DE1519922A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem Schmelztiegel - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem SchmelztiegelInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
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Description
Verfahren und Vorrichtung mim Ziehen tos'Erlets
aus eines Schmelztiegel
Me-Erfindung betrifft ein Verfahren uaä ein©
zum Ziehen τοη stabförmige» Kristallen sue
.tiegel mittels eines in die Schmelze eingetauchten und
herausgezogenen lapfkeimes· Sigfeesoaäfs?© i®
das ?®yfahren geeignet für das Zietien ψ&ά
aus sergeizlichen Verbindungen, s*B« OsAg
Usä9i. bei welchen die eine Kimponente aa iüslnelspsiörl des?
¥ei?biBdiBig sehon einen ertiebliehen Bsiipfdssia©!: .fe@®its^e
Ub@ ZUohten fön Kristallen"ans 2erset&lleh©E&
mit Hilfe des bekannten tiegelfreies reitet ©inige Sohwlerl^keitesi. we
eisen defInlerten Bampfd^uölc der
eisen defInlerten Bampfd^uölc der
h<@ny und ist infolge der
der Seliael^söße auf gelinge H
stabtss (.s*B· 6; "bis 7 M $ .!Del. GeJLs)
!Saft
dl© Phasengrenze fsst^fltteeig- entlang der Iim,mmms&- eine®
-Selilffchens-oder Siegele« Is besteht
.Kristall® tos der Eiegelwazid Ib dea Eiste!stall Mm
sea© Auch übt die Sieg^lwand- einen aegatiY©E lisil^ß sm£
die Kristallperfektion und die Beinheil; öeg
Das bekannte.Cz-o.ch2tel6ki~Ver£ahren9 b@i-wel·
keim ia die in einem Siegel befindliche' i>stee*i§@ <;
und d®r Sinkristall- allmählioh herauBge^ogea wird.
st
'eignet9-dickere und größere-Sristalle zu lias
-gelingt9 dan Partialdraek der gasförmige» Komponente 'konstant
zu halten· Jedoch ist das Problem der Abdichtung der
fuhrung'der'Zieh stange u. dgl. "schwer beherrtseiibaa?»
009811/1148 " 2 "
BAD ORIGINAL
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1519S22
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BAD ORIGINAL
Man kam diesen Vorgang duroh die Steigerung der Orehsahl
von Hand steuern; man kann aber auch bei einmal empirisch «rmJ&elten Siehparametevn die Drehsahlveränderung berechnen
und dann selbsttätig ablaufen lassen, da der Zusammenhang swlsehen Drehsahl η (ü/min) und der sloh einstellenden ab»
gesenkten Hohe h In der Mitte der Schneise beschrieben wird duroh die Gleichung*
in -
Wi
fa2 r
H · Auegangshehe der Schneise
S « Tiegelradius
g · Brdbesohleunigong und
r ■ Badlne des gesogenen Kristalle· unter Voraussetsung einer sylindrisohen fozn·
Sie bekannterwelse bewirkte Surohmisohung der Schneise durch
Rotation des Tiegels bei nicht rotierendem Xsipfkeia (oder
ragekehrt) tritt bei den neuen Verfahren automatisch duroh
eine fiadlalstrfivung ein, und sner sowohl in thernisoher wie
In ohe&isoher Hinsicht·
Zur Burohftthrang des Terfahrens eignet sich eine Vorrichtung
nlt einem vakuumdicht τβτ β chi i eßbaren und duroh einen regulierbaren Antrieb um seine rertikale Achse in Rotation versetsbaren öefäfl, welches in »einem unteren Teil einen duroh
eine außerhalb des Gefäeeee angeordnete Heis^uelle beheisbaren Sohsielstlegel mit relativ hohen Seitenwänden und in
seinem oberen Teil eine in der Hotetioneechee im Gefäß
befestigte Halterung für einen Iapfkeiin enthält· Die Heisquelle ι sweckoSeelg eine Induktionsspule, sollte sur Wämeregullerung axial sum Gefäß verschiebbar angeordnet sein·
00981 1/1 U 8 *BAÄ ORIGINAL
Weitere Blnselhelten de· Verfahrens und der Torrlohtamg er»
geben eioh au· der nachfolgenden Besohrelbu&g elfte· Ia der I
Zeichnung dargesteilten Ausitthrungebeieplelee der Torrlohtwig«
SIn Yorsugswelse an· Quars bestehender, rotatlotissjwetrlsolLsr
Beilpient 1 1st oben duroh einen Beekel 2 vakuumdicht
schlossen· Br 1st unten auf einer Spltit 3 gelagert und
über eine an de· Deoktl 2 angebraofate und in geeigneter feiae
drehbar gelagerte lohet 4 duroh eine regelbare Antriebs*»*»
richtung in Rotation rereekt werden 9 wie duroh den ff eil A
engedeutet· in seiner tiefsten Stelle 1st in den Reslpleaten
ein Sohmelstiegel 5 alt relatir hoher land eingesetzt, der
duroh eine in Blohtung des Doppelpfeiles B auf- und abbewegbare Induktionsspule 6 beheisbar 1st« Ia oberen fell des Ieslpienten 1 ist ein Binsats 7 eingehängt 9 dessen ter t
rohrfOraiger 4nsats als Halter für den lapfkeiM 8 ausgebildet
