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DE1519922A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem Schmelztiegel - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem Schmelztiegel

Info

Publication number
DE1519922A1
DE1519922A1 DE19661519922 DE1519922A DE1519922A1 DE 1519922 A1 DE1519922 A1 DE 1519922A1 DE 19661519922 DE19661519922 DE 19661519922 DE 1519922 A DE1519922 A DE 1519922A DE 1519922 A1 DE1519922 A1 DE 1519922A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crucible
volatile component
crystals
pulling
furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661519922
Other languages
English (en)
Inventor
Schilling Dipl-Ing Hansjoachim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
Original Assignee
Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB filed Critical Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
Publication of DE1519922A1 publication Critical patent/DE1519922A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Verfahren und Vorrichtung mim Ziehen tos'Erlets aus eines Schmelztiegel
Me-Erfindung betrifft ein Verfahren uaä ein© zum Ziehen τοη stabförmige» Kristallen sue .tiegel mittels eines in die Schmelze eingetauchten und herausgezogenen lapfkeimes· Sigfeesoaäfs?© i®
das ?®yfahren geeignet für das Zietien ψ&ά aus sergeizlichen Verbindungen, s*B« OsAg Usä9i. bei welchen die eine Kimponente aa iüslnelspsiörl des? ¥ei?biBdiBig sehon einen ertiebliehen Bsiipfdssia©!: .fe@®its^e
Ub@ ZUohten fön Kristallen"ans 2erset&lleh©E& mit Hilfe des bekannten tiegelfreies reitet ©inige Sohwlerl^keitesi. we
eisen defInlerten Bampfd^uölc der
h&lt@ny und ist infolge der
der Seliael^söße auf gelinge H stabtss (.s*B· 6; "bis 7 M $ .!Del. GeJLs)
!Saft
dl© Phasengrenze fsst^fltteeig- entlang der Iim,mmms&- eine® -Selilffchens-oder Siegele« Is besteht .Kristall® tos der Eiegelwazid Ib dea Eiste!stall Mm sea© Auch übt die Sieg^lwand- einen aegatiY©E lisil^ß sm£ die Kristallperfektion und die Beinheil; öeg
Das bekannte.Cz-o.ch2tel6ki~Ver£ahren9 b@i-wel· keim ia die in einem Siegel befindliche' i>stee*i§@ <; und d®r Sinkristall- allmählioh herauBge^ogea wird.
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'eignet9-dickere und größere-Sristalle zu lias -gelingt9 dan Partialdraek der gasförmige» Komponente 'konstant zu halten· Jedoch ist das Problem der Abdichtung der fuhrung'der'Zieh stange u. dgl. "schwer beherrtseiibaa?»
009811/1148 " 2 "
BAD ORIGINAL
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BAD ORIGINAL
Man kam diesen Vorgang duroh die Steigerung der Orehsahl von Hand steuern; man kann aber auch bei einmal empirisch «rmJ&elten Siehparametevn die Drehsahlveränderung berechnen und dann selbsttätig ablaufen lassen, da der Zusammenhang swlsehen Drehsahl η (ü/min) und der sloh einstellenden ab» gesenkten Hohe h In der Mitte der Schneise beschrieben wird duroh die Gleichung*
in - Wi fa2 r
H · Auegangshehe der Schneise S « Tiegelradius g · Brdbesohleunigong und
r ■ Badlne des gesogenen Kristalle· unter Voraussetsung einer sylindrisohen fozn·
Sie bekannterwelse bewirkte Surohmisohung der Schneise durch Rotation des Tiegels bei nicht rotierendem Xsipfkeia (oder ragekehrt) tritt bei den neuen Verfahren automatisch duroh eine fiadlalstrfivung ein, und sner sowohl in thernisoher wie In ohe&isoher Hinsicht·
Zur Burohftthrang des Terfahrens eignet sich eine Vorrichtung nlt einem vakuumdicht τβτ β chi i eßbaren und duroh einen regulierbaren Antrieb um seine rertikale Achse in Rotation versetsbaren öefäfl, welches in »einem unteren Teil einen duroh eine außerhalb des Gefäeeee angeordnete Heis^uelle beheisbaren Sohsielstlegel mit relativ hohen Seitenwänden und in seinem oberen Teil eine in der Hotetioneechee im Gefäß befestigte Halterung für einen Iapfkeiin enthält· Die Heisquelle ι sweckoSeelg eine Induktionsspule, sollte sur Wämeregullerung axial sum Gefäß verschiebbar angeordnet sein·
00981 1/1 U 8 *BAÄ ORIGINAL
Weitere Blnselhelten de· Verfahrens und der Torrlohtamg er» geben eioh au· der nachfolgenden Besohrelbu&g elfte· Ia der I Zeichnung dargesteilten Ausitthrungebeieplelee der Torrlohtwig«
SIn Yorsugswelse an· Quars bestehender, rotatlotissjwetrlsolLsr Beilpient 1 1st oben duroh einen Beekel 2 vakuumdicht schlossen· Br 1st unten auf einer Spltit 3 gelagert und über eine an de· Deoktl 2 angebraofate und in geeigneter feiae drehbar gelagerte lohet 4 duroh eine regelbare Antriebs*»*» richtung in Rotation rereekt werden 9 wie duroh den ff eil A engedeutet· in seiner tiefsten Stelle 1st in den Reslpleaten ein Sohmelstiegel 5 alt relatir hoher land eingesetzt, der duroh eine in Blohtung des Doppelpfeiles B auf- und abbewegbare Induktionsspule 6 beheisbar 1st« Ia oberen fell des Ieslpienten 1 ist ein Binsats 7 eingehängt 9 dessen ter t rohrfOraiger 4nsats als Halter für den lapfkeiM 8 ausgebildet 1st« Ben oberen Seil des Beslpienten 1 unsohlleBt ein Ofen 9· An der Stelle der niedrigsten Teaperatur9 welohe sioh an dar Absohaelskaplllare 10 befindet, 1st Inaerhall) der lohse 4 ei» Thernoeleaent 11 sur Regelung der Teaperatur la Oasrau· 12 und damit sur Binstellung des BartialdsMpfdruokes der flttohtigen Komponente (Bodenkörper 13) angebraoht·
Sas erfindungsgemäOe Verfahren läuft in der Torriohtung etwa wie folgt abs
Vaoh dem Pollen des Sohaelstlegele 5 nit einer bestisjtten Menge des Ausgangsstoff es C**B· GaAs)9 die ausrelöht9 aa la gesobnolsenen Zustand den XeIa etwas eintauchen su lassen9 «lsi der Slnsats 7 mit dea BodenkOrper 13, weloher aar Breeugang des Tartialdruokes der flüchtigen Komponente dient 9 elngesetst« Vaoh TereohlieAen und Bvakttieren des Besipienten 1 wird die Abeohsielskapillare 10 sugesohaolsen·
Nun kann der Recipient 1 in die Antrlebsrorrlohtuag eingebaut werden« Bas Anfsohaelsen gesohleht glelohseltig alt der Br- V
BAD ORIGINAL. 009811/1 U8 —-,_» 5 -
1519922 wärmung des Gesraumee 12 durch den Ofen 9 auf die zur Br slelung des Dampfdruckes der fluchtigen Komponente erforderliche Temperatur (ca« 620° C bei GeAe)9 gemessen durch das Thermoelement 11·
Der Gasraum 12 steht mit der Oberfläche der Schmelze 14 über Löcher 15 in Verbindung· Dadurch ist für einen bestimmten Gleichgewichtsdampfdruck über der Schmelze 14 gesorgt·
Danach beginnt der Ziehvorgang durch Steigerung der Drehzahl des gesamten Systems, welche das Absenken der Oberfläche der Schmelze In der Mitte des Tiegels bewirkt» Dabei erfolgt automatisch eine Durchmischung der Schmelze 14 in Richtung der Pfeile C.
Das Verfahren eignet sich auch zur Dotierung von Materialien mit einer definierten Menge von Dotierungsmaterial, welches beim Schmelzpunkt des Ausgangsmaterials schon stark verdampft· PaB Dotierungsmaterial tritt dann an die Stelle des Bodenkörpers oder wird diesem beigegeben·
BAD ORIGINAL 009811/1U8 —

