drahtgewickelter Präzisionswiderstand 28 angeordnet, der sich über die ganze Länge dieser Schicht erstreckt und mit ihr durch eine Kleberschicht 30 .verbunden ist, welche einen gewissenelektrischen Widerstand hat und beispielsweise aus einem leitenden Epoxyharz bestehen kann. Der drahtgewickelte Wi.. derstand 28 und die Widerstandsschicht 22 bilden den Spannungsteilerwiderstand des Potentiometers 10. Die leitende Kleberschicht 30 und die Widerstandsschicht 22 sollen einen niedrigen Querwiderstand, jedoch einen hohen Längswiderstand haben, damit der drahtgewickelte Widerstand 28 nicht kurzgeschlossen wird. Der drahtgewickelte Widerstand ist also der Widerstandsschicht 22 elektrisch parallelgeschaltet. Der pro Längeneinheit gerechnete Widerstand des drahtgewickelten Widerstandes 28 ist kleiner als-der der parallelgeschalteten Widerstandsschicht 22, so daß sich der Spannungsteilerwiderstand elektrisch praktisch wie der drahtgewickelte Widerstand 28 hoher Linearität verhält.
  • Wenn das strahlungsgesteuerte Potentiometer 10_ nicht bestrahlt ist, sind der drahtgewickelteWiderstand 28 und die Widerstandsschicht 22 von der leitenden Schicht 18 praktisch vollständig elektrisch isoliert,-da-die-photoleitende Schicht 24 einen hohen.Dunkelwiderstand hat. Wenn jedoch ein Teil der photoleitenden Schicht 24 bestrahlt wird, nimmt der Widerstand des bestrahlten Teiles stark ab. Der drahtgewickelte Widerstand 28-und die Widerstandsschicht 22 sind dann über den bestrahlten Bereich direkt mit der leitenden Schicht 18 verbunden. Es ist meistens zweckmäßig, den bestrahlten Bereich auf eine schmale Zone-zu begrenzen, die wenigstens annähernd mit einer Linie gleichen Potentials in der-Widerstandsschicht 22 zusammenfällt. Dieses Potential wird dann an die Ausgangsklemme 18 angelegt und kann durch ein Anzeigegerät 32 angezeigt oder von irgend-elnem anderen Verbraucher nutzbar gemacht werden: Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die äqüipotentiallinien parallele Gerade, die im rechten Winkel zur Lwngsachse der Widerstandsschicht 22 verlaufen, da die durch die Streifen 20 gebildeten Anschlußklemmen beispielsweise durch eine Batterie 34 auf verschiedenen Potentialen gehalten werden. Die bestrahlte Zone hat also vorzugsweise die Form eines schmalen Rechteckes 36; das sich mit seiner Längsseite im rechten Winkel zur Längsachse der photolei@-tenden Schicht 24 quer über diese erstreckt.
  • Die bestrahlte Zone 36 kann beispielsweise durch eine Lichtquelle 38 erzeugt werden, die einen beleuchteten Spalt und eine Anordnung zur Projektion des aus dem Spaltaustretenden Lichtes 40 auf die Oberseite der Photoleiter=. schicht 24 enthält. Die Lichtquelle 38 kann an einem gerad.. linig verschiebbaren Schlitten 42 montiert sein, der auf zwei Führungen,44 läuft, die parallel zur Längsachse der photoleitenden Schicht 24 oberhalb von dieser angeordnet sind. Die Lage der beleuchteten Zone 36 kann dann durch einen Eingangs und Steuermechanismus 46, der durch eine nicht näher dargestellte Kupplungsanordnung 48 mit dem Schlitten 42 verbunden ist, längs der photoleitenden Schicht 24 verstellt werden.
  • _ Fig. 2. zeigt einen Teil eines Potentiometers 101, das gegenüber dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel dahingehend abgewandelt worden ist, daB sich eine niedrigere Ausgangsimpedanz ergibt: Die leitende Schicht 18 ist .mit leitenden-, fingerartigen Ansätzen 50 versehen, die seitlich in Richtung auf die Widerstandsschicht 22 vorspringen, diese Jedoch nicht berühren: Zwischen den-Ansätzen 50 sind auf der Oberfläche des Trägers 14 leitende Streifen 52 angeordnet, die den Ansätzen 50 entsprechen, die leitende Schicht 18 oder deren Ansätze jedoch nicht berühren. Die Widerstandsschicht 22 überlappt die leitenden Streifen 52 und die Anschlußstreifen20-und macht mit diesen elektrisch Kontakt: Die photoleitende Schicht 24 ist so auf der Oberfläche der Unterlage 14 zwischen den gegenüberliegenden Rändern-,der-leitenden Schicht 18 und der Widerstandsschicht 22 angeordnet, daß sie die Ansätze 50 und Streifen 52 erheblich überlappt. Da die leitenden Ansätze 50 und -Streifen 52 aus gleichartigem Material bestehen, kann ebensowenig wie-bei dem in FigR 1 dargestellten Ausführungsbeispiel eine Photospannung (Volta-Effekt) auftreten. Auf der Widerstandsschicht 22 ist wieder ein drahtgewickelter Widerstand 28 angeordnet, der sich über die ganze Länge dieser Widerstandsschicht erstreckt und an dieser mit einem nichtdargestellten Widerstandskleber befestigt ist.
  • Wenn die in Fig. 1 dargestellte Lichtquelle-38 längs des in Fig. 2--dargestellten Potentiometers 10t bewegt wird, tritt beim Überlaufen der aufeinand,erfolgenden An" Sätze 50 und Streifen 52 ein. Ausgangssignal auf,-das digitalen Charakter hat. Der digitale Verlauf des Ausgangssig, nales kann vermieden werden, wenn man eine Lichtquelle verwendet, die eine schmale, rechteckige Zone-.beleuchtet,'die in einem solchen Winkei zur Längsachse der Photoleiterschickt 24 verläuft, daB sie mehr als eines der leitfähigen Teile 50,52 schneidet.
  • Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf die in den Figuren beispielsweise dargestellten linearen .Potentiometer beschränkt, sondern kann auch auf Potentiometer anderer Gestalt angewendet werden, wenn dies erwünscht ist. Die Potentiometer 10, 101 können beispielsweise ohne Schwte. -rigkeiten konzentrisch aufgebaut werden, so daß die verschiedenen Schichten beispielsweise auf Kreisring- oder Zylinderflächen liegen. Die Steueranordnung 12 (Fig. 1) für das.-Potentiometer enthält in diesem Falle dann eine-Lichtquelle, die eine Drehbewegung auszuführen vermag.