1st« Ben oberen Seil des Beslpienten 1 unsohlleBt ein Ofen 9·
An der Stelle der niedrigsten Teaperatur9 welohe sioh an dar
Absohaelskaplllare 10 befindet, 1st Inaerhall) der lohse 4 ei»
Thernoeleaent 11 sur Regelung der Teaperatur la Oasrau· 12
und damit sur Binstellung des BartialdsMpfdruokes der flttohtigen Komponente (Bodenkörper 13) angebraoht·
Sas erfindungsgemäOe Verfahren läuft in der Torriohtung etwa
wie folgt abs
Vaoh dem Pollen des Sohaelstlegele 5 nit einer bestisjtten
Menge des Ausgangsstoff es C**B· GaAs)9 die ausrelöht9 aa la
gesobnolsenen Zustand den XeIa etwas eintauchen su lassen9 «lsi
der Slnsats 7 mit dea BodenkOrper 13, weloher aar Breeugang
des Tartialdruokes der flüchtigen Komponente dient 9 elngesetst«
Vaoh TereohlieAen und Bvakttieren des Besipienten 1 wird die
Abeohsielskapillare 10 sugesohaolsen·
Nun kann der Recipient 1 in die Antrlebsrorrlohtuag eingebaut
werden« Bas Anfsohaelsen gesohleht glelohseltig alt der Br- V
BAD ORIGINAL. 009811/1 U8 —-,_» 5 -
1519922 wärmung des Gesraumee 12 durch den Ofen 9 auf die zur Br slelung des Dampfdruckes der fluchtigen Komponente erforderliche Temperatur (ca« 620° C bei GeAe)9 gemessen durch
das Thermoelement 11·
Der Gasraum 12 steht mit der Oberfläche der Schmelze 14 über
Löcher 15 in Verbindung· Dadurch ist für einen bestimmten Gleichgewichtsdampfdruck über der Schmelze 14 gesorgt·
Danach beginnt der Ziehvorgang durch Steigerung der Drehzahl
des gesamten Systems, welche das Absenken der Oberfläche der Schmelze In der Mitte des Tiegels bewirkt» Dabei erfolgt automatisch eine Durchmischung der Schmelze 14 in Richtung der
Pfeile C.
Das Verfahren eignet sich auch zur Dotierung von Materialien
mit einer definierten Menge von Dotierungsmaterial, welches
beim Schmelzpunkt des Ausgangsmaterials schon stark verdampft·
PaB Dotierungsmaterial tritt dann an die Stelle des Bodenkörpers oder wird diesem beigegeben·
BAD ORIGINAL 009811/1U8 —
Claims (1)
- · verfahren sum Ziehen tob Kristalle*, Torsagsveis» XoM ait einer flüchtigen Komponente, s·!· (IsU Ism iwiwiti «ft· •Inte Sohmelstiegel, mittel· eines is di· Sohmslie eingetauchten mid sllmihlioh herausgesogenen Impfkeimes, gektnnitiohntt , d*0 di· B«l*tlfb«vt0 Impfktlii und ObcrflMoh· der 8ο1μ·1β· dnroh kontiaaierlloh ^eeteigtrtt Eotatlon des Sohmelstiegele and de· Xhipfkeiae· erseugt idrd.2· Vorrichtung but Durchführung de· Terfahrene naoh Ansprooh 1, gekenneeiohnet dnroh einen TBkunedioht rw-Bohliefiberen und durch einen regulierbaren Antrieb um seine vertikale Achse in Botation rereeteberen leeipienten, weloher in seinen unteren feil einen durch eine auAerhelb dee Eesipienten angeordnete Heisguelle beheisberen Sehaels· , tiegel mit relativ hoher Seitenwand und in seinem oberen Teil eine in der Botatlonsaohse angeordnete Halterung IUr einen in den liegel hineinragenden Iapfkeim enthalt·3· Vorrichtung nach Anspruoh 2, dadurch gekenneeiohn e t , daß der lesipient in seinen oberen Teil einen Yorsugswelse Bit den Inpfkeimhalter verbundenen üneatB zur Aufnahme von Material einer leichtflüchtigen Komponente enthalt·4· Vorrichtung nach Anspruoh 2 und 3, gekennsei ohne t durch einen den oberen Bereich des Besiplenten gebenden Ofen«0098 U / 1 U 8 BAD 0RIGINAL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEV0031214 | 1966-06-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE1519922A1 true DE1519922A1 (de) | 1970-03-12 |
Family
ID=7586252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661519922 Pending DE1519922A1 (de) | 1966-06-10 | 1966-06-10 | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einem Schmelztiegel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1519922A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2413124A1 (fr) * | 1977-12-30 | 1979-07-27 | Wacker Chemitronic | Procede de preparation de monocristaux de silicium tres purs |
-
1966
- 1966-06-10 DE DE19661519922 patent/DE1519922A1/de active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2413124A1 (fr) * | 1977-12-30 | 1979-07-27 | Wacker Chemitronic | Procede de preparation de monocristaux de silicium tres purs |
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