DE1547963A1 - Verfahren zur Erzielung fotografischer Abbildungen - Google Patents

Description

USA; 3er.No. 371 553

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Erzielung photographischer Abbildungen auf einer Schicht bestehend aus HB - VIA Verbindungen. Es handelt sich insbesondere um ein derartiges Verfahren, bei dem ein Bild mit Hilfe von licht auf die Oberfläche des Materials projiziert wird unter gleichzeitiger Einwirkung von Wärme. Auf diese Weise entsteht auf dem Material ein permanentes Bild.

Ganz allgemein ist das Gebiet der Photographie technisch hoch entwickelt? es werden gewisse Silbersalze, wie beispielsweise Silberiödide und Silberbromide, als lichtempfindliche Schichten

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Btyeriidie Vereinibaok München 820*993

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photographischer Filme benutzt. Y/enn solche Verbindungen dem Licht ausgesetzt und anschließend entwickelt werden, entsteht das bekannte photographische Negativ, das man zum Herstellen der bekannten photographischen Bilder benutzt. Darüberhinaus wurden viele andere phototechnische Verfahren für die Anwendung in den verschiedenartigsten industriellen Prozessen vorgeschlagen, beispielsweise Photoätzen, bei dem man so vorgeht, daß eine photographische Substanz auf eine Haterialunterläge aufgebracht wird, deren Oberfläche das gewünschte Ätzmuster erhalten soll; ein EiId dieses Iiusters wird auf diese Oberfläche geworfen,und entsprechend dem darauf abgebildeten Muster wird eine nachher auf das Material aufgebrachte Itzlösung bestimmte Oberflächenteile, die durch einen entsprechend dem Muster exponierten I¹Hm nicht geschützt sind, selektiv entfernen. Derartige Verfahren sind hinlänglich bekannt; ihnen haftet jedoch der Nachteil an, daß für die photographischen Schichten komplexe chemische Verbindungen benötigt werden und daß es darüberhinaus eines verhältnismäßig großen technischen Aufwandes bedarf, um die entstehenden Schichten, Filme, Abdrucke und dergleichen zu verarbeiten.

Zweck dieser Erfindung ist die Schaffung eines photothermischen Verfahrens zur Herstellung von Bildern auf der Oberfläche eines geeigneten Substrats, dessen Zusammensetzung verhältnis-

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mäßig einfach ist; dabei kommt insbesondere ein Ätzverfahren zur Anwendung, mit dessen Hilfe die gewünschten Iluster bzw. Abbildungen auf einer auf einem Träger aufgebrachten Schicht, die vorzugsweise eine Verbindung von Materialien der Slementegruppe IIB-VIA darstellt, erzeugt werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzielung photographischer Abbildungen, bei dem ein Lichtbild des abzubildenden Musters auf die Oberfläche einer photosensitiven Schicht, bestehend aus einer Verbindung von Materialien der Gruppe IIB-VIA des Periodischen Systems der Elemente, geworfen wird, ist dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit der Lichtprojektion die photosensitive Schicht so weit erhitzt wird, daß eine Dissoziation der Verbindung stattfindet und zwischen Elementen der VIA-Grruppe und Nachbarelementen eine Reaktion in G-ang kommt und diese Elemente aus der Reaktionszone verschwinden, daß Elemente der IIB-Gruppe in der Reaktionszone

des ausgefällt werden und daß die Wellenlänge/zur Projektion verwendeten Lichtes gleich oder kleiner ist als der Bandabstand der IIB-VIA-Verbindung.

Weitere Ziele, Eigenschaften und Merkmale der Erfindung werden in der folgenden, in weitere Einzelheiten gehenden Beschreibung unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen auseinandergesetzt und erläutert. In den Zeichnungen stellen dar:

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Fig. 1 die Perspektivansicht eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf einer photothermischen Substratoberfläche reproduzierten Bildes;

Pig. 2 die Perspektivansicht eines für die Yerv/endung in der Druckereitechnik geeigneten Elementes, das nach dem erfindungsgemäßen photothermischen Ätzprozess hergestellt wurde j

Fig. 3 die Querschnittsansicht einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Vorrichtung.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß bei der Projektion eines Lichtbildes auf die Oberfläche einer Schicht, die eine Verbindung von Elementen aus den Gruppen HB und VIA des Periodischen Systems bildet, und bei gleichzeitiger Erhitzung der Schicht in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre zur Herbeiführung einer Oxydation der Schicht eine entsprechend dem Lichtbild verschieden starke Oxydation stattfindet, wodurch ein dauerhaftes erkennbares Bild auf dieser Schicht entsteht. Wenn dieser Prozeß längere Zeit fortgesetzt wird, so schreitet in der beleuchteten Zone der kombinierte Oxydations- und ErosionsVorgang in der Schicht in einem solchen Ausmaß weiter, daß sich im Vergleich zu den umgebenden unbeleuchteten Zonen eine Vertiefung in genauer Konformität mit dem Lichtbild ausbildet.