Claims (1)

  1. · verfahren sum Ziehen tob Kristalle*, Torsagsveis» XoM ait einer flüchtigen Komponente, s·!· (IsU Ism iwiwiti «ft· •Inte Sohmelstiegel, mittel· eines is di· Sohmslie eingetauchten mid sllmihlioh herausgesogenen Impfkeimes, gektnnitiohntt , d*0 di· B«l*tlfb«vt0 Impfktlii und ObcrflMoh· der 8ο1μ·1β· dnroh kontiaaierlloh ^eeteigtrtt Eotatlon des Sohmelstiegele and de· Xhipfkeiae· erseugt idrd.
    2· Vorrichtung but Durchführung de· Terfahrene naoh Ansprooh 1, gekenneeiohnet dnroh einen TBkunedioht rw-Bohliefiberen und durch einen regulierbaren Antrieb um seine vertikale Achse in Botation rereeteberen leeipienten, weloher in seinen unteren feil einen durch eine auAerhelb dee Eesipienten angeordnete Heisguelle beheisberen Sehaels· , tiegel mit relativ hoher Seitenwand und in seinem oberen Teil eine in der Botatlonsaohse angeordnete Halterung IUr einen in den liegel hineinragenden Iapfkeim enthalt·
    3· Vorrichtung nach Anspruoh 2, dadurch gekenneeiohn e t , daß der lesipient in seinen oberen Teil einen Yorsugswelse Bit den Inpfkeimhalter verbundenen üneatB zur Aufnahme von Material einer leichtflüchtigen Komponente enthalt·
    4· Vorrichtung nach Anspruoh 2 und 3, gekennsei ohne t durch einen den oberen Bereich des Besiplenten gebenden Ofen«
    0098 U / 1 U 8 BAD 0RIGINAL
DE19661519922 1966-06-10 1966-06-10 Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem Schmelztiegel Pending DE1519922A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEV0031214 1966-06-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1519922A1 true DE1519922A1 (de) 1970-03-12

Family

ID=7586252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661519922 Pending DE1519922A1 (de) 1966-06-10 1966-06-10 Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem Schmelztiegel

Country Status (1)

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DE (1) DE1519922A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2413124A1 (fr) * 1977-12-30 1979-07-27 Wacker Chemitronic Procede de preparation de monocristaux de silicium tres purs

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2413124A1 (fr) * 1977-12-30 1979-07-27 Wacker Chemitronic Procede de preparation de monocristaux de silicium tres purs

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