Claims (10)

  1. Patentansprüche. 1e Elektrische Widerstandsanordnung mit einem Widerstandselement und einem leitenden Element, das in praktisch gleichbleibendem Abstand längs eines Randes des Wider.. standselementes verläuft, und mit einer die Widerstandsschicht elektrisch mit der leitenden Schicht verbindenden, selektiv bestrahlbaren photoleitenden Schicht, d-a d-u r c h- g e -k e n n z e i c h n e .t." daß die photoleitende Schicht (24) auf der Seite der Widerstandsschicht (22) und der leitenden Schicht (18) durch Werkstoffe (22, 26-m Fig. 1; 5®, 52 in Fig. 2) gleichen-photoelektrischen Verhaltens kontaktiert ist.
  2. 2. Widerstand-nach Anspruch 1, d ad u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die photoleitende Schicht (24) die Widerstandsschicht_(22) direkt kontaktiert und daB zwischen der photoleitenden Schicht (24) und der leitenden Schicht (18) eine Zwischenschicht (26) angeordnet ist,, die aus dem Material der Widerstandsschicht-(22) oder einem Material gleichen photoelektrischen Verhaltens besteht. -
  3. 3. Widerstand nach Anspruch 1, da d ü r c h g e k e n n z e i c h n e tdaß-die photoleitende Schicht (2$) mit der Widerstandsschicht (22) durch eine Reihe im Abstand voneinander angeordneter leitender Streifen (52) verrbunden ist, die aus demselben Werkstoff wie die leitende Schicht (18) oder einem Werkstoff gleichen photoelektrischen . Verhaltens bestehen.
  4. 4. Widerstand nach Anspruch 3, d a d u.r c h g e k e n .n z e i c h n e t, daB die leitende Schicht (18) mit der photoleitenden Schicht (24) durch Ansätze (50) verbunden ist, die in die Zwischenräume zwischen den leitenden Streifen (52) reichen. -
  5. 5. Elektrischer Widerstand mit einer dünnen Widerstandsschicht, insbesondere nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c ,h n e t, daß mit der Widerstandsschicht (22) ein Präzisionswiderstand-(28) verbunden ist, der sich über die ganze, elektrisch wirksame Länge der Widerstandsschicht (22) erstreckt und dieser elektrisch parallelgeschaltet ist.
  6. 6. Widerstand nach Anspruch 5, d a d u r c h. g e k e n n-z e- i»c h n e t, daß der Präzisionswiderstand (28) einen geringeren elektrischen Widerstand pro Längeneinheit hat als die Widerstandsschicht (22). 7.
  7. Widerstand nach Anspruch 5 oder 6, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t, daß der Präzisionswiderstand ein drahtgewickelter Widerstand ist. B.
  8. Widerstand nach einem der Ansprüche 5, 6 oder 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Widerstandsschicht (22) mit dem Präzisionswiderstand (28) äzrch eine leitende Klebstoffschicht (30) verbunden ist.
  9. 9. Widerstand nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Klebstoffschicht in Längsrichtung der Widerstände (22, 28) einen verhältnismäßig hohen Widerstand und in Querrichtung einen ve2.ä ltnismäßig niedrigen Widerstand hat.
  10. 10. Widerstand nach Anspruch 8 oder 9, d ad u r c h g e k e n n z e i e h n e t, daß die Klebstoffschicht aus einem leitenden Epoxyharz besteht.
DE19661640296 1965-02-01 1966-01-31 Strahlungsgesteuertes Potentiometer Pending DE1640296A1 (de)

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FR2386110A1 (fr) * 1977-03-30 1978-10-27 Silec Semi Conducteurs Resistance variable a commande optique

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FR1466845A (fr) 1967-01-20

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