Man weiß bereits, daß Licht einer geeigneten Wellenlänge und

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Intensität bestimmte Oberflächenreaktionen, beispielsweise Adsorption, Ausfällen und Dissoziation, bei gewissen Halbleiter- und Isoliermaterialien hervorrufen kann. Die Lichtempfindlichkeit dieser Prozesse deutet an, daß der Ladungstransfer in der gesamten Oberflächenreaktion eine bedeutende Rolle spielt. Als bedeutsam für die vorliegende Erfindung hat man gefunden, daß, anstatt die durch das Ladungstransferverhältnis gesteuerten Oberflächenreaktionen durch Licht zu beeinflussen, die Elektronen- oder Lochkonzentration an der festen Oberfläche durch Beleuchten stark erhöht wird relativ zu ihrem Gleichgewichtszustand in der Dunkelheit bei der gleichen Reaktionstemperatur. Darüberhinaus wurde gefunden, daß diese größere Oberflächenaktivität in bestimmten Materialien durch einen permanenten Photoeffekt begleitet ist aufgrund der unterschiedlichen Oxydationsstärken in den beleuchteten und unbeleuchteten Zonen.

Man hat gefunden, daß die Oxydationsgeschwindigkeit von Kadmiumsulfid-Einkristallen (OdS) durch Licht verändert wird. Experimente haben ferner ergeben, daß bei der Oxydation von Kadmiumsulfid unter Lichteinwirkung eine Veränderung in der Zusammensetzung eintritt, daß nämlich Kadmium an der Oberfläche als zweite Phase ausfällt und damit in der beleuchteten Zone einen ausgeprägten Bildeffekt herbeiführt im Gegensatz zu den unbeleuchteten Zonen.

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Während man diese Beobachtung zuerst beim Arbeiten mit Kadmiumsulfidschichten gemacht hat, hat sich bei der näheren Untersuchung herausgestellt, daß der gleiche Effekt auch mit einer Vielzahl anderer IIB-VIA-Verbindungen erzielt werden kann, neben Kadmiumsulfid beispielsweise auch bei Kadmiumtellurid, Kadmiumseienid, Zinkselenid usw. Allgemein kann man sagen, daß jede Verbindung aus der Gruppe HB, die Kadmium, Zinn und Quecksilber, und aus der Gruppe VIA, die Schwefel, Selen und Tellur umfassen, das gleiche Phänomen zeigen, wenn sie gleichzeitig einer Hitzeeinwirkung ausgesetzt und mit licht einer geeigneten './ellenlange bestrahlt werden. Die Schichten können von der Form einer Einkristalloder amorphen Struktur sein, ohne daß eich ein erkennbarer Einfluß bei den erzielten Ergebnissen bemerkbar macht. Mit anderen Worten, man beobachtet den gleichen photothermischen Effekt, unabhängig davon, ob man Plättchen verwendet, die von einem Einkristallkörper abgeschnitten sind, oder amorphe oder polykristalline Schichten benutzt.

In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wurden beständig reproduzierbare permanente Bilder auf einem Kadmiumsulf id-Plättchen gebildet, das von einem Einkristallkörper abgeschnitten war und eine Dicke zwischen 1 und 5 Mikron aufwies. Das die Schicht darstellende Plättchen wurde in einer Haltevorrichtung befestigt, mit deren Hilfe es bis zu

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einer Temperatur von etwa 300° C erhitzt und gleichzeitig ein optisches Bild darauf projiziert werden konnte. Als Lichtquelle wurde eine Quecksilber-IIochdrueklampe verwendet mit einer Ausgangslicht stärke von etwa 10 ^m-Y/at t/cm und mit einer überwiegenden Ausgangswellenlänge von 355.0 S. Bei ' Aufrechterhaltung der erhöhten Temperatur der Schicht zusammen mit einer kontinuierlichen Beleuchtung zwischen. 30 Min. und 3 Stdn. bildeten sich auf dem Kadmiumsulfidfilm sichtbare Muster aus. Eine längere Exponierungszeit bringt Bilder von größerem Kontrast hervor.

Das Verfahren kann zweckmäßig in einer normalen Luftatmosphäre ausgeführt werden, jedoch erhöht eine Atmosphäre mit höherem Sauerstoffgehalt die Reaktionsgeschwindigkeit in · gewissem Maße. Es wurde gefunden, daß ein mit Wasserdampf

gesättigter Sauerstoffstrom die Reaktionsgeschwindigkeit beträchtlich begünstigt durch ein bis jetzt noch nicht ganz erklärbares Katalysatorphänomen.

Wie weiter oben bereits erwähnt, ist es notwendig, daß die Energie des auftreffenden Lichtes gleich oder größer ist als die Bandabstandsenergie der als aktives photothermisches Element verwendeten IIB-YIA-Verbindung. Anders ausgedrückt, die Wellenlänge der auftreffenden Lichtstrahlung muß gleich oder kleiner sein als der Bandabstand dieses IIB-YIA-Stoffes.

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Das kommt daher, daß bekanntlich die Strahlungsenergie umge-'kehrt proportional ist zur 7/ellenlänge der Strahlung. Wenn die obengenannte Wellenlängen- oder Energiebeziehung berücksichtigt ist, so wird die auftreffende Lichtstrahlung absorbiert anstelle einer bloßen Weiterleitung durch die Schicht. Dies ist notwendig, wenn es zum Auftreten der gewünschten unterschiedlichen Oberflächenaktivität kommen soll.

Der Temperaturbereich, innerhalb dessen sich der vorliegende Prozeß abspielen muß, ist durch die Natur der .Reaktion bestimmt. So gut sich die hier eine Rolle spielende Reaktion feststellen lassen kann, handelt es sich um eine Dissoziation, wobei die Stoffe der Gruppe HB und der Gruppe VIA' durch Hitze dissoziiert werden unter Kombination eines VIA-Elementes mit einem Umgebungselement, d. h. Sauerstoff im Falle von Kadmiumsulfid, und aus der Reaktionszone verschwinden unter Zur-iclc.assung der Elemente der Gruppe HB. Deshalb ist die für die einzutretende Reaktion erforderliche Minimaltemperatur diejenige, bei der die Ausbildung des Bildes zustandekommt, oder anders ausgedrückt, bei welcher eine wesentliche Dissoziierung und das Verschwinden der VIA-Komponenten stattfindet. Die obere Temperaturgrenze liegt dort, wo ein bedeutsames Verdampfen,des Materials von der Oberfläche beginnt, und zwar tatsächlich durch Wegdampfen. In diesem

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Zustand beginnt jedes durch den erfindungsgemäßen Prozeß -gebildete Bild fast so schnell wie es zustandekam wieder wegzudampfen. Aus diesem Grunde führt das beschriebene Verfahren bei so hohen Temperaturen zu keinen befriedigenden !Resultaten. Im Falle von !Cadmiumsulfid funktioniert das erfindungsgemäße Verfahren in einem Temperaturbereich zwischen etwa 300° und 450° G. Zur allgemeinen Definition der Temperaturzone läßt sich formulieren, daß sich das Bild in dem gewünschten Sinne dann ausbildet, wenn die Ausbildungsgeschwindigkeit des photographischen Bildes größer ist als die Geschwindigkeit der Partikelbeseitigung durch Oxydation oder Verdampfen.

Wie schon ausgeführt, nimmt man an, daß die primär für die Ausbildung des Bildes verantwortliche Reaktion eine Dissoziation ist, wobei die folgende Formel die Dissoziation beispielsweise für CdS darstellt:

GdS > Gd+

Sauerstoff 4 Cd 4 0 —> CdO + 30_χ

Es soll hier jedoch darauf hingewiesen werden, daß die CdO-Reaktion unvollständig ist. Mit anderen Worten, auf der Oberfläche der Kadmiumpartikel bildet sich augenscheinlich eine Oxydaehicht, während das Innere der Kadmiumpartikel,

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die im Dunkeln liegen, in der Reaktionszone zur Bildung des Bildes verbleiben. Zur gleichen Zeit verschwindet das SO aus der P.eaktionszone und rekombiniert nicht mit dem Kadmium, wodurch sich ein Gleichgewichtszustand einstellt, bei dem es zu keiner Ausbildung eines Bildes kommt, d. h. KadmiuE fällt aus. "lan kann deshalb annehmen, daß sich das vorliegende Verfahren in jeder beliebigen Atmosphäre ausführen läßt, wenn diese nur eine Kombination mit dem Element der Gruppe VIA eingeht zum Zwecke der Beseitigung dieses Elementes aus der Reaktionszone, jedoch das Element der Gruppe 113 nicht entfernt,außer daß vielleicht eine partielle Reaktion an dessen Oberfläche stattfindet.

Nachdem bisher der erfindungsgemäße Prozeß zur Bildung photothermischer Bilder ganz allgemein beschrieben wurde, wird nun zur Beschreibung zweier Beispiele übergegangen unter Bezugnahme auf die in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Figuren.

Fig. 1 stellt die Perspektivansicht eines einfachen photothermischen Elementes dar, wobei auf einem geeigneten Träger oder Substrat 10 eine Schicht von IIB-VIA-Material aufgebracht ist. Die Buchstaben 14 sollen lediglich ein typisches, dauerhaftes, in der Schicht 12 ausgeführtes Bild veranschaulichen. Es sind dies Reproduktionen der gleichen Buch-

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stäben, die sich in einer während des photothermischen Prozesses vor dem Element angebrachten Maske befinden, wie noch mit Bezug auf Fig. 3 genauer beschrieben werden wird. Diese Buchstaben stehen selbstverständlich stellvertretend für jedes beliebige Muster, das durch eine Maske überhaupt dargestellt werden kann. Hit anderen Worten, es könnten genausogut andere Buchstaben, Zahlen, spezielle Symbole sowie verschiedene andere Kunstformen zur Anwendung gelangen.

Die vorliegende Erfindung hat auch eine Anwendungsmöglichkeit in der elektrischen Bauelemente-Industrie, wobei die. Isoliereigenschaften der in der beleuchteten Zone gebildeten Oxydschicht zur Bildung von Isolierschichten auf der Oberfläche jedes beliebigen isolierenden oder leitenden Trägers ausge-' nutzt werden können. Auch dieses Merkmal trifft für alle oben erwähnten IIB-VIA-Verbindungen zu.

Pig. 2 stellt eine Perspektivansicht einer weiteren Ausbildungsform der vorliegenden Erfindung dar, wobei ein entsprechend geformter Gegenstand durch Anwendung des erfindungsgemäßen Photoätzprozesses geschaffen wurde. Ähnlich wie in Pig. I umfaßt auch dieses Element einen Träger oder ein Substrat mit einer darüber befindlichen aktiven photothermischen Schicht 32. Wie man sehen kann,liegt das einzige dargestellte Bild vertieft bzw. ist in die Oberfläche der Schicht 32 eingeätzt.

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Dies erzielt man durch eine Portsetzung des erfindungsgemäßen Verfahrens für eine längere Zeitdauer, beispielsweise bis zu 24 Stunden.

Das photothermische Ätzverfahren kann man heranziehen beispielsweise zur Herstellung einer Urschablone für Drucktypen oder Kunstformen, wobei das beispielsweise in Pig. 2 dargestellte Schablonenelement zum Gießen der Drucktypen verwendet werden kann, die ihrerseits anschließend für das eigentliche Drucken verwendet werden. Mit diesem Verfahren können die herkömmlichen Methoden des Photoätzens, der Photogravierung usw. ersetzt werden. Der Hauptvorzug des erfindungsgemäßen photothermischen Ätzverfahrens über die oben erwähnten herkömmlichen Verfahren besteht in seiner relativen Einfachheit und der damit in Zusammenhang stehenden Kostensenkung. Dem steht allerdings eine für den Prozeß benötigte längere Zeitdauer gegenüber, obwohl anzunehmen ist, daß gewisse Zusätze in ixe photothermische IIB-VIA-Schicht die Verdampfungsgeschwindigkeit beschleunigen und damit die benötigte Zeit zur Erzielung einer Ätzung von vorbestimmter Tiefe herabsetzen werden.

Pig. 3 zeigt in schematischer Darstellung eine zur erfolgreichen Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignete Vorrichtung. Dieser Apparat umfaßt ein aufheizbares

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Element oder eine Heizplatte 40 mit einer beispielsweise im Innern untergebrachten Uiderstandsheizspirale 42. An sie ist ■über ein Regelpotentiometer 46 eine elektrische Energiequelle 44 angeschlossen; die Temperatur der Heizplatte kann durch Verstellen des Potentiometers 46 wahlweise eingestellt werden. Das Substrat 48 mit dem darauf aufgebrachten photothermisehen Film 50 ist in geeigneter »"eise an der Vorderseite der Heizplatte 40 befestigt. Auf der Substratoberfläche ist ein Thermoelement 52 angebracht, das eine kontinuierliche Überwachung der Temperatur von Substrat 40 und Schicht 50 gestattet j das Anzeigeinstrument 54 kann gegebenenfalls direkt in Temperaturgraden geeicht sein. Vor der Schicht 50 ist im Strahlengang einer Lichtquelle 60 eine mit einem vorbestimmten Muster 64 versehene Maske 62 angebracht. Man erhält auf der Oberfläche der Schicht 50 ein sehr klares Abbild des auf der-Maske 62 befindlichen Lochmusters 64, wenn die Maske unmittelbar vor der Schicht 50 angebracht ist. V/ie bereits mehrfach erwähnt ist es wichtig, daß ein bestimmtes Verhältnis zwischen der Wellenlänge des von der Quelle 60 erzeugten Lichtes und dem Bandabstand des photothermisehen Materials besteht.

Die in Fig. 3 dargestellte schematLsche Ausbildungsform steht stellvertretend für alle möglichen anderen Ausführungsbeispiele

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einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Beispielsweise könnte der gesamte Apparat in einem geeigneten Behälter untergebracht und darin eine bestimmte gewünschte Gasatmosphäre vorhanden sein unter strikter überwachung des ~'ass er dampf- und/oder Sauerstoffgehalts, -is sei jedoch festgestellt, daß die in der Figur dargestellte Vorrichtung den tatsächlich zur Anwendung 'gekommenen Apparat in recht guter G-enauigkeit wiedergibt, wobei die sichtbaren Bilder - wie bereits erwähnt - auf der Oberfläche von Kadmiumsulfid-Schichten erzeugt wurden. Jedenfalls läßt sich daraus ersehen, daß es sich bei der zur erfolgreichen Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens angewendeten Vorrichtung tatsächlich um einen sehr einfachen und billigen Apparat handelt.

Bei der Durchführung aller gemachten Versuche wurden als Lichtquellen Quecksilber- oder Xenon-Hochdrucklampen verwendet. Die Lichtintensität lag bei 2 χ 10 ^«, "rf at t/cm . Für Untersuchungen der '/ellenlängenabhängigkeit wurde ein Bausch und Lombe Gitter-Monochromator oder Srenzfilter verwendet.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht auf die Schaffung sichtbarer Abbildungen beschränkt. ¥ie bereits früher erwähnt,

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lassen sieh auch selektive Isolierschichten mit Hilfe dieses auf den IIB-VIA-Verbindungen beruhenden Verfahrens ausbilden.

Besonders nützlich erscheint so eine Isolierschicht beispielsweise für einen Feldtransistor zu sein, der aus einem IIB-VIA-Material, beispielsweise Kadmiumsulfid, hergestellt ist. Nach der herkömmlichen Herstellungsweise ging die Schaffung eines solchen Transistors so vor sich: Ausbildung des Elementekörpers, Anbringen der Emitter- und Kollektor-Elektroden an entgegengesetzten Snden, Aufsprühen einer isolierenden Silieiumoxyd-Schicht und Anbringen der Basiselektrode auf dieser Schicht. Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es nun nicht mehr notwendig, die Isolierschicht aufzusprühen. Es genügt jetzt, die mit der Isolierschicht zu versehende Zone mit Lieht einer bestimmten V/ellenlänge anzustrahlen und das Element in einer Sauerstoffatmosphäre zu erhitzen bis in einen Temperaturbereich, wo die Geschwindigkeit der Bildung des IIB-Oxyds größer ist als die Erosionsrate der Verbindung. So kann man sehen, daß das vorliegende Verfahren in der elektronischen Pertigungsindustrie ein weites Anwendungsfeld findet, speziell auch auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen, wo sehr kleine und kompliziert ausgestaltete Schaltplanmuster neuartige Herstellungsverfahren notwendig machen. .

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Somit ist gezeigt, daß das erfindungsgemäße photothermische Verfahren zur Erzielung photographischer Abbildungen auf gewissen IIB-VIA-Schichten ein weites Anwendungsfeld vorfindet. Die hier beschriebenen Ausführungsformen sind lediglich als beispielhaft für verschiedene Anwendungsmöglichkeiten aufzufassen, bei denen sich der erfindungsgemäße Prozeß erfolgreich anwenden läßt} es sei hier festgestellt, daß keineswegs die Absicht einer Beschränkung auf die hier gemachten Vorschläge besteht.

Auch die für die beliebigen mit Hilfe der Pig. 1 und 2 zum Ausdruck gebrachten Ausführungsbeispiele verwendeten Substratmaterialien können aus einer umfassenden Stoffgruppe gewählt werden; als wesentliches Merkmal müssen sie der bei der Anwendung des Verfahrens auftretenden Wärmeeinwirkung widerstehen. Beispielsweise würden sich Stoffe aus Glas oder Metall vorzüglich als Träger oder Substrat eignen. Man kann auch flexible Träger anwenden, beispielsweise eine .Vielzahl elastischer, gummiartiger Stoffe sowie fluorinierte Hydrocarbon-Polymere, die gegenüber erhöhten Temperaturen ebenfalls widerstandsfähig sind.

Schließlich soll erwähnt werden, daß trotz der genannten IIB-VIA-Verbindungen als hauptsächlich geeignetes Aktivmaterial wahrscheinlich eine größere Anzahl von Additiv-

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substanzen als Sensibxlisierungsmittel zur Anwendung kommen 'können, die zu einer Verstärkung der gewünschten Effekte beitragen, beispielsweise eine Vergrößerung der Oxydationsgesohwindigkeit in den beleuchteten Zonen des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 2 oder eine Verstärkung im Kontrast des entstandenen Bildes gemäß dem Ausführungsbeispiel von Fig. 1 herbeiführen.

Pat ent ansprüche;

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Claims (11)

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1. Verfahren zur Erzielung photographischer Abbildungen, bei dem ein lichtbild des abzubildenden Musters auf die Oberfläche einer photosensitiven Schicht, besthend aus einer Verbindung von Materialien der Gruppen IIB-VIA des Periodischen Systems der Elemente, geworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit der lichtprojektion die photosensitive Schicht so weit erhitzt wird, daß eine Dissoziation der Verbindung stattfindet und zwischen Elementen der VIA-Gruppe und Nach barelementen eine Reaktion in Gang kommt und diese Elemente aus der Reaktionszone verschwinden, daß Elemente der IIB-Gruppe in d.er Reaktionszone ausgefällt werden und daß die Wellenlänge des zur Projektion verwendeten Lichtes gleich oder kleiner ist als der Bandabstand der IIB-VIA-Yerbindung.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photosensitive Schicht (12, 32) auf eine Trägerplatte (10, 30) aufgebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photosensitive Schicht eine Verbindung aus Kadmiumsulfid enthält.

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4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photosensitive Schicht eine Verbindung aus Kadmiumselenid enthält.

5. Verfahren nach Anspruch 1» dadurch gekennzeichnet, daß die photosensitive Schicht eine Verbindung aus Kadmiumtellurid enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Erhitzen der photosensitiven Schicht bis zu einer Temperatur in der Größenordnung zwischen 300° und 450° C erfolgt.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photosensitive Schicht beim Erhitzen in eine Sauerstoff atmosphäre gebracht v/ird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die photosensitive Schicht beim Erhitzen in eine Sauerstoff- und Wasserdampfatmosphäre gebracht v/ird.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtprojektion auf die photosensitive Schicht und deren Erhitzen so lange fortgesetzt¹

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wird, bis die Bildentstehung aufgrund der Ausfällung der IIB-Elemente in den vom Licht bestrahlten Bereichen der .photosensitiven Schicht die Geschwindigkeit der Bilderosion aufgrund von Oxydation und Verdampfung überwiegt.

10. Verfahren zur Herstellung einer Isolierschicht nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtprojektion auf die photosensitive Schicht und deren Erhitzen so lange fortgesetzt wird, bis die Oxydbildung des IIB-Elementes die Geschwindigkeit der Erosion in den vom Licht bestrahlten Bereichen der photosensitiven Schicht überwiegt.

11. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schaltteiles, insbesondere für miniaturisierte Schaltkreise, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtprojektion auf die photosensitive Schicht und deren Erhitzen so lange fortgesetzt wird, bis das gewünschte Ausmaß einer selektiven Erosion in den vom Licht bestrahlten Bereichen der photosensitiven Schicht erreicht ist.

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